电子技术基础831考纲

华中科技大学硕士研究生入学考试《电子技术基础》

考试大纲

一、考试说明

1. 考试性质

该入学考试是为华中科技大学电子科学与技术一级学科招收硕士研究生而设置的。它的评价标准是高等学校优秀本科毕业生能达到的及格或及格以上水平，以保证被录取者具有较好的电子技术理论基础。

考试对象为全国硕士研究生入学考试的考生。

3. 评价目标

本课程考试的目的是考察学生对电子技术的基本概念、基本原理和基本方法的掌握程度和利用其解决电子技术领域相关问题的能力。

4. 考试形式与试卷结构

（1）答卷方式：闭卷，笔试。

（2）答题时间：180分钟。

（3）各部分内容的考查比例：满分150分。

模拟电子技术40%

数字电子技术60%

（4）题型：以分析、计算题为主。

二、考察要点

1.基本半导体器件

PN结的形成，半导体二极管、半导体三极管和半导体场效应管工作原理，晶体管的开关作用，TTL门电路，MOS门电路

2.基本放大电路

微变等效电路，反馈的基本概念及类型判断，负反馈对放大电路性能的影响，频率特性，多级放大电路及其级间耦合，差动放大电路，场效应管及其放大电路3.集成运算放大器

比例运算、加法运算、减法运算、积分运算、微分运算、有源滤波、采样保持、电压比较

4.稳压电源和功率放大电路

整流滤波与反馈式稳压电源，开关稳压电源，乙类互补与甲乙类功率放大电路

5.数字逻辑与组合逻辑电路

逻辑代数及逻辑运算，逻辑函数的简化，组合逻辑电路的分析与设计，编码器，译码器，数据选择器，数值比较器，加法器

6.时序逻辑电路与集成器件

RS触发器，D触发器，JK触发器，T触发器，同步时序逻辑电路的分析及设计，计数器、移位寄存器，随机存取存储器（RAM），只读存储器（ROM），可编程逻辑器件

7.信号发生与转换

正弦波振荡器，多谐振荡器，单稳态触发器，施密特触发器，555集成定时器，D/A转换器，A/D转换器。

电子技术基础实训大纲

《电子技术基础》实训大纲适用对象：电子电器应用与维修专业学时：90节课程性质：专业技能训练课程一、课程性质、目的和任务 1、课程性质：本课程是计算机、网络等专业的基础课程的实践课程之一。 2、课程的目的和任务：培养相关专业学生在电子技术应方面的基本操作技能。二、教学基本要求 1、熟悉电子元器件的功能用途。 2、学会电子元器件的测量、检测方法。 3、掌握电子电路加工制作的基本方法、操作过程和基本技能。 4、掌握电子电路的识图方法和分析技巧。三．教学中需注意的问题

1、教学中应结合相关电子生产工艺标准和流程进行，强调操作的规范性。 2、注重元件、电路焊接和检测等基本工的培养。 3、注重整装调试能力的培养。 4、注重电路原理和故障的分析能力的培养。四、课程教学内容： 1、电子元器件认识与识别：包括电阻器、电容器和电感器，常用半导体器件二极管、三极管，常用模拟/数字集成电路，印制电路板，拨码开关，发光二极管，接插件，导线等。 1）电阻器、电容器和电感器，半导体器件二极管、三极管命名。 2）集成电路命名、管脚识别及性能检测 2、仪器仪表的使用，包括直流电源，变压器，万用表，信号发生器，示波器等，教授使用注意事项，用它们来用对元器件、电路进行判别、测量和调试的方法。 3、根据模拟/数字电路原理设计，完成初步对元件进行选择和筛选。

1）根据电路要求列出元器件清单 2）选择元器件 4、电子产品的安装与焊接。包括准备工作、元器件安装与导线处理、电子产品的焊接工艺。 1）电烙铁的种类、选用和使用方法 2）焊料和焊剂 3）焊接工艺 4）电子元器件的安装与焊接 5）焊接质量检查 5、电子产品整机装配与调试 1）静、动态测试 2）故障查找和排除五、实训方法和手段集中在电子生产实训室进行实训，具体操作方法先由教师讲解、学生独立操作，配备2名指导教师跟进指导。六、考核

