第九章ASML步进式光刻机

第九章ASML步进式光刻机
第九章ASML步进式光刻机

第九章.步进扫描式光刻机

荷兰的光刻设备是全球最好的光刻设备制造商,光刻设备是芯片行业最主要,最关键也是最贵的设备,以下我们以 5500 为研究对象进行讨论,光刻机主要由光罩采集和存放系统,光罩扫描系统,硅片传输送系统,防振系统,硅片移动扫描系统,光照投影系统,光罩及硅片对准系统,温控系统,电器柜以及人机界面操作系统构。

本文主要对其核心组件加以介绍,内容包含曝光系统,光罩台(),晶圆台( ),防震系统( ),对准系统()。

9.1野史:

17世纪1608年在伽利略发明望远镜之前,一个叫汉斯·利普塞尔荷兰眼镜商人发现用两块镜片可以看清远处的景物,受此启发,制造出了人类历史上第一架望远镜。之后此事传入伽利略耳中,他制造了更精确的望远镜,这一发明开始为科学服务。三百年过去了,荷兰人在半导体光刻领域依然保持了其不可动摇的地位。

9.2基础知识:

两个重要公式

1*波长

2*波长/()

大代表成像系统能收集到更高阶的衍射级数,而高阶衍射光越多,图像细节越清晰,分辨率越好

R代表分辨率,R越小越好,说明分辨率高,然而R变小会引起聚焦深度的变小,所以后来就分别引入两个系数K1和K2,和材料等有关系。另外采用不同的照明方式也可以提高聚焦深度。

利用傅里叶光学变化,我们可以将光分解为0阶,1阶,3阶,5阶,7阶,阶数越高图象越清晰。

如何定义0阶,1阶和2阶曾,我们把从圆心到顶弧处的光波弧度最大处定义为0阶,0阶光强最强,同理由可得1阶。光罩间的间距越大,入射角越小,更容易捕捉成像。

从图9-5我们不难看出,光的衍射还取决于波长,采用短波长的光源可以减少衍射。从而提高分辨率。因为1*波长

由式(1)和式(2)可知,曝光波长的缩短可以使光刻分辨率线性提高,但同时会使焦深线性减少,由于焦深与数值孔径的平方成反比,增大投影物镜的数值孔径,所以在提高光刻分辨率的同时会使投影物镜的焦深急剧减少。由于硅片平整度误差,胶厚不均匀,调焦误差以及视场弯曲等因素的限制,投影物镜必须具备足够的焦深,离轴照明可以提高焦深。

9.3 曝光系统

用于提供不同的光学图象,提高分辨率,离轴照明可分为环行照明

四极照明和二极照明。

5500 提供波长为193的深紫外光源。在光路设计方面尽可能减少关学器件的使用以此保证系统达到所需要的光强。

为了得到曝光所需要的光,我们需要通过一些列的光学元件来实现。下面我们以 5500 为例子来研究。

9.3.1汞灯:

汞灯用来提供曝光用的光,汞灯内部有正负极,当灯亮的时候,电流从正级流到负极,这时里面的汞就变成了导体。一旦温度高到200摄氏度时,水银就不再是液体,而转变成为液体

汞灯发出的光向各个方向扩散,我们需要把光汇聚起来,打到大光强的目的,这时候一个椭圆镜是必须的了。我们知道椭圆有两个焦点,我们把光源放到一个焦点上,那么光就会聚到另外一个焦点上,那就是快门的位置。同时这个椭圆镜还有另外一个功能,吸收不需要的光线。

9.3.2

反射出来的光也不是全部需要的,我们只需要365()或者的波长,别的波长的光也是要淘汰的,这时候就上场了,它的作用就是过滤掉不要的东西,只让需要的波长的光通过。

9.3.3

有了我们需要的光源就可以曝光了吗?当然不可以,因为我们不仅需要很纯的光,

还需要均匀的光,这样投射到上不会造成各个地方的不一致。谁来担当这个重任呢?用的是一种叫的玻璃长方体。

的作用是将光打散,使其更加均匀。因为光从出来后,本身在X , Y 方向上是分布不均匀的。这也是为什么在的机器上没有的一个原因。由于我们是一个的尺寸,X 方向宽, Y方向比较窄,所以光进入到出来后,X 方向的反射少于Y 方向,相对的光强损失的就少。(其中用来测光强)

另一方面也相当于是一个偏正器,控制光在我们所需要的理想区域,如图1,2,3在里发生多次折射。

9.3.4

有了均匀的光,我们就可以拿来曝光用,可是有时候我们不需要全部视场大小的光,可能只要曝光一个很小的区域,这时候用于挡光的机构,叫,叫的东西就用上了,他们都是上下左右四块挡片,用马达带动,需要多大的区域只要让马达带动挡片,把不要的光遮住,这样就可以曝光我们需要的地方了。

