中国半导体封装测试工厂

上海华旭微电子有限公司

上海芯哲微电子科技有限公司

沈阳中光电子有限公司

超威半导体公司

葵和精密(上海)

新义半导体

快捷半导体

安靠封测(上海)

东莞乐依文半导体有限公司

日月光(威海)

日月光(上海)威宇半导体

日月芯

嘉盛半导体

罗姆电子(天津)有限公司

长风

尼西

成都亚光电子股份有限公司

宏茂微电子

上海斯伦贝谢智能卡技术有限公司飞思卡尔半导体

晶诚（郑州）科技有限公司

银河微电子

捷敏电子

捷敏电子(合肥）

通用半导体

通用半导体(西安爱尔)

超丰

勤益电子(上海)

广州半导体器件

桂林斯壮半导体

无锡华润华晶微电子

合肥合晶

华越芯装电子

苏州奇梦达公司

英飞凌科技（无锡）有限公司

江苏长电科技股份有限公司

吉林市华星电子有限公司

凯虹电子开益禧半导体

京隆科技

震坤

乐山菲尼克斯(ON Semi)

菱生

骊山微电子

绍兴力响微电子

绍兴力响微电子有限公司

美光半导体

巨丰电子

上海纪元微科

美国芯源系统

南方电子

南通富士通微电子股份有限公司美国国家半导体有限公司

华微

凤凰半导体

飞利浦

清溪三清半导体

瑞萨半导体

威讯联合

三星电子(半导体)

晟碟半导体

三洋半导体

三洋

上海旭福电子

永华电子

汕头华汕电子

深爱半导体

矽格电子

中芯国际

飞索半导体

深圳赛意法电子

天水华天微电子

东芝半导体

芯宇

优特半导体（上海）

新康电子/威旭

晶方半导体科技(苏州)有限公司无锡华润安盛科技有限公司

无锡红光微电子

厦门华联电子有限公司

扬州晶来半导体有限公司

矽德半导体

扬州市邗江九星电子有限公司

广东粤晶高科

中星华电子

瑞特克斯（成都）电子

潮州市创佳微电子有限公司

恒诺微电子(嘉兴)有限公司

恒诺微电子上海

英特尔产品成都

英特尔产品上海

上海松下半导体

苏州松下半导体

矽品

日立半导体（苏州）有限公司

江门市华凯科技有限公司

江阴长电先进封装有限公司

阳信长威电子有限公司长威电子

星科金朋

浙江金凯微电子

长沙韶光微电子

深圳世纪晶源科技有限公司

国内的十大封装测试企业（这是05年的排名了）：

1.飞思卡尔(Freescale)(天津)

2.RF(MicroDevices)(北京)

3.深圳赛意法(Sig-STMicro)

4.Intel(上海)

5.上海松下(Matsushita)半导体

6.南通富士通(Fujitsu)微电子

7.苏州英飞凌(Infineon)

8.北京瑞萨(Renesas)半导体

9.江苏长电科技

10.乐山菲尼克斯(Phenix)半导体

无锡新区4家IC企业入围中国半导体十大企业

2011-03-06 09:39 来源：中国江苏网

3月4日从2011年中国半导体市场年会上获悉，无锡市华润矽科、海力士、华润微电子、英飞凌等四家企业成功入围中国半导体十大企业。

据介绍，无锡华润矽科微电子有限公司以第十名入围2010年度中国半导体十大集成电路设计企业，无锡海力士-恒亿半导体有限公司和华润微电子（控股）有限公司分别以第一名和第三名入围2010年度中国半导体十大集成电路与分立器件制造企业，而英飞凌科技（无锡）有限公司以第十名入围2010年度中国半导体十大封装测试企业。

注：

(1)带E号为协会预估数据。

(2) “﹡”为子公司或合营公司，其母公司或股东公司在本表也有反映。

“今年包括国家发改委等部委邀请我们去座谈，就是谈谈整个行业性投资过热问题，8月11日，当时几大部委联合在京召开座谈会，我们公司，还有洛阳中硅高科技有限公司、江西赛维LDK太阳能高科技有限公司均到场谈了谈包括生产、规模、成本、利润等方面的问题。”江苏中能硅业科技有限公司副总经理吕锦标近日对早报记者表示

中国多晶硅产能超全球需求2倍

业内料国务院年内将出台多晶硅行业准入政策提高投资门槛，不再审批单线3000吨以下项目

东方早报记者李晓辉

多晶硅，这种原本主要用作电子芯片领域的原材料，因为搭上太阳能光伏发电的快车，从而在中国成为各地争上的“香饽饽”产业。

由于多晶硅项目实行备案制度，只要通过地方的环评、工艺等手续就可以上马。目前，中国数十个城市都在打造光伏产业园，很多地方都提出了打造千亿级光伏、多晶硅产业园的目标。

这背后自然有着利益的强力驱动。多晶硅的价格在最近短短3年间，由最初30美元/公斤，暴涨至2008年的最高400美元/公斤，再跌落至现在的60美元/公斤。即便如此，由于一家大型的多晶硅生产企业已经能将成本控制在35美元/公斤，并有望在2010年达到25美元/公斤的国际水平。因此，其中的利润仍相当可观。

中国电子材料行业协会给国家发改委的一份行业报告显示，到2009年6月底，我国已有19家企业多晶硅项目投产，产能规模达到3万吨/年，另有10多家企业在建，扩建多晶硅项目，总规划产能预计到2010年将超过10万吨。而2008年我国多晶硅的总需求量才17000吨。这些产能若全能兑现，将超过全球需求量的2倍以上。

因此，关于多晶硅产能是否过剩的话题，已经引起了业内的热议。从今年7月份开始，经历大半年的光伏业整体回暖，而经过数年自由发展的多晶硅行业已经引起国务院的关注。多晶硅行业面临洗牌时机。

记者了解到的最新消息是，业内均预计，在年底之前，一项更为具体的、专门针对多晶硅行业的行业准入政策指导意见就将发布。

六部委调研产能过剩

事实上，炙手可热多晶硅产业已经引起国家层面的高度关注，这是以往从未有过的。9月-10月，一场由国家发改委产业协调司、科技部、工信部等6大部委联合组成的调研组对多晶硅产业产能过剩的问题进行了全面调研。

这一切都源于，8月26日国务院常务会议指出，多晶硅等新兴产业出现重复建设和产能过剩的倾向。

目前太阳能光伏发电炙手可热，这个产业链包括多晶硅、硅片、光伏组件、太阳能电池板。在2009年之前，整个光伏产业80%的成本都集中在上游的多晶硅生产环节，而利润方面，更是高达500%，甚至高达800%。

“在2007、2008年简直是抢购，拿货多少要看关系。”河南洛阳中硅一位销售经理对早报记者表示，“经历了去年的金融危机，多晶硅价格也一路下跌到60美元/公斤，只占到整个产业链成本的3成，但我们的货还是很紧俏。”

暴利：从500%降到100%

多晶硅的价格在短短3年间由最初30美元/公斤，暴涨至2008年的最高400美元/公斤，再跌落至现在的60美元/公斤，有着太多疯狂故事。

无锡尚德太阳能电力有限公司(STP.NYSE)一位管理层对早报记者表示，最初的样本是德国、比利时等欧洲国家宣布大力推广光伏，他们也正是在这样的海外需求背景下，迅速做起来并在美国上市，这开始了整个光伏产业近几年100%的复合增长。无锡尚德是一家全球领先的专业从事晶体硅太阳电池、组件，硅薄膜太阳电池和光伏发电系统的研发、制造与销售的国际化高科技企业。