南京理工大学-研究生入学考试大纲-823电子技术基础

南京理工大学研究生入学考试大纲科目名：《电子技术基础》一. 考试内容模拟电路部分 1半导体器件（1）半导体的基本概念：本征半导体； PN结（2）半导体二极管：①半导体二极管的伏安特性；半导体二极管的主要参数；半导体二极管电路的分析。（3）稳压二极管：稳压二极管的伏安特性；稳压二极管的主要参数；稳压二极管电路的分析。（4）半导体三极管：三极管的电流放大特性；三极管的特性曲线和主要参数（5）场效应管： ①结型场效应管的工作原理；伏安特性；主要参数；输出特性曲线；转移特性曲线； ②绝缘栅型场效应管的工作原理；伏安特性；主要参数；输出特性曲线；转移特性曲线；输出特性曲线的三个区； 2基本放大电路（1）三极管放大电路：固定偏置放大电路的组成和分析；分压偏置放大电路的组成和分析；有交流射极电阻的共射放大电路的组成和分析；共集放大电路的组成和分析；（2）场效应管放大电路：场效应管放大电路；场效应管的微变等效模型；场效应管的两种静态偏置电路：自给偏压电路与分压式偏置电路；基本共源电路的组成、静态分析、动态分析方法；基本共漏电路及其静态、动态分析。 3 多级放大电路（1）多级放大电路的三种耦合方式：（2）阻容耦合放大电路及其分析方法；（3）直接耦合放大电路及其分析方法；（4）变压器耦合放大电路； 4差分放大电路（1）差放电路的工作原理：差放电路的组成；抑制零漂的原理；信号的三种输入方式：差模、共模、任意输入方式；共模电压放大倍数；差模电压放大倍数；共模抑制比；（2）差放电路的四种输入输出方式；双端输入双端输出方式；双端输入单端输出方式；（3）长尾差分放大电路:电阻长尾差分放大电路的静态分析和动态分析；带恒流源长尾差放电路的组成和静态分析、动态分析； 5功率放大电路（1）功率放大电路的特点；（2）功率放大电路的三种工作状态；甲类、乙类、甲乙类功率放大电路的特点。（3）甲类功率放大电路的组成及分析方法（甲类功率放大电路的工作原理，静态分析，动态分析。）（4）乙类功率放大电路的组成及分析方法（乙类功率放大电路的工作原理，静态分析，动态分析。）（5）甲乙类功率放大电路的组成及分析方法（甲乙类功率放大电路的工作原理，静态分析，

模拟电子技术基础期末考试试题及答案

《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。 2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集）放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（串联）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（1/ F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（）。

模拟电子技术基础[李国丽]第一章习题答案解析

1半导体二极管自我检测题一．选择和填空 1．纯净的、结构完整的半导体称为本征半导体，掺入杂质后称杂质半导体。若掺入五价杂质，其多数载流子是电子。 2．在本征半导体中，空穴浓度 C 电子浓度；在N 型半导体中，空穴浓度 B 电子浓度；在P 型半导体中，空穴浓度 A 电子浓度。（A ．大于，B ．小于，C ．等于） 3. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 C ，而少数载流子的浓度与 A 关系十分密切。（A ．温度，B ．掺杂工艺，C ．杂质浓度） 4. 当PN 结外加正向电压时，扩散电流 A 漂移电流，耗尽层 E ；当PN 结外加反向电压时，扩散电流 B 漂移电流，耗尽层 D 。（A ．大于，B ．小于，C ．等于，D ．变宽，E ．变窄，F 不变） 5．二极管实际就是一个PN 结，PN 结具有单向导电性，即处于正向偏置时，处于导通状态；反向偏置时，处于截止状态。 6. 普通小功率硅二极管的正向导通压降约为_B ，反向电流一般_C_；普通小功率锗二极管的正向导通压降约为_A_，反向电流一般_D_。（A ．0.1～0.3V ，B ．0.6～0.8V ，C ．小于A μ1，D ．大于A μ1） 7. 已知某二极管在温度为25℃时的伏安特性如图选择题7中实线所示，在温度为 T 1 时的伏安特性如图中虚线所示。在25℃时，该二极管的死区电压为 0.5 伏，反向击穿电

压为 160 伏，反向电流为 10-6 安培。温度T 1 小于 25℃。（大于、小于、等于）图选择题7 8．PN 结的特性方程是)1(-=T V v S e I i 。普通二极管工作在特性曲线的正向区；稳压管工作在特性曲线的反向击穿区。二．判断题（正确的在括号画√，错误的画×） 1．N 型半导体可以通过在纯净半导体中掺入三价硼元素而获得。（ × ） 2．在P 型半导体中，掺入高浓度的五价磷元素可以改型为N 型半导体。（ √ ） 3．P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。（ × ） 4．PN 结的漂移电流是少数载流子在电场作用下形成的。（ √ ） 5．由于PN 结交界面两边存在电位差，所以当把PN 结两端短路时就有电流流过。（ × ） 6．PN 结方程既描写了PN 结的正向特性和反向特性，又描写了PN 结的反向击穿特性。（ × ） 7．稳压管是一种特殊的二极管，它通常工作在反向击穿状态（√ ），它不允许工作在正向导通状态（×）。

电子技术基础-考试大纲

电子技术基础-考试大纲参考书： 1.《电工学(下册)-电子技术》(第六版、第七版都可)；秦曾煌主编,高教出版社 2.《模拟电子技术基础》（第三版或第四版）；童诗白主编，高等教育出版社 3.《数字电子技术基础》（第四版）；阎石主编，高等教育出版社考试时间：2小时（满分100分）。一、本课程的地位、作用和任务《电子技术基础》是工科电气类的专业技术基础核心课程。课程任务是使学生获得电子技术的基本理论和基本技能,为学习后续课程和从事有关的工程技术工作打下基础。二、基本内容 1、模拟电子技术基础 (1)掌握半导体二极管、稳压管、晶体三极管的基本概念和主要参数；尤其是掌握半导体二极管、稳压管、晶体三极管的计算方法及应用。 (2)理解和掌握不同类型单级放大电路的工作原理和性能特点,掌握放大电路的静态分析及动态分析方法。能够分析计算基本共射放大电路中的实验现象。 (3)了解深度负反馈的概念,掌握不同反馈类型的分析方法，理解负反馈对放大电路性能的影响，能够计算单级深度负反馈电路的电压放大倍数。 (4) 掌握集成运算放大器的基本组成和电压传输特性,掌握其基本分析方法。能分析和计算由理想运算放大器组成的基本运算电路及信号处理电路。

