复旦大学半导体物理A教学大纲

复旦大学半导体物理课程教学大纲

** 考虑到有时同一门课由不同院系的教师开设，请任课教师填写此栏。

清华大学微电子学本科生培养

首页->人才培养->本科生培养一、简介微纳电子系本科生一级学科名称为电子科学与技术，二级学科名称为微电子学。共有2003级本科生92人，2004级本科生66人，2005级本科生67人。2007年微纳电子系开设了21门本科生课程，其中专业核心课8门，专业限选课5门，平台课2门，专业任选课4门，新生研讨课2门。二、课程设置 ?课程编号：30260093 课程名称：固体物理学课程属性：专业核心课任课教师：王燕内容简介：固体物理学是固体材料和固体器件的基础。该课程主要研究晶体的结构及对称性，晶体中缺陷的形成及特征，晶格动力学，能带理论的基础知识以及晶体中的载流子输运现象等。是微纳电子专业的核心课。 ?课程编号：40260103 课程名称：数字集成电路分析与设计课程属性：专业核心课任课教师：吴行军内容简介：本课程从半导体器件的模型开始，然后逐渐向上进行，涉及到反相器，复杂逻辑门（NAND，NOR，XOR），功能模块（加法器，乘法器，移位器，寄存器）和系统模块（数据通路，控制器，存储器）的各个抽象层次。对于这些层次中的每一层，都确定了其最主要的设计参数，建立简化模型并除去了不重要的细节。 ?课程编号：40260173

课程名称：数字集成电路分析与设计（英）课程属性：专业核心课任课教师：刘雷波内容简介：数字集成电路的分析与设计，包括：CMOS反相器、组合和时序逻辑电路分析与设计、算术运算逻辑功能部件、半导体存储器的结构与实现、互连线模型与寄生效应的分析。并介绍常用数字集成电路的设计方法和流程。 ?课程编号：30260072 课程名称：微电子工艺技术课程属性：专业核心课任课教师：岳瑞峰内容简介：本课程授课目的是使学生掌握微电子制造的各单项工艺技术，以及亚微米CMOS集成电路的工艺集成技术。本课程讲授微电子制造工艺各单项工艺的基本原理（包括氧化、扩散、离子注入、薄膜淀积、光刻、刻蚀、金属化工艺等），并介绍常用的工艺检测方法和MEMS加工技术、集成电路工艺集成技术和工艺技术的发展趋势等问题。另通过计算机试验，可学习氧化、扩散、离子注入等工艺设备的简单操作和模拟。 ?课程编号：40260033 课程名称：模拟集成电路分析与设计课程属性：专业核心课任课教师：王自强内容简介：本课程介绍模拟集成电路的分析与设计方法，帮助学生学习基础电路理论，实现简单的模拟集成电路。课程分成3个部分：电路理论知识、电路仿真和版图介绍。课程以讲述电路理论为主，通过电路仿真对电路理论加以验证，最后介绍版图、流片方面的内容，使学生对全定制集成电路的设计流程有初步了解。 ?课程编号：40260054

2018年复旦大学物理学系理论物理 [070201]考试科目、参考书目、复习指导

2018年复旦大学物理学系理论物理 [070201]考试科目、参考书目、复习经验一、招生信息所属学院：物理学系所属门类代码、名称：理学[07] 所属一级学科代码、名称：物理学[0702] 二、研究方向 01 (全日制)粒子、核与场的理论 02 (全日制)统计物理和凝聚态理论 03 (全日制)量子统计与理论物理方法 04 (全日制)计算理论物理 05 (全日制)广义相对论、天体物理和宇宙学 06 (全日制)纳米磁性、软凝聚态理论 07 (全日制)低微多点子理论 08 (全日制)计算凝聚态物理和计算材料科学三、考试科目 ①101思想政治理论 ②201英语一 ③720量子力学 ④836普通物理四、复习指导一、参考书的阅读方法（1）目录法：先通读各本参考书的目录，对于知识体系有着初步了解，了解书的内在逻辑结构，然后再去深入研读书的内容。（2）体系法：为自己所学的知识建立起框架，否则知识内容浩繁，容易遗忘，最好能够闭上眼睛的时候，眼前出现完整的知识体系。

（3）问题法：将自己所学的知识总结成问题写出来，每章的主标题和副标题都是很好的出题素材。尽可能把所有的知识要点都能够整理成问题。二、学习笔记的整理方法（1）第一遍学习教材的时候，做笔记主要是归纳主要内容，最好可以整理出知识框架记到笔记本上，同时记下重要知识点，如假设条件，公式，结论，缺陷等。记笔记的过程可以强迫自己对所学内容进行整理，并用自己的语言表达出来，有效地加深印象。第一遍学习记笔记的工作量较大可能影响复习进度，但是切记第一遍学习要夯实基础，不能一味地追求速度。第一遍要以稳、细为主，而记笔记能够帮助考生有效地达到以上两个要求。并且在后期逐步脱离教材以后，笔记是一个很方便携带的知识宝典，可以方便随时查阅相关的知识点。（2）第一遍的学习笔记和书本知识比较相近，且以基本知识点为主。第二遍学习的时候可以结合第一遍的笔记查漏补缺，记下自己生疏的或者是任何觉得重要的知识点。再到后期做题的时候注意记下典型题目和错题。（3）做笔记要注意分类和编排，便于查询。可以在不同的阶段使用大小合适的不同的笔记本。也可以使用统一的笔记本但是要注意各项内容不要混杂在以前，不利于以后的查阅。同时注意编好页码等序号。另外注意每隔一定时间对于在此期间自己所做的笔记进行相应的复印备份，以防原件丢失。统一的参考书书店可以买到，但是笔记是独一无二的，笔记是整个复习过程的心血所得，一定要好好保管。