“只要你生产出来了产品，根本不用算成本，总是有好几倍的利润等着你。”上述洛阳中硅公司人士对早报记者回忆当初那美好的销售情景。

“多晶硅的价格总体说是比较透明的，就中国这么惊人的增长速度，严重供不应求，怎么可能不引起暴涨？更何况这么高的暴利，怎么能没有炒作？”上述无锡尚德人士对早报记者表示。

作为光伏产业的原材料，多晶硅的匮乏，已经成为当时制约中国光伏产业发展的最大瓶颈。

中国多晶硅2006年的总产量只有87吨，2007年涨到1139吨，2008年增长到4300吨，与市场需求的缺口差上万吨。与此同时，从2001年到2008年，我国光伏业规模7年时间增长近600倍，2008年中国光伏电池产量达到200万千瓦，保持全球第一的地位，占全球份额的30%，2008年全球前25家太阳电池生产商中，有8家是中国企业。

以江苏中能硅业这家专门生产多晶硅的公司为例，2006年6月才正式开始建设其一期1500吨的产能，当年生产多晶硅155吨，销售额在3亿元；2008年6月再建成二期1500吨产能，当年生产多晶硅1850吨，销售收入35.7亿元。

吕锦标对早报记者表示，当初他们进入这个行业的时候，根本就没想到会有如此高的利润。去年不到2000吨的销量，他们的净利润就达到了20多个亿，这也是他们没想到的。

他透露，2008年时，江苏中能的多晶硅综合成本在67美元/公斤，他们今年上半年万吨项目投产，成本一季度下降到46美元/公斤，今年全年控制在35美元/公斤，2010年将

计划达到25美元/公斤的国际水平。

目前更多考虑降成本

显然，在2009年之前的多晶硅行业是一个再明显不过的暴利行业。不过，这一切随着去年四季度开始爆发的金融危机，一切发展了变化。多晶硅价格已经由300-400美元/公斤，跌至今年的50-60美元/公斤。

中国可再生能源协会光伏分会理事长赵玉文对早报记者表示，多晶硅价格的暴跌，实质是价格的本位回归，多晶硅暴利时代本来就不正常。而随着多晶硅价格的回归本位，也迫使国内在技术和成本控制层面加大投入。

对于今后多晶硅的价格是否将再涨到100美元以上/公斤，不论是国内，还是国外的从业者，均表达出高度一致性的否认。

目前全球多晶硅产能最大的美国Hem Lock公司一位负责人EricPeeters此前对早报记者表示，全球多晶硅价格主要还是由市场决定，但是根据未来全球产能急速扩大，尤其是中国，想要回到此前的暴利时代已经不太可能。吕锦标也对早报记者表示，看看现在国内的扩产情况，未来2年很有可能供大于求，多晶硅价格不大可能回复到100美元以上/公斤，他们目前更多考虑是如何降低成本。

地方ZF大跃进

从西部到东部、从内陆省份到沿海地区，中国数十个城市都在打造光伏产业园，很多地方都提出了打造千亿级光伏、多晶硅产业园的目标。

一直作为多晶硅重地的四川省乐山市，其太阳能光伏硅材料产业链目前有28个项目，总投资达到409亿元，投资企业包括永祥、新光硅业、东汽峨半、拓日新能(新天源)、乐电天威等。据当地发改委介绍，截至6月底，乐山全市已形成年产多晶硅4500吨的生产能力，居全国第一，预计年底将扩张至7500吨。

在《江西2009年重点产业招商项目》中，多晶硅生产、切片应用的项目就占了26项，总投资为321.87亿元，分布在全省15个地市县。

原本没有光伏产业的陕西省，2009年初将光伏产业列为该省“一号工程”，目前已拥有8个光伏产业园区。

早报记者掌握的一份数据显示，截至目前，国内现有22个项目共达45000吨的多晶硅项目在生产或者马上将投产。吕锦标对早报记者表示，很多几百吨的项目现在应该没办法开起来，因为成本的问题，另外一些企业的大型项目也会因为融资的问题而无法如期生产。

据早报记者了解，从2008年7月算起，全国有17个省仅多晶硅项目就有35个项目在建或是准备动工，如果这些项目都能按期完工且完全释放产能，中国多晶硅产量将达到12万吨。而据中投证券统计资料显示，截至今年上半年，四川、河南、江苏、云南等20多个

省近50家公司正建设、扩建和筹建多晶硅生产线，总建设规模逾17万吨。

项目容易通过审批

“实际上现在各方面的统计数据都不会特别准确，要么是有项目，但是因为资金没有到位，或者市场不好而没有开工建设，这些都还得先看看现实的产能情况，对于我们企业来说，规划和现实都必须要了解清楚。”上述无锡尚德人士对早报记者表示。

“不论具体会有多少产能将上马，但这一切都跟地方政策有直接关系。”一位不愿意透露姓名的业内人士对早报记者表示。

对于地方ZF，主要有符合国家基本产业政策的项目，那么产值能够迅速做大，缴纳税收，拉动GDP，必然会迅速通过。那么，如此没有整体布局的局面，必然造成重复建设。

上述不愿具名的业内人士对早报记者表示，多晶硅项目实行备案制度，相比很多大型工业项目需要国家发改委等中央部委审批，要简单很多，只要通过地方的环评、工艺等手续就可以上马。多晶硅又是稀缺朝阳产业，为什么不上马呢？

江苏中能目前产能已经达到18000吨，吕锦标对早报记者表示，在行业以外，他们公司甚至在2009年之前都没有多少人知道，他们只是在埋头迅速扩充产能。

产能是否真的过剩？

如果按照规划产能的数字总体计算，整个多晶硅产能过剩确定无疑。

按照中国电子材料行业协会的数据，多晶硅总规划产能预计到2010年将超过10万吨，这将远远超过全球需求的2倍。该行业警示，有三四十家的多晶硅项目都在开工建设，整个行业在近两三年内，存在一定的投资过剩、产能过剩的风险。

另外，按照企业方面的计算数据，保利协鑫能源控股有限公司(03800.HK)执行总裁江游分析，目前国内多晶硅行业有20多家企业进入，如果预测明年全球光伏安装量为1200万千瓦计算，其所对应多晶硅供应量为7万-8万吨，这样的话，中国多晶硅总体规划产能会有部分的过剩。

“不过我们不能仅仅算数字上的账，而是要看企业实际需要，和目前市面上的多晶硅厂家的实际情况。”上述尚德人士提醒道。

“国内的多晶硅产能是否过剩确实不能从数字上理解。”赵玉文对早报记者表示，2008年国内多晶硅(6N以上)的产量只有4000多吨，满足下游市场1/4的需要，其余均需要进口。

吕锦标对早报记者表示，目前他们企业已经开出的产能有18000吨，由于新的5000吨生产线是上半年陆续投产，投产后有三到六个月的产能提升阶段，预计今年实际产量在7500吨，现在每个月有上千吨的产量，仍然不能够满足客户的订单。

据了解，在2008年，江苏中能已经与无锡尚德、常州天合等数个主要光伏企业签署了5-7年的“定量定价”长单，合同金额高达213亿美元，收到的订金就有27亿元人民币。