(5)理解与掌握互补对称功率放大电路的基本概念与分析计算方法。 (6)了解不同类型的正弦波振荡电路的基本组成及工作原理，判断电路能否产生正弦波振荡，掌握分析计算电路振荡频率的方法。 (7)掌握单相直流稳压电路的基本组成、工作原理及电路参数的计算。 2、数字电子技术基础 (1)掌握组合逻辑电路中基本门电路的逻辑图、波形图、功能表及其应用。 (2)用逻辑代数法或卡诺图法化简，分析组合逻辑电路的作用。掌握组合逻辑电路的基本设计方法。 (3)理解常用组合电路集成模块的应用。掌握不同类型的译码器、优先编码器的分析方法及简单应用。 (4)掌握时序逻辑电路中双稳态触发器的逻辑功能, 能够实现逻辑功能的转换。 (5)掌握用555集成定时器组成的多谐振荡器的分析与参数计算方法。 (6)掌握同步时序电路、寄存器及计数器的基本分析和设计方法。

模拟电子技术基础考试试题复习资料

第1页共5页一、填空（共20空，每空 1 分，共 20 分，所有答案均填写在答题纸上） 1、场效应管被称为单极型晶体管是因为。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域，当三极管工作在区时， b I Ic β<。 3、场效应管可分为型场效应管和结型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中，共基本放大电路只能放大电压不能放大电流。 5、在绘制电子放大电路的直流通路时，电路中出现的视为开路，视为短路，信号源可视为为短路但应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有直接耦合、阻容耦合、和耦合等。 7、晶体管是利用极电流来控制极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的交流通路用于研究。 9、理想运放的两个输入端虚断是指。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈，通常令输出电压为零，看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈不复存在则为。 11、仅存在于放大电路的交流通路中的反馈称为。 12、通用集成运放电路由、、输出级和偏置电路四部分组成。 13、如果集成运放的某个输入端瞬时极性为正时，输出端的瞬时极性也为正，该输入端是相输入端，否则该输入端是相输入端。 14、差分放大电路的差模放大倍数和共模放大倍数是不同的，越大越好，越小越好。二、单项选择题（共10题，每题 2 分，共 20分；将正确选项的标号填在答题纸上） 1、稳压二极管如果采用正向接法，稳压二极管将。 A ：稳压效果变差 B ：稳定电压变为二极管的正向导通压降 C ：截止 D ：稳压值不变，但稳定电压极性发生变化 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结正向偏置，则此管的工作状态为。 A ：饱和状态 B ：截止状态 C ：放大状态 D ：不能确定 3、测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示，该管为。 A ： PNP 型硅管 B ：NPN 型锗管 C ： NPN 型硅管 D ：PNP 型锗管

电子技术基础考试大纲

《电子技术基础》考试大纲 (包括模拟电路、数字电路两部分) 一、参考书目 1.康华光，电子技术基础——模拟部分，第五版，高等教育出版社，2008 2.康华光，电子技术基础——数字部分，第五版，高等教育出版社，2008 二、考试内容与基本要求《模拟电子技术》考试大纲一、半导体器件 [考试内容] PN结、半导体二极管、稳压二极管的工作原理；晶体三极管与场效应管的放大原理； [考试要求] 1. 熟悉半导体二极管的伏安特性，主要参数及简单应用。 2. 熟悉稳压二极管的伏安特性，稳压原理及主要参数。 3. 理解双极性三极管的电流放大原理，伏安特性，熟悉主要参数。二、放大器基础 [考试内容] 放大电路的性能指标和电路组成及静态分析；稳定静态工作点的偏置电路；放大电路的动态分析，三种基本组态放大电路；场效应管放大电路性能指标分析；运算放大器放大电路性能指标分析。 [考试要求] 1. 理解放大电路的组成原则。 2. 理解静态、动态、直流通路、交流通路的概念及放大电路主要动态指标的含义。 3. 熟悉放大电路的静态和动态分析方法。掌握调整静态工作点的方法。 4. 掌握计算三种组态放大电路的静态工作点和动态指标。三、放大器的频率参数 [考试内容] 频率特性的基本概念与分析方法；放大器频率分析，三极管的频率参数；共射极接法放大电路的频率特性；场效应高频等效电路，运算放大器的高频等效电路。 [考试要求] 1. 理解阻容耦合共射放大电路的频率特性。 2. 理解三极管的频率参数。 3. 了解多级放大电路频率特性的概念。四、放大电路中的负反馈 [考试内容] 负反馈的基本概念；负反馈对放大器性能的影响；深度负反馈的计算；反馈放大电路的稳定性分析。 [考试要求] 1. 理解反馈，正反馈，负反馈，直流反馈，交流反馈，开环，闭环，反馈系数，反馈深度，电压反馈，电流反馈，串联反馈，并联反馈等概念。 2. 熟悉负反馈类型的判断。 3. 掌握各种基本组态负反馈对放大电路性能的影响。 4. 掌握深度负反馈放大电路增益的估算方法。

