电子封装测试中使用的测试技术有哪些种类

电子封装测试中使用的测试技术有哪些种类
电子封装测试中使用的测试技术有哪些种类

电子技术的飞速发展,电子封装的小型化和组装的高密度化以及各种新型电子封装技术的不断涌现,对电子产品组装质量的要求也越来越高。于是对检查的方法和技术提出了更高的要求。为满足这一要求,新的电子封装,电子烧结检测技术不断出现,自动x射线检测技术就是这其中的典型代表。它不仅可对不可见焊点进行检测,如bga(球栅阵列封装)等,还可对检测结果进行定性、定量分析,以便及早发现故障。目前在电子封装测试领域中使用的测试技术种类繁多,常用的有人工目检(mvi)、在线测试(ict)、自动光学测试(aoi)、自动x射线测试(axi)、功能测试(ft)等。这些检测方式都有各自的优点和不足之处。人工目检是一种用肉眼检查的方法。其检测范围有限,只能检察器件漏装、方向极性、型号正误、桥连以及部分虚焊。由于人工目检易受人的主客观因素的影响,具有很高的不稳定性。在处理0603、0402和细间距芯片时人工目检更加困难,特别是当bga器件大量采用时,对其焊接质量的检查,人工目检几乎无能为力。飞针测试是一种机器检查方式。它是以两根探针对器件加电的方法来实现检测的,能够检测器件失效、元件性能不良等缺陷。这种测试方式对插装pcb和采用0805以上尺寸器件贴装的密度不高的pcb比较适用。但是器件的小型化和产品的高密度化使这种检测方式的不足表现明显。对于0402级的器件由于焊点的面积较小探针已无法准确连接。特别是高密度的消

费类电子产品如手机,探针会无法接触到焊点。此外其对采用并联电容,电阻等电连接方式的pcb也不能准确测量。所以随着产品的高密度化和器件的小型化,飞针测试在实际检测工作中的使用量也越来越少。ict针床测试是一种广泛使用的测试技术。其优点是测试速度快,适合于单一品种大批量的产品。但是随着产品品种的丰富和电子封装密度的提高以及新产品开发周期的缩短,其局限性也越发明显。其缺点主要表现为以下几方面:需要专门设计测试点和测试模具,制造周期长,价格贵,编程时间长;器件小型化带来的测试困难和测试不准确;pcb进行设计更改后,原测试模具将无法使用。自动光学检测(aoi)是近几年兴起一种检测方法。它是通过ccd 照相的方式获得器件或pcb的图像,然后经过计算机的处理和分析比较来判断缺陷和故障。其优点是检测速度快,编程时间较短,可以放到生产线中的不同位置,便于及时发现故障和缺陷,使生产、检测合二为一。可缩短发现故障和缺陷时间,及时找出故障和缺陷的成因。因此它是目前采用得比较多的一种检测手段。但aoi系统也存在不足,如不能检测电路错误,同时对不可见焊点的检测也无能为力。功能测试。ict能够有效地查找在smt组装过程中发生的各种缺陷和故障,但是它不能够评估整个线路板所组成的系统在时钟速度时的性能。而功能测试就可以测试整个系统是否能够实现设计目标,它将线路板上的被测单元作为一个功能体,对其提供

输入信号,按照功能体的设计要求检测输出信号。这种测试是为了确保线路板能否按照设计要求正常工作。所以功能测试最简单的方法,是将组装好的某电子设备上的专用线路板连接到该设备的适当电路上,然后加电压,如果设备正常工作,就表明线路板合格。这种方法简单、投资少,但不能自动诊断故障。自动x射线检查逐渐兴起根据对各种检测技术和设备的了解,axi(自动检测技术)与上述几种检测技术相比具有更多的优点。它可使我们的检测系统得到较高的提升。为我们提高“一次通过率”和争取“零缺陷”的目标,提供一种有效检测手段。axi是近几年才兴起的一种新型测试技术。axi检测的特点:一是对工艺缺陷的覆盖率高达97%。可检查的缺陷包括:虚焊、桥连、立碑、焊料不足、气孔、器件漏装等等。尤其是x射线对bga、csp等焊点隐藏器件也可检查。二是较高的测试覆盖度。可以对肉眼和在线测试检查不到的地方进行检查。比如pcba被判断故障,怀疑是pcb 内层走线断裂,x射线可以很快的进行检查。三是测试的准备时间大大缩短。四是能观察到其他测试手段无法可靠探测到的缺陷,比如:虚焊、空气孔和成型不良等。五是对双面板和多层板只需一次检查(带分层功能)。六是提供相关测量信息,用来对生产工艺过程进行评估。如焊膏厚度、焊点下的焊锡量等。近几年axi检测设备有了较快的发展,已从过去的2d检测发展到3d检测,具有spc统计控制功能,能够与

装配设备相连,实现实时监控装配质量。目前的3d检测设备按分层功能区分有两大类:一是不带分层功能,这类设备是通过机械手对pcba进行多角度的旋转,形成不同角度的图像,然后由计算机对图像进行合成处理和分析,来判断缺陷。二是具有分层功能,计算机分层扫描技术可以提供传统x射线成像技术无法实现的二维切面或三维立体表现图,并且避免了影像重叠、混淆真实缺陷的现象,可清楚地展示被测物体内部结构,提高识别物体内部缺陷的能力,更准确地识别物体内部缺陷的位置。x射线检测技术为smt生产检测手段带来了新的变革,可以说它是目前那些渴望进一步提高生产工艺水平,提高生产质量,并将及时发现电子组装故障作为解决突破口的生产厂家的最佳选择。随着smt器件的发展趋势,其他装配故障检测手段由于其局限性而寸步难行,x射线自动检测设备将成为smt生产设备的新焦点并在smt生产领域中发挥着越来越重要的作用。球形触点陈列,表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚,在印刷基板的正面装配lsi 芯片,然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸点陈列载体(pac)。引脚可超过200,是多引脚lsi 用的一种封装。封装本体也可做得比qfp(四侧引脚扁平封装)小。例如,引脚中心距为1.5mm 的360引脚bga 仅为31mm 见方;而引脚中心距为0.5mm 的304 引脚qfp为40mm 见方。而且bga