复旦大学微电子考研经验分享

复旦微电子考研心得复旦的复试还是很公正的,复试的时候分了三个组,每组5个老师,4个设计1个工艺,4个设计包括模拟和数字的.先是英语听说,让你读一段专业英语,然后用英语总结,呵呵,说真的,那段英语我没看懂.然后让我用英语介绍下合肥,我又蒙了!英语测试后是专业测试,都是很基础的问题,不过范围很广,从模电,数电,到模拟设计,工艺,大家也不要怕,老师也知道你不怎么懂的,个人感觉我回答的不好.复试出来的时候,楸了一眼,足足记录了两页纸,老师对每一项都打分,感觉好象我说的每一句话,他们都记录下来了,感叹一下! 介绍下心得和情报吧！复旦没有想象的那么难，但也不简单。分析一下，复旦专业课最高分132，还是一个哈工大的人考的，所以专业课难大家都难，复旦的学生专业课上的优势没有想象的那么大，但同样不能忽视专业课的复习。考复旦，基础课一定要好，英语70+数学130+，专业课考个110左右，这样总分就差不多了。 1.复旦07年设计的复试线是343，比06年的369低了20多分吧！今年题目比较难。 2.大家不要轻信网上买的复旦资料，我买了一份，200块，拿到手一看一无是处，我复习的时候根本就没有看买的那些资料。 3.复试非常重要，今年有个360+的被刷了。专业背景很重要，所以不鼓励跨专业。下面谈谈专业课复习 1)模电看的是（童）的书，错误很多，我是都看完了，课后习题全做了。又听网上介绍买了一本清华出的习题集（唐竞新），作完后感觉没什么用处，题目重复很多，还超范围，可以说完全没必要买这本习题集。大家把童的书多看几遍就没问题了。今年听说复旦出了一本模电，没有看过，不评论。 2)数电看的是复旦的教材（陈光梦）和配套的教学参考，这本书写的非常不错，内容和讲解都很详细，错误只有一两处吧！课后习题当然是全做了，06年考了一个奇偶校验的题和课后习题很像，07年的题的解题思路和教学参考上讲的一样。读看几遍吧，基础差的可以找别的数电来加强一下。 3)集成电路部分说真的，这部分内容我还是不知道怎么考的，非常乱。06年出了一道VHDL的题，07年一道版图，一点规律都摸不到。要说经验，先把考试大纲上要求的概念背下来吧，再看看CMOS，CMOS上的几个公式非常重要。07年模电部分的一道大题，差分放大，恒流源的电流没有直接给出来，而是用CMOS上的电流公式求解。解出来电流，整个题就非常简单了。题目很简单，但是没看过CMOS，电流不会求，这个题得不到分了。CMOS的内容还是有点多，我有复旦老师总结的10多页资料，记下来就好了。ASIC和数字电路设计就只有碰碰运气了，听听工大自己开的课。05年考的判断电路故障的一维通路敏化法，工大老师就讲过。总体来说,大家先树立考复旦的信心!付出总有回报,坚持到底,希望明年能见到工大的学弟学妹^_^ 心得之二:

2020研究生入学考试复旦大学普通物理(836)

2020研究生入学考试复旦大学普通物理（836） 1、如图，木条的两端紧贴着墙面与地面，当木条倾倒到如图所示位置时（与墙面成θ角，一端速度为v ），求木条质心速度和此时与墙面所成的角度。（15分） 2、如图，木块在光滑斜面上，质量为M ，斜面倾角θ，连接弹簧的弹性系数为k ，求木块在斜面上小位置振动的周期。（15分） 3、小球作半径为R =6m 的圆周运动，其在自然坐标系上的运动方程为S =bt +12ct 2，其中b =2m s ?，c =1m s ?，求多少秒时小球的切向加速度与法向加速度相同。（15分） 4、某气体的物态方程为p (V ?b )=RT ，证明：1）C p =C v +R ；2）绝热过程的过程方程为p γ(V ?b )=常量。（15分） 5、已知氢气压强为p =1.013×105Pa ，质量m =?×10?3kg ，体积V =?×10?3m 3（具体数值忘了），求该部分氢气的平均动能。（15分） 6、半径为a 、b 的两金属球，用一根长导线连接，两球球心相距r (r ?a,r ?b )，忽略导线电容，求：1）系统的总电容，；2）当两球共带电Q 时，忽略导线带电，球两球分别带电多少。（15分） 7、空间中有一无限大，厚度为b 的介质层，相对介电常量为εr ，带自由电荷的密度为ρ0，在其两边，分别为相对介电常量为εr1、εr2的电介质，求：1）空间中各部分极化电荷密度； 2）空间各部分电场强度。（15分） 8、电容、电感和电阻如右图所示连接，求：1）三元件的总阻抗，及它们的相位差（还要求一个量，忘了）；2）若在其上加交流电压源，其电压？值为V AC （？处可能为有效值），其中还有直流分量V DC ，求？（忘了）（15分） 9、如图，水滴最高点距载玻片?=1200nm ，用λ=600nm 的光作为光源观察水滴，求：1）水滴上有几级亮纹？其最高级次亮纹距载玻片的高度为多少？水滴顶部的亮暗情况？2）如果将水滴逐渐压扁，其花纹的变化情况如何？其顶部的亮度变化如何？（15分） 10、在两偏振片间放入一厚度为10μm 的单轴晶体，其光轴与其表面平行，两偏振片偏振方向垂直，单轴晶体的光轴与其中一偏振片的偏振方向成45°，问：要使出射光干涉相长，单轴晶体至少磨薄多少？（入射光λ=600nm ，晶体n o =1.62（共4位，后面2位忘了），n e =1.4（共4位，后面3位忘了））。（15分） θ C v M θ ~ 光源水滴显微镜

