2014年电子科技大学微电子器件考研真题
电子科技大学
2014年攻读硕士学位研究生入学考试试题
考试科目：832 微电子器件
注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。
一、填空题（共48分，每空1.5分）
1、PN结二极管用途广泛，在作为变容二极管使用时，主要利用其（）向偏置的
（）电容；在作为温度传感器使用时，主要利用其正向导通压降会随温度的升高而（）。
2、一个P+N型的二极管，电子和空穴的寿命分别为τn和τp，在外加正向直流电压V1时电流
为I1，当外加电压反向为－V2时，器件会经历一段反向恢复过程，这主要是由正向导通时存储在（）型中性区中的非平衡少子造成的，该非平衡少子的总量为
（）。
3、防止PN结发生热击穿，最有效的措施是降低器件的（）。同时，禁带宽带越
（）的半导体材料，其热稳定性越好。（第二个空填“大”或“小”）
4、双极型晶体管的基区宽度调变效应越严重，其厄尔利电压越（），共发射极增量输
出电阻越（）。（填“大”或“小”）
5、已知双极型晶体管的基区度越时间和基区少子寿命分别为τb和τB，则1/τB表示的物理
意义为（），因此τb/τB可以表示
（）。
6、MOSFET的亚阈区摆幅S反应了在亚阈区中（）的控制能力。
栅氧化层越厚，则S越（），该控制能力越（）。（第二个空填“大”或“小”，第三个空填“强”或“弱”）
7、当金属和P型半导体形成金-半接触时，如果金属的功函数大于半导体的功函数，半导体表
面将形成（），该结构（）单向导电性。（从以下选项中选择）
A 电子阻挡层
B 电子反阻挡层C空穴阻挡层 D 空穴反阻挡层
E 具有
F 不具有
微电子器件试题共6页，第1页
8、MOSFET的跨导是（）特性曲线的斜率，而漏源电导是（）特性曲
线的斜率。在模拟电路中，MOSFET一般工作在（）区，此时理想情况下漏源电导应为零，但实际上由于（）和（），漏源电导通常为正的有限值。
9、短沟道MOSFET中采用偏置栅结构或漏端轻掺杂结构，是为了降低漏端附近的电场强度，
从而抑制（）效应，防止器件电学特性退化。
10、如果以SiGe来制作BJT的发射区，Si来制作BJT的基区，则与全部采用Si材料的双极
型晶体管相比，其共基极电流放大系数α将（）。（填“增大”、“减小”或“不变”）
11、根据恒场等比例缩小法则，当MOSFET的沟道长度缩小K倍时，其阈值电压变为之前的
（），总电容变为之前的（），最高工作频率变为之前的（）。
12、研究发现硅-二氧化硅系统中，存在四种形式的电荷或能量状态，包括Na+、K+等可动离
子、（）、（）以及二氧化硅层中的电离陷阱电荷，通常它们都带正电，因此（）型MOSFET的衬底表面更容易反型。
13、PMOS的衬底相对于源端应该接（）电位。当|V BS|增加时，PMOS的阈值电压绝对值
将（），该效应叫做（）。（第二个空填“增大”、“减小”
或“不变”）
二、简答与作图题(共57分)
1、如图所示，一块掺杂浓度为N D的无限长均匀N型半导体材料，在x的负半轴有一束光稳定地照射在半导体表面，产生体密度为G0的电子-空穴对。（9分）
（1）写出该半导体材料在x正半轴的少子扩散方程。（只考虑少子在x方向的运动）
（2）如果要通过上述扩散方程求解x正半轴的少子分布，应该采用什么样的边界条件？（3）如果该半导体材料在x正半轴的长度缩短为W（W远小于少子扩散长度），又应该采用什么样的边界条件求解？
微电子器件试题共6页，第2页
微电子器件 试题共6页，第3页
2、下图是一个通过扩散工艺制作的PN 结，由于横向扩散，在PN 结终止的地方会形成弯曲的结面。发现该PN 结的雪崩击穿电压远小于平行平面结击穿电压的理论计算值，造成该现象的原因是什么？如果要提高该结构的击穿电压，对扩散工艺的时间应该做怎样的调整？为什么？（9分）。
3、请画出PNP 缓变基区晶体管工作在放大区的能带图和少子分布图，并标注出必要的物理量（10分）。
4、某PN+结在一定的外加正向电压下发生了大注入现象。 （10分）
（1）请问大注入发生在哪个区？
（2）大注入将在中性区引入自建电场，指出该自建电场的方向，并说明自建电场的形成过程。
（3）发生大注入的区域，其中性区与耗尽区交界处的少子浓度是多少？
微电子器件 试题共6页，第4页
5、下图为测试获得的某NPN 型双极型晶体管的击穿特性曲线。请问测试时该双极型晶体管的E 、B 、C 三个电极的电位是如何连接的？请解释击穿特性曲线上为什么会有一段负阻区域？（9分）
6、下图是在25℃、75℃和125℃下测到的MOSFET 的三条转移特性曲线。请问图中的温度T1、T2、T3分别对应哪一个温度？为什么？这样的温度特性对于MOSFET 在应用中的可靠性是有利还是有弊？为什么？（10分）
I DS V
GS 0
微电子器件 试题共6页，第5页
四、计算题（共45分）
1、图为某突变PN 结在外加电压下的能带图。求：（1）外加电压为正向电压还是反向电压？大小是多少？（2）该PN 结的内建电势是多少？（3）如果P 型区和N 型区掺杂浓度的比值是4:1，现在分别有多少电压降在P 型区和N 型区的耗尽区上？ （10分）
2、一个NPN 双极型晶体管，掺杂浓度为N E =5×1018cm -3，N B =5×1016cm -3，N C =1×1013cm -3，发射区和基区宽度为W E =10μm ，W B =2μm 。偏置条件为I B =2mA ，V BC =-3V 。电子和空穴的扩散系数分别为D n =40cm 2/s 和D p =20cm 2/s ，电子和空穴的寿命均为1μs 。求： （10分）
（1） 器件的共发射极直流短路电流放大系数β为多少？
（2） 器件的跨导g m 为多少？
3、某高频晶体管的β0=200，当信号频率f 为50MHz 时测得|βω|=8，且最大功率增益K pmax =100。 （10分）
求：（1）该晶体管的特征频率f T
（2）该晶体管的截止频率f β
（3）该晶体管的最高振荡频率f M
（4）当信号频率f 为200MHz 时该晶体管的|βω|和最大功率增益K pmax 值。
