2015年电子科技大学成都考研真题832微电子器件
电子科技大学
2015年攻读硕士学位研究生入学考试试题
考试科目：832 微电子器件
注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。
一、填空题（共45分，每空1分）
1、泊松方程的积分形式即是（）定理，它的物理意义是：流出一个闭合
曲面的电通量等于该闭合曲面围成的体积内的（）。
2、PN结的扩散电容和势垒电容有很多不同之处。例如：（）只存在于正向偏
压之下；（）的正负电荷在空间上是分离的；（）能用作变容二极管。
3、锗二极管和相同掺杂浓度、相同尺寸的硅二极管相比，其反向饱和电流更（），正
向导通压降更（）。
4、碰撞电离率是指每个载流子在（）内由于碰撞电离产生的（）
的数目。电场越（），材料的禁带宽度越（），碰撞电离率将越大。
5、温度升高时，PN结的雪崩击穿电压将（），这是因为温度升高将导致晶格振动
加强，因而载流子的平均自由程（）。
6、MOSFET用于数字电路时，其工作点设置在（）区和（）区；
双极型晶体管用于模拟电路时，其直流偏置点设置在（）区。
7、双极型晶体管的t b既是基区渡越时间，又是（）电阻与（）
电容的乘积。
8、双极型晶体管的跨导代表其（）电流受（）电压变化的影响。双
极型晶体管的直流偏置点电流I E越大，跨导越（）；工作温度越高，跨导越（）。（第三、四个空填“大”或“小”）
9、一般来说，双极型晶体管的几个反向电流之间的大小关系为：I ES（）I CS；
I CBO（）I CEO；BV CBO（）BV CEO；BV EBO（）BV CBO
（填“>”、“<”或“=”）
10、当双极型晶体管集电极反偏，发射极开路时，发射极电流（）零，发射结上的偏
压（）零。（填“>”、“<”或“=”）
11、增加双极型晶体管的基区宽度将（）厄尔利电压，（）基极电阻，
（）基区输运系数。
12、NMOS的衬底相对于源端应该接（）电位。当|V BS|增加时，其阈值电压将（）。
（第二个空填“增大”、“减小”或“不变”）
13、MOSFET的沟道载流子和位于半导体内的载流子相比，除受到（）散射及电
离杂质散射作用外，还会受到（）散射，因此，通常沟道载流子的迁移率（）体内载流子迁移率。当栅压|V GS|增强时，沟道内的载流子迁移率将（）。（第三个空填“>”、“<”或“=”，第四个空填“增加”、“降低”或“不变”）
14、对于N沟道增强型MOSFET，在V DS > 0并且保持固定的条件下，当V GS从零开始逐渐
增大，则MOSFET将依次经过截止区、亚阈区、（）区和（）区，在亚阈区内，I DS与V GS呈（）关系。
15、现代集成电路工艺中，用多晶硅作为MOSFET栅电极是为了采用（）工艺。
多晶硅的掺杂类型不同将改变栅和衬底之间的（），从而影响阈值电压。N 型MOSFET的多晶硅栅掺P型杂质时，阈值电压将偏（）。（最后一个空填“大”
或“小”）
16、现代集成电路工艺中，通常通过对MOSFET沟道区进行离子注入来调整阈值电压，当
向沟道注入的杂质为硼（B）时，P沟道MOSFET的阈值电压将（）。（填“变大”或“变小”）
17、对于短沟道MOSFET，随着沟道宽度的不断缩小，其阈值电压的绝对值可能会随之
（）。（填“变大”或“变小”）
二、简答与作图题(共52分)
1、分别写出PN结小注入和大注入时的结定律公式。（6分）
2、请画出一个PN结二极管在反向恢复过程中的电流变化波形，并在图中标出存储时间t s、下降时间t f及反向恢复时间t r，简要说明PN结为什么会产生反向恢复过程。（8分）
3、画出双极型晶体管的共基极短路电流放大系数α随发射极电流I E大小变化的关系示意图，
并对其进行解释。（8分）
4、一个理想二极管的直流I-V特性曲线如图所示，即满足方程：I= I0 [exp（qV/KT）-1]。
请问一个实际二极管测试的正反向直流I-V特性与理想情况相比，可能会有哪些不同？
（不考虑二极管的击穿）简要解释其原因。（8分）
5、BJT和MOSFET相比，哪一种器件的温度稳定性更好？为什么？（6分）
6、采用化合物半导体Si x Ge1-x作为基区的NPN双极型晶体管（a）和（b），除基区Si、Ge
的组分不一样外，其余所有参数都相同。下图是两个晶体管的基区能带示意图，并假设工艺能实现这两种基区能带分布。请分析哪只晶体管的基区输运系数较大？为什么？（提示：考虑基区自建电场）（7分）
7、当MOSFET的沟道长度和沟道宽度缩小为原来的1/4，请分析此时电源电压、栅氧化层
厚度、衬底掺杂浓度应如何变化才能满足“恒场等比例缩小法则”的要求？等比例缩小后，该MOSFET的阈值电压、单位面积氧化层电容、增益因子、信号延迟时间、跨导以及亚阈区摆幅将发生怎样的变化？（9分）
三、计算题（共53分）
1、某突变P+N结如图（a）所示，N- 区的长度为20μm，其雪崩击穿的临界击穿电场为E c 为2×105V/cm，雪崩击穿电压V B为150V。求：（12分）
（1）该P+N结在发生雪崩击穿时的耗尽区宽度。
（2）如图（b）所示，当N- 区内右侧10μm的区域被掺杂浓度非常高的N+区所替代，此时该P+NN+结的雪崩击穿电压变为多少？
（3）如图（c）所示，当N- 区直接缩短为10μm，此时该P+N结的雪崩击穿电压变为多少？
（1）电子和空穴的迁移率
（2）发射区和基区的方块电阻
（3）器件的发射极注入效率
（4）基区自建电场方向是什么？该电场将对从发射区注入基区的电子的扩散运动起到什么样的作用？
（5）求出基区自建电场的表达式
3、一个NPN均匀基区晶体管，基区渡越时间占总信号延迟时间的25％，中性基区宽度为1μm，电子和空穴的扩散系数分别为D n = 25cm2/s和D p =10cm2/s。（12分）
（1）计算器件的特征频率f T。
（2）当基区宽度变为2μm时，特征频率为多少？
4、工作在饱和区的理想长沟道NMOS器件，其I D1/2 ~V GS关系如图所示。(13分)
（1）试计算阈值电压V T和增益因子β。
（2）该器件是增强型器件还是耗尽型器件？
（3）如果该器件的漏极电压和栅极电压均为2V，求此时器件的漏极电流I D。
电子科技大学微固考研复试经验
