导电薄膜

导电薄膜
导电薄膜

功能性薄膜之一-抗静电薄膜(一)

关于功能性薄膜,至今没有严格的定义,一般指具有通用薄膜不具备的某一(或者某些)特殊功能、可以满足应用上的特殊需要的薄膜,例如抗静电薄膜,防锈薄膜,热收缩薄膜,易开封薄膜等等。由于功能性薄膜具有这样或者那样的特殊功能,它能更好地满足保护所包装的商品的需要,或者更好地满足商品使用方便性方面的需求,因此具有较佳的使用效果;功能性薄膜通常具有较高的技术含量,较高的经济效益和较强的市场竞争能力,因此倍受人们关注。

功能性薄膜是包装材料中的重要品种,往往是一些特定包装领域中的不可或缺的材料,在塑料包装材料中,具有十分重要的地位。为便于读者对功能性薄膜有一个初步的了解,这里拟对功能性薄膜做一个专题介绍,以后将在本栏目里陆续介绍几种功能性薄膜,以餮读者。下一期将为您介绍防锈薄膜,敬请关注。

通过列举体积电阻的数据,指出通用塑料大多属于高绝缘物质,容易产生静电;用静电危害的事例,说明了开发抗静电薄膜的必要性,继而介绍了防静电、导电性包装材料的分类。比较详细地介绍了应用抗静电剂制备抗静电薄膜的相关的基本知识与生产技术,分析了应用抗静电剂制备抗静电薄膜的优点与局限。对于抗静电薄膜的其它生产方法:采用导电型填料生产抗静电塑料薄膜、采用涂层法生产抗静电薄膜、通过表面改性生产抗静电塑料薄膜、应用蒸镀法生产抗静电薄膜以及复合型抗静电薄膜等技术,也作了简约的介绍。绝缘材料摩擦时,容易产生静电;静电危害,是人们生活中比较常见的问题,大的如易燃、易爆物因静电而引发的火灾、爆炸,小的如物体因带静电而引起的吸尘纳垢等等,均与静电效应有关。随着塑料、合成橡胶、合成纤维等合成高分子材料的开发、应用,在人们的生活中,绝缘材料的使用日益广泛,静电危害也越来越多,为提高生活质量,人们也越来越重视防止静电的问题,抗静电薄膜的开发应用,也正是基于这样的现实背景。

物体的绝缘性愈高,愈容易产生静电。塑料制品通常均属于高绝缘类物质,特别是包装薄膜大量使用的各种塑料,除了聚乙烯醇等极少数品种之外,都是高绝缘性物质,各种常用塑料的体积电阻,详见表1。属高绝缘类物质的包装薄膜,在加工、应用中,产生静电并造成种种弊端的事例已屡见不鲜。例如在采用薄膜包装粉末状商品时,常常因为热封合面的静电吸尘,导致封合强度大幅度下降,成为引起商品储存、运输过程中包装严重破损重要原因;又如透明塑料包装袋所包装的商品,在上货架陈列销售时,会因静电洗尘降低包装的透明性,降低商品的展示效果;包装薄膜在印刷加工时,也可能由于薄膜的静电效应:静电吸尘影响油墨转移,印刷品上出现’花、点’油墨带静电产生上墨不均的所谓’静电墨斑’以及静电’墨须’,造成印刷图案的缺陷;抗静电薄膜,往往是高速包装生产线的得以顺利运行的基本条件之一,比如香烟包装过程中,静电对薄膜的切割、输送、叠过等程会造成不良影响,使包装机不能正常运行;特别需要提到的是,近年来随着IT行业的迅速发展,集成电路、组件及其制品,也大量采用价廉物美的薄膜类包装材料包装,如果采用容易产生静电的薄膜包装,薄膜会因电磁感应和磨擦产生的静电积累,对各种敏感性电子元件、仪器仪表等因产生的高压放电,使所包装的商品遭到破坏,造成极大的经济损失......,因此抗静电薄膜,作为功能性塑料包装薄膜的一个实用品种,倍受人们关注,得到了很快的发展。[2,3,4,5]

表1常用塑料的体积电阻[1] 分类

塑料及其他高聚物

体积电阻,欧姆-厘米

聚乙烯

1016~1020

聚丙烯

1016~1020

聚苯乙烯

1017~1019

聚四氟乙烯

1015~1019

天然橡胶

1015~1016

聚偏二氯乙烯

1014~1016

聚氯乙烯

(硬质)1014~1016(软质)

甲基丙烯酸树脂

1014~1015

聚氨酯

1013~1015

聚硅酮

1013~1014

聚酰胺

1013~1014

乙基纤维素

1013~1014

聚酯

1012~1014

三聚氰胺树脂

1012~1014

脲醛树脂

1012~1013

氯丁橡胶

1011~1013

环氧树脂

108~1014

醋酸纤维素

1010~1012

硝酸纤维素

1010~1011

酚醛树脂

109~1012

V

Poval(一种聚乙烯醇)

107~109

纤维素

107~109

酪朊

107~109

10-2~10-3

注:ABS树脂、聚碳酸酯和AS树脂属于I类。

(二)抗静电薄膜的其它生产方法[2]

1、采用导电型填料生产抗静电塑料薄膜

采用导电型填料不仅可以生产防静电塑料薄膜,而且由于其抗静电性基于填料的导电性,持久性较表面活性剂型抗静电薄膜好,而且抗静电性受环境湿度的影响小。

对填充型防静电包装塑料研究、应用得最多的是碳黑体系填充防静电材料。其性能主要取决于导电填料的种类、骨架结构、分散性能、表面状态、添加浓度等,以及塑料材料的种类、结构,填料加入的工艺方法等。乙炔黑和高温石墨化炭黑,其结构稳定,不易氧化,容易在高分子中形成伸展的链式或网状组织,可以得到优良的防静电性能。为了提高炭黑体系的防静电性能,还常常将它与金属氧化物、弹性体等物质混合使用,例如炭黑与陶土、滑石粉等惰性填料组成二元填料,可以将电阻率降低一个数量级,利用炭黑、陶土二元填料可以制得体积电阻为10-1~105Ω·cm的导电性材料。碳黑型抗静电薄膜性能上的两大局限是不透明及只能做黑色薄膜。

金属氧化物系填充型防静电材料,是近几年研制的一类新产品,其性能比金属填充型材料略差一些,但性价比好。目前成功应用的有氧化钛、氧化锌等等,其中还有性能价格均佳的是氧化锡,其色相较淡,粒径很小(0.1pm以下),可以满足透明、防静电的要求。

根据导电理论,填料形状从球形趋向扁平其导电性能升高。据此,日本近年研制成功一种新的导电性云母片材填料,采用固溶法沉积一层导电性的金属氧化物,在光滑的云母薄片微粉表面,固溶沉积一层Sn02制成新颖的导电性MEC,外观呈灰白色,且有透明度,体电阻率可达到10Ω·cm数量级,涂层透光度达80%以上。

2采用涂料生产防静电薄膜

与采用外部抗静电剂生产抗静电薄膜不同,涂层型防静电技术,不使用表面抗静电剂的溶液对薄膜的表面进行涂布,而是采用导电性涂料涂复在塑料表面、形成均匀的涂层,从而赋予塑料导电性能,使之成为具有防静电材料,此法原则上也可以用于制造抗静电薄膜。

最近10年来,属于涂料工业领域的导电涂料得到了迅速的发展,性能日益提高,种类日益增加,并形成了导电涂料系列:

①防静电碳系涂料,主要采用炭黑作导电成份,具有性能优良价格低廉等优点,现在应用较多;

②防静电金属系涂料,导电组份主要采有鳞片状铝片、镍片、铜片;

③防静电金属氧化物系涂料中,使用的主要为粉末状氧化锡、氧化锌、氧化钛、氧化铟、氧化镉等,以及用SbCl8、SnCl4、Sn02、Sb2O5等微粉。

上述导电成份和丙烯酸树脂配制成新型的防静电涂料。

近几年来,抗静电成膜物不断发展。例如用电荷转移型高分子络合物溶液涂复塑料以获得很好的抗静电,又如用五氯化锑与聚乙烯基咔唑组成的电荷转移络合物溶液敷聚乙烯塑料制品。

