接触式ic卡sle4442卡读写实验
接触式ic卡sle4442卡读写实验接触式IC卡(SLE4442卡)读写实验
一. 实验目的
了解接触式IC 卡的知识，学会如何根据时序逻辑图编写实用程序。
二. 实验设备及器件
IBM PC 机一台
DP-51PROC 单片机综合仿真实验仪一台
三. 实验内容
根据IC 卡的读写时序图编写程序，实现IC 卡(SLE4442)的读写。
四. 实验要求
根据IC 卡的时序图编写51 单片机程序读写逻辑加密IC 卡(SLE4442)读写程序。五、实验线路与实验原理
接触式IC 卡的触点定义遵循ISO7816规定， IC 卡8 个触点分布位置如图3.23 所示，对应着DP-51PROC 单片机综合仿真实验仪“D8IC 卡” 区IC 卡座上方的引线。本实验使用的是SLE4442卡, SLE4442 的触点安排见图3.24。
图3.24 IC 卡触点分布图图3.25 SLE4442 的触点安排
本实验SLE4442 卡与单片机的引脚连线关系见表3.4。
表3.4 SLE4442 与单片机引脚连线
单片机实验仪板上对应引线 SLE4442 引脚
P1.0 TP1 I/O
P1.1 TP4 CLK
P1.2 TP3 RST
下面介绍SLE4442 的有关知识
5.1 概述
SLE4442 是德国西门子(SIMENS)公司设计的逻辑加密存储卡。它具有2K 位的
存储容量和完全独立的可编程代码存储器(PSC)。内部电压提升电路保证了芯片能够以单+5V 电压供电，较大的存储容量能够满足通常应用领域的各种需要。因此是目前国内应用较多的一种IC 卡芯片。芯片采用多存储器结构，2 线连接协议(串
行接口满足ISO7816 同步传送协议)，NMOS 工艺技术，每字节的擦除/写入编程
时间为2.5ms。存储器具有至少10000 次的擦写周期，数据保持时间至少10 年。
SLE4442 IC 卡主要包括三个存储器 :
(1)256x8 位EEPROM 型主存储器。地址0~31 为保护数据区，该区数据读出不受限制，写入受保护存储内部数据状态的限制。当保护存储器中第N 位(N=0~31)为1 时，对应主存储器中第N 个字节允许进行擦除和写入操作。地址32~255 后223 字节为应用数据区，数据读出不受限制，擦除和写入受加密存储器数据校验结果的影响。这种加密校验
的控制是对整个主存储器实施的(即包括保护数据区和应用数据区)。
(2)32 x1 位PROM 型保护存储器。一次性编程以保护主存储器保护数据区，防止一些固定的标识参数被改动。保护存储器同样受加密存储器数据校验结果的影响。 (3)4x8 位EEPROM 型加密存储器。第0 字节为密码输入错误计数器(EC)。EC 的有效位是低三位，芯片初始化时设置成“111”。这一字节是可读的。EC 的1，2，3 字节为参照字存储区。这3 个字节的内容作为一个整体被称为可编程加密代码(PSC)。其读出，写入和擦除均受自身“比较”操作结果的控制。
图3.26 SLE4442卡的内部结构图
5.2 传送协议
(1) 复位和复位响应
图3.27 复位时序图
复位和复位响应是根据ISO7816-3 标准来进行的。在操作期间的任意时候都可以复位。开始，地址计数器随一个时钟脉冲而被设置为零。当RST 线从高状态(H)置到低状态
(L)时,第一个数据位(LSB)的内容被送到I/O 上。若连续输入32 个时钟脉冲，主存储器中的前四个字节单元中的内容被读出。在第33 个脉冲的下降沿，I/O 线被置成高状态而关闭。 (2)命令模式
复位响应以后，芯片等待着命令。每条命令都以一个“启动状态”开始。整个命令包括 3 个字节。随后紧跟着一个附加脉冲并用一个“停止状态”来结束操作。
启动状态:在CLK 为高状态(H 状态)期间，I/O 为下降沿时为启动状态。停止状态:在CLK 为高状态(H 状态)期间，I/O 为上升沿时为停止状态。在接受一个命令之后，有两种可能的模式:输出数据模式(即读数据)和处理数据模式。
图3.28 命令模式的时序图
(3) 输出数据模式
这种模式是将IC 卡芯片中的数据传送个外部设备接口(IFD)的一种操作。
图3.29 输出数据模式的时序图
在第一个CLK 脉冲的下降沿之后，I/O 线上的第一位数据变为有效。随后每增加一个时钟脉冲，芯片内部的一位数据被送到I/O 线上。数据的发送从每个字节的最低位(LSB) 开始。当所需要的最后一个数据送出以后，需要在附加一个时钟
脉冲来把I/O 置成高状态，以便接受新的命令。在输出数据期间，任何“启动状态”和“停止状态”均被屏蔽掉。 (4)处理数据模式
这种模式是对IC 芯片作内部处理。
图3.30 处理模式的时序图
芯片在第一个脉冲的下降沿将I/O 线从高状态拉到低状态并开始处理。此后芯片在内
部连续计时计数，直到低n 个时钟脉冲之后的附加一个时钟脉冲的下降沿I/O 线再次置高，完成芯片的处理过程。在整个处理过程中I/O 线被锁定成低状态。
5.3 SLE4442 卡的应用
1. 芯片的复位方式
(1) 外部复位:SLE4442 时基于同步复位响应的传送协议。芯片的复位时序如前述。 (2) 加电复位:在把操作电压连接到Vcc 段之后，芯片内部进行复位操作。I/O 线被置为高状态。必须在对任意地址进行读操作或做一个复位响应操作之后才可以进行数据交换。
(3) 中止:在CLK 为低状态期间，如果RST 置为高状态，则任何操作均无效。I/O 线被锁定到高状态。需要一个最小维持时间tres=5Us 之后，芯片才能接受新的复位，中止状态的时序关系如图3.31。中止状态之后，芯片又准备下一个操作。
图3.31 中止时序图
芯片的操作命令
命令格式:
(1) 每条命令包含三个字节，其排列顺序如下:
表3.5 命令格式
(2) SLE4442 芯片具有七种命令，其格式和功能见表3.6。
注意: 每个字节来说总是从最低LSB 开始读出。写入时首先传送的也是字节的最低为 (LSB)。对保护存储器进行修改时，输入数据必须与原有数据相等，才能正确保护。比较校验数据流程如下。
图3.32 比较校验数据的程序流程图
六实验步骤
1. 在DP-51PROC 单片机综合仿真实验仪上按表3.4(SLE4442 与单片机引脚连线) 在A2 区和D6 区之间连接好IC 卡与单片机之间的连线。
2. 将SLE4442 卡触点朝下插入IC 卡座中。
3. 运行” SLE4442 实验程序”(实验程序一)。
4. 运行C51 开发环境观察程序运行结果。