不用担心qfp 那样的引脚变形问题。该封装是美国motorola公司开发的,首先在便携式电话等设备中被采用,今后在美国有可能在个人计算机中普及。最初,bga 的引脚(凸点)中心距为1.5mm,引脚数为225。现在也有一些lsi厂家正在开发500引脚的bga。bga的问题是回流焊后的外观检查。现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为, 由于焊接的中心距较大,连接可以看作是稳定的,只能通过功能检查来处理。美国motorola 公司把用模压树脂密封的封装称为ompac,而把灌封方法密封的封装称为gpac(见ompac 和带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。qfp封装之一,在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫)以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和asic等电路中采用此封装。引脚中心距0.635mm,引脚数从84到196左右(见qfp)。3、碰焊表面贴装型pga的别称(见表面贴装型pga)。4、c-(ceramic) 表示陶瓷封装的记号。例如,cdip表示的是陶瓷dip。是在实际中经常使用的记号。5、cerdip 用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装,用于ecl ram,dsp(数字信号处理器)等电路。带有玻璃窗口的cerdip用于紫外线擦除型eprom以及内部带有eprom 的微机电路等。引脚中心距2.54mm,引脚数从8 到42。在japon,此封装表示为dip-g(g即玻璃密封的意思)。6、cerquad 表面贴装型封

装之一,即用下密封的陶瓷qfp,用于封装dsp等的逻辑l si电路。带有窗口的cerquad 用于封装eprom 电路。散热性比塑料qfp 好,在自然空冷条件下可容许1. 5~2w 的功率。但封装成本比塑料qfp 高3~5 倍。引脚中心距有等多种规格。引脚数从32 到带引脚的陶瓷芯片载体,表面贴装型封装之一,引脚从封装的四个侧面引出,呈丁字形。带有窗口的用于封装紫外线擦除型eprom 以及带有eprom 的微机电路等。此封装也称为qfj、qfj-g(见板上芯片封装,是裸芯片贴装技术之一,半导体芯片交接贴装在印刷线路板上,芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现,芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现,并用树脂覆盖以确保可靠性。虽然cob 是最简单的裸芯片贴装技术,但它的封装密度远不如tab 和倒片焊技术双侧引脚扁平封装。是sop 的别称(见sop)。以前曾有此称法,现在已基本上不用陶瓷dip(含玻璃密封)的别称。

我国集成电路封装测试行业的研究

中国集体经济 CHINA COLLECTIVEECONOMY 势、消除劣势、抓住机会、规避威胁。 (一)内部环境分析 1.农村信用社的优势。(1)地域优势;(2)政策优势;(3)决策优势;(4)网点优势;(5)人员优势。 2.农村信用社的劣势。(1)历史包袱重,不良资产占比高;(2)规模小,风险管理能力低;(3)经营区域受限;(4)人员素质仍是短板;(5)金融创新能力不足;(6) 市场定位仍不明确。 (二)外部环境分析 1.机会。(1)支农惠农政策为农信社提供了更广阔的发展空间;(2)当地社会影响力大;(3)行业管理水平的提高,有力 推动了农信社的发展。 2.威胁。(1)行业竞争者多,同业竞争压力大;(2)宏观经济下行,客户违约风险增加;(3)利率市场化进程的推进增加了农信社的财务压力和经营风险;(4)人才流失仍是重要威胁;(5)影子银行的威胁。 (三)农信社的SWOT 分析 首先制定出农信社的SWOT 矩阵,如表1所示。 将SWOT 矩阵进行分解,对SO ———优势与机会、WO ———劣势与机会、ST ——— 优势与威胁、WT ———劣势与威胁等条件进行分析,并根据分析找出相应的可选择的目标市场。 1.基于SO 战略应确定的贷款目标市 场:利用地域、网点、人员优势,挖掘、深耕各类个人贷款市场;利用地域、网点、人员、决策优势,做好公司贷款的拓展。 2.基于WO 战略应确定的贷款目标 市场:拓展全部个人贷款市场,增加积累,消化不良;积极介入公司贷款市场中的中小微企业市场,但根据自身风险管理能力以及资本的承受能力,要做好单户额度的控制,大型企业谨慎进入;受风险管理水平、人员素质制约,企业贷款市场以流动资金贷款市场为主,固定资产贷款市场谨慎进入;受风险管理水平、人员素质制约,贸易型公司谨慎进入。 3.基于ST 战略应确定的贷款目标市 场:全部个人贷款市场。一方面提高服务水平,提高客户贷款便利度,另一方面强化风险控制;企业贷款市场中的中小微企 业,但要注意行业风险,做好成本测算;大型企业贷款市场谨慎进入,避免议价能力不足,降低资金运用效率;生产加工型企业贷款市场要提高风险管控意识;铺底性流动资金贷款市场以及固定资产贷款市场谨慎进入。 4.基于WT 战略应确定的贷款目标 市场:出于风险管理、风险承受能力以及资金收益考虑,大型公司贷款市场应谨慎进入;企业贷款市场中的中小微企业,但要注意行业风险,做好成本测算;生产加工型企业贷款市场要提高风险管控意识;铺底性流动资金贷款市场以及固定资产贷款市场谨慎进入。 通过SWOT 分析,得出农信社应确定的目标市场:积极拓展个人贷款市场,但要提高贷款便利度,加强风险控制;将公司类贷款市场中的中小微企业作为重要的市场目标,但要根据自身风险管理能力以及资本的承受能力,做好单户额度的控制。要注意防范行业风险。企业固定资产贷款市场、铺底性流动资金贷款市场等要谨慎进入;出于风险管理、风险承受能力以及资金收益率考虑,大型公司类贷款市场要谨慎进入。总之,农信社应选择个 人及中小微企业贷款市场为目标市场,但要控制中小企业的单户额度限制,求小、求散。 (作者单位:山东省农村信用社联合社) 摘要:近年来,集成电路封装测试行业技术进步较快,行业发展也十分迅速,一些内资和本土品牌企业的质量、技术和产能已经接近国际先进水平。未来国内集成电路封测市场增长前景广阔,但也需要应对各种挑战。国内封测企业必须进一步增强技术创新能力、加大成本管控,才能在日新月异的市场竞争中取得更大进步。 关键词:技术进步;行业发展前景;经营模式;核心竞争力 一、集成电路封装测试的技术进步封装测试是集成电路制造的后续工艺,为了使集成电路芯片的触点能与外界电路如PCB 板连接,也为了给芯片加上一个“保护壳”,防止芯片受到物理或化学损坏,需要对晶圆芯片的进一步加工,这一环节即封装环节。测试环节则是对芯片电子电路功能的检测确认。 集成电路封装技术发展历程大约可以分为三个阶段:第一阶段是1980年之 前的通孔插装(THD)时代,插孔直接安装到PCB 上,主要形式包括TO(三极管)、 DIP(双列直插封装),优点是可靠、散热好、结实、功耗大,缺点是功能较少,封装密度及引脚数难以提高,难以满足高效自动化生产的要求。 第二阶段是1980年代开始的表面贴装(SMT )时代,该阶段技术的主要特点是引线代替针脚,引线采用翼形或丁形,以两边或四边引线封装为主,从两边或四边表1 农信社的SWOT 矩阵 优势(S ) 劣势(W ) 机会(O )SO 战略 发挥优势,把握机会 WO 战略 利用外部机会,弥补内部劣势 威胁(T ) ST 战略 发挥优势,规模外部威胁 WT 战略减少劣势,规避威胁 ,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,, 我国集成电路封装测试行业的研究 ■ 尤晟 张燕 53

