内存条参数识别
内存条参数识别
内存目前主流分为：一代DDR，二代DDR2，三代DDR3型号,请对照以下列表，知道自己电脑已经安装了什么内存，或应该购买什么内存。
PC2100是DDR 266内存
PC2700是DDR 333内存
PC3200是DDR 400内存
PC4200是DDRII533内存
PC4300是DDRII533内存
PC5300是DDRII667内存
PC6400是DDRII800内存
PC8500是DDRIII1066内存
PC10700是DDRIII11333内存
DDR、DDR2、DDR3互相不通用，插槽插口也不一样，更不能霸王硬上弓强行插进去，以免损坏内存和主板，切记！
教你如何调整DDR内存参数
教你如何调整DDR内存参数 日期：2006-07-08 上传者：赵磊来源：https://www.360docs.net/doc/8b4299559.html, 同样的CPU，同样的频率设置，为什么别人的运行效率就比我的高呢？为什么高手能以较低CPU频率跑出更好的测试成绩呢？问题的关键就是内存参数的调校。在一般的超频中，只会调整一些基本参数，比如某超频报告中会说到内存运行状态为“520MHz、3-4-4-8 1T”，那么除频率外后5个数字就是基本参数。还有一系列参数被称之为“小参”，能起到辅助调节作用，当调节基参后仍无法提高频率，或者性能提升不明显后，调整“小参”往往会得到令人意外的惊喜。以下我们根据基本参数与小参分别介绍调校方法。 基本参数介绍 目前的内存还是使用类电容原理来存储数据，需要有充放电的过程，这个过程所带来的延迟是不可避免的。在BIOS中，所有关于内存调节的参数其实都是在调整这个充放电的时序。受颗粒品质影响，每种内存的参数几乎都不完全一样。面对这些参数，我们必须先了解其原理才能在以后的调节中做到信手拈来。以下我们讲解一些重点参数的含义。 CL CL全称CAS Latency，是数据从存储设备中输出内存颗粒的接口之间所使用的时间。一般而言是越短越好，但受于制造技术和内存控制器所限，目前的最佳值是2。
从图中，我们能够直观的看到CL值变化，对数据处理的影响。虽说在单周期内的等待的时间并不长；但在实际使用时，内存每秒要400M次以上的周期循环，此时的性能影响就相当明显了。 RAS与CAS 内存内部的存储单元是按照行（RAS）和列（CAS）排成矩阵模式，一个地址访问指令会被解码成行和列两个信号，先是行地址信号，然后是列地址信号，只有行和列地址都准备好之后才可以确定要访问的内存单元。因此内存读写第一个延迟是RAS到CAS的延迟，从行地址访问允许到读、写数据还有一个准备时间，被称为RAS转换准备时间。这也就是为什么RAS to CAS参数对性能影响要大于RAS Precharge的原因。 Tras
全面教你认识内存参数
全面教你认识内存参数 内存热点 Jany 2010-4-28
内存这样小小的一个硬件，却是PC系统中最必不可少的重要部件之一。而对于入门用户来说，可能从内存的类型、工作频率、接口类型这些简单的参数的印象都可能很模糊的，而对更深入的各项内存时序小参数就更摸不着头脑了。而对于进阶玩家来说，内存的一些具体的细小参数设置则足以影响到整套系统的超频效果和最终性能表现。如果不想当菜鸟的话，虽然不一定要把各种参数规格一一背熟，但起码有一个基本的认识，等真正需要用到的时候，查起来也不会毫无概念。 内存种类 目前，桌面平台所采用的内存主要为DDR 1、DDR 2和DDR 3三种，其中DDR1内存已经基本上被淘汰，而DDR2和DDR3是目前的主流。 DDR1内存 第一代DDR内存 DDR SDRAM 是 Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM 的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。 DDR2内存 第二代DDR内存
DDR2 是 DDR SDRAM 内存的第二代产品。它在 DDR 内存技术的基础上加以改进，从而其传输速度更快（可达800MHZ ），耗电量更低，散热性能更优良。 DDR3内存 第三代DDR内存 DDR3相比起DDR2有更低的工作电压，从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更为省电；DDR2的4bit 预读升级为8bit预读。DDR3目前最高能够1600Mhz的速度，由于目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度，因而首批DDR3内存模组将会从1333Mhz的起跳。 三种类型DDR内存之间，从内存控制器到内存插槽都互不兼容。即使是一些在同时支持两种类型内存的Combo主板上，两种规格的内存也不能同时工作，只能使用其中一种内存。 内存SPD芯片 内存SPD芯片
内存芯片参数介绍