实验程序一、从主存储区的0 地址读8 个字节
ORG 8000H
AJMP MAIN
ORG 8100H
MAIN:
MOV SP,#60H ;设置栈底
Read_Insert_Card:
MOV ByteNum, #08H
MOV StartAdr, #00H ;从主存储区的0 地址读8 个字节
LCALL ReadCard
JMP Read_Insert_Card
$INCLUDE(SLE4442.INC) ;包含SLE4442 驱动程序
;
END
在JMP Read_Insert_Card 处设置断点，观察RecBuf 的内容， RecBuf 的定义见 SLE4442.INC 文件。LE4442.INC 的源码及注释请见SLE4442. INC 文件. 实验程序二、从0x20 地址开始写入2 个数据0x55 和0x66，再读出来，由于SLE4442 写主存储器时需要验证密码，所以执行下面的程序时请确保你SLE4442 卡的密码的正确性，如果密钥错误，你的SLE4442 校验三次便会锁死报废。ORG 8000H
AJMP MAIN
ORG 8100H
MAIN:
MOV SP,#60H ;设置栈底
Write_Read_Card:
MOV R0,#PSWD ;密码缓冲区首址
MOV @R0,#0x11
INC R0
MOV @R0,#0x22
INC R0
MOV @R0,#0x33 ;输入密码:填充密码缓冲区 LCALL CheckPassword ;校验密码JNZ WRExit ;如果校验不成功,退出
;密码校验成功,进入写卡程序
MOV R0,#WriteBuf ;WriteBuf 为写卡缓冲区首址 MOV @R0,#0x55
INC R0;
MOV @R0,#0x66 ;填充写缓冲区
MOV ByteNum,#0x02
MOV StartAdr,#0x20
LCALL WriteCard ;调用写卡子程序
JNZ WRExit ;如果写不成功,退出
MOV ByteNum,#0x02 ;下面读出刚刚写入的数据 MOV StartAdr,#0x20
LCALL ReadCard
;如果读成功，才可以执行这个循环，在此设置断点, JZ Write_Read_Card ;观察读缓冲区内容
WRExit:
MOV A,#00H ;在此设置断点
$INCLUDE(SLE4442.INC) ;包含SLE4442 驱动程序 ;
END
请在JZ Write_Read_Card 语句处设置断点，在读成功时可以观察读缓冲区的数
据。在MOV A, #00H 语句处设置断点，这样当发生错误时程序不乱跑。
七、实验思考题
(1) 如果单片机的晶振频率选用24MHz，程序应该做那些修改，才能正确读写
SLE4442 卡。
(2) 编程序，根据SLE4442 的时序图用C 语言编写读写程序。
接触角的测定实验报告
—、实验目的 1. 了解液体在固体表面的润湿过程以及接触角的含义与应用。 2. 掌握用JC2000C1静滴接触角/界面张力测量仪测定接触角和表面张力的方 法。 二、实验原理 润湿是自然界和生产过程中常见的现象。通常将固-气界面被固?液界面所取 代的过程称为润湿。将液体滴在固体表面上，由于性质不同，有的会铺展开来， 有的则粘附在表面上成为平凸透镜状，这种现象称为润湿作用。前者称为铺展润 湿，后者称为粘附润湿。如水滴在干净玻璃板上可以产生铺展润湿。如果液体不 粘附而保持椭球状，则称为不润湿。如汞滴到玻璃板上或水滴到防水布上的情况。 此外，如果是能被液体润湿的固体完全浸入液体之中，则称为浸湿。上述各种类 型示于图仁 图1各种类型的润湿 当液体与固体接触后，体系的自山能降低。因此，液体在固体上润湿程度的 大小可用这一过程自由能降低的多少来衡量。在恒温恒压下，当一液滴放置在固 体平面上时，液滴能自动地在固体表面铺展开来，或以与固体表面成一定接触角 的液滴存在，如图2所示。 图2接触角 铺展润湿 粘附湿润 不银润 浸湿
假定不同的界面间力可用作用在界面方向的界面张力来表示，则当液滴在固体平面上处于平衡位置时，这些界面张力在水平方向上的分力之和应等于零，这个平衡关系就是著名的Young方程，即 yso- ySL= yLG-COS0 (1) 式中ysG, yi_G，ysi.分别为固?气、液?气和固?液界面张力；8是在固、气、液三 相交界处，自固体界面经液体内部到气液界面的夹角，称为接触角，在0°-180°之间。接触角是反应物质与液体润湿性关系的重要尺度。 在恒温恒压下，粘附润湿、铺展润湿过程发生的热力学条件分别是： 粘附润湿Wa = ySG - ySL + yLG zO (2) 铺展润湿S = ysG?ysL?yLG >0 (3) 式中Wa, S分别为粘附润湿、铺展润湿过程的粘附功、铺展系数。 若将(1)式代入公式(2)、(3),得到下面结果： Wa二ysG+yLG -ySL=yLG(1+COS0) (4) S=ySG-ySL-yLG=yLG(COS0-1) (5) 以上方程说明，只要测定了液体的表面张力和接触角，便可以计算出粘附功、铺展系数，进而可以据此来判断各种润湿现象。还可以看到，接触角的数据也能作为判别润湿情况的依据。通常把8=90。作为润湿与否的界限，当8>90°,称为不润湿，当0<90°时，称为润湿，8越小润湿性能越好；当8角等于零时，液体在固体表面上铺展，固体被完全润湿。 接触角是表征液体在固体表面润湿性的重要参数之一，由它可了解液体在一定固体表面的润湿程度。接触角测定在矿物浮选、注水采油、洗涤、印染、焊接等方面
实验十四 存储器扩展机读写实验
实验十四存储器扩展机读写实验 一、实验目的 （1）通过阅读并测试示例程序，完成程序设计题，熟悉静态RAM的扩展方法。 （2）了解8086/8088与存储器的连接，掌握扩展存储器的读写方法。 二、实验内容 1.实验原理（62256RAM介绍） 62256是32*8的静态存储器，管脚如图所示。其中：A0~A14为地址线，DB0~DB7为数据线，/cs为存储器的片选，/OE为存储器数据输出选通信号，/WE为数据写入存储器信号。62256工作方式如下图。 /CS /WE /OE 方式DB-~DB7 H X X 未选中高阻 L H H 读写禁止高阻 L L H 写IN L H L 读OUT 2.实验内容 设计扩展存储电器的硬件连接图并编制程序，讲字符A~Z循环存入62256扩展RAM 中，让后再检查扩展存储器中的内容。 三、程序设计 编写升序，将4KB扩展存储器交替写入55H和0AAH。 程序如下： RAMADDR EQU 0000H RAMOFF EQU 9000H COUNT EQU 800H CODE SEGMENT ASSUME CS:CODE START: PROC NEAR MOV AX,RAMADDR MOV DS,AX MOV BX,RAMOFF MOV CX,COUNT MOV DL,55h MOV AX ,0AAH REP: MOV [BX],DL INC BX MOV [BX],AX INC BX LOOP REP JMP $ CODE ENDS END START 四、实验结果 通过在软件上调试，运行时能够看到内存地址的改变，证明此扩展的程序成功实现了。 五、实验心得