摸拟电子技术试卷1

模拟电路试卷1 A卷 一、单选题(每题1分) 1.欲将正弦波电压叠加上一个直流量,应选用()运算电路。 A. 比例 B. 加减 C. 积分 D. 微分 2.欲将方波电压转换成尖脉冲电压,应选用()运算电路。 A. 比例 B. 加减 C. 积分 D. 微分 3.某双极型三极管多级放大电路中,测得A 1u =25,A 2 u =-10 ,A 3 u 1,则可判断这三 级电路的组态分别是()。 A. 共射极、共基极、共集电极 B. 共基极、共射极、共集电极 C. 共基极、共基极、共集电极 D. 共集电极、共基极、共基极 4.甲类功率放大电路比乙类功率放大电路() A.失真小、效率高B.失真大、效率低 C.管耗大、效率高D.失真小,效率低 5.对恒流源而言,下列说法不正确的为()。 A.可以用作偏置电路B.可以用作有源负载 C.交流电阻很大D.直流电阻很大 6.直接耦合放大电路 ( )信号。 A. 只能放大交流信号 B. 只能放大直流信号 C. 既能放大交流信号,也能放大直流信号 D. 既不能放大交流信号,也不能放大直流信号 7.差分放大电路由双端输入改为单端输入,则差模电压放大倍数()。 A.不变B.提高一倍C.提高两倍D.减小为原来的一半 8.稳压二极管工作于正常稳压状态时,其反向电流应满足( )。 A. I D = 0 B. I D < I Z且I D > I ZM C. I Z > I D > I ZM D. I Z < I D < I ZM

9.集成运放的输出级一般采用互补对称放大电路是为了( ) A.增大电压放大倍数 B.稳定电压放大倍数 C.提高带负载能力 D. 减小线性失真 10.当温度升高时,二极管正向特性和反向特性曲线分别()。 A. 左移,下移 B. 右移,上移 C. 左移,上移 D. 右移,下移 11.在输入量不变的情况下,若引入反馈后(),则说明引入的是负反馈。 A. 输入电阻增大 B. 输出量增大 C. 净输入量增大 D. 净输入量减小 12.要求输入电阻大,输出电压稳定,应选用()负反馈。 A. 电压串联 B. 电压并联 C. 电流串联 D. 电流并联 13.需要一个阻抗变换电路,要求输入电阻大,输出电阻小,应选用()负反馈。 A. 电压串联 B. 电压并联 C. 电流串联 D. 电流并联 14.为了抑制温漂,应引入()负反馈。 A. 直流 B. 交流 C. 串联 D. 并联 15.设图中的电路满足振荡的振幅起振条件,() 图号7106 A.若X1、X2和X3同为电容元件,则构成电容三点式振荡电路 B.若X1、X2和X3同为电感元件,则构成电感三点式振荡电路

电工与电子技术考试题库含答案

电工与电子技术试题 一、填空题(每空1分) 1、若各门电路的输入均为A和B,且A=0,B=1;则与非门的输出为_________,或非门 的输出为_________。 2、一个数字信号只有________种取值,分别表示为________ 和________ 。 3、模拟信号是在时间与幅值上________ 的,数字信号在时间与幅值上是________的。 4、根据逻辑功能的不同特点,逻辑电路可分为两大类: ________ 和________。 5、二进制数A=1011010;B=10111,则A-B=____。 6、组合逻辑电路的输出仅仅只与该时刻的________ 有关,而与________ 无关。 7、将________变成________ 的过程叫整流。 8、在单相桥式整流电路中,如果负载平均电流是20A,则流过每只晶体二极管的电流是 ______A。 9、单相半波整流电路,已知变压器二次侧电压有效值为22V,负载电阻RL=10Ω,则整 流输出电压的平均值是______;流过二极管的平均电流是______;二极管承受的最高反向 电压是______。 10、三极管是________控制元件,场效应管是________控制元件。 11、逻辑函数Y=(A+B)(B+C)(C+A)的最简与或表达式为_______。 12、三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压V CE一定时,与之间的关系。 13、作放大作用时,场效应管应工作在区。 14、放大电路的静态工作点通常是指__、和_。 15、某三级放大电路中,测得Av1=10,Av2=10,Av3=100,总的放大倍数是_。

