电力电子技术复习题3.0(已补答案)..

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一、填空题

1、写出下列电力电子器件的简称:电力晶体管GTR;可关断晶闸管GTO ;功率场效应晶体

管MOSFET;绝缘栅双极型晶体管IGBT。

2、双向晶闸管的图形符号是;3个电极分别是第一阳极T1,第二阳极

T2,

门极G。

3、晶闸管在其阳极与阴极之间加上正向电压的同时,门极上加上触发电压,晶闸管就导通。

4、从晶闸管开始承受正向电压起到晶闸管导通之间的电角度称为控制角,用

5、普通晶闸管的图形符号是,三个电极分别是阳极

A,阴极K和门极G。

6

7、在单相交流调压电路中,负载为电阻性时移相范围是0→π,负载是阻感性时移相范围

是。

8、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管、它的额定电压为800伏、

额定有效电流为100 安。

9、KP5-7E表示额定电流为5A,额定电压为是700V的普通晶闸管。

10、只有当阳极电流小于最小维特电流时,晶闸管才会由导通转为截止。

11、整流是把交流电变换为直流电的过程;逆变是把直流电变换为交流电的过程。

12、逆变电路分为有源逆变电路和无源逆变电路两种。

13、逆变角β与控制角α之间的关系为α=π- β。

14、三相半波可控整流电路,输出到负载的平均电压波形脉动频率为150 H Z;

三相全控桥整流电路,输出到负载的平均电压波形脉动频率为300 H Z。

15、KP50-7表示额定电流为50A,额定电压为是700 V的普通晶闸管。

16、三相桥式全控整流电路是由一组共阴极三只晶闸管和一组共阳极的三只晶闸管

串联后构成的,晶闸管的换相是在同一组内的元件进行的。每隔60度换一次相,在电流连续时

每只晶闸管导通120度。要使电路工作正常,必须任何时刻要有两只晶闸管同时导通,

一个是共阴极的,另一个是共阳极的元件,且要求不是在同一桥臂上的

两个元件。

17、请在正确的空格内标出下面元件的简称:电力晶体管;可关断晶闸管;功率场效

应晶体管;绝缘栅双极型晶体管。(与第一题重复)

二、判断题

1、双向晶闸管和普通晶闸管一样,额定电流也用通态电流平均值表示。(?)

2、逆变失败,是因主电路元件出现损坏,触发脉冲丢失,电源缺相,或是逆变角太小造成

的。(?)

3、有源逆变指的是把直流电能转变成交流电能送给负载。(?)

4、变流装置其功率因数的高低与电路负载阻抗的性质,无直接关系。(?)

5、KP2—5表示的是额定电压200V,额定电流500A的普通型晶闸管。(?)

6、有源逆变指的是把直流电能转变成交流电能送给负载。 ( ? )

7、只要让加在晶闸管两端的电压减小为零,晶闸管就会关断。(?)

8、绝缘栅双极型晶体管具有电力场效应晶体管和电力晶体管的优点。(?)

9、给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。(?)

10、增大晶闸管整流装置的控制角α,输出直流电压的平均值会增大。(?)

11、普通晶闸管外部有三个电极,分别是基极、发射极和集电极。(?)

12、双向晶闸管的结构与普通晶闸管不一样,它是由五层半导体材料构成的。(?)

13、普通晶闸管的通态电流(额定电流)是用电流的最大值来表示的。(?)

14、直流斩波电路只能实现降低输出直流电压的作用。(?)

15、绝缘栅双极型晶体管具有电力场效应晶体管和电力晶体管的优点。(?)

16、普通晶闸管外部有三个电极,分别是阳极、阴极和门极。(?)

17、KP5—5表示的是额定电压500V,额定电流500A的普通型晶闸管。(?)

18、双向晶闸管的额定电流是用电流有效值来表示的。(?)

19、无源逆变指的是不需要逆变电源的逆变电路。(?)

20、三相桥式全控整流电路,输出电压波形的脉动频率是150H Z。(?)

三、简答题

1、晶闸管与普通二极管、晶体管在控制上有什么区别?使晶闸管导通和关断的条件是什么?

晶闸管(也称可控硅)与普通二极管的最大区别就是可控硅有一个控制极,在可控硅连接正向电压后,控制极如果得到一个适合的导通电压(一般是0.6V左右),该可控硅就会导通并保持,控制极失去电压后可控硅就会关断。

2、试说明IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET各自的优缺点。

答:IGBT开关速度高,开关损耗小,具有耐脉冲电流冲击的能力,通态压降较低,输入阻抗高为电压驱动,驱动功率小。开关速度低于电力MOSFET,电压,电流容量不及GTO。

GTR耐压高,电流大,开关特性好,通流能力强,饱和压降低。开关速度低,为电流驱动,所需驱动功率大,驱动电路复杂,存在二次击穿问题。

GTO电压、电流容量大,适用于大功率场合,具有电导调制效应,其通流能力很强。电流关断增益很小,关断时门极负脉冲电流大,开关速度低,驱动功率大,驱动电路复杂,开关频率低。

电力MOSFET开关速度快,输入阻抗高,热稳定性好,所需驱动功率小且驱动电路简单,工作频率高,不存在二次击穿问题。电流容量小,耐压低,一般只适用于功率不超过 10kW的电力电子装置。

3、比较说明交-直-交变频电路和交-交变频电路的优缺点及应用场合?P131

4、使变流器工作于有源逆变状态的条件是什么?

