不同波长激光对半导体Si表面的损伤机制

不同波长激光对半导体Si表面的损伤机制
不同波长激光对半导体Si表面的损伤机制

激光二极管的特性

激光二极管的特性 1、伏安特性 半导体激光器是半导体二极管,具有单向导电性,其伏安特性与二极管相同。反向电阻大于正向电阻,可以通过用万用表测正反向电阻确定半导体激光二极管的极性及检查它的PN结好坏。但在测量时必须用1k以下的档,用大量程档时,激光器二极管的电流太大,容易烧坏。 2、P—I特性 激光二极管的出射光功率P与注入电流I的关系曲线称为P-I 曲线。 注入电流小于阈值电流I th时,激光器的输 出功率P很小,为自发辐射的荧光,荧光的输 出功率随注入电流的增加而缓慢增加。 注入电流大于Ith时,输出功率P随注入 电流的增加而急剧增加,这时P—I曲线基本上 是线性的。当I再增大时,P—I曲线开始弯曲呈非线性,这是由于随着注入电流的增大,使结温上升,导致P增加的速度减慢。 判断阈值电流的方法:在P—I特性曲线中,激光输出段曲线的向下延长线与电流轴的交点为激光二极管的阈值电流。 3、光谱特性

激光二极管的发射光谱由两个因素决定:谐振腔的参数,有源介质的增益曲线。 腔长L确定纵模间隔,宽W和高H决定横模性质。如果W和H 足够小,将只有单横模TEM00存在。 多模激光二极管在其中心波长附近呈现出多个峰值的光谱输出。单纵模激光器只有一个峰值。 工作在阈值以上的1mm腔长的增益导引LD的典型发射光谱 激光二极管是单模或多模还与泵浦电流有关。折射率导引LD,在泵浦电流较小、输出光功率较小时为多模输出;在电流较大、输出光功率较大时则变为单模输出。而增益导引LD,即使在高电流工作

下仍为多模。 折射率导引激光器光谱随光功率的变化发射光谱随注入电流而变化。IIt 发射激光,光谱突然变窄。因此,从激光二极管发射光谱图上可以确定阈值电流。当注入电流低于阈值电流时光谱很宽,当注入电流达到阈值电流时,光谱突然变窄,出现明显的峰值,此时的电流就是阈值电流。 IIt 激光辐射

用钢尺测量激光器波长

用钢尺测量激光器波长 、引言 激光作为一种单色性、方向性极好的相干光源,近年来被广泛的应用到各种 科学实验中。但由于激光材料的不同,激光被分为狠多的种类,激光器的特性也不尽相同,比如说其最重要的特性中心波长。我们在使用激光器之前了解其波长是十分必要的,当然在现代的实验室中有各种各样的精密仪器可以方便的测出激光的波长,但是如果我们不依靠实验室里的这些仪器,仅用我们日常生活中一些常用的工具能否测出激光的波长呢?下文我们就介绍了一种方案,结合激光的波动性,仅利用一把我们日常生活中使用的钢尺就能较准确地测出激光的波长。一把普通钢尺在日常生活中常常用来粗测物体的长度,但是如果有精妙的实验方案,利用小小的钢尺完全可以较精确的测量出激光的波长。这听来似乎完全“不可思议”。如果能够巧妙的利用光的波动性的话,这个奇迹完全可以创造。而且本试验所需器材简单易找,完全来源的于日常生活,符合“从生活到物理” 的新课程理念。是学生课下作为“探究性”实验的极好素材。 、正文部分 1)实验原理 激光是一种方向性和单色性极好的光源,试验过程中首先将钢尺固定 在水平桌面上,使激光的一部分照射在钢尺的刻痕上,一部分反 射到垂直于桌面的墙壁上。这时通过微调激光的入射角度,则会在墙面上出现系列亮点S。,S。,S。,S。等。这是因为 S。,S o 激光在钢尺两刻痕之间的许多光滑面上均发生了反射,这些反射光线如果相位相同则会相互叠加而在墙面上形成亮斑。原理如图 1所示。

激光器 图一 由于钢尺上有周期性排列的间隔为1mm 的间隔,也就是钢尺的刻度,两刻度之间 为表面光滑的钢面,可以较好的反射激光,而刻度由于表面为黑色而且不光滑, 所以不能很好的反射激光,这样我们可以将钢尺看成一个反射光栅, 而激光又是 单色性、相干性非常好的光源,当激光打在钢尺的刻度上反射之后, 就能够形成 相应的衍射条纹。具体的实验原理如下图所示: 在图二A 处放置一激光发生器,其发出的激光以接近 90度的入射角照射在BB' 上(BB 为钢尺上刻度与刻度之间的平滑面能够反射激光),由于BB'非常的小, 其可以和激光的波长相比较,所以光束在反射的同时又发生衍射,当两束衍射光 的相位相同时,则会相互叠加而加强,在光屏上形成亮斑;当两束衍射光相位相 反时,则由于相互叠加而减弱,形成暗斑。如图所示激光以跟平面成 角入射在 光滑平面上,经过反射之后到达光屏,其光程差为: AB' P ABP DB' D' B d(cos cos ) k

半导体材料发展情况

实用标准文案 1、硅材料 从提高硅集成电路成品率,降低成本看,增大直拉硅(CZ-Si)单晶的直径和减小微缺陷的密度仍是今后CZ-Si发展的总趋势。目前直径为8英寸(200mm)的Si单晶已实现大规模工业生产,基于直径为12英寸(300mm)硅片的集成电路(IC‘s)技术正处在由实验室向工业生产转变中。目前300mm,0.18μm工艺的硅ULSI生产线已经投入生产,300mm,0.13μm工艺生产线也将在2003年完成评估。18英寸重达414公斤的硅单晶和18英寸的硅园片已在实验室研制成功,直径27英寸硅单晶研制也正在积极筹划中。 从进一步提高硅IC‘S的速度和集成度看,研制适合于硅深亚微米乃至纳米工艺所需的大直径硅外延片会成为硅材料发展的主流。另外,SOI材料,包括智能剥离(Smart cut)和SIMOX材料等也发展很快。目前,直径8英寸的硅外延片和SOI材料已研制成功,更大尺寸的片材也在开发中。 理论分析指出30nm左右将是硅MOS集成电路线宽的“极限”尺寸。这不仅是指量子尺寸效应对现有器件特性影响所带来的物理限制和光刻技术的限制问题,更重要的是将受硅、SiO2自身性质的限制。尽管人们正在积极寻找高K介电绝缘材料(如用Si3N4等来替代SiO2),低K介电互连材料,用Cu代替Al 引线以及采用系统集成芯片技术等来提高ULSI的集成度、运算速度和功能,但硅将最终难以满足人类不断的对更大信息量需求。为此,人们除寻求基于全新原理的量子计算和DNA生物计算等之外,还把目光放在以GaAs、InP为基的化合物半导体材料,特别是二维超晶格、量子阱,一维量子线与零维量子点材料和可与硅平面工艺兼容GeSi合金材料等,这也是目前半导体材料研发的重点。