今年考上了电子科大，微固专业，作为回报，我简单说一下吧。 我初试分数不高，外校考生，初试分数340+，而今年线是340，可以说希望不 大。但是既然过线，就要努力试试吧。 我比较走运，其实大多数考到340+的，很容易在复试时被淘汰。不过，既然 上了分数线，就别太灰心。电子科大是一个非常公平的学校，你是人才，他们一定会招你，你把总分搞上去，还有机会，他们的复试公平公正。如果你有一些竞赛获奖那就更好了，或者你的专业知识非常扎实。 个人建议在复试前联系一下导师，发个简历什么的，让老师对你有个大致的了 解，如果能征得老师同意，提前见一面，那就更好了。 复试流程第一项是导师考察，这个，同学一定要重视，尽管不计入分数，但是， 至关重要，如果老师很喜欢你，那么，你在复试时会有一定优势的，一定要重视。 然后就是笔试了，笔试电路分析，这两年题不难，按照指定书目看一下，做做 课后题，有时间可以到网上买复试题，淘宝上好像就有，一共四本。有本科试题，研究生复试试题，某学院电分初试题等等。 接下来就是面试了。面试会随机分成几组，你提前不会知道那几个老师面试你， 老师也不会提前知道他会面试到谁，所以，你面试不一定有你报的导师。学生被领到一个屋子里，里面有五个老师。进去后，先是英语面试。自己提前准备一下英文自我介绍。但不一定会问到。我比较幸运，被问到这个了。这个每个人情况不同，问题是老师随口问的，每个学生不同。简单的有自我介绍，你为什么选择电子科大，你的爱好，等等。还有人被问到你喜欢哪个季节，为什么等等。难的可能会问点专业性的，这个几率不大，如果被问到了，自认倒霉吧。英语面试也就五分钟左右。然后专业面试。面试的问题也很随机，可能难，也可能很基础。如果你初试考的数模电，那么复试也重视一下数模电。复习的科目主要就是数模
电子科大考研参考书目
电大 836 信号与系统和数字电路《SIGNALS AND SYSTEMS》A.V.Oppenheim 电子工业出版社/《脉冲与数字电路》万栋义电子科技大学出版社/《脉冲与数字电路》王毓银高等教育出版社/《信号与系统》何子述高等教育出版社/《信号与系统分析》张明友电子工业出版社 831 通信与信号系统《信号与系统》(第二版) A.V.Oppenheim 西安交通大学出版社2000年/ 《SIGNALS AND SYSTEMS》A.V.Oppenheim 电子工业出版社/《数字与模拟通信系统》Leon W.Couch,II 电子工业出版社/《Digital and Analog Communication Systems》(第六版) Leon W.Couch,II 科学出版社 828 数字电路《数字电子技术基础》(第四版) 阎石高等教育出版社/《脉冲与数字电路》何绪芃电子科技大学出版社/《数字设计——原理与实践》(第四版) John F.Wackerly 机械工业出版社2007年/《数字集成电路教程》龙忠琪科学出版社/《数字逻辑》毛法尧华中理工大学出版社 华科： 信号与线性系统： A.V.OPPENHEIM，A.S.WILLSKY,S.HAMD NAWAB,信号与系统（第二版），电子工业出版社，2002年 管致中，夏恭恪，孟桥，信号与线性系统（第四版），高等教育出版社，2004年 郑君里，应启珩，杨为理，信号与系统（第二版），高等教育出版社，2000年 吴大正，杨林耀，张永瑞，王松林，郭宝龙，信号与线性系统分析（第4版），高等教育出版社，2006年 含有以下考查要点要求内容的其它任何参考书。
2014电子科技大学考研真题_832微电子器件
2014电子科技大学考研真题_832微电子器件 一、填空题（共48分，每空1.5分） 1、PN结二极管用途广泛，在作为变容二极管使用时，主要利用其（）向偏置的 （）电容；在作为温度传感器使用时，主要利用其正向导通压降会随温度的升高而（）。 2、一个P+N型的二极管，电子和空穴的寿命分别为τn和τp，在外加正向直流电压V1时电流 为I1，当外加电压反向为－V2时，器件会经历一段反向恢复过程，这主要是由正向导通时存储在（）型中性区中的非平衡少子造成的，该非平衡少子的总量为（）。 3、防止PN结发生热击穿，最有效的措施是降低器件的（）。同时，禁带宽带越 （）的半导体材料，其热稳定性越好。（第二个空填“大”或“小”）4、双极型晶体管的基区宽度调变效应越严重，其厄尔利电压越（），共发射极增量输出电阻越（）。（填“大”或“小”） 5、已知双极型晶体管的基区度越时间和基区少子寿命分别为τb和τB，则1/τB表示的物理 意义为（），因此τb/τB可以表示（ ）。 6、MOSFET的亚阈区摆幅S反应了在亚阈区中（）的控制能力。 栅氧化层越厚，则S越（），该控制能力越（）。（第二个空填“大”或“小”， 第三个空填“强”或“弱”） 7、当金属和P型半导体形成金-半接触时，如果金属的功函数大于半导体的功函数，半导体表 面将形成（），该结构（）单向导电性。（从以下选项中选择） A 电子阻挡层 B 电子反阻挡层C空穴阻挡层 D 空穴反阻挡层 E 具有 F 不具有 8、MOSFET的跨导是（）特性曲线的斜率，而漏源电导是
（）特性曲 线的斜率。在模拟电路中，MOSFET一般工作在（）区，此时理想情况下漏源电导应为零，但实际上由于（）和（），漏源电导通常为正的有限值。 9、短沟道MOSFET中采用偏置栅结构或漏端轻掺杂结构，是为了降低漏端附近的电场强度，从而抑制（）效应，防止器件电学特性退化。 10、如果以SiGe来制作BJT的发射区，Si来制作BJT的基区，则与全部采用Si 材料的双极型晶体管相比，其共基极电流放大系数α将（）。（填“增大”、“减小”或“不变”） 11、根据恒场等比例缩小法则，当MOSFET的沟道长度缩小K倍时，其阈值电压变为之前的（），总电容变为之前的（），最高工作频率变为之前的（）。12、研究发现硅-二氧化硅系统中，存在四种形式的电荷或能量状态，包括Na+、K+等可动离子、（）、（）以及二氧化硅层中的电离陷阱电荷，通常它们都带正电，因此（）型MOSFET的衬底表面更容易反型。 13、PMOS的衬底相对于源端应该接（）电位。当|VBS|增加时，PMOS 的阈值电压绝对值将（），该效应叫做（）。（第二个空填“增大”、“减小”或“不变”） 二、简答与作图题(共57分) 1、如图所示，一块掺杂浓度为ND的无限长均匀N型半导体材料，在x的负半轴有一束光稳定地照射在半导体表面，产生体密度为G0的电子-空穴对。（9分） （1）写出该半导体材料在x正半轴的少子扩散方程。（只考虑少子在x方向的运动）（2）如果要通过上述扩散方程求解x正半轴的少子分布，应该采用什么样的边界条件？（3）如果该半导体材料在x正半轴的长度缩短为W（W远小于少子扩散长度），又应该采用什么样的边界条件求解？ 2、下图是一个通过扩散工艺制作的PN结，由于横向扩散，在PN结终止的地方会形成弯曲的结面。发现该PN结的雪崩击穿电压远小于平行平面结击穿电压的理论计算值，造成该现象的原因是什么？如果要提高该结构的击穿电压，对扩散工艺的时间应该做怎样的调整？为什么？（9分）。 3、请画出PNP缓变基区晶体管工作在放大区的能带图和少子分布图，并标注出必要的物理量（10分）。