复旦微电子综合帖

复旦微电子考研综合贴（一） - 看到不少讨论复旦微电子设计的，在此做个贴，不全或年代久远望见谅这些是转来的，在此先谢过各位好心的前辈。复旦微电子考研心得复旦的复试还是很公正的,复试的时候分了三个组,每组5个老师,4个设计1个工艺,4个设计包括模拟和数字的.先是英语听说,让你读一段专业英语,然后用英语总结,呵呵,说真的,那段英语我没看懂.然后让我用英语介绍下合肥,我又蒙了!英语测试后是专业测试,都是很基础的问题,不过范围很广,从模电,数电,到模拟设计,工艺,大家也不要怕,老师也知道你不怎么懂的,个人感觉我回答的不好.复试出来的时候,楸了一眼,足足记录了两页纸,老师对每一项都打分,感觉好象我说的每一句话,他们都记录下来了,感叹一下! 介绍下心得和情报吧！复旦没有想象的那么难，但也不简单。分析一下，复旦专业课最高分132，还是一个哈工大的人考的，所以专业课难大家都难，复旦的学生专业课上的优势没有想象的那么大，但同样不能忽视专业课的复习。考复旦，基础课一定要好，英语70+数学130+，专业课考个110左右，这样总分就差不多了。 1.复旦07年设计的复试线是343，比06年的369低了20多分吧！今年题目比较难。 2.大家不要轻信网上买的复旦资料，我买了一份，200块，拿到手一看一无是处，我复习的时候根本就没有看买的那些资料。 3.复试非常重要，今年有个360+的被刷了。专业背景很重要，所以不鼓励跨专业。下面谈谈专业课复习 1)模电看的是（童）的书，错误很多，我是都看完了，课后习题全做了。又听网上介绍买了一本清华出的习题集（唐竞新），作完后感觉没什么用处，题目重复很多，还超范围，可以说完全没必要买这本习题集。大家把童的书多看几遍就没问题了。今年听说复旦出了一本模电，没有看过，不评论。 2)数电看的是复旦的教材（陈光梦）和配套的教学参考，这本书写的非常不错，内容和讲解都很详细，错误只有一两处吧！课后习题当然是全做了，06年考了一个奇偶校验的题和课后习题很像，07年的题的解题思路和教学参考上讲的一样。读看几遍吧，基础差的可以找别的数电来加强一下。 3)集成电路部分说真的，这部分内容我还是不知道怎么考的，非常乱。06年出了一道VHDL 的题，07年一道版图，一点规律都摸不到。要说经验，先把考试大纲上要求的概念背下来吧，再看看CMOS，CMOS上的几个公式非常重要。07年模电部分的一道大题，差分放大，恒流源的电流没有直接给出来，而是用CMOS上的电流公式求解。解出来电流，整个题就非常简单了。题目很简单，但是没看过CMOS，电流不会求，这个题得不到分了。CMOS的内容还是有点多，我有复旦老师总结的10多页资料，记下来就好了。ASIC和数字电路设计就只有碰碰运气了，听听工大自己开的课。05年考的判断电路故障的一维通路敏化法，工大老师就讲过。

复旦大学微电子882半导体器件原理完整版

一．选择题１５＊６１。p＋－n结耗尽层宽度主要取决于：B Ａ：p＋区浓度Ｂ：n区的浓度Ｃ：p＋区和n区的浓度２。二极管正向阈值电压Ｖf：b Ａ：随温度升高而升高Ｂ：随温度升高而下降Ｃ：不随温度变化３。p－n结隧穿电压比雪崩击穿电压：B Ａ：来得大Ｂ：来得小Ｃ：在同一数量级上４。双极型晶体管共基极连接：Ａ：只有电流放大作用Ｂ：既有电流放大作用又有电压放大作用Ｃ：无电流放大有电压放大５。晶体管基区运输系数主要决定于：c Ａ：基区浓度Ｂ：基区电阻率和基区少子寿命Ｃ：基区宽度和基区少子扩散长度６。npn平面晶体管发射效率与发射区浓度关系；C Ａ：发射区浓度越高发射效率越高Ｂ：发射区电阻率越高发射率越高Ｃ：发射区浓度不能太高否则发射率反而下降７。电子迁移率等于１５００，４００Ｋ温度下其扩散系数为：B Ａ：３９Ｂ：５２Ｃ：７０８。题目给出mos结构的Ｑsc～ψs关系图，要求判断其衬底是什么型（n型，p 型，中性）９．理想的mos结构Ｃ～Ｖ关系图与实际的Ｃ～Ｖ关系图的差别是：Ａ：只有p型时，向负方向平移一段距离Ｂ：n型时向正方向平移一段距离Ｃ：向负方向平移一段距离，与类型无关１０．mos管＂缓变沟道近似＂是指：Ａ：垂直与沟道方向电场和沿沟道方向电场变化很慢Ｂ：沿沟道方向的电场变化很慢Ｃ：沿沟道方向的电场很小１１．mos工作时的沟道夹断点电压Ｖdsat：Ａ：与栅电压Ｖgs无关Ｂ：在长沟道与短沟道是不同Ｃ：始终等于Ｖgs－Ｖt １２．nos管体电荷变化效应是指；Ａ：衬源偏压Ｖbs对阈值电压Ｖt的影响Ｂ：沟道耗尽层受栅压Ｖgs影响而对电流Ｉds影响Ｃ：沟道耗尽层受栅压漏源电压Ｖds影响而对电流Ｉds影响１３．mos亚阈值电流的主要特征：具体选项没记下，主要是电流随Ｖgs指数变化，当Ｖds大于３ＫＴ／q时电流与Ｖds关系不大１４．nos管短沟道效应是指：

清华大学微电子本科生培养课程设置.