3通过表面改性生产抗静电薄膜

这是一类新兴的防静电包装材料,在进行接技共聚时,先用射线对含单体的混合物进行辐射处理,使共聚物获得良好的抗静电性能。如近年用β射线辐照处理的丙烯酸或甲基丙烯酸,再接枝到聚乙烯或聚丙烯上;用丁射线辐照聚酰胺后再接枝上甲基丙烯酸,都可使他们的抗静电性能显著提高:在加热的同时用60Co源的γ射线辐照,使丙烯酸、丙烯酰胺,乙烯基一3一乙氧基硅烷及它们的混合物接枝到聚四氯乙烯上,制成的塑料薄膜具有明显的抗静电效果;用电子束、激光对高分子衬料进行处理,也可以获得优良的防静电功能:美国用电子束处理过的包装袋已上市销售,它耐久性好,没有腐蚀,没有污染,性能优良,可与抗静电剂型和炭黑填充型防静电材料媲美,已呈现出参与市场竞争的势头。

通过电子束处理,生产抗静电薄膜的方法,还可以用于透明复合型软包装材料(袋),这无疑是一种新的防静电发展方向。利用这种方法生产的透明产品,已有样品上市销售。

4通过蒸镀技术生产的镀层型抗静电薄膜及复合型抗静电薄膜

在高分子材料表面形成一层导电的金属镀层,诸如理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)等工艺方法,亦可用于生产抗静电薄膜。真空物理气相沉积是一类方兴未艾的新工艺技术,它主要有真空蒸发镀、溅射镀、离子镀等三种技术。包装行业已经泛用的真空镀铝膜、镀铝纸,就是这一种技术的产物。真空物理气相沉积常常在10-3~10-9Mpa真空中,将金属铝加热到熔点以上,形成铝蒸气,最后凝聚在塑料材料表面形成极薄的金属铝膜,真空物理气相沉积,还可以蒸镀其他金属以及金属氧化物等物质。

复合型包装材料也是一种实用的抗静电包装技术。一般而言,防静电包装除了要求材料有一定的抗静电功能外,还应有耐久、耐热、耐光、耐压、耐化学品、经济、安全等等物理、机械、化学性能和综合技术经济性能,其最佳的实施方案之一,就是采用复合技术。

复合型抗静电包装塑料作为包装袋

(容器)已广泛使用,其结构特点是,中间往往夹有3-4层阻挡屏蔽层(这些屏蔽层主采用金属化薄膜,导电性填料填充的薄膜),最表面层和最里面层一般使用抗静电剂型的抗静电薄膜,这是现在流行的主流,也是今后抗静电包装袋发展的方向。

此外,采用电阻值较低的树脂,也是获取抗静电薄膜的一种工业化方法。例如由电阻值较低的聚乙烯醇树脂为主体所生产的聚乙烯醇薄膜,就是一种性能颇佳的抗静电薄膜(表面电阻在108欧姆左右)。在日本聚乙烯醇薄膜广泛应用于纺织品与服装之类的商品的销售包装(年耗用量在万吨以上),和聚乙烯、聚丙烯等通用薄膜相比,聚乙烯醇薄膜可明降低减少吸尘效应,从而提高对商品的展示效果。

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功能性薄膜的制备方法和实例

人们常常通过特殊配方,即选用特种树脂或者在通用塑料中加入功能性助剂制造功能性

薄膜,但特种树脂的应用以及在通用塑料加入功能性助剂并非制取功能性薄膜的唯一途径,功能性薄膜,可以通过多种方法制得。除了应用特殊的配方之外,还可以通过特定成型工艺的设定与应用,例如通过薄膜的拉伸工艺、薄膜的复合工艺的应用,或者通过特定工艺与特定配方的综合应用,制取功能性薄膜。

功能性薄膜的制备方法,大体上可归纳为如下几个方面。

1.通过配方(树脂和助剂)的选取,制备功能性薄膜。示例:

⑴利用以PVA树脂制备水溶性薄膜;

⑵在通用塑料PE、PP中加入抗静电剂,制抗静电薄膜;

⑶在通用塑料PE、PP中加入导电助剂,制导电薄膜;

⑷在通用塑料PE、PP中加入抗菌剂,制抗菌薄膜;

⑸在通用塑料PE中加入气相防锈剂,制防锈薄膜;

⑹聚烯烃类塑料中加入光敏剂(或者生物降解剂),制造光降解(生物降解)薄膜。

⑺缠绕薄膜PE中加入增粘剂,制缠绕薄膜。

2.通过拉伸工艺的,或者通过拉伸工艺条件与特定配方相结合的方法,制备功能薄膜。示例:

⑴通过拉伸定向处理,制热收缩薄膜;

⑵拉伸与加入成孔剂相结合的办法,制取透气膜;

⑶拉伸(或者拉伸与配方相配合)的加工方法,制备易撕薄膜—撕裂直线传播薄膜;

3.通过复合工艺,制备功能性复合薄膜。

工业化的各种塑料薄膜的复合方法,如共挤出复合、干法复合与无溶剂复合、涂布、真空蒸镀等等,均可用于制备功能薄膜。

示例:

⑴高阻隔性复合薄膜

比如共挤出薄膜PE//EVOH//PE;干法复合或者无溶剂复合产品BOPP//AL//PE;涂布薄膜KBOPP;蒸镀薄膜:BOPET蒸镀铝、BOPET蒸镀氧化铝、BOPET蒸镀氧化硅的产品(蒸镀型高阻隔类薄膜一般需经进一步复合加工后应用)。

⑵易开封薄膜

易剥离类易开封薄膜PET//特种EVA;易撕类易开封薄膜BOPP//易撕单层薄膜,BOPP//易撕不织布。

⑶表面保护膜

涂布丙烯酸类树脂的PE薄膜;PE/粘性聚合物的共挤出薄膜。

⑷气相防锈膜

HDPE/(LDPE+气相防锈剂)的共挤出薄膜;

PE//PA//(LDPE+气相防锈剂)的共挤出薄膜。

⑸缠绕薄膜

HDPE/LLDPE/(LLDPE+增粘剂)的共挤出薄膜

HDPE/LLDPE/ ULDPE的共挤出薄膜。

⑹POF-C3共挤出聚烯烃类热收缩薄膜;

⑺农药用包装薄膜(抗介质薄膜)

PET/抗介质类胶粘剂/AL/抗介质类胶粘剂/CPP(或者PE )。

表2防静电、导电性包装材料的分类[2]

材料类别内容说明

绝缘材料表面电阻率为10 12Ω以上的材料,或体积电阻率为10 11Ω·cm以上的材料。①静电逸散材料表面电阻率为105~1012Ω的材料,或体积电阻率为104~1011Ω·cm的材料。

静电导电材料表面电阻率为103~106Ω的材料,静电体积导电性材料②保持102~105Ω·cm体积电阻。

静电屏蔽材料具有衰减静电场能力的材料,表面电阻率小于104Ω的表层,或体电阻率(平均每1mm厚度)小于103Ω·cm的材料。

电磁屏蔽材料具有衰减电场和磁场能力的材料,表面电阻率小于100Ω,或体电阻率小于10Ω·cm的导电材料。

注:①表中面电阻率的测定按ISO 2878或IEC93标准进行。

②静电体积导电性材料是指在材料体积方向也保持导电特性的导电性材料。

(一)应用抗静电剂制备抗静电薄膜

利用抗静电剂制备抗静电薄膜,具有工艺简便、价格低廉的明显优势,是当今生产抗静电薄膜应用最为广泛的方法。目前已工业化的抗静电剂的品种达一百种以上,不仅国外的一些著名的大型化工公司如瑞士的汽巴公司、美国的氰特公司等,均有自己的抗静电剂的品牌,国内的化工研究院、所,也十分重视对抗静电剂的开发研究工作,如山西省化工研究院、北京化工研究院、杭州化工研究所等都有抗静电剂的代表性产品,例如山西省化工研究院的抗静电剂KJ-210,北京化工研究院的抗静电剂AB系列,杭州化工研究所的抗静电剂HKD系列。采用抗静电剂生产抗静电薄膜,可以生产表面电阻低于1010Ω(或者更低)的抗静电薄膜。