波长可调谐激光器技术特点

波长可调谐激光器技术特点 波长可调谐激光器可任意控制信道波长,方便准确地控制频道间隔。可调谐激光器主要由具有有源增益区和谐振腔的激光器、改变和选择波长的可调装置、稳定输出波长装置三个基本部分组成。可调谐激光器有电流调谐、温度调谐、包括微电子机械系统机械(MEMS)的机械调谐三种基本技术,一般采用其中的一种或两种技术。 波长可调谐激光器开发现状 波长可调谐激光器从上世纪80年代起就开始进行研发,已获得很大发展。目前可调谐激光器已投入商业生产,并有许多结构不同和工作机理各异的可调谐激光器产品出现。目前,国际上已开发出可调谐的分布反馈(DFB)激光器、分布布喇格反射器(DBR)激光器、基于MEMS的可调谐垂直腔面发射激光器(VCSEL)、可调谐光纤激光器等。此外,还发展了与滤波器、反射器、调制器、放大器等单片集成和混合集成的可调谐激光器,其中,采用MEMS技术的可调谐激光器是最有希望的一种,可获得大范围内可调谐激光器,并最有希望实现最小化、高密度、高速、批量生产。当今的可调谐激光器技术水平已与固定激光器不相上下,能完全实现整个C波段(1529~1561nm)或L波段(1570~1605nm)的宽带调谐。 外腔可调谐激光器功率大、线宽窄、波长稳定,已可实现大范围、非连续的波长调谐,并已形成产品,可应用于长途网、超长途网、城域网、光插分复用(OADM)、光开关等,但由于其机械调谐使其调谐和转换速度较慢,机械稳定性差、不便于集成、制造比较复杂、价格昂贵,限制了其应用范围。 单片结构电流调谐的内腔可调谐激光器应用范围较广,现在市场上出现的大范围可调激光器能够在100个通道间进行调节,输出功率可达10~20mW,调谐间隔已达25GHz,其它主要光谱指标和可靠性均达到了固定波长激光器水平。 宽带可调谐DBR激光器 在可调谐DBR激光器中,在有源F-P增益区增加了衍射光栅,通过将激励电流导向谐振腔的不同部位来改变波长。其连续调谐范围较大(>5.8nm)、调节速度非常快、采用现有生产工艺,但其线宽宽、输出功率低、控制较复杂。可用于城域网、长途网接入、光开关、数据传输系统、相控阵雷达射频信号传输、OADM 等。目前,DBR类可调激光器是商用化最好的一个品种。除已开发出的多电极DBR 激光器、梳状电极DBR 激光器之外,又开发了几种基于DBR结构的宽带可调谐激光器(40信道,50GHz间隔),主要有超周期结构衍射光栅形DBR(SSG-DBR)激光器、取样光栅DBR(SG-DBR)激光器、取样光栅耦合器反射器(GCSR)激光器等。它们的连续调谐范围都>40nm,最大可达100nm。其中SG-DBR和SSG-DBR 很容易与调制器集成。其中采用不等间隔啁啾光栅的超结构光栅(SSG-DBR)内腔多电极结构可调谐激光器,结构简单,可实现100nm以上宽波长调谐。用于100个信道的SG-DBR基宽可调谐激光器已成熟,它能发出比当前市场上出售的激光器更高的功率,并且能发送到100个通路中的任意一路。Santec还推出新

半导体材料考试

半导体材料考试提纲DFQQLXV9U 2012-11-7 1、半导体的主要特征? (1)电阻率在10-3 ~ 109 ??cm 范围(2)电阻率的温度系数是负的 (3)通常具有很高的热电势(4)具有整流效应 (5)对光具有敏感性,能产生光伏效应或光电导效应 2、化合物半导体与元素半导体的区别? 3、阅读基于光伏原理的太阳能发电技术的相关文献和资料,掌握光伏发电原理。光伏发电,其基本原理就是“光伏效应”。“光生伏特效应”,简称“光伏效应”。指光照使不均匀半导体或半导体与金属结合的不同部位之间产生电位差的现象。它首先是由光子(光波)转化为电子、光能量转化为电能量的过程;其次,是形成电压过程。有了电压,就像筑高了大坝,如果两者之间连通,就会形成电流的回路。太阳光照在半导体p-n结上,形成新的空穴-电子对,在p-n结电场的作用下,空穴由n区流向p区,电子由p区流向n区,接通电路后就形成电流。这就是光电效应太阳能电池的工作原理。 4、硅的化学提纯工艺主要有哪几种?简述其工艺过程? 1)、三氯氢硅还原法2)、硅烷法: 6、比较硅、锗的物理化学性质? 1)物理性质 硅和锗分别具有银白色和灰色金属光泽,其晶体硬而脆。二者熔体密度比固体密度大,故熔化后会发生体积收缩(锗收缩5.5%,而硅收缩大约为10%)。 硅的禁带宽度比锗大,电阻率也比锗大4个数量级,并且工作温度也比锗高,因此它可以制作高压器件。但锗的迁移率比硅大,它可做低压大电流和高频器件。 2)化学性质 (1)硅和锗在室温下可以与卤素、卤化氢作用生成相应的卤化物。这些卤化物具有强烈的水解性,在空气中吸水而冒烟,并随着分子中Si(Ge)?H键的增多其稳定性减弱。 (2)高温下,化学活性大,与氧,水,卤族(第七族),卤化氢,碳等很多物质起反应,生成相应的化合物。 注:与酸的反应(对多数酸来说硅比锗更稳定);与碱的反应(硅比锗更容易与碱起反应)。 7、查阅文献和资料,学习多晶硅的生产过程和工艺,了解当前多晶硅制备工艺中存在的主要问题。 8、什么是分凝现象?简述区熔提纯基本原理? 将含有杂质的晶态物质熔化后再结晶时,杂质在结晶的固体和未结晶的液体中的浓度是不同的,这种现象称分凝现象或偏析现象。 区熔提纯就是利用分凝现象将物料局部深化形成狭窄的熔区,并令其沿锭长一端缓慢地移动到另一端,重复多次使杂质尽量集中在尾部或头部,进而达到使中部材料提纯的目的。9、推导BPS公式,并对公式进行解释?