9.3.5 (镜头)

最后,通过一块大的把光汇聚一下,就可以投射到上进行曝光了。

光进入不同的介质都会被吸收,发生折射或衍射,折射的多少取决于材料的使用,假设在里发生多次折射,那么这些方向无规则的光就成为了杂散光,那么我们需要用一些能防止折射的涂层来减少杂散光的产生。/

里面有99.5%的氦和0.5%的氧用来防止大气污染,另外通有纯水以保证内部22度的常温9..6总结

这些是照明系的主要组成部分,随着技术的发展,厂家加入一些用于提供分辨率的机构来达到要求。比如有一种变形照明,在光路中加入了一个可以旋转的圆盘,圆盘上有一些用于产生特定图形的东西,如小,等等,有的时候还需要两块来进行光的处理。在的光路里,又会有很多负责产生各种的机构,以及发展到最后,需要偏振光,等等。反正是越先进的东西,里面的镜头用的就越多。

图9-13中的凹凸透镜是可以移动,通过它们的移动,可以透射出不同的光像,也就是不同的的光源。肯定可以调的,光刻机的采用的类似于照相机改变光圈的机构来改变大小,用的是变形照明,就是在转盘上装上不同的的挡片来改变,一般有用于最大曝光的,用于孔的小,用于条的,

9.3.7光学补偿:

底部光学器件的主要作用是补偿在X和Y 方向上光强的差异。这里要引入一个概念,, = X Y ,意思是我们的光斑在 X Y方向上的光强的差异。

= | 1-∑y / ∑x | * 100%

图9-14

理论上讲,会造成 & 的差异。如下图的, , 在中间亮度高,上下两端亮度低。

在我们的光罩上有水平和垂直的线。中间的图片显示很小,经过后的光的量在水平及垂直方向上一致,那么的差异就小。如上图右侧图片显示,在经过后,Y方向上的光丢失较少,X方向上丢失较多,那么最终的就会有差异。这种差异在的效应会更明显。在上,因为线的密度高,所以更高,造成的差异更明显。是在将镜片等分成4个区域,使用1

(100%)和0.945(94.5%)的穿透率。我们可以想象,当旋转一定角度的时候,就可以减少或增加X,Y方向上透过的光强,已达到使其平均的目的。从图片中我们可以清楚地看到,镜片的透光率的不同。以下是一个例子,旋转不同的角度,会有不同的结果。

图9-17

9.3.8光路图:

图9-18

其中我们之前已经介绍过,用于提供激光光源,这里不再阐述。

9.4 (工作台)

,直接理解就是工作台。每一片就是放在这个工作台上进行曝光的。因为一个产品不可能只曝一层就可以了,这就需要每一层之间的要非常小,不至于产品报废。的工作精度是保证的重要因素之一。为什么说“之一”呢?因为曝光的过程是各个合作的结果,要每一个都很好才能生产出合格的产品。除了,系统和的畸变都会影响到的结果。都有那些东西呢?首先要有水平方向移动的驱动部件,比较老的机器如G6和I8等都是有刷电机带动丝杆,等到先进一点的机器如I14,就发展到用线性马达驱动了,使用的是气浮台,阻力比丝杆小很多,这样速度也就上去了。除了水平方向,垂直方向也要可以动作,这样才能保证在的焦面上工作。熟悉老的机器的知道专门有一个叫的组成部分,它是下面有一个楔形机构,用一个马达拖动,通过这个楔形机构使水平运动转化为垂直运动。等到更先进一点的机器,从I12开始,和集成到一起,在底下平均分布这三个带楔形机构的马达,叫马达,这三个马达向同一方向运动,就能达到Z方向运动的目的,向不懂方向运动,就可以补偿。什么叫?就是找到水平面。这个水平面不是绝对水平面,而是焦面。的焦面不可能做到完全水平,多多少少会有一点倾斜,而且表面经过多层工艺,表面上已经是高低不平,所以每次曝光之前都要把这个水平面找到,在系统和的共同作用下,补偿这个。除了X,Y,Z(),,( )方向的运动,方向也需要的。也就是,补偿的是的。一片放到上面,不可能每次都放的非常准,多多少少有一点偏差,方向可以用的位置来补偿,就要靠来补偿了。这个设计的有点傻,它的旋转支点不在正中间,这样造成补偿时候,方向也跟着变