内存芯片参数介绍 具体含义解释： 例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0 主要含义： 第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。 第2位——芯片类型4，代表DRAM。 第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。 第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit 的容量；56、55、57、5A代表256MBit的容量；51代表512Mbit的容量。 第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。 第11位——连线“-”。 第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C 为7.5ns (CL=2) ；80为8ns；10 为10ns (66MHz)。 知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位）× 16片/8bits=256MB（兆字节）。 注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC 校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。 Hynix(Hyundai)现代 现代内存的含义： HY5DV641622AT-36 HY XX X XX XX XX X X X X X XX 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 1、HY代表是现代的产品 2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)； 3、工作电压：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V 4、芯片容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref；64=64Mbits、8K Ref；65=64Mbits、4K Ref；128=128Mbits、8K Ref；129=128Mbits、4K Ref；256=256Mbits、16K Ref； 257=256Mbits、8K Ref 5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、
内存型号说明
Samsung 具体含义解释 主要含义： 第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。 第2位——芯片类型4，代表DRAM。 第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM 、T代表DDR2 DRAM、D表示GDDR1（显存颗粒）。 第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A 代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit 的容量。 第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。 第8位——为一个数字，表示内存的物理Bank，即颗粒的数据位宽，有3和4两个数字，分别表示4Banks和8Banks。对于内存而言，数据宽度×芯片数量＝数据位宽。这个值可以是64或128，对应着这条内存就是1个或2个bank。例如256M内存32×4格式16颗芯片：4×16=64，双面内存单bank；256M内存 16M×16格式 8颗芯片：16×8=128，单面内存双bank。所以说单或双bank和内存条的单双面没有关系。另外，要强调的是主板所能支持的内存仅由主板芯片组决定。内存芯片常见的数据宽度有4、8、16这三种，芯片组对于不同的数据宽度支持的最大数据深度不同。所以当数据深度超过以上最大值时，多出的部分主板就会认不出了，比如把256M认成128M就是这个原因，但是一般还是可以正常使用。 第9位——由一个字符表示采用的电压标准，Q：SSTL-1.8V （1.8V，1.8V）。与DDR的2.5V电压相比，DDR2的1.8V是内存功耗更低，同时为超频留下更大的空间。 第10位——由一个字符代表校订版本，表示所采用的颗粒所属第几代产品，M 表示1st，A-F表示2nd-7th。目前，长方形的内存颗粒多为A、B、C三代颗粒，而现在主流的FBGA颗粒就采用E、F居多。靠前的编号并不完全代表采用的颗粒比较老，有些是由于容量、封装技术要求而不得不这样做的。 第11位——连线“-”。 第12位——由一个字符表示颗粒的封装类型，有G，S：FBGA（Leaded）、Z，Y：FBGA（Leaded-Free）。目前看到最多的是TSOP和FBGA两种封装，而FBGA是主流（之前称为mBGA）。其实进入DDR2时代，颗粒的封装基本采用FBGA了，因为TSOP封装的颗粒最高频率只支持到550MHz，DDR最高频率就只到400MHz，像DDR2 667、800根本就无法实现了。 第13位——由一个字符表示温控和电压标准，“C”表示Commercial Temp.( 0°C ~ 85°C) & Normal Power，就是常规的1.8V电压标准；“L”表示Commercial Temp.( 0°C ~ 85°C) & Low Power，是低电压版，适合超频，
内存篇-三个影响内存性能的重要参数