4、某MOSFET采用简并掺杂的P型多晶硅作栅电极。假设多晶硅的禁带宽度与硅相同，均为1.1eV，且多晶硅的费米能级已经与价带顶E V重合；同时假设栅氧化层中不存在电荷。在不加任何栅压时，该MOSFET的能带图如下图所示。请问：（15分）
（1）该MOSFET是NMOS还是PMOS？是增强型还是耗尽型？为什么？
（2）未加任何栅压，为什么衬底表面的能级会向上弯曲？
（3）假设外加栅压有一半降在氧化层，一半降在半导体表面。求器件的平带电压和阈值电压。（4）如果将栅电极换成简并掺杂的N型多晶硅，其他假设条件不变，器件的阈值电压变为多少？
E C
E V （E F
V OX
C
F
i
v
微电子器件试题共6页，第6页
微电子器件_刘刚前三章课后答案
课后习题答案 1.1 为什么经典物理无法准确描述电子的状态？在量子力学 中又是用什么方法来描述的？ 解：在经典物理中，粒子和波是被区分的。然而，电子和光子是微观粒子，具有波粒二象性。因此，经典物理无法准确描述电子的状态。 在量子力学中，粒子具有波粒二象性，其能量和动量是通过这样一个常数来与物质波的频率ω和波矢建立联系的，即 c h p h E ====υω υ 上述等式的左边描述的是粒子的能量和动量，右边描述的则是粒子波动性的频率ω和波矢。 1.2 量子力学中用什么来描述波函数的时空变化规律？ 解：波函数ψ是空间和时间的复函数。与经典物理不同的是，它描述的不是实在的物理量的波动，而是粒子在空间的概率分布，是一种几率波。如果用()t r ,ψ表示粒子的德布洛意波的振幅，以()()()t r t r t r ,,,2 ψψψ*=表示波的强度，那么，t 时刻在r 附近的小体积元z y x ???中检测到粒子的概率正比于()z y x t r ???2,ψ。
1.3 试从能带的角度说明导体、半导体和绝缘体在导电性能上的差异。 解：如图1.3所示，从能带的观点 来看，半导体和绝缘体都存在着禁 带，绝缘体因其禁带宽度较大 (6~7eV)，室温下本征激发的载流子 近乎为零，所以绝缘体室温下不能 导电。半导体禁带宽度较小，只有1~2eV ，室温下已经有一定数量的电子从价带激发到导带。所以半导体在室温下就有一定的导电能力。而导体没有禁带，导带与价带重迭在一起，或者存在半满带，因此室温下导体就具有良好的导电能力。 1.4 为什么说本征载流子浓度与温度有关？ 解：本征半导体中所有载流子都来源于价带电子的本征激发。由此产生的载流子称为本征载流子。本征激发过程中电子和空穴是同时出现的，数量相等，i n p n ==00。对于某一确定的半导体材料，其本征载流子浓度为kT E V C i g e N N p n n ==002 式中，N C ，N V 以及Eg 都是随着温度变化的，所以，本征载流子浓度也是随着温度变化的。 1.5 什么是施主杂质能级？什么是受主杂质能级？它们有何异同？
电子科技大学微固考研复试经验
今年考上了电子科大，微固专业，作为回报，我简单说一下吧。 我初试分数不高，外校考生，初试分数340+，而今年线是340，可以说希望不 大。但是既然过线，就要努力试试吧。 我比较走运，其实大多数考到340+的，很容易在复试时被淘汰。不过，既然 上了分数线，就别太灰心。电子科大是一个非常公平的学校，你是人才，他们一定会招你，你把总分搞上去，还有机会，他们的复试公平公正。如果你有一些竞赛获奖那就更好了，或者你的专业知识非常扎实。 个人建议在复试前联系一下导师，发个简历什么的，让老师对你有个大致的了 解，如果能征得老师同意，提前见一面，那就更好了。 复试流程第一项是导师考察，这个，同学一定要重视，尽管不计入分数，但是， 至关重要，如果老师很喜欢你，那么，你在复试时会有一定优势的，一定要重视。 然后就是笔试了，笔试电路分析，这两年题不难，按照指定书目看一下，做做 课后题，有时间可以到网上买复试题，淘宝上好像就有，一共四本。有本科试题，研究生复试试题，某学院电分初试题等等。 接下来就是面试了。面试会随机分成几组，你提前不会知道那几个老师面试你， 老师也不会提前知道他会面试到谁，所以，你面试不一定有你报的导师。学生被领到一个屋子里，里面有五个老师。进去后，先是英语面试。自己提前准备一下英文自我介绍。但不一定会问到。我比较幸运，被问到这个了。这个每个人情况不同，问题是老师随口问的，每个学生不同。简单的有自我介绍，你为什么选择电子科大，你的爱好，等等。还有人被问到你喜欢哪个季节，为什么等等。难的可能会问点专业性的，这个几率不大，如果被问到了，自认倒霉吧。英语面试也就五分钟左右。然后专业面试。面试的问题也很随机，可能难，也可能很基础。如果你初试考的数模电，那么复试也重视一下数模电。复习的科目主要就是数模
电子科大考研参考书目
电大 836 信号与系统和数字电路《SIGNALS AND SYSTEMS》A.V.Oppenheim 电子工业出版社/《脉冲与数字电路》万栋义电子科技大学出版社/《脉冲与数字电路》王毓银高等教育出版社/《信号与系统》何子述高等教育出版社/《信号与系统分析》张明友电子工业出版社 831 通信与信号系统《信号与系统》(第二版) A.V.Oppenheim 西安交通大学出版社2000年/ 《SIGNALS AND SYSTEMS》A.V.Oppenheim 电子工业出版社/《数字与模拟通信系统》Leon W.Couch,II 电子工业出版社/《Digital and Analog Communication Systems》(第六版) Leon W.Couch,II 科学出版社 828 数字电路《数字电子技术基础》(第四版) 阎石高等教育出版社/《脉冲与数字电路》何绪芃电子科技大学出版社/《数字设计——原理与实践》(第四版) John F.Wackerly 机械工业出版社2007年/《数字集成电路教程》龙忠琪科学出版社/《数字逻辑》毛法尧华中理工大学出版社 华科： 信号与线性系统： A.V.OPPENHEIM，A.S.WILLSKY,S.HAMD NAWAB,信号与系统（第二版），电子工业出版社，2002年 管致中，夏恭恪，孟桥，信号与线性系统（第四版），高等教育出版社，2004年 郑君里，应启珩，杨为理，信号与系统（第二版），高等教育出版社，2000年 吴大正，杨林耀，张永瑞，王松林，郭宝龙，信号与线性系统分析（第4版），高等教育出版社，2006年 含有以下考查要点要求内容的其它任何参考书。