静态存储器-实验报告
计算机科学与技术系 实验报告 专业名称计算机科学与技术 课程名称计算机组成与结构 项目名称静态随机存储器实验 班级 学号 姓名 同组人员无 实验日期 2015-10-24
一、实验目的与要求 掌握静态随机存储器RAM 工作特性及数据的读写方法 二、实验逻辑原理图与分析 2.1 实验逻辑原理图及分析 实验所用的静态存储器由一片6116(2K ×8bit)构成(位于MEM 单元)，如下 图所示。6116有三个控制线：CS(片选线)、OE(读线)、WE(写线)，当片选有效(CS=0)时，OE=0时进行读操作，WE=0时进行写操作，本实验将CS 常接地线。 由于存储器(MEM)最终是要挂接到CPU 上，所以其还需要一个读写控制逻辑，使得CPU 能控制MEM 的读写，实验中的读写控制逻辑如下图所示，由于T3的参与，可以保证MEM 的写脉宽与T3一致，T3由时序单元的TS3给出。IOM 用来选择是对I/O 还是对MEM 进行读写操作，RD=1时为读，WR=1时为写。 XMRD XIOR XIOW XMWR RD IOM WE T3 读写控制逻辑 实验原理图如下如所示，存储器数据线接至数据总线，数据总线上接有8 个LED 灯显示D7…D0的内容。地址线接至地址总线，地址总线上接有8个LED 灯显示A7…A0的内容，地址由地址锁存器(74LS273,位于PC&AR 单元)给出。数据开关(位于IN 单元)经一个三态门(74LS245)连至数据总线，分时给出地址和数据。地址寄存器为8位，接入6116的地址A7…A0，6116的高三位地址A10…A8接地，所以其实际容量为256字节。
固体表面动态接触角的测定
固体表面动态接触角的测定 一．目的与要求 1.了解固体表面接触角的测量及表面能的计算原理。 2.掌握润湿周长、接触角、表面能的实验测试方法及实验操作。 二．仪器与药品 DCA-150界面分析仪 正己烷（A.R.）；无水乙醇（A.R.）；二次蒸馏水；聚苯乙烯（Pst）样品 三．基本原理 接触角是表征固体物质润湿性最基本的参数之一，据测量的原理的不同，接触角又可分成平衡接触角和动态接触角（dynamic contact angle），动态接触角（包括前进接触角（advancing contact angle）和后退接触角（receding contact angle）两种。 早在20世纪初期，Wilhelmy测试液体表面张力及接触角的方法：将一定的待测液体装在特定容器中，尽可能垂直固定悬挂的铂金板，升起液面至刚好与铂金板的下边缘相接触，此时铂金板受到液面向下的拉力即为液体的表面张力r r ＝ F w / (L·cosθ) （1） r－液体表面张力（Dyn /cm）；F w —吊片所受的力（Dyn）；L—润湿周长（cm）；θ—接触角（°）； 由于绝大多数的液体对于°铂金是完全润湿的，即接触角θ为0°，所以只要知道润湿周长，就可从（1）式很方便计算得到液体的表面张力 1.平衡接触角 又叫静态接触角，根据Wilhelmy理论，只要将待测固体加工成规定尺寸的片状样品，然后垂直悬挂与已知表面张力的液面接触，同样可以依据（1）计算得到液体在固体表面的平衡接触角。 2.动态接触角 Wilhelmy法：如图2依据Wilhelmy理论，把样品板插入到液体中然后抽出来，通过测量样品板受力变化计算得到液体在固体表面的动态接触角的大小。
实验一扩展存储器读写实验
实验一：扩展存储器读写实验 一.实验要求 编制简单程序，对实验板上提供的外部存贮器（62256）进行读写操作。 二.实验目的 1．学习片外存储器扩展方法。 2．学习数据存储器不同的读写方法。 三.实验电路及连线 将P1.0接至L1。CS256连GND孔。 四.实验说明 1．单片机系统中，对片外存贮器的读写操作是最基本的操作。用户藉此来熟悉MCS51单片机编程的基本规则、基本指令的使用和使用本仿真实验系统调试程序的方法。 用户编程可以参考示例程序和流程框图。本示例程序中对片外存贮器中一固定地址单元进行读写操作，并比较读写结果是否一致。不一致则说明读写操作不可靠或该存储器单元不可靠，程序转入出错处理代码段（本示例程序通过熄灭一个发光二极管来表示出错）。读写数据的选用，本例采用的是55（0101，0101）与AA（1010，1010）。一般采用这两个数据的读写操作就可查出数据总线的短路、断路等，在实际调试用户电路时非常有效。 用户调试该程序时，可以灵活使用单步、断点和变量观察等方法，来观察程序执行的流程和各中间变量的值。 2．在I状态下执行MEM1程序，对实验机数据进行读写，若L1灯亮说明RAM读
写正常。 3．也可进入LCA51的调试工具菜单中的对话窗口，用监控命令方式读写RAM，在I状态执行SX0000↓ 55，SPACE，屏幕上应显示55，再键入AA，SPACE，屏幕上也应显示AA，以上过程执行效果与编程执行效果完全相同。 注：SX是实验机对外部数据空间读写命令。 4．本例中，62256片选接地时，存储器空间为0000~7FFFH。 五.实验程序框图 实验示例程序流程框图如下： 六.实验源程序： ORG 0000H LJMP START ORG 0040H START:
计算机组成原理存储器读写和总线控制实验实验报告
信息与管理科学学院计算机科学与技术 实验报告 课程名称：计算机组成原理 实验名称：存储器读写和总线控制实验 姓名：班级：指导教师：学号： 实验室：组成原理实验室 日期： 2013-11-22