模拟电子技术基础试题汇总

模拟电子技术基础试题汇总一.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将( )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管处于( ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( )。 ( A)温度稳定性( B)单向导电性( C)放大作用( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生 ( )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝，关于输出电压的说法正确的是( )。 A：u I1=3V，u I2=时输出电压为。 B：u I1=3V，u I2=时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=，u I2=时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻R b变高。

8. 直流负反馈是指( ) A. 存在于RC 耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A 为理想运放，则电路的输出电压约为( ) A. － B. －5V C. － D. － 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV ,则差模输入电压△υid 为( ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入 ( )。 A. 共射电路 B. 共基电路 C. 共集电路 D. 共集-共基串联电路 13. 在考虑放大电路的频率失真时，若i υ为正弦波，则o υ( ) A. 有可能产生相位失真 B. 有可能产生幅度失真和相位失真 C. 一定会产生非线性失真 D. 不会产生线性失真 14. 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是，前者的运放通常工作在( )。 A. 开环或正反馈状态 B. 深度负反馈状态 C. 放大状态 D. 线性工作状态 15. 多级负反馈放大电路在( )情况下容易引起自激。 A. 回路增益F A &&大 B 反馈系数太小

电子技术基础与技能电子教案(综合)

《电子技术基础与技能》电子教案项目一二极管单向导电板的制作教案编号：01—01—01 一、教学目标 1、了解什么是半导体、P型半导体和N型半导体； 2、了解PN结的形成过程及其特性； 3、掌握二极管的符号、特性及特性曲线等； 4、会用万用表判断二极管的质量。二、重点难点重点：二极管的符号及单向导电特性。难点：PN结的形成过程三、学情分析有关半导体、二极管等概念，学生第一次接触到，而且这些内容十分抽象难理解，所以学生学起来有一定困难。但学生在初中阶段已经接触到了电阻、导体及绝缘体等相关内容，而半导体就是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质，因此，教师要如此引入过渡，学生是容易接受的。四、教学方法讲解法、观察法、图形演示法五、教具准备各种不同形状的二极管、幻灯片及幻灯机、实物投影仪等六、课时安排：2课时七、教学过程 1、导入新课：大家在初中学习了电阻，电阻就是导体对电流的阻碍作用。而导体就是能够导电的物质，如铁、铝、铜等金属；不能导电的物质就是绝缘体，如干木头、黑板等。那么世界上有没有导电能力介于导体和绝缘体之间的物质呢？这就是今天我们要学习的内容——半导体 2、新授阶段

（1）出示投影（课本图1-1 二极管单向导电电路图）让生认识电路图，了解图中的各元器件。并强调指出其中的二极管是电路中的关键元件，今天我们就来重点学习这种元件。（2）先了解半导体、P型半导体和N型半导体以及PN结等。 1）半导体：由自然界的物质按导电性能的分类引出半导体。半导体的最外层有4个价电子。如硅和锗等。半导体有光敏性、热敏性和掺杂性三种特性，特别是其掺杂性是形成半导体元件的重要基础。 2）P型半导体和N型半导体先介绍本征半导体，然后根据在本征半导体中掺入不同的杂质离子可形成两种半导体，即N型半导体和P型半导体。（可结合投影出示本征半导体的原子排列图以及和掺入两种不同杂质时形成两种半导体的形成过程图）。 3）PN结：出示投影（课本图1-2 PN的结构示意图），简单从电子转移的角度介绍PN结的形成过程。给生时间理解并自己动手画图记忆（3）二极管 1）出示投影（课本图1-3 二极管的结构示意图及其符号）讲解二极管的定义、结构及其符号等给生时间理解并自己动手画图记忆 2）实物投影展示各种不同形状的二极管外形，之后拿出实物让生观察，增强学生的感性意识。 3）二极管的特性曲线出示投影（课本图1-5 二极管的伏安特性曲线）讲解二极管特性曲线的定义、二极管的正向电压和反向电压等概念。讲述二极管特性曲线的形成规律及其特点。要让学生记住死区电压：对于硅管是0.5V，锗管是0.2V；导通电压：对于硅管是0.7V；对于锗管是0.3V。给生时间理解并自己动手画图记忆 4）二极管的种类及参数：师简单介绍