化。后来的机器(i12开始),就取消了这个,直接用来补偿了。的是一种塔状设计,最底层是方向运动的,上面是,再上面一层就是,再上面就是,然后就是了。但是从i12开始,和被取消了,这样就精简了很多,所以i12以后的设计还是比较科学的。上面介绍了一些硬件构成,但是仅仅这些马达不能使精度到达级别,甚至级别(在出现以后,的精度需要到级别了)。闭环控制很重要的一环就是要有反馈,反馈从哪里来的呢?当然是测量系统给出来的。的精度取决于测量系统和马达的配合。所有的的水平方向的运动都是靠干涉计来确定的(不管是还是,都是用,别无二家),它的原理就是迈克尔逊干涉仪和多普勒效应,有兴趣的可以百度一下。最刚开始G6或者g7只用两根激光,X和Y方向各一根,越往后激光用得越多,到后来听说要达到十几根,那时候的控制已经是非常复杂了,超出我所能理解的范畴了。的设计就没有那么复杂了,它的作用就是找到的,把它对准到上的上,这样就相当于的中心在中心了。的有三个马达,只做水平运动,一个X方向,两个Y方向,这样两个Y方向马达控制的。

光电检测技术——激光扫描式光电自动对准(光刻机)

§4-4 激光扫描式光电自动对准(光刻机) 一、 硅片生产: 光刻工艺: 拉单晶(元筒);切片(元片2英寸(inch)、3英寸(75mm)、4英寸(100mm));表面抛光(镜面);光刻(电阻、电容、二极管、三极管、集成电路、MOEMS 、小机构);切成小块。 最新报导(97.9.9):15英寸375mm 硅片 电阻、电容、二极管、三极管、集成电路 掩模光刻 表面有光刻胶 远紫外 光曝光 渗杂 (只渗杂 图形部分) 光刻(十几次) X Y θ 对准

二、对准原理 左标记右标记

(1)一次扫描完成三维对准。 当21T T =及54T T =时则对准 (2)硅片相对掩模的偏差量(θ???,,y x )[三者为0,则对准] 虚线表示掩模与硅片完全对准位置:则 ①对于单个标记 H P x 0=? HP y =? (1)

而: )/2L -(L L -)/2L (L '5455400=+==E E E P 2/)(]2/)[('2112100L L L L L BB P B --=-+== 2 '''2'''2' '000000PoE P B P B E P P B P B E B H P +-=-+=-= 4 22/)(2/)(5 4215421L L L L L L L L -+-=-+-= (2) 4) ()(2)/2L -(L )/2L -(L - 2''2'''5421542100L L L L E P P B E B HE HP -+--= +=+== = (3) 综合(1)、(2)、(3)式得 4 /)]()([4/)(54215421L L L L y L L L L x -+--=?-+-=? 设激光束扫过AB ,BC ,CD ,DE ,EF 之间的时间间隔分别为T 1,T 2,T 3,T 4,T 5,扫描速度V=2.6m/s ,则 V T T T T x 4) ()(5421-+-= ? (m ) (m) 4 ) ()(5412V T T T T y -+-= ? 这就是单个标记的偏移量 ②对于具有左、右标记的对准方式而言 硅片中心的偏移量及整体转角为: 20R L X X x ?+?= ? 2 0R L Y Y Y ?+?=? ]/)[(Sin -1L Y Y L R -?=?θ 硅片只需按这些误差,反向调整,

第九章ASML步进式光刻机

第九章.步进扫描式光刻机 荷兰的光刻设备是全球最好的光刻设备制造商,光刻设备是芯片行业最主要,最关键也是最贵的设备,以下我们以 5500 为研究对象进行讨论,光刻机主要由光罩采集和存放系统,光罩扫描系统,硅片传输送系统,防振系统,硅片移动扫描系统,光照投影系统,光罩及硅片对准系统,温控系统,电器柜以及人机界面操作系统构。 本文主要对其核心组件加以介绍,内容包含曝光系统,光罩台(),晶圆台( ),防震系统( ),对准系统()。 9.1野史: 17世纪1608年在伽利略发明望远镜之前,一个叫汉斯·利普塞尔荷兰眼镜商人发现用两块镜片可以看清远处的景物,受此启发,制造出了人类历史上第一架望远镜。之后此事传入伽利略耳中,他制造了更精确的望远镜,这一发明开始为科学服务。三百年过去了,荷兰人在半导体光刻领域依然保持了其不可动摇的地位。 9.2基础知识: 两个重要公式 1*波长 2*波长/()