内存篇-三个影响内存性能的重要参数 组装电脑选购内存时，还有一些影响其性能的重要参数需要注意，比如容量、电压和CL 值等。 ◎容量：容量是选购内存时优先考虑的性能指标，因为它代表了内存可以存储数据的多少，通常以GB 为单位。单根内存容量越大则越好。目前市面上主流的内存容量分为单条（容量为2GB、4GB、8GB、16GB）和套装（容量为2×2GB、2×4GB、2×8GB、8×4GB、4×4GB、16×2GB）两种。 ◎工作电压：内存的工作电压是指内存正常工作所需要的电压值，不同类型的内存电压不同，DDR2 内存的工作电压一般在1.8V 左右；DDR3 内存的工作电压一般在1.5V 左右；DDR4 内存的工作电压一般在1.2V 左右。电压越低，对电能的消耗越少，也就更符合目前节能减排的要求。 ◎CL 值：CL（CAS Latency，列地址控制器延迟）是指从读命令有效（在时钟上升沿发出）开始，到输出端可提供数据为止的这一段时间。对于普通用户来说，没必要太过在意CL 值，只需要了解在同等工作频率下，CL 值低的内存更具有速度优势。 小知识： 什么是内存超频？内存超频就是让内存外频运行在比它被设定的更高的速度下。一般情况下，CPU外频与内存外频是一致的，所以在提升CPU外频进行超频时，也必须相应提升内存外频，使之与CPU同频工作。内存超频技术目前在很多DDR4内存中应用，比如金士顿内存的PnP和XMP就是目前使用较多的内存自动超频技术。 CL值的含义 内存CL值通常采用4个数字表示，中间用“-”隔开，以“5-4-4-12”为例，第一个数代表CAS(Column Address Strobe)延迟时间，也就是内存存取数据所需的延迟时间，即通常说的CL值；第二个数代表RAS(Row Address Strobe)-to-CAS延迟，表示内存行地址传输到列地址的延迟时间；第三个数表示RAS Prechiarge延迟（内存行地址脉冲预充电时间）；最后一个数则是Act-to-Prechiarge延迟（内存行地址选择延迟）。其中最重要的指标是第一个参数CAS，它代表内存接收到一条指令后要等待多少个时间周期才能执行任务。 1
DDR 内存参数
一、CAS、RCD、RP是内存芯片的重要参数，它们表示内存工作的延迟时间，当延迟时间越短，其内存的工作效率就越高，其性能也就越好。 CAS：CAS Latency，列地址脉冲选通潜伏期（又可简称为CL） RCD：RAS-to-CAS Delay，行寻址至列寻址延迟时间 RP：RAS Precharge Time，“行预充电时间” 二、 DDR400是JEDEC（Joint Electron Device Engineering Council：联合电子设备工程协会）承认最高的DDR内存标准，而针对它以其工作时序参数划分了三个等级： DDR400A级的CAS-RCD-RP工作参数规定为：2.5-3-3 DDR400B级的CAS-RCD-RP工作参数规定为：3-3-3 DDR400C级的CAS-RCD-RP工作参数规定为：3-4-4 三、 SPD（Serial Presence Detect）其实是一片EEPROM电可擦写可编程只读存储器，它一般处在内存条正面的右侧，里面记录了诸如内存的速度、容量、电压、行/列地址带宽等十分重要的参数信息。当计算机开机工作时的BIOS就会自动读取内存SPD中的记录信息，以获让内存运行在规定的工作频率上 内存负责向CPU提供运算所需的原始数据，而目前CPU运行速度超过内存数据传输速度很多，因此很多情况下CPU都需要等待内存提供数据，这就是常说的“CPU等待时间”。内存传输速度越慢，CPU等待时间就会越长，系统整体性能受到的影响就越大。因此，快速的内存是有效提升CPU效率和整机性能的关键之一。 在实际工作时，无论什么类型的内存，在数据被传输之前，传送方必须花费一定时间去等待传输请求的响应，通俗点说就是传输前传输双方必须要进行必要的通信，而这种就会造成传输的一定延迟时间。CL设置一定程度上反映出了该内存在CPU接到读取内存数据的指令后，到正式开始读取数据所需的等待时间。不难看出同频率的内存，CL设置低的更具有速度优势。 上面只是给大家建立一个基本的CL概念，而实际上内存延迟的基本因素绝对不止这些。内存延迟时间有个专门的术语叫“Latency”。要形象的了解延迟，我们不妨把内存当成一个存储着数据的数组，或者一个EXCEL表格，要确定每个数据的位置，每个数据都是以行和列编排序号来标示，在确定了行、列序号之后该数据就唯一了。内存工作时，在要读取或写入某数据，内存控制芯片会先把数据的列地址传送过去，这个RAS信号（Row Address Strobe，行地址信号）就被激活，而在转化到行数据前，需要经过几个执行周期，然后接下来CAS信号（Column Address Strobe，列地址信号）被激活。在RAS信号和CAS信号之间的几个执行周期就是RAS-to-CAS延迟时间。在CAS信号被执行之后同样也需要几个执行周期。此执行周期在使用标准PC133的SDRAM大约是2到3个周期；而DDR RAM则是4到5个周期。在DDR中，真正的CAS延迟时间则是2到2.5个执
内存参数
内存 内存的主流品牌 目前市场上的主流品牌有金士顿（Kingston）、金邦（GEIL）、宇瞻（Apacer）、微刚（ADATA）、刚胜（Kingmax）、现代（Nynex）、三星（Samsung）、海盗船（Corsair）、芝奇（G.skill）、OCE、金泰克等。这些内存采用的工艺略有不同，性能上也多少有些差异。 内存的分类 现在市场上内存可以分为两种。 ①SDRAM： SDRAM又称为同步动态存储器，可以与CPU外频同步运作，有PC100、PC133、PC150等规格，目前的SDRAM都是以168Pin DIMM的内存模块出现。 ②DDR SDRAM： DDR是指Double Data Rate，它的传输速率是SDRAM的两倍，DDR标准包括DDR I、DDRII和DDRIII。DDR插槽与SDRAM插槽两侧的线数不同，DDR应用184pins（针脚）。因此，DDR内存和SDRAM的内存不能换插。 DDR I的主要型号有DDR266，工作频率为133MHz；DDR333，工作频率从为166MHz；DDR400，工作频率为200MHz。 现在DDRII正在逐渐占领主流市场，其频率在533MHz以上。从长远来说，DDRII最终会取代DDR 1，但就目前来说，DDRII的优势还不是特别明显，虽然在频率上有很大提高，但是在时间延迟上却长于DDR400，所以目前的DDR400和DDRII（533）性能差不多，除非选择高端的DDR II（800）。 预计DDRIII将在不久的将来正是面世，工作电压将下降，并且将会使用更