F1001电子技术基础考试大纲.doc

F1001《电子技术基础》考试大纲一、复习资料 1.《电子线路（线性部分）》（第5版），冯军、谢嘉奎编，高等教育出版社，2010年8月。 2.《数字电子技术基础》（第6版），阎石、王红编，高等教育出版社，2016年4月。二、考试内容及要求（一）模拟电子线路包括半导体器件及应用，基本组态放大电路，组合放大电路，反馈放大电路，差分放大电路，集成运算放大电路及其应用。 1．半导体器件及应用考试内容： PN结，晶体二极管，晶体三极管，场效应管（MOSFET）。考试要求：（1）掌握PN结的基本特性；掌握晶体二极管伏安特性、数学模型、简化电路模型、相关性能参数及基本应用；掌握晶体三极管在放大模式下的电流分配关系、伏安特性、数学模型、直流简化模型、小信号电路模型及基本应用；掌握MOSFET的伏安特性、数学模型、小信号电路模型及基本应用；掌握半导体器件应用电路的图解分析法、简化分析法和小信号等效电路分析法。（2）理解半导体器件各模型中参数的物理意义；理解晶体二极管构成的整流、稳压、限幅等功能电路的结构、工作原理、技术指标；理解晶体三极管构成的电流源、放大器和跨导线性电路的结构和工作原理。

（3）了解MOSFET构成的有源电阻和模拟开关电路的结构和工作原理。 2．放大器基础考试内容：三极管和场效应管三种基本组态放大电路，差分放大电路，多级组合放大电路。考试要求：（1）掌握三极管和场效应管偏置电路及其直流分析方法；掌握基本组态放大电路的增益、输入、输出电阻的分析方法。（2）理解差分放大电路的性能特点；掌握差分电路直流偏置、差模增益、共模增益、共模抑制比、输入电阻、输出电阻的计算方法；理解差分放大器动态范围的概念；掌握差分放大器动态范围扩展的方法。（3）理解放大电路频率响应的概念；理解传输函数与波特图的对应关系；掌握波特图的绘制方法；掌握器件与基本放大电路频率响应的分析方法。（4）理解多级放大器的耦合方式；掌握多级放大器性能指标的计算方法。 3．电流源电路考试内容：镜像电流源、比例电流源、微电流源，恒流源负载。（1）理解镜像电流源、比例电流源、微电流源及其改进型电路的工作原理；掌握电流源电路的电流与输出电阻的分析方法。（2）理解恒流源负载放电器的特点，掌握恒流源负载放大器与差分放大器性能的分析计算方法。 4．放大器中的负反馈考试内容：

模拟电子技术基础考试试题答案

一、填空（共20空，每空 1 分，共 20 分，所有答案均填写在答题纸上） 1、晶体管三极管被称为双极型晶体管是因为。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域，只有当三极管工作在区时，关系式b I Ic β=才成立。 3、场效应管可分为结型场效应管和型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中，共基本放大电路既能放大电流又能放大电压。 5、在绘制放大电路的交流通路时，视为短路，视为短路，但若有内阻则应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有、、变压器耦合和光电耦合等。 7、场效应管是利用极和极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的直流通路用于研究。 9、理想运放的两个输入端虚短是指。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈，通常令输出电压为零，看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈仍然存在则为。 11、仅存在于放大电路的直流通路中的反馈称为。 12、通用集成运放电路由输入级、中间级、和四部分组成。 13、集成运放的同相输入端和反相输入端中的“同相”和“反相”是指运放的和的相位关系。 14、在学习晶体三极管和场效应管的特性曲线时可以用类比法理解，三极管的放大工作区可与场效应管的区相类比，而场效应管的可变电阻区则可以和三极管的相类比。二、单项选择题（共10题，每题 2 分，共 20分；将正确选项的标号填在答题纸上） 1、稳压二极管的反向电流小于min z I 时，稳压二极管。 A ：稳压效果变差 B ：仍能较好稳压，但稳定电压变大 C ：反向截止 D ：仍能较好稳压，但稳定电压变小 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结反向偏置，则此管的工作状态为。 A ：饱和状态 B ：截止状态 C ：放大状态 D ：不能确定 3、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图1所示。关于这两只三极管，正确的说法是。

《电子技术基础》研究生入学考试大纲

《电子技术基础》研究生入学考试大纲课程名称：模拟电子技术、数字电子技术一、考试的总体要求模拟电子技术主要考察学生对基本概念、基本理论及基本方法的掌握程度，要求学生能分析计算基本放大电路、集成运算放大电路等模拟电子电路并具有综合运用所学知识分析和解决实际问题的能力。数字电子技术主要考察学生对基本概念、基本理论及基本方法的掌握程度，要求学生能够运用基本理论分析、设计组合逻辑电路及时序逻辑电路并具有综合运用所学知识分析和解决实际问题的能力。二、考试内容及比例：模拟部分： 1、半导体器件（5～10％）（1）理解二极管单向导电特性，掌握二极管伏安特性；（2）理解三极管放大原理，掌握三极管的输入、输出特性曲线；（3）掌握MOS管的转移特性曲线、漏极特性曲线。 2、放大电路的基本原理（20～25％）（1）掌握基本放大电路的结构、工作原理及静态工作点计算；（2）掌握放大电路微变等效电路分析法，理解放大电路的图解分析法。 3、放大电路的频率响应（5～10％）放大电路的上限频率、下限频率、通频带的概念。正确理解Bode图。 4、集成运算放大器（10～20％）（1）理解零点漂移的概念，理解差动电路克服温漂的原理；（2）掌握差动电路的分析与计算。 5、放大电路中的反馈（5～10％）（1）理解反馈的概念，掌握反馈类型的判断方法，能根据要求引入负反馈；（2）理解反馈对放大器性能的影响；（3）掌握放大电路在深度负反馈条件下的分析计算；（4）理解自激的概念，能根据波特图判断负反馈放大电路是否自激。