微电子工艺习题总结(DOC)
1. What is a wafer? What is a substrate? What is a die? 什么是硅片，什么是衬底，什么是芯片 答：硅片是指由单晶硅切成的薄片；芯片也称为管芯（单数和复数芯片或集成电路）；硅圆片通常称为衬底。 2. List the three major trends associated with improvement in microchip fabrication technology, and give a short description of each trend. 列出提高微芯片制造技术相关的三个重要趋势，简要描述每个趋势 答:提高芯片性能:器件做得越小，在芯片上放置得越紧密，芯片的速度就会提高。 提高芯片可靠性：芯片可靠性致力于趋于芯片寿命的功能的能力。为提高器件的可靠性，不间断地分析制造工艺。 降低芯片成本：半导体微芯片的价格一直持续下降。 3. What is the chip critical dimension (CD)? Why is this dimension important? 什么是芯片的关键尺寸，这种尺寸为何重要 答：芯片的关键尺寸（CD）是指硅片上的最小特征尺寸； 因为我们将CD作为定义制造复杂性水平的标准，也就是如果你拥有在硅片某种CD的能力，那你就能加工其他所有特征尺寸，由于这些尺寸更大，因此更容易产生。 4. Describe scaling and its importance in chip design. 描述按比例缩小以及在芯片设计中的重要性 答：按比例缩小：芯片上的器件尺寸相应缩小是按比例进行的 重要性：为了优电学性能，多有尺寸必须同时减小或按比例缩小。 5. What is Moore's law and what does it predict? 什么是摩尔定律，它预测了什么 答：摩尔定律：当价格不变时，集成电路上可容纳的晶体管数，月每隔18个月便会增加1倍，性能也将提升1倍。 预言在一块芯片上的晶体管数大约每隔一年翻一番。 第二章 6. What is the advantage of gallium arsenide over silicon? 砷化镓相对于硅的优点是什么 答：优点：具有比硅更高的电子迁移率；减小寄生电容和信号损耗的特性；集成电路的速度比硅电路更快；材料的电阻率更大。 7. What is the primary disadvantage of gallium arsenide over silicon? 砷化镓相对于硅的主要缺点是什么 答：主要缺点：缺乏天然氧化物；材料的脆性；成本比硅高10倍；有剧毒性在设备，工艺和废物清除设施中特别控制。
2014电子科技大学考研真题_832微电子器件
2014电子科技大学考研真题_832微电子器件 一、填空题（共48分，每空1.5分） 1、PN结二极管用途广泛，在作为变容二极管使用时，主要利用其（）向偏置的 （）电容；在作为温度传感器使用时，主要利用其正向导通压降会随温度的升高而（）。 2、一个P+N型的二极管，电子和空穴的寿命分别为τn和τp，在外加正向直流电压V1时电流 为I1，当外加电压反向为－V2时，器件会经历一段反向恢复过程，这主要是由正向导通时存储在（）型中性区中的非平衡少子造成的，该非平衡少子的总量为（）。 3、防止PN结发生热击穿，最有效的措施是降低器件的（）。同时，禁带宽带越 （）的半导体材料，其热稳定性越好。（第二个空填“大”或“小”）4、双极型晶体管的基区宽度调变效应越严重，其厄尔利电压越（），共发射极增量输出电阻越（）。（填“大”或“小”） 5、已知双极型晶体管的基区度越时间和基区少子寿命分别为τb和τB，则1/τB表示的物理 意义为（），因此τb/τB可以表示（ ）。 6、MOSFET的亚阈区摆幅S反应了在亚阈区中（）的控制能力。 栅氧化层越厚，则S越（），该控制能力越（）。（第二个空填“大”或“小”， 第三个空填“强”或“弱”） 7、当金属和P型半导体形成金-半接触时，如果金属的功函数大于半导体的功函数，半导体表 面将形成（），该结构（）单向导电性。（从以下选项中选择） A 电子阻挡层 B 电子反阻挡层C空穴阻挡层 D 空穴反阻挡层 E 具有 F 不具有 8、MOSFET的跨导是（）特性曲线的斜率，而漏源电导是
（）特性曲 线的斜率。在模拟电路中，MOSFET一般工作在（）区，此时理想情况下漏源电导应为零，但实际上由于（）和（），漏源电导通常为正的有限值。 9、短沟道MOSFET中采用偏置栅结构或漏端轻掺杂结构，是为了降低漏端附近的电场强度，从而抑制（）效应，防止器件电学特性退化。 10、如果以SiGe来制作BJT的发射区，Si来制作BJT的基区，则与全部采用Si 材料的双极型晶体管相比，其共基极电流放大系数α将（）。（填“增大”、“减小”或“不变”） 11、根据恒场等比例缩小法则，当MOSFET的沟道长度缩小K倍时，其阈值电压变为之前的（），总电容变为之前的（），最高工作频率变为之前的（）。12、研究发现硅-二氧化硅系统中，存在四种形式的电荷或能量状态，包括Na+、K+等可动离子、（）、（）以及二氧化硅层中的电离陷阱电荷，通常它们都带正电，因此（）型MOSFET的衬底表面更容易反型。 13、PMOS的衬底相对于源端应该接（）电位。当|VBS|增加时，PMOS 的阈值电压绝对值将（），该效应叫做（）。（第二个空填“增大”、“减小”或“不变”） 二、简答与作图题(共57分) 1、如图所示，一块掺杂浓度为ND的无限长均匀N型半导体材料，在x的负半轴有一束光稳定地照射在半导体表面，产生体密度为G0的电子-空穴对。（9分） （1）写出该半导体材料在x正半轴的少子扩散方程。（只考虑少子在x方向的运动）（2）如果要通过上述扩散方程求解x正半轴的少子分布，应该采用什么样的边界条件？（3）如果该半导体材料在x正半轴的长度缩短为W（W远小于少子扩散长度），又应该采用什么样的边界条件求解？ 2、下图是一个通过扩散工艺制作的PN结，由于横向扩散，在PN结终止的地方会形成弯曲的结面。发现该PN结的雪崩击穿电压远小于平行平面结击穿电压的理论计算值，造成该现象的原因是什么？如果要提高该结构的击穿电压，对扩散工艺的时间应该做怎样的调整？为什么？（9分）。 3、请画出PNP缓变基区晶体管工作在放大区的能带图和少子分布图，并标注出必要的物理量（10分）。
