virtuoso快捷键
Cadence版图布局软件Virtuso Layout Editor快捷键归纳(也就是Virtuso中说的Bindkey)
单击左键选中一个图形(如果是两个图形交叠的话，单击左键选中其中一个图形，在单击选中另一个图形)
右键点击拖放用来放大。放大后经常配合F键使用，恢复到全部显示。配合Tab键使用，平移视图。
Shift+左键加选图形，Ctrl+左键减选图形。(Cadence菜单中大写表示+按shift，Ctrl写成^) F1 显示帮助窗口。
F2 保存。
F3 这个快捷键很有用，是控制在选取相应工具后是否显示相应属性对话框的。比如在选取Path工具后，想控制Path的走向，可以按F3调出对话框进行设置。
F4 英文是Toggle Partial Select，就是用来控制是否可以部分选择一个图形。
F5 打开。
F6，F7帮助上有，但我试过，没反应-_-!!!
F8 Guided Path Create 切换至L90XYFirst。
F9 是Filter Size 我不知道怎么用。
Ctrl+A 全选。这个和windows下是一样的。
Shift+B Return。这个牵扯到“Hierarchy”。我翻译成“等级”。这个命令就是等级升一级，升到上一级视图。
B键去某一级(Go to Level)。
Shift+C 裁切(Chop)。首先调用命令，选中要裁切的图形，后画矩形裁切。
C键复制。复制某个图形。
Shift+E和E是控制用户预设的一些选项。
Ctrl+F显示上层等级Hierarchy。
Shift+F显示子单元。
F键满工作区显示。就是显示你所画的所有图形。
Ctrl+G(Zoom To Grid)。
G这个快捷键是开关引力(Gravity)的。Gravity我觉得和AutoCAD里的吸附Snap差不多，就是会吸附到某些节点上去。有时候这个Gravity是很讨厌的，总是乱吸附，这时可以点击G键关闭Gravity，操作完成后再打开。
I键插入模块(Instance)。
Shift+K 清除所有标尺。要清除的话总是要清除所有标尺，这个让人很不爽。
K键标尺工具。Ruler
L键标签工具。Label。标签要加在特定的text层上，这个有些人总忘记。
Shift+M 合并工具。Merge
M键移动工具。Move。点选Move工具后，选中要移动的图形，然后在屏幕上任意一处单击一下，这个就是确定移动的参考点，然后就可以自由移动了。这个也可以通过鼠标先选中一个图形，移动鼠标当鼠标箭头变成十字方向的时候就可以拖动来实现。
Ctrl+N，Shift+N和N是控制走向的。
Ctrl+N 先横后竖。L90XFirst
Shift+N 直角正交。Orthogonal
N键斜45对角+正交。Diagonal
Shift+O 旋转工具。Rotate
O键插入接触孔。Create Contact
Ctrl+P 插入引脚。Pin
Shift+P 多边形工具。Polygon
P键插入Path，我翻译成“路径”。有人翻译成“管道”。这些最后都要Convert to Polygon 的。
Shift+Q 打开设计属性对话框。选中一个图形先。
Q键图形对象属性。这个实用。经常用来更改图形属性。也是选中一个图形先。
Ctrl+R 是Redraw重画。
Shift+R 是Reshape重定形。就是在原来的图形上再补上一块图形。
R键矩形工具。Rectangle应该是用的最多的工具了吧。
Ctrl+S 是Split。我翻译成“添加拐点”。就是配合Stretch命令可以是原来直的Path打弯。Shift+S 是Search查找。
S键拉伸工具。Stretch。要求是框选要拉伸图形，再拉伸。我觉得这个拉伸工具是Virtuso 版图设计区别于其他绘图软件的精华所在，能在保持图形原有性质的前提下，自由拉伸。这个符合Layout布局的要求。
Ctrl+T (Zoom to Set)。
Shift+T (Tree)，我觉得其实应该叫Hierarchy Tree。
T键是Layer Tap，层切换。这个菜单命令中没有。这个快捷键其实挺方便。按过T后点击一个图形，就自动切换到刚刚点击图形的的层上去了。有了这个快捷键就不必频繁点击LSW 窗口了。
Shift+U 重复Redo。撤销命令后，再反悔。
U键撤销Undo。
Ctrl+V (Type in CIW)
