《模电》经典题目,含答案

模拟电子技术基础试卷及参考答案

试卷三及其参考答案

试卷三

一、选择题(这是四选一的选择题,选择一个正确的答案填在括号内)(共16分)

1.有两个增益相同,输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B,对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下,测得A放大器的输出电压小,这说明A的()

a. 输入电阻大

b. 输入电阻小

c. 输出电阻大

d. 输出电阻小

2.共模抑制比K CMR越大,表明电路()。

a. 放大倍数越稳定

b. 交流放大倍数越大

c. 抑制温漂能力越强

d. 输入信号中的差模成分越大

3.多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比,其通频带()。

a. 变宽

b. 变窄

c. 不变

d. 与各单级放大电路无关

4.一个放大电路的对数幅频特性如图1-4所示。当信号频率恰好为上限频率或下限频率时,实际的电压增益为()。

a. 43dB

b. 40dB

c. 37dB

d. 3dB

图1-4 图1-5

5.LC正弦波振荡电路如图1-5所示,该电路()。

a. 满足振荡条件,能产生正弦波振荡

b. 由于无选频网络,不能产生正弦波振荡

c. 由于不满足相位平衡条件,不能产生正弦波振荡

d. 由于放大器不能正常工作,不能产生正弦波振荡

6.双端输入、双端输出差分放大电路如图1-6所示。已知静态时,V o=V c1-V c2=0,设差

模电压增益100vd =A ,共模电压增益mV 5V mV,10,0i2i1c ===V A V ,则输出电压o V 为( )。

a. 125mV

b. 1000 mV

c. 250 mV

d. 500 mV

图1-6 图1-7

7.对于图1-7所示的复合管,假设CEO1I 和CEO2I 分别表示T 1、T 2单管工作时的穿透电流,则复合管的穿透电流CEO I 为( )。

a. CEO2CEO I I =

b. CEO2CEO1CEO I I I +=

c. CEO1CEO I I =

d. CEO12CEO2CEO )1(I I I β++=

8.某仪表放大电路,要求R i 大,输出电流稳定,应选( )。

a. 电流串联负反馈

b. 电压并联负反馈

c. 电流并联负反馈

d. 电压串联负反馈

二、判断下列管子的工作状态(共10分)

1.测得各三极管静态时三个电极对地的电位如图2-1 a 、b 、c 所示,试判断它们分别工作在什么状态(饱和、放大、载止、倒置)。设所有的三极管和二极管均为硅管。

图2-1

2.电路如图2-2 a 、b 所示,分别指出它们工作在下列三个区中的哪一个区(饱和区、夹断区、可变电阻区)。

图2-2

三、两级放大电路如图3所示,已知三极管的5021==ββ,k Ω6.1be1=r ,k Ω3.1be2=r ,各电容的数值都足够大,在中频区可视为短路。(共15分)

1.试说明T 1和T 2各组成什么电路组态?

2.画出中频区的h 参数小信号等效电路;

3.计算放大器的输入电阻R i 和输出电阻R o ;

4.计算中频区源电压增益s o s /V V A V =。

图3

四、电路如图4所示,设所有运放为理想器件。(共15分)

1.试求V o1=? V o2=? V o3=?

2.设电容器的初始电压为2V ,极性如图所示,求使V 04=-6V 所需的时间t =?

图4

五、一正弦波振荡电路如图5所示。问(共12分)

1.a 、b 两输入端中哪个是同相端,哪个是反相端?请在图中运放A 处标出;

2.该电路的振荡频率是多少?

3.R t 应具有正温度系数还负温度系数?

4.在理想情况下的最大输出功率P om =?

图5

六、多级放大电路如图6所示。(共12分)

1.用瞬时变化极性法判别T 1和T 2的两个基极(b 1和b 2)中哪个是同相输入端,哪个是反相输入端,分别标以+和-;

2.为了降低电路的输出电阻,应如何连接反馈电阻R f ,试在图上画出连线,并说明是哪种反馈极性和组态;

3.在满足深度负反馈条件下,试写出闭环电压增益i O F /V V A V 的近似表达式。

图6

七、电路如图7所示,A 1、和A 2均为理想器件,V z =5V 。(共10分)

1.试画出2o 1o v v 及的波形(注意相位关系);

2.求出的2o 1o v v 和幅值;

3.求出1o v 的周期。

图7

八、电路如图8所示,已知T 1和T 2的V BE =0.7V ,C 1的放电时间常数大于(3~5)2T

,V i =25V 。试估算变压器副边电压2v 的有效值V 2、直流输出电压V O 和负载最大电流I Om 的值。(共10分)

图8

试卷三参考答案

一、1.b 2.c 3.b 4.c 5.d 6.d 7.d 8.a

二、1.T 1截止,T 2倒置,T 3饱和

2.T 4工作在饱和区(放大区),T 5工作在可变电阻区

三、1.T 1组成共射电路,T 2组成共集电路

2.(略)

3.[]k Ω36.6)1(////41bel b2b1i =++=R r R R R β

k Ω21.01////

263be27o =++=βR R r R R 4.

[]5.27)1()//)(1(////41bel 872be2631V1-=++++-=R r R R r R R A βββ ,12≈V A V A 5.27V2V1-≈=A A

四、1.V 2.0V,5,V 2.5o o2o1=-=-=3v v v

2.t = 2 s

五、1.a 为反相端,b 为同相端

2.kHz 1.4o ≈f

3.R 4应有正温度系数

4.W 5.4R 2/L C 2C om ==V P

六、1.b 1为反相输入端,b 2为同相输入端

2.电压并联负反馈,R f 接在e 4和b 1间

3.由f O b i f i //R V R V I I -≈≈有,即得 b f i o F //R R V V A V -==

七、1.2o v 为方波,1o v 为三角波(2o v 为高电平时,1o v 由正向负方向变;反之,1o v 由负向正方向变)

2.1o v 、2o v 的幅值都为±5V

3.1o v 的周期T=0.2ms

八、V i /V 2=1.1,V 2=22.7V;由V z=3V ,得V o =12V;

I om =V BE /R =(0.7/2)A=0.35A=350mA

模拟电子技术基础试卷及参考答案 试卷二及其参考答案 试卷二 一、选择题(这是四选一选择题,选择一个正确的答案填在括号内)(共22分) 1.某放大电路在负载开路时的输出电压4V ,接入Ωk 12的负载电阻后,输出电压降为3V ,这说明放大电路的输出电阻为( )

a. 10Ωk

b. 2Ωk

c. 4Ωk

d. 3Ωk

2.某共射放大电路如图1-2所示,其中Ω=Ω=k 2,k 470c b R R ,若已知I C =1mA,V CE =7V ,V BE =0.7V ,r be =1.6Ωk ,50=β,则说明( )

a. 107.07BE CE i o ====V V V V A V

b. 37.021BE c C i o -=⨯-=-==V R I V V A V

c. 5.62//be b c i c i b c C i o -≈-=-=-==r R R R R R I R I V V A V ββ

d. 5.626.1250be c i o -=⨯-=-==r R V V A V β

图1-2

3.为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与低阻负载间接入( )。

a. 共射电路

b. 共基电路

c. 共集电路

d. 共集-共基串联电路

4. 在考虑放大电路的频率失真时,若i v 为正弦波,则o v ( )

