2017年清华大学微电子832考研真题回忆
研途宝考研https://www.360docs.net/doc/5517245832.html,/zykzl?fromcode=9820今年整体来说比较难吧，我个人觉得难，器件重半导体物理部分，后面的器件基本没怎么考，模点比以往偏，没有考差分运放，重在运算放大器的部分，数电前面简单，但是最后一题也比较难。下面详细回忆下。
共11道题，前面器件，后模电，最后数电。
?第一道，让分析半导体的电阻率随温度的变化关系，画出曲线并分析。
?第二道，是半导体物理，告诉导带底和价带顶的能量与波矢的关系，求禁带宽度，空穴和电子的有效质量，还有电子从价带顶跃迁到导带底时的准动量变化。
?第三道，是一道计算扩散电流的题，还算简单，第二问求要使得电流为零所需加的电场强度。
?第四道，是mos管电流的计算，但是最后一问考了速度饱和，写个没复习，不知道怎么算。
器件好像就这么几道其他的想不起来了。
模电具体的题号我都忘了，只能说说考了那些点，
研途宝考研https://www.360docs.net/doc/5517245832.html,/zykzl?fromcode=9820首先2011年的真题原题又考了，
?第五题，有好几道简单的问答题，1.问BJT与MOS管的跨导电流比，为什么BTJ要大，2.饱和时的cmos小型号等效电路图，3.让根据一个电路图设计电路，这次应该是一个积分运算电路，4.根据一个电路图分析一个二极管的导痛还是截止，5.一个运放后面接一个mos管然后构成一个负反馈，分别在漏级和源级有两个输出电压，第一问判断输出极性和反馈组态，后面求对于两个输出电压的增益。
?第六题，是一个含有三个运算放大器组成的电路，让求各个电压，还有在不同的频率下的输出电压的幅值。这题比较难，分值最大25分，
还有什么我想不起来了，接下来的数电
1.还是给两个二进制数，让求原码反码补码，求和，
2.根据给的输出函数，用卡洛图化简电路图
3.给一个触发器的时序图，让判断什么类型的触发器，触发方式是电平还是脉冲，
研途宝考研https://www.360docs.net/doc/5517245832.html,/zykzl?fromcode=9820
4.给了一个38译码器和2位数据选择器求输出函数的表达式，并列出真值表。
5.让设计产生11位序列的序列发生器。
整体来说今年比去年难了好多，复习的重点反而没考，比如器件的pn结，mos管的阈值电压，三极管的计算都没考，重点在半导体物理部分，模电和以往也不一样，没有简单mos放大电路，也没有考差分运放，波特图等，重点是运算放大器的计算。只有数电和往年差不多，只是最后一题依然做不来。。。
唉，考研也就这样了，来攒一波人品，只求过线啊。
清华大学微电子学本科生培养
首页->人才培养->本科生培养 一、简介 微纳电子系本科生一级学科名称为电子科学与技术，二级学科名称为微电子学。共有2003级本科生92人，2004级本科生66人，2005级本科生67人。2007年微纳电子系开设了21门本科生课程，其中专业核心课8门，专业限选课5门，平台课2门，专业任选课4门，新生研讨课2门。 二、课程设置 ?课程编号：30260093 课程名称：固体物理学 课程属性：专业核心课 任课教师：王燕 内容简介：固体物理学是固体材料和固体器件的基础。该课程主要研究晶体的结构及对称性，晶体中缺陷的形成及特征，晶格动力学，能带理论的基础知识以及晶体中的载流子输运现象等。是微纳电子专业的核心课。 ?课程编号：40260103 课程名称：数字集成电路分析与设计 课程属性：专业核心课 任课教师：吴行军 内容简介：本课程从半导体器件的模型开始，然后逐渐向上进行，涉及到反相器，复杂逻辑门（NAND，NOR，XOR），功能模块（加法器，乘法器，移位器，寄存器）和系统模块（数据通路，控制器，存储器）的各个抽象层次。对于这些层次中的每一层，都确定了其最主要的设计参数，建立简化模型并除去了不重要的细节。 ?课程编号：40260173
课程名称：数字集成电路分析与设计（英） 课程属性：专业核心课 任课教师：刘雷波 内容简介：数字集成电路的分析与设计，包括：CMOS反相器、组合和时序逻辑电路分析与设计、算术运算逻辑功能部件、半导体存储器的结构与实现、互连线模型与寄生效应的分析。并介绍常用数字集成电路的设计方法和流程。 ?课程编号：30260072 课程名称：微电子工艺技术 课程属性：专业核心课 任课教师：岳瑞峰 内容简介：本课程授课目的是使学生掌握微电子制造的各单项工艺技术，以及亚微米CMOS集成电路的工艺集成技术。本课程讲授微电子制造工艺各单项工艺的基本原理（包括氧化、扩散、离子注入、薄膜淀积、光刻、刻蚀、金属化工艺等），并介绍常用的工艺检测方法和MEMS加工技术、集成电路工艺集成技术和工艺技术的发展趋势等问题。另通过计算机试验，可学习氧化、扩散、离子注入等工艺设备的简单操作和模拟。 ?课程编号：40260033 课程名称：模拟集成电路分析与设计 课程属性：专业核心课 任课教师：王自强 内容简介：本课程介绍模拟集成电路的分析与设计方法，帮助学生学习基础电路理论，实现简单的模拟集成电路。课程分成3个部分：电路理论知识、电路仿真和版图介绍。课程以讲述电路理论为主，通过电路仿真对电路理论加以验证，最后介绍版图、流片方面的内容，使学生对全定制集成电路的设计流程有初步了解。 ?课程编号：40260054
清华大学微电子本科生培养课程设置.