Ⅰ抗静电剂结构

通常是表面活性剂之类的物质,它们的分子结构具有如下通式为:R—Y—X

其中 R:亲油基

Y:亲水基

Y:连结基

C12以上的烷基是典型的亲油基,而羟基,羧基、磺酸基和醚键等则是典型的亲水基,见表3[1]。在抗静电剂的分子中,非极性部分的亲油基和极性部分的亲水基之间应具有适当的平衡(HLB),并与高分子材料有一定的相溶性。

表3 抗静电剂分子中亲油性部分和亲水性部分分类表[1]

亲油性基团弱亲水件基团亲水性基团强亲水性基团

CH3—(CH2)n—,烷烃链—CH2—O—CH2—OH —C6H4SO3H

苯基一C6H4—O—CH3—COOH—SO3H,— SO3N a

环己基—COOCH3—CN—COONa

萘基一CS一—NH—CO—NH2—COONH4

......-CSSH--CONH2-Cl

—CHO—COOR,烷基酯—B r

—NO2 一OSO3H,硫酸酯一I-NH2

Ⅱ抗静电剂的分类

1、根据使用方法的不同进行分类,抗静电剂可以分为外部抗静电剂和内部抗静电剂。

2、根据抗静电剂分子中的亲水基能否电离进行分类,抗静电剂可以分为离子型和非离子型。

如果亲水基遇水后可电离,电离后带负电荷即为阴离子型,反之带正电荷则为阳离子型;如果抗静电剂的分子中具有两个以上的亲水基,而电离后又分别带有正、负不同的电荷时,则为两性离子型抗静电剂。

如果亲水基遇水后不电离(羟基、醚键、酯键等),这类抗静电剂是非离子型抗静电剂。

3、根据化学结构的不同,抗静电剂又可以分为硫酸衍生物,磷酸衍生物、胺类,铵盐、咪唑啉以及环氧乙烷衍生物等等。

Ⅲ抗静电剂作用机理:

物质在摩擦过程中电荷不断产生的同时也不断泄漏、中和,电荷泄漏主要通过摩擦物自身的体积传导、表面传导以及向空气中辐射等三个途径。一般固体的体积电阻较表面电阻要高2到3个数量级(高100倍到1000倍),带电防止作用主要受高分子材料的表面电阻率支配,即电荷泄漏中表面传导是主要的。因此采用降低其表面电阻、提高表面电传导,达到防止静电的效果。

1、外部抗静电剂一般以水、醇或其他有机溶剂作为溶剂或分散剂使用(通常是配成浓度为0.5~2.0%的溶液),抗静电剂涂于塑料的表面,抗静电剂分子的亲油基就会吸附在塑料的表面上,在塑料表面由于有亲水基的存在就很容易吸附环境中的微量水分,而形成一个单分子的导电层(如抗静电剂为离子型化合物,还能起到离子导电的作用),从而降低表面电阻,加速了电荷的泄漏;另一方面,由于在塑料的表面有了抗静电剂的分子层和吸附的水分,因此在摩擦时其摩擦间隙中的介电常数同空气的介电常数相比明显提高,从而削弱了间隙中的电场强度,减少了电荷的产生。

2、内部抗静电剂是在树脂加工过程中添加到树脂组成物中的表面活性剂,当抗静电剂的添加量足够地高时(添加量一般为每100份树脂加入0.1~3份的内部抗静电剂),离子型内部抗静电剂就会在树脂—空气(或树脂—金属即加工机械或模具)的界面形成最稠密的排列。树脂固化后就成为抗静电剂的极性基(亲水基)都向着空气一侧排列而形成一个单分子导电层,所以它们在树脂中的分布是不均匀的,表面浓度高,内部浓度低,抗静电作用仍然像外部抗静电剂一样依靠它们在树脂表面的单分子层。如果因拉伸、摩擦、洗涤等原因会导致树脂表面抗静电剂单分子层缺损,薄膜抗静电性降低。树脂内部的抗静电剂分子会不断向表面迁移,使表面缺损的单分子层从内部得到补充,而使抗静电性也逐步得到恢复。

薄膜开关面板的图案设计文字说明

薄膜开关面板的图案设计文字说明 一、常见键体与指示窗的设计 键体外形与大小的设计,应从整个面板的大小及按键数量的多少来考虑。按键太小,操作比较费力;按键太大,则影响美观,且不宜按准有效操作区域。另外,如果按键凸起,应选择带圆角的矩形、圆形、椭圆、长圆等外形比较圆滑的形状;按键不凸起时,则可选择任意形状,以略大于后部电路触点为好。在键体上设置指示窗,一般情况下,以左上角为好。指示窗的形状虽可自由设计,但应注意尽量与键体的外形轮廓相适应,譬如,带圆角的键体,宜采用圆形指示窗,方角键体宜采用方形或长方形指示窗,以增进外观的协调。在同一面板上各单元内的指示窗位置及形状应趋于一致。 二、文字和图案设计 文字和图案是操作功能的媒介,具有直接向操作者提示功能的作用,或对仪器性能作出解说。薄膜开关的面板,一般没有外置的元件,它是以色块来表示模拟的键盘或元件,为此,文字和图案可直接标注在功能按键的色块上。此外,对字体的选择还应兼顾到丝网印刷工艺的特点。对于通常所用的,例如仿宋体,其笔画纤细无力,细微的笔峰较难表现,与色块的力度不相适应。尤其在文字尺寸比较小时,更是忌用笔画纤细的字体(如宋体、楷体),而应采用黑体或中圆,这种字体笔画横竖等宽,字体方整易辨,与整体设计适应性强,工艺的再现性也好。其它字体可作为仪器设备的名称、型号或生产制造单位

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薄膜开关按键凸起的形式及优点

薄膜开关按键凸起的形式及优点 薄膜开关是采用平面多层薄膜组合而成的整体密封结构,将按键开关、面板、标记、符号显示及衬板密封在一起的集光、机、电、一体化的二十世纪八十年代崛起的一种新型电子元器件,能更加可靠的执行操作系统任务。它具有良好的防水、防尘、防油、防有害气体侵蚀的特点及性能稳定可靠、重量轻、体积小、寿命长、面板可洗涤、字符不受损伤、色彩丰富、美丽大方等优点。薄膜开关、面板已广泛用于智能化电子测量仪器、医疗仪器计算机控制、数控机床、电子衡器、邮电通讯、复印机、电冰箱、微波炉、电风扇、洗衣机、电子游戏机等各类工业及家用电器产品。 那么薄膜开关按键凸起又是什么回事呢? 按键凸起是用压鼓机将面膜层上的键体区域压起。此方法依据材料的自然特性和凸凹特性,有严格的温度和压力要求。 基本形式如下: (1)框线凸起:开关边缘凸起的时候采用。 (2)平面凸起:整个开关都高于面板表面时采用。 (3)球凸:用于加工球形按键。 (4)框线凸起+球凸:不常用。 有哪些优点? (1)增进了薄膜开关外观的装饰效果。 (2)操作者的触觉比较敏感。 (3)准确给定键体的范围。 (4)提高辨认速度。 重要的设计考虑因素有哪些? (1)需要专用的模具机加工。 (2)用力过大会减少机械寿命(对于聚碳酸酯面膜来说机械寿命应能操作不少于10万次)。 (3)凸起的聚脂的极限温度为50℃。

(4)凸起高度应不超过材料厚度的1.5倍。 (5)平面凸起应距边缘最少3mm或5mm。 (6)框线凸起的按键距离边缘最少5mm。 转载本文请留下链接薄膜开关https://www.360docs.net/doc/5d18331818.html,点击登录,获取更详细内容。