a. 有可能产生相位失真

b. 有可能产生幅度失真和相位失真

c. 一定会产生非线性失真

d. 不会产生线性失真

5. 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是,前者的运放通常工作在( )。

a. 开环或正反馈状态

b. 深度负反馈状态

c. 放大状态

d. 线性工作状态

6. 多级负反馈放大电路在( )情况下容易引起自激。

a. 回路增益F A 大

b. 反馈系数太小

c. 闭环放大倍数很大

d. 放大器的级数少

7. 某电路有用信号频率为2kHz ,可选用( )。

a. 低通滤波器

b. 高通滤波器

c. 带通滤波器

d. 带阻滤波器

8. 某传感器产生的是电压信号(几乎不能提供电流),经过放大后希望输出电压与信号成正比,这时放大电路应选( )。

a. 电流串联负反馈

b. 电压并联负反馈

c. 电流并联负反馈

d. 电压串联负反馈

9. LC 正弦波振荡电路如图1-9所示,该电路( )。

a. 由于无选频网络不能产生正弦波振荡

b. 由于不满足相位平衡条件,不能产生正弦波振荡

c. 满足振荡条件能产生正弦波振荡

d. 由于放大器不能正常工作,不能产生正弦波振荡

图1-9 图1-10

10. 图1-10所示电路出现故障,经测量得知V E =0,V C =V CC ,故障的可能原因为( )。

a. R c 开路

b. R c 短路

c. R e 短路

d. R b1开路

11. 与甲类功率放大方式比较,乙类OCL 互补对称功率放大方式的主要优点是( )。

a. 不用输出变压器

b. 不用输出端大电容

c. 效率高

d. 无交越失真

二、两级阻容耦合放大电路如图2所示。已知T 1的g m =1ms ,r ds =200Ωk ;T 2的50=β,r be =1Ωk 。(共16分)

1. 画出中频区的小信号等效电路;

2. 求放大电路的中频电压增益i o /V V A V =;

3. 求放大电路的输入电阻R i 和输出电阻R o 。

图2 图3

三、在图3所示电路中,静态时V o 为零。三极管为硅管,V BE =0.7V ,100=β。(共12分)

1. 试计算R c 的值;

2. 算出此时电路的电压增益;/i o V V A V =

四、分析电路(共18分)

1. 电路如图4-1所示。

(1) 采用v o1输出时,该电路属于何种类型的反馈放大电路?

(2) 采用v o2输出时,该电路属于何种类型的反馈放大电路?

(3) 假设为深度负反馈,求两种情况下的电压增益i o1F1/V V A V =和i o2F2/V V A V =。 2. 某放大电路如图4-2所示。为了使R o 小,应引入什么样的反馈(在图画出)?若要求20VF =A 所选的反馈元件数值应为多大?

图4-1 图4-2

五、电路如图5所示。设A 1~A 4为理想运放,三极管T 的V CES =0,I CEO =0。(共14分)

1.A 1~A 4各组成什么电路?

2.设0=t 时,电容器上的初始电压0)0(C =v 。求s 1=t 和s 2=t 时,A 、B 、C 、D 和E

各点对地的电压。

图5

六、在图6所示电路中,A 1和A 2均为理想运放,模拟乘法器的系数1V 1-=K ,i1v 为输入端两个对地电压的差值,0i3>v 。试写出输出电压o v 的表达式。(共8分)

图6

七、电路如图7所示,试指出哪些地方存在错误或不合理之处。(共10分)

图(a )所示为10倍交流放大器,图(b )所法为压控电流源,图(c )所示为100倍直流放大器,图(d )所示为带整流滤波的并联式稳压电路,图(e )所示为串联反馈型稳压电路。

图7

试卷二参考答案

一、1. c 2. d 3. c 4. d 5. a 6. a 7. c 8. d 9. d 10. d 11. c

二、1.略 2. 2.3)//(i2d1m 1-≈-=R R g A V

,

2.37,

3.12)1(//V

e2

be L

c22

≈-=++-=A R r R R A V ββ

3.

k Ω

3,M Ω8.4//o g2g1g3i ==+=R R R R R

三、1.V 05.11,

mA 1/B3c3CC C3≈==V R V I , k Ω

80.12mA,A 7

.01221C2

B3CC c e E2≈===-=I V V R R I

2.第一级2.142)//(be1

i2c Vd1

==r R R A β

第二级

78

.42)1(e3

be3c3

V2

-=++-=R r R A ββ

5.6072d1-≈=V V V A A A

四、1.(1)电流串联负反馈电路 (2)电压串联负反馈电路

(3)3.14)(/7

37538i

o1F1-=++-==R R R R R R V V A V 11/3

53i

o2F2=+==R R R V V A V

2.为了使R o 小,应引入电压并联负反馈;要使Ω===k 2020,201

f F R R A V (R f 连在运算

放大器的反相输入端和T 1、T 2的发射极之间)。

五、1.A 1组成减法运算电路,A 2组成积分运算电路,A 3组成反相器,A 4组成电压比较器。

2.⎰+-=t t

R R C 02

33A B d )(1v v

v

六、,/1i12o1R R v v -=

i31i21i12o /)2(v v v v R R R -=

七、图a 同相端无直流偏置,需加接一电阻到地 图b R L 与R 的位置应互换

图c 为正反馈电路,应将同相端和反相端位置互换 图d C 与D Z 间应加限流电阻R

图e 基准电压应从运放同相端输入,取样电压应从运放反相端输入

试卷二

系别 学号 姓名 成绩 考试课程 模拟电子技术基础 考试日期 2002 年 12 月12日

1.单项选择题(在每一小题的四个备选答案中,选出一个正确的答案,并将其序号写在题干后的( )内。每小题2分,共20分) (1)杂质半导体中的少数载流子浓度取决于( )。

A .掺杂浓度

B .工艺 C.温度 D .晶体缺陷 (2)硅稳压管在稳压电路中稳压时,工作于( )。

A .正向导通状态

B .反向电击穿状态

C .反向截止状态

D .反向热击穿状态

(3)测得一放大电路中的三极管各电极相对于“地”的电压如图1A .NPN 型硅管 B .NPN 型锗管 C .PNP 型锗管 D .PNP (4)温度上升时,半导体三级管的( )。

A .β和I CBO 增大,U BE 下降

B .β和U BE 增大,I CBO 减小

C .β减小,I CBO 和U BE 增大

D .β、I CBO 和U B

E 均增大 (图1)

①-8V

-2.2V

(5)在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中,uo与ui相位相反、

︱A U ︱>1的只可能是( )。

A .共集电极放大电路

B .共基极放大电路

C .共漏极放大电路

D .共射极放大电路

(6)在四种反馈组态中,能够使输出电压稳定,并提高输人电阻的负反馈是( )。 A .电压并联负反馈 B .电压串联负反馈 C .电流并联负反馈 D .电流串联负反馈 (7)关于多级放大电路下列说法中错误的是( )。

A .A u等于各级电压放大倍数之积

B .R i等于输入级的输入电阻

C .R 。等于输出级的输出电阻

D .Au等于各级电压放大倍数之和 (8) 用恒流源电路代替典型差动放大电路中的公共射极电阻R

E ,可以提高电

路的( )。

A .︱A ud︱

B . ︱A ue︱

C .Rid

D .KCMR

(9)电路如图2所示,其中U 2=20V ,C =100uF 。变压器内阻及各二极管正向导通时的电压降、反向电压均可忽略,该电路的输出电压U 0≈( )。 A .24V B .28V