一、简介 微纳电子系本科生一级学科名称为电子科学与技术,二级学科名称为微电子学。 二、课程设置 课程编号:30260093 课程名称:固体物理学 课程属性:专业核心课开课学期:09秋 任课教师:王燕 内容简介:固体物理学是固体材料和固体器件的基础。该课程主要研究晶体的结构及对称性,晶体中缺陷的形成及特征,晶格动力学,能带理论的基础知识以及晶体中的载流子输运现象等。是微纳电子专业的核心课。 课程编号:40260103 课程名称:数字集成电路分析与设计 课程属性:专业核心课开课学期:09秋 任课教师:吴行军 内容简介:本课程从半导体器件的模型开始, 然后逐渐向上进行, 涉及到反相器, 复杂逻辑门 (NAND , NOR , XOR , 功能模块(加法器,乘法器,移位器,寄存器和系统模块(数据通路,控制器,存储器的各个抽象层次。对于这些层次中的每一层,都确定了其最主要的设计参数,建立简化模型并除去了不重要的细节。 课程编号:40260173 课程名称:数字集成电路分析与设计(英 课程属性:专业核心课开课学期:09秋 任课教师:刘雷波
内容简介:数字集成电路的分析与设计,包括:CMOS 反相器、组合和时序逻辑电路分析与设计、算术运算逻辑功能部件、半导体存储器的结构与实现、互连线模型与寄生效应的分析。并介绍常用数字集成电路的设计方法和流程。 课程编号:30260072 课程名称:微电子工艺技术 课程属性:专业核心课开课学期:09秋 任课教师:岳瑞峰 内容简介:本课程授课目的是使学生掌握微电子制造的各单项工艺技术, 以及亚微米 CMOS 集成电路的工艺集成技术。本课程讲授微电子制造工艺各单项工艺的基本原理(包括氧化、扩散、离子注入、薄膜淀积、光刻、刻蚀、金属化工艺等,并介绍常用的工艺检测方法和 MEMS 加工技术、集成电路工艺集成技术和工艺技术的发展趋势等问题。另通过计算机试验,可学习氧化、扩散、离子注入等工艺设备的简单操作和模拟。 课程编号:40260054 课程名称:半导体物理与器件 课程属性:专业核心课开课学期:09春 任课教师:许军 内容介绍:主要讲授半导体材料的基本物理知识,半导体器件的工作原理以及现代半导体器件的新进展。主要内容包括:半导体中的电子态和平衡载流子统计,载流子的输运(非平衡载流子,产生和复合,载流子的漂移、扩散,电流连续性方程, PN 结二极管和双极型晶体管,场效应晶体管,半导体光电器件,纳电子器件基础。 课程编号:40260033 课程名称:模拟集成电路分析与设计 课程属性:专业核心课开课学期:09春 任课教师:王自强
2019年清华大学微电子与纳电子学系全国优秀大学生夏令营
2019年清华大学微电子与纳电子学系 全国优秀大学生夏令营 为了促进中国高校优秀大学生之间的学术交流，向各校优秀学生提供了解清华大学微电子与纳电子学系/微电子学研究所的机会，清华大学微电子与纳电子学系将举办全国优秀大学生夏令营活动。 本次夏令营活动将于7月中旬（10~12日）在清华大学校内举行，内容包括学科前沿讲座、师生座谈、参观访问等。举办夏令营的具体地点、日程安排及考核办法等，将在夏令营活动举办前一周正式通知入选营员，并在清华大学微电子与纳电子学系/微电子学研究所网站上公布。 入营人数将根据报名情况来确定，计划招收80名学员。最终入选的优秀营员名单将在清华大学微电子与纳电子学系/微电子学研究所网站上公布并直接通知学员本人（以电子邮件形式），未收到通知者即为未入选者，不再另行通知。 夏令营期间，我系将全程为所有参营学员提供食宿服务，营员往返交通费自理。 一、申请资格 1．申请者应为全国各高校本科三年级在校生（2020届毕业生）； 2. 申请者应主要为微电子学及相关专业本科生，同时欢迎对微电子学科具有浓厚兴趣的优秀理工科学生申请； 3. 英语水平良好，达到国家六级水平（TOFEL、GRE、雅思成绩可供参考）； 4. 有可能获得所在学校当年研究生推荐免试资格。 二、申请材料 1. 清华大学微电子与纳电子学系全国优秀大学生夏令营申请表1份（附件1：申请表） 2. 个人陈述1份； 3. 专家推荐信2封（附件2：专家推荐信），即需要2位副教授以上职称专家分别推荐，且密封并在封口骑缝处签字； 4. 本科阶段成绩单1份(教务部门盖章原件)； 5. 本科阶段成绩排名证明1份(教务部门盖章原件)； 6. 获奖证书（如有）复印件1份； 7. 国家英语六级考试成绩或TOEFL成绩、GRE/GMAT成绩等体现自身英语水平的证明材料复印件1份； 8. 申请人还可提交体现自身学术水平的代表性论文、出版物或原创性工作成果等材料的复印件1份。 请按以上顺序排列材料，提供的申请材料一律不退还。（附件3：安全协议书） 三、申请方式 请将纸质申请材料邮寄至如下地址： 北京市海淀区清华大学微电子所业务办206房间，钱老师（收）邮政编码：100084 信封上注明“夏令营申请材料”。夏令营活动报名纸质材料接收截止时间为6月10日（以当地邮戳为准），过期不再接受申请。 清华大学微电子与纳电子学系 2019年05月05日
微电子排名
1 中国高校微电子排名 电子科学技术一级学科下设四个二级学科，分别是物理电子学，电磁场与微波技术，电路与系统，微电子与固体电子学 国家重点学科分布如下: 电子科大:物理电子学，电磁场与微波技术，电路与系统，微电子与固体电子学 西电:电磁场与微波技术，电路与系统，微电子与固体电子学清华:电路与系统，微电子与固体电子学，物理电子学 北大:物理电子学，微电子与固体电子学 复旦:电路与系统，微电子学与固体电子学 北邮:电磁场与微波技术，电路与系统 东南:电磁场与微波技术 上海交大:电磁场与微波技术 西安交大:微电子与固体电子学 华中科大:物理电子学 北京理工大学:物理电子学 南京大学:微电子与固体电子学 吉林大学:微电子与固体电子学 哈工大:物理电子学