6、摸拟信号运算电路（20～25％）（1）理解集成运放电路中“虚短”、“虚断”概念。（2）掌握基本运算电路的工作原理及分析计算。 7、信号处理电路（10～15％）掌握信号处理电路原理及分析计算。 8、波形发生电路（10～20％）（1）掌握正弦波振荡电路的工作原理、起振条件、稳幅措施及分析计算；（2）能用相位平衡条件判断各种振荡电路能否起振。 9、功率放大电路（15～20％） OCL、OTL电路的工作原理及分析计算。 10、直流稳压电源（0～10％）（1）整流电路的工作原理及分析计算；（2）电容滤波电路的工作原理及分析计算；（3）稳压电路的工作原理及分析计算。数字部分：一、逻辑代数基础（5～10％）（1）逻辑代数基本概念、公式和定理；（2）逻辑函数的化简方法。二、门电路（15～20％）（1）掌握分立器件门电路的分析方法；（2）理解TTL集成门电路的结构特点，掌握其外特性；（3）理解COMS集成门电路的结构特点，掌握其外特性。三、组合逻辑电路（30～40％）（1）掌握组合逻辑电路的分析方法及设计方法；（2）熟悉典型组合逻辑电路的设计及逻辑功能表示方法；（3）掌握用中规模集成芯片MSI（译码器、数据选择器等）实现组合逻辑函数。四、触发器（15～20％）（1）熟悉触发器电路的结构特点；（2）掌握各种结构触发器的功能特点、功能表示方法及应用。

831电子技术基础doc831电子技术基础

华中科技大学硕士研究生入学考试《电子技术基础》考试大纲 (专业代码:831) 一、考试说明 1、考试性质该入学考试就是为华中科技大学电子科学与技术一级学科招收硕士研究生而设置的。它的评价标准就是高等学校优秀本科毕业生能达到的及格或及格以上水平,以保证被录取者具有较好的电子技术理论基础。考试对象为全国硕士研究生入学考试的考生。 3、评价目标本课程考试的目的就是考察学生对电子技术的基本概念、基本原理与基本方法的掌握程度与利用其解决电子技术领域相关问题的能力。 4、考试形式与试卷结构 (1)答卷方式:闭卷,笔试。 (2)答题时间:180分钟。 (3)各部分内容的考查比例:满分150分。模拟电子技术40% 数字电子技术60% (4)题型:以分析、计算题为主。二、考察要点 1.基本半导体器件 PN结的形成,半导体二极管、半导体三极管与半导体场效应管工作原理,晶体管的开关作用,TTL门电路,MOS门电路 2.基本放大电路微变等效电路,反馈的基本概念及类型判断,负反馈对放大电路性能的影响,频率特性,多级放大电路及其级间耦合,差动放大电路,场效应管及其放大电路 3.集成运算放大器比例运算、加法运算、减法运算、积分运算、微分运算、有源滤波、采样保

持、电压比较 4.稳压电源与功率放大电路整流滤波与反馈式稳压电源,开关稳压电源,乙类互补与甲乙类功率放大电路5.数字逻辑与组合逻辑电路逻辑代数及逻辑运算,逻辑函数的简化,组合逻辑电路的分析与设计,编码器,译码器,数据选择器,数值比较器,加法器 6.时序逻辑电路与集成器件 RS触发器,D触发器,JK触发器,T触发器,同步时序逻辑电路的分析及设计,计数器、移位寄存器,随机存取存储器(RAM),只读存储器(ROM),可编程逻辑器件7.信号发生与转换正弦波振荡器,多谐振荡器,单稳态触发器,施密特触发器,555集成定时器,D/A 转换器,A/D转换器。

模拟电子技术基础试题汇总附有答案.

模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生

( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。 A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻 R b变高。

8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A ) A. －2.5V B. －5V C. －6.5V D. －7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路