物质的导电性半导体的导电特性

neSv t t neSv t q I =??=??= 物质的导电性和半导体的导电性 知识要点 一、物质的导电性 1、金属中的电流 金属导体内的电流强度与自由电子的平均定向运动速率有关。则 由上式可估算出电子的定向运动速率是很小的,一般为s m /105 -数量级,与电子热 运动的平均速率(约s m /10 5 数量级)和“电的传播速率”(即电场的传播速率,为 s m /1038?)不能混为一谈。 2。液体中的电流 (1)液体导电包括液态金属导电与电解质导电两种。电解质导电与金属导电的机理不同,固态金属导电跟液态金属(如汞)导电的载流子是自由电子,在导电过程中,金属本身不发生化学变化,而电解质导电的载流子是正负离子,在导电过程中,伴随着电解现象,在正负极板处同时发生化学反应(即电解)。 (2)法拉第总结出了两条电解定律。 第一定律::电解时析出物质的质量m 跟通过电解液的电量Q 成正比,用公式表示为: kIt kQ m ==式中比例恒量k 叫做电化当量,其物理意义是:通过1C 电量时,所析出 这种物质的质量。 第二定律:各种物的电化当量k 与它的化学当量成正比,即Fn M k /=,在化学中, 我们常将 n M /称为“化学当量”,F 叫法拉第常量。实验指出, 96=F mol C mol C /1064.9/4844?≈,将上式代入电解第一定律可得()Fn MQ m /= 这就是法拉第电解定律的统一表达式。当析出物质的质量m 等于该物质的化学当量,则F 与Q 在数值上相等。 3、气体中的电流 ①通常情况下,气体不导电。只有在电离剂存在或极强大的电场情况下,气体才会被电离而导电。气体导电既有离子导电,又有电子导电。气体导电不遵从欧姆定律。 ②由于引起气体电离的原因不同,可分为被激放电和自激放电。在电离剂(用紫外线、X 射线或放射性元素发出的放射线照射或者用燃烧的火焰照射气体)的作用下,发生的气体放电现象叫做被激放电。没有电离剂作用而在高电压作用下发生的气体放电现象叫做自激放电。 放电可以变成弧光放电。若电源的功率很大时,火花放电可以变成弧光放电。

薄膜技术复习题

1.简述薄膜的形成过程。 薄膜:在被称为衬底或基片的固体支持物表面上,通过物理过程、化学过程或电化学过程使单个原子、分子或离子逐个凝聚而成的固体物质。主要包括三个过程:(1)产生适当的原子、分子或离子的粒子;(2)通过煤质输运到衬底上;(3)粒子直接或通过化学或电化学反应而凝聚在衬底上面形成固体沉淀物,此过程又可以分为四个阶段:(1)核化和小岛阶段;(2)合并阶段;(3)沟道阶段;(4)连续薄膜 2.图2为溅射镀膜的原理示意图,试结合图叙述溅射镀膜的基本过程,并介绍常用的溅射镀膜的方法和特点。 图 2 溅射镀膜的原理示意图 过程:该装置是由一对阴极和阳极组成的冷阴极辉光放电结构。被溅射靶(阴极)和成膜的基片及其固定架(阳极)构成溅射装置的两个极,阳极上接上1-3KV的直流负高压,阳极通常接地。工作时通常用机械泵和扩散泵组将真空室抽到6.65*10-3Pa,通入氩气,使真空室压力维持在(1.33-4)*10-1Pa,而后逐渐关闭主阀,使真空室内达到溅射电压,即10-1-10Pa,接通电源,阳极耙上的负高压在两极间产生辉光放电并建立起一个等离子区,其中带正电的氩离子在阴极附近的阳极电位降的作用下,加速轰击阴极靶,使靶物质由表面被溅射出,并以分子或原子状态沉积在基体表面,形成靶材料的薄膜。 将欲沉积的材料制成板材——靶,固定在阴极上。基片置于正对靶面的阳极上,距靶几厘米。系统抽至高真空后充入10~1帕的气体(通常为氩气),在阴极和阳极间加几千伏电压,两极间即产生辉光放电。放电产生的正离子在电场作用下飞向阴极,与靶表面原子碰撞,受碰撞从靶面逸出的靶原子称为溅射原子,其能量在1至几十电子伏范围。溅射原子在基片表面沉积成膜 直流阴极溅射镀膜法:特点是设备简单,在大面积的基片或材料上可以制取均匀的薄膜,放电电流随气压和电压的变化而变化,可溅射高熔点金属。但是,它的溅射电压高、沉积速率低、基片温升较高,加之真空度不良,致使膜中混入的杂质气体也多,从而影响膜的质量。 高频溅射镀膜法:利用高频电磁辐射来维持低气压的辉光放电。阴极安置在紧贴介质靶材的后面,把高频电压加在靶子上,这样,在一个周期内正离子和电子可以交替地轰击靶子,从而实现溅射介质材料的目的。这种方法可以采用任何材料的靶,在任何基板上沉积任何薄膜。若采用磁控源,还可以实现高速溅射沉积。 磁控溅射镀膜法:磁控溅射的特点是电场和磁场的方向互相垂直,它有效的克服了阴极溅射速率低和电子使基片温度升高的致命弱点,具有高速、低温、低损伤等优点,易于连续制作大面积膜层,便于实现自动化和大批量生产,高速指沉积速率快;低温和低损伤是指基片的温升低,对膜层的损伤小。此外还具有一般溅射的优点,如沉积的膜层均匀致密,针孔少,纯度高,附着力强,应用的靶材广,可进行反应溅射,可制取成分稳定的合金膜等。工作压力范围广,操作电压低也是其显著特点。 反应溅射镀膜法:在阴极溅射的惰性气体中,人为的掺入反应气体,可以制取反应物膜。 非对称交流溅射和偏压溅射镀膜法:特点是可以减少溅射镀膜过程中阴极溅射膜中的混入气体。3.图3为一个PECVD的反应室结构图,试叙述其工作原理和特点 图3 PECVD的反应室结构图 原理:图中是一种平行板结构装置。衬底放在具有温控装置的下面平板上,压强通常保持在133Pa左右,射频电压加在上下平行板之间,于是在上下平板间就会出现电容耦合式的气体放电,并产生等离子体。利用等离子体的活性来促进反应,使化学反应能在较低温度下进行,这种方法称为等离子体强化气相沉积(PECVD),是一种高频辉光放电物理过程和化学反应相结合的技术。在高温真空压力下,加在电极板上的射频RF电场,使反应室气体产生辉光放电,在辉光放电区域产生大量的电子。这些电子在电场的作用下获得充足的能量,其本身温度很高,它与气体分子相碰撞,

金属氧化物透明导电材料地基本原理

金屬氧化物透明導電材料的基本原理 一、透明導電薄膜簡介 如果一種薄膜材料在可見光範圍內(波長380-760 nm)具有80%以上的透光率,而且導電性高,其比電阻值低於1×10-3 ·cm,則可稱為透明導電薄膜。Au, Ag, Pt, Cu, Rh, Pd, A1, Cr等金屬,在形成3-15 nm厚的薄膜時,都有某種程度的可見光透光性,因此在歷史上都曾被當成透明電極來使用。但金屬薄膜對光的吸收太大,硬度低而且穩定性差,因此人們開始研究氧化物、氮化物、氟化物等透明導電薄膜的形成方法及物性。其中,由金屬氧化物構成的透明導電材料(transparent conducting oxide, 以下簡稱為TCO),已經成為透明導電膜的主角,而且近年來的應用領域及需求量不斷地擴大。首先,隨著3C產業的蓬勃發展,以LCD為首的平面顯示器(FPD)產量逐年增加,目前在全球顯示器市場已佔有重要的地位,其中氧化銦錫(In2O3:Sn, 意指摻雜錫的氧化銦,以下簡稱為ITO)是FPD的透明電極材料。另外,利用SnO2等製成建築物上可反射紅外線的低放射玻璃(low-e window),早已成為透明導電膜的最大應用領域。未來,隨著功能要求增加與節約能源的全球趨勢,兼具調光性與節約能源效果的electrochromic (EC) window (一種透光性可隨施加的電壓而變化的玻璃)等也可望成為極重要的建築、汽車及多種日用品的材料,而且未來對於可適用於多種場合之透明導電膜的需求也會越來越多。 二、常用的透明導電膜

一些目前常用的透明導電膜如表1所示,我們可看出TCO佔了其中絕大部分。這是因為TCO具備離子性與適當的能隙(energy gap),在化學上也相當穩定,所以成為透明導電膜的重要材料。 表1 一些常用的透明導電膜 三、代表性的TCO材料 代表性的TCO材料有In2O3, SnO2, ZnO, CdO, CdIn2O4, Cd2SnO4,Zn2SnO4和In2O3-ZnO等。這些氧化物半導體的能隙都在3 eV以上,所以可見光(約1.6-3.3 eV)的能量不足以將價帶(valence band)的電子激發到導帶(conduction band),只有波長在350-400nm(紫外線)以下的光才可以。因此,由電子在能帶間遷移而產生的光吸收,在可見光範圍中不會發生,TCO對可見光為透明。