实际上，如果将目前已经所知的多晶硅生产能力分类可以分为：企业的实际产量、生产能力、对外公布但一直未能建成的产能。

比如，一直号称将成为亚洲最大的江西赛维LDK，从其2007年6月在美国纽交所上市就宣称建成1.5万吨多晶硅规模，不过直到现在尚未完成，反而被江苏中能这家行业后来者快速超过。

赵玉文对早报记者表示，在建项目可能会因为规模成本等问题停产，计划产能也会因为市场供需关系而变化，这些都只是数字的体现，但未能达到现实的供应。他们预计今年国内多晶硅的实际产能只有1.4万吨，这实际还是供小于求的。从这个角度，产能过剩的说法不准确。

接受早报记者采访的数位业内人士均表示，号称的明年10万吨产能规划，会随着资金情况、市场需求、成本问题，其中有相当一部分会搁浅。

行业洗牌时机到来

今年国庆节前，国务院下发《关于抑制部分行业产能过剩和重复建设引导产业健康发展若干意见》(下简称《意见》)。业内均预计，在年底之前，一项更为具体的、专门针对多晶硅行业的行业准入政策指导意见就将发布。

赵玉文对早报记者表示，目前提出多晶硅的产能有过剩倾向，并不意味着国家对于这一新能源产业开始抑制，也不代表对其支持力度会减弱，反而会从行业健康发展的大局整体规划。

“对于主要的产业领域，国内的情况哪个不是先产能过剩、一片混乱，然后才是ZF出面调整？这实际是个矛盾的问题，ZF早出手不行，晚出手了也不行。”上述不具名人士对早报记者表示。

8月26日，国务院常务会议指出“多晶硅等新兴产业出现重复建设和产能过剩的倾向”后。9月21日，国家发改委和工信部联合向各省市有关部门下发了调查表，让各省市提供当地多晶硅、太阳能电池的现有及规划产量、产能、技术来源、能耗等数据。

更早的时候，据早报记者了解，9月10日，工信部电信司在洛阳中硅召开了多晶硅及光伏产业合作发展会议，与会的企业包括赛维LDK、江苏中能、新光硅业、大全光伏等6家行业一线企业。

据当时参会的吕锦标对早报记者表示，当时工信部问到他们一些生产规模到底多大才是规模经济时，有提到5000吨的，也有提到3000吨的，不过即使按照单线3000吨规模，那么目前整个多晶硅行业，几乎没有多少能够达标的。

就目前国内已经形成产能的20多家多晶硅生产企业，200-300吨的生产规模比比皆是，1500吨的单线就已经算很大规模了，不仅如此，即使即将出台的产业政策对于这些已经通过审批的项目不起作用，那么高昂的成本，也迫使其无法开动。

据了解，产能在1000吨以下的单线生产线，多晶硅生产成本至少在80美元/公斤以上，另外其对于环境的污染也远比规模型循环利用的大项目更加严重。

银行已收紧多晶硅贷款

吕锦标预计，“即将出台的产业指导意见，估计主要是细化9月底国务院下发的《意见》，不过这其中的准入门槛我们现在可以有个大致的判断。”

业内预计，首先在规模上，今后单线3000吨以下项目不再审批，提高了投资门槛，一个单线3000吨项目投资20亿元，没有实力的投资人自然无法进入；其次，关于新建多晶硅项目的能耗和技术的要求，太阳能级多晶硅还原电耗小于60千瓦时/千克，这意味着今后不再审批改良西门子法工艺生产太阳能多晶硅项目，今后只能新批其他如硅烷法之类能耗更低的新工艺。

改良西门子法工艺，是目前国内多晶硅企业的主流生产技术。

实际上，目前国家对于多晶硅的金融政策和进出口政策都已经悄然做出了调整。从9月1日开始，废多晶硅不再允许进口。这实际是打压小企业进入门槛。另外，在多晶硅被扣上“产能过剩倾向”的帽子后，银行也已经对其收紧了银根。

晶圆封装测试工序和半导体制造工艺流程

A.晶圆封装测试工序一、 IC检测 1. 缺陷检查Defect Inspection 2. DR-SEM(Defect Review Scanning Electron Microscopy) 用来检测出晶圆上是否有瑕疵，主要是微尘粒子、刮痕、残留物等问题。此外，对已印有电路图案的图案晶圆成品而言，则需要进行深次微米范围之瑕疵检测。一般来说，图案晶圆检测系统系以白光或雷射光来照射晶圆表面。再由一或多组侦测器接收自晶圆表面绕射出来的光线，并将该影像交由高功能软件进行底层图案消除，以辨识并发现瑕疵。 3. CD-SEM(Critical Dimensioin Measurement) 对蚀刻后的图案作精确的尺寸检测。二、 IC封装 1. 构装（Packaging） IC构装依使用材料可分为陶瓷（ceramic）及塑胶（plastic）两种，而目前商业应用上则以塑胶构装为主。以塑胶构装中打线接合为例，其步骤依序为晶片切割（die saw）、黏晶（die mount / die bond）、焊线（wire bond）、封胶（mold）、剪切/成形（trim / form）、印字（mark）、电镀（plating）及检验（inspection）等。 (1) 晶片切割（die saw）晶片切割之目的为将前制程加工完成之晶圆上一颗颗之晶粒（die）切割分离。举例来说：以0.2微米制程技术生产，每片八寸晶圆上可制作近六百颗以上的64M微量。欲进行晶片切割，首先必须进行晶圆黏片，而后再送至晶片切割机上进行切割。切割完后之晶粒井然有序排列于胶带上，而框架的支撐避免了胶带的皱褶与晶粒之相互碰撞。 (2) 黏晶（die mount / die bond）黏晶之目的乃将一颗颗之晶粒置于导线架上并以银胶（epoxy）粘着固定。黏晶完成后之导线架则经由传输设备送至弹匣（magazine）内，以送至下一制程进行焊线。 (3) 焊线（wire bond） IC构装制程（Packaging）则是利用塑胶或陶瓷包装晶粒与配线以成集成电路（Integrated Circuit；简称IC），此制程的目的是为了制造出所生产的电路的保护层，避免电路受到机械性刮伤或是高温破坏。最后整个集成电路的周围会向外拉出脚架（Pin），称之为打线，作为与外界电路板连接之用。

半导体封装制程简介

（Die Saw）晶片切割之目的乃是要將前製程加工完成的晶圓上一顆顆之芯片（Die）切割分離。首先要在晶圓背面貼上蓝膜（blue tape）並置於鋼製的圆环上，此一動作叫晶圓粘片（wafer mount），如圖一，而後再送至晶片切割機上進行切割。切割完後，一顆顆之芯片井然有序的排列在膠帶上，如圖二、三，同時由於框架之支撐可避免蓝膜皺摺而使芯片互相碰撞，而圆环撐住膠帶以便於搬運。圖一圖二

（Die Bond）粘晶（装片）的目的乃是將一顆顆分離的芯片放置在导线框架（lead frame）上並用銀浆（epoxy ）粘着固定。引线框架是提供芯片一個粘着的位置+ （芯片座die pad），並預設有可延伸ＩＣ芯片電路的延伸腳（分為內引腳及外引腳inner lead/outer lead）一個引线框架上依不同的設計可以有數個芯片座，這數個芯片座通常排成一列，亦有成矩陣式的多列排法。引线框架經傳輸至定位後，首先要在芯片座預定粘着芯片的位置上点