西安电子科技大学通信方向考研经验分享
西安电子科技大学通信方向考研经验分享 时间过去这么久了，现在有时间写些自己的经历。我考研那段时间就常在考研论坛上看学长写的经验，受益匪浅，很受启发。现在考上了，也把自己初试、复试的经历和心得写写，仅供参考。 本人是学电子信息工程的，报的西安电子科技大学的通信方向。学通信的都知道，西电的通信在全国是数一数二的。当时，我是下了很大决心才报的，压力自然很大。可以说，从七月份开始复习一直到考研结束，我没有敢放松过。虽然我过了西电通院的复试线，但我感觉考上的希望不大，最后没去复试(西电也打电话让我去复试了)，选择了去杭电(如果西电复试被刷，杭电就被耽误，只能去桂电了。好几个同学都是这样去桂电的。)没能去西电，我感觉自己尽力了，没有什么遗憾。我就是想拼一下，试试自己的能力。 数学 我是输在数学上。虽然我下了很大功夫，但可能是方法的问题，最后的效果不好。这里就不多说了。劝大家，复习前方法要找对，规划要做好，那样你会比较轻松，也有效果。李永乐的基础过关600题，作为中期强化，有时间的话还是做一下。同学反映这个不错。可惜我没做! 英语 英语单词这关，很重要。背单词，你别想着看一两遍就记住，除非你是过目不忘!相信大家都是凡银!我是一天规定看两个单元，早上花一小时翻两遍(注意是翻，不是背!我没有指望这两遍就记住，就是混个眼熟)，中午再花一二十分钟翻一遍(看单词，努力想意思;想不起来，就看意思，继续往后看)，晚上自习走之前再翻一遍，这次要做记号了，看哪些还是记不住。第二天早上在看第三、四单元之前，把昨天的两个单元再看一遍，着重看有标记的。这样，我一天两个单元，一周看十个单元，留出周四和周日复习，也会全放到周末复习。其实，我也是受到艾宾浩斯曲线的启发。看第一遍时，我强迫自己一定要用一个半月时间拿下，我做到了。后来，看起来就比较快了。最多是，我一天翻了二十个单元。当然，那是在我把整本书搞了至少三遍的情况下。光做标记，我就换了好几种颜色的笔。最后，单词书我翻了不止六遍! 单词搞定了，阅读里基本就没有生词了。有也就一两个我还背了些词根词缀。有用!有些词的意思，我能猜出来。阅读，有些是有技巧的。技巧，网上很多，要看自己摸索和感觉。我总结的有，但是感觉做真题还行，做模拟题不行。可能是模拟题的质量问题。再者，那技巧就是从真题里摸索出来的。对模拟题不灵。反正最后考研时，我就凭感觉做，啥技巧都没用(其实是没用上，考场上太紧张了，不容许你想那么多)，感觉对就选了。最后考的还行吧。所以，我建议大家别太相信技巧类的，还是把根基打牢，脚踏实地。 作文，模板太必要了。考前一周，我作文还没准备。自己也背范文了，但感觉没用，心里不踏实!考前三天，把两个同学准备的模板综合、整理成自己的。这几年的作文，都是社会题材，或好或坏，我就准备比较中性的模板，中间有几个替代的adj/adv.好的题材，就用
电子科大数学学院考研经验谈
电子科大数学学院考研经验谈 “不忘初心，方得始终;既然选择了前方，便只顾风雨兼程;相约成都，相约科大”，这段话一直激励着我前进。没有伞的孩子，必须努力奔跑，你呢? 一、引言 看着电子科技大学拟录取名单上自己的名字，不知不觉到12点了，夜深人静的时刻总那么容易让人回想过去。半年考研生活的痛苦与纠结，可转眼间只能低头微微一笑。习惯用文字记录时间的点滴，趁这个安静的夜晚，写下我的考研心路历程。我天资不聪明，也并非学霸，我用了半年的时间准备初试，最后以总成绩排名第九进入电子科技大学数学学院。从一定程度上来说，我的一些经验和方法有一定的成功之处，如果你还没有一些详细的复习计划和规划，我的一些经验还是可以参考的。 文中有很多实例，包括我本科同学的考验情况和研友的一些例子。从本科同学说起，我们宿舍4个人，全部考研了并且全部考研成功。大家最初报考的院校分别是北京师范大学，陕西师范大学，湖南师范大学，电子科技大学。经过苦苦的奋斗和挣扎，最后尘埃落地，除了报湖南师范大学的调剂到杭州电子科技大学外，其他全部按第一志愿录取。 另外在我复试的时候所认识的研友，普通本科，但是却考出380的高分，这些例子说明考研贵在坚持，真真正正地静心坚持。考研路上半途而废的人身边有很多，不愿意努力的人也很多，努力也坚持，内心却不平静浮躁的人也很多，所以考研路上炮灰很多，原因也就在此。考研心态很重要，心理调节尤其重要，附件有心态调节的一些方法，希望对16的孩子们有用。 二、序言 我是来自一个普通农村家庭的孩子，带着对未来美好的憧憬，一直在求学这条道路上慢慢前行。很庆幸，通过自己的不懈努力，坚持，静心，最终如愿进入了电子科技大学。 初中开始考县城最好的高中，上了好高中才发现，初中的骄傲和自豪在这个优秀的高中淹没地无声无息。我开始迷茫彷徨，原来自己很弱小，很卑微，站在偌大的高中校园，没有一席安生之处。后来又因为种种原因，我再次看不见未来的光明，通过和班主任沟通，我选择当了班长，慢慢地我开始走出那段迷茫和不安，开始了正常的生活。怀着对大学的向往，怀着对知识改变命运的崇敬，曾今痛苦并快乐的的高中生活终究有了结果，如愿的上了大学。我是四川人，但是本科在北方上学。在北方的四年中，我真真的体会到地道的北方生活，同样也让我感悟到什么样的生活方式是我想要的。我不后悔在北方呆过的每一个春夏秋冬。 说起我的大学生活，只能说充实。我不是学霸，不会像很多学生一样，没事就在图书馆看书学习，而我更多的时间在于兼职。大一大二的时候，我几乎没有周六周日，我的周末几乎都在兼职，什么发单啊，服务员啊，促销啊，什么都干过。但是干得最多的还是我的本行家教，疯狂的时候，白天自己在学校上课，晚上骑车去家教，一上就是晚上9:30，然后住她家，第二天早上又骑车回学校上课。这也使得我大三大四的本科学费和生活费都是我自己交。除了兼职，闲暇的时间