常用开关的种类及特点

常用开关的种类及特点 电气装置中使用许多开关,开关的作用是断开、接通或转换电路,以控制电气装置的工作或停止。它们的种类及规格非常多,应用十分广泛。 开关的文字符号用“S”或“xS”表示。开关的“极”对应于过去所称的“刀”,“位”则对应于过去所称的“掷”,如:双极双位开关就是原称的双刀双掷开关。开关的极相当于开关的活动触点(触头、触刀),位相当于开关的静止触点。当技动或拨动开关时,活动触点就与静止触点接通(或断开),从而起到接通或断开电路的作用。 由于单极单位开关只有一个活动触点和一个静止触点,所以只能接通或断开一条电路。单极双位开关则可选择接通(或断开)两条电路中的一条;双极双位开关可同时接通或断开两条独立的电路,其他极位开关的作用可依次类推。 1.滑动开关 滑动开关的内部置有滑块,通过不同的方式驱动滑块,使滑块动作,开关触点接通或断开,从而起到开关作用。滑动开关有拨动式、杠杆式、旋转式、推动式及软带式等。 (1)拨动式开关。拨动式开关一般由金属外壳、簧片塑料支架和开关片三部分组成,开关片的绝缘基体一般为玻璃丝板,上面压接有两排切入式固定触点;塑料支架上开有小槽,槽中相应固定咬合式滑动簧片;金属外壳把簧片塑料支架与开关片固定在一起。当拨动开关时,塑料支架带动簧片在开关片上的固定触片上滑动,定位珠和弹簧使开关动作定位淮确,并能保证在一定震动情况下不致错位 常用的拨动式开关有1极2位、1极3位、2极2位、2极3位、4极3位、4极4位、10极3位、4极10位等。其中大于3极的多极多位开关主要用做波段转换,有些波段开关的位数可多达十几位,可变换十几个挡位。 拨动式转换开关一般是直接焊在印制电路板上的,具有体积小、引线接线短、价格较低的优点,但由于结构上的原因,位数和刀数不可能做得太多,在电路中换接的电压不能太高,电流也不能太大。拨动开关广泛应用于收音机、收录机、电视机及各种仪器仪表中,用做波段开关、声道转换开关、功能(收录放等)切换开关、磁带选择开关及杜比降噪开关等。 (2)旋转式开关。旋转式开关一般在金属支架上固定一个或多个开关片层,如图5.4所示,开关片基体是绝缘的,常用材料为高频瓷、玻璃布板等,各个触片都固定在绝缘基片上,支架中心装有旋转轴,它带动开关片中间的切入式接触片旋转,就能位开关片上的某两个触点接通或断开。支架的旋转部分还装有滚珠,它与支架体上的定位卡配合,保证开关动作时跳步迅速、干脆,定位准确。 高频瓷质波段开关主要适用于高频和超高频电路;环氧玻璃布胶板波段开关适用于高频电路和一般电路,在普通收录机及收音机中采用较多。 2.薄膜开关 薄膜开关即薄膜按键开关,是一种低电压(一般小于4032)、小电流(小于100gnJL)器件,适用于们R‘或CMoS逻辑电路。按基材不同分为软性和硬性两种;按面板类型不同分为键位平面型和凹凸型两种;根据按键类型不同分为无手感键和有手感键(触觉反馈式)两种。软性薄膜开关结构上由多层柔软薄膜相互霸合而成。硬性薄膜开关是由一块硬质印制电路板作为衬底和多层柔软薄膜相互融合构成,底层电路由印制电路板上的导电电路组成。平面型薄膜

薄膜开关

1.适用范围 液晶屏升降器,液晶屏翻转器,离子电视升降器,投影机电动吊架,投影机演示车,桌面插座,电动会标等办公,会议自动化的产品,蓝牙音箱,蓝牙,车载导航,行车记录仪,插卡音箱,便携式DVD,遥控器,汽车遥控器,保险柜按键,门铃对讲机,吸尘器,灯饰遥控器,2.4G遥控鼠标键盘,自动化设备,控制设备,家用电器,安全设备,音响器具,CCTV,照相机,无线麦克风,游戏机,逆变器等 2.名称Project 常温…………………………………5℃~35℃ 此规格书适用于机械式轻触开关的相关要求 3.测试条件 在没有其它特定的条件下,应该在以下的条件下进行测试和测量: 环境气压…………………………86KPa~106Kpa 在制造过程中,测试和测量应该在以下的条件下进行: 温度…………………………………20℃±2℃ 相对湿度……………………………65%±5% 标准湿度……………………………相对湿度25%~85% 标准大气压…………………………86KPa~106Kpa 4.工作温度范围 -20℃~70℃(在标准大气压、标准湿度条件下) 5.贮藏温度范围 -30℃~80℃(在标准大气压、标准湿度条件下) 6.开关结构:单回路单输出(具体的触点结构在装配图中已绘出); 7.结构尺寸和安装尺寸:应符合装配图要求 8.操作形式:有触觉反应的操作

9.详细说明 9.1外观:应无影响、降低产品性能的缺陷; 9.2开关工作额定值:DC 12V,50mA(有效值) 10.性能特征 10.1接触电阻, 在以 5V 10mA的直流电源或不低于1KHz的交流电源的 电路中,以一个等于2倍按力的静负荷施加于手柄中心, ≤100mΩ 10.2绝缘电阻在端子之间施加DC 100V /1min的条件下,测量端子之 间底座、盖板的电阻值≥100MΩ 10.3介质耐压在端子之间施加250V AC(50HZ或60HZ)/1min无击穿、无飞弧 11.可靠性 11.1按力开关垂直于操作方向放置,在开关驱动件顶端中心逐渐 施力,测量开关导通所需的最大力度refer to chart 3 按力:140±50gf 11.2开关垂直于操作方向放置,以一个等于2倍按力的静负 荷施加在开关驱动件顶端中心,测量顶端移动的距离。0.2±0.1mm 11.3回弹力 开关垂直于操作方向放置,在开关驱动件顶端中心下降 至全行程后,测量顶端向自由位置转换的力度。refer to chart 3 回弹力 11.4停止强度开关垂直于操作方向放置,从操作方向向驱动件施加 20N的静负荷持续1min,无机械和电气损坏. 11.5 手柄拔出强度 开关垂直于操作方向放置,反方向实施最大操作力,并 测量手柄的行程范围。 20N.min. 12.回流焊温度: 1204-2 13.使用注意事项说明 (1)进行焊接过程中,不可以用溶剂或类似品清洗开关 (2)注意不要施加超负荷的压力或晃动开关。 (3)防止助焊剂从开关的顶端渗入 交货后保证开关处于封密状态并库存时间90天以上