①直流侧要有电动势,其极性须和晶闸管的导通方向一致,其值应大于变流电路直流侧的平均电压;②要求晶闸管的控制角α>π/2,使Ud为负值。

5、单相桥式全控整流电路、三相桥式全控整流电路中,当负载分别为电阻负载或电感负载时,要求

的晶闸管移相范围分别是多少?

答:单相桥式全控整流电路,当负载为电阻负载时,要求的晶闸管移相范围是0 ~ 180°,当负载为电感负载时,要求的晶闸管移相范围是0 ~ 90°。

三相桥式全控整流电路,当负载为电阻负载时,要求的晶闸管移相范围是0 ~ 120°,当负载为电感负载时,要求的晶闸管移相范围是0 ~ 90°。

6、维持晶闸管导通的条件是什么?怎样才能使晶闸管由导通变为关断?

答:维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流,即维持电流。

要使晶闸管由导通变为关断,可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下,即降到维持电流以下,便可使导通的晶闸管关断。

7、简述说明斩波电路的3种电压控制方式?

1)保持开关周期T不变,调节开关导通时间ton不变,称为脉冲宽度调制(PWM)。

2)保持开关导通时间ton不变,改变开关周期T,称为脉冲频率调制(PFM)。

3)ton和T都可调,使占空比改变,称为混合型。

8、什么叫有源逆变?什么叫无源逆变?P54 9、简述电压源型变频电路的主要特点。P139 10、电力变换的种类有哪几种?

整流、逆变、斩波、变频

11、什么是逆变失败?如何防止逆变失败?

逆变运行时,一旦发生换流失败,外接的直流电源就会通过晶闸管电路形成短路,或者使变流器的输出平均电压和直流电动势变为顺向串联,由于逆变电路内阻很小,形成很大的短路电流,称为逆变失败或逆变颠覆。

防止逆变失败的方法有:采用精确可靠的触发电路,使用性能良好的晶闸管,保证交流电源的质量,留出充足的换向裕量角β等。

12、对晶闸管的触发电路有哪些要求?

1、触发电路输出的脉冲必须具有足够的功率

2、触发脉冲必须与晶闸管的主电压保持同步

3、触发脉冲能满足主电路移相范围的要求

4、触发脉冲要具有一定的宽度,前沿要陡

13、试简述Buck-Boost 电路同Cuk 电路的异同。

答:这两种电路都有升降压变换功能,其输出电压与输入电压极性相反,而且两种电路的输入、输出关系式完全相同,Buck-Boost 电路是在关断期内电感L 给滤波电容C 补充能量,输出电流脉动很大,而Cuk 电路中接入了传送能量的耦合电容C1,若使C1足够大,输入输出电流都是平滑的,有效的降低了纹波,降低了对滤波电路的要求。

14、简述电流源型变频电路的主要特点。P140 15、什么叫整流?什么叫逆变?

交流电能转换为直流电能。直流电能转换为交流电流。

四、计算题

下图a )b )c )阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形,各波形的电流最大值均为I m ,试写出各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值I 1、I 2、I 3的表达式。

00

π5

π5

π2

6π5a)

b)

c)

五、分析计算题

1、(1)简述下图所示的降压斩波电路工作原理。P101

(2)上图所示的降压斩波电路中,已知E=200V,R=10Ω,L值极大,E M=30V,T=50μs,t on=20μs,计算输出电压平均值Uo,输出电流平均值Io。

2、单相全控桥式带电阻负载时的电路,如图所示,分析说明其控制过程,并画出一个周期内直流输出电压u d、晶闸管VT1,4电压及变压器二次侧电流i2的波形。

T

i2

a

V

T

1

V

T

3

i d

R

π

u1u2

a)

b

V

T

2

V

T

4

u d

ωt

ωt

ωt 0

i2

u d

c)

d)

e)

αα

u VT

1,4

ωt 0

u

2

b)

3、(1)简述下图所示的升压斩波电路工作原理。P104

(2)上图所示的降压斩波电路中,,已知E=50V,L值和C值极大,R=20Ω,当T=40μs,t on=25μs 时,计算输出电压平均值Uo,输出电流平均值Io。

4、单相半波可控整流电路如图所示,分析说明其控制过程,并画出一个周期内触发角为α时输出直

流电压Ud和晶闸管VT的电压波形。并求出当触发角为α=60?时输出电压的平均值。

T

R

a)

u 1

i d

b)

c)

d)

e)

5、一台工业电炉(电阻性负载)原由额定电压为单相交流220V供电,额定功率为10千瓦。现改用双向晶闸管组成的单相交流调压电源供电,如果正常工作时负载只需要5千瓦。根据题意画出此双向晶闸管的单相交流调压电路。回答下列问题:(图为课本P117图6-3(b))

(1)双向晶闸管的触发角α应为多少度?

(2)试求此时的电流有效值。

(3)求电源侧的功率因数。

6、试简述下图Cuk斩波电路的基本原理。P107

7、调压范围为0-30V 的直流电源,采用三相半波可控整流电路带电阻负载,输出电流最大100A ,

求:

(1)整流变压器二次侧相电压有效值。 (2)计算输出电压为10V 时的α角。 (3)选择晶闸管的型号。

R

C

L 1L 2

《数字电路》期末模拟试题及答案

. 一、填空题 1. PN 结具有单向导电性。正向偏置时,多子以扩散运动为主,形成正向电流;反向 偏置时,少子漂移运动,形成反向饱电流。 2. 双极型晶体三极管输出特性曲线的三个工作区是放大区、截止区、饱和区。 3. 已知三态与非门输出表达式C AB F ?=,则该三态门当控制信号C 为高电平时, 输出为高阻态。 4. 十进制数211转换成二进制数是(11010011)2;十六进制数是(D3)16。 5. 将若干片中规模集成电路计数器串联后,总的计数容量为每片计数容量的乘积。 6. 若用触发器组成某十一进制加法计数器,需要四个触发器,有五个无效状态。 7. 同步RS 触发器的特性方程为n 1n Q R S Q +=+;约束方程为RS=0 。 8. 下图所示电路中,Y 1 =B A Y 1= 2Y 3 =AB Y 3= 二、选择题 1. 下列函数中,是最小项表达式形式的是____c _____。 A. Y=A+BC B. Y=ABC+ACD C. C B A C B A Y +?= D. BC A C B A Y +?= 2. 要实现n 1n Q Q =+,JK 触发器的J 、K 取值应为__d ___。 A . J=0,K=0 B. J=0,K=1 C. J=1,K=0 D. J=1,K=1 3.数值[375]10与下列哪个数相等_b __。 A . [111011101]2 B. [567]8 C. [11101110]BCD D. [1F5]16 4.属于组合逻辑电路的是_____b ______ A . 触发器 B. 全加器 C. 移位寄存器 D. 计数器 5.M 进制计数器状态转换的特点是:设定初态后,每来_c __个计数脉冲CP ,计数器重 新 B 2 B V CC Y 1

电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)

电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__,而当器件开关频率较高 时,功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统,一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成, 由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _ 双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基 二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 | 9.对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为,UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系, 其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE(th)随温度升高而_略有下降__,开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数,在1/2或1/3额定电流以 上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属 于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _;属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _,属于双 极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _,属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _;在可控的器件中,容量最大的是_晶闸管_,工作频率最高的是_电力MOSFET,属于电压驱动 的是电力MOSFET 、IGBT _,属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 . 第2章整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变,在单相半波可控整流带阻感负载并联续 流二极管的电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ,其承受的最大正反向电压均为___,续流二极管承受的最大反向电压为___(设U2为相电压有效值)。 3.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α角移相范围为__0-180O _,单个晶闸管 所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 和_;带阻感负载时,α角移相范围为_0-90O _, 单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为___和___;带反电动势负载时,欲使电阻上的电流不出现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 4.单相全控桥反电动势负载电路中,当控制角α大于不导电角时,晶闸管的导通角=_π-α-_; 当控制角小于不导电角时,晶闸管的导通角=_π-2_。

数字电子技术试题及答案(题库)

《数字电子技术》试卷 姓名:__ _______ 班级:__________ 考号:___________ 成绩:____________ 1. 有一数码10010011,作为自然二进制数时,它相当于十进制数( ),作为8421BCD 码时,它相当于 十进制数( )。 2.三态门电路的输出有高电平、低电平和( )3种状态。 3.TTL 与非门多余的输入端应接( )。 4.TTL 集成JK 触发器正常工作时,其d R 和d S 端应接( )电平。 5. 已知某函数??? ??+??? ??++=D C AB D C A B F ,该函数的反函数F =( ) 。 6. 如果对键盘上108个符号进行二进制编码,则至少要( )位二进制数码。 7. 典型的TTL 与非门电路使用的电路为电源电压为( )V ,其输出高电平为( )V ,输出低电平为( )V , CMOS 电路的电源电压为( ) V 。 8.74LS138是3线—8线译码器,译码为输出低电平有效,若输入为A 2A 1A 0=110时,输出 01234567Y Y Y Y Y Y Y Y 应为( )。 9.将一个包含有32768个基本存储单元的存储电路设计16位为一个字节的ROM 。该ROM 有( )根地址线,有( )根数据读出线。 10. 两片中规模集成电路10进制计数器串联后,最大计数容量为( )位。 11. );Y 3 =( )。

12. 某计数器的输出波形如图1所示,该计数器是( )进制计数器。 13.驱动共阳极七段数码管的译码器的输出电平为( )有效。 二、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) (在每小题列出的四个备选项中只有一个是最符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。) 1. 函数F(A,B,C)=AB+BC+AC 的最小项表达式为( ) 。 A .F(A,B,C)=∑m (0,2,4) B. (A,B,C)=∑m (3,5,6,7) C .F(A,B,C)=∑m (0,2,3,4) D. F(A,B,C)=∑m (2,4,6,7) 2.8线—3线优先编码器的输入为I 0—I 7 ,当优先级别最高的I 7有效时,其输出012Y Y Y ??的值是( )。 A .111 B. 010 C. 000 D. 101 3.十六路数据选择器的地址输入(选择控制)端有( )个。 A .16 B.2 C.4 D.8 4. 有一个左移移位寄存器,当预先置入1011后,其串行输入固定接0,在4个移位脉冲CP 作用下,四位数据的移位过程是( )。 A. 1011--0110--1100--1000--0000 B. 1011--0101--0010--0001--0000 C. 1011--1100--1101--1110--1111 D. 1011--1010--1001--1000--0111 5.已知74LS138译码器的输入三个使能端(E 1=1, E 2A = E 2B =0)时,地址码A 2A 1A 0=011,则输出 Y 7 ~Y 0是( ) 。 A. 11111101 B. 10111111 C. 11110111 D. 11111111 6. 一只四输入端或非门,使其输出为1的输入变量取值组合有( )种。 A .15 B .8 C .7 D .1 7. 随机存取存储器具有( )功能。 A.读/写 B.无读/写 C.只读 D.只写 8.N 个触发器可以构成最大计数长度(进制数)为( )的计数器。