新的信号技术，实现更高的宽带，初始频率预计将达到800MHz，甚至更高。 内存的主要性能参数 ①容量 每个时期的内存条的容量都多种规格、例如，早期的30线内存条有256KB、1MB、4MB等容量，后来72线的EDD内存有4MB、8MB、16MB等容量，目前流行的168线SDRAM内存常见的内存容量有32MB、64MB、128MB、256MB、512MB、1GB等。 数据带宽 数据带宽指内存的数据传输速度，是衡量内存性能的重要指标。PCI00 SDRAM在额定频率（100MHz）下工作时，其峰值数据传输速度可以达到800MB/s。而PCI33SDRAM其峰值数据传输速度可达1.06GB/s，比PCI00内存提高了200MB/s。对于DDR DRAM,由于在同一个时钟周期的上升和下降沿都能传输数据，所以工作在133MHz时，实际传输速度可达2.1GB/s。 ②时钟周期 时钟周期代表了SDRAM所能运行的最大频率。显然，这个数字越小，说明SDRAM芯片所能运行的频率越高。对于一普通的PC 100 SDRAM来说，它芯片上的标识“-10”代表了它运行的时钟周期为10ns，即可以在100MHz的外频下正常工作。为什么说SDRAM 的时钟周期代表可它能运行的最大频率呢？SDRAM时钟周期的单位是ns（纳秒），而其最大工作频率则为MHz（兆赫兹），这两者有何关联呢？两者的关系其实很简单，遵循了“频率=1/周期”的原理。由于ns时10-9秒，而MHz是106Hz，因为以ns为单位的周期数值与以MHz为单位的频率数值的乘积应为1 000。所以说时钟周期为10ns的SDRAM可以在100MHz的外频下工作。根据同样的道理，我们可以算出各个时钟周期下的
内存规格参数
内存规格参数 内存这样小小的一个硬件，却是PC系统中最必不可少的重要部件之一。而对于入门用户来说，可能从内存的类型、工作频率、接口类型这些简单的参数的印象都可能很模糊的，而对更深入的各项内存时序小参数就更摸不着头脑了。而对于进阶玩家来说，内存的一些具体的细小参数设置则足以影响到整套系统的超频效果和最终性能表现。如果不想当菜鸟的话，虽然不一定要把各种参数规格一一背熟，但起码有一个基本的认识，等真正需要用到的时候，查起来也不会毫无概念。 内存种类 目前，桌面平台所采用的内存主要为DDR 1、DDR 2和DDR 3三种，其中DDR1内存已经基本上被淘汰，而DDR2和DDR3是目前的主流。 DDR1内存 第一代DDR内存 DDR SDRAM 是 Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM 的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。 DDR2内存
第二代DDR内存 DDR2 是 DDR SDRAM 内存的第二代产品。它在 DDR 内存技术的基础上加以改进，从而其传输速度更快（可达800MHZ ），耗电量更低，散热性能更优良。 DDR3内存 第三代DDR内存 DDR3相比起DDR2有更低的工作电压，从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更为省电；DDR2的4bit 预读升级为8bit预读。DDR3目前最高能够1600Mhz的速度，由于目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度，因而首批DDR3内存模组将会从1333Mhz的起跳。
DDR系列内存详解及硬件设计规范-Michael
D D R 系列系列内存内存内存详解及硬件详解及硬件 设计规范 By: Michael Oct 12, 2010 haolei@https://www.360docs.net/doc/8b4299559.html,
目录 1.概述 (3) 2.DDR的基本原理 (3) 3.DDR SDRAM与SDRAM的不同 (5) 3.1差分时钟 (6) 3.2数据选取脉冲（DQS） (7) 3.3写入延迟 (9) 3.4突发长度与写入掩码 (10) 3.5延迟锁定回路（DLL） (10) 4.DDR-Ⅱ (12) 4.1DDR-Ⅱ内存结构 (13) 4.2DDR-Ⅱ的操作与时序设计 (15) 4.3DDR-Ⅱ封装技术 (19) 5.DDR-Ⅲ (21) 5.1DDR-Ⅲ技术概论 (21) 5.2DDR-Ⅲ内存的技术改进 (23) 6.内存模组 (26) 6.1内存模组的分类 (26) 6.2内存模组的技术分析 (28) 7.DDR 硬件设计规范 (34) 7.1电源设计 (34) 7.2时钟 (37) 7.3数据和DQS (38) 7.4地址和控制 (39) 7.5PCB布局注意事项 (40) 7.6PCB布线注意事项 (41) 7.7EMI问题 (42) 7.8测试方法 (42)