透明导电薄膜研究进展

氧化锌基透明导电薄膜研究 汇报人:卢龙飞 导师:齐暑华 学号:2014201921 摘要:本文简要介绍了氧化锌基导电薄膜的基本特征、发展近况,并对其前景进行了展望。关键词:氧化锌导电薄膜参杂 Progess in research of ZnO based transparentconductinve films Abstract:Basic traits and latest development of ZnO based conductive thin films are introduced in this paper,and the prospect of ZnO conductive films was also forecased. Keywords:ZnO conductive thin films doping 0.引言 透明导电氧化物薄膜(transparent conductive oxide films)[1-3],简称TCO,由于本身的透明性和导电性,迅速发展成为重要的功能薄膜材料,在透明电极(太阳能电池、显示器、发光二极管LED、触摸屏等)、面发热膜(除霜玻璃)、红外反射族(汽车贴膜、建筑窗坡璃)、防静电膜、电磁屏蔽膜、电致变色密、气敏传感器、高密度存储、低波长激光器、光纤通信等领域得到广泛的应用透明导电材料是一类对可见光具有高透光率,同时又具有高导电率的特殊材料由于其特有的光电性能,透明导电材料在电子信息技术光电技术新能源技术以及国防技术中具有广泛的应用[4-7]。自20世纪80年代以来,人们开始关注Zn O薄膜。相比氧化铟锡(ITO)而言,ZnO具有原材料廉价无毒沉积温度低等优点,并且在H2等离子体环境下具有更好的稳定性尽管ITO薄膜目前仍是工业化应用最多的透明导电材料,但研究表明,在ZnO中通过掺杂Al、Ga、In等元素能有效提高薄膜光电性能,未来有望替代ITO成为最具竞争力的透明导电材料早期研究者大多在硬质材料衬底如硅片玻璃陶瓷上制备ZnO基透明导电薄膜。然而,科学技术的发展,越来越多的电子器件开始朝柔性化超薄化方向发展,比如触摸屏太阳能电池等,使得对柔性透明导电薄膜的需求日益迫切柔性透明导电薄膜有许多独特优点,例如可绕曲质量小不易碎易于大面积生产成本低便于运输等。因此,开发具有实用前景并且性能优异的柔性透明导电薄膜具有非常重要的现实意义。 1.ZnO基本特征 氧化锌(ZnO, Zinc Oxide)是一种新型的宽带隙II-VI 族化合物半导体材料,兼具有光电、压电、热电以及铁电等特性,可以方便地制备成薄膜以及各种形态的纳米结构。ZnO主要有四方岩盐矿立方闪锌矿和六方纤锌矿3种结构,通常情况下以纤锌矿结构存在,属六方晶系热稳定性好熔点1975℃,常温下禁带宽度为3.37eV对应于近紫外光阶段,作为一种压电材料,具有激活能大(60 meV)、压电常数大、发光性能强、热电导高等特点[8]。ZnO存在很多浅施主缺陷主要有氧空位V0和锌间隙Zni,使得ZnO偏离化学计量比表现为n型本身就有透明导电性,但高温下400K电稳定性不好同时红外反射率较低。 ZnO有较大的耦合系数;ZnO中掺杂Li 或Mg 时可作为铁电材料;ZnO与Mn元素合金化后是一种具有磁性的半导体材料;高质量的单晶或纳米结构ZnO可用于蓝光或紫外发光二极管(LEDs)和激光器(LDs);通过能带工程,如在ZnO中掺入适量的MgO或CdO形成三元合金,可以实现其禁带宽度在2.8~4.0 eV 之间的调控。通过掺杂III 族元素(B、Al、Ga、In、Sc、Y)或IV 族元素(Si、Ge、Ti、Zr、Hf)以及VII 族元素(F)之后,ZnO有优良的导电性,同时也有可见光高透过性,可用作透明导电氧化物薄膜材料,应用于平板显示器、薄膜太阳电池等多个领域[9]。ZnO基薄膜在氢等离子气氛下的化学稳定性良好,并且原材料丰富、价廉、无毒,所以近年来ZnO基透明导电薄膜被研究应用于薄膜太阳电池的透明电极[10]。 2.透明导电薄膜

薄膜面板开关按键技术资料

薄膜面板开关按键技术资料 薄膜开关、薄膜面板是近年来国际流行的一种集装饰性与功能性为一体的电子整机产品的新的操纵系统,已成为我国电子产品升级换代、出口产品不可缺少的配套部件。 薄膜开关、面板集开关按键、面板功能文字、标记、商标、透明窗及显示于一体,并且采用多层整体密封结构。因此它具有耐磨擦、防水、防尘、防有害气体、寿命长、性能稳定等特点。为了整机的整洁,面板可以擦洗,字符不受损伤,色彩丰富、保新性好,安装方便。不仅如此,薄膜开关、面板的应用,更能充分体现产品功能与色彩独具匠心的构思,以提高产品的外观质量和增加产品的时代气息。 薄膜开关、面板已广泛用于智能化电子测量仪器、医疗仪器计算机控制、数控机床、电子衡器、邮电通讯、复印机、电冰箱、微波炉、电风扇、洗衣机、电子游戏机等各类工业及家用电器产品。 薄膜开关

薄膜面板

薄膜面板 薄膜面板是一种由弹性薄膜(PVC/PC/PET)加工而成的具有一定功能字符指示的装饰性面板,具有防水、防尘、耐摩擦、不褪色等优良特点,目前广泛用于家用电器、通讯设备、

仪器仪表、工业控制等领域。 薄膜面板的印刷工艺要分为正面和反面印刷,分别应用于不同材质和类型的薄膜面板上。大致可以分为平面类和压鼓类。 平面类薄膜面板是最简单的面板类型,主要是用不同颜色的文字、线条、色块对各个功能部位加以指示或加以区分,用户可以根据自身的需要来选择不同的薄膜材料及双面胶。 压鼓类薄膜面板是在平面型薄膜面板的基础上新开发出的一种较为美观而且实用的面板。它的制作流程是,是在普通面板的基础上,通过一种压制模具,将面板经过热压后使按键部位微微凸起形成立体按键。这种立体键不仅能准确地给定键体的范围,提高辨认速度,使操作者的触觉比较敏感,同时还增进了产品外观的装饰效果。 制作面板的薄膜应当具备哪些条件? 面板薄膜是将彩色油墨丝印至透明高分子聚合物背面,一旦丝印完成并切割成形,此层就成为彩色面膜层。面膜层为薄膜开关的组成部分,它能清楚地显示开关的功能、显示颜色、面膜类型以及开关的操作位置,它还能起保护作用。 作为薄膜开关的面板,它主要担负着产品外观的装饰与防护作用,因此用于制作面板的薄膜,至少应具备以下条件: ①良好的外观:指制作面板的薄膜表面平整、光泽一致,没有机械性损伤、划痕、夹杂物及色斑等表面缺陷。 ②较好的耐候性:面板层是薄膜开关曝露在自然环境中的表面层,其面板材料要能在一定自然环境条件下,不变形、开裂、老化和变色等。 ③较好的耐化学性:面板层将有可能触及不同的化学药品,但对常见的大多数化学品而言,如醇类、醚类、矿物油类应有一定的耐受能力。 ④尺寸稳定性好:要求制作面板的薄膜,在一定的温度范围内(一般为-40℃~55℃)尺寸尺寸无明显变化。 ⑤弹性要求:要求面板层薄具有一定回弱性能,同时,弹性变形要小,可以用材料的延伸率判断,一般来说延伸率大,弹性变形量也大,加弹性能就差。 根据上述要求,常用于面板的薄膜通常有聚碳酸酯(PC)、聚氯乙烯(PE)、聚酯及聚胺酯等几种薄膜。 如何选择薄膜面板的用材品种?

半导体的导电特性(精)

自然界的各种物质就其导电性能来说,可以分为导体、绝缘体和半导体三大类。 半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间,如硅、锗等,它们的电阻率通常在之间。半导体之所以得到广泛应用,是因为它的导电能力受掺杂、温度和光照的影响十分显著。如纯净的半导 体单晶硅在室温下电阻率约为,若按百万分之一的比例 掺入少量杂质(如磷)后,其电阻率急剧下降为,几乎降低了一百万倍。半导体具有这种性能的根本原因在于半导体原子结构的特殊性。 1.1.1 本征半导体 图1.1.1 硅原子的简化模型 常用的半导体材料是单晶硅(Si)和单晶锗(Ge)。所谓单晶,是指整块晶体中的原子按一定规则整齐地排列着的晶体。非常纯净的单晶半导体称为本征半导体。