V键关联Attatch。这个命令要解释一下。将一个子图形(child)关联到一个父图形(parent)后。关联后，若移动parent，child也将跟着移动；移动child，parent不会移动。可以将Label关联到Pad上。
Ctrl+W 关闭窗口。关闭窗口的另一种方法。^_^
Shift+W 下一个视图。Next View
W键前一视图。Previous View
Ctrl+X 适合编辑。Fit Edit。感觉和F差不多。
Shift+X 下降一等级。Descend
X键(Edit in Place) 。这个比较搞，很难翻译。在Hierarchy菜单下。
Ctrl+Y 叫Cycle Select 试了下没成功。
Shift+Y 粘贴Paste。配合Yank使用。
Y键区域复制Yank。和Copy是有区别的，Copy只能复制完整图形对象。
Ctrl+Z 视图放大两倍Zoom In by 2
Shift+Z 视图缩小两倍Zoom Out by 2
Z键视图放大。
ESC键Cancel。
Tab键平移视图Pan。按Tab，用鼠标点击视图区中某点，视图就会移至以该点为中心。Delete键删除。
BackSpace键撤销上一点。这个很有用。就不用因为Path一点画错而删除重画。可以撤销上一点。
Enter键确定一个图形的最后一点。也可双击鼠标左键结束。
Ctrl+方向键移动Cell。
Shift+方向键移动鼠标。每次半个格点的距离。
PMOS和NMOS版图
绘制PMOS、NMOS版图 一、实训目的 1、熟悉Linux操作系统。 2、掌握Cadence软件的使用。 3、学会使用Cadence软件画器件版图。 二、实训器材 计算机、Cadence软件 三、实训步骤 1、在Library Manager中先点击Library列表中的train，然后点击File New Cell View，将Cell name命名为PMOS，Tool选择Virtuoso，View Name不做更改默认的Layout。点击“OK”即可打开Virtuoso版图设计窗口。 2、开始绘制POMS版图。 1）、绘制有源区（active/TO层）。根据管子尺寸定义PMOS晶体管的宽度为6um，长度不定。 2）、绘制栅端（gate/GT层）。根据管子的尺寸定义PMOS晶体管的gate 的宽度为1um。（即PMOS晶体管的沟道长度为1um） 此处的设计规则：GT overhang out of TO ≥0.55um。 3）、绘制接触孔（contact/W1）。在Cell列表中重新建立一个Cell名为 contact的版图。设计规则为：Min&Max size = 0.5um×0.5um；Metall1 over lap over contact ≥ 0.3um；画好之后保存。如图所示 4）、回到刚才建立的PMOS版图下。按快捷键“i”，添加接触孔，在弹 出的对话框中，点击Browse，出现的对话框中选择train contact layout,修改Rows为5，点击Hide后在版图编辑窗口中出现 contact+metall1版图，将其移动到距离栅0.4um的地方。同时根据接触孔距离有源区的距离为0.3um，按键盘快捷键“s”进行调整。 同时将接触孔镜像到另外一边，也调整有源区的边界。设计规则：Contact to Contact Min.space ≥0.5um； P-active overlap contact ≥ 0.3um; Contacton Active to Ploy gate space ≥ 0.4um; 5）、源和漏的注入区域绘制。选中有源区，按f7进行图形生成 （layergeneration），如图所示在图中1处选中TO层，在图中2处选 中GROW BY，在图中3处填入0.5，在图中4处选中SP层，点击“OK”。
cadence操作常用快捷键