C .-28V

D .-18V

(图2) (10)在下列四种比较器中.抗干扰能力强的是( )。 A .迟滞比较器 B .零比较器 C .三态比较器 D .窗口比较器

2.填充题(每格1分,共20分)

(11)当放大电路输入非正弦信号时,由于放大电路对不同频率分量有不同的放大倍数而产生的输出失真称为 失真,由于相位滞后与信号频率不成正比而产生的输出失真称为 失真,这两种失真统称为 失真或

失真。

+ u o

(12)半导体三极管属 控制器件,而场效应管属于 控制器件。 (13)按结构不同,场效应管可分为 型和 型两大类。 (14)集成运放内部电路实际上是一个 、 、 放大电路。

(15)直流稳压电源由 、 、 、 四个部分组成。

(16)按幅频特性不同,滤波器可分为 滤波器、 滤波器、

滤波器、 滤波器及 滤波器等五种。 3.分析计算题(共60分)

(17)电路如图3所示.已知R B1=50K Ω, R B2=10K Ω, R C =6K Ω, R E =750Ω,信号源内阻R S =

5K Ω,负载电阻R L =10K Ω,电源电压+V CC =12V ,电容C 1、C 2的电容量均足够大,晶体管的β=99、

r be =1 K Ω、U BE =0.7V 。试求:(a )电压放大倍数A u (=U O /U I )及A us (=U O /U S ); (b )输入电阻R i 和输出电阻R O 。

(图3) (图4) (18)电路如图4所示。已知:V CC =40V ,R L =8Ω,输入电压u i =20+102sin ωt (V ),电容器C 的电容量足够大。试求u o 、输出功率P O 、电源消耗功率P V 及能量转换效率η。

+ u s

CC

+ u o

R L

(19)电路如图5所示。其中R1=R2,R3=R4=R5=R6,各集成运放的性能均理想。试求u01、u02及u0的表达式。

(20)电路如图所示。已知:R1=R2=R3=R W=1 KΩ,D Z提供的基准电压U R=6V,变压器付边电压有效值(U2)为25V,C=1000u F。试求U I、最大输出电压U0max及最小输出电压U Omin,并指出U O等于U0max或U Omin时,R W滑动端各应调在什么位置。

加26某放大电路中*

A V的对数幅频特性如图3所示。(1)试求该电路的中频电

+ u + U -

压增益*

A VM,上限频率f H,下限频率f L;(2)当输入信号的频率f=f L或f=f H

时,该电路实际的电压增益是多少分贝?(5分)

20.已知某放大电路电压增益的频率特性表达式为(试中f的单位为HZ)试求:该电路的上、下限频率,中频电压增益的分贝数,输出电压与输入电压在中频区的相位差。(4分)

试卷二答案

1.单项选择题

(1)C (2)B (3)C (4)A (5)D (6)B (7)D (8)D (9)B (10)A

2.填充题

(11)幅频相频频率线性

(12)电流电压

(13)结绝缘栅

(14)高增益直接耦合多级

(15)变压器整流电路滤波电路稳压电路

(16)低通高通带通带阻全通

3.分析计算题 (17)

(a) ()()()()88.475

.0991110//6991//-=⨯++⨯=++-

=E be L C u R R R A βγβ ()[]()[]Ω=⨯++=++=k R R R R E be B B i 5.775.09911//10//501////21βγ ()93.288.45

.755

.7-=-⨯+=+=

u i s i us A R R R A

(b) R i =7.5 k Ω R O =R C =6 k Ω

(18) (a) ()()

1242

1

.0100121101002

1-=+++⨯-

=+++=

W

be

B C

ud R R R A βγβ

()Ω=⎪⎭⎫ ⎝⎛

⨯++⨯=⎥⎦

⎤⎢⎣⎡

+++=k R R R W

be B id 1.1621.010*******βγ (b) 从T 2的集电极输出时

622

124212===

ud ud A A

()()33

.015

101221

.01012110

100122

12=⨯⨯+⨯++⨯-=

+++++-

=E

W be B C

uc R R

R R A ββγβ

dB g A A g

K uc ud CMR 5.4533

.062

20120122=-== (19)

t u u A u i i u o ωsin 210=≈= V

()5.128

1022

===L o o R U P W 5.228

240210222=⨯⨯⨯⨯=•

=

ππL CC

om V R V U P W %5.55%1005

.225.12%100=⨯=⨯=

V o P P η (20) 111

2

1i i o u u R R u -=-

= 22i o u u =

()()2121222i i o o ab o u u u u u u +-=-== (21) U I ≈1.2U 2=1.2×25=30 V R W 滑动端调至最下端时, 输出电压为

V U U R R R R U R R W o 1832

2

1max ==++=

R W 滑动端调至最上端时, 输出电压为 V U U R R R R R U R R W W o 92

3

221max ==+++=

一、填空(18分)

1.二极管最主要的特性是 单向导电性 。

2.如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ,桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ,经过电容滤波后为 12 V ,二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3.差分放大电路,若两个输入信号u I1

u I2,则输出电压,u O 0 ;若u

I1

=

100μV ,u I 2=80μV 则差模输入电压u Id =

20μV ;共模输入电压u Ic =

90

μV 。

4.在信号处理电路中,当有用信号频率低于10 Hz 时,可选用 低通 滤波器;有用信号频率高于10 kHz 时,可选用

高通 滤波器;希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时,可选用

带阻 滤波器;有用信号频率为某一固定频率,可选用 带通 滤波器。

5.若三级放大电路中A u 1A u 230dB ,A u 320dB ,则其总电压增益为 80

dB ,折合为 104 倍。 6.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到 78.5% ,但这种功放有 交越 失真。

7.集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。

二、选择正确答案填空(20分)

1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ,-10 V ,-9.3 V ,则这只三极

管是( A )。 A .NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管

2.某场效应管的转移特性如图所示,该管为( D )。

A .P 沟道增强型MOS 管

B 、P 沟道结型场效应管

C 、N 沟道增强型MOS 管

D 、N 沟道耗尽型MOS 管

3.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( C )。 A .输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻,R S 为常数,为使下限频率f L 降低,应( D )。 A . 减小C ,减小R i B. 减小C ,增大R i C. 增大C ,减小 R i D. 增大C ,增大 R i

5.如图所示复合管,已知V 1的β1 = 30,V 2的β2 = 50,则复合后的β约为( A )。 A .1500 B.80 C.50 D.30

6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和( D )。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路

7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是( A )。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器