1.本征半导体的原子结构 半导体锗和硅都是四价元素,其原子结构示意图如图1.1.1所示。它们的最外层都有4个电子,带4个单位负电荷。通常把原子核和内层电子看作一个整体,称为惯性核。惯性核带有4个单位正电荷,最外层有4个价电子带有4个单位负电荷,因此,整个原子为电中性。 2.本征激发 在本征半导体的晶体结构中,每一个原子与相邻的四个原子结合。每一个原子的价电子与另一个原子的一个价电子组成一个电子对。这对价电子是每两个相邻原子共有的,它们把相邻原子结合在一起,构成所谓共价键的结构,如图1.1.2所示。 图 1.1.2 本征硅共价键结构 一般来说,共价键中的价电子不完全象绝缘体中价电子所受束缚那样强,如果能从外界获得一定的能量(如光照、升温、电磁场激发等),一些价电子就可能挣脱共价键的束缚而成为自由电子,将这种物理现象称作为本征激发。 理论和实验表明:在常温(T=300K)下,硅共价键中的价电子只要获得大于电离能E G(=1.1eV)的能量便可激发成为自由电子。本征锗的电离能更小,只有0.72eV。 当共价键中的一个价电子受激发挣脱原子核的束缚成为自由电子的同时,在共价键中便留下了一个空位子,称“空穴”。当空穴出现时,相邻原子的价电子比较容易离开它所在的共价键而填补到这个空穴中来使该价电子原来所在共价键中出现一个新的空穴,这个空穴又可能被相邻原子的价电子填补,再出现新的空穴。价电子填补空穴的这种运动无论在形式上还是效果上都相当于带正电荷的空穴在运动,且运动方向与价电子运动方向相反。为了区别于自由电子的运动,把这种运动称为空穴运动,并把空穴看成是一种带正电荷的载流子。 在本征半导体内部自由电子与空穴总是成对出现的,因此将它们称作为电子-空穴对。当自由电子在运动过程中遇到空穴时可能会填充进去从而恢复一个共价键,与此同时消失一个“电子-空穴”对,这一相反过程称为复合。 在一定温度条件下,产生的“电子—空穴对”和复合的“电子—空穴对”数量相等时,形成相对平衡,这种相对平衡属于动态平衡,达到动态平衡时,“电子-空穴对”维持一定的数目。 可见,在半导体中存在着自由电子和空穴两种载流子,而金属导体中只有自由电子一种载流子,这也

导电性参数_Copper

Material Resistivity Reference Notes (% IACS)(S i emens/m)(Ohm-m) (See End Note) Copper and Copper Alloys by Copper Alloy Number Pure (annealed) 100.00 5.800E+07 1.724E-08ECTM C10100, C10200101.00 1.710E-08MHASM2 C10300-O6199.00 1.740E-08MHASM2 C10400, C10500, C10700 (O61 temper)100.00 1.720E-08MHASM2 C10800-O6192.00 1.870E-08MHASM2 C11000-O60100-101.5 1.700E-8--1.724E-8MHASM2 C11000-H1497.00 1.780E-08MHASM2 C11100100.00 1.720E-08MHASM2 C11300, C11400, C11500, C11600100.00 1.720E-08MHASM2 C12500, C12700, C12800, C12900, C13000 (annealed)98.00 1.760E-08MHASM2 C1430096.00 1.800E-08MHASM2 C1431085.00 2.030E-08MHASM2 C1450093.00 1.860E-08MHASM2 C14700-O6195.00 1.810E-08MHASM2 C1500093.00 1.860E-08MHASM2 C15100 (annealed)95.00 1.810E-08MHASM2 C15100 (rolled)90.00 1.920E-08MHASM2 C15500 (annealed)91.00 1.900E-08MHASM2 C1571090.00 1.920E-08MHASM2 C1572089.00 1.940E-08MHASM2 C1620090.00 1.920E-08MHASM2 C17000-TB00 (strip)28-33 5.2E-8--6.2E-8MHASM2resistivity converted from conductivity C17000-TB00 (rod, bar, plate tubing, forgings)17-199.1E-8--1.0E-7MHASM2resistivity converted from conductivity C17000-TB00 (billet)13-189.6E-8--1.3E-7MHASM2resistivity converted from conductivity C17000-TD01 (strip)29-34 5.0E-8--5.9E-8MHASM2resistivity converted from conductivity C17000-TD02 (strip)32-38 4.5E-8--5.4E-8MHASM2resistivity converted from conductivity C17000-TD04 (strip)35-39 4.4E-8--4.9E-8MHASM2resistivity converted from conductivity C17000-TD04 (rod, bar, plate tubing)15-17 1.0E-7--1.1E-7MHASM2resistivity converted from conductivity C17000-TF00 (strip)35-39 4.8E-8--4.8E-8MHASM2resistivity converted from conductivity C17000-TF00 (rod, bar, plate tubing, forgings)22-25 6.9E-8--7.8E-8MHASM2resistivity converted from conductivity C17000-TF00 (billet)18-25 6.9E-8--9.6E-8MHASM2resistivity converted from conductivity C17000-TH01 (strip)36-41 4.1E-8--4.8E-8MHASM2resistivity converted from conductivity C17000-TH02 (strip)36-42 3.8E-8--4.5E-8MHASM2resistivity converted from conductivity C17000-TH04 (strip)38-45 4.7E-8--5.2E-8MHASM2resistivity converted from conductivity C17000-TH04 (rod, bar, plate tubing)22-25 6.9E-8--7.8E-8MHASM2resistivity converted from conductivity C17000-TM00 (strip)33-37 4.5E-8--5.1E-8MHASM2resistivity converted from conductivity C17000-TM01 (strip)34-38 4.4E-8--4.9E-8MHASM2resistivity converted from conductivity C17000-TM02 (strip)35-39 4.3E-8--4.8E-8MHASM2resistivity converted from conductivity C17000-TM04 (strip)36-40 4.1E-8--4.7E-8MHASM2resistivity converted from conductivity C17000-TM06 (strip)37-42 4.1E-8--4.7E-8MHASM2resistivity converted from conductivity C17000-TM08 (strip)33-45 3.8E-8--5.2E-8MHASM2resistivity converted from conductivity C17000 as-cast (billet)16-227.8E-8--1.1E-7MHASM2resistivity converted from conductivity Conductivity Conductivity and Resistivity Values for Copper & Alloys

【开题报告】ZnO-SnO2透明导电薄膜光电特性研究

开题报告 电气工程与自动化 ZnO-SnO2透明导电薄膜光电特性研究 一、选题的背景与意义: 随着电子信息产业的迅猛发展,透明导电薄膜材料被广泛应用于半导体集成电路、平面显示器、抗静电涂层等诸多领域,市场规模巨大。 1. 透明导电薄膜的概述 自然界中往往透明的物质不导电,如玻璃、水晶、水等,导电的或者说导电性好的物质往往又不透明,如金属材料、石墨等。但是在许多场合恰恰需要某一种物体既导电又透明,例如液晶显示器、等离子体显示器等平板显示器和太阳能电池光电板中的电极材料就是需要既导电又透明的物质。透明导电薄膜是薄膜材料科学中最重要的领域之一,它的基本特性是在可见光范围内,具有低电阻率,高透射率,也就是说,它是一种既有高的导电性,又对可见光有很好的透光性,而对红外光有较高反射性的薄膜。正是因为它优异的光电性能,它被广泛的应用在各种光电器件中,例如:平面液晶显示器(LCD),太阳能电池,节能视窗,汽车、飞机的挡风玻璃等。自从1907年Badeker制作出CdO透明导电薄膜以后,人们先后研制出了In2O3,SnO2,ZnO等为基体的透明导电薄膜。目前世界研究最多的是掺锡In2O3(简称ITO)透明导电薄膜,掺铝ZnO(简称AZO)透明导电薄膜。同时,人们还开发了CdInO4、Cd2SnO4、 Zn2SnO4等多元透明氧化物薄膜。 2. SnO2基薄膜 SnO2(Tin oxide,简称TO)是一种宽禁带半导体材料,其禁带宽度Eg=3.6eV,n 型半导体。本征SnO2薄膜导电性很差,因而得到广泛应用的是掺杂的SnO2薄膜。对于SnO2来说,五价元素的掺杂均能在禁带中形成浅施主能级,从而大大改善薄膜的导电性能。目前应用最多、应用最广的是掺氟二氧化锡(SnO2:F,简称FTO)薄膜和掺锑二氧化锡(SnO2:Sb,简称ATO)薄膜。SnO2:Sb薄膜中的Sb通常以替代原子的形式替代Sn的位置。掺杂Sb浓度不同,电阻率不同,最佳Sb浓度为0.4%-3%(mol)的范围对应电阻率为10-3Ω·cm,可见光透过率在80%-90%。SnO2:F薄膜热稳定性好、化学稳定性好、硬度高、生产设备简单、工艺周期短、原材料价格廉价、生产成本