模拟电子技术基础试卷及答案

模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空(18分) 1.二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2.如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ,桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ,经过电容滤波后为 12 V ,二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3.差分放大电路,若两个输入信号u I1u I2,则输出电压,u O 0 ;若u I1=100V ,u I 2 =80V 则差模输入电压u Id = 20 V ;共模输入电压u Ic = 90 V 。 4.在信号处理电路中,当有用信号频率低于10 Hz 时,可选用 低通 滤波器;有用信号频率高于10 kHz 时,可选用 高通 滤波器;希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时,可选用 带阻 滤波器;有用信号频率为某一固定频率,可选用 带通 滤波器。 5.若三级放大电路中A u 1A u 230dB ,A u 320dB ,则其总电压增益为 80 dB ,折合为 104 倍。 6.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到 78.5% ,但这种功放有 交越 失真。 7.集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空(20分) 1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ,-10 V ,-9.3 V ,则这只三极管是( A )。 A .NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2.某场效应管的转移特性如图所示,该管为( D )。 A .P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( C )。 A .输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻,R S 为常数,为使下限频率f L 降低,应( D )。 A . 减小C ,减小R i B. 减小C ,增大R i C. 增大C ,减小 R i D. 增大C ,增大 R i 5.如图所示复合管,已知V 1的1 = 30,V 2的2 = 50,则复合后的约为( A )。 A .1500 B.80 C.50 D.30 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和( D )。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是( A )。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 V 2 V 1

2020年半导体封测装备行业分析

2020年半导体封测装备行业分析 一、行业发展情况 (2) 二、影响行业发展的因素 (3) 1、半导体产业重心转移带来巨大机遇 (3) 2、国家政策大力支持 (3) 3、全球封装设备呈寡头垄断格局 (4) 4、先进封装设备国产化率略高于传统封装产线 (4) 三、行业上下游之间的关系 (5) 1、与上游关联性 (5) 2、与下游关联性 (5) 四、行业竞争情况 (5) 1、行业竞争格局 (5) 2、行业进入壁垒 (6) (1)技术水平要求高,需要持续的生产实践积累 (6) (2)资本需求大 (7) (3)人才要求高 (7) (4)客户对品牌及企业严格的认证制度 (7) 3、主要企业 (8)

一、行业发展情况 根据SEMI2018年报告数据,全球封装设备约为42亿美元。另外根据2018年VLSI数据,半导体设备中,晶圆代工厂设备采购额约占80%,检测设备约占8%,封装设备约占7%,硅片厂设备等其他约占5%。假设该占比较稳定,结合SEMI 最新数据,2019年全球半导体制造设备销售额达到598亿美元,此前预计2020年全球半导体设备销售额将达到608亿美元,据此计算出2019、2020 年全球封装设备市场空间约为41.86、42.56亿美元。结合二者全球封装装备市场空间在40-42亿美元。 国际上ASM Pacific、K&S、Besi、Disco等封装设备厂商的收入体量在50-100 亿元,其中K&S在线焊设备方面全球领先,球焊机市场率64%,Besi、ASM Pacific垄断装片机市场,Disco则垄断全球2/3以上的划片机和减薄机市场,表明全球封装设备的竞争格局也和制程设备、测试设备一样,行业高度集中。 国内装片机主要被ASM Pacific、Besi、日本FASFORD和富士机械垄断,艾科瑞斯实现国产化突破;倒片机也被ASM Pacific、Besi 垄断,中电科实现倒片机国产化突破;线焊设备主要来自美国K&S、ASM Pacific、日本新川等外资品牌,暂无国产品牌进入主流封测厂;划片切割/研磨设备则主要被DISCO、东京精密等垄断,中电科实现减薄设备国产化突破;塑封系统/塑封机也主要被TOWA、ASM Pacific、APIC YAMADA垄断。

数字电子技术考试题及答案

太原科技大学 数字电子技术 课程试卷 B 卷 一、单选题(20分,每小题1分)请将本题答案全部写在下表中 1、8421BCD 码10000001转化为十六进制数是( )。 A 、15 B 、51 C 、81 D 、18 2、n 位二进制数的反码或其原码,表示的十进制数是( )。 A 、21n - B 、2n C 、1 2n - D 、2n 3、TTL 与非门多余输入端的处理是( )。 A 、接低电平 B 、任意 C 、 通过 100W 电阻接地 D 、通过 100k W 电阻接地 4、OD 非门在输入为低电平(输出端悬空)情况下,输出为( )状态。 A 、高电平 B 、低电平 C 、开路 D 、不确定 5、与()Y A B A =e e 相等的逻辑函数为( )。 A 、Y B = B 、Y A = C 、Y A B =? D 、Y A B =e 6、下列(,,)F A B C 函数的真值表中1Y =最少的为( )。 A 、Y C = B 、Y AB C = C 、Y AB C =+ D 、Y BC C =+ 7、( )是组合逻辑电路的特点。 A 、输出仅取决于该时刻的输入 B 、后级门的输出连接前级门的输入 C 、具有存储功能 D 、由触发器构成 8、半加器的两个加数为A 和B ,( )是进位输出的表达式。 A 、AB B 、A B + C 、AB D 、AB 9、欲使JK 触发器1 n Q Q +=,J 和K 取值正确的是( )。 A 、,J Q K Q == B 、J K Q == C 、0J K == D 、,1J Q K == 10、字数为128的ROM 存储器存储容量为1204位,字长为( )位,地址线为( )根。 A 、8,8 B 、8,7 C 、4,7 D 、4,8 11、一个四位二进制减法计数器初始状态为0110,经过101个脉冲有效沿触发后,它的输出是 ( )。 A 、0000 B 、0001 C 、0011 D 、0010 12、要用1K×8的RAM 扩展成8K×16的RAM ,需选用( )译码器。 A 、 3线-8线 B 、2线-4线 C 、1线-2线 D 、4线-16线