一、简介微纳电子系本科生一级学科名称为电子科学与技术,二级学科名称为微电子学。二、课程设置课程编号:30260093 课程名称:固体物理学课程属性:专业核心课开课学期:09秋任课教师:王燕内容简介:固体物理学是固体材料和固体器件的基础。该课程主要研究晶体的结构及对称性,晶体中缺陷的形成及特征,晶格动力学,能带理论的基础知识以及晶体中的载流子输运现象等。是微纳电子专业的核心课。课程编号:40260103 课程名称:数字集成电路分析与设计课程属性:专业核心课开课学期:09秋任课教师:吴行军内容简介:本课程从半导体器件的模型开始, 然后逐渐向上进行, 涉及到反相器, 复杂逻辑门 (NAND , NOR , XOR , 功能模块(加法器,乘法器,移位器,寄存器和系统模块(数据通路,控制器,存储器的各个抽象层次。对于这些层次中的每一层,都确定了其最主要的设计参数,建立简化模型并除去了不重要的细节。课程编号:40260173 课程名称:数字集成电路分析与设计(英课程属性:专业核心课开课学期:09秋任课教师:刘雷波

内容简介:数字集成电路的分析与设计,包括:CMOS 反相器、组合和时序逻辑电路分析与设计、算术运算逻辑功能部件、半导体存储器的结构与实现、互连线模型与寄生效应的分析。并介绍常用数字集成电路的设计方法和流程。课程编号:30260072 课程名称:微电子工艺技术课程属性:专业核心课开课学期:09秋任课教师:岳瑞峰内容简介:本课程授课目的是使学生掌握微电子制造的各单项工艺技术, 以及亚微米 CMOS 集成电路的工艺集成技术。本课程讲授微电子制造工艺各单项工艺的基本原理(包括氧化、扩散、离子注入、薄膜淀积、光刻、刻蚀、金属化工艺等,并介绍常用的工艺检测方法和 MEMS 加工技术、集成电路工艺集成技术和工艺技术的发展趋势等问题。另通过计算机试验,可学习氧化、扩散、离子注入等工艺设备的简单操作和模拟。课程编号:40260054 课程名称:半导体物理与器件课程属性:专业核心课开课学期:09春任课教师:许军内容介绍:主要讲授半导体材料的基本物理知识,半导体器件的工作原理以及现代半导体器件的新进展。主要内容包括:半导体中的电子态和平衡载流子统计,载流子的输运(非平衡载流子,产生和复合,载流子的漂移、扩散,电流连续性方程, PN 结二极管和双极型晶体管,场效应晶体管,半导体光电器件,纳电子器件基础。课程编号:40260033 课程名称:模拟集成电路分析与设计课程属性:专业核心课开课学期:09春任课教师:王自强

半导体物理50本书

半导体物理50本书 1、半导体激光器基础633/Q003 (日)栖原敏明著科学出版社;共立出版2002.7 2、半导体异质结物理211/Y78虞丽生编著科学出版社1990.5 3、超高速光器件9/Z043 (日)斋藤富士郎著科学出版社;共立出版2002.7 4、半导体超晶格物理214/X26夏建白，朱邦芬著上海科学技术出版社1995 5、半导体器件:物理与工艺6/S52 (美)施敏(S.M.Sze)著科学出版社1992.5 6、材料科学与技术丛书.第16卷,半导体工艺5/K035(美)R.W.卡恩等主编科学出版社1999 7、光波导理论与技术95/L325李玉权,崔敏编著人民邮电出版社2002.12 8、半导体光学性质240.3/S44沈学础著科学出版社1992.6 9、半导体硅基材料及其光波导571.2/Z43赵策洲电子工业出版社1997 10半导体器件的材料物理学基础612/C49陈治明，王建农著科学出版社1999.5 11、半导体导波光学器件理论及技术666/Z43赵策洲著国防工业出版社1998.6

12、半导体光电子学631/H74黄德修编著电子科技大学出版社1989.9 13、分子束外延和异质结构523.4/Z33 <美>张立刚，<联邦德国>克劳斯·普洛格著复旦大学出版社1988.6 14、半导体超晶格材料及其应用211.1/K24康昌鹤，杨树人编著国防工业出版社1995.12 15、现代半导体器件物理612/S498 (美)施敏主编科学出版社2001.6 16、外延生长技术523.4/Y28杨树人国防工业出版社1992.7 17、半导体激光器633/J364江剑平编著电子工业出版社2000.2 18、半导体光谱和光学性质240.3/S44(2)沈学础著科学出版社2002 19、超高速化合物半导体器件572/X54谢永桂主编宇航出版社1998.7 20、半导体器件物理612/Y75余秉才，姚杰编著中山大学出版社1989.6 21、半导体激光器原理633/D807杜宝勋著兵器工业出版社2001.6 22、电子薄膜科学524/D77 <美>杜经宁等著科学出版社1997.2 23、半导体超晶格─材料与应用211.1/H75黄和鸾，郭丽伟编著辽宁大学出版社1992.6 24、半导体激光器及其应用633/H827黄德修，刘雪峰编著国防