医学中常用的激光器

医学中常用的激光器 自第一台激光器问世后,人们对激光器件及技术进行了大量的研制工作,取得了相当可观的成果。目前能实现激光运转的工作物质达数百种以上,大体上分为气体、固体、半导体、染料等几大类。人们在探索激光产生机理的同时,扩展了激光的频谱范围,几千条谱线遍布于真空紫外到远红外的广阔光谱区域。激光方向性好、强度大,可以使被照物体在1/1000s内产生几千度的高温,瞬间发生汽化。由于激光的物理特性决定了其具有明显的生物学效应,。各种不同的激光具有不同的特性和组织效应,正确认识激光的这些特点,是选择和合理利用激光的基础。 一.气体激光器 气体激光器,按工作物质的性质,大致可分成下列三种:(1)原子激光器:利用原子跃迁产生激光振荡,以氦氖激光器为代表。氩、氪、氙等惰性气体,铜、镉、汞等金属蒸气,氯、溴、碘等卤素,它们的原子均能产生激光。原子激光器的输出谱线在可见和红外波段,典型输出功率为10毫瓦数量级。 (2)分子激光器:利用分子振动或转动状态的变化产生辐射制成的,输出的激光是分子的振转光谱。分 子激光器以二氧化碳(CO 2)激光器为代表,其他还有氢分子(H 2 ),氮分子(N 2 )和一氧化碳(CO)分子等激光 器。分子激光器的输出光谱大多在近红外和远红外波段,输出功率从数十瓦到数万瓦。(3)离子激光器:这类激光器的激活介质是离子,由被激发的离子产生激光放大作用,如氩离子(激活介质为Ar+)激光器。氦镉激光器(激活介质为Cd+)等。离子激光器的输出光谱大多在可见光和紫外波段,输出功率从几毫瓦到几十瓦。 气体激光器是覆盖波谱范围最广的一类器件,能产生连续输出。其方向性、单色性也比其他类型器件好,加之制造方便、成本低、可靠性高,因此成为目前应用最广的一类器体。 1、氦氖激光器 氦氖激光器能输出波长为632.8nm的可见光,具有连续输出的特性。它的光束质量很好(发散角小,单色性好,单色亮度大)。激光器结构简单,成本低,但输出功率较小。氦氖激光器在工业、科研、国防上应用很广,医疗上主要用于照射,有刺激、消炎、镇痛、扩张血管和针灸等作用,广泛用于内科、皮肤科、口腔科及细胞的显微研究。 氦氖激光器有三种结构形式:内腔式、外腔式和半内腔式。它们均由放电管、谐振腔、激励电源等三部分组成。以内腔式为例,放电毛细管是产生气体放电和激光的区域,它的内径很小,约在1到几毫米。电极A为阳极,由钨杆或钼(或镍)筒制成。阴极K为金属圆筒,由铝、钼、钽等制成,它们均有足够的电子发射能力和抗溅射能力。组成谐振腔的两块反射镜紧贴于放电管两端,并镀以多层介质膜。其中一个为全反射镜,另一个则为部分反射镜,整个谐振腔在出厂前已调整完毕,因此使用简单、方便。放电管的管径比放电毛细管粗几十倍,用以保持氦氖气压比及加固谐振腔。为了避免放电管变形而引起激光输出下降,内腔管的长度不宜过大,一般不超过一米。外腔式激光器可以更换不同的反射镜,使输出功率最大,光束发散角最小。也可在反射镜和放电管之间插入光学元件,以研究激光器的输出特性,调制它的频率或幅度,并可制成单频大功率激光器。 2、二氧化碳激光器 二氧化碳激光器的能量转换效率达20~25%(氦氖激光器的能量转换效率仅为千分之几)。它的输出波长为10.6微米,属于远红外区,连续输出功率可达万瓦级,常用电激励,结构比较简单紧凑,使用 方便,是目前最常用的激光器之一,在医学上,CO 2激光器作为手术刀使用日益引起人们的重视。CO 2 激 光器也用于皮肤科、外科、神经外科、整形外科、妇科和五官科的手术,在癌症的治疗上也有一定成效。 最常见的封离型内腔式二氧化碳激光器的管壳是由硬质玻璃或石英材料制成的。常见为三层玻璃套管结构,其最内层是放电管,中间层是水冷套,外层是储气管。在内外层之间有气体循环通路,这是为了保证混合气体的均匀分布而设计的。其光学谐振腔通常用平凹球面腔。球面镜可用石英或其他光学玻璃做基片,然后,在表面上镀层金属膜。平面镜是输出窗片,要求它对10.6μm的激光有很好的透过率,且表面不易损伤,机械性能好等。一般中小功率的激光器常常采用锗单晶做输出片,大功率的用砷化镓