2003-2016年合肥工业大学831半导体物理考研真题及答案解析汇编

2017版合肥工业大学《831半导体物理》全套考研资料我们是布丁考研网合工大考研团队，是在读学长。我们亲身经历过合工大考研，录取后把自己当年考研时用过的资料重新整理，从本校的研招办拿到了最新的真题，同时新添加很多高参考价值的内部复习资料，保证资料的真实性，希望能帮助大家成功考入合工大。此外，我们还提供学长一对一个性化辅导服务，适合二战、在职、基础或本科不好的同学，可在短时间内快速把握重点和考点。有任何考合工大相关的疑问，也可以咨询我们，学长会提供免费的解答。更多信息，请关注布丁考研网。以下为本科目的资料清单（有实物图及预览，货真价实）：合肥工业大学《半导体物理》全套考研资料一、合肥工业大学《半导体物理》历年考研真题及答案解析 2016年合肥工业大学《半导体物理》考研真题（含答案解析）（11月份统一更新） 2015年合肥工业大学《半导体物理》考研真题 2014年合肥工业大学《半导体物理》考研真题 2013年合肥工业大学《半导体物理》考研真题（含答案解析） 2012年合肥工业大学《半导体物理》考研真题（含答案解析） 2011年合肥工业大学《半导体物理》考研真题（含答案解析） 2010年合肥工业大学《半导体物理》考研真题（含答案解析） 2009年合肥工业大学《半导体物理》考研真题（含答案解析） 2008年合肥工业大学《半导体物理》考研真题（含答案解析） 2007年合肥工业大学《半导体物理》考研真题（含答案解析） 2006年合肥工业大学《半导体物理》考研真题（含答案解析） 2005年合肥工业大学《半导体物理》考研真题（含答案解析） 2004年合肥工业大学《半导体物理》考研真题（含答案解析） 2003年合肥工业大学《半导体物理》考研真题（含答案解析）二、合肥工业大学《半导体物理》期中期末试卷合工大半导体物理期末试卷三、合肥工业大学《半导体物理》考研复习笔记四、赠送资料（电子版，发邮箱） 1、半导体物理课本部分习题配套答案 2、初试半导体物理配套课件

电子技术基础课程考试大纲

《电子技术基础》课程考试大纲一、适用专业：电子科学与技术二、考试内容 1、基本放大电路 1)晶体管与场效应管 a)晶体管的类型、结构与工作原理 b)场效应管的类型、结构与工作原理 2)晶体管单管放大电路 a)晶体管的静态工作点估算 b)晶体管的交流小信号等效模型 c)共射放大电路的动态分析 d)带发射极电阻的共射放大电路的动态分析 e)共集放大电路的动态分析 f)共基放大电路的动态分析 3)场效应管单管放大电路 a)场效应管的静态工作点估算 b)场效应管的交流小信号等效模型 c)场效应管放大电路的动态分析 2、多级放大电路与集成放大电路 1)多级放大电路 a)多级放大电路的结构 b)级间耦合方式 c)多级放大电路的动态分析 2)电流源电路 a)基本电流源电路 b)其他电流源电路 3)差分放大电路 a)基本电路结构与特性 b)差分放大电路的四种接法 c)带电流源偏置电路的差分放大电路 d)带电流源负载电路的差分放大电路 4)互补输出级电路 a)基本电路 b)交越失真及其消除方法 5)集成运放 a)集成运放的结构与特点 b)集成运放的性能指标 3、负反馈放大电路 1)反馈的判断 a)反馈的基本概念 b)反馈的判断 2)负反馈电路的四种基本组态 a)四种基本组态 b)反馈组态的判断

3)负反馈电路的特性 a)四种基本组态的信号特征 b)负反馈对于电路特性的影响 4)深度负反馈电路和集成运放的运用 a)深度负反馈电路的分析 b)用集成运放构成的深度负反馈电路 4、放大电路的频率特性 1)晶体管与场效应管的高频等效模型 a)晶体管的高频等效模型 b)场效应管的高频等效模型 2)单管放大电路的频率响应 a)单管共射放大电路的频率响应 b)单管共源放大电路的频率响应 c)单管共集放大电路和共基放大电路的频率响应 d)不同接法的放大电路的频率响应比较 3)集成运放的稳定性与频率补偿 a)集成运放的频率响应 b)负反馈放大电路的稳定性 c)集成运放的频率补偿 5、组合逻辑电路 1)逻辑代数基础 a)逻辑代数的基本公式和基本定理 b)逻辑函数的标准表示方法 c)逻辑函数的卡诺图化简 2)组合逻辑电路的分析与设计 a)组合逻辑电路的分析方法 b)组合逻辑电路的设计方法 3)常用的组合逻辑电路 a)加法器 b)编码器和译码器 4)组合逻辑电路中的竞争-冒险现象 a)组合逻辑电路中的竞争-冒险现象的成因及其判别 b)组合逻辑电路中的竞争-冒险现象的消除 6、触发器及其简单应用 1)四种基本触发器 a)触发器的结构 b)四种触发器的逻辑功能 c)四种触发器之间的相互转换 2)寄存器和移位寄存器 a)寄存器 b)移位寄存器 3)异步计数器 a)异步二进制计数器 b)移位寄存器型计数器 6、时序逻辑电路