cadence操作常用快捷键(Layout) Layout快捷键： shift+z：缩小 W快速显示最小化的LSM ctrl+z：放大 F：整图居中显示 c：复制 m：移动 shift+x：进入下一层版图 ctrl+x：还回上一层版图 i：插入模块 R：画矩形 Shift+P：多边形工具Polygon P：插入Path K：标尺工具 shift+K：清除所有标尺 L：标签工具，标签要加在特定的text层上，这个有些人总忘记。 Shift+C：裁切(Chop)，首先调用命令，选中要裁切的图形，后画矩形裁切。在用P快捷键画了一条Path后，如果需要调整线宽，就需要用到这个快捷键。Ctrl+Z 视图放大两倍Zoom In by 2Shift+Z 视图缩小两倍Zoom Out by 2Z键视图放大。 Shift+O 旋转工具。RotateCtrl+P 插入引脚。Pin Cadence Virtuoso Layout Editor快捷键归纳 右键点击拖放用来放大。放大后经常配合F键使用，恢复到全部显示。配合Tab 键使用，平移视图。 u：撤销上一次操作
Esc：清楚刚键入的命令 Ctrl +D：取消选择，这个也可用鼠标点击空白区域实现。经常使用这个快捷键可以防止误操作。 q：显示属性 Delete：删除 S：拉伸工具Stretch，要求是框选要拉伸图形，再拉伸。 O键插入接触孔。Create Contact Shift+左键加选图形， Ctrl+左键减选图形。 F2 保存。 F3 这个快捷键很有用，是控制在选取相应工具后是否显示相应属性对话框的。比如在选取Path工具后，想控制Path的走向，可以按F3调出对话框进行设置。F4 英文是Toggle Partial Select，就是用来控制是否可以部分选择一个图形。 F5 打开。 F8 Guided Path Create 切换至L90XYFirst。 Ctrl+A 全选。这个和windows下是一样的。 Shift+B Return。这个牵扯到“Hierarchy”。我翻译成“等级”。这个命令就是等级升一级，升到上一级视图。 Ctrl+C 中断某个命令，不常用。一般多按几次Esc键取消某个命令。 Shift+C 裁切(Chop)。首先调用命令，选中要裁切的图形，后画矩形裁切。 Shift+E和E是控制用户预设的一些选项。 Ctrl+F显示上层等级Hierarchy。 Shift+F显示所有等级。 F键满工作区显示。就是显示你所画的所有图形。 Ctrl+G(Zoom To Grid)。 G 这个快捷键是开关引力(Gravity)的。Gravity我觉得和AutoCAD里的吸附Snap 差不多，就是会吸附到某些节点上去。有时候这个Gravity是很讨厌的，总是乱吸附，这时可以点击G键关闭Gravity，操作完成后再打开。 Shift+M 合并工具。Merge M键移动工具。Move。点选Move工具后，选中要移动的图形，然后在屏幕上任意一处单击一下，这个就是确定移动的参考点，然后就可以自由移动了。这个也可以通过鼠标先选中一个图形，移动鼠标当鼠标箭头变成十字方向的时候就可以拖动来实现。 Ctrl+N，Shift+N和N是控制走向的。 Ctrl+N 先横后竖。L90XFirst Shift+N 直角正交。Orthogonal N键斜45对角+正交。Diagonal Shift+P 多边形工具。Polygon Shift+Q 打开设计属性对话框。选中一个图形先。 Q键图形对象属性。这个实用。经常用来更改图形属性。也是选中一个图形先。Ctrl+R 是Redraw重画。 Shift+R 是Reshape重定形。就是在原来的图形上再补上一块图形。Ctrl+S 是Split。我翻译成“添加拐点”。就是配合Stretch命令可以是原来直的Path打弯。 Shift+S 是Search查找。
virtuoso快捷键
Cadence版图布局软件Virtuso Layout Editor快捷键归纳(也就是Virtuso中说的Bindkey) 单击左键选中一个图形(如果是两个图形交叠的话，单击左键选中其中一个图形，在单击选中另一个图形) 右键点击拖放用来放大。放大后经常配合F键使用，恢复到全部显示。配合Tab键使用，平移视图。 Shift+左键加选图形，Ctrl+左键减选图形。(Cadence菜单中大写表示+按shift，Ctrl写成^) F1 显示帮助窗口。 F2 保存。 F3 这个快捷键很有用，是控制在选取相应工具后是否显示相应属性对话框的。比如在选取Path工具后，想控制Path的走向，可以按F3调出对话框进行设置。 F4 英文是Toggle Partial Select，就是用来控制是否可以部分选择一个图形。 F5 打开。 F6，F7帮助上有，但我试过，没反应-_-!!! F8 Guided Path Create 切换至L90XYFirst。 