数字电子技术模拟试题4

泰山学院课程考试专用 《数字电子技术》模拟试题 4 (试卷共8页,答题时间120分钟) 一、填空题(每空 1分,共 20 分。) 1、(33)10=( )16=( )2 2、若各门电路的输入均为A 和B ,且A=0,B=1;则与非门的输出为_________,或非门的输出为___ ___,同或门的输出为__ __。 3、一个数字信号只有 种取值,分别表示为 和 。 4、一个三态门如图1.4, 当E ′=__________时,Y=)('AB 。 5、某EPROM 有8位数据线、13位地址线,则其存储容量为 位。 6、若要构成七进制计数器,最少用 个触发器,它有 个无效状态。 7、多谐振荡器是一种波形 电路,它没有稳态,只有两个 。 8、A/D 转换的一般步骤包括 、 、 和 。 9、欲将触发器置为“1”态,应使D R '= , D S '= 。 二、选择题(每题 2分,共 20 分。请将答案填在下面的表格内)1、在不影响逻辑功能的情况下,CMOS 与非门的多余输入端可_______。 A.接高电平 B.接低电平 C.悬空 D.通过大电阻接地 2、下图中,满足Q * =1 的触发器是_____________。

3、由四个触发器构成十进制计数器,其无效状态有__________。 A.四个 B.五个 C.六个 D.十个 4、以下电路中,欲获得一个数字系统的时钟脉冲源,应采用____________。 A .D 触发器 B.多谐振荡器 C.单稳态触发器 D.施密特触发器 5、逻辑代数中有3种基本运算: 、 和 。 A. 或非,与或,与或非 B. 与非,或非,与或非 C. 与非,或,与或 D. 与,或,非 6、用555定时器构成的施密特触发器的回差电压可表示为 。 A. cc V 3 1 https://www.360docs.net/doc/613861904.html, V 3 2 C. V cc D. cc V 4 3 7、在下列门电路中,输出端不可以并联使用的是 。 A. 三态门 B.集电极开路门(OC 门) C.具有推挽输出结构的TTL 门电路 D.CMOS 传输门 8、某A/D 转换器有8路模拟信号输入,若8路正弦输入信号的频率分别为1KHz ,…,8KHz ,则该A/D 转换器的采样频率f s 的取值应为 。 A. f s ≤1KHz B. f s =8KHz C. f s ≥16KHz D. f s ≥2KHz 9、四位环形计数器的有效状态有 个。 A. 2 B. 4 C. 6 D. 8 10、下列电路中不属于时序逻辑电路的是 。 A.计数器 B. 全加器 C.寄存器 D.分频器 1、Y 1=A )('BC +AB C ' 2、Y 2(A ,B ,C ,D )=∑m (1,3,5,7,8,9)+∑d(11,12,13,15)四、1、电路如图4.1(a)所示,各电路的CP 、A 、B 、C 波形如图(b )所示。

电力电子技术期末考试试题及答案最新版本

电力电子技术试题
第 1 章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力 MOSFET)、绝缘 栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力 MOSFET 、 IGBT _;属于单极型电力电子器件的有_电力 MOSFET _,属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _,属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _;在可控的器件中,容量最大的是_晶闸管_,工作频率最高的是_电力 MOSFET,属于电压驱动的是电力 MOSFET 、IGBT _,属于电流驱动的是_晶闸管、
GTO 、GTR _。2、可关断晶闸管的图形符号是 ;电力场效应晶体管的图形符号是
绝缘栅双极晶体管的图形符号是
;电力晶体管的图形符号是

第 2 章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变,在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中,晶闸管控制角 α 的最大移相范围是__0-180O
_ ,其承受的最大正反向电压均为_ 2U2 __,续流二极管承受的最大反向电压为__ 2U2 _(设 U2 为相电压有效值)。
3.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α 角移相范围为__0-180O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 2 和_ 2U2 ;
带阻感负载时,α 角移相范围为_0-90O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 _和__ 2U2 _;带反电动势负载时,欲使电阻上的电
流不出现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。
5.电阻性负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压 UFm 等于__ 2U2 _,晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-150o_,使负载电流连
续的条件为__ 30o __(U2 为相电压有效值)。
6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _,当它带阻感负载时, 的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中,共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压,而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_
的相电压;这种电路
角的移相范围是_0-120o _,ud 波形连续的条件是_ 60o _。
8.对于三相半波可控整流电路,换相重迭角的影响,将使用输出电压平均值__下降_。
11.实际工作中,整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数,当
从 0°~90°变化时,整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而 _增大_,

从 90°~180°变化时,整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而_减小_。
12. 逆 变 电 路 中 , 当 交 流 侧 和 电 网 连 结 时 , 这 种 电 路 称 为 _ 有 源 逆 变 _ , 欲 实 现 有 源 逆 变 , 只 能 采 用 __ 全 控 _ 电 路 ; 对 于 单 相 全 波 电 路 , 当 控制 角
0<
<
时,电路工作在__整流_状态;
时,电路工作在__逆变_状态。
13.在整流电路中,能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等(可控整流电路均可),其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势,
其极性和晶闸管导通方向一致,其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角 a > 90O,使输出平均电压 Ud 为负值_。 第 3 章 直流斩波电路
1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。
2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路 和_升压斩波电路_。
3.斩波电路有三种控制方式:_脉冲宽度调制(PWM)_、_频率调制_和_(ton 和 T 都可调,改变占空比)混合型。
6.CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有__升压斩波电路___、__Sepic 斩波电路_和__Zeta 斩波电路__。
7.Sepic 斩波电路和 Zeta 斩波电路具有相同的输入输出关系,所不同的是:_ Sepic 斩波电路_的电源电流和负载电流均连续,_ Zeta 斩波电路_的输入、输
出电流均是断续的,但两种电路输出的电压都为__正_极性的 。
8.斩波电路用于拖动直流电动机时,降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限,升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限,_电流可逆斩波电路能
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电力电子技术期末考试试题及答案修订稿

电力电子技术期末考试 试题及答案 Coca-cola standardization office【ZZ5AB-ZZSYT-ZZ2C-ZZ682T-ZZT18】

电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统,一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。 7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。 9.对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为,UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE(th)随温度升高而_略有下降__,开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数,在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_GTO 、GTR 、电力

电工电子技术试题及答案..