西北工大:电路与系统 通信工程一级学科下设两个二级学科，分别是通信与信息系统，信息与信号处理 清华大学通信与信息系统，信息与信号处理 北京邮电大学通信与信息系统，信息与信号处理 电子科技大学通信与信息系统，信息与信号处理 西安电子科技大学通信与信息系统，信息与信号处理 东南大学通信与信息系统，信息与信号处理 北京交通大学通信与信息系统，信息与信号处理 北京大学通信与信息系统 浙江大学通信与信息系统 中科大通信与信息系统 华南理工通信与信息系统 哈工大通信与信息系统 北京理工大学通信与信息系统 上海交通大学通信与信息系统 电子与通信重点学科分布: 电子科大 6
清华5 西电5 北邮4 北大3 东南3 北理工 3 上交2 哈工大 2 复旦2 北京交大 2 华南理工，华中科大，西安交大，中科大，浙大，西北工大，南京大学，吉林大学各一个 国家重点实验室（电子与通信，不包括光学及光电）分布如下: 电子科技大学 2 电子薄膜与集成器件实验室宽带光纤传输与通信系统技术实验室 清华大学 1 微波与数字通信技术实验室 北京邮电大学 1 程控交换技术与通信网实验室
微纳电子系2019年统考集成电路工程领域工程硕士拟录取
注：后附后续工作通知 微纳电子系2019 年统考集成电路工程领域工程硕士拟录取名单 直接报考考生拟录取名单 序号 姓名 考生编号 拟录取专业方向 初试成绩 复试成绩 总成绩 1 周杨 100039026002089 集成电路工程 375 409 784 2 周恩光 100039026111909 集成电路工程 354 413.4 767.4 3 史宝 100039026111900 集成电路工程 35 4 411.8 765.8 4 隗元坤 100039026111896 集成电路工程 332 425.4 757.4 5 李亦轩 100039026111921 集成电路工程 355 399.4 754.4 6 付子瑜 100039026002090 集成电路工程 329 391.6 720.6 7 林宥旭 100039026111916 集成电路工程 328 390.6 718.6 8 高凌峰 100039026111893 集成电路工程 340 375.2 715.2 9 王子薇 100039026111908 集成电路工程 327 384.8 711.8 10 王浩然 100039026111907 集成电路工程 322 388.6 710.6 11 王重阳 100039026111929 集成电路技术与管理 363 399 762 12 党琦 100039026111935 集成电路技术与管理 310 382.2 692.2 调剂考生拟录取名单 序号 姓名 考生编号 拟录取专业方向 初试成绩 复试成绩 总成绩 备注 1 郭志刚 100039025111724 集成电路技术与管理374 397.4 771.4 2 王斌 100039024111219 集成电路技术与管理376 393.6 769.6 3 杨竞潮 100039022001643 集成电路技术与管理342 403.6 745.6 4 方芳 100039024111052 集成电路技术与管理363 377.8 740.8 5 谢思敏 100039023110861 集成电路技术与管理360 380.2 740.2 6 徐楷鸿 100039024111408 集成电路技术与管理34 7 391.6 738.6 7 李可润 100039025111564 集成电路技术与管理349 377.4 726.4 8 周欣 100039025111880 集成电路技术与管理346 377.2 723.2 9 方光宇 100039022001664 集成电路技术与管理339 382 721
2017年清华大学微电子832考研真题回忆
研途宝考研https://www.360docs.net/doc/5517245832.html,/zykzl?fromcode=9820今年整体来说比较难吧，我个人觉得难，器件重半导体物理部分，后面的器件基本没怎么考，模点比以往偏，没有考差分运放，重在运算放大器的部分，数电前面简单，但是最后一题也比较难。下面详细回忆下。 共11道题，前面器件，后模电，最后数电。 ?第一道，让分析半导体的电阻率随温度的变化关系，画出曲线并分析。 ?第二道，是半导体物理，告诉导带底和价带顶的能量与波矢的关系，求禁带宽度，空穴和电子的有效质量，还有电子从价带顶跃迁到导带底时的准动量变化。 ?第三道，是一道计算扩散电流的题，还算简单，第二问求要使得电流为零所需加的电场强度。 ?第四道，是mos管电流的计算，但是最后一问考了速度饱和，写个没复习，不知道怎么算。 器件好像就这么几道其他的想不起来了。 模电具体的题号我都忘了，只能说说考了那些点，
研途宝考研https://www.360docs.net/doc/5517245832.html,/zykzl?fromcode=9820首先2011年的真题原题又考了， ?第五题，有好几道简单的问答题，1.问BJT与MOS管的跨导电流比，为什么BTJ要大，2.饱和时的cmos小型号等效电路图，3.让根据一个电路图设计电路，这次应该是一个积分运算电路，4.根据一个电路图分析一个二极管的导痛还是截止，5.一个运放后面接一个mos管然后构成一个负反馈，分别在漏级和源级有两个输出电压，第一问判断输出极性和反馈组态，后面求对于两个输出电压的增益。 ?第六题，是一个含有三个运算放大器组成的电路，让求各个电压，还有在不同的频率下的输出电压的幅值。这题比较难，分值最大25分， 还有什么我想不起来了，接下来的数电 1.还是给两个二进制数，让求原码反码补码，求和， 2.根据给的输出函数，用卡洛图化简电路图 3.给一个触发器的时序图，让判断什么类型的触发器，触发方式是电平还是脉冲，
北大微电子
微电子学系本科生课程设置 Undergraduate Courses for Department of Microelectronics
