半导体芯片制造工考试试题
半导体芯片制造高级工考试试题
?一、填空题
? 1.禁带宽度的大小决定着（电子从价带跳到导带）的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素，如高温和辐射等的干扰而产生变化。
? 2.硅片减薄腐蚀液为氢氟酸和硝酸系腐蚀液。砷化镓片用( 硫酸)系、氢氧化氨系蚀腐蚀液。
? 3. 铝丝与铝金属化层之间用加热、加压的方法不能获得牢固的焊接，甚至根本无法实现焊接的原因是铝的表面在空气中极易生成一层（氧化物），它们阻挡了铝原子之间的紧密接触，达不到原子之间引力范围的间距。
? 4. 在半导体制造工艺中往往把减薄、划片、分片、装片、内引线键合和管壳封装等一系列工艺称为（组装）。
? 5.钎焊包括合金烧结、共晶焊；聚合物焊又可分为（导电胶粘接）、( 银浆烧结)等。
? 6. 金丝球焊的优点是无方向性，键合强度一般( 大于)同类电极系统的楔刀焊接。?7. 芯片焊接质量通常进行镜检和( 剪切强度)两项试验。
?8. 如果热压楔形键合小于引线直径1．5倍或大于3．0倍，其长度小于1．5倍或大于6．0倍，判引线键合( 不合格)。
?9. 钎焊密封工艺主要工艺条件有钎焊气氛控制、温度控制和密封腔体内( 湿度)控制。
?10 外壳设计包括电性能设计、热性能设计和结构设计三部分，而( 可靠性)设计也包含在这三部分中间。
?11. 厚膜混合集成电路的基片种类很多，目前常用的有：氧化铝陶瓷，( 氧化铍陶瓷)，氮化铝(A1N)陶瓷。
?12.微波混合集成电路是指工作频率从300 MHz～100 kMHz的混合集成电路，可分为分布参数微波混合集成电路和( 集总参数)微波混合集成电路两类。
?13.外延层的迁移率低的因素有原材料纯度（不够）；反应室漏气；外延层的晶体（质量差）；系统沾污等；载气纯度不够；外延层晶体缺陷多；生长工艺条件不适宜。
?14.离子注入杂质浓度分布中最重要的二个射程参数是（平均投影射程）和（平均投影标准差）。
?15、二氧化硅的制备方法很多，其中最常用的是高温（氧化）、（气相）淀积、PECVD淀积。
?16、半导体集成电路生产中，元件之间隔离有（Pn结介质）（Pn结隔离）（Pn结介质混合）隔离等三种基本方法.
?17、最常用的金属膜制备方法有（电阻）加热蒸发、（电子束）蒸发、（溅射）。
?18、热分解化学气相淀积二氧化硅是利用（含有硅的化合物）化合物，经过热分解反应，在基片表面淀积二氧化硅。
?19 杂质原子在半导体中的扩散机理比较复杂，但主要可分为（替位）扩散和（间隙）扩散两种。
?20 半导体材料可根据其性能、晶体结构、结晶程度、化学组成分类。比较通用的则
是根据其化学组成可分为（元素）半导体、（化合物）半导体、固溶半导体三大类。
?延生长方法比较多，其中主要的有（化学气相）外延、（液相）外延、金属有机化学气相外延、（分子束）外延、原子束外延、固相外延等。
?气中的一个小尘埃将影响整个芯片的（完整）性、（成品）率，并影响其电学性能和（可靠性）性，所以半导体芯片制造工艺需在超净厂房内进行。
?二、判断题
?1．双极晶体管中只有一种载流子(电子或空穴)传输电流。( F)
?2．逻辑电路只能处理“非O即1“这两个值。( T )
?3．晶体的特点是在各个晶向上的物理性能、机械性能、化学性能相同。( F ) ?4．门阵列的基本结构形式有两种：一种是晶体管阵列，一种是门阵列。( T) ?5．晶体的特点是在各不同晶向上的物理性能、机械性能、化学性能都相同。( F )。?6．目前在半自动化和自动化的键合机上用的金丝或硅铝丝都是经生产厂家严格处理包装后销售，一般不能再退火，一经退火反而坏了性能。( T )
?7．退火处理能使金丝和硅铝丝的抗断强度下降。(T )
?8．设置的非破坏性键合拉力通常为最小键合强度的50％。( F )
?9．钯．银电阻的烧结分预烧结、烧结、降温冷却三个阶段。( T )
?10．厚膜元件材料的粉末颗粒越小、表面形状謦复杂，比表面积就越大，则表面自由能也就越高，对烧结越有利。( T )
?11．厚膜浆料属于牛顿流体，因此其粘度属于正常黏度。( F )
?12．厚膜浆料存在触变性，流体受到外力作用时黏度迅速下降，外力消失后，黏度迅速恢复原状。( T)
?13．丝网印刷膜的厚度不随着刮板移动速度的增加而减小。( F)
?14．在半导体中掺金是为了使非平衡载流子的寿命增加。( F )
?15．可靠性筛选可以剔除早期失效的产品。( T )
?16．硅MOSFET和硅JFET结构相同。( F )
?17．场效应晶体管的栅源电压变化可以控制漏电流变化。( T )
?18 片状源扩散具有设备简单，操作方便，晶片缺陷少，均匀性、重复性和表面质量都较好，适于批量生产，应用越来越普遍。( T )
?19.值称为共发射极电流放大系数，是晶体管的一个重要参数，也是检验晶体管经过硼、砷掺杂后的两个pn结质量优劣的重要标志。( T )
?20低温淀积二氧化硅生长温度低、制作方便，但膜不够致密，耐潮性和抗离子沾污能力较差。( T )
?三、选择题
?1．禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子( )外界因素(如高温和辐射等)的干扰而产生变化。
?A．越不容易受B．越容易受C．基本不受
?2．变容二极管的电容量随( )变化。
?A．正偏电流B．反偏电压C．结温
?3．双极晶体管的1c7r噪声与( )有关。
?A．基区宽度B．外延层厚度C．表面界面状态
?4．半导体分立器件、集成电路对外壳的主要要求之一是：良好的热性能。外壳应有小的( )，使芯片的热量有效地散逸出去，保证器件在正常结温下工作。
?A．热阻B．阻抗C．结构参数
?5．非接触式厚膜电路丝网印刷时，丝网与基片之间有一定的距离，称为间隙，通常为( ) 。
?A．小于0.1mm B．0．5～2.0mm C．大于2.0mm