一、实验目的 1、掌握半导体静态随机存储器RAM的特性和使用方法。 2、掌握地址和数据在计算机总线的传送关系。 3、了解运算器和存储器如何协同工作。 二、实验环境 EL-JY-II型计算机组成原理实验系统一套，排线若干。 三、实验内容 学习静态RAM的存储方式，往RAM的任意地址里存放数据，然后读出并检查结果是否正确。 四、实验操作过程 开关控制操作方式实验 注：为了避免总线冲突，首先将控制开关电路的所有开关拨到输出高电平“1”状态，所有对应的指示灯亮。 本实验中所有控制开关拨动，相应指示灯亮代表高电平“1”，指示灯灭代表低电平“0”。连线时应注意：对于横排座，应使排线插头上的箭头面向自己插在横排座上；对于竖排座，应使排线插头上的箭头面向左边插在竖排座上。 1、按图3－1接线图接线： 2、拨动清零开关CLR，使其指示灯显示状态为亮—灭—亮。 3、往存储器写数据：
以往存储器的（FF ） 地址单元写入数据“AABB ”为例，操作过程如下： 4、按上述步骤按表3－2所列地址写入相应的数据 表3－2 5、从存储器里读数据： 以从存储器的（FF ） 地址单元读出数据“AABB ”为例，操作过程如下： (操作) (显示) (操作) (显示) (操作) (显6、按上述步骤读出表3－2数据，验证其正确性。 五、实验结果及结论 通过按照实验的要求以及具体步骤，对数据进行了严格的检验，结果是正确的，具体数据如图所示：
IC卡读写器使用说明
IC 读写器使用说明 一、读写器连接 1.1 把通讯线“DB9”端插到PC 机的串口1/2 上 1.2 把通讯线2510端插到读写器的插座，使读写器和PC 机的串口良好连接 1.2 把电源线的“圆柱”端插到读写器的电源座子上 1.3 读写器上电以后可以听到一声风鸣器的响声，如果没有听到风鸣器声，表明读写器没有正常上电. 二、启动Demo 软件 2.1 双击启动测试软件 2.2 如果串口良好连接的话可以听到一声风鸣器的响声，如果启动测试软件以后并没有听到风鸣器声表明串口通讯没有连接好，请检查串口连接线是否连接正确 三、M1卡片读写测试 3.1 把一张Mifare One 卡片放在天线区域范围内
3.2 进入功能选项“低级操作”里面点击“寻卡”，如果出现“寻卡成功!”表明寻卡正常，如果出现“执行失败!”表明出现异常，请检查卡片是否在寻卡范围内，如果确认卡片没有问题，那读写器有异常 3.3 点击“防冲突”，如果出现“执行成功”表明防冲突正常，如果出现“执行失败”表明读写器出现异常或者卡片没有在天线区域 范围内
3.4 点击“选择”，如果出现“执行成功”表明选择正常，如果出现“执行失败” 表明读写器出现异常或者卡片没有在天线区域范 围内 3.5 进入功能选项“密码下载”里面下载卡片密码，比如需要测试卡片扇区1 数据的读写，那么就在扇区1 后面填上密码A/B（注：卡片的初始密码A/B 均为全‘F’），然后选择“A 组密码”或者“B 组密码”，最后点击“下载”，如果出现“密码下载成 功”表明密码下载成功，如果出现异常请按照错误提示更改后再下载一次，直至“下载成功”为止
用拉脱法测定液体表面张力系数物理实验报告
用拉脱法测定液体表面张力系数 液体表层厚度约m 10 10 -内的分子所处的条件与液体内部不同，液体内部每一分子被周 围其它分子所包围，分子所受的作用力合力为零。由于液体表面上方接触的气体分子，其密 度远小于液体分子密度，因此液面每一分子受到向外的引力比向内的引力要小得多，也就是说所受的合力不为零，力的方向是垂直与液面并指向液体内部，该力使液体表面收缩，直至达到动态平衡。因此，在宏观上，液体具有尽量缩小其表面积的趋势，液体表面好象一张拉紧了的橡皮膜。这种沿着液体表面的、收缩表面的力称为表面张力。表面张力能说明液体的许多现象，例如润湿现象、毛细管现象及泡沫的形成等。在工业生产和科学研究中常常要涉及到液体特有的性质和现象。比如化工生产中液体的传输过程、药物制备过程及生物工程研究领域中关于动、植物体内液体的运动与平衡等问题。因此，了解液体表面性质和现象，掌握测定液体表面张力系数的方法是具有重要实际意义的。测定液体表面张力系数的方法通常有：拉脱法、毛细管升高法和液滴测重法等。本实验仅介绍拉脱法。拉脱法是一种直接测定法。 【实验目的】 1．了解326FB 型液体的表面张力系数测定仪的基本结构，掌握用标准砝码对测量仪进行 定标的方法，计算该传感器的灵敏度。 2．观察拉脱法测液体表面张力的物理过程和物理现象，并用物理学基本概念和定律进行分析和研究，加深对物理规律的认识。 3．掌握用拉脱法测定纯水的表面张力系数及用逐差法处理数据。 【实验原理】 如果将一洁净的圆筒形吊环浸入液体中，然后缓慢地提起吊环，圆筒形吊环将带起一 层液膜。使液面收缩的表面张力f 沿液面的切线方向，角?称为湿润角（或接触角）。当继续提起圆筒形吊环时，?角逐渐变小而接近为零，这时所拉出的液膜的里、外两个表面的张力f 均垂直向下，设拉起液膜破 裂时的拉力为F ，则有 f g m m F 2)(0++= （1） 式中，m 为粘附在吊环上的液体的质量，0m 为吊环质量，因表面张力的大小与接触面周边界长度成正比，则有 απ?+=)(2外内D D f （2） 比例系数α称为表面张力系数，单位是m N /。α在数值上等于单位长度上的表面张力。式中l 为圆筒形吊环内、外圆环的周长之和。 ) ()(0外内D D g m m F ++-= πα （3） 由于金属膜很薄，被拉起的液膜也很薄，m 很小可以忽略，于是公式简化为：
IC卡和IC卡读写器常识
IC卡和IC卡读写器常识 人们常说的IC卡，其实际的概念是怎样的呢？ IC是英文集成电路的缩写，其含义是指集成电路芯片。由于法国人的发明，使集成电路芯片嵌入一张PVC之类的材料制成的卡内变成了现实，这就是今天人们所说的IC卡。 IC卡由于其功能可以认为有3个分支： 1、IC 存贮卡，包括加密存贮卡。读写器对卡的读写为接触式，因而称这种卡为接触式IC卡。 2、CPU卡，即IC卡内含有至少一个运算芯片CPU的IC卡。读写器对卡的读写为接触式，因而称这种卡为接触式IC卡。 3、RF射频卡，射频卡内包括有加密逻辑电路，有的带有CPU芯片，读写器对卡的读写为非接触式，因而称这种IC卡为非接触式IC卡。 IC卡在使用中，有一些参数在卡型选择时是需要认真考虑的。 1）、如果IC卡的使用环境低于0℃时，最好不要选用CPU卡，因CPU卡的工作温度在0℃时以上。而MemoryCard 可以工作在－20℃的低温下工作。 2）、IC卡是有工作电压指标的，西门子公司的IC卡一般工作电压在4.75V~5.25V之间。ATMEL公司的IC卡工作电压约在2.7V~5.5V之间，用户在自己设计读写电路时应加以注意。