电工电子技术试题 一、填空题(共133题,每空一分) 1、电力系统中一般以大地为参考点,参考点的电位为 0伏 2、欧姆定律一般可分为部分电路的欧姆定律和全电路欧姆定律。 3、部分电路的欧姆定律是用来说明电路中电压、电流和电阻三个物理量之间关系的定律。 4、全电路欧姆定律,说明了回路中电流Ⅰ与电源电动势的代数和成比,而与回路中的 及之和成反比。 5、导体电阻的单位是欧姆,简称欧,用符号表示,而电阻率则用符号表示。 6、已知电源电动势为E,电源的内阻压降为U0,则电源的端电压U= E-U O。 7、有一照明线路,电源端电压为220伏,负载电流为10安,线路的总阻抗为0.2欧姆,那么负载端电 压为 218 伏。 8、串联电路中的处处相等,总电压等于各电阻上之和。 9、一只220伏15瓦的灯泡与一只220伏100瓦的灯泡串联后,接到220伏电源上,则 15 瓦灯 泡较亮,而 100 瓦灯泡较暗。 10、1度电就是1千瓦的功率做功1小时所消耗的电量,所以它的单位又叫千瓦时。 11、频率是单位时间内交流电重复变化的次数。 12、某正弦交流电流,频率为50赫,最大值为20安,初相位为-40°,此正弦交流电的瞬时值表达式 为 u=20sin(314t- 40°) ,相量式为。 13、如果用交流电压表测量某交流电压,其读数为380伏,此交流电压的最大值为 537 伏。 14、把一个100欧的电阻元件接到频率为50赫、电压为10伏的正弦交流电源上,其电流为 0.1A 安。 15、有一电感L为0.08亨的纯电感线圈,通过频率为50赫的交流电流,其感抗X L= 25.12 欧。如 通过电流的频率为10000赫,其感抗X L= 5024 欧。 16、一个10微法的电容接在50赫的交流电源上,其容抗X C= 318 欧,如接在2000赫的交流电源上, 它的容抗X C= 7.95 欧。 17、某正弦交流电流为i=100sin(6280t- π/4)毫安,它的频率f= 1000Hz ,周期T= 0.001 秒, 角频率ω= 6280 ,最大值Im= 100mA ,有效值I= 100/1.414 mA ,初相位φ=π/4 。 18、已知两交流电流分别为i1=15sin(314t+45°)安,i2=10sin(314t-30°)安,它们的相位差为75 °。 19、在纯电感交流电路中,电感元件两端的电压相位超前电流 90 度。 20、在纯电容交流电路中,电容元件两端的电压相位滞后电流 90 度。 21、在纯电阻交流电路中,电阻元件通过的电流与它两端的电压相位同相。 22、交流电路中的有功功率用符号 P 表示,其单位是 W 。 23、交流电路中的无功功率用符号 Q 表示,其单位是 VAR 。 24、交流电路中的视在功率用符号 S 表示,其单位是 VA 。 25、三相正弦交流电的相序,就是三相交流电到达最大值的顺序。 26、如三相对称负载采用星形接法时,则负载的相电压等于电源的相电压,线电流等于相电流的 1 倍。 27、如三相对称负载采用三角形接法时,则负载的相电压等于电源的线电压, 倍。 28、在三相对称电路中,已知线电压U、线电流I及功率因数角φ,则有功功率P=UICOSφ,无功功率 Q=UISINφ,视在功率S=UI 29伏。 30、当三相发电机的三相绕组联成星形时,其线电压为380伏,它的相电压为 220 伏。 31、有一台三相异步电动机,额定电压为380伏,三角形联接,若测出线电流为30安,那么通过每相绕

数字电子技术模拟试题及答案

《数字电子技术》模拟试题 20分)一、填空题(每题2分,共 1511、十六进制数97 。,对应的十进制数为 0 时,输出为2”描述的是与运算的规则。、“至少有一个输入为 0 变量逻辑函数有16个最小项。、 4 3 运算。非和 4、基本逻辑运算有: 与、或 加器。半 5、两二进制数相加时,不考虑低位的进位信号是 电平。高 6、TTL器件输入脚悬空相当于输入 线、地址线和控制线。数据 7、RAM的三组信号线包括:位。最高8、 采用四位比较器对两个四位数比较时,先比较 15分)二、单项选择题(每个3分,共的国标逻辑符号中是异或门。B 1、图1 图1 C 。2、下列逻辑函数表达式中可能存在竞争冒险的是 B)(B?(A?C)F? B A )B?C)(?(A?BFF?(A?B)(B?C)F?(A?B)(B?C) D C 3、下面逻辑式中,不正确的是_ A___。 ABC?A?B?C B. A. A??ABA D. C. AA??B)A(BAAB?4、时序逻辑电路中必须 有___B___。 A. 输入逻辑变量 B. 时钟信号 C. 计数器 D. 编码器 5、有S1,S2两个状态,条件 B 可以确定S1和S2不等价。 A. 输出相同次态不同D. 次态相同C. 输出不同 B. 10分)三、简答题(共A??B左边=(A?)(A?B)(?1A?A?B)?解:分) 1、(证明:

4B?BA?A?A12、某逻辑函数的真值表如表所示,画出卡诺图。(6分)某逻辑函数的真值表 1 表 F B A C 0 0 0 0 1 1 0 0 1 0 1 0 X 1 1 0 X 0 0 1 0 0 1 1 1 1 0 1 X 1 1 1 分)四、分析题(20 Z 图2 分析图2所示电路的逻辑功能。 1)列出其时钟方程:(2分) CP1=CP↑;CP0=CP↑。 2)列出其驱动方程:(4分) Q1;K0==1 ;J0。Q0J1=;K1=1?Q?Q1或XX3)列出其输出方程:(1分)Z=XQ1Q0 n?1n?1?QQ1Q0Q?Q1?Q0?XQ1或Q1?Q0?XQ1Q04)求次态方程:4(分);10分)9)作状态表及状态图(5.

电子技术考题大全及答案(完整版)

习题 【2-1】填空、选择正确答案 1.对于阻容耦合放大电路,耦合电容器的作用是 A.将输入交流信号耦合到晶体管的输入端; √B.将输入交流信号耦合到晶体管的输入端;同时防止偏置电流被信号源旁路; C.将输入交流信号加到晶体管的基极。 2.在基本放大电路中,如果集电极的负载电阻是R c,那么R c中: A.只有直流; B.只有交流; √ C.既有直流,又有交流。 3.基本放大电路在静态时,它的集电极电流的平均值是();动态时,在不失真的条件下,它的集电极电流的平均值是()。(I CQ;I CQ) 4.下列说法哪个正确: A.基本放大电路,是将信号源的功率加以放大; √B.在基本放大电路中,晶体管受信号的控制,将直流电源的功率转换为输出的信号功率; C.基本放大电路中,输出功率是由晶体管提供的。 5.放大电路如图2.1.7所示,试选择以下三种情形之一填空。 a:增大、b:减少、c:不变(包括基本不变) (1) 要使静态工作电流I c减少,则R b1应。(a) (2) R b1在适当范围内增大,则电压放大倍数,输入电阻,输出电阻 。(b;a;c) (3) R e在适当范围内增大,则电压放大倍数,输入电阻,输出电阻 。(b;a;c) (4) 从输出端开路到接上R L,静态工作点将,交流输出电压幅度要。 (c;b) (5) V cc减少时,直流负载线的斜率。(c) 6.放大电路的输出电阻越小,放大电路输出电压的稳定性()。(越好) 7.放大电路的饱和失真是由于放大电路的工作点达到了晶体管特性曲线的()而引起的非线性失真。(饱和区) 8.在共射基本放大电路中,若适当增加 ,放大电路的电压增益将()。(基本不增加) 9.在共射基本放大电路中,若适当增加I E,电压放大倍数将如何变化()。(增加) 10.在共射基本放大电路中,适当增大R c,电压放大倍数和输出电阻将有何变化。 √ A.放大倍数变大,输出电阻变大 B.放大倍数变大,输出电阻不变 C.放大倍数变小,输出电阻变大 D.放大倍数变小,输出电阻变小 11.有两个电压放大电路甲和乙,它们的电压放大倍数相同,但它们的输入输出电阻不同。对同一个具有一定内阻的信号源进行电压放大,在负载开路的条件下测得甲的输出电压小。哪个电路的输入电阻大。(对放大电路输出电压大小的影响,一是放大电路本身的输入电阻,输入电阻越大,加到放大电路输入端的信号就越大;二是输出电阻,输出电阻越小,被放大了的信号在输出电阻上的压降就越小,输出信号就越大。在负载

数字电子技术模拟试题及答案

数字电子技术模拟试题及 答案 Prepared on 24 November 2020

《数字电子技术》模拟试题 一、填空题(每题2分,共20分) 1、十六进制数97,对应的十进制数为 (1) 。 2、“至少有一个输入为0时,输出为 (2) ”描述的是与运算的规则。 3、 (3) 变量逻辑函数有16个最小项。 4、基本逻辑运算有: (4) 、 (5) 和 (6) 运算。 5、两二进制数相加时,不考虑低位的进位信号是 (7) 加器。 6、TTL 器件输入脚悬空相当于输入 (8) 电平。 7、RAM 的三组信号线包括: (9) 线、地址线和控制线。 8、采用四位比较器对两个四位数比较时,先比较 (10) 位。 二、单项选择题(每个3分,共15分) 1、图1的国标逻辑符号中 (11) 是异或门。 图1 2、下列逻辑函数表达式中可能存在竞争冒险的是 (12) 。 A ))((C B B A F ++= B ))((C B B A F ++= C ))((C B B A F ++= D ))((C B B A F ++= 3、下面逻辑式中,不正确的是_ (13)____。 A.C B A ABC ??= B. A AB A += C. ()A A B A += D. AB BA = 4、时序逻辑电路中必须有___(14)___。 A. 输入逻辑变量 B. 时钟信号 C. 计数器 D. 编码 器