8.与甲类功率放大方式相比,乙类互补对称功放的主要优点是( C )。

0 i D /mA -4 u GS

/V 5

+

u O _

u s

R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t

u o 4题图

7题图 V 2

V 1

模电判断100题

模电判断100题

1. ()现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为-100,将它们连成两级放大电路,其电压放大倍数应为10000。 答案:错. 两级接在一起,第二级就是第一级的负载,加了负载,放大倍数就会减小 2.()阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立,它只能放大交流信号。 答案:对.阻容耦合,中间有隔直电容,只能传递交流,不能传递直流.所以能放大交流,但Q独立。 3.()放大电路的输出电阻越小,称为放大电路的带负载能力越强。 答案:对 4. ()只有直接耦合放大电路中晶体管的参数才随温度而变化。 答案:错 5. ()在环境温度升高时,二极管的正向压降将减小。 答案:对。在环境温度升高1度,二极管的正向压降将减小2-2.5mV 6. ()只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用。 答案:错 7. ()放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。 答案:对 8. ()因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。 答案:错。半导体是不带电的,无论是N还是P。多子是电子的,会相应的有正离子存在,整个半导体是中性。 9. ()图中电路能放大正弦信 号。 答案:不能。画交流通路。Vbb把Ui短路了。 10. 图2为图1放大电路的交流等效电路。 答案:错,多Re 11.放大电路的级数越多,引入的负反馈越强,电路的放大倍数也就越稳定。答案:错。因为放大倍数稳定决定于1+AF。 12.若放大电路的放大倍数为负倍数,则引入的反馈一定是负反馈。

答案:错。负反馈与放大倍数正负无关,比如同相比例电路。放大倍数是正,反馈是负。 13.运算电路中一般均引入负反馈。 答案:对。 14.若放大电路引入负反馈,则负载电阻变化时,输出电流基本不变。 答案:错。因为没说引入的是什么(电压或电流)负反馈。该是电流负反馈。 15.负反馈放大电路的放大倍数一定比组成它的基本放大电路的放大倍数小。答案:对。负反馈,净输入减小。所以输出会减小,,输出比原始输入肯定减小。输出/原始输入。 16.在运算电路中,集成运放的反相输入端均为虚地。 答案:错。 17.反馈量仅仅决定于输出量。 答案:对。因为正向传输远远大于直接 传输,直接传输忽略了。输出是由输入 和反馈决定。 18.理想集成运算放大器两输入端之间电压接近于零,因而称为“虚断”。 答案:错。虚短。 19.既然电压负反馈稳定输出电压,那么必然稳定输出电流。 答案:错。 20.()只要在放大电路中引入反馈,就一定能使其性能得到改善。 答案:错.负反馈才可以. 21.电路引入了正反馈,就能产生正弦波振荡。 答案:错.AF≥1才行.正反馈只是一方面 22.集成运放在开环时工作在线性区。 答案:错。开环或正反馈,非线性。 23.在RC桥式正弦波振荡电路中,若RC串并联选频网络中的电阻均为R,电容均为C,则其振荡频率f0=1/RC。 答案:错。f0=1/2πRC 24.单限比较器比滞回比较器灵敏度高,而滞回比较器比单限比较器抗干扰能力强。 答案:对。 25. 电压比较器中的集成运放满足虚短路和虚断路的特点。 答案:错。虚短和虚断,是线性的特点。电压比较器的运放是工在非线性,所以只满足虚断。 26.在单相桥式整流电路中,若有一只整流管断开,输出电压平均值变为原来的一半。

模电考试题及答案

第一章 自测题 五、电路如图T1.5所示,V CC =15V ,β=100,U BE =0.7V 。 试问: (1)R b =50k Ω时,U o=? (2)若T 临界饱和,则R b =? 解:(1)26BB BE B b V U I A R μ-= =, 2.6C B I I mA β==, 2O CC C c U V I R V =-=。 图T1.5 (2)∵ 2.86CC BE CS c V U I mA R -==, /28.6BS CS I I A βμ== ∴ 45.5BB BE b BS V U R k I -==Ω 习题 1.3电路如图P1.3所示,已知t u i ωsin 5=(V ),二极管导通电压U D =0.7V 。试画出i u 与 o u 的波形图,并标出幅值。 图P1.3 解图P1.3 解:波形如解图Pl.3所示。 1.9测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.9所示。在圆圈中画出管子,并说明它们是硅管还是锗管。 图P1.9 解:如解图1.9。

解图1.9 1.10电路如图P1.10所示,晶体管导通时0.7BE U V =,β=50。试分析BB V 为0V 、1V 、3V 三种情况下T 的工作状态及输出电压O u 的值。 解: (1)当0BB V =时,T 截止,12O u V =。 (2)当1BB V V =时,因为 60BB BEQ BQ b V U I A R μ-= = 3CQ BQ I I mA β== 9O CC CQ c u V I R V =-= 图P1.10 所以T 处于放大状态。 (3)当3BB V V =时,因为460BB BEQ BQ b V U I A R μ-= =, 2311.3CC CES CQ BQ CS c V U I I mA I mA R β-=== =, 所以T 处于饱和状态 2.7电路如图P2.7所示,晶体管的β=80 ,'100bb r =Ω。分别计算L R =∞和3L R k =Ω时的Q 点、u A 、i R 和o R 。 解:在空载和带负载情况下,电路的静态电流、be r 均相等,它们分别为: 22CC BEQ BEQ BQ b s V U U I A R R μ-=- ≈ 1.76CQ BQ I I mA β=≈ ' 26(1) 1.3be bb EQ mV r r k I β=++≈Ω 空载时,静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻分别为:

(完整版)《模拟电子技术》复习题10套及答案

《模拟电子技术》复习题一 一、填空题 1、在N型半导体中,多数载流子是;在P型半导体中,多数载流子是。 2、场效应管从结构上分为结型和两大类,它属于控制性器件。 3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与负载之间接入(共射、共集、共基)组态放大电路。 4、在多级放大器中,中间某一级的电阻是上一级的负载。 5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态,一般要引入____________。 6、根据下图中各三极管的电位,判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。 7、正弦波振荡电路通常由,,和 四部分组成。 二、选择题 1、利用二极管的()组成整流电路。 A 正向特性 B 单向导电性C反向击穿特性 2、P型半导体是在本征半导体中加入()后形成的杂质半导体。 A空穴B三价元素硼C五价元素锑 3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为( )场效应管。 A P沟道增强型MOS型 B P沟道耗尽型MOS型 C N沟道增强型MOS型 D N沟道耗尽型MOS型 E N沟道结型 F P沟道结型

图2-10 4、有一晶体管接在放大电路中,今测得它的各极对地电位分别为V 1=-4V,V 2=-1.2V,V 3=-1.4V,试判别管子的三个管脚分别是( )。 A 1:e、2:b、3:c B 1:c、2:e 、3:b C 1:c、2:b、3:e D 其它情况 5、集成运放中间级的作用是( )。 A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件,判断图2-6所示振荡电路中( )发生振荡。 A 可能 B 不能 7、差模信号电压是两个输入信号电压( )的值。 A 差 B 和 C 算术平均 8、在单相桥式整流电容滤波电路中,已知变压器二次电压有效值U 2=24V ,设二极管为理想二极管,用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ,问电路的现象是( )。 A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况 9、某仪表放大电路,要求输入电阻大,输出电流稳定,应选( )负反馈。 A 电压串联 B 电压并联 C 电流串联 D 电流并联 10、设图2-10所示电路中二极管D1、D2为理想二极管,判断它们是导通还是截止?( ) A D1导通,D2导通 B D1导通,D2截止 C D1截止,D2导通 D D1截止,D2截止 三、判断题 ( )1、温度升高后,本征半导体中自由电子和空穴数目都增多,且增量相同。 ( )2、结型场效应管通常采用两种偏置方式,即(源极)自给偏压式和栅极分压与源极自偏相结合的偏置方式。 ( )3、共集电极电路没有电压和电流放大作用。 ( )4、用电流源代替R e 后电路的差模倍数增加。 ( )5、集成运放内部第一级是差分放大电路,因此它有两个输入端。 ( )6、只有两个晶体管的类型相同(都为NPN 管或都为PNP 管时)才能组成复合管。 ( )7、RC 桥式振荡电路只要R f≤2R 1就能产生自激振荡。 ( )8、一个理想的差分放大电路,只能放大差模信号,不能放大共模信号。 ( )9、电压负反馈可以稳定输出电压。 ( )10、直流电源是一种电能形式转换电路,将交流电变为直流电。 四、分析题 电路如图所示: + + ++++------Rb1 Rb2Re1Re2 Rc RL C1Ce C1C2L 15V 8V Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1-2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1+2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3 图2-6 图2-4 图2-5图3-1 + + ++++ ------D2R Rb1 Rb2Re1 Re2 Rc RL C1 Ce C1 C2 L 15V 8V B=50 Ui Rf Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1 -2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1 +2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3图2-6 图2-4图2-5图3-1