特别指出的是现在AT MEL新出的45DB041芯片由于工艺变化，已不能在5V电压环境正常工作，我司(深圳庆通科技)针对这种情况研发生产了低电压IC卡读写器和双电压切换的IC卡读写器。 3）、IC卡是有寿命的。它的寿命是由对IC卡的擦写次数决定的，对于西门子的IC卡，指标为1万次擦写寿命；ATMEL的IC卡，指标称擦写寿命为10万次。 4）、IC卡读写器的使用寿命主要由两个因素决定。 a、读写器本身器件的选择； b、卡座的寿命；卡座的寿命分别有10万次，20万次和50万次。国内一些个体经济也生产了相当数量的少于7000次寿命的卡座，主要用于IC卡收费的终端表内，如IC卡电表，IC卡民用水表，IC煤气表等。我司(深圳庆通科技)所标配的卡座为10万次的卡座。 5）、专业厂家的IC卡读写机具配有各种上层接口函数，对于其用户是免费发放的，可以免去用户自己开发的时间。另外，专业厂家提供的产品由于其用户较为广泛，或许已经过一些系统的考验，这些情况，用户可以通过向经销商或厂家提问，得出一些正确的结论。 6）、读写器对IC卡的上电操作，仅在接到软件发出的指令以后才能进行，并且，在IC卡没有插入的情况下，应给出上电出错的返回代码。
存储器扩展实验
实验5 存储器扩展实验 一、实验目的 1．掌握PC存储器扩展的方法。 2．熟悉6264芯片的接口方法。 3．掌握8031内部RAM和外部RAM的数据操作 二、实验设备 PC机、星研Star16L仿真器系统+仿真头PODPH51(DIP)、EL-Ⅱ型通用接口板实验电路，PROTEUS仿真软件。 三、实验内容 1）向外部存储器的7000H到8000H区间循环输入00～0FFH数据段。设置断点，打开外部数据存储器观察窗口，设置外部存储器的窗口地址为7000H—7FFFH。全速运行程序,当程序运行到断点处时,观察7000H—7FFFH的内容是否正确。 四、实验原理 实验系统上的两片6264的地址范围分别为：4000H～5FFFH，6000H～7FFFH，既可作为实验程序区，也可作为实验数据区。6264的所有信号均已连好。（3000H~3FFFH也可用） 五、实验方法 1、运用PROTUES软件进行虚拟仿真实验。按照实验要求用PROTUES软件绘制电路，编制程序，并通过调试。 2、运用星研仿真系统进行实际系统仿真实验。将星研仿真器与微机和目标板相互连接构成完整的硬件仿真系统，按照实验要求在通用实验板上进行硬件系统连接，并用星研仿真器进行系统仿真运行调试。 3、实验说明 在采用星研仿真时，若CPU选型为8051则，应将P2、P3口修改为总线模式（默认为IO口模式）。若为8031CPU则无此选项，因此不必修改。 4、星研仿真器设置时，注意，在项目工作环境设置选项中的存储器借出方式中，不能借用仿真器的外部数据空间（直接选择默认方式即可），否则无法正确测试实验箱上的存储器。 5、利用星研仿真器，在选择用户板外部RAM方式下，可以在存储器窗口中，通过直接对外部存储器单元的内容进行修改来确定该单元是否可用，可以修改的单元，表明用户可用，如果无法修改（无论键盘输入任何数字与字符，始终显示FF），则表明该存储单元不可用。 六、实验电路 1、PROTEUS 仿真电路
射频IC卡读写器简析
一、简介 射频IC卡读写器，属于读写IC卡的RFID射频技术机具设备，根据卡片类型的不同，分为接触式、非接触式、双界面读卡器。接触式IC卡读写器基本遵循ISO7816协议的国际标准，非接触式的则遵循ISO14443或者15693协议接口标准。读写器一般通过通讯线连接接到电脑，通讯方式以USB接口为主(分有驱和无驱)，RS232和RS485接口的读卡器，仍然具有一定的用户数量。 二、技术参数举例 型号：LTXHFUSB-02 工作频率：13.56MHz; IC卡读写器支持协议：ISO14443A; 通讯接口：USB接口，操作简单，可以当作串口操作; 读卡距离：小于10cm; 支持卡类型：mafare 1 S20,mafare 1 S50, mafare 1 S70，ISO14443 TypeA等; 工作电压：直流5V(USB直接取电); 工作电流：<100mA; 工作模式：用户可自己设置成主动读卡模式和被动读卡模式; 功能：支持读卡号ID，读写卡，扇区加密，增值减值(钱包)等; 工作温度：-30℃-80 ℃; 外观尺寸：143×110×28mm; 串口波特率：可选，默认9600Bit/S; 操作系统：Windows 98、2000、2003、XP、Windows 7/8、Linux、Andriod等; 显示：双色LED; 蜂鸣器：内置。 三、使用说明 1、通讯接口要满足项目的需求; 2、读卡器设备的频率，要满足项目使用的频率规范; 3、了解读距和防碰撞指标，读距指标要明确什么天线和标签下测试的;防碰撞要明确什么标签在什么排列方式下多长时间内全部读完;
4、模拟情况下连续测试设备的稳定性，确保能长时间的稳定工作; 5、了解读卡器的最大发射功率和配套选型的天线，是否辐射超标; 6、看读卡器具备的天线端口数量，根据应用是否需要多接口的读写器; 7、一个RFID应用系统除了和读写器有关外，还和标签、天线、被贴标物品材质、被贴标物品运动速度、周围环境等相关，在确定设备前最好能模拟现场情况进行测试和验证，确保产品真是能满足应用需求。 四、读卡距离 影响射频IC卡读写器读卡距离的因素较多，因采用不同的协议，不同的天线设计、周围的环境(主要是金属物)和不同的卡片等，都会影响到实际的读卡距离。如果读卡器读卡距离过长，会造成读卡不稳定或失败。同时过近的两个读卡器也会互相干扰，读卡器之间的距离保持在25cm以上。读卡的方式，建议用卡片正对着读卡器自然靠近，用卡片从侧面快速划过的读卡方法不可取，不保证刷卡成功。 五、实物图举例
测接触角实验方案