5、有S1,S2两个状态,条件(15)可以确定S1和S2不等价。 A. 输出相同 B. 输出不同 C. 次态相同 D. 次态不同 三、简答题(共10分) 1、证明:B A+ = +(4分) A A B 2、某逻辑函数的真值表如表1所示,画出卡诺图。(6分) 表1 某逻辑函数的真值表 A B C F 0 0 0 0 0 0 1 1 0 1 0 1 0 1 1 X 1 0 0 X 1 0 1 0 1 1 0 1 1 1 1 X 四、分析题(20分) Z 图2 分析图2所示电路的逻辑功能。 1)列出其时钟方程:(2分) CP1=;CP0=。 2)列出其驱动方程:(4分) J1=;K1=;J0=;K0=。 3)列出其输出方程:(1分) Z=

(完整版)电力电子技术期末考试试题及答案

电 力 电 子 复 习 姓名:杨少航

电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统,一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。 7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。 9.对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流I L在数值大小上有I L__大于__IH。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为,UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。 12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 15.IGBT 的开启电压UGE(th)随温度升高而_略有下降__,开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 17.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数,在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可

电子技术试题及答案(

资料收集于网络,如有侵权请联系网站删除 《电子技术基础》题库 适用班级:2012级电钳3、4、5、6班 备注:本学期进行到第七章;第一、二、三章是重点内容,要求掌握;第四、八章没有涉及。 一、填空题: 第一章半导体二极管 Q、根据导电能力来衡量,自然界的物质可以分为导体,半导体和绝缘体三类。 A2、导电性能介于导体和绝缘体之间物质是半导体。 Q3、半导体具有热敏特性、光敏特性、参杂的特性。 虫、PN结正偏时,P区接电源的正极,N极接电源的负极。 ?、PN结具有单向导电特性。 @、二极管的P区引出端叫正极或阳极,N区的引出端叫负极或阴极。 △7、按二极管所用的材料不同,可分为硅二极管和锗二极管两类; 食、按二极管用途不同,可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极 管、发光二极管、光电二极管和变容二极管。 ★9、二极管的正向接法是二极管正极接电源的正极,负极接电源的负极:反响接法相反。Q0、硅二极管导通时的正向管压降约0.7V,锗二极管导通时的管压降约0.3V。 △11、使用二极管时,应考虑的主要参数是最大整流电流、最高反向电压和反向电流。 ★12、发光二极管将电信号转换为光信号。 ★13、变容二极管在高频收音机的自动频率控制电路中,通过改变其反向偏置电压来自动 调节本机震荡频率。 只供学习与交流 资料收集于网络,如有侵权请联系网站删除

★14、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为零。 第二章半导体三极管及其放大电路 05、三极管是电流控制元件。 06、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏丿电结反偏。 ★17、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic变大,发射结压降变小。 △18、三极管处在放大区时,其集电结电压小于零,发射结电压大于零。★19、三极管的发射区杂质浓度很高,而基区很薄。 △20、三极管实现放大作用的内部条件是:发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度,同时基区厚度要很小. △21、工作在放大区的某三极管,如果当I B从12讥增大到22讥时,I c从1mA变为2mA,那么它的B约为100 。 OL2、三极管的三个工作区域分别是饱和区、放大区和截止区。 ★23、发射结…正向…偏置,集电结正向偏置,贝U三极管处于饱和状态。 ★24、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙类)类互补功率放大器。 ★25、OCL电路是(双)电源互补功率放大电路; ★26、0TL电路是(单)电源互补功率放大电路。 ★27、共集电极电路电压放大倍数(1),输入电阻(大),输出电阻(小),常用在 输入级,输出级或缓冲级。 第三章集成运算放大器及其应用 &8、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为____ 。△29、差分放大电路能够抑制零点漂移。 只供学习与交流

电力电子技术期末考试试题及答案

电力电子技术试题 第1章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode )、晶闸管(SCR )、门极可关断晶闸管(GTO )、电力晶体管(GTR )、电力场效应管(电力MOSFET )、绝缘栅双极型晶体管(IGBT )中,属于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _;属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _,属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _,属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _;在可控的器件中,容量最大的是_晶闸管_,工作频率最高的是_电力MOSFET ,属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _,属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 2、可关断晶闸管的图形符号是 ;电力场效应晶体管的图形符号是 绝缘栅双极晶体管的图形符号是 ;电力晶体管的图形符号是 ; 第2章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O _。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变,在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ,其承受的最大正反向电压均为_22U __,续流二极管承受的最大反向电压为__22U _(设U 2为相电压有效值)。 3.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α角移相范围为__0-180O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__222U 和_22U ; 带阻感负载时,α角移相范围为_0-90O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__22U _和__22U _;带反电动势负载时,欲使电阻上的 电流不出现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 5.电阻性负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压UFm 等于__22U _,晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-150o _,使负载电流连 续的条件为__o 30≤α__(U2为相电压有效值)。 6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _,当它带阻感负载时,α的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中,共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压,而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_ 的相电压;这种电路 α 角的移相范围是_0-120o _,u d 波形连续的条件是_o 60≤α_。 8.对于三相半波可控整流电路,换相重迭角的影响,将使用输出电压平均值__下降_。 11.实际工作中,整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数,当 α 从0°~90°变化时,整流输出的电压ud 的谐波幅值随 α 的增大而 _增大_,当 α 从90°~180°变化时,整流输出的电压 ud 的谐波幅值随 α 的增大而_减小_。 12.逆变电路中,当交流侧和电网连结时,这种电路称为_有源逆变_,欲实现有源逆变,只能采用__全控_电路;对于单相全波电路,当控制角 0< α < π /2 时,电路工作在__整流_状态; π /2< α < π 时,电路工作在__逆变_状态。 13.在整流电路中,能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等(可控整流电路均可),其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势,其极性和晶闸管导通方向一致,其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角α > 90O ,使输出平均电压U d 为负值_。 第3章 直流斩波电路 1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。 2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路 和_升压斩波电路_。 3.斩波电路有三种控制方式:_脉冲宽度调制(PWM )_、_频率调制_和_(t on 和T 都可调,改变占空比)混合型。 6.CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有__升压斩波电路___、__Sepic 斩波电路_和__Zeta 斩波电路__。 7.Sepic 斩波电路和Zeta 斩波电路具有相同的输入输出关系,所不同的是:_ Sepic 斩波电路_的电源电流和负载电流均连续,_ Zeta 斩波电路_的输入、输出电流均是断续的,但两种电路输出的电压都为__正_极性的 。 8.斩波电路用于拖动直流电动机时,降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限,升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限,_电流可逆斩波电路能使电动机工作于第1和第2象限。 10.复合斩波电路中,电流可逆斩波电路可看作一个_升压_斩波电路和一个__降压_斩波电路的组合;