?6．厚膜元件烧结时，浆料中的固体颗粒由接触到结合、自由表面的收缩、空隙的排除、晶体缺陷的消除等都会使系统的自由能( )，从而使系统转变为热力学中更稳定的状态。
?A．降低B．升高C．保持不变
?7．在突缘电阻焊工艺中，要获得良好的焊接质量，必须确定的基本规范包括( ) ?A．焊接电流、焊接电压和电极压力
?B．焊接电流、焊接时间和电极压力
?C．焊接电流、焊接电压和焊接时间
?8．塑封中注塑成型工艺主要工艺参数有( )、模具温度、合模压力、注射压力、?注射速度和成型时间。
?A．准备工具B．准备模塑料C．模塑料预热
?9．平行缝焊的工艺参数有焊接电流、焊接速度、焊轮压力和焊轮椎顶角。焊轮压力影响盖板和焊环之间高阻点的( )。压力太大，电阻值下降，对形成焊点不利，焊轮
?压力太小，则造成接触不良，不但形不成良好焊点。
?A．电流值B．电阻值C．电压值
?10．溅射法是由( )轰击靶材表面，使靶原子从靶表面飞溅出来淀积在衬底上形成薄膜。
?A．电子B．中性粒子C．带能离子
?11．双极晶体管的高频参数是（）。
? A. hFE Vces B. BVce C．ft fm
?12. 金属封装主要采用金属和玻璃密封工艺，金属作封装底盘、管帽和引线，（）做绝缘和密封。
?A．塑料B：玻璃C．金属
?13．外壳设计包括（）设计、热性能设计和结构设计三部分，而可靠性设计也包含在这三部分中间。
?A．电性能B．电阻C．电感
?14．金属封装主要用于混合集成电路封装，外壳零件一般有底盘、管帽、引线和玻璃绝缘子组成。底盘、管帽和引线的材料常常是（）。
?A．合金A-42 B．4J29可伐C．4J34可伐
?15．超声热压焊的主要应用对象是超小型镀金外壳与镀金管帽的焊接，焊接处依靠（）封接，因而外壳零件的平整度和镀金层厚度是实现可靠性封接的关键因素。?A．管帽变形B．镀金层的变形C．底座变形
?16．在低温玻璃密封工艺中，常用的运载剂由2％(质量比)的硝化纤维素溶解于98％(质量比)的醋酸异戊酯或松油醇中制得，再将20％的运载剂与（）的玻璃料均匀混合，配成印刷浆料。
?A．80％～90％B．10％～20％C．40％-50％
?17．常用胶粘剂有热固性树脂、热塑性树脂和橡胶型胶粘剂3大类。半导体器件的粘封工艺一般选用（）。
?A．热塑性树脂B．热固性或橡胶型胶粘剂
?18、溅射法是由（）轰击靶材表面，使靶原子从靶表面飞溅出来淀积在衬底上形成薄膜。
? A 电子 B 中性粒子 C 带能离子
?19.分解化学气相淀积二氧化硅的厚度与时间基本符合（）关系。
? A 线性 B 抛物线 C 指数
?20、恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为（）分布。
? A 高斯 B 余误差 C 指数
?21、反应离子腐蚀是（）。
? A 化学刻蚀机理 B 物理刻蚀机理 C 物理的溅射刻蚀和化学的反应刻蚀相结合
?器件的横向尺寸控制几乎全由（）来实现。
? A 掩膜版 B 扩散 C 光刻
?pn结的击穿电压和反向漏电流既是晶体管的重要直流参数，也是评价（）的重要标志。
? A 扩散层质量 B 设计 C 光刻
?四、问答题
?1、什么叫晶体缺陷?
?答：晶体机构中质点排列的某种不规则性或不完善性。又称晶格缺陷。
?2、单晶片切割的质量要求有哪些?
?答:晶向偏离度总厚度误差,平衡度,翘曲度等
? 3.粘封工艺中，常用的材料有哪几类?
?答：常用胶粘剂有热固性树脂、热塑性树脂和橡胶型胶粘剂3大类。
? 4.引线焊接有哪些质量要求?
?答:可靠性好,易保持一定形状,化学稳定性好.尽量少形成金属间化合物,键合引线和焊盘金属间形成低电阻欧姆接触.
?平整度倾斜度，平行度焊接时间焊接界面的清润。
?
? 5. 简述在芯片制造中对金属电极材料有什么要求?
答：1、能很好的阻挡材料扩散；
2、高电导率，低欧姆接触电阻；
3、在半导体和金属之间有很好的附着能力；
4、抗电迁能力强；
5、在很薄和高温下具有很好的稳定性；
?6、抗侵蚀和抗氧化性好。
?1、具有高的导电率和纯度。
?2、与下层存底（通常是二氧化硅或氮化硅）具有良好的粘附性。
?3、与半导体材料连接时接触电阻低。
?4、能够淀积出均匀而且没有“空洞”的薄膜，易于填充通孔。
?5、易于光刻和刻蚀，容易制备出精细图形。
?6、很好的耐腐蚀性。
?7、在处理和应用过程中具有长期的稳定性。
?6、简述光刻工艺原理及在芯片制造中的重要性？
?答:1.光刻是通过一系列生产步骤将晶圆表面薄膜的特定部分除去并得到所需图形的工艺.
? 2.光刻的重要性是在二氧化硅或金属薄膜上面刻蚀出与掩膜版完全对应的几何图形,从而实现选择性扩散和金属薄膜布线的目的，它是晶圆加工过程的中心，为后面的刻蚀和离子注入做准备。决定了芯片的性能，成品率，可靠性。.
?
?7、有哪几种常用的化学气相淀积薄膜的方法？
?答：常压化学气相淀积（APCVD）,
?低压化学气相淀积（LPCVD），
?等离子体辅助CVD。
?8、典型的GaAsMESFET结构IC的工艺流程？
?答:存底的制备----硅氧化---生长埋层---外延生长---生长隔离区---生长基区---发射区及集电极接触区生长---形成金属互连---集成电路成品.
?9、洁净区工作人员应注意些什么？
?答:保持部件与工具洁净,保持个人清洁卫生.不能把洁净服提来提去,人员不能触摸或翻动洁净服.禁止吃喝，禁止用手表，首饰，指甲油，吸烟，化妆，工作只能在洁净面上进行。
?10、简述你所在工艺的工艺质量要求？你如何检查你的工艺质量？
?答:外延要求1.集电极击穿电压要求2.集电极串联电阻要小.3.高频大功率小型化. ?刻蚀要求1.图形转换的保真度高
? 2.选择比高.
? 3.刻蚀速率高.
? 4.刻蚀剖面.
? 5.刻蚀偏差.
? 6.刻蚀因子大.
?7.均匀性.