清华大学微电子所研究生课程 一、简介 我所研究生一级学科名称为电子科学与技术，二级学科名称为微电子学与固体电子学。研究方向有以下四个方面：微/纳电子器件及微系统；系统的芯片集成；微/纳米工艺学；微/纳器件和系统的CAD方法。我所现有博士生导师13名；研究生课程共设置19门；目前在校学生数：博士生77人；硕士生:235人（包括工程硕士125人）。2005年度录取人数：博士生14人；硕士生102人。2005年度毕业人数：博士生8人；硕士生33人。 二、博士生导师情况介绍 姓名 职称 研究方向 李志坚 院士教授 半导体新器件、器件物理和器件模型、微电子机械系统 陈弘毅 教授 超大规模集成电路设计技术(多媒体数字信号处理、算法的VLSI实现和系统的芯片集成技术) 周润德 教授 超大规模集成电路设计技术(微处理器与嵌埋式系统设计，加密算法，低压,低功耗电路设计) 许 军 教授 SiGe/Si微波功率HBT器件与集成电路以及超高速应变
硅MOS器件 刘理天 教授 半导体新器件、器件物理和器件模型、微电子机械系统魏少军 教授 超大规模集成电路设计技术(多媒体数字信号处理、算法的VLSI实现和系统的芯片集成技术) 陈 炜 教授 纳米加工、纳米电子器件、超导量子器件和量子计算实现 孙义和 教授 超大规模集成电路设计技术（多媒体DSP技术、VLSI 测试方法和可测性设计、网络安全） 陈培毅 教授 半导体新器件、器件物理和器件模型、新型半导体材料余志平 教授 半导体器件和电路计算机模拟(包括亚100nm硅CMOS 器件模型；纳电子器件量子输运模型；基于版图和衬底耦合的RF(射频)电路分析，验证软件和电路单元自动生成。 王志华 教授 模拟与数模混合集成电路设计，生物与医疗微系统芯片设计，射频电子标签电路技术，集成电路设计方法学 任天令 教授 新型微电子器件、微电子机械系统 (MEMS)、新型半导体存储器、纳电子与自旋电子学 王 燕 教授 纳电子器件的量子输运模型，化合物半导体器件和电路计算机模拟 三、课程设置 本年度共开设研究生课程23门，新开课4门。具体情况介绍如下：? 课程编号： 71020013 课程名称：半导体器件物理进展 学分： 3 学分总学时： 48 学时开课学期：秋季 任课教师：许军 ? 课程编号： 71020023 课程名称：数字大规模集成电路 学分： 3 学分总学时： 48 学时开课学期：秋季 任课教师：周润德 ? 课程编号： 71020033 课程名称：模拟大规模集成电路 学分： 3 学分总学时： 48 学时开课学期：秋季 任课教师：李福乐王自强王志华 ? 课程编号： 71020053 课程名称：集成电路的计算机辅助设计 学分： 2 学分总学时： 32 学时开课学期：秋季
清华大学微电子硕士研究生培养课程设置
一、简介 我所研究生培养一级学科名称为电子科学与技术，二级学科名称为微电子学与固体电子学。研究方向有以下五个方面：微/纳电子器件及系统；集成电路与系统；集成电路工艺与纳米加工技术；半导体器件物理与CAD；纳电子学与量子信息技术。我所研究生课程共设置27门 二、课程设置 研究生课程共设置27门，本年度已开课程23门。具体内容介绍如下： 课程编号：71020013 课程名称：半导体器件物理进 展 任课教师：许军 内容简介：半导体复杂能带结构与晶体对称性分析；载流子散射理论与强场热载流子输运；短沟MOS器件物理；异质结构物理与异质结器件；半导体的光电子效应与发光；非晶半导体与器件。 课程编号：71020023 课程名称：数字大规模集成电 路 任课教师：周润德 内容简介：VLSI小尺寸器件的模型和物理问题；MOS数字VLSI的原理、结构和设计方法；VLSI电路中的时延及各种时钟技术；VLSI的同步时钟和异步时钟系统；逻辑和存储器的VLSI系统设计方法及VLSI的并行算法和体系结构。 课程编号：71020033 课程名称：模拟大规模集成电 路 任课教师：李福乐王志华 内容简介：本课程是在本科课程《模拟电子电路》、《模拟集成电路分析与设计》之后的专业课程。目的是学习模拟集成电路的设计规律和方法，增加设计出电路的可制造性，提高一次性设计成功的可能性。课程内容包括：器件模型与电路仿真、模拟集成电路单元、放大器设计、高性能放大器、比较器、A/D与D/A 变换电路、芯片的输入与输出、可制造性与可测试性、版图与封装等。 课程编号：71020043 课程名称：数字VLSI系统的高层次综 合 任课教师：魏少军 内容简介：VHDL语言简介，设计流程，行为描述与仿真，行为描述与目标结构的匹配，数据通道设计，控制器设计，测试向量生成，系统验证；行为设计和数据通道与控制器的设计与优化；综合VHDL描述，算子调度，资源分配，寄存器优化，控制码生成，控制器结构选择，状态化简。 课程编号：71020053 课程名称：集成电路的计算机辅助设 计 任课教师：余志平叶佐昌 内容简介：射频(RF)电路的硅CMOS工艺实现。深亚微米器件的射频特性和模型。RF发送接收器的单元电路(LNA，VCO，PLL，频率综合器，功率放大器等)的分析和设计。衬底耦合及混合数字，模拟，射频电路设计的相关问题和解决方法。
课程介绍-清华大学模拟集成电路分析与设计
清华大学微电子学研究所Feb. 25, 2008模拟集成电路分析与设计
课程概况 z微电子学专业核心课程之一 z3学分48学时：每周3学时X16周 z目标：培养学生具有初步的模拟集成电路分析能力和设计能力，了解模拟集成电路基本模块的分析方法和设计过程 z上课时间：每周一上午第二大节（9：50～ 12：15）z上课地点：六教6A301 z习题课：四次习题课 习题课 z答疑时间：周三下午2：00～3：30 z答疑地点：任课教师办公室 答疑地点