电力电子技术试题

1. 什么是电力电子技术? 答:应用于电力领域的、使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术。是一门与电子、控制和电力紧密相关的边缘学科。 2. 说“电力电子技术的核心技术是变流技术”对吗? 答:对。 3. 模拟电子技术和数字电子技术也是电力电子技术吗? 答:不是。 4. 举几例日常生活中应用电力电子技术的装置。 答:电动自行车的充电器,手机充电器,电警棍等。 5. 简答“开关电源”和“线性电源”的主要优缺点。 答: 开关电源: 优点:体积小、重量轻、效率高、自身抗干扰性强、输入和输出的电压范围宽、可模块化。 缺点:由于开关工作模式和高频工作状态,对周围设备有一定的干扰。需要良好的屏蔽及接地。 线性电源: 优点:电源技术很成熟,可以达到很高的稳定度,波纹也很小,而且没有开关电源具有的噪声干扰。 缺点:是需要庞大而笨重的变压器,所需的滤波电容的体积和重量也相当大,效率低。 将逐步被开关电源所取代。 6. 解释:不可控器件(说明导通和关断的条件)、半控型器件、全控型器件,并举出代表 性器件的名称。 答: 不可控器件:不用控制信号来控制其通、断。导通和关断取决于其在主电路中承受电压的方向和大小。典型器件:电力二极管 导通条件:正向偏置,即承受正向电压,且正向电压>阀值电压。 关断条件:反向偏置,即承受反向电压。 半控型器件:用控制信号来控制其导通,一旦导通门极就失去控制作用。关断取决于其

在主电路中承受的电压、电流的方向和大小。典型器件:晶闸管 全控型器件:导通和关断均由电路的触发控制信号驱动(驱动状态需保持)。 典型器件:GTR、IGBT、POWER MOSFET。 7. 如图示的二极管伏安特性曲线,示意性地在坐标曲线上标注二极管的参数“反向击穿 电压UB”、“门槛电压UTO”、“正向导通电流IF”及其对应的“正向压降UF”、“反向 漏电流”。 答:

电子技术试题及答案-(

《电子技术基础》题库 适用班级:2012级电钳3、4、5、6班 备注:本学期进行到第七章;第一、二、三章是重点内容,要求掌握;第四、八章没有涉及。一、填空题: 第一章半导体二极管 ○1、根据导电能力来衡量,自然界的物质可以分为导体,半导体和绝缘体三类。 Δ2、导电性能介于导体和绝缘体之间物质是半导体。 ○3、半导体具有热敏特性、光敏特性、参杂的特性。 Δ4、PN结正偏时,P区接电源的正极,N极接电源的负极。 ○5、PN结具有单向导电特性。 ○6、二极管的P区引出端叫正极或阳极,N区的引出端叫负极或阴极。 Δ7、按二极管所用的材料不同,可分为硅二极管和锗二极管两类; ○8、按二极管用途不同,可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、发光二极管、光电二极管和变容二极管。 ★9、二极管的正向接法是二极管正极接电源的正极,负极接电源的负极;反响接法相反。 ○10、硅二极管导通时的正向管压降约0.7V ,锗二极管导通时的管压降约0.3V。 Δ11、使用二极管时,应考虑的主要参数是最大整流电流,最高反向电压和反向电流。★12、发光二极管将电信号转换为光信号。 ★13、变容二极管在高频收音机的自动频率控制电路中,通过改变其反向偏置电压来自动调节本机震荡频率。

★14、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为零。 第二章半导体三极管及其放大电路 ○15、三极管是电流控制元件。 ○16、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏,集电结反偏。 ★17、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic变大,发射结压降变小。 Δ18、三极管处在放大区时,其集电结电压小于零,发射结电压大于零。★19、三极管的发射区杂质浓度很高,而基区很薄。 Δ20、三极管实现放大作用的内部条件是:发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度,同时基区厚度要很小. Δ21、工作在放大区的某三极管,如果当I B从12μA增大到22μA时,I C从1mA变为2mA,那么它的β约为100 。 ○22、三极管的三个工作区域分别是饱和区、放大区和截止区。 ★23、发射结﹍正向﹍偏置,集电结正向偏置,则三极管处于饱和状态。 ★24、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙类)类互补功率放大器。 ★25、OCL电路是(双)电源互补功率放大电路; ★26、OTL电路是(单)电源互补功率放大电路。 ★27、共集电极电路电压放大倍数(1),输入电阻(大),输出电阻(小),常用在输入级,输出级或缓冲级。 第三章集成运算放大器及其应用 ○28、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为共模信号。.Δ29、差分放大电路能够抑制零点漂移。

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