《模电》经典题目,含问题详解

模拟电子技术基础试卷及参考答案 试卷三及其参考答案 试卷三 一、选择题(这是四选一的选择题,选择一个正确的答案填在括号内)(共16分) 1.有两个增益相同,输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B,对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下,测得A放大器的输出电压小,这说明A的() a. 输入电阻大 b. 输入电阻小 c. 输出电阻大 d. 输出电阻小 2.共模抑制比K CMR越大,表明电路()。 a. 放大倍数越稳定 b. 交流放大倍数越大 c. 抑制温漂能力越强 d. 输入信号中的差模成分越大 3.多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比,其通频带()。 a. 变宽 b. 变窄 c. 不变 d. 与各单级放大电路无关 4.一个放大电路的对数幅频特性如图1-4所示。当信号频率恰好为上限频率或下限频率时,实际的电压增益为()。 a. 43dB b. 40dB c. 37dB d. 3dB 图1-4 图1-5 5.LC正弦波振荡电路如图1-5所示,该电路()。 a. 满足振荡条件,能产生正弦波振荡 b. 由于无选频网络,不能产生正弦波振荡 c. 由于不满足相位平衡条件,不能产生正弦波振荡 d. 由于放大器不能正常工作,不能产生正弦波振荡 6.双端输入、双端输出差分放大电路如图1-6所示。已知静态时,V o=V c1-V c2=0,设差

模电压增益 100vd =A ,共模电压增益mV 5V mV,10,0i2i1c ===V A V ,则输出电压o V 为( )。 a. 125mV b. 1000 mV c. 250 mV d. 500 mV 图1-6 图1-7 7.对于图1-7所示的复合管,假设CEO1I 和CEO2I 分别表示T 1、T 2单管工作时的穿透电流, 则复合管的穿透电流CEO I 为( )。 a. CEO2CEO I I = b. CEO2CEO1CEO I I I += c. CEO1CEO I I = d. CEO12CEO2CEO )1(I I I β++= 8.某仪表放大电路,要求R i 大,输出电流稳定,应选( )。 a. 电流串联负反馈 b. 电压并联负反馈 c. 电流并联负反馈 d. 电压串联负反馈 二、判断下列管子的工作状态(共10分) 1.测得各三极管静态时三个电极对地的电位如图2-1 a 、b 、c 所示,试判断它们分别工作在什么状态(饱和、放大、载止、倒置)。设所有的三极管和二极管均为硅管。 图2-1 2.电路如图2-2 a 、b 所示,分别指出它们工作在下列三个区中的哪一个区(饱和区、夹断区、可变电阻区)。

模拟电路考试题及答案

自测题一 一、判断题 1.因为P 型半导体的多数载流子是空穴,所以它带正电。( F ) 2.在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。( T ) 3.处于放大状态的三极管,集电极电流是多数载流子漂移所形成的。( F ) 二、单选题 1.半导体中的少数载流子产生的原因是( D )。 A .外电场 B .内电场 C .掺杂 D .热激发 2.用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏,好的管子应为( C )。 A .正、反向电阻相等 B .正向电阻大,反向电阻小 C .反向电阻比正向电阻大很多倍 D .正、反向电阻都等于无穷大 3.二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将( B )。(X 轴为电压) A .右移 B .左移 C .上移 D .下移 4.当外加偏置电压不变时,若工作温度升高,二极管的正向导通电流将( A )。 A .增大 B .减小 C .不变 D .不确定 5.三极管β值是反映( B )能力的参数。(三极管可改为电流控制电流源) A .电压控制电压 B .电流控制电流 C .电压控制电流 D .电流控制电压 6.温度升高时,三极管的β值将( A )。 A .增大 B .减少 C .不变 D .不能确定 7.下列选项中,不属三极管的参数是( B )。 A .电流放大系数 B .最大整流电流 C .集电极最大允许电流 D .集电极最大允许耗散功率 8.某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为V U 61=,V U 4.52=,V U 123=,则对应该管的管脚排列依次是( B ) 。 A .e, b, c B .b, e, c C .b, c, e D .c, b, e 9.晶体三极管的反向电流是由( B )运动形成的。 A .多数载流子 B .少数载流子 C .扩散 D .少数载流子和多数载流子共同 10.三极管工作在放大区,三个电极的电位分别是6V 、12V 和6.7V ,则此三极管是( D )。(发正偏集反偏) A .PNP 型硅管 B .PNP 型锗管 C .NPN 型锗管 D .NPN 型硅管 11.场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的( B )。 A .非饱和区 B .饱和区 C .截止区 D .击穿区 12.增强型绝缘栅场效应管,当栅极g 与源极s 之间电压为零时( B )。 A .能够形成导电沟道 B .不能形成导电沟道 C .漏极电流不为零 D .漏极电压为零 三、填空题

模电题库及答案

模拟电子线路随堂练习 第一章半导体器件 作业1-1 一、习题(满分100 分) 1. N型半导体带负电,P型半导体带正电。() 2?以空穴为主要导电方式的半导体称为P型半导体。() 3. PN 结处于正向偏置时,正向电流小,电阻大,处于导通状态。() 4. 晶体二极管的反向电压上升到一定值时,反向电流剧增,二极管被击穿,就不能再使用了。() 5. 硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通。() 6. 在本征半导体中,空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。() 7. 晶体三极管的基极,集电极,发射极都不可互换使用。() 8. 晶体三极管工作在饱和状态的条件是:发射结正偏,集电结正偏。() 9. 晶体三极管有三种工作状态,即:放大状态,饱和状态,导通状态。() 10. 三极管是一种电压控制器件,场效应管是一种电流控制器件。() 11. 温度升高后,在纯净的半导体中()。 A. 自由电子和空穴数目都增多,且增量相同 B.空穴增多,自由电子数目不变 C.自由电子增多,空穴不变 12. 如果PN 结反向电压的数值增大(小于击穿电压) D.自由电子和空穴数目都不变,则()。 A. 阻当层不变,反向电流基本不变C.阻当层变窄,反向电流增大 B. 阻当层变厚,反向电流基本不变 D.阻当层变厚,反向电流减小