教材与参考书 z教材： Behzad Razavi，“Design of Analog CMOS Integrated Circuits”, 西安电子科技大学出版社英版中版 （英文影印版或者中文版），2001年 池保勇,“模拟集成电路分析与设计”,（编写中）z参考书： P R Gray“Analysis and Design of Analog P.R. Gray, Analysis and Design of Analog Integrated Circuits”, Fourth Edition，高等教育出 版社英文影印版或者中文版，2001年 () P.E. Allen, “CMOS Analog Circuit Design”, Second Edition, 电子工业出版社，2002年 ,
课程内容 CMOS电路为主，适当介绍Bipolar电路
考核 z总原则：学到东西、相对公平 总原则学到东西相对公平 z平时表现（5％）＋作业（10％）＋课程设计（25％）＋期中考试（开卷，25％）＋期末考试（闭卷，35％） 试（闭卷 z作业：10次作业，每次1分 z课程设计：设计思路和结果、口头报告及文档z期中考试：开卷考试(Lecture 1-7) 期中考试(Lecture17) z期末考试：闭卷考试(期中考试后的内容)
2010清华微电子录取名单
注：后附“后续工作通知” 2010年微纳电子系工学硕士拟录取名单 序号 考试编号 姓名 1 100030026001047 李玲 2 10003002600677 3 于杰 3 100030026006777 焦斌 4 100030026006786 赵铁祥 5 100030026006794 杜勇 2010年微纳电子系工程硕士拟录取名单 序号 考生编号 姓名 1 100030003000039 尹合钰 2 10003001300022 3 董超超 3 100030013000241 熊晓丹 4 100030013004981 姜珲 5 100030013005057 池朝军 6 100030013005109 郭俊 7 100030013005118 左晔华 8 100030015000284 马鹏飞 9 100030015000293 刘玮 10 100030015000303 陈晓峰 11 100030015000305 庞博 12 100030015000315 张铖 13 100030015000328 邹于佳 14 100030015005223 李金睿 15 100030022000380 魏婷婷 16 100030022000390 丁旭阳
18 100030022000408 杨诚 19 100030022005343 覃晓草 20 100030022005408 王蓓蓓 21 100030022005425 李晖 22 100030022005513 唐琪 23 100030023000485 王伟 24 100030023000510 马轩 25 100030023000515 何丹 26 100030023000524 谢钧 27 100030023000540 张杰男 28 100030023000553 吴攀 29 100030023000556 黄钰 30 100030023000557 陈磊 31 100030023000565 刘金 32 100030023000569 叶朝君 33 100030023000575 万成杰 34 100030023000579 刘璇 35 100030023000581 马明龙 36 100030023000583 周怡 37 100030023000585 李俞林 38 100030023000596 陈玲 39 100030023005572 李洋 40 100030023005592 骆树萌 41 100030023005598 邢贺新 42 100030023005632 魏彩峰 43 100030023005666 李怀明 44 100030023005688 李博为
清华大学微电子研究所本科生课程设置
清华大学微电子研究所本科生课程设置 一、简介 微纳电子系本科生一级学科名称为电子科学与技术，二级学科名称为微电子学。共有2005级本科生62人，2006级本科生71人，2007级本科生51 人。2009年，微电子所开设了19门本科生课程，其中专业核心课8门，专业限选课5门，专业任选课3门，平台课2门，新生研讨课1门。 二、课程设置 课程编号：30260093 课程名称：固体物理学 课程属性：专业核心课开课学期：09秋 任课教师：王燕 内容简介：固体物理学是固体材料和固体器件的基础。该课程主要研究晶体的结构及对称性，晶体中缺陷的形成及特征，晶格动力学，能带理论的基础知识以及晶体中的载流子输运现象等。是微纳电子专业的核心课。 课程编号：40260103 课程名称：数字集成电路分析与设计 课程属性：专业核心课开课学期：09秋 任课教师：吴行军 内容简介：本课程从半导体器件的模型开始，然后逐渐向上进行，涉及到反相器，复杂逻辑门（NAND，NOR，XOR），功能模块（加法器，乘法器，移位器，寄存器）和系统模块（数据通路，控制器，存储器）的各个抽象层次。对于这些层次中的每一层，都确定了其最主要的设计参数，建立简化模型并除去了不重要的细节。 课程编号：40260173 课程名称：数字集成电路分析与设计（英） 课程属性：专业核心课开课学期：09秋 任课教师：刘雷波 内容简介：数字集成电路的分析与设计，包括：CMOS反相器、组合和时序逻辑电路分析与设计、算术运算逻辑功能部件、半导体存储器的结构与实现、互连线模型与寄生效应的分析。并介绍常用数字集成电路的设计方法和流程。 课程编号：30260072 课程名称：微电子工艺技术 课程属性：专业核心课开课学期：09秋 任课教师：岳瑞峰 内容简介：本课程授课目的是使学生掌握微电子制造的各单项工艺技术，以及亚微米CMOS集成电路的工艺集成技术。本课程讲授微电子制造工艺各单项工艺的基本原理（包括氧化、扩散、离子注入、薄膜淀积、光刻、刻蚀、金属化工艺等），并介绍常用的工艺检测方法和MEMS加工技术、集成电路工艺集成技术和工艺技