半导体芯片制造工：半导体芯片制造高级工考点(最新版).doc
半导体芯片制造工：半导体芯片制造高级工考点（最 新版） 考试时间：120分钟 考试总分：100分 遵守考场纪律，维护知识尊严，杜绝违纪行为，确保考试结果公正。 1、问答题 洁净区工作人员应注意些什么？ 本题答案： 2、单项选择题 变容二极管的电容量随（ ）变化。A.正偏电流 B.反偏电压 C.结温 本题答案： 3、问答题 什么叫晶体缺陷？ 本题答案： 4、单项选择题 在低温玻璃密封工艺中，常用的运载剂由2％（质量比）的硝化纤维素溶解于98％（质量比）的醋酸异戊酯或松油醇中制得，再将20％的运载剂与（ ）的玻璃料均匀混合，配成印刷浆料。A.80％～90％ B.10％～20％ C.40％-50％ 本题答案： 5、单项选择题 姓名：________________ 班级：________________ 学号：________________ --------------------密----------------------------------封 ----------------------------------------------线----------------------
厚膜元件烧结时，浆料中的固体颗粒由接触到结合、自由表面的收缩、空隙的排除、晶体缺陷的消除等都会使系统的自由能（），从而使系统转变为热力学中更稳定的状态。A.降低 B.升高 C.保持不变 本题答案： 6、填空题 热分解化学气相淀积二氧化硅是利用（）化合物，经过热分解反应，在基片表面淀积二氧化硅。 本题答案： 7、填空题 杂质原子在半导体中的扩散机理比较复杂，但主要可分为（）扩散和（ ）扩散两种。 本题答案： 8、单项选择题 非接触式厚膜电路丝网印刷时，丝网与基片之间有一定的距离，称为间隙，通常为（）。A.小于0.1mm B.0.5～2.0mm C.大于2.0mm 本题答案： 9、填空题 禁带宽度的大小决定着（）的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素，如高温和辐射等的干扰而产生变化。 本题答案： 10、单项选择题 双极晶体管的1c7r噪声与（）有关。A.基区宽度 B.外延层厚度 C.表面界面状态 本题答案： 11、单项选择题
晶圆封装测试工序和半导体制造工艺流程
A.晶圆封装测试工序 一、 IC检测 1. 缺陷检查Defect Inspection 2. DR-SEM(Defect Review Scanning Electron Microscopy) 用来检测出晶圆上是否有瑕疵，主要是微尘粒子、刮痕、残留物等问题。此外，对已印有电路图案的图案晶圆成品而言，则需要进行深次微米范围之瑕疵检测。一般来说，图案晶圆检测系统系以白光或雷射光来照射晶圆表面。再由一或多组侦测器接收自晶圆表面绕射出来的光线，并将该影像交由高功能软件进行底层图案消除，以辨识并发现瑕疵。 3. CD-SEM(Critical Dimensioin Measurement) 对蚀刻后的图案作精确的尺寸检测。 二、 IC封装 1. 构装（Packaging） IC构装依使用材料可分为陶瓷（ceramic）及塑胶（plastic）两种，而目前商业应用上则以塑胶构装为主。以塑胶构装中打线接合为例，其步骤依序为晶片切割（die saw）、黏晶（die mount / die bond）、焊线（wire bond）、封胶（mold）、剪切/成形（trim / form）、印字（mark）、电镀（plating）及检验（inspection）等。 (1) 晶片切割（die saw） 晶片切割之目的为将前制程加工完成之晶圆上一颗颗之晶粒（die）切割分离。举例来说：以0.2微米制程技术生产，每片八寸晶圆上可制作近六百颗以上的64M微量。 欲进行晶片切割，首先必须进行晶圆黏片，而后再送至晶片切割机上进行切割。切割完后之晶粒井然有序排列于胶带上，而框架的支撐避免了胶带的皱褶与晶粒之相互碰撞。 (2) 黏晶（die mount / die bond） 黏晶之目的乃将一颗颗之晶粒置于导线架上并以银胶（epoxy）粘着固定。黏晶完成后之导线架则经由传输设备送至弹匣（magazine）内，以送至下一制程进行焊线。 (3) 焊线（wire bond） IC构装制程（Packaging）则是利用塑胶或陶瓷包装晶粒与配线以成集成电路（Integrated Circuit；简称IC），此制程的目的是为了制造出所生产的电路的保护层，避免电路受到机械性刮伤或是高温破坏。最后整个集成电路的周围会向外拉出脚架（Pin），称之为打线，作为与外界电路板连接之用。
芯片的制造工艺流程
芯片的制造 半导体产业最上游是IC设计公司与硅晶圆制造公司，IC 设公司计依客户的需求设计出电路图，硅晶圆制造公司则以多晶硅为原料制造出硅晶圆。中游的IC制造公司主要的任务就是把IC设计公司设计好的电路图移植到硅晶圆制造公司制造好的晶圆上。完成后的晶圆再送往下游的IC封测厂实施封装与测试，即大功告成！ (1)硅晶圆制造 半导体产业的最上游是硅晶圆制造。事实上，上游的硅晶圆产业又是由三个子产业形成的，依序为硅的初步纯化→多晶硅的制造→硅晶圆制造。 a硅的初步纯化 将石英砂(SiO2)转化成冶金级硅(硅纯度98%以上)。 b多晶硅的制造 将冶金级硅制成多晶硅。这里的多晶硅可分成两种：高纯度(99.999999999%，11N)与低纯度(99.99999%，7N)两种。高纯度是用来制做IC等精密电路IC，俗称半导体等级多晶硅；低纯度则是用来制做太阳能电池的，俗称太阳能等级多晶硅。 c硅晶圆制造 将多晶硅制成硅晶圆。硅晶圆又可分成单晶硅晶圆与多晶硅晶圆两种。一般来说，IC制造用的硅晶圆都是单晶硅晶
圆，而太阳能电池制造用的硅晶圆则是单晶硅晶圆与多晶硅晶圆皆有。一般来说，单晶硅的效率会较多晶硅高，当然成本也较高。 (2)IC设计 前面提到硅晶圆制造，投入的是石英砂，产出的是硅晶圆。IC设计完成后，产出则是电路图，最后制成光罩送往IC 制造公司，设计就告一段落了！ 不过，要让理工科以外的人了解IC设计并不是件容易的事(就像要让念理工的人了解复杂的衍生性金融商品一样)，作者必需要经过多次外出取材才有办法办到。这里先大概是一下观念，请大家发挥一下你们强大的想像力！ 简单来讲，IC设计可分成几个步骤，依序为：规格制定→逻辑设计→电路布局→布局后模拟→光罩制作。 a规格制定 品牌厂或白牌厂(没有品牌的品牌厂)的工程师和IC设计工程师接触，并开出他们需要的IC的规格给IC设计工程师。讨论好规格后，工程师们就开始工作了！ b逻辑设计 所谓的“逻辑”设计图，就是指它是由简单的逻辑元件构成，而不是由半导体种类电路元件(如二极体、电晶体等)所构成。什么是逻辑元件呢？像是AND Gate(故名思意，两个输入都是1的话，输出才是1，否则输出就是0)，OR Gate(两
半导体工艺流程