模拟电子技术基础试卷及答案

模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空(18分) 1.二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2.如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ,桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ,经过电容滤波后为 12 V ,二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3.差分放大电路,若两个输入信号u I1u I2,则输出电压,u O 0 ;若u I1 =100μV ,u I 2=80μV 则差模输入电压u Id = 20μV ;共模输入电压u Ic =90 μV 。 4.在信号处理电路中,当有用信号频率低于10 Hz 时,可选用 低通 滤波器;有用信号频率高于10 kHz 时,可选用 高通 滤波器;希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时,可选用 带阻 滤波器;有用信号频率为某一固定频率,可选用 带通 滤波器。 5.若三级放大电路中A u 1A u 230dB ,A u 320dB ,则其总电压增益为 80 dB ,折合为 104 倍。 6.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到 78.5% ,但这种功放有 交越 失真。 7.集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空(20分) 1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ,-10 V ,-9.3 V ,则这只三极管是( A )。 A .NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2.某场效应管的转移特性如图所示,该管为( D )。 A .P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( C )。 A .输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻,R S 为常数,为使下限频率f L 降低,应( D )。 A . 减小C ,减小R i B. 减小C ,增大R i C. 增大C ,减小 R i D. 增大C ,增大 R i 5.如图所示复合管,已知V 1的β1 = 30,V 2的β2 = 50,则复合后的β约为( A )。 A .1500 B.80 C.50 D.30 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和( D )。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是( A )。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8.与甲类功率放大方式相比,乙类互补对称功放的主要优点是( C )。 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 V 2 V 1

2019年集成电路封装测试行业分析报告

2019年集成电路封装测试行业分析报告 2019年6月

目录 一、行业管理 (4) 1、行业主管部门及监管体制 (4) 2、行业主要法律法规及政策 (5) 二、行业竞争格局和主要企业 (7) 1、行业竞争格局 (7) 2、行业主要企业 (8) (1)全球集成电路封装测试行业的主要企业和市场份额 (8) (2)国内集成电路封装测试行业的企业 (8) 三、进入行业的主要壁垒 (9) 1、技术水平要求高 (9) 2、资金需求大 (9) 3、人才要求高 (10) 4、客户对企业认证严格 (10) 四、行业市场供求状况及变动原因 (10) 1、半导体市场分 (10) 2、国内集成电路市场 (11) 3、集成电路封装测试业发展 (13) 4、行业未来发展趋势 (14) 五、行业利润水平的变动趋势及变动原因 (15) 六、行业技术水平及技术特点 (15) 七、行业经营模式 (17)

八、行业周期性、区域性、季节性特征 (17) 1、周期性 (17) 2、区域性 (18) 3、季节性 (18) 九、行业上下游的关系 (19) 1、上下游行业发展状况 (19) 2、上、下游行业之间的关联性 (20) 十、行业主要企业简况 (20) 1、长电科技 (20) 2、通富微电 (21) 3、晶方科技 (21)

半导体主要包括集成电路、分立器件、光电子器件和半导体传感器等四大类,各分支包含的种类繁多且应用广泛,主要应用于消费类电子、网络通讯、汽车电子、工业自动化等电子产品。集成电路是半导体技术的核心,是国际竞争的焦点和衡量一个国家或地区现代化程度以及综合国力的重要标志。集成电路行业因其技术复杂,产业结构高度专业化,按加工流程分为IC设计业、芯片制造业及IC封装测试业三个子行业。 一、行业管理 1、行业主管部门及监管体制 我国集成电路产业的主管部门是工信部,主要负责电子信息产品制造的行业管理工作;组织协调重大系统装备、微电子等基础产品的开发与生产,组织协调国家有关重大工程项目所需配套装备、元器件、仪器和材料的国产化;促进电子信息技术推广应用。 半导体协会是中国集成电路产业的行业自律管理机构,主要任务是贯彻落实政府有关的政策、法规,向政府业务主管部门提出本行业发展的经济、技术和装备政策的咨询意见和建议;做好信息咨询工作,调查、研究、预测本行业产业与市场,汇集企业要求,反映行业发展呼声;广泛开展经济技术交流和学术交流活动,根据市场和行业发展需要,组织举办本行业国内外新产品、新技术研讨会和展览会,为企业开拓国内外两个市场服务;开展国际交流与合作,发展与国外团体

电力电子技术试卷及答案..

一、填空题(每空1分,34分) 1、实现有源逆变的条件为和。 2、在由两组反并联变流装置组成的直流电机的四象限运行系统中,两组变流装置分别工作在正组状态、状态、反组状态、状态。 3、在有环流反并联可逆系统中,环流指的是只流经而不流经 的电流。为了减小环流,一般采用αβ状态。 4、有源逆变指的是把能量转变成能量后送给装置。 5、给晶闸管阳极加上一定的电压;在门极加上电压,并形成足够的电流,晶闸管才能导通。 6、当负载为大电感负载,如不加续流二极管时,在电路中出现触发脉冲丢失时 与电路会出现失控现象。 7、三相半波可控整流电路,输出到负载的平均电压波形脉动频率为H Z;而三相全控桥整流电路,输出到负载的平均电压波形脉动频率为H Z;这说明电路的纹波系数比电路要小。 8、造成逆变失败的原因有、、、等几种。 9、提高可控整流电路的功率因数的措施有、、、等四种。 10、晶闸管在触发开通过程中,当阳极电流小于电流之前,如去掉脉冲,晶闸管又会关断。 三、选择题(10分) 1、在单相全控桥整流电路中,两对晶闸管的触发脉冲,应依次相差度。 A 、180度;B、60度;C、360度;D、120度; 2、α= 度时,三相半波可控整流电路,在电阻性负载时,输出电压波形处于连续和断续的临界状态。 A、0度; B、60度; C 、30度;D、120度; 3、通常在晶闸管触发电路中,若改变的大小时,输出脉冲相位产生移动,达到移相控制的目的。 A、同步电压; B、控制电压; C、脉冲变压器变比; 4、可实现有源逆变的电路为。

A、单相全控桥可控整流电路 B、三相半控桥可控整流电路 C、单相全控桥接续流二极管电路 D、单相半控桥整流电路 5、由晶闸管构成的可逆调速系统中,逆变角βmin选时系统工作才可靠。 A、300~350 B、100~150 C、00~100 D、00 四、问答题(每题9分,18分) 1、什么是逆变失败?形成的原因是什么? 2、为使晶闸管变流装置正常工作,触发电路必须满足什么要求? 五、分析、计算题:(每题9分,18分) 1、三相半波可控整流电路,整流变压器的联接组别是D/Y—5,锯齿波同步触发电路中的信号综合管是NPN型三极管。试确定同步变压器TS的接法钟点数为几点钟时,触发同步定相才是正确的,并画出矢量图。(8分) 2、如图所示:变压器一次电压有效值为220V,二次各段电压有效值为100V,电阻性负载,R=10Ω,当控制角α=90o时,求输出整流电压的平均值U d,负载电流I d,并绘出晶闸管、整流二极管和变压器一次绕组电流的波形。(10分) 一、填空题 1、要有一个直流逆变电源,它的极性方向与晶闸管的导通方向一致,其幅极应稍大于逆变桥直流侧输出的平均