复旦大学普通物理实验期末真题1112

真题1112 第一循环随机误差 1. 满足正态分布要求的数据在正态概率纸上作图得到（）是个选择题答案有S型曲线直线什么的 2. 用100个数据作图，但分组时第4、6组有25个数据，第5组有16个数据，大概意思是有很多数据都骑墙了，处理方法错误的是（）（多选） A、测量200个数据 B、改进分组方法 C、舍去骑墙数据用备用数据填补 D、用单摆试验仪代替误差较大的秒表重新测量转动惯量 1. 外径和质量都相同的塑料圆体和金属圆筒的转动惯量哪个大 2. 载物盘转动10个周期时间为8.00s，放上物体后转动10个周期时间为1 3.00s，给出K值大小，求出物体的转动惯量碰撞打靶 1.给出x x` y m 算出碰撞损失的能量ΔE 2.选择题调节小球上细线的时候上下转轴有什么要求 A上面两个转轴平行 B下面两个转轴平行 C上面两个转轴平行且下面两个转轴平行 D只要碰撞后小球落在靶中轴线附近就可以第二循环液氮 1. 如果搅拌的时候量热器中的水洒出一些，求得的L偏大还是偏小还是不变 2. 操作正误的判断，选出错误的 A.天平上的盖子打开 B第二次白雾冒完了立刻记下此时的时间tc C、搅拌时把温度计倾斜搁置在量热器中而且不能碰到铜块 D倒入液氮之后立即测量室温表面张力 1. 选择：（顺序可能有点问题）A、水的表面张力比酒精的表面张力小 B、酒精的表面张力随着浓度的增大而减小 C、在液膜形成之前电表的示数一直增大 D、拉出液膜到破裂的过程中，电表的示数一直减小 2. 水的表面张力随温度上升而_____（变大、不变or变小）全息照相干板在各浓度溶液中的冲洗时间；干板药膜面正对还是背对硬币（这是其中两个选项）第三循环示波器 1.输入的信号为正弦波形，但是屏幕上只看到一条直线，可能的原因 A、按下了接地按钮 B、AC\DC档中选了DC档位 C、Volts/DEC衰减过大 D、扫描速度过快 2．给出一个李萨如图形和X轴信号频率，求Y轴信号频率直流电桥 1. 要测量一个1000欧姆的电阻，如何选择RA/RB的值和RA的值使得不确定度减小（选择题） 2.选择题判读正误：a.调节Rs，指到零说明电桥平衡。b.调节检流计灵敏度，指到零说明电桥平衡。c。Rs一定，调节Ra和Rb可以达到电桥平衡。d。Ra一定，调节Rs和Rb可以达到电桥平衡。二极管 1.定值电阻与滑动变阻器的阻值的比，问什么情况下最接近线性

清华考研辅导班-2020清华大学832半导体器件与电子电路考研真题经验参考书

清华考研辅导班-2020清华大学832半导体器件与电子电路考研真题经验参考书清华大学832半导体器件与电子电路考试科目，2020年初试考试时间为12月22日下午14:00-17:00进行笔试，清华大学自主命题，考试时间3小时。一、适用院系及专业清华大学026微电子与纳电子学系085400电子信息专业学位二、考研参考书目清华大学832半导体器件与电子电路2019年没有官方指定的考研参考书目，盛世清北根据专业老师指导及历年考生学员用书，推荐使用如下参考书目：《电子线路基础》高教出版社，1997 高文焕，刘润生《数字电子技术基础》高等教育出版社，第4版阎石《半导体物理与器件》（第三版）电子工业出版社，ISBN: 7-121-00863-7 (美) Donald A. Neamen著; 赵毅强, 姚素英, 谢晓东等译盛世清北建议：参考书的阅读方法目录法：先通读各本参考书的目录，对于知识体系有着初步了解，了解书的内在逻辑结构，然后再去深入研读书的内容。体系法：为自己所学的知识建立起框架，否则知识内容浩繁，容易遗忘，最好能够闭上眼睛的时候，眼前出现完整的知识体系。问题法：将自己所学的知识总结成问题写出来，每章的主标题和副标题都是很好的出题素材。尽可能把所有的知识要点都能够整理成问题。三、考研历年真题 2018年清华大学832半导体器件与电子电路考研真题（回忆版）今年的题整体来看与往年风格略不同半器四道题证明费米能级给半导体掺杂浓度算内建电场，画载流子分布画n+n结的能带图计算接触电势老生常谈的mos管电流计算

数电4道题给真值表化简并画电路图 3-8译码＋数据选择器的真值表求一个组合逻辑的表达式并画状态转换图最要吐槽的就是这个！流水线给延时求周期模电也与往年风格略不同 3道题分别是电流镜、集成运放以及波特图。 2010年清华大学832半导体器件与电子电路考研真题（回忆版）选择天空全是半导体与电子器件的概念大题： 1、算二极管参数 2、算MOS阈值电压 3、MOS放大2级算静态工作电流电压增益米勒电容去零点电阻 4、负反馈 5、集成预防搭电路 6、二进制数反补原+ 运算 7、卡诺图 8、2个电阻2个非门组合问工作原理电压传输曲线正负阈值电压 9、D触发器时序图 10、画COMS 异或门盛世清北建议：认真分析历年试题，做好总结，对于考生明确复习方向，确定复习范围和重点，做好应试准备都具有十分重要的作用。分析试题主要应当了解以下几个方面：命题的风格（如难易程度，是注重基础知识、应用能力还是发挥能力，是否存在偏、难、怪现象等）、题型、题量、考试范围、分值分布、考试重点、考查的侧重点等。考生可以根据这些特点，有针对性地复习和准备，并进行一些有针对性的练习，这样既可以检查自己的复习效果，发现自己的不足之处，以待改进；又可以巩固所学的知识，使之条理化、系统化。四、全年复习规划

第2章-清华大学半导体物理与器件

1 第二章半导体中的电子状态要求：掌握能带、有效质量和空穴的概念、常见半导体的能带结构、杂质能级。纲要 ?半导体中的电子状态和能带的概念?半导体中电子在外力下的运动，有效质量?材料导电性的差别（半导体如何导电）?空穴的概念 ?常见半导体的能带结构（结论性知识）?杂质和缺陷能级

2 其中布洛赫波为一个被周期函数u k (r )所调制的平面波。电子的空间分布几率|Ψ*Ψ|=|u *u |是晶格的周期函数。 u k (r )反映电子在原胞内的运动。e ik·r 反映电子在整个晶体中的共有化运动（如何理解？）。 §2.1 半导体中的电子状态和能带（复习）布洛赫波采用单电子近似，在晶体的周期场中，电子的波函数为布洛赫波函数：（a n 为任意晶格矢） r k i k k e r u r v v v v v v ?=)()(ψ)()(n k k a r u r u v v v v v +=

3 半导体能带的两种处理方法（半导体中的电子介于自由和强束缚之间） 1、近自由电子近似：从自由出发，加束缚条件 2、紧束缚近似：从束缚出发，减弱束缚 ?电子在原胞中不同位置上出现的几率不同(归一化)。 ?电子在不同原胞的对应位置出现的几率相同（几率能否叠加？），真正反映电子的共有化运动。?如何理解电子的宏观运动？电子的波函数几率和统计力学得到电子空间分布的变化，电子空间分布变化表现为宏观的电子运动。

4 例：Si(金刚石结构）能带的形成(SP 3杂化和电子占据能态情况) 1、能级数目； 2、能级间隔； 3、电子不再是局域的。

5 轨道杂化和电子占据情况：价带完全填满；导带没有电子。

复旦大学普通物理实验期末真题1006.