摘要： 本文介绍了DDR 系列SDRAM 的一些概念和难点，并分别对DDR-I/Ⅱ/Ⅲ的技术特点进行了论述，最后结合硬件设计提出一些参考设计规范。 关键字关键字：：DDR, DDR, SDRAM SDRAM SDRAM, , , 内存模组内存模组内存模组, , , DQS DQS DQS, DLL, MRS, ODT , DLL, MRS, ODT , DLL, MRS, ODT Notes : Aug 30, 2010 – Added DDR III and the PCB layout specification - by Michael.Hao
教你看懂内存编码
教你看懂内存编码！ 内存大小识别方法(详) 内存芯片如按厂家所属地域来分主要有日，韩厂家，欧美及中国（含台湾省）厂家等等。看编号识内存芯片是了解内存的一个好方法，下面就是内存识别资料，供大家参考： 主要的内存芯片厂商的名称既芯片代号如下： 现代电子HYUNDAI：HY［注：代号］ 三星SAMSUNG：KM或M NBM：AAA 西门子SIEMENS：HYB 高士达LG-SEMICON：GM HITSUBISHI：M5M 富士通FUJITSU：MB 摩托罗拉MOTOROLA：MCM MATSUSHITA：MN OKI：MSM 美凯龙MICRON：MT 德州仪器TMS：TI 东芝TOSHIBA：TD 或TC 日立HITACHI：HM STI：TM 日电NEC：uPD IBM：BM NPNX：NN 一.日本产系列： 主要厂家有Hitachi［日立］，Toshiba［东芝］，NEC［日电］，Mitsubishi ［三菱］等等，日产晶圆的特点是品质不错，价格稍高。 1.HITACHI［日立］。1 日立内存质量不错，许多PC100的皆可稳上133MHz。它的稳定性好，做工精细，日立内存芯片的编号有HITACHI HM521XXXXXCTTA60或B60,区别是A60的CL是2，B60的CL是3。市面上B60的多，但完全可超133MHz外频， HITACHI的SDRAM芯片上的标识为以下格式： HM 52 XX XX 5 X X TT-XX HM代表是日立的产品，52是SDRAM，如为51则为EDO DRAM。 第1、2个X代表容量。 第3、4个X表示数据位宽，40、80、16分别代表4位、8位、16位。 第5个X表示是第几个版本的内核，现在至少已经排到"F"了。 第6个X如果是字母"L"就是低功耗。空白则为普通。 TT为TSOII封装。 最后XX代表速度： 75：7.5ns［133MHz］ 80：8ns［125MHz］ A60：10ns［PC-100 CL2或3］ B60：10ns［PC-100 CL3］ 例如：HM5264805F-B60，是64Mbit，8位输出，100MHZ时CL是3。 2.NEC。 NEC的SDRAM芯片上的标识通常为以下格式： μPD45 XX X X XG5-AXX X-XXX
怎样看懂内存条芯片的参数
整个DDR SDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。 颗粒编号解释如下： 1〃HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。 2〃内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM） 3〃处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V） 4〃芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新） 5〃内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片） 6〃内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank） 7〃接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18） 8〃内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代） 9〃能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型） 10〃封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm）） 11〃封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP （UTC）） 12〃封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素） 13〃速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200） 14〃工作温度：（I=工业常温（-40 - 85度）；E=扩展温度（-25 - 85度）） 由上面14条注解，我们不难发现，其实最终我们只需要记住2、3、6、13等几处数字的实
DDR内存时序设置详解