清华大学保研—清华微电子与纳电子学系保研接收外校推荐免试工作办法
清华大学保研—清华微电子与纳电子学系保研接收外校推荐免试工作办法 一、概况 为满足国内集成电路设计和工艺技术人才日益增长的需求，经清华大学研究生院批准，清华大学微电子与纳电子学系（微电子学研究所），以下简称微纳电子系，与清华大学深圳研究生院联合自2004年开始按自筹经费招收“集成电路工程领域”全日制双证（毕业证和学位证）工程硕士研究生。 清华大学微纳电子系是国家首批批准招收“集成电路工程领域”全日制双证工硕硕士研究生的院系。已经培养了186名工硕毕业生，目前在读工硕研究生279名。清华大学微纳电子系已经具有成熟的教学方案和丰富的培养经验。 清华大学微纳电子系是以1980年成立的清华大学微电子学研究所为基础，于2004年成立的新系。其科研与教学设施先进，师资力量雄厚，是国务院首批批准的硕士、博士研究生培养点和博士后流动站。目前有教授、研究员18名（其中博士生导师11人，包括中科院院士1名），副教授、副研究员33名，45岁以下年青教师48人、具有博士学位45人。微纳电子系现有在校本科生134名，博士生85人；工学硕士生近100人，工程硕士272人。 微纳电子系包括四个研发、教学基地，分别是： 微纳器件与系统研究室； 固体器件与集成技术研究室； 集成电路与系统设计研究室； CAD技术研究室。 主要有以下研究方向： 新型微电子器件与系统、纳电子学； 各类新型SiGe微波功率半导体器件及其它特殊用途的硅集成电路的研究开发； 大规模集成电路设计和测试的理论和技术； 半导体物理、器件与大规模集成电路CAD等。 二、申请条件： 请按照清华大学研究生院招生办公室公布的清华大学2010年接收外校推荐免试攻读博士（硕士）学位研究生的有关要求。https://www.360docs.net/doc/5517245832.html,/yjsy/main.nsf。 下附清华大学2009相关要求，供参考。 1．拥护中国共产党的领导，愿为祖国建设服务，品德良好，遵纪守法，身心健康。 2．全国重点大学优秀应届本科毕业生 ①能在现就读学校取得推荐免试研究生资格； ②学术研究兴趣浓厚，有较强的创新意识、创新能力和专业能力倾向；
清华大学微电子学研究生培养
首页->人才培养->研究生培养 一、简介 我所研究生培养一级学科名称为电子科学与技术，二级学科名称为微电子学与固体电子学。研究方向有以下五个方面：微/纳电子器件及系统；集成电路与系统；集成电路工艺与纳米加工技术；半导体器件物理与CAD；纳电子学与量子信息技术。我所现有博士生导师13名；研究生课程共设置27门；目前在校学生数：博士生85人；硕士生:343人（包括工程硕士243人）。2007年度录取研究生155名（其中博士生15名，工学硕士研究生36名，全日制工程硕士研究生90名，在职工程硕士研究生15名）；毕业研究生95名（授予博士学位13名，工学硕士学位45名，工程硕士学位37名）。 二、博士生导师情况介绍 姓名职称研究方向 李志坚院士教授半导体新器件、器件物理和器件模型、微电子机械系统 陈弘毅教授超大规模集成电路设计技术(多媒体数字信号处理、算法的VLSI实现和系统的芯片集成技术) 周润德教授超大规模集成电路设计技术(微处理器与嵌埋式系统设计，加密算法，低压,低功耗电路设计) 许军教授SiGe/Si微波功率HBT器件与集成电路以及超高速应变硅MOS器件 刘理天教授半导体新器件、器件物理和器件模型、微电子机械系统 魏少军教授深亚微米集成电路设计方法学研究，面向设计再利用的SOC（System on a Chip）设计方法学研究和高层次综合技术研究 陈炜教授纳米加工、纳米电子器件、超导量子器件和量子计算实现 孙义和教授超大规模集成电路设计技术（多媒体DSP技术、VLSI测试方法和可测性设计、网络安全）陈培毅教授半导体新器件、器件物理和器件模型、新型半导体材料 余志平教授半导体器件和电路计算机模拟：亚100nm硅CMOS器件模型；纳电子器件量子输运模型；基于版图和衬底耦合的RF(射频)电路分析，验证软件和电路单元自动生成 王志华教授CMOS模拟、数模混合及射频集成电路技术、通信专用集成电路设计、数字音频及视频信号处理及专用集成电路、电子系统集成及片上系统 任天令教授微机电器件与系统（MEMS）、新型半导体存储器、纳电子与自旋电子学 王燕教授纳电子器件的量子输运模型，化合物半导体器件和电路计算机模拟 三、课程设置 研究生课程共设置27门，本年度已开课程24门。具体内容介绍如下： ?课程编号：71020013 课程名称：半导体器件物理进展 任课教师：许军 内容简介：半导体复杂能带结构与晶体对称性分析；载流子散射理论与强场热载流子输运；短沟MOS器件物理；异质结构物理与异质结器件；半导体的光电子效应与发光；非晶半导体与器件。
2018年清华大学微电子与纳电子学系研究考研复试经验分享【盛世清北】