4. 工作在放大状态的三极管两个电极电流如图,那么,第三个电极的电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别 C. 集电极、发射极、基极 D.基极、集电极、发射极 8. 测得三极管 i b =30 yA 时i c =2.4mA ,而i b =40 ^A 时i c =3mA ,则该管的交流电流放大系数 3为()° A. 60 B.75 C.80 D .100 9. NPN 型硅管各极对地电位分别是 V 1=6V , V 2=2.7V , V 3=2V ,贝U 1, 2, 3分别为()° A.基极、集电极、发射极 B.发射极、基极、集电极 C. 集电极、发射极、基极 D.集电极、基极、发射极 10. 三极管输出特性曲线可分为三个区,下列不属于工作区的是( )° A.截止区 B.放大区 C.饱和区 D .击穿区 11. 在放大电压信号时,通常希望放大电路的输入电阻和输出电阻分别为( ) A.输入电阻小,输出电阻大 B. 输入电阻小,输出电阻小 作业1-2 一、习题(满分100分) 1. N 型半导体( )。 C .呈中性 D .不确定 2. 如果二极管的正反向电阻都很大,则该二极管( )。 A. 正常 B.断路 C .被击穿 3. 对于晶体二极管,下列说法正确的是( A.正向偏置时导通,反向偏置时截止 C. 反向击穿后立即烧毁 D .短路 )° B. 反向偏置时无电流流过二极管 D. 导通时可等效为一线性电阻 为()° A.0.03mA 流出三极管 e 、c 、 b B.0.03mA 流进三极管 C.0.03mA 流出三极管 c 、e 、 b D.0.03mA 流进三极管 5.测得电路中晶体三极管各电极相对于地的电位如图,从而可判断该晶体管工作在( A.饱和状态 B.放大状态 C.倒置状态 D .截止状态 6.PNP 型晶体管工作在放大状态,三个极电位的关系是( A.V C >V B >V E B. V C > V E > V B C .V E >V B > V C 7. PNP 型硅管工作在放大状态,各极对地电位分别是 V i =6V , V 2=2.7V , V 3=2V ,贝U 1, 2, 3 分别为( A.发射极、基极、集电极 B. 集电极、基极、发射极 )° D .V E >V C >V B

模电试题含答案

试题一 一、选择题:(每小题2分,共24分) (1)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为( B )。 A.前者反偏、后者反偏 B .前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者正偏 (2)N 型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的( C )。 A.电子 B.三价硼元素 C .五价磷元素 (3)为了减小零点漂移,通用型运放的输入级大多采用( C )。 A.共射电路 B.乙类放大电路 C .差动放大电路 (4)高通滤波电路可以用于( A )。 A . 滤除低于某一频率的无用信号 B. 滤除高于某一频率的无用信号 C. 让低于某一频率的有用信号通过 (5)长尾式差动放大电路抑制零点漂移的主要原因是( C )。 A.采用了双极型电源 B.电路和参数对称性好 C .引入了电流串联型负反馈 (6)、电路如图所示,其输出电压u O 等于( B )。 A.i2i1u u - B .i1i2u u - C. i2i1u u + (7)当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时,放大倍数的值约下降到中频时的0.7倍,即增益下降( A )。 A .3d B B.4dB C.5dB (8)( B )运算电路可将三角波电压转换成方波电压。 A .同相比例 B .微分 C .同相求和 (9)PN 结加正向电压时,空间电荷区将( A )。 A . 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 (10)OCL 功率放大电路如图所示,当u i 为正半周时,则( A )。

A. T1导通T2截止 B. T1截止T2导通 C. T1,T2导通 (11)整流的目的是( A )。 A. 将交流变为直流 B. 将高频变为低频 C. 将正弦波变为方波(12)电路如图所示,二极管D为理想元件,输入信号u i为如图所示的三角波,则输出电压u o的最大值为( B )。 A. 5 V B. 7 V C. 2 V 二、填空题:(总16 分,每空 2 分) (1)、一只晶体管在放大电路中,用万用表测出管脚对地电压分别是:A脚为12伏,B脚为11.7伏,C脚为6伏,则该管为PNP型锗管,A为e 极,B为 b 极,C为 c 极。 (2)工作在放大区的晶体管,当I B从10μA增大到20μA,I C从1mA增大到2mA,它的β为 100 。 (3)由于不易制造大容量电容,集成电路采用直接耦合放大方式。

模电习题(含答案)

1. _非常纯净的单晶体结构的半导体_ 称本征半导体。 2. 杂质半导体分_N _型半导体和_P _型半导体,前者中多数载流子是_自由电子_,少 数载流子是_空穴_,后者中多数载流子是_空穴_,少数载流子是_自由电子_。 3. 本征硅中若掺入5价元素的元素,则多数载流子应是_自由电子_,掺杂越多,则其 数量一定越_多_,相反,少数载流子应是_空穴_,掺杂越多, 则其数量一定越_ 少_。 4. P 区侧应带_负电_,N 曲一侧应带_正电_。空间电荷区内的电场称为_内电场_,其 方向从_N 区_指向_P 区_。 5. 在PN 结两侧外加直流电压,正端与P 区相连,负端与N 区相连,这种接法称之为 PN 结的_正向_偏置。 6. 半导体三极管的输入特性曲线与二极管的正向特性相似,而输出特性曲线可以划分 为三个工作区域,它们是_截止_区、_饱和_区和_放大_区。 7. 温度变化对半导体三极管的参数有影响,当温度升高时,半导体三极管的β值_增 大_,ICBO 值_增大_,UBE 值_减小_。 8. 半导体三极管能够放大信号,除了内部结构和工艺特点满足要求外,还必须具备的 外部工作条件是_发射结正偏、集电结反偏_。 9. 工作在放大区的某晶体管,当IB 从20微安增大到40微安时,Ic 从2毫安变为4 毫安,它的β值约为_100_。 10. 半导体三极管的三个极限参数是_CM I _、_CEO RB U )(_、_CM P _。 11. NPN 型硅三极管处于放大状态时,在三个电极电位中,其电位高低关系为 _E B C U U U >>_;基极和发射极电位之差约等于_0.7V _ 。 12. 半导体三极管从结构上分可以分为_PNP _型和_NPN _型两大类,他们工作时有_ 自由电子_、_空穴_两种载流子参与导电。 13. 在用万用表测量二极管的过程中,如果测得二极管的正反向电阻都为0Ω,说明 该二极管内部已_击穿_;如果所测得的正反向电阻都为无穷,说明该二极管已_断 路损坏_。 14. 在如图所示电路中,若仅是R L 增大,则电压放大倍数的绝对值将_增大_(增大?减 小?或不变?),输出电阻值将_不变_(增大?减小,或不变?)。