西安电子科技大学通信方向考研经验分享
西安电子科技大学通信方向考研经验分享 时间过去这么久了，现在有时间写些自己的经历。我考研那段时间就常在考研论坛上看学长写的经验，受益匪浅，很受启发。现在考上了，也把自己初试、复试的经历和心得写写，仅供参考。 本人是学电子信息工程的，报的西安电子科技大学的通信方向。学通信的都知道，西电的通信在全国是数一数二的。当时，我是下了很大决心才报的，压力自然很大。可以说，从七月份开始复习一直到考研结束，我没有敢放松过。虽然我过了西电通院的复试线，但我感觉考上的希望不大，最后没去复试(西电也打电话让我去复试了)，选择了去杭电(如果西电复试被刷，杭电就被耽误，只能去桂电了。好几个同学都是这样去桂电的。)没能去西电，我感觉自己尽力了，没有什么遗憾。我就是想拼一下，试试自己的能力。 数学 我是输在数学上。虽然我下了很大功夫，但可能是方法的问题，最后的效果不好。这里就不多说了。劝大家，复习前方法要找对，规划要做好，那样你会比较轻松，也有效果。李永乐的基础过关600题，作为中期强化，有时间的话还是做一下。同学反映这个不错。可惜我没做! 英语 英语单词这关，很重要。背单词，你别想着看一两遍就记住，除非你是过目不忘!相信大家都是凡银!我是一天规定看两个单元，早上花一小时翻两遍(注意是翻，不是背!我没有指望这两遍就记住，就是混个眼熟)，中午再花一二十分钟翻一遍(看单词，努力想意思;想不起来，就看意思，继续往后看)，晚上自习走之前再翻一遍，这次要做记号了，看哪些还是记不住。第二天早上在看第三、四单元之前，把昨天的两个单元再看一遍，着重看有标记的。这样，我一天两个单元，一周看十个单元，留出周四和周日复习，也会全放到周末复习。其实，我也是受到艾宾浩斯曲线的启发。看第一遍时，我强迫自己一定要用一个半月时间拿下，我做到了。后来，看起来就比较快了。最多是，我一天翻了二十个单元。当然，那是在我把整本书搞了至少三遍的情况下。光做标记，我就换了好几种颜色的笔。最后，单词书我翻了不止六遍! 单词搞定了，阅读里基本就没有生词了。有也就一两个我还背了些词根词缀。有用!有些词的意思，我能猜出来。阅读，有些是有技巧的。技巧，网上很多，要看自己摸索和感觉。我总结的有，但是感觉做真题还行，做模拟题不行。可能是模拟题的质量问题。再者，那技巧就是从真题里摸索出来的。对模拟题不灵。反正最后考研时，我就凭感觉做，啥技巧都没用(其实是没用上，考场上太紧张了，不容许你想那么多)，感觉对就选了。最后考的还行吧。所以，我建议大家别太相信技巧类的，还是把根基打牢，脚踏实地。 作文，模板太必要了。考前一周，我作文还没准备。自己也背范文了，但感觉没用，心里不踏实!考前三天，把两个同学准备的模板综合、整理成自己的。这几年的作文，都是社会题材，或好或坏，我就准备比较中性的模板，中间有几个替代的adj/adv.好的题材，就用
电子科大数学学院考研经验谈
电子科大数学学院考研经验谈 “不忘初心，方得始终;既然选择了前方，便只顾风雨兼程;相约成都，相约科大”，这段话一直激励着我前进。没有伞的孩子，必须努力奔跑，你呢? 一、引言 看着电子科技大学拟录取名单上自己的名字，不知不觉到12点了，夜深人静的时刻总那么容易让人回想过去。半年考研生活的痛苦与纠结，可转眼间只能低头微微一笑。习惯用文字记录时间的点滴，趁这个安静的夜晚，写下我的考研心路历程。我天资不聪明，也并非学霸，我用了半年的时间准备初试，最后以总成绩排名第九进入电子科技大学数学学院。从一定程度上来说，我的一些经验和方法有一定的成功之处，如果你还没有一些详细的复习计划和规划，我的一些经验还是可以参考的。 文中有很多实例，包括我本科同学的考验情况和研友的一些例子。从本科同学说起，我们宿舍4个人，全部考研了并且全部考研成功。大家最初报考的院校分别是北京师范大学，陕西师范大学，湖南师范大学，电子科技大学。经过苦苦的奋斗和挣扎，最后尘埃落地，除了报湖南师范大学的调剂到杭州电子科技大学外，其他全部按第一志愿录取。 另外在我复试的时候所认识的研友，普通本科，但是却考出380的高分，这些例子说明考研贵在坚持，真真正正地静心坚持。考研路上半途而废的人身边有很多，不愿意努力的人也很多，努力也坚持，内心却不平静浮躁的人也很多，所以考研路上炮灰很多，原因也就在此。考研心态很重要，心理调节尤其重要，附件有心态调节的一些方法，希望对16的孩子们有用。 二、序言 我是来自一个普通农村家庭的孩子，带着对未来美好的憧憬，一直在求学这条道路上慢慢前行。很庆幸，通过自己的不懈努力，坚持，静心，最终如愿进入了电子科技大学。 初中开始考县城最好的高中，上了好高中才发现，初中的骄傲和自豪在这个优秀的高中淹没地无声无息。我开始迷茫彷徨，原来自己很弱小，很卑微，站在偌大的高中校园，没有一席安生之处。后来又因为种种原因，我再次看不见未来的光明，通过和班主任沟通，我选择当了班长，慢慢地我开始走出那段迷茫和不安，开始了正常的生活。怀着对大学的向往，怀着对知识改变命运的崇敬，曾今痛苦并快乐的的高中生活终究有了结果，如愿的上了大学。我是四川人，但是本科在北方上学。在北方的四年中，我真真的体会到地道的北方生活，同样也让我感悟到什么样的生活方式是我想要的。我不后悔在北方呆过的每一个春夏秋冬。 说起我的大学生活，只能说充实。我不是学霸，不会像很多学生一样，没事就在图书馆看书学习，而我更多的时间在于兼职。大一大二的时候，我几乎没有周六周日，我的周末几乎都在兼职，什么发单啊，服务员啊，促销啊，什么都干过。但是干得最多的还是我的本行家教，疯狂的时候，白天自己在学校上课，晚上骑车去家教，一上就是晚上9:30，然后住她家，第二天早上又骑车回学校上课。这也使得我大三大四的本科学费和生活费都是我自己交。除了兼职，闲暇的时间
微电子器件刘刚前三章课后答案