大代表成像系统能收集到更高阶的衍射级数,而高阶衍射光越多,图像细节越清晰,分辨率越好 R代表分辨率,R越小越好,说明分辨率高,然而R变小会引起聚焦深度的变小,所以后来就分别引入两个系数K1和K2,和材料等有关系。另外采用不同的照明方式也可以提高聚焦深度。 利用傅里叶光学变化,我们可以将光分解为0阶,1阶,3阶,5阶,7阶,阶数越高图象越清晰。 如何定义0阶,1阶和2阶曾,我们把从圆心到顶弧处的光波弧度最大处定义为0阶,0阶光强最强,同理由可得1阶。光罩间的间距越大,入射角越小,更容易捕捉成像。 从图9-5我们不难看出,光的衍射还取决于波长,采用短波长的光源可以减少衍射。从而提高分辨率。因为1*波长 由式(1)和式(2)可知,曝光波长的缩短可以使光刻分辨率线性提高,但同时会使焦深线性减少,由于焦深与数值孔径的平方成反比,增大投影物镜的数值孔径,所以在提高光刻分辨率的同时会使投影物镜的焦深急剧减少。由于硅片平整度误差,胶厚不均匀,调焦误差以及视场弯曲等因素的限制,投影物镜必须具备足够的焦深,离轴照明可以提高焦深。 9.3 曝光系统 用于提供不同的光学图象,提高分辨率,离轴照明可分为环行照明 四极照明和二极照明。

投影光刻机对准系统功能原理

投影光刻机对准系统功能原理 投影光刻机对准系统功能原理 1 对准系统简介 对准系统的主要功能就是将工件台上硅片的标记与掩膜版上的标记对准,其标记的对准精度能达到±0.4μm(正态分布曲线的3σ值)。因为一片硅片在一个工艺流程中的曝光次数可能达到30次,而对准精度直接影响硅片的套刻精度,所以硅片的对准精度非常的关键。 由于对准系统对硅片标记的搜索扫描有一定的范围,它在X方向和Y方向都只能扫描 ±44μm,所以硅片被传送到工件台上进行对准之前,需要在预对准工件台上先后完成两次对准,即机械预对准和光学预对准,以便满足精细对准的捕捉范围。注意:本文所提到的对准都是所谓的精细对准。 PAS2500/10投影光刻机对准系统主要由三个单位部分构成:照明(对准光源)部分,双折射单元和对准单元。这三个单元与掩膜版、硅片、以及投影透镜的相对位置如图1所示,在图中可以看出,对准系统中用了两个完全相同的光路,这是为了满足对准功能的需要。 1.1 对准系统的光学结构和功能 由于对准系统中的两条完全相同,所以在下面的介绍中只详细地阐述了其中的一条光路。在对准系统中,照明部分的主要部件就是激光发射器,它产生波长为633nm的线性极化光,避免在硅片对准的过程中使硅片被曝光(硅片曝光用的光为紫外光)。然后对准激光将通过一系列的棱镜和透镜进入双折射单元,该激光将从双折射单元底部射出,通过曝光的投影透镜照到硅片的标记上;而经过硅片表面的反射后由原路返回,第二次经过双折射单元,由双折射单元的顶部射出,再经过聚焦后对准到掩膜版的标记上。 在对准单元内,硅片的标记图象和掩膜版标记的图象同时通过一个调制器后,将被聚焦到一个Q-CELL光电检测器上。此调制器是用来交替传送两个极化方向的硅片标记图象,Q-CELL 光电检测器将对硅片的标记的每个极化方向图象分别产生一个电信号,由此产生的电信号的振幅取决于该极化方向硅片标记的图象与掩膜版标记图象在Q-CELL的显示比例。 硅片上的对准标记如图2所示,标记分为四个象限,每个象限有8μm或8.8μm的对准条,其中有两个象限的对准条用来对准X向,另外两个象限用来对准Y向。而Q-CELL光电检测器的每一个单元对应标记的一个象限,当在Q-CELL检测器的每一个单元中,两个极化方向的标记图象的能量都相等的时候,就表明硅片与掩膜版的标记完全对准了。从图1中可以看到对准光束在经过对准单元的时候被分成了两束,一束激光将通过调制器到达Q-CELL 光电检测器,而另一束激光则以视频的形式反馈到操作台。通过操作台上的视频监视器可以直观的看到标记的移动和对准不同标记时位置的相对变化。虽然是两个不同极化方向的硅片标记与掩膜版标记同时对准,但是由于它们是同步的,彼此之间几乎看不到有何不同,所以只有一个极化图象被显示。 1.2 对准系统的电路部分 对准系统的电路部分主要的功能是: 1、产生一个信号去驱动光学调制器。 2、处理Q-CELL光电检测器产生的信号。 光学调制器的驱动:该调制器信号要求频率为50Hz的正弦信号,其振幅要求能满足对最大的Q-CELL检测信号起调制作用。 Q-CELL检测信号的处理:在对准的时候,工件台将首先沿X轴向缓慢地带动E-CHUCK上的硅片移动,进行X轴向对准,当硅片标记上X向光栅与对应的掩膜版上X向光栅对准时,