上銀浆（此一動作稱為点浆），然後移至下一位置將芯片置放其上。而經過切割的晶圓上的芯片則由焊臂一顆一顆地置放在已点浆的晶粒座上。装片完後的引线框架再由传输设备送至料盒（magazine）。装片后的成品如圖所示。引线框架装片成品胶的烧结烧结的目的是让芯片与引线框晶粒座很好的结合固定，胶可分为银浆（导电胶）和绝缘胶两种，根据不同芯片的性能要求使用不同的胶，通常导电胶在200度烤箱烘烤两小时；绝缘胶在150度烤箱烘烤两个半小时。（Wire Bond）焊线的目的是將芯片上的焊点以极细的金或铜线（18~50um）連接到引线框架上的內引腳，藉而將ＩＣ芯片的電路訊號傳輸到外界。當

半导体封装、测试项目立项申请报告(规划方案)

半导体封装、测试项目立项申请报告（规划方案）第一章基本信息一、项目承办单位基本情况（一）公司名称 xxx投资公司（二）公司简介公司在发展中始终坚持以创新为源动力，不断投入巨资引入先进研发设备，更新思想观念，依托优秀的人才、完善的信息、现代科技技术等优势，不断加大新产品的研发力度，以实现公司的永续经营和品牌发展。公司实行董事会领导下的总经理负责制，推行现代企业制度，建立了科学灵活的经营机制，完善了行之有效的管理制度。项目承办单位组织机构健全、管理完善，遵循社会主义市场经济运行机制，严格按照《中华人民共和国公司法》依法独立核算、自主开展生产经营活动；为了顺应国际化经济发展的趋势，项目承办单位全面建立和实施计算机信息网络系统，建立起从产品开发、设计、生产、销售、核算、库存到售后服务的物流电子网络管理系统，使项目承办单位与全国各销售区域形成信息互通，有效

提高工作效率，及时反馈市场信息，为项目承办单位的战略决策提供有利的支撑。上一年度，xxx有限责任公司实现营业收入9142.85万元，同比增长17.97%（1392.39万元）。其中，主营业业务半导体封装、测试生产及销售收入为7630.04万元，占营业总收入的83.45%。根据初步统计测算，公司实现利润总额1925.37万元，较去年同期相比增长329.70万元，增长率20.66%；实现净利润1444.03万元，较去年同期相比增长237.99万元，增长率19.73%。二、项目概况（一）项目名称半导体封装、测试项目（二）项目选址 xxx科技谷（三）项目用地规模项目总用地面积19022.84平方米（折合约28.52亩）。（四）项目用地控制指标该工程规划建筑系数50.10%，建筑容积率1.30，建设区域绿化覆盖率7.58%，固定资产投资强度173.08万元/亩。（五）土建工程指标

半导体封装简介(精)

半导体封装简介: 半导体生产流程由晶圆制造、晶圆测试、芯片封装和封装后测试组成。塑封之后，还要进行一系列操作，如后固化（Post Mold Cure）、切筋和成型（Trim&Form）、电镀（Plating）以及打印等工艺。典型的封装工艺流程为：划片装片键合塑封去飞边电镀打印切筋和成型外观检查成品测试包装出货。各种半导体封装形式的特点和优点: 一、DIP双列直插式封装 DIP(DualIn－line Package)是指采用双列直插形式封装的集成电路芯片，绝大多数中小规模集成电路(IC)均采用这种封装形式，其引脚数一般不超过100个。采用DIP封装的CPU芯片有两排引脚，需要插入到具有DIP 结构的芯片插座上。当然，也可以直接插在有相同焊孔数和几何排列的电路板上进行焊接。DIP封装的芯片在从芯片插座上插拔时应特别小心，以免损坏引脚。 DIP封装具有以下特点： 1.适合在PCB(印刷电路板)上穿孔焊接，操作方便。 2.芯片面积与封装面积之间的比值较大，故体积也较大。 Intel系列CPU中8088就采用这种封装形式，缓存(Cache)和早期的内存芯片也是这种封装形式。二、QFP塑料方型扁平式封装和PFP塑料扁平组件式封装 QFP封装 QFP（Plastic Quad Flat Package）封装的芯片引脚之间距离很小，管脚很细，一般大规模或超大型集成电路都采用这种封装形式，其引脚数一般在100个以上。用这种形式封装的芯片必须采用SMD（表面安装设备技术）将芯片与主板焊接起来。采用SMD安装的芯片不必在主板上打孔，一般在主板表面上有设计好的相应管脚的焊点。将芯片各脚对准相应的焊点，即可实现与主板的焊接。用这种方法焊上去的芯片，如果不用专用工具是很难拆卸下来的。 PFP（Plastic Flat Package）方式封装的芯片与QFP方式基本相同。唯一的区别是QFP一般为正方形，而PFP既可以是正方形，也可以是长方形。

晶圆封装测试工序和半导体制造工艺流程0001

盛年不重来，一日难再晨。及时宜自勉，岁月不待人盛年不重来，一日难再晨。及时宜自勉，岁月不待人 A.晶圆封装测试工序一、IC检测 1. 缺陷检查Defect Inspection 2. DR-SEM(Defect Review Scanning Electro n Microscopy) 用来检测出晶圆上是否有瑕疵，主要是微尘粒子、刮痕、残留物等问题。此外，对已印有电路图案的图案晶圆成品而言，则需要进行深次微米范围之瑕疵检测。一般来说，图案晶圆检测系统系以白光或雷射光来照射晶圆表面。再由一或多组侦测器接收自晶圆表面绕射出来的光线，并将该影像交由高功能软件进行底层图案消除，以辨识并发现瑕疵。 3. CD-SEM(Critical Dime nsioi n Measureme nt) 对蚀刻后的图案作精确的尺寸检测。二、IC封装 1. 构装(Packaging) IC构装依使用材料可分为陶瓷(ceramic )及塑胶(plastic )两种，而目前商业应用上则以塑胶构装为主。以塑胶构装中打线接合为例，其步骤依序为晶片切割( die saw)、黏晶(die mount / die bond)、焊线(wire bon d)、圭寸胶(mold )、剪切/ 成形(trim / form )、印字(mark )、电镀(plating )及检验(inspection )等。 (1) 晶片切割(die saw ) 晶片切割之目的为将前制程加工完成之晶圆上一颗颗之晶粒(die )切割分离。举例来说：以 0.2微米制程技术生产，每片八寸晶圆上可制作近六百颗以上的64M微量。欲进行晶片切割，首先必须进行晶圆黏片，而后再送至晶片切割机上进行切割。切割完后之晶粒井然有序排列于胶带上，而框架的支撐避免了胶带的皱褶与晶粒之相互碰撞。 (2) 黏晶(die mou nt / die bo nd ) 黏晶之目的乃将一颗颗之晶粒置于导线架上并以银胶(epoxy)粘着固定。黏晶完成后之导线架则经由传输设备送至弹匣( magazi ne )内，以送至下一制程进行焊线。 ⑶焊线(wire bond ) IC构装制程(Packaging )则是利用塑胶或陶瓷包装晶粒与配线以成集成电路( Integrated Circuit ;简称IC)，此制程的目的是为了制造出所生产的电路的保护层，避免电路受到机械