F9 是Filter Size 我不知道怎么用。 Ctrl+A 全选。这个和windows下是一样的。 Shift+B Return。这个牵扯到“Hierarchy”。我翻译成“等级”。这个命令就是等级升一级，升到上一级视图。 B键去某一级(Go to Level)。 Shift+C 裁切(Chop)。首先调用命令，选中要裁切的图形，后画矩形裁切。 C键复制。复制某个图形。 Shift+E和E是控制用户预设的一些选项。 Ctrl+F显示上层等级Hierarchy。 Shift+F显示子单元。 F键满工作区显示。就是显示你所画的所有图形。 Ctrl+G(Zoom To Grid)。 G这个快捷键是开关引力(Gravity)的。Gravity我觉得和AutoCAD里的吸附Snap差不多，就是会吸附到某些节点上去。有时候这个Gravity是很讨厌的，总是乱吸附，这时可以点击G键关闭Gravity，操作完成后再打开。 I键插入模块(Instance)。 Shift+K 清除所有标尺。要清除的话总是要清除所有标尺，这个让人很不爽。 K键标尺工具。Ruler L键标签工具。Label。标签要加在特定的text层上，这个有些人总忘记。 Shift+M 合并工具。Merge M键移动工具。Move。点选Move工具后，选中要移动的图形，然后在屏幕上任意一处单击一下，这个就是确定移动的参考点，然后就可以自由移动了。这个也可以通过鼠标先选中一个图形，移动鼠标当鼠标箭头变成十字方向的时候就可以拖动来实现。 Ctrl+N，Shift+N和N是控制走向的。 Ctrl+N 先横后竖。L90XFirst Shift+N 直角正交。Orthogonal N键斜45对角+正交。Diagonal Shift+O 旋转工具。Rotate O键插入接触孔。Create Contact Ctrl+P 插入引脚。Pin
VLE(virtuoso Layout Editing)快捷键
右键点击拖放用来放大，若+shift右键点击拖放用来缩小； 点击右键用来重复前一个操作； F2 ：保存； F3 ：控制在选取相应工具后是否显示相应属性对话框；（器件翻转）F ：满工作区显示； I ：插入器件； Shift+k：清楚所有的标尺； K：标尺工具； L：标签工具；（添加线名） Shift+M：合并；（移动器件但不移动连线） M：移动； Shift+O：旋转；（r或者F3） O：插入contact； Ctrl+P：插入pin；（P） Shift+P：多边形工具； P：插入path； Shift+Q：打开设计属性对话框； Q：图形对象属性； R：矩形工具； S：拉伸工具； T：层切换； Shift+U：撤销命令后返回； U：撤销； Ctrl+W：关闭窗口； Shift+W：下一个视图； W：前一视图； Shift+X：下降一等级； Y：区域复制； Ctrl+Z：放大两倍； Shift+Z：缩小两倍； Z：放大； ESC：取消； Tab：平移视图； Backspace：撤销上一点； Enter：确定一个图形的最后一点，也可双击鼠标左键结束； Shift+F：显示所有等级，ctrl+F:显示上一等级； Ctrl+N ：先横后竖。L90XFirst ； Shift+N ：直角正交。Orthogonal；（添加标号） N ：斜45对角+正交Diagonal；（添加几何图形） V：关联attach； Ctrl+D：取消选择，也可用鼠标点击空白部分实现； Shift+C：裁切，首先调用命令，选中要裁切的图形，后画矩形裁切；
Shift+l：标注； g：查看错误； shift+e：查看底层电路；ctrl+e：返回顶层电路；e：进入内部电路；
cadence入门指导
Cadence基本操作 --Carfic 文介绍C adence软件的入门学习，原理图的创建过程，本教程适合与初学着，讲得尽量的详细和简单，按照给出的步骤可以完全的从头到尾走一遍，本教程以最简单的共源放大器为例。打开终端，进入文件夹目录，输入icfb &或者virtuoso&启动软件。 1.原理图绘制 1.点击Tools的Library Manager，如图1 图1 2.下一步，建立新的库File-New-Library，在name处取新库的名字（图2），并关联相应的工艺库，这次关联的工艺库是tsmc18rf（见图3，4）。 图2