真题1006 一、随机误差正态分布 1、下列说法错误的是( A、测单摆周期应以最高点为起点 B、测单摆周期应以最低点为起点 C、 D、累计频率曲线允许两端误差较大 2、如何避免数据骑墙,错误的是:((多选 A、重新分组; B、 C、归于前一组,最后一组归于其自身; D、归于后一组,最后一组归于其自身; 二、碰撞打靶 1、求碰撞球高度h0的公式:( A、h0=(x2+y2/4y B、 C、h0=(x2+y/4y D、h0=(x2+4y/4y

2、操作没有错误,但是修正了4、5次都一直达不到十环(小于10环且靠近轴线,不可能的原因是( A、碰撞点高于被碰球中心 B、碰撞点低于被碰球中心 C、被碰球与支撑柱有摩擦 D、线没有拉直三、液氮比汽化热 1、Q等于( A、水从t2升高到t3吸收的热 B、铜柱从t2降到液氮温度放出的热 C、铜柱从室温降到液氮温度放出的热 D、铜柱从t3上升到t1吸收的热 2、测得mN偏小的原因((多选 A、有水溅出 B、瓶口结冰 C、记录tb的时间晚了 D、铜柱在转移时吸热了四、全息照相 1、实验装置的摆放顺序(

A、电子快门—反光镜—扩束镜—小孔 B、电子快门—反光镜—小孔—扩束镜 C、反光镜—电子快门—小孔—扩束镜 D、反光镜—电子快门—扩束镜—小孔 2、下列说法正确的是((多选 A、有胶剂的一面对光,看到实像 B、有胶剂的一面对光,看到虚像 C、有胶剂的一面背光,看到实像 D、有胶剂的一面背光,看到虚像五、示波器 1、给你一幅图,问fx/fy=((就是考和切点的关系 2、衰减20db,测得x轴5.00,档位2ms/div;y轴4.00,档位0.1v/div,求频率(和电压( 六、二极管 1、正向导通时是(,反向导通时((填内接或外接 2、已知电压表内阻Rv,电流表内阻RA,测量值R,则内接时真实值是(,外接时真实值是(。七、RLC电路 1、给你一幅图(两条谐振曲线,一条较高较窄的标有Ra,另一条Rb,问Ra、Rb 的大小关系,问Qa、Qb 的大小关系;

材料工程领域-复旦大学材料科学系

复旦大学材料工程领域介绍复旦大学“材料工程”领域工程硕士专业面向以微电子与集成电路制造、平板显示制造、新材料生产与研发为主要发展方向的高新技术产业、科研机构等实际应用部门，为其培养具有创新能力、研发能力和管理能力的综合型高级人才。学生通过2.5-5年的专业学习，毕业后具有承担高新技术研发，高科技管理等部门相关工作的能力；并具有自身发展的潜力。经国务院学位委员会办公室批准（（2002）39号文件），复旦大学自2002年起招收“材料工程”领域工程硕士专业学位研究生。集成电路制造与微分析本专业方向着重培养学生微电子器件工艺与集成、新型电子封装材料和失效分析等方面的创造能力。集成电路技术已进入深亚微米的制造领域，本专业培养适应信息产业集成电路制造和电子封装技术中需要的高技术人才。集成电路制造包括研究超大规模集成电路等微电子器件的新工艺；新型固体器件结构的研究、分析和模拟；集成电路的可靠性物理；IC制造业的质量管理；集成电路和微器件的设计制造、分析以及电子材料微结构分析。主要专业课程：深亚微米IC工艺集成、半导体物理和器件物理、集成电路分析和设计、电子材料分析、半导体材料、微电子器件可靠性物理、电子封装材料与工艺、电子电路设计与分析等。新材料与技术本专业方向主要涉及新材料的设计与制备、成型与加工、结构与性能、表征与分析以及服役性能的模拟与评价等。下设五个研究方向：复合材料、先进涂料技术、材料失效分析、发光材料及能源材料。强调新材料与现代化学的结合、新材料与工程应用的相互渗透，培养学生具有宽广的知识面和解决工程实际问题的能力，并具备独立研发新材料的综合技能。主要专业课程：材料化学（II）、聚合物物理（II）、聚合物材料合成与应用、涂料技术基础课、科技创新与战略管理、材料失效分析、腐蚀与防腐等。薄膜与显示材料本专业方向主要涉及薄膜与显示材料的制备、加工、结构性能表征以及模拟与评价等。包括以下几个研究方向：透明导电薄膜；纳米光电功能薄膜；信息功能薄膜；染料敏化太阳能电池；有机电致发光材料；电子发光显示和液晶显示材料。着重培养学生在薄膜与显示材料领域的专业理论知识和研究技能，为学生薄膜材料与器件、发光材料与器件方面打下扎实的基础，从而成为薄膜和显示材料技术领域具有创新能力、研发能力和管理能力的综合型高级人才。