半导体封装测试企业名单

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 申报企业名称武汉新芯集成电路制造有限公司上海集成电路研发中心有限公司无锡华润微电子有限公司中国电子科技集团公司第五十五研究所华越微电子有限公司中国电子科技集团公司第五十八研究所珠海南科集成电子有限公司江苏东光微电子股份有限公司无锡中微晶园电子有限公司无锡华普微电子有限公司日银IMP微电子有限公司中电华清微电子工程中心有限公司中纬积体电路（宁波）有限公司深圳方正微电子有限公司北京华润上华半导体有限公司福建福顺微电子有限公司北京半导体器件五厂贵州振华风光半导体有限公司企业类别芯片制造芯片制造芯片制造芯片制造芯片制造芯片制造芯片制造芯片制造芯片制造芯片制造芯片制造芯片制造芯片制造芯片制造芯片制造芯片制造芯片制造芯片制造

21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 常州市华诚常半微电子有限公司锦州七七七微电子有限责任公司北京燕东微电子有限公司河南新乡华丹电子有限责任公司西安微电子技术研究所长沙韶光微电子总公司威讯联合半导体（北京）有限公司英特尔产品（上海）有限公司上海松下半导体有限公司南通富士通微电子股份有限公司瑞萨半导体（北京）有限公司江苏长电科技股份有限公司勤益电子（上海）有限公司瑞萨半导体（苏州）有限公司日月光半导体（上海）有限公司星科金朋（上海）有限公司威宇科技测试封装有限公司安靠封装测试（上海）有限公司上海凯虹电子有限公司天水华天科技股份有限公司飞索半导体（中国）有限公司无锡华润安盛科技有限公司芯片制造芯片制造芯片制造芯片制造芯片制造芯片制造封装封装封装封装封装封装封装封装封装封装封装封装封装封装封装封装

半导体封装形式介绍

捷伦电源，赢取iPad2Samtec连接器完整的信号来源每天新产品时刻新体验完整的15A开关模式电源摘要：半导体器件有许多封装型式，从DIP、SOP QFP PGA BGA到CSP再到SIP，技术指标一代比一代先进，这些都是前人根据当时的组装技术和市场需求而研制的。总体说来，它大概有三次重大的革新：第一次是在上世纪80年代从引脚插入式封装到表面贴片封装，极大地提高了印刷电路板上的组装密度；第二次是在上世纪90年代球型矩正封装的出现，它不但满足了市场高引脚的需求，而且大大地改善了半导体器件的性能；晶片级封装、系统封装、芯片级封装是现在第三次革新的产物，其目的就是将封装减到最小。每一种封装都有其独特的地方，即其优点和不足之处，而所用的封装材料，封装设备，封装技术根据其需要而有所不同。驱动半导体封装形式不断发展的动力是其价格和性能。关键词：半导体；芯片级封装；系统封装；晶片级封装中图分类号:TN305. 94文献标识码：C文章编号：1004-4507(2005)05-0014-08 1半导体器件封装概述电子产品是由半导体器件(集成电路和分立器件)、印刷线路板、导线、整机框架、外壳及显示等部分组成，其中集成电路是用来处理和控制信号，分立器件通常是信号放大，印刷线路板和导线是用来连接信号，整机框架外壳是起支撑和保护作用，显示部分是作为与人沟通的接口。所以说半导体器件是电子产品的主要和重要组成部分，在电子工业有“工业之米”的美称。我国在上世纪60年代自行研制和生产了第一台计算机，其占用面积大约为100 m2以上，现在的便携式计算机只有书包大小，而将来的计算机可能只与钢笔一样大小或更小。计算机体积的这种迅速缩小而其功能越来越强大就是半导体科技发展的一个很好的佐证，其功劳主要归结于：⑴半导体芯片集成度的大幅度提高和晶圆制造(Wafer fabrication) 中光刻精度的提高，使得芯片的功能日益强大而尺寸反而更小；(2)半导体封装技术的提高从而大大地提高了印刷线路板上集成电路的密集度，使得电子产品的体积大幅度地降低。半导体组装技术(Assembly technology )的提高主要体现在它的圭寸装型式(Package)不断发展。通常所指的组装(Assembly)可定义为：利用膜技术及微细连接技术将半导体芯片(Chip) 和框架(LeadFrame)或基板(Sulbstrate) 或塑料薄片(Film)或印刷线路板中的导体部分连接以便引出接线引脚，并通过可塑性绝缘介质灌封固定，构成整体立体结构的工艺技术。它具

半导体封装及测试技术

半导体芯片封装及测试技术　价值评估咨询报告书　深华（２００４）评字第０１８号　深圳大华天诚会计师事务所中国?深圳

目录评估咨询报告书摘要 (2) 资产评估咨询报告书 (3) 一、　委托方与资产占有方简介 (3) 二、　评估目的 (3) 三、　评估范围和对象 (3) 四、　评估基准日 (5) 五、　评估原则 (5) 六、　评估依据 (5) （一）　主要法律法规 (5) （二）　经济行为文件 (5) （三）　重大合同协议、产权证明文件 (6) （四）　采用的取价标准 (6) 七、　评估方法 (6) 八、　评估过程 (7) 九、　评估结论 (7) 十、　特别事项说明 (7) 十一、　评估报告评估基准日期后重大事项 (8) 十二、　评估报告法律效力 (8) 十三、　评估报告提出日期 (8) 十四、　备查文件 (8)

评估咨询报告书摘要　　　　　我所接受ＰＡＹＴＯＮ技术有限公司的委托，根据国家有关资产评估的规定，本着客观、独立、公正、科学的原则，按照公认的资产评估方法，对ＰＡＹＴＯＮ技术有限公司拥有的半导体芯片封装测试专用技术的价值进行了评估工作。本所评估人员按照必要的评估程序对委托评估的资产实施了实地勘测、市场调查与询证，对委估资产在评估基准日２００４年６月２４日所表现的市场价值作出了较为公允地反映。评估结果为２０，５００，０００．００美元，大写美元贰仟零伍拾万元整。　　　　郑重声明：　以上内容摘自资产评估报告书，欲了解本评估项目的全面情况，应认真阅读资产评估报告书全文。　本评估结论系对评估基准日资产咨询价值的反映。评估结论系根据本报告书所述原则、依据、前提、方法、程序得出，评估结论只有在上述原则、依据、前提存在的条件下，以及委托方和资产占有方所提供的所有原始文件都是真实与合法的条件下成立。　评估报告中陈述的特别事项是指在已确定评估结果的前提下，评估人员揭示在评估过程中己发现可能影响评估结论，但非评估人员执业水平和能力所能评定估算的有关事项，请报告使用者关注。

晶圆封装测试工序和半导体制造工艺流程

0.2微米制程技术生产，每片八寸晶圆上可制作近六百颗以上的64M微量。欲进行晶片切割，首先必须进行晶圆黏片，而后再送至晶片切割机上进行切割。切割完后之晶粒井然有序排列于胶带上，而框架的支撐避免了胶带的皱褶与晶粒之相互碰撞。 (2) 黏晶（die mount / die bond）黏晶之目的乃将一颗颗之晶粒置于导线架上并以银胶（epoxy）粘着固定。黏晶完成后之导线架则经由传输设备送至弹匣（magazine）内，以送至下一制程进行焊线。 (3) 焊线（wire bond） IC构装制程（Packaging）则是利用塑胶或陶瓷包装晶粒与配线以成集成电路（Integrated Circuit；简称IC），此制程的目的是为了制造出所生产的电路的保护层，避免电路受到机械性刮伤或是高温破坏。最后整个集成电路的周围会向外拉出脚架（Pin），称之为打线，作为与外界电路板连接之用。 (4) 封胶（mold）封胶之主要目的为防止湿气由外部侵入、以机械方式支持导线、內部产生热量之去除及提供能够手持之形体。其过程为将导线架置于框架上并预热，再将框架置于压模机上的构装模上，再以树脂充填并待硬化。 (5) 剪切/成形（trim / form）剪切之目的为将导线架上构装完成之晶粒独立分开，并把不需要的连接用材料及部份凸出之树脂切除（dejunk）。成形之目的则是将外引脚压成各种预先设计好之形状，以便于装置于