1清洗 集成电路芯片生产的清洗包括硅片的清洗和工器具的清洗。由 于半导体生产污染要求非常严格，清洗工艺需要消耗大量的高纯水; 且为进行特殊过滤和纯化广泛使用化学试剂和有机溶剂。 在硅片的加工工艺中，硅片先按各自的要求放入各种药液槽进行表面化学处理，再送入清洗槽，将其表面粘附的药液清洗干净后进入下一道工序。常用的清洗方式是将硅片沉浸在液体槽内或使用液体喷雾清洗，同时为有更好的清洗效果，通常使用超声波激励和擦片措施，一般在有机溶剂清洗后立即米用无机酸将其氧化去除，最后用超纯水进行清洗，如图1-6所示。 图1-6硅片清洗工艺示意图 工具的清洗基本米用硅片清洗同样的方法。 2、热氧化 热氧化是在800~1250C高温的氧气氛围和惰性携带气体（N2）下使硅片表面的硅氧化生成二氧化硅膜的过程，产生的二氧化硅用以作为扩散、离子注入的阻挡层，或介质隔离层。典型的热氧化化学反应为： Si + O2 T SiO2
3、扩散 扩散是在硅表面掺入纯杂质原子的过程。通常是使用乙硼烷（B2H6）作为N —源和磷烷（PH3）作为P+源。工艺生产过程中通常 分为沉积源和驱赶两步，典型的化学反应为： 2PH3 —2P+3H2 4、离子注入 离子注入也是一种给硅片掺杂的过程。它的基本原理是把掺杂物质（原子）离子化后，在数千到数百万伏特电压的电场下得到加速，以较高的能量注入到硅片表面或其它薄膜中。经高温退火后，注入离子活化，起施主或受主的作用。 5、光刻 光刻包括涂胶、曝光、显影等过程。涂胶是通过硅片高速旋转在硅片表面均匀涂上光刻胶的过程；曝光是使用光刻机，并透过光掩膜版对涂胶的硅片进行光照，使部分光刻胶得到光照，另外，部分光刻胶得不到光照，从而改变光刻胶性质；显影是对曝光后的光刻胶进行去除，由于光照后的光刻胶 和未被光照的光刻胶将分别溶于显影液和不溶于显影液，这样就使光刻胶上 形成了沟槽。 6、湿法腐蚀和等离子刻蚀 通过光刻显影后，光刻胶下面的材料要被选择性地去除，使用的方法就
芯片设计和生产流程
芯片设计和生产流程 大家都是电子行业的人，对芯片，对各种封装都了解不少，但是你 知道一个芯片是怎样设计出来的么？你又知道设计出来的芯片是 怎么生产出来的么？看完这篇文章你就有大概的了解。 复杂繁琐的芯片设计流程 芯片制造的过程就如同用乐高盖房子一样，先有晶圆作为地基，再层层往上叠的芯片制造流程后，就可产出必要的IC芯片（这些会在后面介绍）。然而，没有设计图，拥有再强制造能力都没有用，因此，建筑师的角色相当重要。但是IC设计中的建筑师究竟是谁呢？本文接下来要针对IC设计做介绍。 在IC生产流程中，IC多由专业IC设计公司进行规划、设计，像是联发科、高通、Intel等知名大厂，都自行设计各自的IC芯片，提供不同规格、效能的芯片给下游厂商选择。因为IC是由各厂自行设计，所以IC设计十分仰赖工程师的技术，工程师的素质影响着一间企业的价值。然而，工程师们在设计一颗IC芯片时，究竟有那些步骤？设计流程可以简单分成如下。
设计第一步，订定目标 在IC设计中，最重要的步骤就是规格制定。这个步骤就像是在设计建筑前，先决定要几间房间、浴室，有什么建筑法规需要遵守，在确定好所有的功能之后在进行设计，这样才不用再花额外的时间进行后续修改。IC设计也需要经过类似的步骤，才能确保设计出来的芯片不会有任何差错。 规格制定的第一步便是确定IC的目的、效能为何，对大方向做设定。接着是察看有哪些协定要符合，像无线网卡的芯片就需要符合IEEE802.11等规範， 不然，这芯片将无法和市面上的产品相容，使它无法和其他设备连线。最后则是
确立这颗IC的实作方法，将不同功能分配成不同的单元，并确立不同单元间连结的方法，如此便完成规格的制定。 设计完规格后，接着就是设计芯片的细节了。这个步骤就像初步记下建筑的规画，将整体轮廓描绘出来，方便后续制图。在IC芯片中，便是使用硬体描述语言（HDL）将电路描写出来。常使用的HDL有Verilog、VHDL等，藉由程式码便可轻易地将一颗IC地功能表达出来。接着就是检查程式功能的正确性并持续修改，直到它满足期望的功能为止。 ▲32bits加法器的Verilog范例。 有了电脑，事情都变得容易 有了完整规画后，接下来便是画出平面的设计蓝图。在IC设计中，逻辑合成这个步骤便是将确定无误的HDL code，放入电子设计自动化工具（EDA tool），让电脑将HDL code转换成逻辑电路，产生如下的电路图。之后，反
【半导体研磨 精】半导体晶圆的生产工艺流程介绍
?从大的方面来讲，晶圆生产包括晶棒制造和晶片制造两大步骤，它又可细分为以下几道主要工序（其中晶棒制造只包括下面的第一道工序，其余的全部属晶片制造，所以有时又统称它们为晶柱切片后处理工序）： 晶棒成长--> 晶棒裁切与检测--> 外径研磨--> 切片--> 圆边--> 表层研磨--> 蚀刻--> 去疵--> 抛光--> 清洗--> 检验--> 包装 1 晶棒成长工序：它又可细分为： 1）融化（Melt Down） 将块状的高纯度复晶硅置于石英坩锅内，加热到其熔点1420°C以上，使其完全融化。 2）颈部成长（Neck Growth） 待硅融浆的温度稳定之后，将〈1.0.0〉方向的晶种慢慢插入其中，接着将晶种慢慢往上提升，使其直径缩小到一定尺寸（一般约6mm左右），维持此直径并拉长 100-200mm，以消除晶种内的晶粒排列取向差异。 3）晶冠成长（Crown Growth） 颈部成长完成后，慢慢降低提升速度和温度，使颈部直径逐渐加大到所需尺寸（如 5、6、8、12吋等）。 4）晶体成长（Body Growth） 不断调整提升速度和融炼温度，维持固定的晶棒直径，只到晶棒长度达到预定值。 5）尾部成长（Tail Growth） 1
当晶棒长度达到预定值后再逐渐加快提升速度并提高融炼温度，使晶棒直径逐渐变小，以避免因热应力造成排差和滑移等现象产生，最终使晶棒与液面完全分离。到此即得到一根完整的晶棒。 2 晶棒裁切与检测（Cutting & Inspection） 将长成的晶棒去掉直径偏小的头、尾部分，并对尺寸进行检测，以决定下步加工的工艺参数。 3 外径研磨（Su rf ace Grinding & Shaping） 由于在晶棒成长过程中，其外径尺寸和圆度均有一定偏差，其外园柱面也凹凸不平，所以必须对外径进行修整、研磨，使其尺寸、形状误差均小于允许偏差。 4 切片（Wire Saw Sl ic ing） 由于硅的硬度非常大，所以在本工序里，采用环状、其内径边缘镶嵌有钻石颗粒的薄片锯片将晶棒切割成一片片薄片。 5 圆边（Edge Profiling） 由于刚切下来的晶片外边缘很锋利，硅单晶又是脆性材料，为避免边角崩裂影响晶片强度、破坏晶片表面光洁和对后工序带来污染颗粒，必须用专用的电脑控制设备自动修整晶片边缘形状和外径尺寸。 ? 6 研磨（Lapping） 研磨的目的在于去掉切割时在晶片表面产生的锯痕和破损，使晶片表面达到所要求的光洁度。 7 蚀刻（Etching） 1
半导体工艺及芯片制造技术问题答案(全)