内存时序设置详解 内容概要 关键词：内存时序参数设置 导言：是否正确地设置了内存时序参数，在很大程度上决定了系统的基本性能。本文详细介绍了内存时序相关参数的基本涵义及设置要点。 与传统的SDRAM相比，DDR（Dual date rate SDRSM：双倍速率SDRAM），最重要的改变是在界面数据传输上，其在时钟信号上升缘与下降缘时各传输一次数据，这使得DDR 的数据传输速率为传统SDRAM的两倍。同样地，对于其标称的如DDR400，DDR333，DDR266数值，代表其工作频率其实仅为那些数值的一半，也就是说DDR400 工作频率为200MHz。 FSB与内存频率的关系 首先请大家看看FSB(Front Side Bus：前端总线)和内存比率与内存实际运行频率的关系。 FSB/MEM比率实际运行频率 1/1 200MHz 1/2 100MHz 2/3 133MHz 3/4 150MHz 3/05 120MHz 5/6 166MHz 7/10 140MHz 9/10 180MHz 对于大多数玩家来说，FSB和内存同步，即1:1是使性能最佳的选择。而其他的设置都是异步的。同步后，内存的实际运行频率是FSBx2，所以，DDR400的内存和200MHz的FSB正好同步。如果你的FSB为240MHz，则同步后，内存的实际运行频率为240MHz x 2 = 480MHz。
FSB与不同速度的DDR内存之间正确的设置关系 强烈建议采用1：1的FSB与内存同步的设置，这样可以完全发挥内存带宽的优势。内存时序设置 内存参数的设置正确与否，将极大地影响系统的整体性能。下面我们将针对内存关于时序设置参数逐一解释，以求能让大家在内存参数设置中能有清晰的思路，提高电脑系统的性能。 涉及到的参数分别为： ?CPC : Command Per Clock ?tCL : CAS Latency Control ?tRCD : RAS to CAS Delay ?tRAS : Min RAS Active Timing ?tRP : Row Precharge Timing ?tRC : Row Cycle Time ?tRFC : Row Refresh Cycle Time ?tRRD : Row to Row Delay(RAS to RAS delay) ?tWR : Write Recovery Time ?……及其他参数的设置 CPC : Command Per Clock 可选的设置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。 Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻译为：首命令延迟)，一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行），然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。
教你怎么识别内存条
关于内存条 2008-10-10 09:09 金士顿内存条的行货的辨别方法 第一：拿到新的内存条后首先要确认你的内存条上必须有以下两个标签（一个是金士顿的老人头标签，一个是总代理的标签。中国总代共有五个：（弼信恒盈AVNET 联强骏禾）第二：当着卖内存条的商人的面去 https://www.360docs.net/doc/8b4299559.html,/china/verify验证内存上的产品ID和序列号，如果邮件反馈该内存条被反复验证，切忌千万不能要。要求更换！一定要没有被反复验证的，因为新的内存条上的ID和序列号只能验证一次！ 第三：一定要有上面五个总代的标签，不要轻易相信什么800等一些的刮开密码的确认电话，那是忽悠人的东西。现在个人都可以申请800电话，总之只相信总代理的标签！ 由于金士顿近年来在内存市场上的优异表现，被一些不法之徒看中，假货由此也就混入市场。不过，除了假货之外，因Kingston合法代理商不同，所以贴的标也就不同，所以也有些商家为了竞争只说自己的标才是真货。 两种代理商防伪标签 1目测方法： 购买时对内存防伪标的鉴别，金士顿内存的产品铭牌同时就是防伪标。当视线与防伪标表面垂直时，看到的防伪标上Kingston的LOGO头像是玫瑰红色，而当视线与标签形成一个夹角以后，标签就变成了橄榄绿色。这种方法是最简便直接的防伪办法，消费者在购买时就可以立即检验产品真伪，及时发现假货。 铭牌同时就是防伪标 2一分钟网上辨别： 请点选与您的内存模组上完全相同的变彩防伪标或白色标签: 防伪标图样 另外，打800电话或全球网络查询网站 https://www.360docs.net/doc/8b4299559.html,/china/verifynew/真假识别，你只需向该网站提交相关的内存产品信息，该网站就将会在极短的时间内帮您识别出您所购买的金士顿内存是否假冒。 先卖个关子，再次重申鉴别金士顿所有产品相对来说最安全、最快捷的方法。如照片所示，通过800防伪电话查询。但是，对眼我要提醒大家，并不是简简单单的按照您所购买产品上面的800电话联系。而是要记住本站提供的正确的800电话：800-8571992。这年头什么东西没有假的，造一个假电话防伪标签太正常
硬件参数详解