华科831电子技术基础真题

我是LZQ，做个好人，给大家回忆一下今年华科831电子技术基础的题目！希望师弟师妹门能够有些用首先，我劝大家不要再去选择831做为专业课的考试，因为以往除了04年以外，题目都很简单，很常规，2个小时绝对给你弄个130+，但是现在不一样了，出题很偏。特点：要考频率响应，而且内容不常规。填空题：si,ze的导通电压；异或变或-非；互补对称对路的作用：抑制温漂大题模电：第一道25分，5问：课本的原图，我明确告诉你，课本189页，图题 4.3.8（c），要做一个改装，把Re2去掉，Re1并联RL，然后在Rb1和Rb2的中间点用一个电容C连接到射级。把Vi输入换成Vs串联Rs…参数已知，三个Rb是100K，RL和Re是5K，Vcc=18V。图你自己去还原，等你还原了以后你就等着叫：变态。 1）请计算电路的静态工作点 2）请画出没有电容C时的等效电路图 3）请计算没有电容C时的输入电阻，输出电阻 4）请画出加了电容C以后的等效电路图 5）请计算加了电容C以后的输入电阻，输出电阻够详细了吧？第二道25分：RC串并联型的震荡电路，478页，9.7.5题。。把石英晶体扔掉，换成正常的RC串并联， 1）请画出反馈的正负级（这个简单） 2）请说明T管的作用 3）请计算振荡频率（套公式）这倒题就是第二问会复杂一些，一般来说大家都会忽略掉这种非常规的内容，今年就要考你，831不再是混分数的科目了。第三题：25分的频率响应+集成运放。。什么XX开环增益有7Hz，然后增益带宽是1.7MHz。（1）请计算增益的分贝数（！！！是分贝数，没有理会这一章节的同学，还有就算看过了，但是没记住转换公式的，啥感受？）（2）如果把这个系统运用在一个放大倍数为40的运算中（大概是这么个表述），要求频带是200Hz~2Khz（这个数不对，反正大概是这个杨子），请问可以使用吗？（3）给出了四个非常相似的集成运放，两个同相，两个反向。（大家自己画一下，四个电路R1都是1K，但是R2不同，其中两个是19K，另外两个是20K）其中两个的工作电压是+-5V。另外两个工作电压+-15V。要求，将以下四个系统运用在一个频率为1~100Khz的系统中，放大倍数为20，输入电压为300mV，要能提高出入电阻，请问以下哪个比较适合？请说明另外3个不适合的理由

模拟电子技术基础试卷及答案(期末)

模拟电子技术基础试卷及答案一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是单向导电性。 2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ，经过电容滤波后为 12 V ，二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3．差分放大电路，若两个输入信号u I1u I2，则输出电压，u O 0 ；若u I1=100 V ，u I 2 =80V 则差模输入电压u Id = 20 V ；共模输入电压u Ic = 90 V 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用低通滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用高通滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用带阻滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用带通滤波器。 5．若三级放大电路中A u 1 A u 230d B ，A u 320dB ，则其总电压增益为 80 dB ，折合为 104 倍。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 % ，但这种功放有交越失真。 7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ， V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管型锗管型硅管型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。 A ．减小C ，减小R i B. 减小C ，增大R i C. 增大C ，减小 R i D. 增大C ，增大 R i 5.如图所示复合管，已知V 1的1 = 30，V 2的 2 = 50，则复合后的约为（ A ）。 A ．1500 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 i D /mA -4 u GS /V 5 V 2 V 1

823电子技术基础考试大纲

823电子技术基础考试大纲 (适用于通信与信息系统、信号与信息处理、电子与通信工程、电路与系统、微电子学与固体电子学、电磁场与微波技术、物理电子学共7个专业) 一、考查目标要求考生掌握低频模拟电路的基本理论概念、原理和分析方法，通过对各种电子电路进行分析和近似计算，观察电路工作特点，结合理论，对电路本质特性能够理解和应用。二、考试形式和试卷结构 1、考试形式试卷满分为150分，考试时间为180分钟，答题方式为闭卷笔试 2、试卷结构（1）题型结构一、简答题。(共20分) 二、分析计算题(共60分) 三、设计题(共40分) 四、综合题(共30分) （2）内容结构 1、集成运放及其基本应用（约25分） 2、半导体二极管及其基本应用电路（约5分） 3、晶体三极管及其基本放大电路（约15分） 4、场效应管及其基本放大电路（约15分） 5、集成运算放大电路（约25分） 6、放大电路中的反馈（约30分） 7、信号的运算和滤波（约15分） 8、波形的发生与变换电路（约15分） 9、直流电源（约5分）三、考查范围 1、集成运放及其基本应用放大的概念和放大电路的性能指标，集成运算放大电路，理想运放组成的基本运算电路（比例运算电路，加减运算电路，积分运算电路和微分运算电路），理想运放组成的电压比较器（单限比较器，滞回比较器） 2、半导体二极管及其基本应用电路半导体基础知识，半导体二极管及其基本应用电路，稳压二极管及其基本应用电路3、晶体三极管及其基本放大电路晶体三极管及其放大电路的组成原则和基本分析方法（图解法，等效电路法）,晶体管放大电路的三种接法,放大电路的频率响应 4、场效应管及其基本放大电路场效应管（结型场效应管，绝缘栅型场效应管），场效应管的主要参数，场效应管与晶体管的比较，场效应管基本放大电路（场效应管放大电路静态工作点的设置，场效应管的交流等效模型，共源放大电路的动态分析，共漏放大电路的动态分析）