行业标准《超高纯镉》编制说明

超高纯镉编制说明 送审稿 2015.7

《超高纯镉》产品标准编制说明 一、任务来源及计划要求 1. 任务来源 根据中国工信厅科[2014] 114号文件的任务要求,委托峨嵋半导体材料研究所制定2014-1426T-YS《超高纯镉》产品标准,并要求在2015年内完成。 2.制定单位概况 峨嵋半导体材料研究所是1964年10月以原冶金部有色金属研究院338室和沈阳冶炼厂高纯金属车间为主组建的我国第一家集半导体材料科研、试制、生产相结合的大型企业,是有色工业重点骨干企业,是国家242所重点科研院所之一,每年承担多项国家及军工重点科研专题项目。 峨嵋半导体材料研究所是四川省“高新技术企业”和省级“企业技术中心”、“国防科工委功能晶体材料加工技术应用中心”、“国防科技工业先进技术研究应用中心(晶体材料加工)”主要依托单位。先后为我国电子信息、能源交通、机械电力等许多工业部门和研究领域提供了相关的半导体材料。同时向我国洲际导弹、海上发射运载火箭、人造卫星、北京正负电子对撞机及神舟5号、6号飞船等提供了关键材料,为我国国防事业做出了重要贡献,多次受到党中央、国务院、中央军委及中央相关部委的通报表彰。 峨嵋半导体材料研究所从事高纯金属及化合物的科研、试制、生产已经近50年,目前已完成二十余种元素材料和几十种化合物材料的生产工艺研究,形成多条产品生产线,工艺技术先进,技术基础优势明显,产品质量水平国内领先,为推动我国化合物半导体的应用研究和发展作出了贡献。 同时峨嵋半导体材料研究所具备国内领先的检测设备,拥有辉光放电质谱仪、电感耦合等离子体质谱仪、电感耦合等离子体发射光谱仪、原子吸收光谱仪、紫外分光光度仪、极谱仪、气相色谱仪等多种分析设备,产品分析检测体系完善,具备完成多种高纯元素材料分析检测的能力,并多次主持和参与国家及行业有关标准的制定和修订。 高纯度镉的工艺研究和生产试制始于上世纪60年代初,经过多年的研究发展,高纯度镉生产规模也逐年扩大,产品纯度从5N不断提高到7N,现有高纯镉生产线工艺先进,技术成熟,产品质量稳定,可以满足Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体如CdTe、CdS、CdSe及CdHgTe、CdZnTe等的制备,这些化合物用于制作红外窗口、发光二极管、电子照相感光体、薄膜太阳

不同波长激光的特性

不同波长激光的特性 蓝绿激光:穿透深度最浅,作用与视网膜内层和外层,主要被RPE吸收,如氩激光。 绿色激光:组织穿透力比蓝光强,被血红蛋白和RPE吸收,57%被RPE吸收,47%被脉络膜吸收。 黄激光:视网膜神经纤维层的弥散很少,穿透力强,黄色激光被RPE层和脉络膜内层的吸收各占50%。 红光和红外激光:穿透力最强,主要作用于脉络膜中、外层的激光。红色激光随波长的增加被脉络膜的吸收逐渐增加。 不同组织的吸光波长 1.激光波长从400~950nm在眼内的穿透性可以达到95%。RPE和脉络膜在波长450~630nm是 吸收率可以达到70%。随着波长的增加,吸收率很快下降,因而氩激光(蓝绿)激光和532激光是眼内最常使用的激光光谱。 2.血红蛋白对光的吸收特性: 在波长400~600nm(蓝到黄的部分),血红蛋白有较高的吸收率,而600nm以上(红和接近红外)的波长很受被血红蛋白吸收,所以有视网膜下出血时可选用600nm(红)以上的激光。 3.叶黄素的吸收特性: 叶黄素是锥体细胞的感光色素,对480nm一下的波长有较高的吸收峰,容易造成叶黄素的破坏,为了避免损伤,用绿色以上的波长对视锥细胞较安全,其中810激光对其损伤最小。 眼科激光的分类 眼科激光分气体、液体和固体激光三大类 ,其中气体激光又分分子(CO2 分子) 、原子(氦氖原子)和离子(氩离子及氪离子)激光三种。液体激光有染料激光。固体激光有红宝石激光 ,Nd:YAG激光 ,半导体激光。应用途径有眼内和眼外 2种途径。眼内激光是在玻璃体手术时眼内使用。眼外激光使用途径有2 种, 一种为经过瞳孔的,另一种是经巩膜的。 眼底光凝治疗的原理 眼底病进行光凝治疗的原理是: 激光被眼底之色素吸收后产生热能。热能使它作用的组织发生变化, 从而达到治疗目的。眼底吸收激光的物质主要为黑色素, 其次为叶黄素的血红蛋白。眼底含有黑色素的组织为视网膜色素上皮和脉络膜。这些色素和血红蛋白对不同波长光的吸收曲线是激光光凝的依据。眼底色素吸收激光后产生的热能可以使组织凝固、坏死及发生炎症, 继而机化从而达到使组织粘连, 还可以直接使视网膜上的新生血管和微血管瘤封闭, 直接破坏产生新生血管生长因子的视网膜组织和视网膜及脉络膜上的肿瘤组织。 激光光凝四要素 激光技术四要素是指波长,光斑大小,曝光时间和输出功率 ,这是完成眼底激光治疗技中十分重要且不能忽视的问题 ,是与治疗效果十分相关的因素,是保证实现视网膜有效光斑的关键。 波长选择的原则 波长的选择主要由病变部位和性质决定 ,当具有多种波长激光时 ,可以选择最合适的激光波长但当只有单波长激光时 ,选择的余地不存在,可发挥其他参数的功能. 氩激光(蓝绿激光):主要作用于视网膜内层和外层。如糖网,静脉阻塞,EALES,视网膜裂孔等选择绿色以上的波长,临床多使用绿光。

我国半导体照明产业标准化管理知识

半导体照明标准化有关资料 资料一:起步虽晚赶超有戏——我国半导体照明产业标准化采访记 □本报记者王越/文 这几天,国家游泳中心“水立方”成了世界关注的焦点。奥运会上的各路高手在这里摘金夺银的同时,还掀起了一次次打破世界纪录的高潮。 然而,你也许不知道,“水立方”在建造时就已经打破了一项世界记录——其景观照明采用LED(半导体照明产品),使水立方外表面的亮度、色彩、图案达到一定要求,并形成一定的场景和模式。这种空腔内透光与LED照明的结合应用方式就已经开创了世界先河。 通过“水立方”,更多的人知道了LED。而此刻,LED正迈开步子准备从场外景观进入到普通家庭。但是,由于缺乏国家标准,LED不得不放慢了前行的步伐。面对未来的广阔市场,不少的LED生产企业焦虑万分:“我们起步已经晚了,但能否在跟跑中超越呢?” 产品很好推广很难 这些天,浙江浦江中星有限公司总经理薛文艳是喜忧参半:喜的是财政部今年实行的《高效照明产品推广财政补贴资金管理暂行办法》已把LED列入目录,