常用术语翻译 active region 有源区 2.active ponent有源器件 3.Anneal退火 4.atmospheric pressure CVD (APCVD) 常压化学气相淀积 5.BEOL（生产线）后端工序 6.BiCMOS双极CMOS 7.bonding wire 焊线，引线 8.BPSG 硼磷硅玻璃 9.channel length沟道长度 10.chemical vapor deposition (CVD) 化学气相淀积 11.chemical mechanical planarization (CMP)化学机械平坦化 12.damascene 大马士革工艺 13.deposition淀积 14.diffusion 扩散 15.dopant concentration掺杂浓度 16.dry oxidation 干法氧化 17.epitaxial layer 外延层 18.etch rate 刻蚀速率 19.fabrication制造 20.gate oxide 栅氧化硅 21.IC reliability 集成电路可靠性 22.interlayer dielectric 层间介质（ILD） 23.ion implanter 离子注入机 24.magnetron sputtering 磁控溅射 25.metalorganic CVD(MOCVD)金属有机化学气相淀积 26.pc board 印刷电路板 27.plasma enhanced CVD(PECVD) 等离子体增强CVD 28.polish 抛光 29.RF sputtering 射频溅射 30.silicon on insulator绝缘体上硅（SOI）
半导体的生产工艺流程
半导体的生产工艺流程 微机电制作技术，尤其是最大宗以硅半导体为基础的微细加工技术 (silicon-basedmicromachining)，原本就肇源于半导体组件的制程技术，所以必须先介绍清楚这类制程，以免沦于夏虫语冰的窘态。 一、洁净室 一般的机械加工是不需要洁净室(cleanroom)的，因为加工分辨率在数十微米以上，远比日常环境的微尘颗粒为大。但进入半导体组件或微细加工的世界，空间单位都是以微米计算，因此微尘颗粒沾附在制作半导体组件的晶圆上，便有可能影响到其上精密导线布局的样式，造成电性短路或断路的严重后果。为此，所有半导体制程设备，都必须安置在隔绝粉尘进入的密闭空间中，这就是洁净室的来由。洁净室的洁净等级，有一公认的标准，以class10为例，意谓在单位立方英呎的洁净室空间内，平均只有粒径0.5微米以上的粉尘10粒。所以class后头数字越小，洁净度越佳，当然其造价也越昂贵。为营造洁净室的环境，有专业的建造厂家，及其相关的技术与使用管理办法如下： 1、内部要保持大于一大气压的环境，以确保粉尘只出不进。所以需要大型 鼓风机，将经滤网的空气源源不绝地打入洁净室中。 2、为保持温度与湿度的恒定，大型空调设备须搭配于前述之鼓风加压系统 中。换言之，鼓风机加压多久，冷气空调也开多久。 3、所有气流方向均由上往下为主，尽量减少突兀之室内空间设计或机台摆 放调配，使粉尘在洁净室内回旋停滞的机会与时间减至最低程度。 4、所有建材均以不易产生静电吸附的材质为主。 5、所有人事物进出，都必须经过空气吹浴(airshower)的程序，将表面粉尘 先行去除。 6、人体及衣物的毛屑是一项主要粉尘来源，为此务必严格要求进出使用人 员穿戴无尘衣，除了眼睛部位外，均需与外界隔绝接触(在次微米制程技术的工厂内，工作人员几乎穿戴得像航天员一样。)当然，化妆是在禁绝之内，铅笔等也禁止使用。 7、除了空气外，水的使用也只能限用去离子水(DIwater,de-ionizedwater)。 一则防止水中粉粒污染晶圆，二则防止水中重金属离子，如钾、钠离子污染金氧半(MOS)晶体管结构之带电载子信道(carrierchannel)，影响半导体组件的工作特性。去离子水以电阻率(resistivity)来定义好坏，一般要求至 17.5MΩ-cm以上才算合格；为此需动用多重离子交换树脂、RO逆渗透、与 UV紫外线杀菌等重重关卡，才能放行使用。由于去离子水是最佳的溶剂与清洁剂，其在半导体工业之使用量极为惊人！ 8、洁净室所有用得到的气源，包括吹干晶圆及机台空压所需要的，都得使 用氮气(98%)，吹干晶圆的氮气甚至要求99.8%以上的高纯氮！以上八点说明是最基本的要求，另还有污水处理、废气排放的环保问题，再再需要大笔
芯片制造-半导体工艺教程
芯片制造-半导体工艺教程 Microchip Fabrication ----A Practical Guide to Semicondutor Processing 目录: 第一章:半导体工业[1][2][3] 第二章:半导体材料和工艺化学品[1][2][3][4][5]第三章:晶圆制备[1][2][3] 第四章:芯片制造概述[1][2][3] 第五章:污染控制[1][2][3][4][5][6] 第六章:工艺良品率[1][2] 第七章:氧化 第八章:基本光刻工艺流程-从表面准备到曝光 第九章:基本光刻工艺流程-从曝光到最终检验 第十章:高级光刻工艺 第十一章:掺杂 第十二章:淀积 第十三章:金属淀积 第十四章:工艺和器件评估 第十五章:晶圆加工中的商务因素 第十六章:半导体器件和集成电路的形成 第十七章:集成电路的类型 第十八章:封装 附录:术语表
#1 第一章半导体工业--1 芯片制造-半导体工艺教程点击查看章节目录 by r53858 概述 本章通过历史简介，在世界经济中的重要性以及纵览重大技术的发展和其成为世界领导工业的发展趋势来介绍半导体工业。并将按照产品类型介绍主要生产阶段和解释晶体管结构与集成度水平。 目的 完成本章后您将能够： 1. 描述分立器件和集成电路的区别。 2. 说明术语“固态，” “平面工艺”，““N””型和“P”型半导体材料。 3. 列举出四个主要半导体工艺步骤。 4. 解释集成度和不同集成水平电路的工艺的含义。 5. 列举出半导体制造的主要工艺和器件发展趋势。 一个工业的诞生 电信号处理工业始于由Lee Deforest 在1906年发现的真空三极管。1真空三极管使得收音机, 电视和其它消费电子产品成为可能。它也是世界上第一台电子计算机的大脑，这台被称为电子数字集成器和计算器（ENIAC）的计算机于1947年在宾西法尼亚的摩尔工程学院进行首次演示。 这台电子计算机和现代的计算机大相径庭。它占据约1500平方英尺，重30吨，工作时产生大量的热，并需要一个小型发电站来供电，花费了1940年时的400, 000美元。ENIAC的制造用了19000个真空管和数千个电阻及电容器。 真空管有三个元件，由一个栅极和两个被其栅极分开的电极在玻璃密封的空间中构成(图1.2)。密封空间内部为真空，以防止元件烧毁并易于电子的====移动。 真空管有两个重要的电子功能，开关和放大。开关是指电子器件可接通和切断电流；放大则较为复杂，它是指电子器件可把接收到的信号放大，并保持信号原有特征的功能。 真空管有一系列的缺点。体积大，连接处易于变松导致真空泄漏、易碎、要求相对较多的电能来运行，并且元件老化很快。ENIAC 和其它基于真空管的计算机的主要缺点是由于真空管的烧毁而导致运行时间有限。 这些问题成为许多实验室寻找真空管替代品的动力，这个努力在1947年12月23曰得以实现。贝尔实验室的三位科学家演示了由半导体材料锗制成的电子放大器。
半导体芯片制造工国家职业标准
半导体芯片制造工国家职业标准 1.职业概况 1.1职业名称 半导体芯片制造工。 1.2职业定义 使用设备制造半导体分立器件、集成电路芯片的人员。 1.3职业等级 本职业共设四个等级，分别为初级（国家职业资格五级）、中级（国家职业资格四级）、高 级（国家职业资格三级）、技师（国家职业资格二级）。 1.4职业环境 室内、常温、或高温。 1.5职业能力特征 身体健康、反应灵敏。 1.6基本文化程度 高中毕业。 1.7培训要求 1.7.1培训期限 全日制职业学校教育，根据其培养目标和教学计划确定。晋级培训期限：初级培训时间不少于400标准学时；中级培训时间不少于300标准学时；高级培训时间不少于150标准学时；技师培训时间不少于150标准学时。 1.7.2培训教师 培训中级、高级人员的教师应具有本职业技师以上职业资格或具有中、高级职称的专业技术人员担任；技师的培训教师由具有本职业高级技师以上职业资格或具有相应资格的高级职称的专业技术人员担任。 1.7.3培训场地要求 标准教室及具备必要实验设备的实践场所。 1.8鉴定要求 1.8.1适用对象 从事或准备从事本职业的人员。 1.8.2申报条件 ——初级（具备以下条件之一者） （1）经本职业初级正规培训达规定标准学时数，并取得毕（结）业证书。 （2）在本职业连续见习工作2年以上。 （3）本职业学徒期满。 ——中级（具备以下条件之一者）