测试接触角实验申请 实验内容：主要测定水、乙二醇、二碘甲烷在石墨、石英、绢云母、柴油上的接触角。 实验目的：通过测定水在石墨、绢云母、石英的接触角，以表征石墨、绢云母、石英的疏水亲水性；通过测定水、乙二醇、二碘甲烷在石墨、石英、绢云母、柴油上的接触角，可以用来石墨、石英、绢云母的表面能的计算和隐石墨浮选体系中矿物与水、捕收剂与水、矿物与气泡、矿物与捕收剂之间等一系列界面相互作用自由能的计算，进而对各界面之间的范德华力、疏水引力、水化斥力等界面热力学行为进行研究。 样品加工：采用压片机对辉钼矿样品进行压片，制各样品。压片时样品质量为10g，压片压力为2．45×104kPa，压片直径为20mm，压片表面平整光滑。采用“浸渍法”制备捕收剂表面膜，剪取尺寸为20mmx20mm的空白铜板纸，浸入捕收剂纯液中，浸渍时间1min，置于硅胶干燥器内干燥24h，备用。 采用GBX润湿角测量仪测量液体在崮体表面上的接触角。测量时，按照测量接触角的步骤、小心地滴加在固体表面，形成液滴，取10次读数的接触角平均值作为该座滴的接触角。所有测量均在室温(25℃)进行。 实验方法 测量接触角步骤( 自动滴管, 自动平台) 1. 打开计算机 2. 打开接触角仪器的开关 3. 在计算机“桌面”上, 点选GBX digidrop 的快捷方式, 打开接触角的测量与分析软件 4. 选择新的测试选单 5. 选择“Surface Energy Menu” 6. 将滴管针头申到镜头所能看到的范围之内 7. 利用仪器上左下角的旋钮, 将镜头聚焦在滴管之上(通常是滴管最清析, 最大的位置) 8. 在操作软件上的右上角, 点选MVT, 叫出操作选单 9. 选择液滴的大小(VOL) 10. 选择连续摄影模式 11. 将开始拍照录像的时间改成0ms 12. 请点选使用自动成滴系统 13. 请点选“single”, 开始一次的测试 14. 等待仪器自动滴水, 桌面自动升降, 自动在桌面上形成液滴 15. 选择左方的分析功能, 得到你的接触角角度(一共有七种方法, 根据需要选择) 16. 得到你所需要的接触角值 分析表面/界面自由能步骤 ( 在进行本实验之前?Zisman 至少必需准备两种以上的液体, 其它公式必需准备三种以上的液体, 需要极性还是非极性的液体, 请参考)
存储器和IO扩展实验,计算机组成原理
科技学院 课程设计实验报告 ( 2014--2015年度第一学期) 名称：计算机组成原理综合实验题目：存储器和I/O扩展实验 院系：信息工程系 班级： 学号： 学生姓名： 指导教师：李梅王晓霞 设计周数：一周 成绩： 日期：2015 年1 月
一、目的与要求 1. 内存储器部件实验 （1）熟悉ROM芯片和RAM芯片在功能和使用方法等方面的相同和差异之处；学习用编程器设备向EEPROM芯片内写入一批数据的过程和方法。 （2）理解并熟悉通过字、位扩展技术实现扩展存储器系统容量的方案； （3）了解静态存储器系统使用的各种控制信号之间正常的时序关系； （4）了解如何通过读、写存储器的指令实现对58C65 ROM芯片的读、写操作； （5）加深理解存储器部件在计算机整机系统中的作用。 2. I/O口扩展实验 学习串行口的正确设置和使用。 二、实验正文 1．主存储器实验内容 1．1实验的教学计算机的存储器部件设计（说明只读存储器的容量、随机读写器的容量，各选用了什么型号及规格的芯片、以及地址空间的分布） 在教学计算机存储器部件设计中，出于简化和容易实现的目的，选用静态存储器芯片实现内存储器的存储体，包括唯读存储区（ROM，存放监控程序等） 和随读写存储区（RAM）两部分，ROM存储区选用4片长度8位、容量8KB 的58C65芯片实现，RAM存储区选用2片长度8位、容量2KB的6116芯片 实现，每2个8位的芯片合成一组用于组成16位长度的内存字，6个芯片被分 成3组，其地址空间分配关系是：0-1777h用于第一组ROM，固化监控程序， 2000-2777h用于RAM，保存用户程序和用户数据，其高端的一些单元作为监 控程序的数据区，第二组ROM的地址范围可以由用户选择，主要用于完成扩 展内存容量（存储器的字、位扩展）的教学实验。 1．2扩展8K字的存储空间，需要多少片58C65芯片，58C65芯片进行读写时的特殊要求 要扩展8K字的存储空间，需要使用2片（每一片有8KB容量，即芯片内由8192个单元、每个单元由8个二进制位组成）存储器芯片实现。对 58C65 ROM芯片执行读操作时，需要保证正确的片选信号（/CE）为低点平， 使能控制信号（/OE）为低电平，读写命令信号（/WE）为高电平，读58C65 ROM 芯片的读出时间与读RAM芯片的读出时间相同，无特殊要求；对58C65 ROM 芯片执行写操作时，需要保证正确的片选信号（/CE）为低电平，使能控制信 号（/OE）为高电平，读写命令信号（/WE）为低电平，写58C65 ROM芯片的 维持时间要比写RAM芯片的操作时间长得多。为了防止对58C65 ROM芯片执 行误写操作，可通过把芯片的使能控制引脚（/OE）接地来保证，或者确保读 写命令信号（/WE）恒为高电平。 1．3在实验中思考为何能用E命令直接写58C65芯片的存储单元，而A命令则有时不正确；
实验五存储器读写实验报告
实验五存储器读写实验报告 实验报告 课程名：《计算机组成原理》题目：实验五存储器读写班级：计算机+ 自动化0901班姓名：张哲玮，郑俊飞 《计算机组成原理》实验报告- 1 - 实验五、存储器读写实验 一、目的与要求 (1)掌握存储器的工作特性 (2)熟悉静态存储器的操作过程，验证存储器的读写方法 二、实验原理及原理图 (1)?静态存储器芯片6116的逻辑功能 6116是一种数据宽度为8位(8个二进制位)，容量为2048字节的静态存储器芯片，封在24引脚的封装中，封装型式如图2-7所示。6116芯片有8根双向三态数据线D7-D0,所谓三态是指输入状态，输出状态和高阻状态，高阻状态数据线处于一种特殊的“断开”状态；11根地址线A10-A0,指示芯片内部2048个存储单元号;3根控制线CS片选控制信号，低电平时，芯片可进行读写操作，高电平时，芯片保存信息不能进行读写;WE 为写入控制信号，低电平时，把数据线上的信息存入地址线A10-A0指示的存储单元中;0E为输出使能控制信号，低电平时，把地址线A10-A0指示的存储单元中的数据读出送到数据线上。
6116芯片控制信号逻辑功能表 (2).存储器实验单元电路 因为在计算机组成原理实验中仅用了256个存储单元，所以6116芯片的3根地址线A11-A8接地也没有多片联用问题，片选信号CS接地使芯片总是处于被选中状态。芯片的WE和0E信号分别连接实验台的存储器写信号M-W和存储器读信号M-Ro这种简化了控制过程的实验电路可方便实验进行。 存储器部件电路图 (3)?存储器实验电路 存储器读\写实验需三部分电路共同完成:存储器单元(MEM UNIT),地址寄存器单元(ADDRESS UNIT)和输入，输出单元(INPUT/OUTPIT UNIT).存储器单元6116芯片为中心构成，地址寄存器单元主要由一片74LS273组成，控制信号B-AR的作用是把总线上的数据送入地址寄存器，向存储器单元电路提供地址信息，输入，输出单元作用与以前相同。