而她的企业生产的LED主干道路灯也刚刚被浙江省政府选为《浙江省节能技术、产品推广导向目录》;忧的是LED照明产品到目前还没有完整的国家标准,好东西却很难推广。 LED是半导体照明的简称。它以半导体芯片为材料,依靠电子空穴复合发光,将电能转换成光能的效率高达80%以上。据了解,LED能耗仅为白炽灯的10%,荧光灯的50%;它采用固体封装,寿命可达10万小时,是荧光灯的10倍,白炽灯的100倍;它无需使用玻璃真空封装,不产生毒气和汞污染。 “LED照明技术会再一次改变我们的世界。”薛文艳说。据了解,近年来,世界三大照明工业巨头——通用电气、飞利浦和奥斯拉姆都已组建半导体照明公司,发达国家甚至纷纷启动LED国家项目,希望抢占新兴产业制高点。 在我国,LED产业已初步形成了较为完整的产业链。LED产业在经历了买器件、买芯片、买外延片阶段之后,目前已初步实现了自主生产外延片和芯片。现阶段,从事该产业的人数达50余万多人,研究机构20多家,企业4000多家。2006年,我国LED产业总产值达到105.5亿元,其中封装产业产值达87.5亿元。 据悉,上海东方明珠电视塔当初进行LED灯光改造时,花费近400万元,但事实证明这这笔钱没白花。据东方明珠工程部有关人员介绍,改造后每个月约节电5万多千瓦时,一年节省的费用是50多万元。如今,光是节省的电费就基本上收回了改装成本。据悉,尝到甜头后,东方明珠正计划将企业内部所有照明灯都更换成LED灯。 “作为世界照明电器第一大生产国、第二大出口国的中国,2003年成立了国家LED照明工程协调领导小组,正式启动国家LED照明工程。但现实却很不乐观。我国经济发达地区的城市约70%用户启用节能灯,农村和不发达地区80%

半导体材料生产制造项目规划策划方案

半导体材料生产制造项目规划策划方案 规划设计/投资分析/产业运营

报告说明— 半导体材料主要应用于集成电路,我国集成电路应用领域主要为计算机、网络通信、消费电子、汽车电子、工业控制等,前三者合计占比达83%。近年来,随着我国大陆地区集成电路产业持续快速发展,我国大陆地区的 半导体材料市场上升最快,2016年及2017年分别增长7.3%和12%。 该半导体材料项目计划总投资10201.22万元,其中:固定资产投资7794.76万元,占项目总投资的76.41%;流动资金2406.46万元,占项目 总投资的23.59%。 达产年营业收入16930.00万元,总成本费用13436.08万元,税金及 附加172.47万元,利润总额3493.92万元,利税总额4148.31万元,税后 净利润2620.44万元,达产年纳税总额1527.87万元;达产年投资利润率34.25%,投资利税率40.66%,投资回报率25.69%,全部投资回收期5.39年,提供就业职位318个。 半导体行业具有技术难度高、投资规模大、产业链环节长、产品种类多、更新迭代快、下游应用广泛的特点,产业链呈垂直化分工格局。半导 体制造产业链包含设计、制造和封装测试环节,半导体材料和设备属于芯 片制造、封测的支撑性行业,位于产业链最上游。

目录 第一章概况 第二章项目建设单位说明第三章项目背景、必要性第四章产业调研分析 第五章产品规划分析 第六章选址分析 第七章土建方案 第八章工艺说明 第九章清洁生产和环境保护第十章项目职业安全 第十一章项目风险 第十二章节能说明 第十三章进度说明 第十四章投资分析 第十五章经济效益分析 第十六章项目评价 第十七章项目招投标方案

半导体材料

摘要本文重点对半导体硅材料,GaAs和InP单晶材料,半导体超晶格、量子阱材料,一维量子线、零维量子点半导体微结构材料,宽带隙半导体材料,光子晶体材料,量子比特构建与材料等目前达到的水平和器件应用概况及其发展趋势作了概述。最后,提出了发展我国半导体材料的建议。 关键词半导体材料量子线量子点材料光子晶体 1半导体材料的战略地位 上世纪中叶,单晶硅和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研制成功,导致了电子工业革命;上世纪70年代初石英光导纤维材料和GaAs激光器的发明,促进了光纤通信技术迅速发展并逐步形成了高新技术产业,使人类进入了信息时代。超晶格概念的提出及其半导体超晶格、量子阱材料的研制成功,彻底改变了光电器件的设计思想,使半导体器件的设计与制造从“杂质工程”发展到“能带工程”。纳米科学技术的发展和应用,将使人类能从原子、分子或纳米尺度水平上控制、操纵和制造功能强大的新型器件与电路,必将深刻地影响着世界的政治、经济格局和军事对抗的形式,彻底改变人们的生活方式。 2几种主要半导体材料的发展现状与趋势 1硅材料 从提高硅集成电路成品率,降低成本看,增大直拉硅单晶的直径和减小微缺陷的密度仍是今后CZ-Si发展的总趋势。目前直径为8英寸的Si单晶已实现大规模工业生产,基于直径

为12英寸硅片的集成电路技术正处在由实验室向工业生产转变中。目前300mm,0.18μm工艺的硅ULSI生产线已经投入生产,300mm,0.13μm工艺生产线也将在2003年完成评估。18英寸重达414公斤的硅单晶和18英寸的硅园片已在实验室研制成功,直径27英寸硅单晶研制也正在积极筹划中。 从进一步提高硅IC‘S的速度和集成度看,研制适合于硅深亚微米乃至纳米工艺所需的大直径硅外延片会成为硅材料发展的主流。另外,SOI材料,包括智能剥离和SIMOX材料等也发展很快。目前,直径8英寸的硅外延片和SOI材料已研制成功,更大尺寸的片材也在开发中。 理论分析指出30nm左右将是硅MOS集成电路线宽的“极限”尺寸。这不仅是指量子尺寸效应对现有器件特性影响所带来的物理限制和光刻技术的限制问题,更重要的是将受硅、SiO2自身性质的限制。尽管人们正在积极寻找高K介电绝缘材料,低K介电互连材料,用Cu代替Al引线以及采用系统集成芯片技术等来提高ULSI的集成度、运算速度和功能,但硅将最终难以满足人类不断的对更大信息量需求。为此,人们除寻求基于全新原理的量子计算和DNA生物计算等之外,还把目光放在以GaAs、InP为基的化合物半导体材料,非凡是二维超晶格、量子阱,一维量子线与零维量子点材料和可与硅平面工艺兼容GeSi合金材料等,这也是目前半导体材料研发的重点。 2GaAs和InP单晶材料 GaAs和InP与硅不同,它们都是直接带隙材料,具有电子饱和漂移速度高,耐高温,抗辐