图3 图4 3.接下来在，新建库（CS）下面建立原理图，在manager中点击新建的库，再点击File-New-Cell View，并取名字，此处仍取名cs（图5）。出现原理图（图6） 图5 图6 接下来可以进行原理图绘制，首先介绍几个快捷键： F：调节界面至最全最合适模式 M：移动器件 I：加入器件 Q：调整器件参数 W：连线 C：复制器件 R：旋转器件，在移动，复制和加器件的时候可以使用 X：保存电路并且检查是否有error和warning L：给线标注名字，名字相同即相连，尽量不要取关键字的名字，如vdd！，gnd！等 P：加pin脚，在做symbol的时候使用，pin的名字和线的名字一样的时候，默认相连接。 E：进入symbol下一层电路 shift+M：移动器件不会影响线 shift+W：粗线 shift+R：镜像器件 ctrl + E：返回上一层电路图 4.第一步，先按I（图7），再选择tsmc18rf库，在cell找nmos2v（在此工艺下的器件名，有些工艺是nch），并在view选择symbol，即可添加（图8）。
版图设计
集成电路版图设计 什么是集成电路版图设计？所谓的集成电路版图设计是根据逻辑与电路功能和性能要求以及工业水平要求来设计芯片制造时光刻用的掩模版图，实现IC设计的最终输出其中版图是一组相互套合的图形，各层版图表示不同的工艺步骤，每层版图用不同的图案表示。DRS和LVS开始前需要做哪些准备？DRC开始前需要准备好版图文件和DRC规则文件，LVS开始前需要准备好版图文件、电路图文件和runset文件 为什么需要进行版图数据处理？在形成整体的版图并通过DRC、LVS的验证后，版图设计过程就完成了，但这个时候的版图GDS数据还不能拿去制作掩模版，还需要对GDS数据进行处理。该版图GDS数据中的层次跟最终模板的层次并不是完全一致的，该版图GDS 数据还需要进行工艺涨缩处理，以满足掩模版制作需求。集成电路设计流程：功能要求、电路设计、电路仿真、版图设计、版图验证、后仿及优化。 光刻工艺流程：底膜处理、涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、显影检测、刻蚀、去胶、最终检验。 工艺要求：特征尺寸、集成度、晶圆尺寸工艺文件夹包含：技术文件、显示文件 DRC步骤：建立DRC运行目录、修改规则文件、导出gds2文件、编译规则文件、执行DRC检查、DRC结构分析 狗骨电阻的优点：能够控制电流走向，使电阻误差减小。 集成电路发展的趋势是什么？制程工艺越来越精细、集成度越来越高、电路功能越来越强大、越来越趋向于智能化 集成电路中的电阻分为哪几种？有扩散电阻、多晶硅电阻、阱电阻 简述为什么尽可能多地设计阱接触？能大大减小寄生电阻的阻值，有效抑制闩锁。 在绘制PMOS版图时，为什么在接触区域进行SN注入？SN注入降低了接触电阻，接触孔容易刻蚀，形成欧姆接触。 简述什么是闩锁效应？闩锁效应是CMOS工艺所特有的寄生效应，严重会导致电路的失效，甚至烧毁芯片。 什么是保护环，保护环的主要作用？能抑制闩锁效应的设计方式就是保护环作用: 1.阻碍少子保护环 2.载流子注入类型为少子 3.保护类型为少子 4.电位保持PN结反偏 5.起分流作用。 在绘制NMOS或PMOS的过程中所使用的CSMC05MS中的几何设计规则？CSMC05MS工艺中的TO层需盖出接触孔的距离最小是0.3微米，CSMC05MS工艺中的有源区上的接触孔W1层应距离多晶硅栅至少0.4微米。 设计规则是什么，包括哪些东西？芯片上物理层的尺寸进而版图设计必须遵守的规则叫做设计规则。包括最小宽度，最小间距，最小包围，最小延伸。 请简单说明LSW窗口中的AV、NV、AS、NS？AV:下方所有图层在编辑区域可见。 NV:下方所有图层在编辑区域都不可见。 AS:下方所有图层在编辑区都可以被选择。 NS:下方所有图层在编辑区都不可以被选择。简述设计库是什么，有什么作用？设计库：根据用户使用需要自行创建。是cds.lib 文件中定义的。一个设计库中可以含有多个单元。合理的设置设计库可以提高文件系统中的设计的可管理性。例如可以将每个项目中的电路放到各自的设计库中 填空题1、版图设计:就是按照线路的要求和一定的工艺参数，设计出元件的图形并进行排列互连，以设计出一套供IC制造工艺中使用的(光刻掩膜版) 的图形，称为版图或工艺复合图。 