清华大学微纳电子系课程

微电子与纳电子学系 00260011 晶体管的发明和信息时代的诞生 1学分 16学时 The Invention of Transistors and the Birth of Information Age 晶体管的发明，是二十世纪最重要的科技进步。晶体管及以晶体管核心的集成电路是现代信息社会的基础，对社会的进步起着无以伦比的作用。晶体管的发明，源于19世纪末20世纪初物理学、电子学以及相关技术科学的迅速成熟。晶体管的发明造就了一大批物理学家、工程师。晶体管的发明，也随之产生了许多著名的研究机构与重要的公司，如贝尔实验室、仙童公司、Intel等都与晶体管的发明密切相关。“以铜为鉴，可正衣寇；以古为鉴，可知兴替；以人为鉴，可明得失”。晶体管发明作为现代科技史上的重大事件发生过鲜为人知的重要经验和教训，涉及科研管理、人才和科学方法等诸多方面，可以从成功和失败两个方面为后人提供十分重要的借鉴与启示。本课程试图从晶体管的发明到信息社会的诞生，探讨技术革命和创新的方向，为大学低年级学生将来从事科学研究建立正确的思想观。所讨论的课题包括，科学预见和准确选题的重要性、科学研究的方法、放手研究的政策、知人善任和合理配备专业人才等。 00260051 固体量子计算器件简介 1学分 16学时 Introduction to solid-state quantum computing devices 作为量子力学和信息学的交叉，量子信息学是最近二十多年迅速发展起来的新兴学科，量子信息处理技术能够完成许多经典信息技术无法实现的任务。比如，一旦基于量子信息学的量子计算机得以实现，其在几分钟内就可解决数字计算机几千年才能解决的问题，那么用它就可及时地破解基于某些数学问题复杂性假定之上的传统保密通信的密钥，从而对建立于经典保密系统行业的信息安全构成根本性的威胁。这种新兴技术的实现可以直接地应用于国防，政治，经济和日常生活。本课程在此大的学术背景下展开，主要介绍最有希望成为量子比特的固体量子相干器件的基本原理和目前的研究状况，以及如何用这些器件实现量子计算。 00260061 量子信息处理的超导实现 1学分 16学时 Quantum information process and its implemention with superconducting devices 基于半导体集成电路的经典信息处理技术已渗透到我们生活的各个方面，信息处理器件，例如个人电脑和手机，为我们生活质量的提高提供了强有力的技术支持。但是经典信息处理技术的继续发展面临着技术上的瓶颈，其性能很难在现有技术路线上继续提高。一种新型的完全基于量子力学原理的量子信息处理技术，有望提高信息处理的效率并解决一些经典信息处理技术无法解决的问题。量子信息处理技术的成功实施，将为我们提供绝对保密的量子通信技术和高效的量子计算机。本课程将学习量子信息处理的基本原理；超导材料的基本特性以及利用超导器件实现量子信息处理的原理与方法。通过文献调研和小组讨论等方式了解利用超导器件实现量子信息处理的最新进展和面临的挑战，探讨可能的解决方案。 00260071 智能传感在社会生活中的应用 1学分 16学时 Smart Sensing in Social Activities 智能传感已经深入到社会生活的每个领域，深刻地影响着我们的社会组织方式和行为方式。本课程采用视频、图片等多媒体方式，以活泼生动地方式，向具有不同专业背景的学生深入浅出地讲述智能传感器及其在社会和生活中的应用。例如，在文化与智能传感器章节中，结合大家熟知的电影形象《指环王》中的“咕噜”，介绍智能运动传感器在电影制作中的应用；结合《机械战警》中的形象，介绍脑机接口传感器在脑神经科学研究及帕金森症等疾病治疗中的应用。在传感器与智能交通章节中，介绍汽车中种类繁多的传感器对未来无人驾驶汽车的作用。在传感器与智能家居章节中，介绍iphone手机中集成的多种传感器，及其功能扩展。在传感器与现代国防章节中，结合南斯拉夫亚炸馆事件，介绍控制炸弹穿透多层建筑后再爆炸的

复旦大学基础物理实验理论知识复习

一、什么是普通物理实验？ ?最基本的物理实验，包括力、热、电、光及近代物理实验 ?理科、工科、医科各专业都普遍要做的物理实验。二、物理实验对物理学在其他学科中应用的意义 ?材料：物性测试、新材料的发现、制备 ?化学：光谱分析、放射性测量、激光分离同位素 ?生物：各类显微镜（光学显微镜、电子显微镜、X光显微镜、原子力显微镜），DNA 操纵、切割、重组以及双螺旋结构的分析 ?医学：诊断――X光、CT、核磁共振、超声波治疗――放射性、激光、微波、γ刀结论：物理实验是物理学在其他学科中应用的桥梁。第二章：实验数据的处理一、为什么要处理数据？ 1、大多物理规律是用物理量之间的定量关系来表述的。 2、实验得到的数据只有经过正确的处理才能得到公认的、合理的结论。二、误差分析与不确定度评定 ?测量——测量者采取某种测量方法用某种测量仪器将待测量与标准量进行比较。（质量、长度、体积） ?误差——测量值与真值的差 ?误差的成因： 1.测量方法（伏安法测电阻、热电偶测温度） 2.测量者（经验、估读、疏忽） 3.测量仪器及标准量（定标、环境、时效） ?误差分析的重点在测量方法（体温计、单摆测g）。 ?测量者的估读、仪器和标准量的不确定程度是可以用一定的方法评定的，称为“不确定度评定”。三、关于测量不确定度的评定方法 ?不确定度----被测量分散性的表征。 ?分为两类： A类---由多次测量统计分析评定的不确定度 B类---其他方法评定的不确定度 1）A类不确定度的评定方法: 对待测量x 进行n 次全同测量：测量次数n 越多，u A 越小。一般可在科学型计算器上直接得出计算结果。

这群复旦电工人,毕业后就这么浪了三十年!