2020通信考研学校排名
2020通信考研学校排名 专精研究造就传统强势 全国以信息与通信专业为主的专门院校有北京邮电大学、西安电子科技大学、电子科技大学、南京邮电大学、重庆邮电大学、杭州 电子科技大学、西安邮电学院、桂林电子科技大学等。其中除了北 京邮电大学、西安电子科技大学、电子科技大学外，其他院校的综 合实力排名并不靠前，但不能因此低估这些院校在信息与通信工程 方面的实力。毕竟这些院校在成立之初大多专攻电子信息与通信工程，悠久的历史成就了它们在专业领域的传统强势。 北京邮电大学：光纤通信、宽带通信、移动通信以及信号处理都是北邮的强势专业。学校拥有一个程控交换技术与通信网国家重点 实验室，目前国内广泛应用的智能网就是其研究成果，这也是中国 互联网研究能与国际先进水平接轨的成果之一。学校还与许多知名 通信类企业如华为、中兴、思科(CISCO)、IBM、朗讯等有项目合作。 报考指南：北邮每年招生人数较多，约有一半以上是外校学生。除了某些实力特别强的实验室或特别有名的导师录取分数较高外， 分数线一般都在各院的院线左右。需要强调的是，北邮的初试专业 课参考书《通信原理》是由本校教师编写的，不同于大部分学校选 用的樊昌兴教授主编的《通信原理》。 西安电子科技大学：西安电子科技大学的前身是1931年诞生于 江西瑞金的中央军委无线电学校，因而其开设的某些专业具有特殊 的军事背景，如密码学、军事通信和信息安全，其中军事通信专业 全国领先。在通信网方面拥有一个综合业务网理论及关键技术国家 重点实验室。交通信息工程及控制是该校的特色学科之一。 报考指南：西安电子科技大学近两年信息与通信工程专业总体录取人数与报考人数之比为1∶2左右，相对而言竞争不是很激烈。该 校的理论研究气息很浓，对有志于从事信息与通信工程方面研究的 考生来说是一个不错的选择。
电子科技大学各学院xxxx年研究生复试分数线
2010-03-15 来源：电子科技大学 0 0 1 0 0 1 0 0 1 0 0 1 0 0 2 0 0 2 0 0 2 0 0 2 0 0 2 0 第一第二第三第四单元单元单元单元（政治（外国（业务（业 务 理论）语）课一）课 二） 通信与信息工程学院 08030 光学工程40 35 60 60 通信与信息工程学院 08100 1 通信与信息系统40 42 80 85 通信与信息工程学院 11050 5 密码学40 35 60 60 通信与信息工程学院 43010 9 电子与通信工程40 35 60 60 电子工程学院 08090 2 电路与系统40 35 60 60 电子工程学院 08090 4 电磁场与微波技术40 35 60 60 电子工程学院 08100 2 信号与信息处理40 35 60 60 电子工程学院 08102 0 ★信息获取与探测 技术 40 35 60 60 电子工程学院 43010 9 电子与通信工程40 35 60 60 微电子与固体电子学院 08050 0 材料科学与工程40 35 60 60 专业 290 320 300 290 315 307 322 300 280 学院总分
08090 微电子学与固体电 微电子与固体电子学院 3 子学 40 35 60 60 321 08092 ★电子信息材料与 微电子与固体电子学院 0 元器件 40 35 60 60 300 08170 微电子与固体电子学院 4 应用化学40 35 60 60 290 43010 微电子与固体电子学院 9 电子与通信工程40 35 60 60 321 07020 物理电子学院 4 等离子体物理40 35 60 60 290 07020 物理电子学院 5 凝聚态物理40 35 60 60 290 07020 物理电子学院 7 光学40 35 60 60 290 07020 物理电子学院 8 无线电物理40 35 60 60 290 08090 物理电子学院 电子科学与技术40 35 60 60 300 08090 物理电子学院 1 物理电子学40 35 60 60 300 43010 物理电子学院 9 电子与通信工程40 35 60 60 280 08030 光电信息学院 0 光学工程40 35 60 60 290 0 0 3 0 0 3 0 0 3 0 0 3 0 0 4 0 0 4 0 0 4 0 0 4 0 0 4 0 0 4 0 0 4 0
电子科技大学历年考研分数线
电子科技大学2010年硕士研究生复试分数线一、统考 学科第一 单元 (政 治理 论) 第二 单元 (外 国 语) 第三单 元(业 务课 一) 第四单元 (业务课二) 总分 02经济学50 40 70 70 330 03法学50 40 70 70 325 04教育学50 40 150 325 0 5文学0502 50 50 70 70 320 0503 50 40 70 70 330 07理学40 35 60 60 290 0 8工学0808、 0809、 0810、 0811 40 35 60 60 300 其他40 35 60 60 290 11军事学40 35 60 60 300 1 2管1201、 1202 50 40 70 70 315 1204 50 44 70 70 315
理 学 43工程硕 士 40 35 60 60 280 46工商管 理硕士 (MBA) 39 90 160 49公共管 理硕士 (MPA) 40 90 160 二、单考 学科 第一单元 (政 治理论) 第二单元 (外国语) 第三单元 (业 务课一) 第四单元(业务课 二) 总分 04教 育学 65 50 240 375 其他65 50 90 90 310 三、强军计划 学科 第一单元 (政 治理论) 第二单元 (外国语) 第三单元 (业 务课一) 第四单元(业务课 二) 总分 学术 型 60 40 60 65 275 专业 学位 60 40 60 65 275 四、少数民族骨干计划按国家复试分数线执行。 注：享受少数民族照顾政策的统考考生复试分数线单科、总分各降低5分，但必须满足
整理[专业课]微电子专业考研重点院校推荐