半导体封装测试工厂-- -- 较详细

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晶圆封装测试工序和半导体制造工艺流程

晶圆封装测试工序和半导体制造工艺流程 A.晶圆封装测试工序一、 IC检测 1. 缺陷检查Defect Inspection 2. DR-SEM(Defect Review Scanning Electron Microscopy) 用来检测出晶圆上是否有瑕疵，主要是微尘粒子、刮痕、残留物等问题。此外，对已印有电路图案的图案晶圆成品而言，则需要进行深次微米范围之瑕疵检测。一般来说，图案晶圆检测系统系以白光或雷射光来照射晶圆表面。再由一或多组侦测器接收自晶圆表面绕射出来的光线，并将该影像交由高功能软件进行底层图案消除，以辨识并发现瑕疵。 3. CD-SEM(Critical Dimensioin Measurement) 对蚀刻后的图案作精确的尺寸检测。二、 IC封装 1. 构装(Packaging) IC构装依使用材料可分为陶瓷(ceramic)及塑胶(plastic)两种，而目前商业应用上则以塑胶构装为主。以塑胶构装中打线接合为例，其步骤依序为晶片切割(die saw)、黏晶(die mount / die bond)、焊线(wire bond)、封胶(mold)、剪切/成形(trim / form)、印字(mark)、电镀(plating)及检验(inspection)等。 (1) 晶片切割(die saw) 晶片切割之目的为将前制程加工完成之晶圆上一颗颗之晶粒(die)切割分离。举例来说:以0.2微米制程技术生产，每片八寸晶圆上可制作近六百颗以上的64M 微量。

欲进行晶片切割，首先必须进行晶圆黏片，而后再送至晶片切割机上进行切割。切割完后之晶粒井然有序排列于胶带上，而框架的支撐避免了胶带的皱褶与晶粒之相互碰撞。 (2) 黏晶(die mount / die bond) 黏晶之目的乃将一颗颗之晶粒置于导线架上并以银胶(epoxy)粘着固定。黏晶完成后之导线架则经由传输设备送至弹匣(magazine)内，以送至下一制程进行焊线。 (3) 焊线(wire bond) IC构装制程(Packaging)则是利用塑胶或陶瓷包装晶粒与配线以成集成电路(Integrated Circuit;简称IC)，此制程的目的是为了制造出所生产的电路的保护层，避免电路受到机械性刮伤或是高温破坏。最后整个集成电路的周围会向外拉出脚架(Pin)，称之为打线，作为与外界电路板连接之用。 (4) 封胶(mold) 封胶之主要目的为防止湿气由外部侵入、以机械方式支持导线、內部产生热量之去除及提供能够手持之形体。其过程为将导线架置于框架上并预热，再将框架置于压模机上的构装模上，再以树脂充填并待硬化。 (5) 剪切/成形(trim / form) 剪切之目的为将导线架上构装完成之晶粒独立分开，并把不需要的连接用材料及部份凸出之树脂切除(dejunk)。成形之目的则是将外引脚压成各种预先设计好之形状，以便于装置于电路板上使用。剪切与成形主要由一部冲压机配上多套不同制程之模具，加上进料及出料机构所組成。 (6) 印字(mark)及电镀(plating) 印字乃将字体印于构装完的胶体之上，其目的在于注明商品之规格及制造者等资讯。

晶圆封装测试工序和半导体制造工艺流程

A.晶圆封装测试工序一、IC 检测 1.缺陷检查 Defect Inspection 2.DR-SEM(Defect Review Scanning Electron Microscopy) 用来检测出晶圆上是否有瑕疵，主要是微尘粒子、刮痕、残留物等问题。此外，对已印有电路图案的图案晶圆成品而言，则需要进行深次微米范围之瑕疵检测。一般来说，图案晶圆检测系统系以白光或雷射光来照射晶圆表面。再由一或多组侦测器接收自晶圆表面绕射出来的光线，并将该影像交由高功能软件进行底层图案消除，以辨识并发现瑕疵。 3.CD-SEM(Critical Dimensioin Measurement) 对蚀刻后的图案作精确的尺寸检测。二、IC 封装 1.构装( Packaging) IC构装依使用材料可分为陶瓷(ceramic及塑胶(plastic)两种，而目前商业应用上则以塑胶构装为主。以塑胶构装中打线接合为例，其步骤依序为晶片切割(die saW、黏晶(die mou nt / die bond)、焊线(wire bo nd)、圭寸胶(mold)、剪切 / 成形(trim / form )、印字(mark)、电镀(plati ng)及检验(in spection)等。 (1)晶片切割( die saw) 晶片切割之目的为将前制程加工完成之晶圆上一颗颗之晶粒( die)切割分离。举例来说：以 0.2微米制程技术生产，每片八寸晶圆上可制作近六百颗以上的 64M 微量。欲进行晶片切割，首先必须进行晶圆黏片，而后再送至晶片切割机上进行切割。切割完后之晶粒井然有序排列于胶带上，而框架的支撑避免了胶带的皱褶与晶粒之相互碰撞。 (2)黏晶( die mount / die bond)

中国半导体封装测试工厂

中国半导体封装测试工厂上海华旭微电子有限公司上海芯哲微电子科技有限公司沈阳中光电子有限公司超威半导体公司葵和精密(上海) 新义半导体快捷半导体安靠封测(上海) 东莞乐依文半导体有限公司日月光(威海) 日月光(上海)威宇半导体日月芯嘉盛半导体罗姆电子(天津)有限公司长风尼西成都亚光电子股份有限公司宏茂微电子上海斯伦贝谢智能卡技术有限公司飞思卡尔半导体晶诚（郑州）科技有限公司银河微电子捷敏电子捷敏电子(合肥）通用半导体通用半导体(西安爱尔) 超丰勤益电子(上海) 广州半导体器件桂林斯壮半导体无锡华润华晶微电子合肥合晶华越芯装电子苏州奇梦达公司英飞凌科技（无锡）有限公司江苏长电科技股份有限公司吉林市华星电子有限公司凯虹电子开益禧半导体京隆科技震坤乐山菲尼克斯(ON Semi) 菱生骊山微电子绍兴力响微电子绍兴力响微电子有限公司美光半导体巨丰电子上海纪元微科美国芯源系统南方电子南通富士通微电子股份有限公司美国国家半导体有限公司华微凤凰半导体飞利浦清溪三清半导体瑞萨半导体威讯联合三星电子(半导体) 晟碟半导体三洋半导体三洋上海旭福电子永华电子汕头华汕电子深爱半导体矽格电子中芯国际中芯国际中芯国际中芯国际飞索半导体深圳赛意法电子天水华天微电子东芝半导体芯宇优特半导体（上海）新康电子/威旭晶方半导体科技(苏州)有限公司无锡华润安盛科技有限公司无锡红光微电子