课后习题答案 1.1 为什么经典物理无法准确描述电子的状态？在量子力学 中又是用什么方法来描述的？ 解：在经典物理中，粒子和波是被区分的。然而，电子和光子是微观粒子，具有波粒二象性。因此，经典物理无法准确描述电子的状态。 在量子力学中，粒子具有波粒二象性，其能量和动量是通过这样一个常数来与物质波的频率ω和波矢建立联系的，即 c h p h E ηη====υ ω υ 上述等式的左边描述的是粒子的能量和动量，右边描述的则是粒子波动性的频率ω和波矢。 1.2 量子力学中用什么来描述波函数的时空变化规律？ 解：波函数ψ是空间和时间的复函数。与经典物理不同的是，它描述的不是实在的物理量的波动，而是粒子在空间的概率分布，是一种几率波。如果用()t r ,ψ表示粒子的德布洛意波的振幅，以 ()()()t r t r t r ,,,2 ψψψ*=表示波的强度，那么，t 时刻在r 附近的小体 积元z y x ???中检测到粒子的概率正比于()z y x t r ???2,ψ。
1.3 试从能带的角度说明导体、半导体和绝缘体在导电性能上的差异。 解：如图1.3所示，从能带的观点来看，半导体和绝缘体都存在着禁带，绝缘体因其禁带宽度较大(6~7eV)，室温下本征激发的载流子近乎为零，所以绝缘体室温下不能 导电。半导体禁带宽度较小，只有1~2eV ，室温下已经有一定数量的电子从价带激发到导带。所以半导体在室温下就有一定的导电能力。而导体没有禁带，导带与价带重迭在一起，或者存在半满带，因此室温下导体就具有良好的导电能力。 1.4 为什么说本征载流子浓度与温度有关？ 解：本征半导体中所有载流子都来源于价带电子的本征激发。由此产生的载流子称为本征载流子。本征激发过程中电子和空穴是同时出现的，数量相等，i n p n ==00。对于某一确定的半导体材料，其本征载流子浓度为kT E V C i g e N N p n n ==002 式中，N C ，N V 以及Eg 都是随着温度变化的，所以，本征载流子浓度也是随着温度变化的。 1.5 什么是施主杂质能级？什么是受主杂质能级？它们有何异同？
2020通信考研学校排名
2020通信考研学校排名 专精研究造就传统强势 全国以信息与通信专业为主的专门院校有北京邮电大学、西安电子科技大学、电子科技大学、南京邮电大学、重庆邮电大学、杭州 电子科技大学、西安邮电学院、桂林电子科技大学等。其中除了北 京邮电大学、西安电子科技大学、电子科技大学外，其他院校的综 合实力排名并不靠前，但不能因此低估这些院校在信息与通信工程 方面的实力。毕竟这些院校在成立之初大多专攻电子信息与通信工程，悠久的历史成就了它们在专业领域的传统强势。 北京邮电大学：光纤通信、宽带通信、移动通信以及信号处理都是北邮的强势专业。学校拥有一个程控交换技术与通信网国家重点 实验室，目前国内广泛应用的智能网就是其研究成果，这也是中国 互联网研究能与国际先进水平接轨的成果之一。学校还与许多知名 通信类企业如华为、中兴、思科(CISCO)、IBM、朗讯等有项目合作。 报考指南：北邮每年招生人数较多，约有一半以上是外校学生。除了某些实力特别强的实验室或特别有名的导师录取分数较高外， 分数线一般都在各院的院线左右。需要强调的是，北邮的初试专业 课参考书《通信原理》是由本校教师编写的，不同于大部分学校选 用的樊昌兴教授主编的《通信原理》。 西安电子科技大学：西安电子科技大学的前身是1931年诞生于 江西瑞金的中央军委无线电学校，因而其开设的某些专业具有特殊 的军事背景，如密码学、军事通信和信息安全，其中军事通信专业 全国领先。在通信网方面拥有一个综合业务网理论及关键技术国家 重点实验室。交通信息工程及控制是该校的特色学科之一。 报考指南：西安电子科技大学近两年信息与通信工程专业总体录取人数与报考人数之比为1∶2左右，相对而言竞争不是很激烈。该 校的理论研究气息很浓，对有志于从事信息与通信工程方面研究的 考生来说是一个不错的选择。
电子科技大学各学院xxxx年研究生复试分数线
2010-03-15 来源：电子科技大学 0 0 1 0 0 1 0 0 1 0 0 1 0 0 2 0 0 2 0 0 2 0 0 2 0 0 2 0 第一第二第三第四单元单元单元单元（政治（外国（业务（业 务 理论）语）课一）课 二） 通信与信息工程学院 08030 光学工程40 35 60 60 通信与信息工程学院 08100 1 通信与信息系统40 42 80 85 通信与信息工程学院 11050 5 密码学40 35 60 60 通信与信息工程学院 43010 9 电子与通信工程40 35 60 60 电子工程学院 08090 2 电路与系统40 35 60 60 电子工程学院 08090 4 电磁场与微波技术40 35 60 60 电子工程学院 08100 2 信号与信息处理40 35 60 60 电子工程学院 08102 0 ★信息获取与探测 技术 40 35 60 60 电子工程学院 43010 9 电子与通信工程40 35 60 60 微电子与固体电子学院 08050 0 材料科学与工程40 35 60 60 专业 290 320 300 290 315 307 322 300 280 学院总分
08090 微电子学与固体电 微电子与固体电子学院 3 子学 40 35 60 60 321 08092 ★电子信息材料与 微电子与固体电子学院 0 元器件 40 35 60 60 300 08170 微电子与固体电子学院 4 应用化学40 35 60 60 290 43010 微电子与固体电子学院 9 电子与通信工程40 35 60 60 321 07020 物理电子学院 4 等离子体物理40 35 60 60 290 07020 物理电子学院 5 凝聚态物理40 35 60 60 290 07020 物理电子学院 7 光学40 35 60 60 290 07020 物理电子学院 8 无线电物理40 35 60 60 290 08090 物理电子学院 电子科学与技术40 35 60 60 300 08090 物理电子学院 1 物理电子学40 35 60 60 300 43010 物理电子学院 9 电子与通信工程40 35 60 60 280 08030 光电信息学院 0 光学工程40 35 60 60 290 0 0 3 0 0 3 0 0 3 0 0 3 0 0 4 0 0 4 0 0 4 0 0 4 0 0 4 0 0 4 0 0 4 0
电子科技大学历年考研分数线