模拟电路考试题及答案

第 1 页 自测题一 一、判断题 1.因为P 型半导体的多数载流子是空穴,所以它带正电。( F ) 2.在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。( T ) 3.处于放大状态的三极管,集电极电流是多数载流子漂移所形成的。( F ) 二、单选题 1.半导体中的少数载流子产生的原因是( D )。 A .外电场 B .内电场 C .掺杂 D .热激发 2.用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏,好的管子应为( C )。 A .正、反向电阻相等 B .正向电阻大,反向电阻小 C .反向电阻比正向电阻大很多倍 D .正、反向电阻都等于无穷大 3.二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将( B )。(X 轴为电压) A .右移 B .左移 C .上移 D .下移 4.当外加偏置电压不变时,若工作温度升高,二极管的正向导通电流将( A )。 A .增大 B .减小 C .不变 D .不确定 5.三极管β值是反映( B )能力的参数。(三极管可改为电流控制电流源) A .电压控制电压 B .电流控制电流 C .电压控制电流 D .电流控制电压 6.温度升高时,三极管的β值将( A )。 A .增大 B .减少 C .不变 D .不能确定 7.下列选项中,不属三极管的参数是( B )。 A .电流放大系数 B .最大整流电流 C .集电极最大允许电流 D .集电极最大允许耗散功率 8.某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为V U 61 =,V U 4.52=,V U 123 =, 则对应该管的管脚排列依次是( B ) 。 A .e, b, c B .b, e, c C .b, c, e D .c, b, e 9.晶体三极管的反向电流是由( B )运动形成的。 A .多数载流子 B .少数载流子 C .扩散 D .少数载流子和多数载流子共同 10.三极管工作在放大区,三个电极的电位分别是6V 、12V 和6.7V ,则此三极管是( D )。(发正偏集反偏) A .PNP 型硅管 B .PNP 型锗管 C .NPN 型锗管 D .NPN 型硅管 11.场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的( B )。 A .非饱和区 B .饱和区 C .截止区 D .击穿区 12.增强型绝缘栅场效应管,当栅极g 及源极s 之间电压为零时( B )。 A .能够形成导电沟道 B .不能形成导电沟道 C .漏极电流不为零 D .漏极电压为零 三、填空题 1.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 掺杂浓度 。 2.少数载流子在内电场力作用下有规则的运动称为 漂移 。 3.PN 结正偏导通,反偏截止,称为PN 结的 单向导电性 性能。 4.PN 结加正向电压时,空间电荷区将 变窄 。 5.PN 结正向偏置时,PN 结的内电场被 削弱 。 6.三极管最重要的特性是 电流放大作用 。 7.温度升高时,晶体管的反向饱和电流将 增大 。 8.场效应晶体管属于 电压 控制器件。 10.GS 时,不能工作在恒流区的场效应管有 增强型MOS 管 。 11.开启电压0)(>th U GS 的是 N 沟道增强型 场效应管。 12.开启电压0) (

模电试题及答案

计算题 1、已知电力如下图示:为理想二极管,试分析:①二极管导通还是截止?②UA0=? 二极管V截止2)UA0=-4V 3、具有电流源的差分电路如图所示,已知UBEQ=0.7V,β=100,rbb=200Ω,试求:(1)V1、V2静态工作点ICQ、UCQ;(2)差模电压放大倍数Aud;(3)差模输入电阻Rid和输出电阻RO;(6分) 3、1)ICQ=2.4mA UCEQ=7.2V 2)AU=0.99 3)Ri=122k 4) Ro=20Ω 4、电路如图所示,设UCES=0试回答下列问题:(1)ui=0时,流过RL的电流有多大?(2)若V3、V4中有一个接反,会出现什么后果?(3)为保证输出波形不失真,输入信号ui的最大幅度为多少?管耗为多少? 4、1)ui=0时,RL电流为零2)V3、V4有一个反接电路不能工作3)Uim=12V 4)Pcl=[Vcc2(4-3.14)]/(4*3.14RL)=0.099W 5、根据自激振荡的相位条件,判断下图能否产生振荡?如果能振荡,求出F0;

5、 1)能振荡 2)fo=280KHZ 1.(本题10分)已知图示电路中晶体管的 =120,U BEQ =0.7V ,=300,各电容的 容抗可忽略不计。 (1)求静态电流、 、和发射极对地静态电压; (2)求电压放大倍数 、输入电阻 和输出电阻 。 1.答案 (1) uA R R U V I e b BEQ CC BQ 8.8)1(≈++-= βmA I I BQ CQ 06.1≈=β V R I U e BQ EQ 2.4)1(≈+=β (2) R i =[ r be + (1+ ) (R e // R L )] // R b ≈198 Ω≈+=271// β be e o r R R 2. (本题10分)图示电路中场效应管的转移特性可表达为: 其中 =4mA , =2V ,电容的容量足够大,对交流信号可视为短路。

模电优秀试题含答案

模电优秀试题含答案 模拟电子技术练习题 1、差动放大器与其它放大器相比,其特点是能()。 A .克服温漂 B .稳定放大倍数 C .提高输入电阻 D.扩展通频带 2、FET 是()控制器件。 A.电流 B.电压 C.电场 D.磁场 3、对某一级晶体管放大电路,要其对前一级的影响小(吸取的电流小),对后级带负载能力强,宜采用()。 A.共基极放大电路 B.共发射极放大电路 C.共集电极放大电路 D.以上电路都可以 4、要制作频率非常稳定的测试用信号源,应选用()。 A..RC 桥式正弦波振荡电路 B..LC 正弦波振荡电路 C.石英晶体正弦波振荡电路 D.以上电路都可以 5、对甲乙类功率放大器,其静态工作点一般设置在特性曲线的v 。 A.放大区中部 B.截止区 C.放大区但接近截止区 D.放大区但接近饱和区 6、负反馈放大电路的一般表达式为. .. . 1F

A A A f += ,当11. .>+F A 时,表明放大电路引入了()。 A .负反馈 B .正反馈 C .自激振荡 D.干扰 7、已知输入信号的频率为10KHZ~12KHZ ,为了防止干扰信号的混入,应选用()滤波电路。 A .高通 B .低通 C .带通 D.带阻 8、负反馈放大电路产生自激振荡条件是()。 A .1..=F A B .1..-=F A C .1. .>F A D. 1. .< F A 9、在OCL 乙类功放电路中,若最大输出功率为1W ,则电路中功放管的集电极最大功耗约为()。 A .1W B .0.5W C .0.2W D.无法确定 10、PN 结外加正向电压时,其空间电荷区()。 A.不变 B.变宽 C.变窄 D.无法确定 11.当NPN 型晶体管工作在放大区时,各极电位关系为u C u B u E ()。 A. >,> B.<,< C. =,= D.≤,≤ 12、共模抑制比越大表明电路()。 A.放大倍数越稳定 B.交流放大倍数越大 C.输入信号中差模成分越大

模电试卷题库(含答案)

1.某个处于放大状态的电路,当输入电压为10mV,输出电压 为6。5V,输入电压为15mV时,输出电压为7V(以上均为直 流电压),它的电压增益为( C ) a、700 b、650 c、100 d、-100 2.当输入信号频率为f L或f H时,电压增益的幅值约下降为中 频时的( B ) a、05. b、0。7 c、0。9 d、1 3.当输入信号频率为fL或fH时, 电压增系下降了( B )。 A、2 dB B、3dB C、4dB D、6dB 4.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接3KΩ的负载电阻后输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为( C ) a、10KΩ b、2KΩ c、1 KΩ d、0。5KΩ 5.用两个AU相同的放大电路A和B分别对同一个具有相同内 阻的电压 信号进行放大,测试结果输出电压VOA〉VOB,由此可知A比B ( B ) a、一样 b、差 c、好 d、无法判别 6.用两个放大电路A和B分别对同一电压信号进行放大。当输出端开路时V OA=V OB ,都接入负载R L时,测得V OA