第九章.ASML 步进扫描式光刻机

第九章.ASML 步进扫描式光刻机 荷兰ASML的光刻设备是全球最好的光刻设备制造商,光刻设备是芯片行业最主要,最 关键也是最贵的设备,以下我们以ASML PAS 5500 为研究对象进行讨论,ASML光刻机 主要由光罩采集和存放系统,光罩扫描系统,硅片传输送系统,防振系统,硅片移动扫描 系统,光照投影系统,光罩及硅片对准系统,温控系统,电器柜以及人机界面操作系统构。本文主要对其核心组件加以介绍,内容包含曝光系统,光罩台(Reticle Stage),晶圆台(Wafer Stage ),防震系统(Air Mount),对准系统(Alignment)。 9.1野史: 17世纪1608年在伽利略发明望远镜之前,一个叫汉斯·利普塞尔荷兰眼镜商人发现用两 块镜片可以看清远处的景物,受此启发,制造出了人类历史上第一架望远镜。之后此事传入伽利略耳中,他制造了更精确的望远镜,这一发明开始为科学服务。三百年过去了,荷兰人在半导体光刻领域依然保持了其不可动摇的地位。 9.2基础知识: 两个重要公式 R=K1*波长/NA DOF=K2*波长/(NA)

NA大代表成像系统能收集到更高阶的衍射级数,而高阶衍射光越多,图像细节越清晰,分辨率越好 R代表分辨率,R越小越好,说明分辨率高,然而R变小会引起DOF聚焦深度的变小, 所以后来就分别引入两个系数K1和K2,和材料等有关系。另外采用不同的照明方式也可 以提高聚焦深度。 利用傅里叶光学变化,我们可以将光分解为0阶,1阶,3阶,5阶,7阶,阶数越高图 象越清晰。 如何定义0阶,1阶和2阶曾,我们把从圆心到顶弧处的光波弧度最大处定义为0阶,0阶 光强最强,同理由可得1阶。光罩间的间距越大,入射角越小,更容易捕捉成像。 从图9-5我们不难看出,光的衍射还取决于波长,采用短波长的光源可以减少衍射。从而 提高分辨率。因为R=K1*波长/NA 由式(1)和式(2)可知,曝光波长的缩短可以使光刻分辨率线性提高,但同时会使焦深 线性减少,由于焦深与数值孔径的平方成反比,增大投影物镜的数值孔径,所以在提高光 刻分辨率的同时会使投影物镜的焦深急剧减少。由于硅片平整度误差,胶厚不均匀,调焦 误差以及视场弯曲等因素的限制,投影物镜必须具备足够的焦深,离轴照明可以提高焦深。 9.3 ASML曝光系统 Pupil shaping module用于提供不同的光学图象,提高分辨率,离轴照明可分为环行照明 四极照明和二极照明。