计算机组成原理实验五存储器读写实验
实验五 存储器读写实验实验目的 1. 掌握存储器的工作特性。 2. 熟悉静态存储器的操作过程，验证存储器的读写方法。 二、实验原理 表芯片控制信号逻辑功能表
2. 存储器实验单元电路 芯片状态 控制信号状态 DO-D7 数据状态 M-R M -W 保持 1 1 高阻抗 读出 0 1 6116-^总钱 写人 1 0 总线-*6116 无效 报警 ^2-10 D7—DO A7—A0
團2-8存储器实验电路逻辑图 三、实验过程 1. 连线 1） 连接实验一（输入、输出实验）的全部连线。 2） 按逻辑原理图连接M-W M-R 两根信号低电平有效信号线 3） 连接A7-A0 8根地址线。 4） 连接B-AR 正脉冲有效信号 2. 顺序写入存储器单元实验操作过程 1） 把有B-AR 控制开关全部拨到0,把有其他开关全部拨到1,使全部信号都处 于无效 状态。 2） 在输入数据开关拨一个实验数据，如“ 00000001”即16进制的01耳 把IO-R 控制开关拨下，把地址数据送到总线。 3） 拨动一下B-AR 开关，即实现“1-0-1 ”产生一个正脉冲，把地址数据送地 址寄存器保存。 4） 在输入数据开关拨一个实验数据，如“ 10000000',即16进制的80耳 把IO-R 控 制开关拨下，把实验数据送到总线。 3. 存储器实验电路 0 O O 0 0 olo O O O O 0 00 OUTPUT L/O :W 8-AR ￡ ■」2 ■七 ol^Fgr' L P O 74LS273 A7- AO vz 0 o|o 0 r 6116 A7 INPUT D7-O0 [olololololololol T2
本设计主要是完成IC卡读写器的设计-电子信息工程毕业论文
本设计主要是完成IC卡读写器的设计-电子信息工程毕业论文
1 概述 1.1 课题研究的背景 随着社会的进步和现代化程度的不断提高，人类所拥有的信息种类和数量都在成倍增加，人们每天都要处理许多与个人有关的信息，如购物、，这样就需要携带多种票证、现金、单据，给人们带来极大的不便和不安全感。于是，人们开始寻求一种具有支付、查询、密码查验等多功能及携带方便、安全可靠的“卡”。IC卡就是随着计算机技术、微电子技术和信息化技术的发展应运而生的一种现代社会重要的信息载体和交易工具。1972年，法国人罗兰·莫雷诺(Roland Moreno)第一次将可进行编程设置的IC芯片放在卡片中，使卡片具有了存储、加密及数据处理能力等功能，这就是早期的IC卡。1976年法国布尔(Bull)公司研制出世界第一枚IC卡。 早期的IC卡系统是接触式的，它有其本身不可克服的缺点，如接触磨损、交易速率慢、难以维护、基础设施投入大等。随着信息业和服务业的全球化，在一些场合，对信息载体的便携性、安全性及易用性等方面提出更高的要求，于是非接触式IC卡以其无机械磨损、容易维护、方便使用等优点，成为IC卡中潜力最大的新军而备受国内外业界的瞩目。 非接触式IC卡系统是当今世界先进的射频技术和IC卡技术相结合的产物，是世界上最近几年发展起来的一项新技术，它成功地将射频识别技术和IC技术结合起来，解决了无源和免接触这一难题，是电子器件领域的一大突破，使卡片在靠近读写器表面时即可完成卡中数据的读写操作。非接触式IC卡一经问世，便立即引起广泛的关注。非接触式IC卡操作方便、抗干扰性高、可靠性高、安全性高的特点，使得它在一些接触式IC卡不适用或者无法使用的场所，具有无可比拟的优势，被广泛应用于公交、收费、门禁系统、考勤系统等领域。 1.2课题的意义 随着社会的进步和现代化程度的不断提高，人类所拥有的信息种类和数量都在成倍地增长，而这些信息管理十分不便。IC卡因具有信息容量大、信息稳定、体积小、不易损坏等优点而在实际生活中应用范围非常广泛，如餐卡、公交卡、银行卡、
实验一 存储器实验
实验一存储器实验 1.FPGA中LPM_ROM定制与读出实验 一.实验目的 1、掌握FPGA中lpm_ROM的设置,作为只读存储器ROM的工作特性与配置方法。 2、用文本编辑器编辑mif文件配置ROM,学习将程序代码以mif格式文件加载于 lpm_ROM中; 3、在初始化存储器编辑窗口编辑mif文件配置ROM; 4、验证FPGA中mega_lpm_ROM的功能。 二.实验原理 ALTERA的FPGA中有许多可调用的LPM (Library Parameterized Modules)参数化的模块库,可构成如lpm_rom、lpm_ram_io、lpm_fifo、lpm_ram_dq的存储器结构。CPU 中的重要部件,如RAM、ROM可直接调用她们构成,因此在FPGA中利用嵌入式阵列块EAB 可以构成各种结构的存储器,lpm_ROM就是其中的一种。lpm_ROM有5组信号:地址信号address[ ]、数据信号q[ ]、时钟信号inclock、outclock、允许信号memenable,其参数都就是可以设定的。由于ROM就是只读存储器,所以它的数据口就是单向的输出端口,ROM中的数据就是在对FPGA现场配置时,通过配置文件一起写入存储单元的。图3-1-1中的lpm_ROM有3组信号:inclk——输入时钟脉冲;q[23、、0]——lpm_ROM的24位数据输出端;a[5、、0]——lpm_ROM的6位读出地址。 实验中主要应掌握以下三方面的内容: ⑴ lpm_ROM的参数设置; ⑵ lpm_ROM中数据的写入,即LPM_FILE初始化文件的编写; ⑶lpm_ROM的实际应用,在GW48_CP+实验台上的调试方法。 三.实验步骤 (1)用图形编辑,进入mega_lpm元件库,调用lpm_rom元件,设置地址总线宽度address[] 与数据总线宽度q[],分别为6位与24位,并添加输入输出引脚,如图3-1-1设置与连接。 (2)设置图3-1-1为工程。 (3)在设置lpm_rom数据参数选择项lpm_file的对应窗口中(图3-1-2),用键盘输入 lpm_ROM配置文件的路径(rom_a、mif),然后设置在系统ROM/RAM读写允许,以便能
RFID非接触式IC卡读写器用户手册
RFID非接触式IC卡读写器用户手册 V1.02