（1）取得本职业初级职业资格证书后，连续从事本职业工作3年以上，经本职业中级正规培训达规定标准学时数，并取得毕（结）业证书。 （2）取得本职业初级职业资格证书后，连续从事本职业工作5年以上。 （3）连续从事本职业工作7年以上。 （4）取得经劳动保障行政部门审核认定的，以中级技能为培养目标的中等以上职业学校本职业（专业）毕业证书。 ——高级（具备以下条件之一者） （1）取得本职业中级职业资格证书后，连续从事本职业工作4年以上，经本职业高级正规培训达规定标准学时数，并取得毕（结）业证书。 （2）取得本职业中级职业资格证书后，连续从事本职业工作7年以上。 （3）取得高级技工学校或经劳动保障行政部门审核认定的，以高级技能为培养目标的高等职业学校本职业（专业）证书。 （4）取得本职业中级职业资格证书的大专以上专业或相关专业毕业生，并连续从事本职业工作2年以上。 ——技师（具备以下条件之一者） （1）取得本职业高级职业资格证书后，连续从事本职业工作5年以上，经本职业技师正规培训达规定标准学时数，并取得毕（结）业证书。 （2）取得本职业高级职业资格证书后，连续从事本职业工作8年以上。 （3）高级技工学校本职业毕业生，连续从事本职业工作满2年。 1.8.3鉴定方式 本职业鉴定分理论知识考试和技能操作考核，理论知识考试采用笔试方式，技能操作考核采用现场实际操作方式进行。两项考试（考核）均采用百分制，皆达60分以上者为合格。技师鉴定还须通过综合评审。 1.8.4考评人员与考生配比 理论知识考试按1:15，但每个考场不少于2个考评员；技能操作考核按1:（3～5）。 1.8.5鉴定时间 理论知识考试为90～120分钟；技能操作考核为150～180分钟。 1.8.6鉴定场所及要求 理论知识考试在标准教室里；技能操作考核在半导体芯片制造厂的相关工序，并备有相关工序考核必需的材料。 2.基本要求 2.1职业道德 2.1.1职业道德基本知识 2.1.2职业守则 （1）工作热情、主动。 （2）自觉遵守劳动纪律。
半导体制造工艺流程
半导体制造工艺流程 N型硅：掺入V族元素--磷P、砷As、锑Sb P型硅：掺入III族元素—镓Ga、硼B PN结： 半导体元件制造过程可分为 前段（FrontEnd）制程 晶圆处理制程（WaferFabrication；简称WaferFab）、 晶圆针测制程（WaferProbe）； 後段（BackEnd） 构装（Packaging）、 测试制程（InitialTestandFinalTest） 一、晶圆处理制程 晶圆处理制程之主要工作为在矽晶圆上制作电路与电子元件（如电晶体、电容体、逻辑闸等），为上述各制程中所需技术最复杂且资金投入最多的过程，以微处理器（Microprocessor）为例，其所需处理步骤可达数百道，而其所需加工机台先进且昂贵，动辄数千万一台，其所需制造环境为为一温度、湿度与含尘（Particle）均需控制的无尘室（Clean-Room），虽然详细的处理程序是随著产品种类与所使用的技术有关；不过其基本处理步骤通常是晶圆先经过适当的清洗（Cleaning）之後，接著进行氧化（Oxidation）及沈积，最後进行微影、蚀刻及离子植入等反覆步骤，以完成晶圆上电路的加工与制作。 二、晶圆针测制程 经过WaferFab之制程後，晶圆上即形成一格格的小格，我们称之为晶方或是晶粒（Die），在一般情形下，同一片晶圆上皆制作相同的晶片，但是也有可能在同一片晶圆上制作不同规格的产品；这些晶圆必须通过晶片允收测试，晶粒将会一一经过针测（Probe）仪器以测试其电气特性，而不合格的的晶粒将会被标上记号（InkDot），此程序即称之为晶圆针测制程（WaferProbe）。然後晶圆将依晶粒为单位分割成一粒粒独立的晶粒 三、IC构装制程 IC構裝製程（Packaging）：利用塑膠或陶瓷包裝晶粒與配線以成積體電路目的：是為了製造出所生產的電路的保護層，避免電路受到機械性刮傷或是高溫破壞。 半导体制造工艺分类 半导体制造工艺分类 一双极型IC的基本制造工艺： A在元器件间要做电隔离区（PN结隔离、全介质隔离及PN结介质混合隔离）ECL（不掺金）（非饱和型）、TTL/DTL（饱和型）、STTL（饱和型）B在元器件间自然隔离 I2L（饱和型） 半导体制造工艺分类 二MOSIC的基本制造工艺： 根据栅工艺分类 A铝栅工艺 B硅栅工艺
【半导体芯片制造】芯片生产工艺流程
芯片生产工艺流程 现今世界上超大规模集成电路厂（台湾称之为晶圆厂，为叙述简便，本文以下也采用这种称谓）主要集中分布于美国、日本、西欧、新加坡及台湾等少数发达国家和地区，其中台湾地区占有举足轻重的地位。 晶圆厂所生产的产品实际上包括两大部分：晶圆切片（也简称为晶圆）和超大规模集成电路芯片（可简称为芯片）。前者只是一片像镜子一样的光滑圆形薄片，从严格的意义上来讲，并没有什么直接实际应用价值，只不过是供其后芯片生产工序深加工的原材料。而后者才是直接应用在计算机、电子、通讯等许多行业上的最终产品，它可以包括CPU、内存单元和其它各种专业应用芯片。 一、芯片生产工艺流程： 芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序（WaferFabrication）、晶圆针测工序（WaferProbe）、构装工序（Packaging）、测试工序（InitialTestandFinalTest）等几个步骤。其中晶圆处理 1
工序和晶圆针测工序为前段（FrontEnd）工序，而构装工序、测试工序为后段（BackEnd）工序。 1、晶圆处理工序：本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件（如晶体管、电容、逻辑开关等），其处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关，但一般基本步骤是先将晶圆适当清洗，再在其表面进行氧化及化学气相沉积，然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤，最终在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作。 2、晶圆针测工序：经过上道工序后，晶圆上就形成了一个个的小格，即晶粒，一般情况下，为便于测试，提高效率，同一片晶圆上制作同一品种、规格的产品；但也可根据需要制作几种不同品种、规格的产品。在用针测（Probe）仪对每个晶粒检测其电气特性，并将不合格的晶粒标上记号后，将晶圆切开，分割成一颗颗单独的晶粒，再按其电气特性分类，装入不同的托盘中，不合格的晶粒则舍弃。 2
英特尔公司简介英特尔公司是全球最大的半导体芯片制造(精)