一、北京大学 北京大学微电子学系是国家大力支持的重点学科点。 北京大学微电子学系，又称微电子学研究所（院），有着源远流长的学术传统。1956年，由著名物理学家黄昆院士在北大物理系领导创建了我国第一个半导体专业机构，之后在我国著名微电子专家王阳元院士的带领下，北京大学微电子学系发展成为我国培养高水平微电子人才的一个重要基地，是国家的重点学科点。 二、清华大学 清华大学微电子所是全国微电子学领域首个重点学科点。 清华大学微电子学研究所成立于1980年9月，第一任所长由全国著名半导体物理学家、中科院院士李志坚担任。该所是国家重点支持的北方微电子研究开发基地的主要组成单位，是高素质微纳电子科技人才的培养基地，1988年被定为全国微电子学领域第一个重点学科点。 三、中科院 中科院和微电子领域关系最密切的研究所有3个：微电子所、半导体所和微系统所，这3个所的师资、资金实力在国内同行中处于领先水平。 四、电子科技大学 电子科技大学位于具有“天府之国”美誉的成都，是“211”和“985”名校之一，在2006年中国高校国际学术会议排名中名列第四，被誉为“我国电子类院校的排头兵”。其微电子与固体电子学院拥有一支以中科院院士陈星弼领衔的包括16名博士生导师、27名教授在内的雄厚师资力量，与国内外相关公司、高校和研究机构有着广泛的合作关系。 五、东南大学 东南大学的微电子研究比较特殊，既有以射频闻名的射光所，又有在MEMS方向颇具实力的微电子所。射光所下属于在无线电系，而微电子所则下属于电子工程系。两个研究所各有所长，优势互补。 六、西安电子科技大学 西安电子科技大学微电子学院是国家集成电路人才培养基地。 西安电子科技大学微电子学院是在原微电子研究所及技术物理学院微电子系的基础上组建而成，是科技部资助的5个国家集成电路人才培养基地之一。 七、天津大学
成都电子科技大学研究生成绩单
University of Electronic Science and Technology of Chengdu Graduate Student’s Transcript 姓名：尹艳华学号：201122070451 学院：自动化学院专业：控制工程层次：专业学位硕士学制： 3 年 1
PS: The Graduate School of Wuhan University had used A-B-C-D grading scale from 2004 to 2007. 85-100=A; 75-84= B; 60-74= C; 0-59= D. （供2004级至2007级同学使用，打印时此句红色提示请删去） PS: The Graduate School of Wuhan University has used Ten-point grading scale since 2008. 96-100= A+; 90-95= A; 85-89= A-; 80-84= B+; 75-79= B; 70-74= B-; 67-69= C+; 63-66= C; 60-62= C-; 0-59= D. （供2008级和以后的同学使用，打印时此句红色提示请删去） 成都电子科技大学: University of Electronic Science and Technology of Chengdu: 核实人： Registrar： 研究生院院长： Dean of the Graduate school： 制作研究生中英文成绩单注意事项： 1.学制：无论实际学习时间是几年，硕士生学制均为三年，博士生学制均为四年。硕博连读生若把硕士阶段和博士阶段成绩都制作在一 张成绩单上时，学制填五年。 2.层次：硕士Master、博士Doctor/PH.D、硕博连读Mphil-PhD，共三种。 3.学号：早期的研究生若没有学号，可填写enrolled in XXXX，XXXX为入学年份。 4.学年学期：如2009-2010 1st Semester 5.课程名称、学分和成绩都对照中文成绩单正确填写，中文成绩单中所有课程都要填写在中英文成绩单中，课程名称要求中英文对照， 中文在前，英文在后，每门课占一行。成绩单列表的行数若不够，可以添加；若有多的行，请删去，确保不留空行。整张成绩单尽量控制在一页纸上。 6.中文成绩单中成绩为免修的课程，中英文成绩单的Grade栏填写Exemption或Exempted。 2
2011年电子科大微电子器件考研试题
电子科技大学 2011年攻读硕士学位研究生入学试题 832微电子器件 一、填空题（共64分） 1、当发射区掺杂浓度太高时，发射效率变（ ）这是由于（）和 （）。2、在设计与制造晶体管时，为提高晶体管的电流放大系数，应当（ ）基区宽度，（） 基区掺杂浓度。3、在PN 结开关管中，在外加电压从正向变为反向后的一段时间内，会出现一个较大的反向电流。引起这种电流的原因是存储在（）区中的（）电荷。这个电荷的消失有以下两条途径：（）和（）。 4、薄基区二极管是指PN 结的一个或两个中性区的长度小于（ ）。在薄基区二 极管中，少子浓度的分布近似为（）分布。5、PN 结的掺杂浓度越高，则势垒区的宽度越（），内建电场的最大值越（），内建电场V bi 就越（），反向饱和电流I 0越（），势垒电容C T 越（），雪崩击穿电压越（）。 6、厄尔利效应是指当集电结反偏电压增加时，集电结耗尽区宽度会（），使基区宽度（）， 从而使集电极电流（）。7、在高频下，晶体管基区渡越时间t b 对基区输运系数?*有三个作用，它们是：（）、（）和（）。当基区宽度加倍时，基区渡越时间增大到原来的（）倍。 8、对于长沟道MOSFET ，当沟道长度增加一倍时，而其它尺寸、掺杂浓度、偏置条件等都不变时，其下列参数发生什么变化：V T （）、I Dat （）、R on （）、g m （）。 9、由于栅氧化层中通常带（）电，这使得N 沟道MOSFET 的阈值电压绝对值变（）， P 沟道MOSFET 的阈值电压绝对值变（）。10、在快恢复二极管制造中，通常会掺入金杂质，金是作为（）。在N 型半导体中，是（）对处在（）的（）的俘获作用决定器件开关速度。 11、小电流时a 会（），这是此时发射极电流中（ ）的比例增大；大电流时a 会（），这是由于（）和（）。 12、相对于PN 结的N 区而言，在P 区外加电压V ，则分别在P 区和N 区的耗尽区与中性区的界面处，少子浓度与外加电压的关系： =?)(n p p χ= )(p n n χ13、长沟道MOSFET 漏极电流饱和是由于（ ），短沟道MOSFET 漏极电流饱和