激光的特点(特性)

激光的特点 1、相干性好 2、方向性强 3、单色性好 1、相干性好 一个几十瓦的电灯泡,只能用作普通照明。如果把它的能量集中到1m直径的小球内,就可以得到很高的光功率密度,用这个能量能把钢板打穿。然而,普通光源的光是向四面八方发射的,光能无法高度集中。普通光源上不同点发出的光在不同方向上、不同时间里都是杂乱无章的,经过透镜后也不可能会聚在一点上。 激光与普通光相比则大不相同。因为它的频率很单纯,从激光器发出的光就可以步调一致地向同一方向传播,可以用透镜把它们会聚到一点上,把能量高度集中起来,这就叫相干性高。一台巨脉冲红宝石激光器的亮度可达1015w/cm2?sr,比太阳表面的亮度还高若干倍。具有高亮度的激光束经透镜聚焦后,能在焦点附近产生数千度乃至上万度的高温,这就使其可能可加工几乎所有的材料。 2、方向性强 激光的方向性比现在所有的其他光源都好得多,它几乎是一束平行线。如果把激光发射到月球上去,历经38.4万公里的路程后,也只有一个直径为2km左右的光斑。 3、单色性好: 受激辐射光(激光)是原子在发生受激辐射时释放出来的光,其频率组成范围非常狭窄,通俗一点讲,就是受激辐射光单色性非常好,激光的“颜色”非常的纯(不同颜色,实际就是不同频率)。激光的单色性是实现激光加工的重要因素。我们可以通过简单的物理实验来说明这个问题。 我们使用三棱镜,可以将一束太阳光分解成七色光谱带,其原理是日光其实是多种波长的光混合在一起的复色光,不同波长的光透过同一介质时,由于在介质中折射率的不同,使各色光的传播方向发生不同程度的偏折,因而在离开棱镜时就各自分散,形成光谱带。 典型灯泵浦YAG激光器原理 在一个截面为椭圆形的腔体内,两个焦点上分别放置激光棒和氪灯,在一个焦点上(氪灯)发出一定波长的光,经过反射腔体内壁的反射,会聚在腔体的另一个焦点上(激光棒),使工作物质里的粒子受到激发,粒子受激吸收后,处于低能态的原子由于吸收了外界辐射而发生能级跃迁,继而释放出激光,产生的激光在全反射镜片和部分反射镜片之间进行来回振荡,当能量达到一定值时,就可以从部分反射镜片透过,这就实现了激光的输出

常用激光器简介

几种常用激光器的概述 一、CO2激光器 1、背景 气体激光技术自61年问世以来,发展极为迅速,受到许多国家的极大重视。特别是近两年,以二氧化碳为主体工作物质的分子气体激光器的进展更为神速,已成为气体激光器中最有发展前途的器件。 二氧化碳分子气体激光器不仅工作波长(10.6微米)在大气“窗口”,而且它正向连续波大功率和高效率器件迈进。1961年,Pola-nyi指出了分子的受激振动能级之间获得粒子反转的可能性。在1964年1月美国贝尔电话实验室的C.K.N.Pate 研制出第一支二氧化碳分子气体激光器,输出功率仅为1毫瓦,其效率为0.01%。不到两年,现在该类器件的连续波输出功率高达1200瓦,其效率为17 %,电源激励脉冲输出功率为825瓦,采用Q开关技术已获得50千瓦的脉冲功率输出。最近,有人认为,进一步提高现有的工艺水平,近期可以达到几千瓦的连续波功率输出和30~40% 的效率。 2、工作原理 CO2激光器中,主要的工作物质由CO?,氮气,氦气三种气体组成。其中CO?是产生激光辐射的气体、氮气及氦气为辅助性气体。加入其中的氦,可以加速010能级热弛预过程,因此有利于激光能级100及020的抽空。氮气加入主要在CO?激光器中起能量传递作用,为CO?激光上能级粒子数的积累与大功率高效率的激光输出起到强有力的作用。CO?分子激光跃迁能级图CO?激光器的激发条件:放电管中,通常输入几十mA或几百mA的直流电流。放电时,放电管中的混合气体内的氮分子由于受到电子的撞击而被激发起来。这时受到激发的氮分子便和CO?分子发生碰撞,N2分子把自己的能量传递给CO2分子,CO?分子从低能级跃迁到高能级上形成粒子数反转发出激光。 3、特点 二氧化碳分子气体激光器不但具有一般气体激光器的高度相干性和频率稳定性的特点,而且还具有另外三个独有的特点: (1)工作波长处于大气“窗口”,可用于多路远距离通讯和红外雷达。 (2)大功率和高效率( 目前,氩离子激光器最高连续波输出功率为100瓦,其效率为0.17 %,原子激光器的连续波输出功率一般为毫瓦极,其效率约为0.1%,而二氧化碳分子激光器连续波输出功率高达1200瓦,其效率为17%)。 (3)结构简单,使用一般工业气体,操作简单,价格低廉。由此可见,随着研究工作的进展、新技术的使用,输出功率和效率会不断提高,寿命也会不断增长,将会出现一系列新颖的应用。例如大气和宇宙通讯、相干探测和导航、超外