英特尔公司简介 英特尔公司是全球最大的半导体芯片制造商，它成立于 1968 年，具有 30 多年产品创新和市场领导的历史。公司的第一个产品是半导体存储器。1971 年，英特尔推出了全球第一个微处理器。这一举措不仅改变了公司的未来，而且对整个工业产生了深远的影响。微处理器所带来的计算机和互联网革命，改变了这个世界。 1999 的总营业额：294 亿美元 1999 年净利润：73 亿美元 英特尔为全球日益发展的计算机工业提供建筑模块，包括微处理器、芯片组、板卡、系统及软件等。这些产品为标准计算机架构的组成部分。业界利用这些产品为最终用户设计制造出先进的计算机。 今天，互联网的日益发展不仅正在改变商业运作的模式，而且也改变着人们的工作、生活、娱乐方式，成为全球经济发展的重要推动力。作为全球信息产业的领导公司之一，英特尔公司致力于在客户机、服务器、网络通讯、互联网解决方案和互联网服务方面为日益兴起的全球互联网经济提供建筑模块。 英特尔在中国 英特尔公司在中国的业务重点与其全球业务重点相一致，即成为全球互联网经济的构造模块的杰出供应商。 在中国，英特尔公司始终把协助推动中国计算机工业和互联网经济的发展作为公司在中国的首要策略。公司一贯认为，若想实现英特尔公司在中国的发展，就必须首先帮助国内计算机工业和互联网经济的发展，成为中国最好的技术伙伴。英特尔的战略是积极推动并支持国内电脑制造商、跨国公司和小型电脑组装厂商和软件开发商的发展。 这一战略可从英特尔在中国的一系列活动中得到反映： ?应用研究 ?支持中国软件产业 ?生产活动 ?市场活动和促进需求 ?OEM 平台方案支持 ?采购 ?大学和学术研究项目 国内的互联网用户已经超过了 400 万，而且增长迅速。英特尔一直致力于通过和国内的OEM 厂商、互联网服务商、软件开发商的广泛合作，以推动国内互联网应用的发展。 英特尔在中国的机构
集成电路制造中级工考试资料
半导体芯片制造中级工职业鉴定 职业概况 一、职业名称 半导体芯片制造工 二、职业定义 本职业含有一下工种：外延工、氧化扩散工、离子注入工、化学气相淀积工、光刻工、台面成型工、电镀工。 三、职业等级 中级（国家职业资格四级）、高级（国家职业资格三级）、技师（国家职业资格二级）、高级技师（国家职业资格一级）。 基本要求 职业道德和职业守则 1、敬业爱岗，实事求是。 2、努力学习，不断提高理论水平和操作能力。 3、工作热情、主动。 4、严守纪律、不谋私利。 5、自觉遵守工艺纪律和劳动纪律。 6、遵守操作规程、注意安全。 基础知识 （1）半导体材料基础知识； （2）晶体管原理基本知识； （3）半导体集成电路基本知识； （4）半导体器件工艺原理基本知识； （5）半导体常用设备、仪器、仪表的基本知识； （6）安全防护知识； （7）产品质量法、环境保护法相关知识； 中级部分专业知识 一、材料部分 1.第一代半导体材料：硅、锗； 硅是现代最主要的半导体材料，锗是现代最重要的半导体材料之一。 目前商用硅单晶片直径为12~16英寸（300~400mm)。 第二代半导体材料：砷化镓、磷化铟。 特点：更高的频率、更高的增益、更低的噪声； 用途：数字移动通信、光纤通信、导航领域等； 缺点：化合物半导体至少由两种元素组成，故杂质缺陷比单质半导体要多，而且结构更加复杂。同时由于磷化铟单晶的制备工艺还不够成熟，磷化铟所具备的超高频率、超高速度和低噪声的性能还没有得到很好的发挥，如何控制化合物半导体材料的化学配比是提高第二代半导体材料质量的关键。 2.导体、绝缘体、半导体 导体：金属、石墨、人体、大地及各种酸、碱、盐的水溶液；
给工作人士用的--集成电路制造中级工程师考试资料
半导体芯片制造中级工程师职业鉴定 目录 半导体芯片制造中级工程师职业鉴定 (1) 基础知识 (4) 1.第一代半导体材料：硅、锗； (4) 2.导体、绝缘体、半导体 (4) 3.半导体材料特征 (4) 4.N型半导体 (5) 5.P型半导体 (5) 6.单晶、多晶 (5) 7.半导体晶体结构 (5) 8.常用半导体材料的晶体生长方向 (5) 9.电导率和电阻率 (6) 10.迁移率 (6) 11.方块电阻 (6) 12.晶体缺陷 (6) 13.弹性形变 (7) 14.范性形变 (7) 15.位错 (7) 16.层错 (7) 17.半导体材料表征参数 (7) 18.单晶材料制备方法 (8) 19.化合物半导体制备方法 (8) 20.砷化镓单晶材料的应用 (8) 21.InP单晶的主要应用 (8) 22.常用清洗剂的配方 (8) 23.衬底清洗过程 (8) 24.石英器具清洗过程 (9) 25.抛光片检测项目 (9) 26.抛光片质量要求 (9) 27.砷化镓抛光片的清洗 (9) 28.InP抛光片的清洗 (9) 29.外延片优点及用途 (10) 30.外延片检测项目 (10) 31.外延生长 (10) 32.同质外延 (10) 33.异质外延 (10) 34.外延生长种类 (10) 35.化学气相外延概述 (11) 36.硅化学气相外延概述 (11) 37.硅外延生长工艺 (11) 38.原位气相腐蚀抛光 (11) 39.硅外延片质量要求 (11) 40.硅外延反应源 (12)
35.影响外延生长速度因素 (12) 36.影响反应速度因素 (12) 37.硅外延片应用 (12) 38.离子概念 (13) 39.离子注入概念 (13) 40.离子注入优点 (13) 41.离子注入能量损失机构 (13) 42.沟道效应 (13) 43.沟道离子、非沟道离子、准沟道离子 (14) 44.离子注入机主要组成部分及相应作用 (14) 45.离子注入的能量和能量单位 (14) 47.半导体芯片制造厂对厂房洁净度的要求（见教材31页）。 (15) 48.洁净区工作人员注意事项 (15) 49.化学清洗的去污原理 (15) 50.石英器皿如何清洗 (16) 51.台面工艺 (16) 52.平面工艺 (16) 53.氧化工艺 (17) 54.二氧化硅主要用途 (17) 55.氯化氢氧化（掺氯氧化） (17) 56.选择氧化 (17) 57.增密工艺 (17) 58.二氧化硅制备方法 (17) 59.氧化工艺质量的要求 (18) 60.目检可以检测的氧化工艺的质量 (18) 61.测量二氧化硅膜厚度的方式 (18) 62.扩散工艺 (18) 63.闭管扩撒 (19) 64.开管携带气体扩撒 (19) 65.箱法扩散 (19) 66.气态源扩散 (19) 67.液态源扩撒 (19) 68.固态源扩撒 (19) 69.扩散工艺的要求 (20) 70.目检可以观察的扩散工艺的质量 (20) 71.测量结深的方式 (20) 72.测量方块电阻（薄层电阻）的方法 (20) 73.隔离工艺 (20) 74.PN结隔离 (21) 75.介质隔离 (21) 76.空气隔离 (21) 77.V型槽隔离 (21) 78.光刻工艺 (21) 79.光刻工艺七大步骤 (21) 80.正胶、负胶 (22) 81.光刻工艺对掩膜版的要求 (22)
晶圆封装测试工序和半导体制造工艺流程