1、通信协议描述 1.1 协议概述 该协议是上位机与读写器之间的通讯协议。通讯的格式是：1位起始位，1位长度标志位，若干数据位，1位异或校验位，1位结束位。通讯的最大长度为64字节。 1.2 字符定义 1.3 通讯过程示意图 上位机（发送）读写器（接收） STX LEN INFO(0) INFO(N) BCC ETX 发送结束 上位机（接收）读写器（发送） STX LEN INFO(0) INFO(N) BCC ETX 接收结束
1.4 数据格式 2、指令集 2.1 指令一览表 2.2 状态返回值
3、二次开发接口函数说明 3.1 适用于符合ISO/IEC14443A标准的存储卡的接口函数3.1.1 Mifare S50/S70卡片特性 ?S50具有1K字节的EEPROM，S70具有4K字节的EEPROM ?S50分为16个扇区，每个扇区包括4块，每块16个字节，以块为存取单位 ?S70分为40个扇区，共256个块，每块16个字节，以块为存取单位 ?用户可自定义每个存储块的访问条件 ?每张卡有唯一序列号，为32位 ?具有防冲突机制，支持多卡操作 ?非接触传送数据和无源 ?至少10年数据保存期 ?至少10万次擦写 ?读写距离在100mm内 ?工作频率为13.56MHz 3.1.2 函数使用注意事项 该二次开发接口函数库提供用于下发命令至读写器的函数，这些函数能够控制读写器对卡片进行寻卡及读写操作。 在对卡片进行操作前必须先寻卡，寻卡成功后才能对卡片进行后续操作。卡片的读写操作是以块为单位，每块为16个字节。不同扇区可以用不同的密钥进行认证，每个扇区又可以使用A密钥或B密钥进行认证。 3.1.3 函数说明 （1）寻卡 int find_14443(BYTE* type, BYTE* card_uid ); ////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////// // //功能：寻卡 // //入口参数： // //出口参数：type，指示寻卡成功的卡片为A类卡或是B类卡
接触角的测定实验报告
液-固界面接触角的测量实验报告 一、实验目的 1. 了解液体在固体表面的润湿过程以及接触角的含义与应用。 2. 掌握用JC2000C1静滴接触角/界面力测量仪测定接触角和表面力的方法。 二、实验原理 润湿是自然界和生产过程中常见的现象。通常将固-气界面被固-液界面所取代的过程称为润湿。将液体滴在固体表面上，由于性质不同，有的会铺展开来，有的则粘附在表面上成为平凸透镜状，这种现象称为润湿作用。前者称为铺展润湿，后者称为粘附润湿。如水滴在干净玻璃板上可以产生铺展润湿。如果液体不粘附而保持椭球状，则称为不润湿。如汞滴到玻璃板上或水滴到防水布上的情况。此外，如果是能被液体润湿的固体完全浸入液体之中，则称为浸湿。上述各种类型示于图1。 图1 各种类型的润湿 当液体与固体接触后，体系的自由能降低。因此，液体在固体上润湿程度的大小可用这一过程自由能降低的多少来衡量。在恒温恒压下，当一液滴放置在固体平面上时，液滴能自动地在固体表面铺展开来，或以与固体表面成一定接触角的液滴存在，如图2所示。
图2 接触角 假定不同的界面间力可用作用在界面方向的界面力来表示，则当液滴在固体平面上处于平衡位置时，这些界面力在水平方向上的分力之和应等于零，这个平衡关系就是著名的Young方程，即 γSG- γSL= γLG·cosθ(1) 式中γSG，γLG，γSL分别为固-气、液-气和固-液界面力；θ是在固、气、液三相交界处，自固体界面经液体部到气液界面的夹角，称为接触角，在0o-180o之间。接触角是反应物质与液体润湿性关系的重要尺度。 在恒温恒压下，粘附润湿、铺展润湿过程发生的热力学条件分别是： 粘附润湿W a=γSG-γSL+γLG≥0(2) 铺展润湿S=γSG-γSL-γLG≥0 (3) 式中W a，S分别为粘附润湿、铺展润湿过程的粘附功、铺展系数。 若将(1)式代入公式(2)、(3)，得到下面结果： W a=γSG+γLG－γSL=γLG(1+cosθ)(4) S=γSG-γSL-γLG=γLG(cosθ-1) (5)以上方程说明，只要测定了液体的表面力和接触角，便可以计算出粘附功、铺展系数，进而可以据此来判断各种润湿现象。还可以看到，接触角的数据也能作为判别润湿情况的依据。通常把θ＝90°作为润湿与否的界限，当θ＞90°，
计算机组成原理实验五存储器读写实验
实验五 存储器读写实验 一、实验目的 1.掌握存储器的工作特性。 2.熟悉静态存储器的操作过程，验证存储器的读写方法。 二、实验原理 1.静态存储器芯片的6116的逻辑功能
2.存储器实验单元电路
3.存储器实验电路 三、实验过程 1.连线 1)连接实验一（输入、输出实验）的全部连线。 2)按逻辑原理图连接M-W、 M-R 两根信号低电平有效信号线。 3)连接A7-A0 8根地址线。 4)连接B-AR正脉冲有效信号 2.顺序写入存储器单元实验操作过程 1)把有B-AR控制开关全部拨到0，把有其他开关全部拨到1，使全部信号都处 于无效状态。 2)在输入数据开关拨一个实验数据，如“00000001”，即16进制的01H。 把IO-R控制开关拨下，把地址数据送到总线。 3)拨动一下B-AR开关，即实现“1-0-1”，产生一个正脉冲，把地址数据送地 址寄存器保存。 4)在输入数据开关拨一个实验数据，如“10000000”，即16进制的80H。 把IO-R控制开关拨下，把实验数据送到总线。
5)拨动M—W控制开关，即实现“1—0—1”，产生一个负脉冲，把实验数据存 入存储器的01H号单元。 6)按表2-11所示的地址数据和实验数据，重复上面（1）、（2）、（3）、（4）4 个步骤，顺序在存储器单元中存放不同的实验数据。 表2-11 推荐的典型实验数 3.顺序读出存储器单元实验操作过程 （1）在输入数据开关上拨一个地址（如00000001，即16进制数01H），拨下IO —R开关把地址数据送人总线。 （2）拨动一下B—AR开关，即实现“0—1—0”，产生一个正脉冲，把地址数据送地址寄存器（AR）保存。 （3）把IO—R开关拨上，切断输入开关与总线的联系。 （4）拨下M—R控制开关，把实验数据从存储器的01H号单元赌场送总线，验证实验数据是否与表2-11中的内容相符合。 （5）拨动IO—R开关，即实现“1—0—1”，产生一个负脉冲，把从存储器读出的实验数据从总线送输出显示电路L7—L0。 （6）拨上M—R控制开关，使存储器处于保持状态。 （7）重复上面的（1）—（6）6个步骤，按顺序从地址01H—05H的存储器单元中读出实验数据送输出显示电路L7—L0，验证读出数据与表2-11中的内容是否相符。