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半导体封装形式介绍

摘要：半导体器件有许多封装型式，从DIP、SOP、QFP、PGA、BGA到CSP再到SIP，技术指标一代比一代先进，这些都是前人根据当时的组装技术和市场需求而研制的。总体说来，它大概有三次重大的革新：第一次是在上世纪80年代从引脚插入式封装到表面贴片封装，极大地提高了印刷电路板上的组装密度；第二次是在上世纪90年代球型矩正封装的出现，它不但满足了市场高引脚的需求，而且大大地改善了半导体器件的性能；晶片级封装、系统封装、芯片级封装是现在第三次革新的产物，其目的就是将封装减到最小。每一种封装都有其独特的地方，即其优点和不足之处，而所用的封装材料，封装设备，封装技术根据其需要而有所不同。驱动半导体封装形式不断发展的动力是其价格和性能。关键词：半导体；芯片级封装；系统封装；晶片级封装中图分类号：TN305．94 文献标识码：C 文章编号：1004-4507(2005)05-0014-08 1 半导体器件封装概述示等部分组成，其中集成电路是用来处理和控制信号，分立器件通常是信号放大，印刷线路板和导线是用来连接信号，整机框架外壳是起支撑和保护作用，显示部分是作为与人沟通的接口。所以说半导体器件是电子产品的主要和重要组成部分，在电子工业有“工业之米"的美称。我国在上世纪60年代自行研制和生产了第一台计算机，其占用面积大约为100 m2以上，现在的便携式计算机只有书包大小，而将来的计算机可能只与钢笔一样大小或更小。计算机体积的这种迅速缩小而其功能越来越强大就是半导体科技发展的一个很好的佐证，其功劳主要归结于：(1)半导体芯片集成度的大幅度提高和晶圆制造(Wafer fabrication)中光刻精度的提高，使得芯片的功能日益强大而尺寸反而更小；(2)半导体封装技术的提高从而大大地提高了印刷线路板上集成电路的密集度，使得电子产品的体积大幅度地降低。半导体组装技术(Assembly 展。通常所指的组装(Assembly)可定义为：利用膜技术及微细连接技术将半导体芯片(Chip)

半导体封装测试-百度文库(精)

半导体封装测试半导体生产流程由晶圆制造、晶圆测试、芯片封装和封装后测试组成。半导体封装测试是指将通过测试的晶圆按照产品型号及功能需求加工得到独立芯片的过程。目录过程形式高级封装实现封装面积最小化表面贴片封装降低PCB设计难度插入式封装主要针对中小规模集成电路相关链接过程形式高级封装实现封装面积最小化表面贴片封装降低PCB设计难度插入式封装主要针对中小规模集成电路相关链接展开过程

封装过程为:来自晶圆前道工艺的晶圆通过划片工艺后,被切割为小的晶片(Die,然后将切割好的晶片用胶水贴装到相应的基板(引线框架架的小岛上,再利用超细的金属(金、锡、铜、铝导线或者导电性树脂将晶片的接合焊盘(Bond Pad连接到基板的相应引脚(Lead,并构成所要求的电路;然后再对独立的晶片用塑料外壳加以封装保护,塑封之后,还要进行一系列操作,如后固化(Post Mold Cure、切筋和成型 (Trim&Form、电镀(Plating以及打印等工艺。封装完成后进行成品测试,通常经过入检(Incoming、测试(Test和包装(Packing等工序,最后入库出货。典型的封装工艺流程为:划片装片键合塑封去飞边电镀打印切筋和成型外观检查成品测试包装出货。编辑本段形式半导体器件有许多封装形式,按封装的外形、尺寸、结构分类可分为引脚插入型、表面贴装型和高级封装三类。从DIP、SOP、QFP、PGA、BGA 到CSP再到SIP,技术指标一代比一代先进。总体说来,半导体封装经历了三次重大革新:第一次是在上世纪80年代从引脚插入式封装到表面贴片封装,它极大地提高了印刷电路板上的组装密度;第二次是在上世纪90年代球型矩阵封装的出现,满足了市场对高引脚的需求,改善了半导体器件的性能;芯片级封装、系统封装等是现在第三次革新的产物,其目的就是将封装面积减到最小。编辑本段高级封装实现封装面积最小化芯片级封装CSP 几年之前封装本体面积与芯片面积之比通常都是几倍到几十倍,但近几年来有些公司在BGA、TSOP的基础上加以改进而使得封装本体面积与芯片面积之比逐步减小到接近1的水平,所以就在原来的封装名称下冠以芯片级封装以用来区别以前的

半导体制造公司集成电路封装测试生产项目环评公示

德州仪器半导体制造（成都）有限公司集成电路封装测试生产项目第二次环评公示 1、建设项目的概况简述：建设单位：德州仪器半导体制造（成都）有限公司项目名称：集成电路封装测试生产项目建设地点：成都高新区西部园区成都高新综合保税区科新路原厂区范围内进行，不新征土地，不新增建筑。建设性质：新建生产规模及产品大纲：本项目建成后，德州仪器（成都）将形成集成电路年封装测试 39.24亿只，代表产品包括扁平无引线封装(QFN)与薄小外形电晶体封装(SOT)。投资总额：97760万元劳动定员：德州仪器现有员工580人，本项目满产预计新增员工880 人。本项目投产后，德州仪器成都公司将拥有员工1460人。工作制度：年工作日365 天，生产线工人实行四班两运转工作制，每班工作10 小时，管理人员实行单班工作制。建设进度：预计投产时间2014年11月。 2、建设主要污染源本项目主要污染物产生的种类和来源如下：废水（1）清洗废水，主要来源于封装生产线研磨清洗和划片清洗过程排水；（2）空调排水、冷却排水、锅炉排水，主要来源于空调加湿器排水，工艺冷却排水，循环冷却水系统冷却塔排水，冰机及锅炉排水；（3）生活污水，主要源于盥洗间污水、餐厅污水、洗衣房污水；废气（1）锅炉排气：主要来源于锅炉；（2）一般排气：主要来源于封装测试厂房生产过程；固体废物（1）废塑封树脂：主要来源于塑封、固化过程；

（2）废环氧树脂：主要来源于粘片工序；（3）废框架：主要来源于粘片与切筋成型工序；（4）废金属：主要来源于键合工序；（5）其他固体废物：主要有废包装材料、废塑料制品、不合格品、废日光灯管、废空气过滤芯、办公生活垃圾等。 3、污染物处置措施废水：本项目废水包括生产废水和生活污水。本项目依托原有废水处理系统处理生产废水，主要为研磨、切片清洗废水，废水主要成分为SS。生活污水主要有厂区盥洗间污水，经化粪池预处理，餐饮污水设置隔油池作撇油处理。生产废水和生活污水处理达标后排入开发区市政污水管网，进入高新区西区污水处理厂处理。废气：主要为锅炉废气。通过锅炉烟囱排入大气。噪声：高噪声设备主要为冷冻机组、真空泵、风机以及水泵等动力设备，通过合理布置声源，采取相应的隔声、减振、消声、吸声等降噪措施，厂界能够做到达标排放。固废：本项目固体废物年产生量106.5吨，分为危险废物和一般废物两类：危险废物，年产生量约16.5吨。包括： ①塑封使用环氧树脂产生的废环氧树脂料管（产生量6 t/a），主要有害物质为塑料； ②废含汞灯管，产生量约0.5t/a。 ③废框架等电子混合废料，产生量约10t/a；一般废物，年产生量约29吨。包括：废包装材料、废金属。废包装材料、废金属送废品回收商回收。废水处理污泥，产生20吨/年，包括：背面减薄/划片废水处理污泥；厂区办公垃圾约60t/a，送城市垃圾场统一处置。 4、环境影响分析废水排放影响分析：本项目达产后，生产废水排放总量为917m3/d，主要污