2、CIW窗口是Cadence软件的（控制）窗口，从菜单栏Tools中可以调用Cadence集成的许多工具，包括电路图设计工程以及版图设计工具等。 3、电路设计也称IC的（前端电路设计）只有当电路设计完成并仿真验证之后才开始下一阶段工序即版图设计，即（后端设计） 4、库管理工具是进行工程设计的重要工具,其中的文件都是按（库）、（单元）和（视图）进行管理的。 5、启动Cadence时输入命令“icfb&” ，命令中带&表示Cadence将在（后台）运行。 6、在设计某个具体芯片项目时，该芯片的设计库需要和流片的FAB厂的（工艺库）关联。 7、代工厂提供的工艺文件一般包括（显示文件）和（工艺文件）两部分。8、CSMCO5MS工艺中的接触孔W1间的最小距离是（0.5）微米。 9、CSMC05MS工艺中的T0层需盖出接触孔的距离最小是（0.3）微米10、CSMCO5MS工艺中的有源区上的接触孔W1层应距离多晶硅栅至少（0.4）微米。 二判断题1大宽长比的晶体管对后级容性负载进行驱动。按照一般的单管布局，需要画成很长的矩形条，这就意味着栅长度的增加，同时栅寄生电阻的阻值也会增加，这就导致了晶体管各个位置的导通时将会同步（X） 2如果是PMOS差分对，则要在相应的N阱上打上N+接触孔，以吸收衬底噪声。N+接触孔的间距越大越好（X） 3解决闩锁效应的办法有很多种，出发点不同，解决的方法也就各异。从降低寄生三极管的增益来看，方法之-可以通过增加NMOS和N阱的距离来达到（√） 4从工艺上讲，SOI(Silicon on Insulator)工艺能从根本上来消除闩锁效应的产生（√） 5CMOS反相器的重要特性是，当输出处于逻辑稳态时，两个MOS管中仅有一个导通。因此在CMOS反相器工作时，电源和地之间是不会有大电流流过的（X） 6CSMCO5MS工艺中是双阱工艺，这就意味着除了N阱TB层应该还有一个P阱P阱层目前没有在层次中显现，这意味着出问题了（X）7在Label框内输入VDD后，点击"Hide"后相应的字母就会粘在鼠标上，用鼠标在金属A1单击后，标注名就会确定下来，同时这个标注名也会显示在光刻版上（X8一般而言，芯片的尺寸越大，其良率就越低（√） 9MOS管的工作频率与沟道长度无关（X） 10版图设计人员一般不会在标准的工艺流程中添加额外的工艺要求（√）11版图设计人员只需要读懂设计规则，没有必要去了解芯片制造工艺及流程（X） 12一般情况下版图设计人员通过计算电阻的方块数就能大致了解电阻的阻（√）14芯片在设计时，仅需考虑设计要求，不需考虑工艺要求（X） 13版图一-般需转换成标准格式GDSII文件输出，然后将此文件交给代工厂进行掩膜制造并最终生产出实际的集成电路（√） 15设计规则中的几何设计规则部分体现了FAB.厂对工艺精度的限制（√） 16FAB厂的掺杂工序所涉及到的掺杂浓度被抽象为几何设计规则中的氧化层厚度来表示（X） 几何设计规则明确了具体工艺参数及由工艺结果抽象出的电学参数（X） CSMCO5MS工艺中的T0层对应的工艺步骤是形成N阱（X） CSMC05MS工艺中的SP层对应的工艺步骤是对有源区进行P型离子注入（√） 硅片有外延层，就能杜绝CMOS电路中的Iatch-up效应（X） CSMCO5MS工艺中的W1层对应的工艺步骤是形成A1层金属与A2层金属之间的过孔（X 接触孔在条件允许的情况下一般是越多越好（√） Virtuoso Layout Editor中菜单栏Options中的Display选项含有版图显示层级这部分内容（√） 在一般情况下，格点控制中X Snap Spacing与Y Snap Spacing的设置以代工厂的规则为依据，取规则中尺寸的最小单位（√） 版图的绘制与原理图编辑的操作不同，不具有显示的层次关系（X）在Virtuoso Layout Editor设置Gravity On中，可以根据需要打开引力或者去掉引力（√）
virtuoso中电路设计小技巧