模电试卷题库含答案

1.某个处于放大状态的电路,当输入电压为10m V,输出电压为6.5V,输入电压为15mV时,输出电压为7V(以上均为直 流电压),它的电压增益为(C ) a、700 b、650 c、100 d、-100 2.当输入信号频率为f L或f H时,电压增益的幅值约下降为中 频时的(B ) a、05. b、0.7 c、0.9 d、1 3.当输入信号频率为fL或fH时, 电压增系下降了( B )。 A、2 dB B、3dB C、4dB D、6dB 4.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接3KΩ的负 载 电阻后输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为(C ) a、10KΩ b、2KΩ c、1 KΩ d、0.5KΩ 5.用两个A U相同的放大电路A和B分别对同一个具有相同内阻的电压 信号进行放大,测试结果输出电压V OA>V OB,由此可知A比B( B ) a、一样 b、差 c、好 d、无法判别 6.用两个放大电路A和B分别对同一电压信号进行放大。当输出端开路时V OA=V OB ,都接入负载R L时,测得V OA

9.如图示,运放A为理想器件,则其输出电压V O为( C ) a、9V b、6V c、0V d、3V 10.设V N、V P和V0分别表示反相输入端、同相输入端和输 出端,则V0与V N、V P分别成( D ) a、同相、同相 b、反相、反相 c、同相、反相 d、反相、同相 11.若要将幅度为±Um的矩形波转变为三角波,则应选用( D ) 12. A、反相比例运算电路 13. B、同相比例运算电路 14. C、微分运算电路 15. D、积分运算电路 半导体 16.N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的(D )。 a、电子 b、空穴 c、三价硼元素 d、五价磷元素 17.半导体中有两种载流子,它们分别是(C ) a、电子和受主离子 b、空穴和施主离子 c、电子和空穴 d、受主离子和施主离子 18.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( B ) a、温度 b、杂质浓度 c、掺杂工艺 d、晶体缺陷 19.在室温附近,当温度升高时,杂质半导体中浓度明显增加是(C ) a、载流子 b、多数载流子 c、少数载流子 d、正负离子 20.温度升高后,在纯半导体中,其电子、空穴变化为( A ) a、自由电子和空穴数目都增多,且增量相同 b、空穴增多,自由电子数目不变

(完整版)模电题库

1 晶体管工作在放大区时,发射结为____,集电结为____,工作在饱和区时,发射结为____,集电结为____。 A、正向偏置, B、反向偏置, C、零偏置 [答案]A|B|A|A 2 N型半导体是在纯净半导体中掺入____;P型半导体是在纯净半导体中掺入____。 A、带负电的电子, B、带正电的离子, C、三价元素,如硼等, D、五价元素,如磷等 [答案] D|C 3 当PN结外加正向电压时,扩散电流漂移电流,耗尽层;当PN结外加反向电压时,扩散电流漂移电流,耗尽层。 A、大于, B、小于, C、等于, D、变宽, E、变窄, F、不变 [答案] A|E|B|D 4 在保持二极管反向电压不变的条件下,二极管的反向电流随温度升高而____;在保持二极管的正向电流不变的条件下,二极管的正向导通电压随温度升高而____。 A、增大, B、减小, C、不变 [答案] A|B 5 某二极管反向电压为10V时,反向电流为μA 。在保持反向电压不变的条件下,当二 极管的结温升高10℃,反向电流大约为____。 A、0.05μA, B、0.1μA, C、0.2μA, D、1μA [答案] C 6 在如图所示的电路中,当V=3V时,测得I=1mA,。 1.当V调到6V,则I将为____。 A、1mA, B、大于1mA,但小于2mA C、2mA, D、大于2mA 2.保持V=3V不变,温度升高20℃,则将为____。 A、小于0.7V , B、0.7V不变, C、大于0.7V [答案] D|A 7 电路如图所示,,当直流电源电压V增大时,二极管VD的动态电阻 将____。 A、增大, B、减小, C、保持不变 [答案] B

《模电》经典题目,含答案

模拟电子技术根底试卷及参考答案 试卷三及其参考答案 试卷三 一、选择题〔这是四选一的选择题,选择一个正确的答案填在括号内〕〔共16分〕 1.有两个增益一样,输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B,对同一个具有内阻的信号源电压进展放大。在负载开路的条件下,测得A放大器的输出电压小,这说明A的〔〕 a. 输入电阻大 b. 输入电阻小 c. 输出电阻大 d. 输出电阻小 2.共模抑制比K CMR越大,说明电路〔〕。 a. 放大倍数越稳定 b. 交流放大倍数越大 c. 抑制温漂才能越强 d. 输入信号中的差模成分越大 3.多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比,其通频带〔〕。 a. 变宽 b. 变窄 c. 不变 d. 与各单级放大电路无关 4.一个放大电路的对数幅频特性如图1-4所示。当信号频率恰好为上限频率或下限频率时,实际的电压增益为〔〕。 a. 43dB b. 40dB c. 37dB d. 3dB 图1-4 图1-5 5.LC正弦波振荡电路如图1-5所示,该电路〔〕。 a. 满足振荡条件,能产生正弦波振荡 b. 由于无选频网络,不能产生正弦波振荡 c. 由于不满足相位平衡条件,不能产生正弦波振荡 d. 由于放大器不能正常工作,不能产生正弦波振荡 6.双端输入、双端输出差分放大电路如图1-6所示。静态时,V o=V c1-V c2=0,设差模电 压增益 100 vd = A ,共模电压增益m V 5 V m V, 10 ,0 i2 i1 c = = =V A V,那么输出电压o V为〔〕。

a. 125mV b. 1000 mV c. 250 mV d. 500 mV 图1-6 图1-7 7.对于图1-7所示的复合管,假设CEO1I 和CEO2I 分别表示T 1、T 2单管工作时的穿透电流,那么复合管的穿透电流CEO I 为〔 〕。 a. CEO2CEO I I = b. CEO2CEO1CEO I I I += c. CEO1CEO I I = d. CEO12CEO2CEO )1(I I I β++= 8.某仪表放大电路,要求R i 大,输出电流稳定,应选〔 〕。 a. 电流串联负反应 b. 电压并联负反应 c. 电流并联负反应 d. 电压串联负反应 二、判断以下管子的工作状态〔共10分〕 1.测得各三极管静态时三个电极对地的电位如图2-1 a 、b 、c 所示,试判断它们分别工作在什么状态〔饱和、放大、载止、倒置〕。设所有的三极管和二极管均为硅管。 图2-1 2.电路如图2-2 a 、b 所示,分别指出它们工作在以下三个区中的哪一个区〔饱和区、夹断区、可变电阻区〕。

模电试题及答案

《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(),反偏时(),所以PN结具有()导电性。 2、漂移电流是()电流,它由()载流子形成,其大小与()有关, 而与外加电压()。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(),等效成一条直线;当其反 偏时,结电阻为(),等效成断开; 4、三极管是()控制元件,场效应管是()控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(),集电结()。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(),发射结压降()。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是()、()、()放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(电压并联)负反馈,为了稳 定交流输出电流采用(串联)负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(1/(1/A+F)),对于深度负反馈放大电路 的放大倍数AF=(1/ F )。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=(1+AF )BW,其中BW=(fH –fL ), (1+AF)称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为()信号, 而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为()信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的()失真,而采用()类互 补功率放大器。 13、OCL电路是()电源互补功率放大电路; OTL电路是()电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(),输入电阻(),输出电阻 ()等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制()漂移,也称()漂移,所以它广泛应用于() 电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(),未被调制的高频信 号是运载信息的工具,称为()。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(),电路符号是()。 二、选择题(每空2分共30分)

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