电子技术复习题及答案

一、填空题 1、右图中二极管为理想器件, V1工作在_导通__ 状态;V2工作在__截止___状态。 2、差分放大器对差模信号有较强的放大能力,对共模信号有较强的__抑制__能力。 3、三级管工作在放大区时,发射结__正向__偏置,集电结__反向__偏置, 工作在饱和区时,发射结__正向_偏置,集电结_正向__偏置。 4、根据反馈的分类方式,负反馈电路有4种组合形式,即_串联负反馈、_并联负反馈__、_电流负反馈_、电压负反馈。 5、理想集成运算放大器有两个重要特性对分析线性运用电路非常有用,他们分别是虚短、虚断。 6、逻辑函数的表示形式有四种:逻辑函数式、______真值表____、卡诺图和逻辑图。 7、将十六进制(0BF)转换成十进制= __191________。 8、计数器、寄存器、编码器、译码器中,属于组合逻辑电路的是___译码器编码器___,属于时序逻辑电路的是_____计数器、寄存器_________ 。 9、共阳接法的发光二极管数码显示器,应采用___低_______电平驱动的七段显示译码器。 1、数字信号只有 0 和 1 两种取值。 2、十进制123的二进制数是 1111011 ;八进制数是 173 ;十六进制数是 7B 。 3、一位十进制计数器至少需要 4 个触发器。 4、有一A/D转换器,其输入和输出有理想的线性关系。当分别输入0V和5V电压时,输出的数字量为00H 和FFH,可求得当输入2V电压时,电路输出的数字量为: 66H 。 5、设ROM容量为256字×8位,则它应设置地址线 8 条,输出线 8 条。 6、用256字×4位RAM,扩展容量为1024字×8位RAM,则需要 8 片 1、在常温下,锗二极管的门槛电压约为 0.1 V,导通后在较大电流下的正向压降约为 0.2 V。 2、三极管须使发射结正向偏置,集电结反向偏置才能工作在放大区。 3、一般直流稳压电源由电源变压器、整流电路、滤波电路 和稳压电路四个部分组成。 4、按移位方向,移位寄存器可分为单向移动寄存器和双向移动寄存器。 5、三态门的“三态”指输出高电平,输出低电平和输出高阻态。 6、(101111)(2)=47(10),(87)(10)=1010111(2) 7、用一个称为时钟的特殊定时控制信号去限制存储单元状态的改变时间,具有这种特点的存储单元电路称为触发器。 8、时序电路分为组合电路和存储电路两种。 二、选择题 1、离散的,不连续的信号,称为(B ) A、模拟信号 B、数字信号 2、在下列逻辑部件中,不属于组合逻辑部件的是( D )。 A.译码器B.编码器 C.全加器D.寄存器

模拟电子技术基础试卷及答案(期末) 3

模拟电子技术基础试卷及参考答案 试卷三(本科)及其参考答案 试卷三 一、选择题(这是四选一的选择题,选择一个正确的答案填在括号内)(共16分) 1.有两个增益相同,输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B,对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下,测得A放大器的输出电压小,这说明A的() a. 输入电阻大 b. 输入电阻小 c. 输出电阻大 d. 输出电阻小 2.共模抑制比K CMR越大,表明电路()。 a. 放大倍数越稳定 b. 交流放大倍数越大 c. 抑制温漂能力越强 d. 输入信号中的差模成分越大 3.多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比,其通频带()。 a. 变宽 b. 变窄 c. 不变 d. 与各单级放大电路无关 4.一个放大电路的对数幅频特性如图1-4所示。当信号频率恰好为上限频率或下限频率时,实际的电压增益为()。 a. 43dB b. 40dB c. 37dB d. 3dB 图1-4 图1-5 5.LC正弦波振荡电路如图1-5所示,该电路()。 a. 满足振荡条件,能产生正弦波振荡 b. 由于无选频网络,不能产生正弦波振荡 c. 由于不满足相位平衡条件,不能产生正弦波振荡 d. 由于放大器不能正常工作,不能产生正弦波振荡 6.双端输入、双端输出差分放大电路如图1-6所示。已知静态时,V o=V c1-V c2=0,设差

模电压增益 100vd =A &,共模电压增益mV 5V mV,10,0i2i1c ===V A V ,则输出电压o V 为( )。 a. 125mV b. 1000 mV c. 250 mV d. 500 mV 图1-6 图1-7 7.对于图1-7所示的复合管,假设CEO1I 和CEO2I 分别表示T 1、T 2单管工作时的穿透电流, 则复合管的穿透电流CEO I 为( )。 a. CEO2CEO I I = b. CEO2CEO1CEO I I I += c. CEO1CEO I I = d. CEO12CEO2CEO )1(I I I β++= 8.某仪表放大电路,要求R i 大,输出电流稳定,应选( )。 a. 电流串联负反馈 b. 电压并联负反馈 c. 电流并联负反馈 d. 电压串联负反馈 二、判断下列管子的工作状态(共10分) 1.测得各三极管静态时三个电极对地的电位如图2-1 a 、b 、c 所示,试判断它们分别工作在什么状态(饱和、放大、载止、倒置)。设所有的三极管和二极管均为硅管。 图2-1 2.电路如图2-2 a 、b 所示,分别指出它们工作在下列三个区中的哪一个区(饱和区、夹断区、可变电阻区)。