电子科技大学2010年硕士研究生复试分数线一、统考 学科第一 单元 (政 治理 论) 第二 单元 (外 国 语) 第三单 元(业 务课 一) 第四单元 (业务课二) 总分 02经济学50 40 70 70 330 03法学50 40 70 70 325 04教育学50 40 150 325 0 5文学0502 50 50 70 70 320 0503 50 40 70 70 330 07理学40 35 60 60 290 0 8工学0808、 0809、 0810、 0811 40 35 60 60 300 其他40 35 60 60 290 11军事学40 35 60 60 300 1 2管1201、 1202 50 40 70 70 315 1204 50 44 70 70 315
理 学 43工程硕 士 40 35 60 60 280 46工商管 理硕士 (MBA) 39 90 160 49公共管 理硕士 (MPA) 40 90 160 二、单考 学科 第一单元 (政 治理论) 第二单元 (外国语) 第三单元 (业 务课一) 第四单元(业务课 二) 总分 04教 育学 65 50 240 375 其他65 50 90 90 310 三、强军计划 学科 第一单元 (政 治理论) 第二单元 (外国语) 第三单元 (业 务课一) 第四单元(业务课 二) 总分 学术 型 60 40 60 65 275 专业 学位 60 40 60 65 275 四、少数民族骨干计划按国家复试分数线执行。 注：享受少数民族照顾政策的统考考生复试分数线单科、总分各降低5分，但必须满足
√增强载流子迁移率是新一代微电子器件和电路发展的重要方向
增强载流子迁移率是新一代微电子器件和电路发展的重要方向 （作者：Xie Meng-xian，电子科技大学微固学院) （1）集成电路发展状况： 作为微电子技术的主体——集成电路，它的发展已经经历了若干个重要阶段，从小规模、中规模，到大规模、乃至超大规模、特大规模等。微电子技术的这种长足的进步，在很大程度上就是在不断努力地缩短场效应器件的沟道长度，这主要是通过改善微电子工艺技术、提高加工水平来实现的。尽管现在沟道长度已经可以缩短到深亚微米、乃至于纳米尺寸了，但是要想再继续不断缩短沟道长度的话，将会受到若干因素的限制，这一方面是由于加工工艺能力的问题，另一方面是由于器件物理效应（例如短沟道效应、DIBL效应、热电子等）的问题。因此，在进一步发展微电子技术过程中，再单只依靠缩短沟道长度就很不现实、甚至也可能了，则必须采用新的材料、开发新的工艺和构建新的器件结构，才能突破因缩短沟道所带来的这些限制。 实际上，从集成电路的发展趋势来看，大体上可以划分为三大阶段： ①K时代（Kbit，KHz）：微细加工的时代（不断缩短有效尺寸）～“微米时代”； ②M时代（Mbit，MHz）：结构革命的时代（不断改进器件和电路结构）～“亚微米时代”； ③G时代（Gbit，GHz）：材料革命的时代（不断开发新材料、新技术）～“10纳米时代”。 现在已经开始进入G时代，因此，在不断开发新技术的同时，特别值得注意的是新材料的开发；不仅要开发新型的半导体材料（例如宽禁带半导体、窄禁带半导体、大极性半导体等），而且也要开发各种新型的辅助材料（例如高K、低K介质材料，Cu电极材料，新型表面钝化材料等）。器件和电路研究者应该多加注意新材料的开发应用；而新材料研究者应该多加注意往器件和电路的应用上下功夫。 在新的材料和工艺技术方面现在比较受到重视的是高介电常数（高K）材料和Cu互连技术。当沟道长度缩短到一定水平时，为了保持栅极的控制能力，就必须减小栅极氧化层厚度（一般，选取栅氧化层厚度约为沟道长度的1/50），而这在工艺实施上会遇到很大的困难（例如过薄的氧化层会出现针孔等缺陷）；因此就采用了高介电常数的介质材料（高K材料）来代替栅极氧化物，以减轻制作极薄氧化层技术上的难度。另外，沟道长度缩短带来芯片面积的减小，这相应限制了金属连线的尺寸，将产生一定的引线电阻，这就会影响到器件和电路的频率、速度；因此就采用了电导率较高一些的Cu来代替Al作为连线材料，以进一步改善器件和电路的信号延迟性能。可见，实际上所有这些高K材料和Cu互连等新技术的采用都是不得已而为之的，并不是从半导体材料和器件结构本身来考虑的。 显然，为了适应器件和电路性能的提高，最好的办法是另辟途径，应该考虑如何进一步发挥半导体材料和器件结构的潜力，并从而采用其他更有效的技术措施来推动集成电路的发展。现在已经充分认识到的一种有效的技术措施就是着眼于半导体载流子迁移率的提高（迁移率增强技术）。 （2）迁移率增强技术： 迁移率（μ）是标志载流子在电场作用下运动快慢的一个重要物理量，它的大小直接影响到半导体器件和电路的工作频率与速度。 对于双极型晶体管而言，高的载流子迁移率可以缩短载流子渡越基区的时间，使特征频率（f T）提高，能够很好的改善器件的频率、速度和噪音等性能。 对于场效应晶体管而言，提高载流子迁移率则具有更加重要的意义。因为MOSFET的最大输出电流——饱和漏极电流I DS可表示为：
整理[专业课]微电子专业考研重点院校推荐
一、北京大学 北京大学微电子学系是国家大力支持的重点学科点。 北京大学微电子学系，又称微电子学研究所（院），有着源远流长的学术传统。1956年，由著名物理学家黄昆院士在北大物理系领导创建了我国第一个半导体专业机构，之后在我国著名微电子专家王阳元院士的带领下，北京大学微电子学系发展成为我国培养高水平微电子人才的一个重要基地，是国家的重点学科点。 二、清华大学 清华大学微电子所是全国微电子学领域首个重点学科点。 清华大学微电子学研究所成立于1980年9月，第一任所长由全国著名半导体物理学家、中科院院士李志坚担任。该所是国家重点支持的北方微电子研究开发基地的主要组成单位，是高素质微纳电子科技人才的培养基地，1988年被定为全国微电子学领域第一个重点学科点。 三、中科院 中科院和微电子领域关系最密切的研究所有3个：微电子所、半导体所和微系统所，这3个所的师资、资金实力在国内同行中处于领先水平。 四、电子科技大学 电子科技大学位于具有“天府之国”美誉的成都，是“211”和“985”名校之一，在2006年中国高校国际学术会议排名中名列第四，被誉为“我国电子类院校的排头兵”。其微电子与固体电子学院拥有一支以中科院院士陈星弼领衔的包括16名博士生导师、27名教授在内的雄厚师资力量，与国内外相关公司、高校和研究机构有着广泛的合作关系。 五、东南大学 东南大学的微电子研究比较特殊，既有以射频闻名的射光所，又有在MEMS方向颇具实力的微电子所。射光所下属于在无线电系，而微电子所则下属于电子工程系。两个研究所各有所长，优势互补。 六、西安电子科技大学 西安电子科技大学微电子学院是国家集成电路人才培养基地。 西安电子科技大学微电子学院是在原微电子研究所及技术物理学院微电子系的基础上组建而成，是科技部资助的5个国家集成电路人才培养基地之一。 七、天津大学