薄膜开关的制作过程

薄膜开关的制作过程 一、薄膜开关的由来与分类: 1、由来: 1)、图形是制作在薄膜基材上,整个元器件是一个开关功能,由此而称为薄膜开关,英文名为MEMBRANE SWITCHES。 2)、由几层不同材质薄膜粘合成成品,厚度为1、2~2、5MM左右,外观如板状,兼有面板和开关的双重作用,所以又称面板开关,英文名PANEL SWITCHES,或称为薄板开关。 3)、由于这种开关动作行程短,仅为0.25~0.5MM左右,开关按压力为0.5~1N,较敏感,手轻触就完成开关作用,故又称触摸开关,或轻触键盘。 2、分类: 1)、按电路基材分为柔性板和硬性板 2)、按面板外形分为平面式或立体式

3)、按操作感受分为无感式和有感式 4)、按特殊用途分为透明式和指触膜屏式 5)、按结合方式分面板与分立件和键帽与键盘 6)、这里我们只对柔性板薄膜开关(R)的片材和印料的使用进行讨论。 二、薄膜开关结构形式和目前常用的R结构 1、结构:有柔性板(R)和硬性板(Y) 1)、R结构:薄膜开关的面板层,隔离层,电路层全部由各种不同性质的软性薄膜如:PET,PC,PVC组成。 2)、Y结构:开关的图形和线路分别是制作在普通双面印刷线路复铜板两面,通过金属化孔,将两面线路沟通,并在其背面焊接元件,用金属导片作为导通迷宫触盘的触点,接擦件用扁平电缆引线绕成。 3、薄膜开关中用的薄膜片材

面板用材:英国柯图泰与三和国际合作的AUTOTEX产品,厚度有不同的规格,有(厚度0.12~0.25UM)面板用材。 砂面PET有:F系列(细砂面),V系列(粗砂面)。具备可打凸,两面经过特殊化学处理的好极性片材,砂面可印透明窗口液,光面可印PVC,PC类油墨。 硬涂层化学处理的PET:EBG(光面)系列EBA(雾面)系列 硬涂层的PC片有不同规格:AUTOFLEXPCG(光面)AUTOFLEXPCA(雾面) 电路层用片材:有:AUTOTEX产品特殊PET。 经热稳定及防收缩处理和粘连处理的光面PET片材,有AUTOSTATCT3,CT4,CT5,CT7,厚度分别为25,100,125UM。 经热稳定及防收缩处理和粘连处理的雾状PET片材,为HT5,厚度为125UM。

石墨烯透明导电薄膜应用

石墨烯透明导电薄膜应用 摘要:简要概述了石墨烯透明导电薄膜的结构与性质、几种常见的石墨烯透明导电薄膜的制备方法以及杭州驰飞超声波设备有限公司(以下简称“驰飞超声波”)探索的新型石墨烯透明导电薄膜制备方法,对石墨烯透明导电薄膜的研究现状进行评述,并展望了新型石墨烯透明导电薄膜制备方法在石墨烯领域的应用前景与发展趋势。 关键词:驰飞超声波;超声波纳米制备装置;石墨烯;透明导电薄膜 透明导电薄膜应用十分广泛,主要应用在便携式电子器件、显示器、柔性电子器件、电致变色视窗、太阳能电池以及薄膜晶体管等。目前研究和应用最广泛的是金属氧化物透明导电薄膜(TCO),但随着光电器件转向微型化、轻便化、高集成和高灵敏发展,TCO在蓝光和近红光区域内吸收系数大、成本高、易碎性、离子扩散以及稀有金属资源限制等缺点成为其发展的瓶颈。 而石墨烯具有传统材料不可比拟的优点:第一,石墨烯有完美的杂化结构,大的共轭体系使其电子传输能力很强,而且合成石墨烯的原料可以是天然石墨,层状石墨烯的提纯相比碳纳米管成本低很多;第二,石墨烯中的电子和空穴相互分离,电子在石墨烯中的传输阻力很小,迁移率能达到光速的1/300,能大大提高运行处理速度,另外,石墨烯具有高热导性能,可以很快在柔性基底应用中,高化学稳定性和强机械性能方面比传统TCO材料更有优势。因此石墨烯不论从化学稳定性、柔韧性、导电性、透明性、导热性还是从原料成本方面考虑都被认为是最有前途的透明导电薄膜的材料之一。 从发现稳定存在的石墨烯到现在,石墨烯在制备方面取得了长足的进步,目前的研究热点已经从获得石墨烯发展到可控地制备石墨烯,如控制石墨烯的形状、尺寸、层数、元素掺杂和聚集形态等。以发展出的制备石墨烯透明导电薄膜的方法很多,主要包括氧化石墨法、剥离石墨法、化学气相沉积法和复合材料法等。但是这四种方法都存在问题,例如不适合大

第6章半导体导电性作业

第六章 半导体导电性作业 1. 一块n 型硅半导体,其施主浓度315/10cm N D =,本征费米能级i E 在禁带正中,费米能级F E 在i E 之上eV 29.0处,设施主电离能eV E D 05.0=?,试计算在K T 300=时,施主能级上的电子浓度。 2. 一块n 型硅材料,掺有施主浓度315/105.1cm N D ?=,在室温(K T 300=)时本征载流子浓度312/103.1cm n i ?=,求此时该块半导体材料的多数载流子浓度和少数载流子浓度。 3.一硅半导体含有施主杂质浓度315/109cm N D ?=,和受主杂质浓度316/101.1cm N A ?=,求在K T 300=时(310/103.1cm n i ?=)的电子和空穴浓度以及费米能级位置。

4. 若锗在300=T K 时,319101.1-?=cm N C ,3191051.0-?=cm N V ,禁带宽度为67.0=g E eV ,试计算: (1)电子和空穴的有效质量*e m 和*h m ; (2)300=T K 时的本征载流子浓度; (3)在77K 时的,C N ,V N 及本征载流子浓度(77=T K 时,70.0=g E eV )。

5、试用能带论解释为何固体有导体,半导体和绝缘体之分? 晶体电子的状态由分立的原子能级分裂为能带,电子填充能带的情况分为满带、不满带和空带,对于半导体和绝缘体,只存在满带和空带,最高满带称价带,最低满带称导带,导带与价带之间的间隔称带隙,一般绝缘体带隙较大,半导体带隙较小。 对于导体,出满带和空带外,还存在不满带,即导带。满带电子不导电,而不满带中的电子参与导电。半导体的带隙较小,价带电子受到激发后可以跃迁至导带参与导电,绝缘体的带隙较大,价电子须获得很大的能量才能激发,故一般情况下,不易产生跃迁现象。

三水区简介

三水区基本概况: 三水区,广东省第三大城市 —佛山市五个区之一。位于广东 省中部,珠江三角洲西北端;广 佛同城化的西北边界、广佛肇经 济圈的中部,是佛山市与肇庆市 联系的重要核心城市之一;邻近 广东省省会——广州市,中华人 民共和国经济特区——深圳市、 珠海市,中华人民共和国特别行 政区——香港、澳门,是广东省 著名侨乡之一。明朝嘉靖五年 (1526年),建置三水县。1959年3月2日,三水县并入南海县;1960 年9月30日,恢复三水县建制;1993年3月29日,三水撤县设市(县级市);2002年12 月,三水撤市设区,2003年1月8日,正式挂牌成 立,成为佛山市五个辖区之一。区域形状狭长, 南北最长为68公里,东西最宽为30.1公里。地 势自西北向东南倾斜,西北多高丘,最高峰西平 岭海拔591米,东南多冲积平原及低丘;中国第 三大河流——珠江的两大支流北江、西江与绥江 汇流三水,三水也因三江汇流而得名。 三水现为佛山市五个辖区之一,位于广东省中部,珠江三角洲的西北端,邻近广州、肇庆,是佛山市与肇庆市联系的重要核心城市。区域形状狭长,地势自西北向东南倾斜,西北多山丘,东南多为冲击平原及丘陵。中国第三大河——珠江的两大支流北江、西江与绶江在此交汇,因此而得名“三水”。 三水交通: 三水水陆交 通方便,古时, 境内河网纵横, 水运发达,而陆 路交通甚为落 后。改革开放后 水陆交通齐发 展,尤其是道路 建设,公路网络 四通八达。 建国前,三水的交通运输业以铁路运输和水路运输为主,全县只有一条从西南到芦苞,全程29公里单车道的简易公路,营运客车只有2辆。 建国后,党和政府大力发展交通运输事业,大兴道路、桥梁、渡口建设。首先扩宽芦西

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