2018年中国半导体封装测试行业分析报告

中国半导体封装测试行业分析报告

目录 1、半导体继续推进国产替代,封测将是关键突破口 (4) 1.1、半导体千亿市场空间大,国产替代仍需发力 (4) 1.2、国内厂商已与国际接轨,封测产业是突破口 (6) 2、FOWLP延续“摩尔定律”,SIP超越“摩尔定律” (9) 2.1、四代封装技术发展过程 (9) 2.2、FOWLP、SIP、3DTSV引领未来封测趋势 (10) 2.3、FOWLP封装技术介绍 (10) 2.4、SIP封装技术 (12) 2.5、硅通孔芯片封装工艺 (14) 2.6、中国封装产业高速发展,未来3年仍将持续 (16) 3、国内封装测试企业布局 (16) 3.1、国内封装测试基本情况 (16) 3.2 长电科技 (17) 3.3华天科技 (19) 3.4通富微电 (20) 4、风险提示 (21) 图目录 图1:半导体市场预测(按地区,亿美元) (4) 图2:半导体市场预测(按部件类别,亿美元) (4) 图3:中国半导体市场规模(2017年9-12月为预测,亿美元) (5) 图4:2017-2019年中国半导体市场规模预测(亿美元) (5) 图5:全球主要地区半导体市场占比 (5) 图6:中国大陆集成电路进出口对比(百亿美元) (5) 图7:中国大陆集成电路销售额和增速(亿元) (6) 图8:集成电路行业产业链 (7) 图9:中国大陆集成电路销售额和增速(分产业,亿元) (7) 图10:2016年IDM前十厂商营收(百万美元) (8) 图11:2016年Fabless前十厂商营收(百万美元) (8) 图12:2016年晶圆前十厂商营收(百万美元) (8) 图13:2016年封测前十厂商营收(百万美元) (8) 图14:2017-2020年各地区新建晶圆厂情况 (9) 图15:半导体封装技术演变过程 (10) 图16:WLCSP 构架组成 (11) 图17:WLCSP封装工艺流程图 (11) 图18:WLP技术变革 (11) 图19:Fan-out构架和横截面图 (11) 图20:Fan-Out与Fan-In构架区别 (12) 图21:FOWPL市场空间(单位:百万美元) (12) 图22:SIP构架示意图 (13) 图23:SIP构架示意图 (13)

电子技术基础考试试题及参考答案

电子技术基础考试试题及参考答案 试题 一、填空题(每空1分,共30分) 1.硅二极管的死区电压为_____V,锗二极管的死区电压为_____V。 2.常用的滤波电路主要有_____、_____和_____三种。 3.晶体三极管的三个极限参数为_____、_____和_____。 4.差模信号是指两输入端所施加的是对地大小_____,相位_____的信号电压。 5.互补对称推挽功率放大电路可分成两类:第一类是单电源供电的,称为_____电路,并有_____通过负载输出;第二类是双电源供电的,称为_____电路,输出直接连接负载,而不需要_____。 6.功率放大器主要用作_____,以供给负载_____。 7.集成稳压电源W7905的输出电压为_____伏。 8.异或门的逻辑功能是:当两个输入端一个为0,另一个为1时,输出为_____;而两个输入端均为0或均为1时,输出为_____。 9.(1111)2+(1001)2=( _____ )2(35)10=( _____ )2 (1010)2–(111)2=( _____ )2(11010)2=( _____ )10 (1110)2×(101)2=( _____ )2 10.逻辑函数可以用_____、_____、_____等形式来表示。 11.组合逻辑电路包括_____、_____、_____和加法器等。 二、判断题(下列各题中你认为正确的,请在题干后的括号内打“√”,错误的打“×”。全打“√”或全打“×”不给分。每小题1分,共10分) 1.放大器采用分压式偏置电路,主要目的是为了提高输入电阻。() 2.小信号交流放大器造成截止失直的原因是工作点选得太高,可以增大R B使I B减小,从而使工作点下降到所需要的位置。() 3.对共集电极电路而言,输出信号和输入信号同相。() 4.交流放大器也存在零点漂移,但它被限制在本级内部。() 5.同相运算放大器是一种电压串联负反馈放大器。() 6.只要有正反馈,电路就一定能产生正弦波振荡。() 7.多级放大器采用正反馈来提高电压放大倍数。() 8.TTL集成电路的电源电压一般为12伏。() 9.流过电感中的电流能够突变。() 10.将模拟信号转换成数字信号用A/D转换器,将数字信号转换成模拟信号用D/A转换器。() 三、单选题(在本题的每小题备选答案中,只有一个答案是正确的,请把你认为正确答案的代号填入题干后的括号内,多选不给分。每小题2分,共26分) 1.用万用表测得某电路中的硅二极管2CP的正极电压为2V,负极电压为1.3V,则此二极管所处的状态是() A.正偏B.反偏C.开路D.击穿 2.放大器的三种组态都具有() A.电流放大作用B.电压放大作用 C.功率放大作用D.储存能量作用 3.下列各图中,三极管处于饱和导通状态的是()

电子技术基础期末试卷(A卷)

内蒙古应用技术专修学院2014 — 2015 学年第 2 学期 电子技术基础期末考试卷(A卷) 班级姓名学号 一、选择题(本大题共10小题,每小题3分,共计30分。每小题只有一个正确答案。) 1、半导体二极管加正向电压时,有() A、电流大电阻小 B、电流大电阻大 C、电流小电阻小 D、电流小电阻大 2、半导体稳压二极管正常稳压时,应当工作于() A、反向偏置击穿状态 B、反向偏置未击穿状态 C、正向偏置导通状态 D、正向偏置未导通状态 3、三极管工作于放大状态的条件是() A、发射结正偏,集电结反偏 B、发射结正偏,集电结正偏 C、发射结反偏,集电结正偏 D、发射结反偏,集电结反偏 4、三极管电流源电路的特点是() A、输出电流恒定,直流等效电阻大,交流等效电阻小 B、输出电流恒定,直流等效电阻小,交流等效电阻大 C、输出电流恒定,直流等效电阻小,交流等效电阻小 D、输出电流恒定,直流等效电阻大,交流等效电阻大 5、画三极管放大电路的小信号等效电路时,直流电压源V CC 应当() A、短路 B、开路 C、保留不变 D、电流源 6、为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合,可以在信号源与低阻负载间接入() A、共射电路 B、共基电路 C、共集电路 D、共集-共基串联电路7、测量放大电路中某三极管各电极电位分别为6V、2.7V、2V,(见图2所示)则此三极管为() A、PNP型锗三极管 B、NPN型锗三极管 C、PNP型硅三极管 D、NPN型硅三极管 8、当放大电路的电压增益为-20dB时,说明它的电压放大倍数为() A、20倍 B、-20倍 C、-10倍 D、0.1倍 9、电流源的特点是直流等效电阻( ) A、大 B、小 C、恒定 D、不定 10、在单相桥式整流电容滤波电路中,设U2为其输入电压,输出电压的平均值约为() A、U0=0.45U2 B、U0=1.2U2 C、U0=0.9U2 D、U =1.4U2 二、判断题(本大题共5小题,每小题2分,共计10分。每小题叙述正确的在答题卡上选涂“ A”,叙述错误的在答题卡上选涂“ B”。)1.P型半导体中,多数载流子是空穴() 2.环境温度升高时,半导体的导电能力将显著下降() 3.二极管正偏时,电阻较小,可等效开关断开() 4.稳压二极管工作在反向击穿区域() 5.光电二极管是一种把电能转变为光能的半导体器件() 图2