成都电子科技大学研究生成绩单
University of Electronic Science and Technology of Chengdu Graduate Student’s Transcript 姓名：尹艳华学号：201122070451 学院：自动化学院专业：控制工程层次：专业学位硕士学制： 3 年 1
PS: The Graduate School of Wuhan University had used A-B-C-D grading scale from 2004 to 2007. 85-100=A; 75-84= B; 60-74= C; 0-59= D. （供2004级至2007级同学使用，打印时此句红色提示请删去） PS: The Graduate School of Wuhan University has used Ten-point grading scale since 2008. 96-100= A+; 90-95= A; 85-89= A-; 80-84= B+; 75-79= B; 70-74= B-; 67-69= C+; 63-66= C; 60-62= C-; 0-59= D. （供2008级和以后的同学使用，打印时此句红色提示请删去） 成都电子科技大学: University of Electronic Science and Technology of Chengdu: 核实人： Registrar： 研究生院院长： Dean of the Graduate school： 制作研究生中英文成绩单注意事项： 1.学制：无论实际学习时间是几年，硕士生学制均为三年，博士生学制均为四年。硕博连读生若把硕士阶段和博士阶段成绩都制作在一 张成绩单上时，学制填五年。 2.层次：硕士Master、博士Doctor/PH.D、硕博连读Mphil-PhD，共三种。 3.学号：早期的研究生若没有学号，可填写enrolled in XXXX，XXXX为入学年份。 4.学年学期：如2009-2010 1st Semester 5.课程名称、学分和成绩都对照中文成绩单正确填写，中文成绩单中所有课程都要填写在中英文成绩单中，课程名称要求中英文对照， 中文在前，英文在后，每门课占一行。成绩单列表的行数若不够，可以添加；若有多的行，请删去，确保不留空行。整张成绩单尽量控制在一页纸上。 6.中文成绩单中成绩为免修的课程，中英文成绩单的Grade栏填写Exemption或Exempted。 2
2011年电子科大微电子器件考研试题
电子科技大学 2011年攻读硕士学位研究生入学试题 832微电子器件 一、填空题（共64分） 1、当发射区掺杂浓度太高时，发射效率变（ ）这是由于（）和 （）。2、在设计与制造晶体管时，为提高晶体管的电流放大系数，应当（ ）基区宽度，（） 基区掺杂浓度。3、在PN 结开关管中，在外加电压从正向变为反向后的一段时间内，会出现一个较大的反向电流。引起这种电流的原因是存储在（）区中的（）电荷。这个电荷的消失有以下两条途径：（）和（）。 4、薄基区二极管是指PN 结的一个或两个中性区的长度小于（ ）。在薄基区二 极管中，少子浓度的分布近似为（）分布。5、PN 结的掺杂浓度越高，则势垒区的宽度越（），内建电场的最大值越（），内建电场V bi 就越（），反向饱和电流I 0越（），势垒电容C T 越（），雪崩击穿电压越（）。 6、厄尔利效应是指当集电结反偏电压增加时，集电结耗尽区宽度会（），使基区宽度（）， 从而使集电极电流（）。7、在高频下，晶体管基区渡越时间t b 对基区输运系数?*有三个作用，它们是：（）、（）和（）。当基区宽度加倍时，基区渡越时间增大到原来的（）倍。 8、对于长沟道MOSFET ，当沟道长度增加一倍时，而其它尺寸、掺杂浓度、偏置条件等都不变时，其下列参数发生什么变化：V T （）、I Dat （）、R on （）、g m （）。 9、由于栅氧化层中通常带（）电，这使得N 沟道MOSFET 的阈值电压绝对值变（）， P 沟道MOSFET 的阈值电压绝对值变（）。10、在快恢复二极管制造中，通常会掺入金杂质，金是作为（）。在N 型半导体中，是（）对处在（）的（）的俘获作用决定器件开关速度。 11、小电流时a 会（），这是此时发射极电流中（ ）的比例增大；大电流时a 会（），这是由于（）和（）。 12、相对于PN 结的N 区而言，在P 区外加电压V ，则分别在P 区和N 区的耗尽区与中性区的界面处，少子浓度与外加电压的关系： =?)(n p p χ= )(p n n χ13、长沟道MOSFET 漏极电流饱和是由于（ ），短沟道MOSFET 漏极电流饱和
2022电子科技大学考研专业简章