2022电子科技大学考研专业简章
根据教育部《电子科技大学关于选拔普通高校优秀考生进入研究生阶段学习的通知》文件精神，结合学校实际，对普通高校毕业生进入硕士阶段学习提出如下要求。 一、报考事项安排 1.每年报考我校的考生很多，要早复习，早准备。按照考试范围复习。 2.我校考生，到学校考试中心，办理内部试卷。 3.每年有很多考生，不知道考试重点范围，不知道考试大纲要求，盲目复习，浪费时间和精力，复习效果很差，影响考试。 4.每年有很多考生，选择错误的复习资料，解题思路及讲解答案都是错误的，具有误导性，不利于复习。 5.学校为考生正确复习，印刷内部试卷。 6.内部试卷：包含考试范围、历年真题、考试题库、内部复习资料。 7.专业课，学校出题。一定要按照内部试卷复习，每年都有原题出现。 8.内部试卷联系QQ363.916.816张老师。学校安排邮寄，具体事项联系张老师。 二、选拔对象条件 1.普通高校本科毕业生，主干课程成绩合格，在校学习期间未受到任何纪律处分。 2.身体健康状况符合国家和学校规定的体检要求。 三、招生专业计划 1.招生要求和专业，详见《教育部选拔普通高等学校本科毕业生进入硕士阶段学习招生及专业总表》。 2.学校计划招收全日制硕士研究生和非全日制硕士研究生，《硕士学位研究生招生专业目录》公布的拟招生人数（含推免生），实际招生人数将根据国家下达我校招生计划、各专业生源情况进行适当调整。我校部分专业将另设计划用于接收调剂生，具体事项及拟招生人数将在初试成绩公布后另行通知。 四、报名资格审核 1.报考考生按照《教育部选拔普通高等学校优秀毕业生进入研究生阶段学习专业对照及考试课程一览表》以下简称《专业对照及考试课程一览表》选择报考专业，并填写《教育部普通高等学校毕业生进入研究生阶段
电子科技大学研究生专业介绍
目录 电子科技大学概况 0 电子科技大学博士、硕士学位授权点一览表 (3) 信息与通信工程一级学科博士研究生专业 (5) 材料科学与工程一级学科博士研究生专业 (8) 计算机科学与技术一级学科博士研究生专业 (10) 马克思主义基本原理学科博士研究生专业 (12) 思想政治教育学科博士研究生专业 (14) 应用数学学科博士研究生专业 (16) 等离子体物理学科博士研究生专业 (18) 凝聚态物理学科博士研究生专业 (20) 光学学科博士研究生专业 (22) 无线电物理学科博士研究生专业 (24) 机械电子工程学科博士研究生专业 (26) 光学工程学科博士研究生专业 (28) 测试计量技术及仪器学科博士研究生专业 (30) 物理电子学学科博士研究生专业 (32) 电路与系统学科博士研究生专业 (34) 微电子学与固体电子学学科博士研究生专业 (36) 电磁场与微波技术学科博士研究生专业 (38) 电子信息材料与元器件学科博士研究生专业 (40) 通信与信息系统学科博士研究生专业 (42)
信号与信息处理学科博士研究生专业 (44) 信息获取与探测技术学科博士研究生专业 (46) 信息安全学科博士研究生专业 (48) 检测技术及自动化装置学科博士研究生专业 (50) 生物医学工程学科博士研究生专业 (52) 管理科学与工程学科博士研究生专业 (54) 新兴技术管理学科博士研究生专业 (56) 信息管理与电子商务学科博士研究生专业 (58) 金融工程学科博士研究生专业 (60) 企业管理学科博士研究生专业 (62) 信息与通信工程一级学科硕士研究生专业 (64) 电子科学与技术一级学科硕士研究生专业 (67) 材料科学与工程一级学科硕士研究生专业 (69) 数学一级学科硕士研究生专业 (71) 计算机科学与技术一级学科硕士研究生专业 (73) 区域经济学学科硕士研究生专业 (76) 金融学学科硕士研究生专业 (78) 数量经济学学科硕士研究生专业 (80) 宪法学与行政法学学科硕士研究生专业 (82) 国际政治学科硕士研究生专业 (84) 马克思主义基本原理学科硕士研究生专业 (86) 思想政治教育学科硕士研究生专业 (88)
2015年电子科技大学成都考研真题832微电子器件
电子科技大学 2015年攻读硕士学位研究生入学考试试题 考试科目：832 微电子器件 注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。 一、填空题（共45分，每空1分） 1、泊松方程的积分形式即是（）定理，它的物理意义是：流出一个闭合 曲面的电通量等于该闭合曲面围成的体积内的（）。 2、PN结的扩散电容和势垒电容有很多不同之处。例如：（）只存在于正向偏 压之下；（）的正负电荷在空间上是分离的；（）能用作变容二极管。 3、锗二极管和相同掺杂浓度、相同尺寸的硅二极管相比，其反向饱和电流更（），正 向导通压降更（）。 4、碰撞电离率是指每个载流子在（）内由于碰撞电离产生的（） 的数目。电场越（），材料的禁带宽度越（），碰撞电离率将越大。 5、温度升高时，PN结的雪崩击穿电压将（），这是因为温度升高将导致晶格振动 加强，因而载流子的平均自由程（）。 6、MOSFET用于数字电路时，其工作点设置在（）区和（）区； 双极型晶体管用于模拟电路时，其直流偏置点设置在（）区。 7、双极型晶体管的t b既是基区渡越时间，又是（）电阻与（） 电容的乘积。 8、双极型晶体管的跨导代表其（）电流受（）电压变化的影响。双 极型晶体管的直流偏置点电流I E越大，跨导越（）；工作温度越高，跨导越（）。（第三、四个空填“大”或“小”） 9、一般来说，双极型晶体管的几个反向电流之间的大小关系为：I ES（）I CS； I CBO（）I CEO；BV CBO（）BV CEO；BV EBO（）BV CBO （填“>”、“<”或“=”） 10、当双极型晶体管集电极反偏，发射极开路时，发射极电流（）零，发射结上的偏 压（）零。（填“>”、“<”或“=”）
电子科技大学 研究生考试通信系统考试大纲