2018年清华大学微电子与纳电子学系考研复试经验分享【盛世清北】 摘要：距离2019年考研结束时间仅有月余，如果能在初试中成功，便意味着你有机会实现人生目标。但这仅仅本阶段的一个成功，想要完成人生中的质的飞跃，还需要在考研复试中脱颖而出，在此，盛世清北为大家准备了考研复试经验分享，希望对大家有所帮助。考研复试：英语遇到不会问题如何应急解决 对于我们没有准备的问题或者是出现口误，思想卡顿，没听清楚，或者不会的问题，我们又该如何应急对待呢，盛世清北考研复试辅导班给出如下解决办法： 一、出现口误 在口头表达时，免不了会出现口误，及时地加以解释和修正将有助于保证交际效果。 例如： What I have seen is most impressive. However, the principles cannot be called perfect yet—I mean the principles in some of the less important sides. 该句通过“Imean”缩小了否定的范围。 1.I mean… 2.That is to say… 3.In other words,… 4.Well, I was saying… 5.To be more exact/accurate,… 6.I’ll put it (in) this way… 二、思维卡顿 考生在回答问题或讨论问题时，因种种原因会出现一时语塞或找不到确切的词语或语句来表达自己意思的情况。在这种情况下，为了不影响正常的交际和考官的打分，同时赢得思考时间，盛世清北考研复试辅导班建议采用一些相对模糊的词语来代替。例如：It’s something like… It’s a kind of thing to… 这些词语尽管表述的意思不很精确，但在某些口头表达的特定场合却会产生理想的效果。另外还可以采用一些“支吾词语”和“填充词语”来避免表达的中断。例如可说：
14年清华微电子所真题2
第一题：半导体物理和器件的几个判断题，很简单都是基本概念，只要认真学习，不会错，比如PN结参杂浓度高的一边耗尽区的宽度大等 第二题：解释半导体，金属及绝缘体的导电特性及其原理 第三题：一个NN+结，画他的能带图和载流子分布图，计算它的接触电势 第四题：一个BJT三极管，计算考虑禁带变窄效应时的发射集注入效率，计算集电极电流及只有一个电压点Vcb计算Va, 不考虑禁带变窄效应时计算那三个系数。 第五题;是个很简单的MOS管的计算，不管它了， 模电部分： 第一题：填空题，基本概念，这部分要对很多细节很清楚，要不然不好做，比如考了理想集成运放的指标，自激振荡条件等。 第二题：给你1KHZ，100KHZ的两个左边极点，和一个10KHZ的零点分别在复平面的左边和右边，分别画它的幅频特性和相频特性，还有相位裕度，这个题目很多人没做出来，这个可以参考信号系统上面的，画出来其实是个带阻滤波器他们一个最大相位，一个是最小相位，幅频特性一样，相频特性不同而已。 第三题：一个共源共栅电路，有很多耦合电容，分别计算它的输入电阻，放大倍数，带宽增益积，还有判断两个管子工作在什么状态，最后以问我**了忘记做了，好像是计算输出电压摆幅什么的，这个比较难些需要你很熟练那些管的基本计算。 第四题：是个集成运放的，前面几道问很简单，就问各个运放工作在什么区，组成什么电路，后面计算一下个运放输出电压，后面两问比较难些，其中一问其实电路可以在高频情况下忽略一个电阻从而变成一个积分电路，但是没想到当时，最后一位根本看不懂。 数字电路跟往年考得基本差不多，不难，但是希望别轻视，万一明年把难点放在数电也不是没可能，没有什么东西是一成不变的，所以别迷信经验就好。 三：复试笔试回忆 第一题：半导体N,P型的参杂元素是什么，以及主要载流子和多子的表达式。 第二题：一个电流源做负载的共漏极放大电路考虑沟道长度调制效应和体效应，画小小信号电路，计算电压放大倍数。 第三题：一个低通滤波器，计算传输函数，画幅频和相频特性，问电路的功能是什么。 第四题：一个漏极有电阻，源极有电流源的电路，电流告诉了，计算几个点电压，比较简单，最后以问稍微难点，如果考虑沟道长度调剂效应，则源端点电压变化情况。 还有两道想不起来了 最后三道大题是数字集成电路上面的， 第七题：画互补CMOS电路，计算和反相器有相同的输出电阻时各管的尺寸 第八题；计算组合逻辑电路传输延时最小时各门的相对尺寸 第九题：也是一个组合逻辑跟传输延时有关的题目，不过这道题我不怎么会， 四;面试 面试流程跟往年一样，也是一段英文文献，翻译，比较紧张也没翻译个什么东西，至于面试，其实我是跨专业的老师好像也没什么想问的，就问了很多非专业的问题，搞得我很郁闷，下来想想可能完了，但是最后还是录取了。准备了很长时间专业课其实老师没怎么问，就问了组合逻辑和时序的区别，什么是CMOS管，反向器会不会，老师看我回答的很坚定，就没再深问下去，还有图像处理的标准，以及压缩方法。就问了这么些，我准备的信号系统，数字信号处理的，模电的一个都没问，半导体的，统统都没问。面试不具有参考性，老师想问什么就问，所以也没个边际，当然本科是微电子的肯定一上来就是问题狂轰乱炸，跨专业的就不一定了，还有就是看你遇到那些老师面试，问的问题完全取决于老师的知识结构，这也是咨询会上王志华老师这样说的。至于跨专业的问题，如果实在跟我一样感兴趣微电子，你
2018年清华大学微电子系电子科学与技术考研科目、参考书目、复习经验-新祥旭考研辅导学校
2018年清华大学微电子系电子科学与技术考研科目、参考书目、复习经验 考试科目： 参考书目： 831半导体物理、器件及集成电路： 《Introduction to Semiconductor Devices》清华大学出版社Donald A. Neamen 《数字集成电路设计－电路、系统与设计》电子工业出版社，2004. Jan M.Rabaey等著，周润德等译 《半导体物理学》电子工业出版社（第6版）或其它出版社（第1－5版）。不考其中的第十三章“非晶态半导体”。刘恩科、朱秉升、罗晋生等编著 《模拟CMOS集成电路设计》西安交通大学出版社毕查德.拉扎维 828信号与系统： 《信号与系统》上册下册高教出版社 2000年第二版郑君里等 《信号与系统引论》高教出版社 2009年3月第一版郑君里等 学习经验分享 一、参考书的阅读方法 （1）目录法：先通读各本参考书的目录，对于知识体系有着初步了解，了解书的内在逻辑结构，然后再去深入研读书的内容。 （2）体系法：为自己所学的知识建立起框架，否则知识内容浩繁，容易遗忘，最好能够闭上眼睛的时候，眼前出现完整的知识体系。 （3）问题法：将自己所学的知识总结成问题写出来，每章的主标题和副标题都是很好的出题素材。尽可能把所有的知识要点都能够整理成问题。 二、学习笔记的整理方法