晶圆封装测试工序和半导体制造工艺流程 A.晶圆封装测试工序 一、 IC检测 1. 缺陷检查Defect Inspection 2. DR-SEM(Defect Review Scanning Electron Microscopy) 用来检测出晶圆上是否有瑕疵，主要是微尘粒子、刮痕、残留物等问题。此外，对已印有电路图案的图案晶圆成品而言，则需要进行深次微米范围之瑕疵检测。一般来说，图案晶圆检测系统系以白光或雷射光来照射晶圆表面。再由一或多组侦测器接收自晶圆表面绕射出来的光线，并将该影像交由高功能软件进行底层图案消除，以辨识并发现瑕疵。 3. CD-SEM(Critical Dimensioin Measurement) 对蚀刻后的图案作精确的尺寸检测。 二、 IC封装 1. 构装(Packaging) IC构装依使用材料可分为陶瓷(ceramic)及塑胶(plastic)两种，而目前商业应用上则以塑胶构装为主。以塑胶构装中打线接合为例，其步骤依序为晶片切割(die saw)、黏晶(die mount / die bond)、焊线(wire bond)、封胶(mold)、剪切/成形(trim / form)、印字(mark)、电镀(plating)及检验(inspection)等。 (1) 晶片切割(die saw) 晶片切割之目的为将前制程加工完成之晶圆上一颗颗之晶粒(die)切割分离。 举例来说:以0.2微米制程技术生产，每片八寸晶圆上可制作近六百颗以上的64M 微量。
欲进行晶片切割，首先必须进行晶圆黏片，而后再送至晶片切割机上进行切割。切割完后之晶粒井然有序排列于胶带上，而框架的支撐避免了胶带的皱褶与晶粒之相互碰撞。 (2) 黏晶(die mount / die bond) 黏晶之目的乃将一颗颗之晶粒置于导线架上并以银胶(epoxy)粘着固定。黏晶完成后之导线架则经由传输设备送至弹匣(magazine)内，以送至下一制程进行焊线。 (3) 焊线(wire bond) IC构装制程(Packaging)则是利用塑胶或陶瓷包装晶粒与配线以成集成电路(Integrated Circuit;简称IC)，此制程的目的是为了制造出所生产的电路的保护层，避免电路受到机械性刮伤或是高温破坏。最后整个集成电路的周围会向外拉出脚架(Pin)，称之为打线，作为与外界电路板连接之用。 (4) 封胶(mold) 封胶之主要目的为防止湿气由外部侵入、以机械方式支持导线、內部产生热量之去除及提供能够手持之形体。其过程为将导线架置于框架上并预热，再将框架置于压模机上的构装模上，再以树脂充填并待硬化。 (5) 剪切/成形(trim / form) 剪切之目的为将导线架上构装完成之晶粒独立分开，并把不需要的连接用材料及部份凸出之树脂切除(dejunk)。成形之目的则是将外引脚压成各种预先设计好之形状，以便于装置于电路板上使用。剪切与成形主要由一部冲压机配上多套不同制程之模具，加上进料及出料机构所組成。 (6) 印字(mark)及电镀(plating) 印字乃将字体印于构装完的胶体之上，其目的在于注明商品之规格及制造者等资讯。
半导体芯片制造中级工试题
1、单项选择题半导体分立器件、集成电路对外壳的主要要求之一是：良好的热性能。外壳应有小的（），使芯片的热量有效地散逸出去，保证器件在正常结温下工作。 A.热阻 B.阻抗 C.结构参数 2、填空题热分解化学气相淀积二氧化硅是利用（）化合物，经过热分解反应，在基片表面淀积二氧化硅。 3、单项选择题反应离子腐蚀是（）。 A.化学刻蚀机理 B.物理刻蚀机理 C.物理的溅射刻蚀和化学的反应刻蚀相结合 4、单项选择题器件的横向尺寸控制几乎全由（）来实现。
B.扩散 C.光刻 5、填空题钎焊密封工艺主要工艺条件有钎焊气氛控制、温度控制和密封腔体内（）控制。 6、单项选择题pn结的击穿电压和反向漏电流既是晶体管的重要直流参数，也是评价（）的重要标志。 A.扩散层质量 B.设计 C.光刻 7、单项选择题溅射法是由（）轰击靶材表面，使靶原子从靶表面飞溅出来淀积在衬底上形成薄膜。
B.中性粒子 C.带能离子 8、单项选择题金属封装主要采用金属和玻璃密封工艺，金属作封装底盘、管帽和引线，（）做绝缘和密封。 A.塑料 B.玻璃 C.金属 9、判断题没有经济收入或交纳党费有困难的党员，由本人提出申请，经党支部委员会同意，可以少交或免交。 10、填空题气中的一个小尘埃将影响整个芯片的（）性、（）率，并影响其电学性能和（）性，所以半导体芯片制造工艺需在超净厂房内进行。
11、单项选择题常用胶粘剂有热固性树脂、热塑性树脂和橡胶型胶粘剂3大类。半导体器件的粘封工艺一般选用（）。 A.热塑性树脂 B.热固性或橡胶型胶粘剂 12、填空题外延层的迁移率低的因素有原材料纯度（）；反应室漏气；外延层的晶体（）；系统沾污等；载气纯度不够；外延层晶体缺陷多；生长工艺条件不适宜。 13、填空题芯片焊接质量通常进行镜检和（）两项试验。
(工艺流程)2020年半导体硅片生产工艺流程及工艺注意要点
硅片生产工艺流程及注意要点 简介 硅片的准备过程从硅单晶棒开始，到清洁的抛光片结束，以能够在绝好的环境中使用。期间，从一单晶硅棒到加工成数片能满足特殊要求的硅片要经过很多流程和清洗步骤。除了有许多工艺步骤之外，整个过程几乎都要在无尘的环境中进行。硅片的加工从一相对较脏的环境开始，最终在10级净空房内完成。 工艺过程综述 硅片加工过程包括许多步骤。所有的步骤概括为三个主要种类：能修正物理性能如尺寸、形状、平整度、或一些体材料的性能；能减少不期望的表面损伤的数量；或能消除表面沾污和颗粒。硅片加工的主要的步骤如表1.1的典型流程所示。工艺步骤的顺序是很重要的，因为这些步骤的决定能使硅片受到尽可能少的损伤并且可以减少硅片的沾污。在以下的章节中，每一步骤都会得到详细介绍。 表1.1 硅片加工过程步骤 1.切片 2.激光标识 3.倒角 4.磨片 5.腐蚀 6.背损伤 7.边缘镜面抛光 8.预热清洗 9.抵抗稳定——退火 10.背封 11.粘片 12.抛光 13.检查前清洗 14.外观检查
15.金属清洗 16.擦片 17.激光检查 18.包装/货运 切片（class 500k） 硅片加工的介绍中，从单晶硅棒开始的第一个步骤就是切片。这一步骤的关键是如何在将单晶硅棒加工成硅片时尽可能地降低损耗，也就是要求将单晶棒尽可能多地加工成有用的硅片。为了尽量得到最好的硅片，硅片要求有最小量的翘曲和最少量的刀缝损耗。切片过程定义了平整度可以基本上适合器件的制备。 切片过程中有两种主要方式——内圆切割和线切割。这两种形式的切割方式被应用的原因是它们能将材料损失减少到最小，对硅片的损伤也最小，并且允许硅片的翘曲也是最小。 切片是一个相对较脏的过程，可以描述为一个研磨的过程，这一过程会产生大量的颗粒和大量的很浅表面损伤。 硅片切割完成后，所粘的碳板和用来粘碳板的粘结剂必须从硅片上清除。在这清除和清洗过程中，很重要的一点就是保持硅片的顺序，因为这时它们还没有被标识区分。 激光标识(Class 500k) 在晶棒被切割成一片片硅片之后，硅片会被用激光刻上标识。一台高功率的激光打印机用来在硅片表面刻上标识。硅片按从晶棒切割下的相同顺序进行编码，因而能知道硅片的正确位置。这一编码应是统一的，用来识别硅片并知道它的来源。编码能表明该硅片从哪一单晶棒的什么位置切割下来的。保持这样的追溯是很重要的，因为单晶的整体特性会随着晶棒的一头到另一头而变化。编号需刻的足够深，从而到最终硅片抛光完毕后仍能保持。在硅片上刻下编码后，即使硅片有遗漏，也能追溯到原来位置，而且如果趋向明了，那么就可以采取正确的措施。激光标识可以在硅片的正面也可在背面，尽管正面通常会被用到。