大纲内容： 一、《通信原理》部分 第三章基带脉冲与数字信号 3－2 脉冲幅度调制PAM 采样定理自然采样瞬时采样 3－3 脉冲编码调制 PCM的构成与基本原理 PCM的参数选择与计算 PCM的性能指标 3－4 数字信号 3－5 线路码及其频谱 常用线路波形、功率谱、频谱效率、带宽等特性及其参数运算3－6 码间串扰 奈奎斯特第一定理及其应用 升余弦滚降滤波器特性及其应用 第四章带通信号原理及电路 4－1 带通信号的复包络表示 4－2 已调信号的表示方法 4－3 带通信号的频谱 4－4 信号功率计算 第五章 AM、FM及数字调制系统 5－1 幅度调制（AM） 5－3 抑制载波双边带调制（DSB-SC） 5－5 非对称边带信号（SSB） 5－6 相位调制与频率调制 5－9 二进制数字调制 5－10 多进制数字调制 5－11 MSK及GMSK 第六章随机过程与谱分析 6－8 匹配滤波器 第七章噪声环境下通信系统的性能 7－1 二进制信号的误码率 7－2 二进制基带系统性能分析 7－3 二进制带通信号的相干检测 7－4 二进制带通信号的非相干检测 7－5 正交相移键控及最小频移键控 7－7 PCM系统的输出信噪比分析 7－8 模拟系统的信噪比分析 二、《信号与系统》部分： 第一章：信号与系统 1.0引言 1.1连续时间和离散时间信号 1.2自变量的变换
1.3指数信号与正弦信号 1.4单位冲激与单位阶跃函数 1.5连续时间和离散时间系统 1.6基本系统性质 1.7小结 第二章：线性时不变系统 2.0引言 2.1离散时间LTI系统：卷积和 2.2连续时间LTI系统：卷积积分 2.3线性时不变系统的性质 2.4用微分和差分方程描述的因果LTI系统 2.5奇异函数 2.6小结 第三章：周期信号的傅立叶级数表示 3.0引言 3.1历史回顾 3.2LTI系统对复指数信号的响应 3.3连续时间周期信号的傅立叶级数表示 3.4傅立叶级数的收敛 3.5连续时间傅立叶级数性质 3.8傅立叶级数与LTI系统 3.9滤波 3.10用微分方程描述的连续时间滤波器举例3.11用差分方程描述的离散时间滤波器举例3.12小结 第四章：连续时间傅立叶变换 4.0引言 4.1非周期信号的表示：连续时间傅立叶变换4.2周期信号的傅立叶变换 4.3连续时间傅立叶变换性质* 4.4卷积性质 4.5相乘性质 4.6傅立叶变换性质和基本傅立叶变换队列表* 4.7由线性常系数微分方程表征的系统 4.8小结 第五章：离散时间傅立叶变换 5.0引言 5.1非周期信号的表示：离散时间傅立叶变换 第六章：信号与系统的时域和频域特性 6.0引言 6.1傅立叶变换的模和相位表示 6.2 LTI系统频率响应的模和相位表示 6.3理想频率选择性滤波器的时域特性 6.4非理想滤波器的时域和频域特性讨论
2015电子科技大学研究生试卷答案
1 一．填空题(每空 3分，共15分) 1.不同构的3阶简单图的个数为__4___。 2．图1中的最小生成树的权值为__20____。 3.基于图2的最优欧拉环游的总权值为____37___。 4.图3中块的个数为___4____。 5.图4中强连通分支的个数为____3____。 二．单项选择(每题3分，共15分) 1．关于图的度序列，下列命题错误的是( D ) (A) 同构的两个图的度序列相同； (B) 非负整数序列12(,,,)n d d d 是图的度序列当且仅当1n i i d =∑是偶数； (C) 如果非负整数序列12(,,,)n d d d (2)n ≥是一棵树的度序列，那么序列 6 图1 图2 图 3 图4
2 中至少有两个整数的值为1； (D). 如果非负整数序列12(,,,)n d d d 是简单图的度序列，那么在同构意义下只能确定一个图。 2．关于n 阶简单图的邻接矩阵()ij n n A a ?=，下列说法错误的是（ C ） (A) 矩阵A 的行和等于该行对应顶点的度数； (B) 矩阵所有元素之和等于该图边数的2倍； (C) 不同构的两个图，它们的邻接矩阵特征谱一定不同； (D) 非连通图的邻接矩阵一定可以表示为准对角矩阵形式。 3.关于欧拉图，下面说法正确的是( B ) (A) 欧拉图存在唯一的欧拉环游； (B) 非平凡欧拉图中一定有圈； (C) 欧拉图中一定没有割点； (D) 度数为偶数的图一定是欧拉图。 4.关于哈密尔顿图，下列命题错误的是( B ) (A)设G 是3n ≥的简单图，若其闭包是完全图，则G 是哈密尔顿图； (B) 若n 阶单图的闭包不是完全图，则它一定是非哈密尔顿图； (C)若G 是哈密尔顿图，则对于V 的每个非空顶点子集S ，均有 ()G S S ω-≤； (D) 若G 是3n ≥的非H 单图，则G 度弱于某个,m n C 图。 5.关于偶图，下列说法错误的是( B ) (A) 偶图中不存在奇圈；
微电子排名
1 中国高校微电子排名 电子科学技术一级学科下设四个二级学科，分别是物理电子学，电磁场与微波技术，电路与系统，微电子与固体电子学 国家重点学科分布如下: 电子科大:物理电子学，电磁场与微波技术，电路与系统，微电子与固体电子学 西电:电磁场与微波技术，电路与系统，微电子与固体电子学清华:电路与系统，微电子与固体电子学，物理电子学 北大:物理电子学，微电子与固体电子学 复旦:电路与系统，微电子学与固体电子学 北邮:电磁场与微波技术，电路与系统 东南:电磁场与微波技术 上海交大:电磁场与微波技术 西安交大:微电子与固体电子学 华中科大:物理电子学 北京理工大学:物理电子学 南京大学:微电子与固体电子学 吉林大学:微电子与固体电子学 哈工大:物理电子学
西北工大:电路与系统 通信工程一级学科下设两个二级学科，分别是通信与信息系统，信息与信号处理 清华大学通信与信息系统，信息与信号处理 北京邮电大学通信与信息系统，信息与信号处理 电子科技大学通信与信息系统，信息与信号处理 西安电子科技大学通信与信息系统，信息与信号处理 东南大学通信与信息系统，信息与信号处理 北京交通大学通信与信息系统，信息与信号处理 北京大学通信与信息系统 浙江大学通信与信息系统 中科大通信与信息系统 华南理工通信与信息系统 哈工大通信与信息系统 北京理工大学通信与信息系统 上海交通大学通信与信息系统 电子与通信重点学科分布: 电子科大 6
清华5 西电5 北邮4 北大3 东南3 北理工 3 上交2 哈工大 2 复旦2 北京交大 2 华南理工，华中科大，西安交大，中科大，浙大，西北工大，南京大学，吉林大学各一个 国家重点实验室（电子与通信，不包括光学及光电）分布如下: 电子科技大学 2 电子薄膜与集成器件实验室宽带光纤传输与通信系统技术实验室 清华大学 1 微波与数字通信技术实验室 北京邮电大学 1 程控交换技术与通信网实验室