半导体激光器输出特性的影响因素

半导体激光器输出特性的影响因素

半导体激光器输出特性的影响因素 半导体激光器是一类非常重要的激光器,在光通信、光存储等很多领域都有广泛的应用。下面我将探讨半导体激光器的波长、光谱、光功率、激光束的空间分布等四个方面的输出特性,并分析影响这些输出特性的主要因素。 1. 波长 半导体激光器的发射波长是由导带的电子跃迁到价带时所释放出的能量决定的,这个能量近似等于禁带宽度Eg(eV)。 hf = Eg f (Hz)和λ(μm)分别为发射光的频率和波长 且c=3×108m/s , h=6.628×10?34 J ·s ,leV=1.60×10?19 J 得 决定半导体激光器输出光波长的主要因素是半导体材料和温度。 λ c =f ) ( )(24.1m eV Eg μλ=

不同半导体材料有不同的禁带宽度Eg ,因而有不同的发射波长λ:GaAlAs-GaAs 材料适用于0.85 μm 波段, InGaAsP-InP 材料适用于 1.3~1.55 μm 波段。 温度的升高会使半导体的禁带宽度变小,导致波长变大。 2. 光功率 半导体激光器的输出光功率 其中I 为激光器的驱动电流,P th 为激光器的阈值 功率;I th 为激光器的阈值电流;ηd 为外微分量 子效率;hf 为光子能量;e 为电子电荷。 hf 、e 为常数,Pth 很小可忽略。由此可知,输出光功率主要取决于驱动电流I 、阈值电流I th 以及外微分量子效率ηd 。驱动电流是可随意调节 的,因此这里主要讨论后两者。除此之外,温度也是影响光功率的重要因素。 1)阈值电流 半导体激光器的输出光功率通常用P-I 曲线 ) (th d th I I e hf P P -+=η

光栅特性与激光波长

光栅特性与激光波长 注意事项: 1.不要用手接触光栅表面。 2.实验时,当心激光! 3.本告示牌供实验者阅读,所以不要在上面写字,更不能带出实验室。 实验内容 1.测量未知光波波长λ(调节方法见附件)。 在屏上读出K = 0、±1、±2、±3亮点位置,用米尺读出光栅到屏幕的距离L 。将数据代入下式中,求出激光的波长λ。L 估读到1mm ,X 估读到0.5 mm 。计算公式如下:(注意:此处X 为某级次亮点位置与零次亮点位置的差值。) 2 2 sin L X X += θ λθk d =sin 2.测量光栅常数d 给定波长,测量6组L (0.4mm 与0.8m 之间)与对应的X (K = 1级)值。 3.观察衍射现象 1)到光栅衍射现象观察台上另取观察用的光栅,并把光栅放在眼前,直接观察钠灯、护眼灯、日光灯。记录观察到的现象并进行分析。画出看到的现象的示意图。(护眼灯记录K=0,K=±1;钠灯记录K=0,K=±1, K=±2, K=±3) 2)观察正交光栅衍射现象 如图1,若将两个光栅互相垂直(构成正交光栅)且依次放置在激光器之前,

此时激光束穿透光栅后,在屏幕上的衍射图样如何?说明其原因。 3)观察激光束斜入射到光栅的表面时衍射现象 如图2,若将激光束斜入射到光栅的表面,观察各相应级次亮点位置的变化情况,并进行分析。 附:光栅特性与激光波长调节方法介绍(供参考) 1.关掉激光器 2.调节激光器调节架(图3) a)调节“激光器上下调节”螺丝,使激光器固定板与激光器底板平行(上下间距相等)。 b)调节“激光器左右调节”螺 丝,使激光器与激光器底板左 (右)间距相等。 3.在激光器前10厘米A处放上 光栅,打开激光器,便激光照在 光栅中心(可调节光栅高低)。向 后移动光栅到B处(例如,60厘 图3 激光调节架 米)。如果光点照在光栅上位置有 上下移动。则调节“激光器上下调节”螺丝。直到光点在A与B两处时,照在光栅上位置上下无移动。这样激光基本上平行桌面。 4.调节光屏调节架(图4,图5)

半导体材料市场细分报告

半导体材料市场细分报告-汉鼎咨询上市前细分市场调研 一、我国半导体材料行业现状 1、全球半导体产业简况 根据汉鼎咨询统计,2006年全球半导体市场销售额达2477亿美元,比2005年增长8.9%;产量为5192亿颗,比2005年增长14.0%;ASP为0.477美元,比2005年下降4.5%。 从全球范围来看,包括计算机(Computer)、通信(Communication)、消费电子(ConsumerElectronics)在内的3C产业是半导体产品的最大应用领域,其后是汽车电子和工业控制等领域。 美、日、欧、韩以及中国台湾是目前半导体产业领先的国家和地区。2006年世界前25位的半导体公司全部位于美国、日本、欧洲、韩国。2005年,美国和日本分别占有48%和23%的市场份额,合计达71%。韩国和台湾的半导体产业进步很快。韩国三星已经位列全球第二;台积电(TSMC)的收入在2007年上半年有了很大的提高,排名快速升至第6,成为2007年上半年进入前20名的唯一一家台湾公司,这从一个侧面反映了台湾代工业非常发达。 2、中国市场简况 据汉鼎咨询研究发现,中国已经成为全球第一大半导体市场,并且保持较高的增长速度。2006年,中国半导体市场规模突破5800亿,其中集成电路市场达4863亿美元,比2005年增长27.8%,远高于全球市场8.9%的增速。我国市场已经达到全球市场份额的四分之一强。 在市场增长的同时,我国半导体产业成长迅速。以集成电路产业为例,2006年国内生产集成电路355.6亿块,同比增长36.2%。实现收入1006.3亿元,同比增长43.3%。我国半导体产业规模占世界比重还比较低,但远高于全球总体水平的增长率让我们看到了希望。 中国集成电路的应用领域与国际市场有类似之处。汉鼎咨询统计,2006年,3C(计算机、通信、消费电子)占了全部应用市场的88.5%,高于全球比例。而汽车电子1.3%的比例,比起2005年的1.1%有所提高,仍明显低于全球市场的8.0%。与此相对应的是,我国汽车市场销量呈增长态势,汽车电子国产化比例逐步提高。这说明,在汽车电子等领域,我国集成电路应用仍有较大成长空间。 3、我国在国际半导体产业中所处地位 汉鼎咨询研究发现,我国半导体市场进口率高,超过80%的半导体器件是进口的。国内半导体产业收入远小于国内市场规模。 2006年国内IC市场规模达5800亿,而同期国内IC产业收入是1006.3亿。 我国有多个电子信息产品产量已经位居全球第一,包括台式机、笔记本电脑、手机、数码相机、电视机、DVD、MP3等。中国已超过美国成为世界上最大的集成电路产品应用国。但目前国内企业只能满足不到20%的集成电路产品需求,其他依赖进口。 中国大陆市场的半导体产品前十名的都是跨国公司。这十家公司平均21%的收入来自中国市场。这与中国市场占全球市场规模的比例基本吻合。2006年这十家公司在中国的收入总和占到中国大陆半导体市场规模的34.51%。上述两组数字