模拟电子技术试卷及答案

《模拟电子技术》试卷 一.填空题(每空1分,共30分) 1.P型半导体掺入三价元素,多子是自由电子,少子是空穴。 2.PN结主要特性是具有单向导电性,即正导通,反向截止。 3.三极管工作在放大状态的外部条件是发射结正向偏置,集电结反向偏置。 4.在模拟放大电路中,三极管一般工作在输出特性的放大区;在数字电路中三极管一般工作在截止区或饱和区,此时也称它工作在开关状态。 5.幅度失真和相位失真统称为频率失真,它属于线性失真。6.功率放大电路的主要作用是向负载上提供足够大的输出功率,乙类功率放大电路的效率最高。 7.放大电路中为了稳定静态工作点,应引入 a a.直流负反馈,b.交流负反馈)。 8.三极管串联型稳压电路由取样电路、基准电路、比较电路和调整电路四大环节组成。 9.分压式偏置电路具有稳定静态工作点作用,其原理是构成电压串联负反馈。 10.集成运算放大器是直接耦合放大电路。集成运算放大器的两个输入端分别为同相输入端和反相输入端,前者的极性与输出端同相;后者的极性同输出端反相。 11.根据MOS管导电沟道的类型,可分为PMOS 和NMOS 型。二、单项选择题(每题2分,共20分,将答案填在下表中)

1.常温下,硅二极管的开启电压约______V,导通后在较大电流下的正向压降约______V;锗二极管的开启电压约______V,导通后在较大电流下的正向压降约______V。C A) 0.3,0.5,0.5,0.7 B) 0.5,0.7,0.3,0.5 C) 0.5,0.7,0.1,0.2 D) 0.3,0.5,0.1,0.2 2.下图中的3种特性曲线,依次属于哪种场效应管?正确的说法是( D ) A) P沟道耗尽型MOSFET;N沟道结型;N沟道增强型MOSFET B) P沟道耗尽型MOSFET;N沟道增强型MOSFET;结型N沟道耗尽型 C) N沟道耗尽型MOSFET;N沟道结型;N沟道增强型MOSFET D) N沟道耗尽型MOSFET;N沟道增强型MOSFET;N沟道结型 3.在共射基本放大电路中,当β一定时,在一定范围内增大I E,电压放大倍数将( A) A) 增加B) 减小 C) 不变D)不能确定 4.如图所示差分放大电路中,为提高抑制零点漂移的能力,试问采用下列( B )措施好。 A) 提高电源电压B) 采用恒流源差分电路 C) 减小工作点电流D)加大R C

电工电子技术期末考试试题及答案

这份考卷不错,可以参考 电工电子技术基础期末考试试题 学号:姓名: 一、单项选择。(每题3分,计45分) 1、电荷的基本单位是()。 A.安秒 B.安培 C.库仑 D.千克 2、电路主要由负载、线路、电源、()组成。 A.变压器 B.开关 C.发电机 D.仪表 3、正弦交流电的有效值等核最大值的()。 A.1/3 B. 1/2 C. 2 D. 0.7 4、我国交流电的频率为50Hz,其周期为()秒。 A. 0.01 B.0.02 C.0.1 D.0.212 5、为了提高感性负载电路的功率因数,通常采用的方法有() A?串联电感B ?串联电容C ?并联电感D ?并联电容 6在三相交流电路中,当负载为对称且三角型连接时,线电流与相电流的相位关系是()。 A.线电压超前相电压300 B ?线电压滞后相电压300 C.线电流超前相电流300 D?线电流滞后相电流300 7、在纯电感电路中,没有能量消耗,只有能量()。 A.变化 B.增强 C.交换 D.补充 8、[10011100]2 = ()10

A. 128 B . 156 C. 256 D . 512 A.放大特性B .稳压特性C .单向导电性D .以上三种 10、三极管作放大管时一般工作在()。 A.放大区B .截止区C .饱和区D .反向击穿区 11、单相变压器原、副边绕组的额定电压分别为U1N=220V U1N=110V当原绕组的额定电流为9A时,副绕组的额定电流为()。 A. 18A B. 4.5A C . 2.25A D . 12A 12、电器铭牌上标注的功率均是() A.有功功率 B.无功功率 C.视在功率 D.瞬时功率 13、晶闸管具有()PN结。 A. 4个 B. 3个 C. 2个D . 5个 14、组合逻辑电路在电路结构上只包含( )。 A.各种门电路 B.各种触发器 C.反馈电路 D.放大电路 15、有三输入端的与非门当输出端状态为0时,三个输入端状态应为() A.000 B.111 C.010 D.100 二、填空。(每空1分,共20分) 1、电源的状态主要有三种_________ 、__________ 、 ____________ 。 2、电容的特性是___________ 、 _________ 、 ________ 、_____________ 。 3、在交流电中,电流、电压随时间按_____________ 变化的,称为正弦交流电。 4、正弦交流电的三要素是指_________ 、_________ 、___________ 。 5、设u=311sin314t伏,则此电压的最大值为_____________ ,有效值 为 ___________ ,频率为_______________ 。

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