Nikon光刻机对准系统功能原理

Nikon光刻机对准系统功能原理 投影光刻机对准系统功能原理 1 对准系统简介 对准系统的主要功能就是将工件台上硅片的标记与掩膜版上的标记对准,其标记的对准精度能达到±0.4μm (正态分布曲线的3σ值)。因为一片硅片在一个工艺流程中的曝光次数可能达到30次,而对准精度直接影响硅片的套刻精度,所以硅片的对准精度非常的关键。 由于对准系统对硅片标记的搜索扫描有一定的范围,它在X方向和Y方向都只能扫描±44μm,所以硅片被传送到工件台上进行对准之前,需要在预对准工件台上先后完成两次对准,即机械预对准和光学预对准,以便满足精细对准的捕捉范围。注意:本文所提到的对准都是所谓的精细对准。 PAS2500/10投影光刻机对准系统主要由三个单位部分构成:照明(对准光源)部分,双折射单元和对准单元。这三个单元与掩膜版、硅片、以及投影透镜的相对位置如图1所示,在图中可以看出,对准系统中用了两个完全相同的光路,这是为了满足对准功能的需要。 1.1 对准系统的光学结构和功能 由于对准系统中的两条完全相同,所以在下面的介绍中只详细地阐述了其中的一条光路。在对准系统中,照明部分的主要部件就是激光发射器,它产生波长为633nm的线性极化光,避免在硅片对准的过程中使硅片被曝光(硅片曝光用的光为紫外光)。然后对准激光将通过一系列的棱镜和透镜进入双折射单元,该激光将从双折射单元底部射出,通过曝光的投影透镜照到硅片的标记上;而经过硅片表面的反射后由原路返回,第二次经过双折射单元,由双折射单元的顶部射出,再经过聚焦后对准到掩膜版的标记上。 在对准单元内,硅片的标记图象和掩膜版标记的图象同时通过一个调制器后,将被聚焦到一个Q-CELL光电检测器上。此调制器是用来交替传送两个极化方向的硅片标记图象,Q-CELL光电检测器将对硅片的标记的每个极化方向图象分别产生一个电信号,由此产生的电信号的振幅取决于该极化方向硅片标记的图象与掩膜版标记图象在Q-CELL的显示比例。 硅片上的对准标记如图2所示,标记分为四个象限,每个象限有8μm或8.8μm的对准条,其中有两个象限的对准条用来对准X向,另外两个象限用来对准Y向。而Q-CELL光电检测器的每一个单元对应标记的一个象限,当在Q-CELL检测器的每一个单元中,两个极化方向的标记图象的能量都相等的时候,就表明硅片与掩膜版的标记完全对准了。从图1中可以看到对准光束在经过对准单元的时候被分成了两束,一束激光将通过调制器到达Q-CELL光电检测器,而另一束激光则以视频的形式反馈到操作台。通过操作台上的视频监视器可以直观的看到标记的移动和对准不同标记时位置的相对变化。虽然是两个不同极化方向的硅片标记与掩膜版标记同时对准,但是由于它们是同步的,彼此之间几乎看不到有何不同,所以只有一个极化图象被显示。 1.2 对准系统的电路部分 对准系统的电路部分主要的功能是: 1、产生一个信号去驱动光学调制器。 2、处理Q-CELL光电检测器产生的信号。 光学调制器的驱动:该调制器信号要求频率为50Hz的正弦信号,其振幅要求能满足对最大的Q-CELL检测信号起调制作用。 Q-CELL检测信号的处理:在对准的时候,工件台将首先沿X轴向缓慢地带动E-CHUCK上的硅片移动,进行X轴向对准,当硅片标记上X向光栅与对应的掩膜版上X向光栅对准时,将产生一个对准电信号,该信号以中断信号的形式输入计算机,X向对准的两个象限光栅都将产生其各自的中断信号。当产生中断信号的同时,计算机将记录下此时工件台的位置。在X向对准的时候,一个标记中两个象限的光栅同时参与,在每个象限中光栅条纹之间的间距是一个恒定的常数,但是这两个象限的光栅条纹间距并不相同,如图2所示。在对准扫描的过程中,每一个象限中的每一条光栅条纹都将会产生各自的一个中断信号,由于两个象限的光栅条纹间距不同,所以在扫描的时候只能有一个点将同时产生两个中断信号,而这个点就是在X

光刻机的技术原理和发展趋势

光刻机的技术原理和发展趋势 王平0930******* 摘要: 本文首先简要介绍了光刻技术的基本原理。现代科技瞬息万变,传统的光刻技术已经无法满足集成电路生产的要求。本文又介绍了提高光刻机性能的关键技术和下一代光刻技术的研究进展情况。 关键字:光刻;原理;提高性能;浸没式光刻;下一代光刻 引言: 光刻工艺直接决定了大规模集成电路的特征尺寸,是大规模集成电路制造的关键工艺。作为光刻工艺中最重要设备之一,光刻机一次次革命性的突破,使大模集成电路制造技术飞速向前发展。因此,了解光刻技术的基本原理,了解提高光刻机性能的关键技术以及了解下一代光刻技术的发展情况是十分重要的。本文就以上几点进行了简要的介绍。 光刻技术的基本原理: 光刻工艺通过曝光的方法将掩模上的图形转移到涂覆于硅片表面的光刻胶上,然后通过显影、刻蚀等工艺将图形转移到硅片上。 1、涂胶 要制备光刻图形,首先就得在芯片表面制备一层均匀的光刻胶。截止至2000年5月23日,已经申请的涂胶方面的美国专利就达118项。在涂胶之前,对芯片表面进行清洗和干燥是必不可少的。目前涂胶的主要方法有:甩胶、喷胶和气相沉积,但应用最广泛的还是甩胶。甩胶是利用芯片的高速旋转,将多余的胶甩出去,而在芯片上留下一层均匀的胶层,通常这种方法可以获得优于+2%的均匀性(边缘除外)。胶层的厚度由下式决定: 式中:F T为胶层厚度,ω为角速度,η为平衡时的粘度,ρ为胶的密度,t为时间。由该式可见,胶层厚度和转速、时间、胶的特性都有关系,此外旋转时产生的气流也会有一定的影响。甩胶的主要缺陷有:气泡、彗星(胶层上存在的一些颗粒)、条纹、边缘效应等,其中边缘效应对于小片和不规则片尤为明显。