IC半导体封装测试流程

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IC半导体封装测试流程第1章前言 1.1 半导体芯片封装的目的半导体芯片封装主要基于以下四个目的[10, 13]： ●防护 ●支撑 ●连接 ●可靠性图1-1 TSOP封装的剖面结构图 Figure 1-1 TSOP Package Cross-section 第一，保护：半导体芯片的生产车间都有非常严格的生产条件控制，恒定的温度（230±3℃）、恒定的湿度（50±10%）、严格的空气尘埃颗粒度控制（一般介于1K到10K）及严格的静电保护措施，裸露的装芯片只有在这种严格的环境控制下才不会失效。但是，我们所生活的周围环境完全不可能具备这种条件，低温可能会有-40℃、高温可能会有60℃、湿度可能达到100%，如果是汽车产品，其工作温度可能高达120℃以上，为了要保护芯片，所以我们需要封装。第二，支撑：支撑有两个作用，一是支撑芯片，将芯片固定好便于电路的连接，二是封装完成以后，形成一定的外形以支撑整个器件、使得整个器件不易损坏。第三，连接：连接的作用是将芯片的电极和外界的电路连通。

引脚用于和外界电路连通，金线则将引脚和芯片的电路连接起来。载片台用于承载芯片，环氧树脂粘合剂用于将芯片粘贴在载片台上，引脚用于支撑整个器件，而塑封体则起到固定及保护作用。第四，可靠性：任何封装都需要形成一定的可靠性，这是整个封装工艺中最重要的衡量指标。原始的芯片离开特定的生存环境后就会损毁，需要封装。芯片的工作寿命，主要决于对封装材料和封装工艺的选择。 1.2 半导体芯片封装技术的发展趋势 ● 封装尺寸变得越来越小、越来越薄 ● 引脚数变得越来越多 ● 芯片制造与封装工艺逐渐溶合 ● 焊盘大小、节距变得越来越小 ● 成本越来越低 ● 绿色、环保以下半导体封装技术的发展趋势图[2,3,4,11,12,13]：图1-2 半导体封装技术发展趋势 Figure 1-2 Assembly Technology Development Trend 小型化

晶圆封装测试工序和半导体制造工艺流程_百度文库(精)

晶圆封装测试工序和半导体制造工艺流程.txt-两个人同时犯了错，站出来承担的那一方叫宽容，另一方欠下的债，早晚都要还。-不爱就不爱,别他妈的说我们合不来。A.晶圆封装测试工序一、 IC检测 1. 缺陷检查Defect Inspection 2. DR-SEM(Defect Review Scanning Electron Microscopy 用来检测出晶圆上是否有瑕疵，主要是微尘粒子、刮痕、残留物等问题。此外，对已印有电路图案的图案晶圆成品而言，则需要进行深次微米范围之瑕疵检测。一般来说，图案晶圆检测系统系以白光或雷射光来照射晶圆表面。再由一或多组侦测器接收自晶圆表面绕射出来的光线，并将该影像交由高功能软件进行底层图案消除，以辨识并发现瑕疵。 3. CD-SEM(Critical Dimensioin Measurement 对蚀刻后的图案作精确的尺寸检测。二、 IC封装 1. 构装（Packaging） IC构装依使用材料可分为陶瓷（ceramic）及塑胶（plastic）两种，而目前商业应用上则以塑胶构装为主。以塑胶构装中打线接合为例，其步骤依序为晶片切割（die saw）、黏晶（die mount / die bond）、焊线（wire bond）、封胶（mold）、剪切/成形（trim / form）、印字（mark）、电镀（plating）及检验（inspection）等。 (1 晶片切割（die saw）晶片切割之目的为将前制程加工完成之晶圆上一颗颗之晶粒（die）切割分离。举例来说：以0.2微米制程技术生产，每片八寸晶圆上可制作近六百颗以上的64M微量。欲进行晶片切割，首先必须进行晶圆黏片，而后再送至晶片切割机上进行切割。切割完后之晶粒井然有序排列于胶带上，而框架的支撐避免了胶带的皱褶与晶粒之相互碰撞。 (2 黏晶（die mount / die bond）黏晶之目的乃将一颗颗之晶粒置于导线架上并以银胶（epoxy）粘着固定。黏晶完成后之导线架则经由传输设备送至弹匣（magazine）内，以送至下一制程进行焊线。 (3 焊线（wire bond） IC构装制程（Packaging）则是利用塑胶或陶瓷包装晶粒与配线以成集成电路（Integrated Circuit；简称IC），此制程的目的是为了制造出所生产的电路的保护层，避免电路受到机械性刮伤或是高温破坏。最后整个集成电路的周围会向外拉出脚架（Pin），称之为打线，作为与外界电路板连接之用。 (4 封胶（mold）

半导体和测试设备介绍

第一章.认识半导体和测试设备(1) 本章节包括以下内容，晶圆（Wafers）、晶片（Dice）和封装（Packages）自动测试设备（ATE）的总体认识模拟、数字和存储器测试等系统的介绍负载板（Loadboards）、探测机（Probers）、机械手（Handlers）和温度控制单元（Temperature units）一、晶圆、晶片和封装 1947年，第一只晶体管的诞生标志着半导体工业的开始，从那时起，半导体生产和制造技术变得越来越重要。以前许多单个的晶体管现在可以互联加工成一种复杂的集成的电路形式，这就是半导体工业目前正在制造的称之为"超大规模"（VLSI，Very Large Scale Integration）的集成电路，通常包含上百万甚至上千万门晶体管。半导体电路最初是以晶圆形式制造出来的。晶圆是一个圆形的硅片，在这个半导体的基础之上，建立了许多独立的单个的电路；一片晶圆上这种单个的电路被称为die（我前面翻译成"晶片"，不一定准确，大家还是称之为die好了），它的复数形式是dice.每个die都是一个完整的电路，和其他的dice没有电路上的联系。

当制造过程完成，每个die都必须经过测试。测试一片晶圆称为"Circuit probing"（即我们常说的CP测试）、"Wafer porbing"或者"Die sort"。在这个过程中，每个die都被测试以确保它能基本满足器件的特征或设计规格书（Specification），通常包括电压、电流、时序和功能的验证。如果某个die不符合规格书，那么它会被测试过程判为失效（fail），通常会用墨点将其标示出来（当然现在也可以通过Maping图来区分）。在所有的die都被探测（Probed）之后，晶圆被切割成独立的dice，这就是常说的晶圆锯解，所有被标示为失效的die都报废（扔掉）。图2显示的是一个从晶圆上锯解下来没有被标黑点的die，它即将被封装成我们通常看到的芯片形式。注：本标题系列连载内容及图片均出自《The Fundamentals Of Digital Semiconductor Testing》