硬件参数详解 中央处理器 是英语“Central Processing Unit”的缩写，即CPU,CPU 一般由逻辑运算单元、控制单元和存储单元组成。在逻辑运算和控制单元中包括一些寄存器，这些寄存器用于CPU 在处理数据过程中数据 的暂时保存， 其实我们在买CPU 时，并不需要知道它的构造，只要知道它的性能就可以了。 CPU 主要的性能指标有： 主频即CPU 的时钟频率(CPU Clock Speed)。这是我们最关心的，我们所说的233、300等就是指它， 一般说来，主频越高，CPU 的速度就越快，整机的就越高。 时钟频率即CPU 的外部时钟频率，由电脑主板提供，以前一般是66MHz ，也有主板支持75各83MHz ，目前Intel 公司最新的芯片组BX 以使用100MHz 的时钟频率。另外VIA 公司的MVP3、MVP4等一些非Intel 的芯片组也开始支持100MHz 的外频。精英公司的BX 主板甚至可以支持133MHz 的外频，这对于超频者来是 首选的。 内部缓存（L1 Cache ）：封闭在CPU 芯片内部的高速缓存，用于暂时存储CPU 运算时的部分指令和数据，存取速度与CPU 主频一致，L1缓存的容量单位一般为KB 。L1缓存越大，CPU 工作时与存取速度较慢 的L2缓存和内存间交换数据的次数越少，相对电脑的运算速度可以提高。 外部缓存（L2 Cache ）：CPU 外部的高速缓存，Pentium Pro 处理器的L2和CPU 运行在相同频率下的，但成本昂贵，所以Pentium II 运行在相当于CPU 频率一半下的，容量为512K 。为降低成本Inter 公 司生产了一种不带L2的CPU 命为赛扬，性能也不错，是超频的理想。 MMX 技术是“多媒体扩展指令集”的缩写。MMX 是Intel 公司在1996年为增强Pentium CPU 在音像、图形和通信应用方面而采取的新技术。为CPU 增加57条MMX 指令，除了指令集中增加MMX 指令外，还将CPU 芯片内的L1缓存由原来的16KB 增加到32KB （16K 指命+16K 数据），因此MMX CPU 比普通CPU 在运行含有MMX 指令的程序时，处理多媒体的能力上提高了60％左右。目前CPU 基本都具备MMX 技术，除P55C 和Pentium ⅡCP U 还有K6、K6 3D 、MII 等。 流水线：增加流水线虽然能提高主频，但是流水线越高，所需要的步骤越多，也就是说，流水线的 级数与性能成反比。 制造工艺：制造工艺越好，漏电量越少，就能达到更高的频率以提高性能。现在CPU 的制造工艺多 数是90纳米，最新的核心可以达到65纳米. · 全国格斗大赛开始· 银行卡· 沟通无极限手机· 魔法表情秀出百变心情· 全国格斗大赛开始· QQ
内存参数的设置
内存参数的设置正确与否，将极大地影响系统的整体性能。下面我们将针对内存关于时序设置参数逐一解释，以求能让大家在内存参数设置中能有清晰的思路，提高电脑系统的性能。 涉及到的参数分别为： CPC : Command Per Clock tCL : CAS Latency Control tRCD : RAS to CAS Delay tRAS : Min RAS Active Timing tRP : Row Precharge Timing tRC : Row Cycle Time tRFC : Row Refresh Cycle Time tRRD : Row to Row Delay(RAS to RAS delay) tWR : Write Recovery Time ……及其他参数的设置 CPC : Command Per Clock 可选的设置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。 Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻译为：首命令延迟)，一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行），然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。 显然，CPC越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长。目前的大部分主板都会自动设置这个参数。 该参数的默认值为Disable(2T)，如果玩家的内存质量很好，则可以将其设置为Enable(1T)。 tCL : CAS Latency Control(tCL) 可选的设置：Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。 一般我们在查阅内存的时序参数时，如“3-4-4-8”这一类的数字序列，上述数字序列分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。这个3就是第1个参数，即CL参数。 CAS Latency Control(也被描述为tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency是“内存
内存的性能指标
（1）CAS(Column Address Strobe) Latency：列地址选通脉冲延迟时间，即DDR－RAM内存接收到一条数据读取指令后要延迟多少个时钟周期才执行该指令。这个参数越小，内存的反应速度越快，可以设置为2.0、2.5、3.0。 （2）Row－active delay（tRAS）：内存行地址选通延迟时间，供选择的数值有1～15，数值越大越慢。 （3）RAS－to－CAS delay（tRCD）：从内存行地址转到列地址的延迟时间。即从DDR－RAM行地址选通脉冲(RAS， Row Address Strobe)信号转到列地址选通脉冲信号之间的延迟周期，也是从1～15可调节，越大越慢。 （4）Row－precharge delay（tRP）：内存行地址选通脉冲信号预充电时间。