光刻机的匹配和调整

光刻机的匹配和调整 Company Document number:WTUT-WT88Y-W8BBGB-BWYTT-19998

光刻机的匹配和调整 周虎明韩隽 (中国电子科技集团公司第58研究所,江苏无锡 214035) 摘要:光刻机的匹配使用是半导体工艺大生产线上提高生产效率的一项重要措施。光刻机的匹配主要包括场镜误差的匹配和隔栅误差的匹配,如何调整相同型号光刻机的匹配使用将是本文论述的重点。 关键词:套刻精度;误差;匹配;调整 中图分类号:TN305 文献标识码:A 1引言 在超大规模集成电路圆片工艺生产线上,往往投入多台光刻机同时使用,有相同型号的多台光刻机,也有不同型号光刻机同时运行。同时随着不同工艺平台的发展(例如:从2μm生产平台逐步升级为μm,1.0μm,0.8μm,0.5μm生产平台)。光刻机性能也不断地产生相应的升级;G-线,I-线。为了提高生产效率,光刻机的匹配使用是十分重要的。匹配使用的另一个好处是充分发挥不同光刻机的作用,特别发挥价格昂贵的高性能光刻机的作用。因为一般来说,在一定的设计规则下,IC圆片生产过程中有三分之一左右是关键层次,其余为次关键层次和非关键层次。以0.8μlm单多晶双金属CMOS工艺电路为例,关键层次:有源区、多晶层、接触孔、通孔这些层次的线宽为0.8μm,而其他光刻层次如:金属层,阱,场,注入等为~μm,还有非关键层次如PAD等可大于 μm。这样在匹配使用光刻机时可考虑关键层次用I-线光刻机曝光,而其他非关键层次用G-线光刻机。 所谓光刻机的匹配使用是指同一产品不同的工艺图层可以分别在不同型号或同

一型号不同系列的光刻机上进行光刻,而不影响光刻工艺的质量。亦即保证达到各个工艺图层所要求的套刻精度和线宽控制要求。为达此目标,必须对工艺线上同时使用的光刻机进行各种误差的匹配调整。这包括了场镜误差(Intraheld Error)的匹配,隔栅误差(Grid Error)的匹配,线宽控制的匹配以及其它使用方面的匹配等,以下将分别论述如何对这些误差进行匹配和调整。 2场镜误差的匹配 场镜误差是指一个曝光视场内产生的成像误差。 在分析场镜误差时,把硅片工作台设定在静止位置,那么产生场镜误差主要由于两部分的误差引起的:即掩膜版承版台系统和镜头部分。 掩膜版承版台系统主要负责掩膜版的对位,由此会产生以下几方面的误差: ●掩膜版的平移误差(ReticleTranslationError) ●掩膜版的旋转误差(ReticleRotationError) ●掩膜版的倾斜误差(TrapzoidError)

挺进次世代:ASML披露更多EUV光刻机研发新进展

在最近举办的SPIE高级光刻技术会议上,尽管EUV光刻工具的发展现状仍显得不够成熟,但目前唯一一家推出商用EUV光刻设备的厂商ASML还是给我们带来了一些下一代EUV光刻机的新信息,而我们也趁此机会给大家总结一下ASML已经上市和正在研发阶段的EUV光刻机的部分性能参数。 IMEC工作人员正在安装NXE:3100 如我们以前介绍的那样,ASML目前上市的试产型EUV光刻机型号为NXE:3100,这款机型号称最高成像能力为18nm,尽管这款机型在曝光功率和产出量方面还存在一些问题,但ASML表示他们会进一步优化下一代机型的性能,他们预定于2012年推出3100的后续机型。 我们先来看看他们刚刚推出的试产型NXE:3100机型的情况,之所以称为“试产型”,主要是因为这款机型在产出量方面还不能达到芯片制造厂商量产芯片时的产出量要求。 NXE:3100机型的主要客户和光源系统/产出量指标: 目前已经有两台NXE:3100在客户处安装完成,其中首家安装的客户是三星公司,第二家则是比利时的IMEC研究机构。需要说明的是,目前ASML公司有两家EUV光源供应商,其一是Cymer公司,他们生产的EUV光源系统采用的是LPP激光等离子体光源,这种光源使用高功率激光来加热负载产生等离子体,据ASML透露,目前Cymer提供的光源系统其持续曝光功率为11W;另外一种则是Ushio生产的基于DPP放电等离子体技术的光源系统,这种光源利用放电来加热负载(极微小的锡滴)产生等离子体,据ASML称Ushio正在开发过程中的一套DPP光源系统的曝光功率可达12W。而三星公司安装的那台 NXE3100配用的是Cymer的光源系统,IMEC的那台则采用Ushio的光源系统。 另外还有一家生产EUV光源系统的主要厂商Gigaphoton,据ASML公司透露,这家公司制造的EUV LPP光源系统据称曝光功率可达20W左右。