virtuoso中电路设计小技巧 在电路设计中，使用虚拟仿真工具virtuoso可以极大地提高设计效率和准确性。以下将介绍一些在virtuoso中常用的电路设计小技巧，帮助工程师更好地完成设计任务。 1. 使用层次化设计：在复杂的电路设计中，使用层次化设计可以将电路分成几个逻辑模块，每个模块有自己的电路原理图。这样可以使设计更加清晰，易于维护和修改。在virtuoso中，可以使用“hier”命令来创建层次化设计。 2. 使用标签和注释：在电路设计中，添加标签和注释可以方便后续的调试和维护工作。在virtuoso中，可以使用“label”命令来添加标签，并使用“comment”命令来添加注释。 3. 使用参数化设计：参数化设计可以方便地调整电路中的参数，使得电路设计更加灵活和可重用。在virtuoso中，可以使用“parameter”命令来定义参数，并在设计中使用这些参数。 4. 使用快捷键：virtuoso提供了许多快捷键，可以大大提高设计效率。例如，使用“Ctrl+C”和“Ctrl+V”可以快速复制和粘贴电路元件；使用“Ctrl+M”可以快速移动电路元件。 5. 使用自动布线工具：virtuoso提供了自动布线工具，可以自动完成电路的布线工作。使用自动布线工具可以节省大量的时间和精力，
并且可以得到更好的布线效果。在virtuoso中，可以使用“auto”命令来调用自动布线工具。 6. 使用捕捉错误功能：virtuoso提供了捕捉错误功能，可以帮助发现电路设计中的错误。在virtuoso中，可以使用“check”命令来检查电路设计中的错误，并提供相应的修复建议。 7. 使用电路优化工具：virtuoso提供了电路优化工具，可以对电路进行优化，以达到设计目标。在virtuoso中，可以使用“optimize”命令来调用电路优化工具，并设置优化目标。 8. 使用参数扫描功能：virtuoso提供了参数扫描功能，可以对电路中的参数进行扫描分析。使用参数扫描功能可以了解电路在不同参数下的性能变化，并帮助找到最佳的参数组合。 9. 使用仿真工具：virtuoso提供了强大的仿真工具，可以对电路进行各种仿真分析。在virtuoso中，可以使用“simulator”命令来调用仿真工具，并设置仿真参数。 10. 使用设计规范：在电路设计中，遵循设计规范可以保证设计的准确性和可靠性。在virtuoso中，可以使用“rule”命令来定义设计规范，并在设计中进行检查。 通过使用这些virtuoso中的电路设计小技巧，工程师可以更好地完成电路设计任务，并提高设计效率和准确性。希望这些小技巧能对
使用Virtuoso设计全定制版图
使用Virtuoso设计全定制版图 本文介绍利用virtuoso layout editor（以后简称le）创建全定制版图，以及vituoso le 的一些使用说明。全文将用一个贯穿始终的例子来说明如何绘制全定制版图，一个最简单的反相器的版图.设计过程采用chartered（csm25rf）库—标准CMOS工艺库。 具体内容包括： 1）如何打开virtuoso le和le 的一些设置； 2）使用LSW窗口； 3）使用le 创建一个版图； 4）使用快捷键—bindkey; 5）使用diva验证版图； 6）使用diva 进行LVS； 登陆以后，首先要先创建自己的工作目录，比如Work, cd Work.从csm25rf库所在文件夹下拷贝文件到自己的工作目录下,你的工作目录下必须有文件，不然在LSW窗无法显示绘制版图需要的各个图层。从/CDS_ROOT/tools/dfII/cdsuser目录下拷贝 .cdsinit文件到自己的目录下，该文件是Cadence 自带的软件相关设置的文件，里面有相关字体的设置，Bindkey设置等，这里主要考虑Bindkey的设置，也可以设置自己的Bindkey，不过 Cadence默认的设置是足够的。当然也可以单单靠鼠标来进行操作，virtuoso le 窗口有常用命令的工具栏，不过就我自己的感觉，用快捷键比鼠标要快很多。如果要运行Diva LVS 还得有.simrc文件。（不过这里有一个问题，服务器上的.simrc文件的设置跟csm25rf库有不一致的地方，运行Diva LVS 会出现目录LVS非法的错误。 运行vituoso le 要打开virtuoso le ,首先要打开CIW窗口。在shell 命令行下输入：icfb& 进入CIW 窗口，字符&使得cadence 在后台工作（即可以在shell命令行执行其它命令），也可以在shell 提示符下输入其它的命令来打开CIW窗口，如下图：（在这里也可以输入layout& 或者 layoutPlus&）
cadence virtuoso