调节在刷新DDR－RAM之前，行地址选通脉冲信号预充电所需要的时钟周期，从1～7可调，越大越慢。 （5）物理Bank：内存与CPU之间的数据交换通过主板上的北桥芯片进行，内存总线的数据位宽等同于CPU数据总线的位宽，这个位宽就称之为物理Bank（Physical Bank，简称P-Bank）的位宽。以目前主流的DDR系统为例，CPU与内存之间的接口位宽是64bit，也就意味着CPU在一个周期内会向内存发送或从内存读取64bit的数据，那么这一个64bit的数据集合就是一个内存条物理Bank。（6）逻辑Bank ：在芯片的内部，内存的数据是以位（bit）为单位写入一张大的矩阵中，每个单元我们称为CELL，只要指定一个行（Row），再指定一个列（Column），就可以准确地定位到某个CELL，这就是内存芯片寻址的基本原理。这个阵列我们就称为内存芯片的BANK，也称之为逻辑BANK（Logical BANK）。由于工艺上的原因，这个阵列不可能做得太大，所以一般内存芯片中都是将内存容量分成几个阵列来制造，也就是说存在内存芯片中存在多个逻辑BANK，随着芯片容量的不断增加，逻辑BANK数量也在不断增加，目前从 32MB到1GB的芯片基本都是4个，只有早期的16Mbit和32Mbit
教你认识计算机硬件及相关参数的识别(2--内存篇)(精)
二、内存（RAM） 1、什么是内存呢？在计算机的组成结构中，有一个很重要的部分，就是存储器。存储器是用来存储程序和数据的部件，对于计算机来说，有了存储器，才有记忆功能，才能保证正常工作。存储器的种类很多，按其用途可分为主存储器和辅助存储器，主存储器又称内存储器（简称内存），辅助存储器又称外存储器（简称外存）。外存通常是磁性介质或光盘，像硬盘，软盘，磁带，CD等，能长期保存信息，并且不依赖于电来保存信息，但是由机械部件带动，速度与CPU相比就显得慢的多。内存指的就是主板上的存储部件，是CPU直接与之沟通，并用其存储数据的部件，存放当前正在使用的（即执行中）的数据和程序，它的物理实质就是一组或多组具备数据输入输出和数据存储功能的集成电路，内存只用于暂时存放程序和数据，一旦关闭电源或发生断电，其中的程序和数据就会丢失。既然内存是用来存放当前正在使用的（即执行中）的数据和程序，那么它是怎么工作的呢？我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存（即DRAM），动态内存中所谓的“动态”，指的是当我们将数据写入DRAM后，经过一段时间，数据会丢失，因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。具体的工作过程是这样的：一个DRAM的存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷，有电荷代表1，无电荷代表0。但时间一长，代表1的电容会放电，代表0的电容会吸收电荷，这就是数据丢失的原因；刷新操作定期对电容进行检查，若电量大于满电量的1／2，则认为其代表1，并把电容充满电；若电量小于1／2，则认为其代表0，并把电容放电，藉此来保持数据的连续性。从一有计算机开始，就有内存。内存发展到今天也经历了很多次的技术改进，从最早的DRAM一直到FPMDRAM、EDODRAM、SDRAM、RDRAM、DDRAM、DDRII RAM等，内存的速度一直在提高且容量也在不断的增加。 2、如何理解内存、硬盘、CPU之间的关系呢？我们可以这样去理解----CPU把硬盘当中的数据读取到内存当中来执行，并把执行完的结果写到硬盘当中去。如果执行期间发生断电的情况那么由于CPU来不及把结果写回到硬盘之上，数据就丢失了。也就是说并不是CPU速度越快，计算机的运行速度就越快，计算机的运行速度也和内存容量的大小及内存的速度有关。 3、如何识别内存型号内存条一般都有标注大小，如果没有就要看颗粒的编号了，给个你看看： samsung内存例：samsungk4h280838b-tcb0 第1位——芯片功能k，代表是
内存型号说明
内存型号说明： Samsung 具体含义解释： 例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0 主要含义： 第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。 第2位——芯片类型4，代表DRAM。 第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。 第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量； 56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。 第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。 第11位——连线“-”。 第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为8ns；10 为10ns (66MHz)。 知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位）× 16片/8bits=256MB（兆字节）。 注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。 Hynix(Hyundai)现代 现代内存的含义： HY5DV641622AT-36