激光器工作原理

激光器工作原理 1. 1. 引言 2. 2. 原子基础知识 3. 3. 原子形成激光的核心原理 4. 4. 激光器与原子的关系 5. 5. 激光 6. 6. 红宝石激光器 7.7. 三级激光器 8.8. 激光器类型 9.9. 激光器的波长 10.10. 激光器分类 11.11. 了解更多信息 12.12. 阅读所有物理学类文章 激光器广泛用于各种产品和技术,其种类之多令人惊叹。从CD播放机、牙钻、高速金属切割机到测量系统,似乎所有东西都有激光器的影子,它们都需要用到激光器。但是,到底什么是激光器呢?激光光束和手电筒光束的区别何在呢? NASA供图 美国国家航空航天管理局兰利研究中心(Langley Research Center) 的光学损伤阀值测试装置有三部激光器:高能脉冲钕-钇铝 石榴石激光器、钛-蓝宝石激光器和谐振氦氖激光器。 原子基础知识 整个宇宙中大约只有100多种不同的原子。我们看到的所有东西都是由这100多种原子以穷极无限的方式组合而成。这些原子之间排列组合的方式决定了构成的物体是一杯水、一块金属或是汽水瓶中的泡沫!

原子是永恒运动着的。它们不停地振动、移动和旋转,就连构成我们座椅的原子也是不断运动着的。固体实际上也在运动!原子有几种不同的激发状态,换言之,它们具有不同的能量。如果赋予原子足够的能量,它就可以从基态能量层级上升到激发态能量层级。激发态能量层级的高低取决于通过热能、光能、电能等形式赋予原子的能量有多少。 下图可以很好地阐释原子的结构: 最简单的原子模型 由原子核和沿轨道旋转的电子组成。 简单原子由原子核(含有质子和中子)和电子云组成。我们可以把电子云中的电子想象成沿多个不同轨道环绕原子核运动。 原子形成激光的核心原理 想一想上一页中的原子结构图。即便以现代技术观察原子,我们也无法看到电子的离散轨道,但把这些轨道设想成原子不同的能级会对我们的理解有所帮助。换言之,如果我们对原子加热,处于低能量轨道上的部分电子可能受激发而跃迁到距离原子核更远的高能量轨道。 能量吸收: 原子可以吸收热能、光能、电能等形式的能量。然后电子可以从低能 量轨道跃迁至高能量轨道。

激光器的分类

激光器的分类 来源:全球五金网 2011-10-31 作者:佛山市科镭激光科技有限公司公司产品公司商机公司招商公司新闻 激光器作为所有激光应用产品的核心部件,是所有激光应用产品的重中之重;而且激光器的种类是很多。下面,将分别从激光工作物质、激励方式、运转方式、输出波长范围等几个方面进行分类介绍。 按工作物质分类根据工作物质物态的不同可把所有的激光器分为以下几大类: ①固体(晶体和玻璃)激光器,这类激光器所采用的工作物质,是通过把能够产生受激辐射作用的金属离子掺入晶体或玻璃基质中构成发光中心而制成的; ②气体激光器,它们所采用的工作物质是气体,并且根据气体中真正产生受激发射作用之工作粒子性质的不同,而进一步区分为原子气体激光器、离子气体激光器、分子气体激光器、准分子气体激光器等; ③液体激光器,这类激光器所采用的工作物质主要包括两类,一类是有机荧光染料溶液,另一类是含有稀土金属离子的无机化合物溶液,其中金属离子(如Nd)起工作粒子作用,而无机化合物液体(如SeOCl)则起基质的作用; ④半导体激光器,这类激光器是以一定的半导体材料作工作物质而产生受激发射作用,其原理是通过一定的激励方式(电注入、光泵或高能电子束注入),在半导体物质的能带之间或能带与杂质能级之间,通过激发非平衡载流子而实现粒子数反转,从而产生光的受激发射作用; ⑤自由电子激光器,这是一种特殊类型的新型激光器,工作物质为在空间周期变化磁场中高速运动的定向自由电子束,只要改变自由电子束的速度就可产生可调谐的相干电磁辐射,原则上其相干辐射谱可从X射线波段过渡到微波区域,因此具有很诱人的前景。 按激励方式分类 ①光泵式激光器。指以光泵方式激励的激光器,包括几乎是全部的固体激光器和液体激光器,以及少数气体激光器和半导体激光器。 ②电激励式激光器。大部分气体激光器均是采用气体放电(直流放电、交流放电、脉冲放电、电子束注入)方式进行激励,而一般常见的半导体激光器多是采用结电流注入方式进行激励,某些半导体激光器亦可采用高能电子束注入方式激励。 ③化学激光器。这是专门指利用化学反应释放的能量对工作物质进行激励的激光器,反希望产生的化学反应可分别采用光照引发、放电引发、化学引发。 ④核泵浦激光器。指专门利用小型核裂变反应所释放出的能量来激励工作物质的一类特种激光器,如核泵浦氦氩激光器等。 按运转方式分类 由于激光器所采用的工作物质、激励方式以及应用目的的不同,其运转方式和工作状态亦相应有所不同,从而可区分为以下几种主要的类型。 ①连续激光器,其工作特点是工作物质的激励和相应的激光输出,可以在一段较长的时间范围内以连续方式持续进行,以连续光源激励的固体激光器和以连续电激励方式工作的气体激光器及半导体激光器,均属此类。由于连续运转过程中往往不可避免地产生器件的过热效应,因此多数需采取适当的冷却措施。 ②单次脉冲激光器,对这类激光器而言,工作物质的激励和相应的激光发射,从时间上来说均

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