（1）第一遍学习教材的时候，做笔记主要是归纳主要内容，最好可以整理出知识框架记到笔记本上，同时记下重要知识点，如假设条件，公式，结论，缺陷等。记笔记的过程可以强迫自己对所学内容进行整理，并用自己的语言表达出来，有效地加深印象。第一遍学习记笔记的工作量较大可能影响复习进度，但是切记第一遍学习要夯实基础，不能一味地追求速度。第一遍要以稳、细为主，而记笔记能够帮助考生有效地达到以上两个要求。并且在后期逐步脱离教材以后，笔记是一个很方便携带的知识宝典，可以方便随时查阅相关的知识点。 （2）第一遍的学习笔记和书本知识比较相近，且以基本知识点为主。第二遍学习的时候可以结合第一遍的笔记查漏补缺，记下自己生疏的或者是任何觉得重要的知识点。再到后期做题的时候注意记下典型题目和错题。 （3）做笔记要注意分类和编排，便于查询。可以在不同的阶段使用大小合适的不同的笔记本。也可以使用统一的笔记本但是要注意各项内容不要混杂在以前，不利于以后的查阅。同时注意编好页码等序号。另外注意每隔一定时间对于在此期间自己所做的笔记进行相应的复印备份，以防原件丢失。统一的参考书书店可以买到，但是笔记是独一无二的，笔记是整个复习过程的心血所得，一定要好好保管。
清华大学半导体专业和微电子学专业本科毕业生名单
清华大学半导体专业和微电子学专业本科毕业生名 单 1961届 刘光廷陈文瑾赵寿南徐国平吴启明陈天鑫 严忠琛夏武颖陈世鸯赵负国黄镇涛肖美玲 张文敏朱文彬王建章宋永仁陆国杰林树治 李怡群许丽珠郭懋沁吴灵犀王树堂吴德馨 朱文珍李宝瑞黄家禄王世俊黄汉祥朱正涌 徐葭生陈效建钱佩信张家慰 1962届 李鸿科胡思超姚彦范琦康阮馨远赵道纯 滕永禄王瑞泉郑东卓金叶崔骏业汪德群 王思祥吴家俊王金汝王宏道申明牛安美 陈统华郭秀生马如椿尹佐周顾纯瑶韩在庭 朱达萨本庆王家齐曹寿武黄振岗刘朝中 刘光敏江瑞生李素芳杨昭甲赵雅珠金振伦 黄侃汪开源吴振常高季麟翟富义王效平 宋世铭于文浚宋振华于保良陆耀庭周保生 宋铭单秀安孙毅之戴自忠陈步峥史常忻 沈聚伦范永震靳履平任孟眉黎毅曹大年 魏策军杨雄风丁晓青童勤义朱美芳顾祖毅 郑讷 1963届 田雨海张成勋张治平李高庆金在衡卞杭 陈家驹李嘉陵朱尧森沈文正张荣桂梁培辉 李德麟迟乃训马鑫荣张桂珍刘和益赵中慧 王福臣罗梅村张希源李宗炳曾传相吴云铭 张熠中陈丽珍徐秉鸿蒋志徐治邦张志奇 由中强贾松良朱贻玮胡曰中林发永李龙三 岑玉华龚宜刘伯琳张国钟朱钧叶小琳 常学明李毓库曾黔宁刘昌砚钟伯强徐元龙 刘长恩安继芸费兰香方兆强姚德禾吴道怀 楼洁年周国南喻德顺汤丽芳皇甫海林游润三 温明生刘景华
李立秦晓鹏王兆乾刘集文孙志贤单永年陈显萼陈仁娟刘忠立邓勤康张淑清杨瑞麟羊性滋张友渝杨肇敏姚海伦陈良栋薄建国沈延钊许同玉徐文林包永顺刘国存程宁韩朔瞭刘荣寰周鼎恒郝梦林史秀珍占义昌于杰敏王建华刘光宇杨源海禄大新周金凯张雨田吴坦彭花林夏泽民高信龄朱士荣朱坤林鸿民吴正立邓衍茂李贤文刘镇源项城刘士林李福顺张天福陈忠正李元启陈飞张泽云何清义寇云起程一中赵玉珍李克功韩东旭朱庆余吕振起段致光孙玉秀王英张淑琴张至 陈启先齐彤熙蔡金华臧金明周雪珍 1965届 吴元霸邹云生李正信孟庆宗刘长吉张汉一黄爱英高光渤过柏龄郑厚植张仁初柴敬财殷妙廷史济群吴泽言秦山乐卜乃铖沈听士陆汝申林晨李国安冯书春刘洪昆赵丕鑫刘振隆周风振徐梅芳张曼莉谭荣波张学忠余建珠郭魁超王滨崎冯昭逵马腾阁王世昌王子慈邹德恕任慧敏赵春成杜晋生赵先尧邓培德陈弘毅鲍荣生袁晓吴安康汪正孝金德霖徐德美杨申谢燮友孙允希林海宝张叙生戴沛然朱贤俊袁志康张正德胥大方靳东明张俊杰周广元汪永生章文官陈光华胡润卿张明宝赵月英沈柏林 1966届 柳美娟孙云龙李乃秋胡成烈王云生刘晨辰迟延昆包力安刘文禄苏里曼谭家升侯民生杨景海白敬明杨立谦宋留根章定康董继华赵国柱边福海王同生吴礼萍屠曾端李金鑫赵锡其安树君林建德杨肇康高国英倪风芳刘书泽王俊仁刘芝琳蒋美诚周毓岩刘铁墉刘桂君王玉门郑心畬 邹代珍杨怅元淳于怀太王连忠章玉良黎明宋士明
国内MEMS研究实验室一揽
国内微纳机电系统MEMS/NEMS科研单位一览 北京： 北京大学微电子学院－微机电系统研究所 https://www.360docs.net/doc/5517245832.html,/mems/ 北京大学微电子研究院微机电系统研究所成立于1995年，在王阳元院士和武国英教授领导下，从硅基加工技术的角度来开展微机电系统的研究。从1996年开始承担了"微米/纳米加工技术国家重点实验室"建设项目，以硅基MEMS加工和设计技术为主，同时承担多项ME MS研究课题。于1998年4月完成实验室建设项目验收，有工艺实验室900平米和具有国际先进水平的完善的MEMS加工设备，是国家微机电系统研究的重要加工基地和研究基地。 清华大学微电子技术研究所－－微纳器件与系统研究室 精密仪器与机械学系－－ http://dns.ime.tsinghu ... gk/qijian.htm https://www.360docs.net/doc/5517245832.html,/ 微纳器件与系统研究室主要研究各种新型微纳器件以及由它们构成的系统，研究范围是：新器件与系统、新技术与工艺、新电路与模型、新材料与结构、新概念与原理。目前有两个主要研究方向：新型微电子器件与系统，纳电子学。 仪器科学与技术研究所围绕现代科学仪器的研究领域，主要研究方向包括微米纳米技术、光存储技术、精密仪器和测试技术、导航与控制技术、传感技术与智能仪器、智能微系统及控制技术和生命科学仪器等，是一个多学科交叉的与校外企业和研究单位有广泛联系的以一级学科建立起来的教学研究单位。 中科院微电子所纳米加工与新器件集成技术实验室 https://www.360docs.net/doc/5517245832.html,/ 中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室在国内最早开展亚微米微细加