cadence virtuoso Cadence Virtuoso是一款针对集成电路设计的全套EDA工具软件，主要用于模拟、布图和验证电路，如模拟电路、模拟混合信号、数字和RF电路等。它是Cadence公司的一个旗舰产品，常用于电子类行业。 Virtuoso的主要功能如下： 1.模拟电路设计 Virtuoso内嵌了Spectre模拟器，可自定义各类标准电路模块，如振荡器、放大器、滤波器和放大器等，实现模拟电路设计。此外，Virtuoso完全兼容HSPICE模拟器，故可将HSPICE 模拟器设计文件直接导入到Virtuoso，方便用户升级其设计，使其更好地匹配标准cell库。 2.数字电路设计 Virtuoso中的Composer可以用于数字元件设计，可自定义各种逻辑门电路、触发器和计数器，以及各类HDL文件。 3.模拟混合信号开发 Virtuoso支持混合Analog和Digital模拟设计，是业内较为出色的模拟混合信号EDA工具之一。此外，其混合模拟仿真工具也是其特色功能之一，该仿真器可与Cadence公司其他产品兼容，优化产生了更为专业化的组件库。 4.RF电路设计
Virtuoso是目前业内优秀的射频设计软件，它使用了Airgap导线技术，实现了板级布局与元件的态势仿真，由此产生了目前业界最强大的电路模拟仿真平台。 5.IC布图设计 Virtuoso中的Layout Editor工具可以用于各类 CMOS/RF/analog芯片布图设计，该工具在布图方面具有相当的灵活性并且布图效率也是全行业最快的。设计人员可以通过该工具把设计需求快速应用到面向SoC设计的pm/PMIC领域。 Virtuoso也提供了一些可扩展性方向，如： 1. Mentor Graphic的Pyxis Integrator、Virtuoso Platform和IC Station可以扩展Virtuoso的设计与布局平台。 2. Virtuoso的脚本语言Support可以与TCL语言Setuptools 和TK/Tkinter共有，提供强大、灵活的自动化功能，适用于Virtuoso环境的可靠性设计。 在使用Virtuoso时，需要注意以下几点： 1. Virstuoso有多种版本，在安装之前需要仔细确认版本和需求。 2. Virtuoso使用的UI与其他EDA设计工具可能有所不同，需要适应一下。同时，还需掌握一些快捷键和窗口名称等基本操作方法。 3.虽然Virstuoso具备极高的灵活性，在操作上较为自由，但需要在操作过程中细心谨慎，以免由于疏忽而导致不必要的失误。
关于Cadence virtuoso的一些实用技巧
1. 关于版图一些实用的快捷键 F3：显示Option form F4： Full/Partial 选择切换 N：改变snap model，n---diagonal, Shift+n---orthogonal, Ctrl+n---L90Xfirst Ctrl+y：当多个图形叠在一起时（点击左键默认是两个图形间切换），可以轮流选择重叠的图形 BackSpace：当命令尚未完成时，可以撤销上一次（多次点击可撤销多次）鼠标的点击。如：画path时可撤销前面鼠标错误的点击，选择很多图形stretch，点了reference point发现有多选，可撤销点击，去掉多选图形后再stretch。 Right mouse： a. 没有命令时重复上次命令； b. move和Create instance时逆时针旋转，Shift＋Right mouse轮流关于x/y轴对称； c. 画path时，L90Xfirst和L90Yfirst之间切换，Ctrl＋Right mouse Path自动换层（Path stitching）切换，Shift＋Right mouse换层时通孔旋转； d. Reshape和split时，切换不同的高亮区域，以便下一步的操作。 2.使用reference window 一个cellview可以打开两个窗口，一个作为主窗口编辑，另外一个可以放小一点作为参考窗口（即reference window），有点像world view，不同的是主窗口的编辑不仅在参考窗口中可以看到，而且两个窗口中编辑是等效的（当然你的显示器越大，用参考窗口越好，^_^）。 可以用Window – Utilities – Copy Window打开一个参考窗口，也可以直接把一个cellview打开两次，如图