看懂光刻机-光刻工艺流程详解

看懂光刻机:光刻工艺流程详解 半导体芯片生产主要分为IC 设计、IC 制造、IC 封测三大环节。IC 设计主要根据芯片的设计目的进行逻辑设计和规则制定,并根据设计图制作掩模以供后续光刻步骤使用。IC 制造实现芯片电路图从掩模上转移至硅片上,并实现预定的芯片功能,包括光刻、刻蚀、离子注入、薄膜沉积、化学机械研磨等步骤。IC 封测完成对芯片的封装和性能、功能测试,是产品交付前的最后工序。 芯片制造核心工艺主要设备全景图 光刻是半导体芯片生产流程中最复杂、最关键的工艺步骤,耗时长、成本高。半导体芯片生产的难点和关键点在于将电路图从掩模上转移至硅片上,这一过程通过光刻来实现,光刻的工艺水平直接决定芯片的制程水平和性能水平。芯片在生产中需要进行20-30 次的光刻,耗时占到IC 生产环节的50%左右,占芯片生产成本的1/3。 光刻工艺流程详解 光刻的原理是在硅片表面覆盖一层具有高度光敏感性光刻胶,再用光线(一般是紫外光、深紫外光、极紫外光)透过掩模照射在硅片表面,被光线照射到的光刻胶会发生反应。此后用特定溶剂洗去被照射/未被照射的光刻胶,就实现了电路图从掩模到硅片的转移。 光刻完成后对没有光刻胶保护的硅片部分进行刻蚀,最后洗去剩余光刻胶,就实现了半导体器件在硅片表面的构建过程。 光刻分为正性光刻和负性光刻两种基本工艺,区别在于两者使用的光刻胶的类型不同。负性光刻使用的光刻胶在曝光后会因为交联而变得不可溶解,并会硬化,不会被溶剂洗掉,从而该部分硅片不会在后续流程中被腐蚀掉,负性光刻光刻胶上的图形与掩模版上图形相反。 在硅片表面构建半导体器件的过程 正性光刻与负性光刻相反,曝光部分的光刻胶会被破坏从而被溶剂洗掉,该部分的硅片没

一文解析刻蚀机和光刻机的原理及区别

一文解析刻蚀机和光刻机的原理及区别 什么是光刻机光刻机(Mask Aligner)又名:掩模对准曝光机,曝光系统,光刻系统等。一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序。 Photolithography(光刻)意思是用光来制作一个图形(工艺);在硅片表面匀胶,然后将掩模版上的图形转移光刻胶上的过程将器件或电路结构临时复制到硅片上的过程。 光刻的目的使表面具有疏水性,增强基底表面与光刻胶的黏附性。 光刻机工作原理 上图是一张光刻机的简易工作原理图。下面,简单介绍一下图中各设备的作用。 测量台、曝光台:承载硅片的工作台,也就是本次所说的双工作台。 光束矫正器:矫正光束入射方向,让激光束尽量平行。 能量控制器:控制最终照射到硅片上的能量,曝光不足或过足都会严重影响成像质量。 光束形状设置:设置光束为圆型、环型等不同形状,不同的光束状态有不同的光学特性。遮光器:在不需要曝光的时候,阻止光束照射到硅片。 能量探测器:检测光束最终入射能量是否符合曝光要求,并反馈给能量控制器进行调整。掩模版:一块在内部刻着线路设计图的玻璃板,贵的要数十万美元。 掩膜台:承载掩模版运动的设备,运动控制精度是nm级的。 物镜:物镜由20多块镜片组成,主要作用是把掩膜版上的电路图按比例缩小,再被激光映射的硅片上,并且物镜还要补偿各种光学误差。技术难度就在于物镜的设计难度大,精度的要求高。 硅片:用硅晶制成的圆片。硅片有多种尺寸,尺寸越大,产率越高。题外话,由于硅片是圆的,所以需要在硅片上剪一个缺口来确认硅片的坐标系,根据缺口的形状不同分为两种,分别叫flat、notch。 内部封闭框架、减振器:将工作台与外部环境隔离,保持水平,减少外界振动干扰,并维持稳定的温度、压力。

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