这群复旦电工人，毕业后就这么浪了三十年！三十年前三十年后▼82级电工校友30年后再聚首忆往昔峥嵘岁月2016年9月23日，时隔三十年，作为复旦的第一届电子工程系学生，1982级电子工程系的校友们重回母校。在重聚的座谈会上，常务副校长包信和、信息学院书记汪源源、微电子学院常务副院长张卫及副院长闵昊等校领导和院领导，以及信息学院的任课老师同82级的校友们共同追忆复旦青葱的岁月，一齐分享30年事业的苦与乐。文刘畅、李智展叶甜春（右）叶甜春：复旦微电子应该是一支国家队中国科学院微电子研究所所长叶甜春一直很关心复旦微电子的发展，作为中科院微电子所的所长，他多次强调中科院微电子所要做“不辱使命的国家队”，而谈及复旦微电子的定位，他认为，“复旦微电子也应该是一支国家队，要在国家层面发挥引领作用。”叶甜春列举了复旦微电子所占据的天时地利人和：首先，复旦微电子历史悠久。1956年中央倡导发展半导体技术，由谢希德先生和黄昆先生（并称“北黄南谢”）牵头，五校联办我国第一届半导体器件短期培训班，我国半导体学科由此发端。同年，由谢希德创立半导体物理专业，复旦微电子由此肇始，同根同源。

其次，复旦微电子人才聚集。很多优秀的人才进入到这个专业，行业内也有很多复旦系的领军人物、专家、企业家发挥巨大的作用。最后，从地域上讲，上海是国家集成电路产业的重心，从制造到设计，上海都是最大的一块，而复旦在该区域的中心，有得天独厚的优势。“就像斯坦福大学在硅谷的地位，复旦也应该树立这样的地位。应该站在顶端，站在第二层次都不对。”叶甜春说。虽然有国家需求和产业需求，但叶甜春认为，复旦微电子不能只瞄准产业运作。“因为毕竟是大学，大学要突出创新。”叶甜春强调了他的“未知赛道”理论：微电子产业是未知赛道的赛跑，不同于“赛车”“马拉松”这种已知赛道的竞争，“你跟在人家后面你会发现，前面的路他看不清楚，你也看不清楚，这个时候需要创新，大学很有必要做探索性、试错性的研究。”2013年，复旦大学微电子学院成立，叶甜春认为，微电子学科有必要作为一个独立学院，但更要“开放的办”。“微电子是一个基础性学科，和所有学科发展都有关系，需要和材料、物理结合，也要和计算机科学、软件科学结合。要面向新能源、电动车、移动通讯等产业，甚至瞄向物联网。” 老龄化社会到来以后，社会的服务和管理需要更高的技术手段，全面的信息化时代的核心就是从数字化到智能化。叶甜春说，“最核心就是两个东西：硬件，载体是芯片；软件，也

chapt1-清华大学半导体物理

半导体物理与器件Semiconductor Physics and Devices 邓宁田立林 2006.3

邓宁清华大学微电子所器件室。微电子所新所器件室302#电话：62789151（或62789147）转302 Email：ningdeng@https://www.360docs.net/doc/8c9738157.html, 田立林清华大学微电子所CAD室。东主楼九区一楼116# 电话：62773315 Email：tianlilin@https://www.360docs.net/doc/8c9738157.html,.ch 助教博士生张艳红31# 703 电话：62777761 Email: zhangyanhong03@https://www.360docs.net/doc/8c9738157.html, 伍建峰紫荆公寓1313A电话：51537212 Email：wujf05@https://www.360docs.net/doc/8c9738157.html,

答疑每周一次。时间待定。东主楼九区115# 作业（20%）周二交作业。注重对概念的理解。课堂练习和讨论 2次。考试期中考试第9周，期末考试在17周。开卷。成绩评定作业20%，期中考试40％，期末考试40%。

课本: 1. “半导体物理学” 顾祖毅、田立林、富力文，电子工业出版社 2. ‘Fundamentals of semiconductor devices’ Betty Lise Anderson & Richard L. Anderson 影印本，清华大学出版社参考书：1.“半导体器件基础”中译本著者：Robert F. Pierret 电子工业出版社

引言 ?微电子学的知识体系和本课程的结构?什么是半导体器件？ ?本课程的特点和学习方法 ?主要内容和学时安排 ?微电子技术发展的历史回顾

复旦大学杜四德普通物理B名词解释较完整版

第一章运动学 1.绝对时空观：（经典力学时空观、牛顿时空观）：时空概念起源于运动，又超脱于运动，而成为独立的两个量，用以描述运动。 2.质点：物体的点模型，将有形有状的物体抽象为一个有质量的点。 3.质心：物体（系统）的质量分布中心。 4.自然坐标系：若质点的轨道是已知曲线，在轨道上任选一点O为原点，把轨迹看作一条有向曲线，以原点到质点的路径长度S作为指点的位置坐标。 5.角速度：描述转动快慢的物理量。 6.开普勒行星三定律： ①第一定律（轨道定律）：所有行星分别在大小不同的椭圆轨道上围绕太阳运动，太阳位于椭圆的一个焦点上； ②第二定律（面积定律）：每一行星的矢径（行星中心到太阳中心的连线）在相等的时间内扫过相等的面积； ③第三定律（周期定律）：所有的行星的轨道的半长轴的三次方跟公转周期的二次方的比值都相等。 7.惯性：物体自身具有使它的运动状态保持不变的属性。 8.惯性系（马赫）：相对整个宇宙（或说整个物质分布）的平均价速度为0的参照系。 9.伽利略相对性原理（力学相对性原理）：牛顿运动定律包括从它导出的各种力学定理在所有的惯性系中都有相同的形式，即力学规律对一切惯性系都是等价的。 10.*伽利略变换：假定找到一个惯性系S，那么按照马赫定义（物质速度与音速的比值），另一惯性系S’只能相对于S系做匀速直线运动。 11.动量：描述质点运动性质的量，反应的是质点的打击本领。（力是物体间交换动量的一种表现形式） 12.动量守恒定律：若F u （e）=0（u=x,y,z），则I（e）为0，P为常数。 13.质心运动定理：质心加速度a c 与作用在体系上所有外力的矢量和F 外成正比，与体系的总质量M成反比，a c 的方向与F 外的方向一致。 14.质点的角动量：在惯性参照系中，一个动量为P的质点相对于某一固定点O 的角动量L的定义为L=r×P=r×mv。