电子科大 通信复试科目《数字电路》考试大纲.doc解析
通信学院2007复试科目《数字电路》考试大纲 一、主要参考资料 1、《数字设计—原理与实践》(原书第三版John F. Wakerly 林生等译机械工业 出版社2003年8月 2、《数字集成电路教程》,龙忠琪,科学出版社 3、《数字电子技术基础》阎石高等教育出版社 4、《脉冲与数字电路》何绪芄曾发祚电子科技大学出版社 5、《数字逻辑》毛法尧等华中科技大学出版社 6、《脉冲与数字电路》万栋义高等教育出版社 二、考核重点 1、基础知识和概念 2、逻辑电路分析和设计 3、综合运用 三、课程考核大纲 1、数系与代码 数的十进制、二进制、八进制和十六进制表示以及它们之间的相互转换,符号数的S-M码,补码,反码表示以及它们之间的相互转换;带符号数的补码的加减运算;BCD码、GREY码; 2、逻辑门电路
门电路的工作原理和特性、CMOS传输门、施密特触发器结构和工作原理。逻辑电路的静态、动态特性分析;三态输出结构、漏极开路输出结构; 3、逻辑代数基础 逻辑代数的公理、定理,对偶关系;逻辑函数的表达形式:积之和与和之积标准型、真值表;组合电路的分析:逻辑函数的化简,无关项的处理、冒险问题和多输出逻辑化简的方法。 4、组合逻辑设计 利用基本的逻辑门完成组合逻辑电路的设计,利用基本的逻辑门和已有的中规模集成电路(MSI逻辑器件如译码器、编码器、多路选择器、多路分配器、异或门、比较器、全加器、三态器件等作为设计的基本元素完成更为复杂的组合逻辑电路设计的方法。 5、时序逻辑基础与分析 基本时序元件R-S型,D型,J-K型,T型锁存器、触发器的电路结构,工作原理,时序特性, 功能表,特征方程表达式,不同触发器之间的相互转换;钟控同步状态机的模型图,状态机类型及基本分析方法和步骤,使用状态表表示状态机状态转换关系;钟控同步状态机的设计:状态转换过程的建立,状态的化简与编 码赋值、使用状态转换表的设计方法、使用状态图的设计方法。 6、时序逻辑设计 利用基本的逻辑门、时序元件作为设计的基本元素完成规定的钟控同步状态机电路的设计任务:计数器、位移寄存器、序列检测电路和序列发生器的设计;利用基本的逻辑门和已有的中规模集成电路(MSI时序功能器件作为设计的基本元素完成更为复杂的时序逻辑电路设计的方法。 7、存储器及其在数字逻辑系统实现中的运用
电子科技大学微固考研复试经验
我初试分数不高，外校考生，初试分数，而今年线是，可以说希望不 大.但是既然过线，就要努力试试吧. 我比较走运，其实大多数考到地，很容易在复试时被淘汰.不过，既然 上了分数线，就别太灰心.电子科大是一个非常公平地学校，你是人才，他们一定会招你，你把总分搞上去，还有机会，他们地复试公平公正.如果你有一些竞赛获奖那就更好了，或者你地专业知识非常扎实. 个人建议在复试前联系一下导师，发个简历什么地，让老师对你有个大致地了 解，如果能征得老师同意，提前见一面，那就更好了. 复试流程第一项是导师考察，这个，同学一定要重视，尽管不计入分数，但是， 至关重要，如果老师很喜欢你，那么，你在复试时会有一定优势地，一定要重视. 然后就是笔试了，笔试电路分析，这两年题不难，按照指定书目看一下，做做 课后题，有时间可以到网上买复试题，淘宝上好像就有，一共四本.有本科试题，研究生复试试题，某学院电分初试题等等. 接下来就是面试了.面试会随机分成几组，你提前不会知道那几个老师面试你， 老师也不会提前知道他会面试到谁，所以，你面试不一定有你报地导师.学生被领到一个屋子里，里面有五个老师.进去后，先是英语面试.自己提前准备一下英文自我介绍.但不一 定会问到.我比较幸运，被问到这个了.这个每个人情况不同，问题是老师随口问地，每个学生不同.简单地有自我介绍，你为什么选择电子科大，你地爱好，等等.还有人被问到你喜欢哪个季节，为什么等等.难地可能会问点专业性地，这个几率不大，如果被问到了，自认倒霉吧.英语面试也就五分钟左右.然后专业面试.面试地问题也很随机，可能难，也可 能很基础.如果你初试考地数模电，那么复试也重视一下数模电.复习地科目主要就是数模电，器件（晶体管原理），工艺，你要时间充裕，再看看集成电路之类地更好了，这个也得
2021电子科技大学电子与通信工程考研真题经验参考书
能够考研成功的人，都是付出了很多的辛酸，但是一切都很值得，所以需要不断的努力。 英语： 9月开始，每天《一本单词》，开始是一天一篇英一阅读，精读，查每个生词，弄懂每一个句子，每一道题。后来有时候两篇，反正坚持明天做。英一做完后，觉得英二超简单。总之，坚持+循序渐进 然后就是真题，我只用了一本《木糖英语真题手译》。几乎是从始至终完全围绕着真题来复习的，近十年的真题作为主要的分析对象，其余年份的作为练习。近十年的真题每一套的完形填空和阅读理解部分我都自己翻译了一遍，然后对照辅导书上的翻译看自己那些地方理解得不对，哪些句子翻译得有问题，再把蛋核英语微信教的长句子和较难的句子整理出，反复复习。阅读理解得每一个选项也得清楚是歪曲了文章的哪个地方。 阅读理解还会把每篇文章的结构整理一下，出题点都在哪些地方，这样的工作做多了，自然就能找到阅读文章和做题的规律，能够迅速的把握这篇文章的主题和脉络，出题也几乎是紧跟着主题和脉络来的，这些木糖英语考研微信讲得很好。今年的英语还是比较简单，客观题我只错了一道阅读理解，完型和新题型没错，所以作文部分做的也一般，作文的方法和经验自己也没太深挖。 政治： 政治： 除了选择题就是大题了，其实大题无非是理解着背，在弄懂吃透的情况下记牢，切记不要翻开书什么都懂，合上书就写不出来了，理解是好事，记忆同样重要。专门针对大题的书并不是太多，但一些将主干考点提炼出来或者把大题常考考点单独列出的书可以作为参考，不过这些书基本到中后期才会出版，质量参差不齐，很多人用李凡的《政治新时器》，大家可以到时候在学校里的书店看看。 形势政策的考察是以时事政治为范围的，20年考察的是19年全年的时事政治，大家都知道，1月6日第一门就考政治了，所以这类关于时政的书会在最后一个多月的时间里出来，各大考研机构基本都会推出自己的书，我用的是李凡的《政治新时器》，其他的也翻阅过，没有太大区别，根据喜好选择一本就好。这本书切记要拿到手就多看，不要买了就往桌子上一放，那样恐怕拖到最后还是