根据教育部《电子科技大学关于选拔普通高校优秀考生进入研究生阶段学习的通知》文件精神，结合学校实际，对普通高校毕业生进入硕士阶段学习提出如下要求。 一、报考事项安排 1.每年报考我校的考生很多，要早复习，早准备。按照考试范围复习。 2.我校考生，到学校考试中心，办理内部试卷。 3.每年有很多考生，不知道考试重点范围，不知道考试大纲要求，盲目复习，浪费时间和精力，复习效果很差，影响考试。 4.每年有很多考生，选择错误的复习资料，解题思路及讲解答案都是错误的，具有误导性，不利于复习。 5.学校为考生正确复习，印刷内部试卷。 6.内部试卷：包含考试范围、历年真题、考试题库、内部复习资料。 7.专业课，学校出题。一定要按照内部试卷复习，每年都有原题出现。 8.内部试卷联系QQ363.916.816张老师。学校安排邮寄，具体事项联系张老师。 二、选拔对象条件 1.普通高校本科毕业生，主干课程成绩合格，在校学习期间未受到任何纪律处分。 2.身体健康状况符合国家和学校规定的体检要求。 三、招生专业计划 1.招生要求和专业，详见《教育部选拔普通高等学校本科毕业生进入硕士阶段学习招生及专业总表》。 2.学校计划招收全日制硕士研究生和非全日制硕士研究生，《硕士学位研究生招生专业目录》公布的拟招生人数（含推免生），实际招生人数将根据国家下达我校招生计划、各专业生源情况进行适当调整。我校部分专业将另设计划用于接收调剂生，具体事项及拟招生人数将在初试成绩公布后另行通知。 四、报名资格审核 1.报考考生按照《教育部选拔普通高等学校优秀毕业生进入研究生阶段学习专业对照及考试课程一览表》以下简称《专业对照及考试课程一览表》选择报考专业，并填写《教育部普通高等学校毕业生进入研究生阶段
电子科技大学研究生专业介绍
目录 电子科技大学概况 0 电子科技大学博士、硕士学位授权点一览表 (3) 信息与通信工程一级学科博士研究生专业 (5) 材料科学与工程一级学科博士研究生专业 (8) 计算机科学与技术一级学科博士研究生专业 (10) 马克思主义基本原理学科博士研究生专业 (12) 思想政治教育学科博士研究生专业 (14) 应用数学学科博士研究生专业 (16) 等离子体物理学科博士研究生专业 (18) 凝聚态物理学科博士研究生专业 (20) 光学学科博士研究生专业 (22) 无线电物理学科博士研究生专业 (24) 机械电子工程学科博士研究生专业 (26) 光学工程学科博士研究生专业 (28) 测试计量技术及仪器学科博士研究生专业 (30) 物理电子学学科博士研究生专业 (32) 电路与系统学科博士研究生专业 (34) 微电子学与固体电子学学科博士研究生专业 (36) 电磁场与微波技术学科博士研究生专业 (38) 电子信息材料与元器件学科博士研究生专业 (40) 通信与信息系统学科博士研究生专业 (42)
信号与信息处理学科博士研究生专业 (44) 信息获取与探测技术学科博士研究生专业 (46) 信息安全学科博士研究生专业 (48) 检测技术及自动化装置学科博士研究生专业 (50) 生物医学工程学科博士研究生专业 (52) 管理科学与工程学科博士研究生专业 (54) 新兴技术管理学科博士研究生专业 (56) 信息管理与电子商务学科博士研究生专业 (58) 金融工程学科博士研究生专业 (60) 企业管理学科博士研究生专业 (62) 信息与通信工程一级学科硕士研究生专业 (64) 电子科学与技术一级学科硕士研究生专业 (67) 材料科学与工程一级学科硕士研究生专业 (69) 数学一级学科硕士研究生专业 (71) 计算机科学与技术一级学科硕士研究生专业 (73) 区域经济学学科硕士研究生专业 (76) 金融学学科硕士研究生专业 (78) 数量经济学学科硕士研究生专业 (80) 宪法学与行政法学学科硕士研究生专业 (82) 国际政治学科硕士研究生专业 (84) 马克思主义基本原理学科硕士研究生专业 (86) 思想政治教育学科硕士研究生专业 (88)
微电子工程学复习题
第一章： 1、电子器件微型化和大规模集成的含义是什么？其具有怎样的实际意义。 答：电子器件微型化主要是指器件的最小尺寸，也就是特征尺寸变小了。大规模集成是指在单个芯片上所继承的电子器件数量越来越多。 电子器件微型化和大规模集成的意义： 1）提高速度和降低功耗只有提高集成度，才能减少电子系统内部的连线和最大限度地减少封装管壳对速度的影响。提高速度和提高集成度是统一的，前者必须通过后者来实现。同时采用低功耗、高速度的电路结构（器件结构） 2）提高成品率与可靠性大规模集成电路内部包含的大量元件都已彼此极其紧密地集成在一块小晶片上，因此不像中、小规模集成电路组成的电子系统那样，由于元件与元件，或电路与电路之间装配不紧密，互连线长且暴露在外，易受外界各种杂散信号的干扰，所以说大规模集成电路提高了系统可靠性。 为了提高为电子器件的成品率，需要在少增加电路芯片面积的前提下尽可能容纳更多的电子元件，也就是采取提高元件密度的集成方法。 3）低成本大规模集成电路制造成本和价格比中、小规模集成电路大幅度下降是因为集成度和劳动生产率的不断提高。 综上所述，大规模和超大规模集成电路的微型化、低成本、高可靠和高频高速四大特点，正是电子设备长期追求的技术指标和经济指标，而这四大特点中后三个特点皆源于微型化的特点。因此这四大特点是统一的、不可分割的。 2、超大规模集成电路面临哪些挑战？ 答：首先是大直径的硅材料, 随着集成电路技术的发展，硅单晶直拉生产技术，在单晶尺寸、金属杂质含量、掺杂元素和氧分布的均匀性及结晶缺陷等方面得到了不断的改进。目前，通常使用的硅单晶抛光片的直径已达到300mm，400mm硅单晶片的制造也已经开始。如何控制400mm晶体中点缺陷将是面临的重大挑战。 其次是光刻技术：在微电子制造技术中，最为关键的是用于电路图形生成和复制的光刻技术。更短波长光源、新的透镜材料和更高数字孔径光学系统的加工技术，成为首先需要解决的问题；同时，由于光刻尺寸要小于光源波长，使得移相和光学邻近效应矫正等波前工程技术成为光学光刻的另一项关键技术。 最后是器件工艺。当器件的沟道长度缩小到0.1um时，已开始逼近传统的半导体物理的极限。随之而来的是栅氧化层不断减薄，SiO2作为传统的栅氧化层已经难以保证器件的性能。同时随着半导体器件工艺的特征尺寸不断地缩小，芯片内部的多层内连线工艺也逐渐成为半导体工艺发展的挑战。 3、阐述微电子学概念及其重要性。 答：微电子学是研究在固体(主要是半导体)材料上构成的微小型化电路、子系统及系统的电子学分支。 微电子学作为电子学的一门分支学科，主要是研究电子或离子在固体材料中的运动规律及其应用，并利用它实现信号处理功能的科学。 微电子学是以实现电路和系统的集成为目的的，故实用性极强。微电子学中所实现的电路和系统又称为集成电路和集成系统。 微电子学是信息领域的重要基础学科，在信息领域中，微电子学是研究并实现信息获取、传输、存储、处理和输出的科学，是研究信息载体的科学，构成了信息科学的基石。其发展水平直接影响着整个信息技术的发展。 微电子科学技术是信息技术中的关键之所在，其发展水平和产业规模是一个国家经济实力的重要标志。