三星FLASH命名规则SAMSUNG

NAND Flash Code Information(1/3)
Last Updated : July 2006
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1. Memory (K) 2. NAND Flash : 9 3. Small Classification (SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell, SM : SmartMedia, S/B : Small Block) 1 : SLC 1 Chip XD Card 2 : SLC 2 Chip XD Card 4 : SLC 4 Chip XD Card 5 : MLC 1 Chip XD Card 6 : MLC 2 Chip XD Card 7 : MLC 4 Chip XD Card A : SLC + Muxed I/F Chip B : Muxed I/ F Chip D : SLC Dual SM E : SLC DUAL (S/B) F : SLC Normal G : MLC Normal H : MLC QDP J : Non-Muxed One Nand K : SLC Die Stack L : MLC DDP M : MLC DSP N : SLC DSP Q : 4CHIP SM R : SLC 4DIE STACK (S/B) S : SLC Single SM T : SLC SINGLE (S/B) U : 2 STACK MSP V : 4 STACK MSP W : SLC 4 Die Stack 4~5. Density 12 : 512M 32 : 32M 64 : 64M 2G : 2G AG : 16G DG : 128G
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6~7. Organization 00 : NONE 16 : x16 8. Vcc A : 1.65V~3.6V C : 5.0V (4.5V~5.5V) E : 2.3V~3.6V Q : 1.8V (1.7V ~ 1.95V) U : 2.7V~3.6V W : 2.7V~5.5V, 3.0V~5.5V 9. Mode 0 : Normal 1 : Dual nCE & Dual R/nB 3 : Tri /CE & Tri R/B 4 : Quad nCE & Single R/nB 5 : Quad nCE & Quad R/nB 9 : 1st block OTP A : Mask Option 1 L : Low grade 10. Generation M : 1st Generation A : 2nd Generation B : 3rd Generation C : 4th Generation D : 5th Generation
08 : x8
B : 2.7V (2.5V~2.9V) D : 2.65V (2.4V ~ 2.9V) R : 1.8V (1.65V~1.95V) T : 2.4V~3.0V V : 3.3V (3.0V~3.6V) 0 : NONE
16 : 16M 40 : 4M 80 : 8M 4G : 4G BG : 32G ZG : 48G
28 : 128M 56 : 256M 1G : 1G 8G : 8G CG : 64G 00 : NONE
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Part Number Decoder
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NAND Flash Code Information(2/3)
Last Updated : July 2006
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14. Bad Block B : Include Bad Block D : Daisychain Sample L : 1~5 Bad Block N : ini. 0 blk, add. 10 blk S : All Good Block 0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exception handling code)
11. "─" 12. Package A : COB C : CHIP BIZ E : TSOP1 (Lead-Free, 1217) F : WSOP (Lead-Free) H : TBGA (Lead-Free) I : ULGA (Lead-Free) K : TSOP1 (1217) P : TSOP1 (Lead-Free) Q : TSOP2 (Lead-Free) R : TSOP2-R T : TSOP2 V : WSOP Y : TSOP1
B : TBGA D : 63-TBGA G : FBGA J : FBGA (Lead-Free)
S : SMART MEDIA U : COB (MMC) W : WAFER
15. Pre-Program Version 0 : None Serial (1~9, A~Z)
13. Temp C : Commercial I : Industrial S : SmartMedia B : SmartMedia BLUE 0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exception handling code) 3 : Wafer Level 3
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Part Number Decoder
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NAND Flash Code Information(3/3)
Last Updated : July 2006
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16. Packing Type - Common to all products, except of Mask ROM - Divided into TAPE & REEL(In Mask ROM, divided into TRAY, AMMO Packing Separately) Divide Component Packing Type TAPE & REEL Other ( Tray, Tube, Jar ) Stack Component ( Mask ROM ) Module TRAY AMMO PACKING MODULE TAPE & REEL MODULE Other Packing T 0 ( Number) S Y A P M New Marking
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17~18. Customer "Customer List Reference"
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系统定制教学文案

ARM系统定制以下是个人理解，经过看PPT，查课本，pdf，还有上网查阅总结得来，仅作参考。简述：系统定制的本质就是为新开发的硬件（开发板）定制软件系统。共分两大部分：一：系统裁剪二：系统移植 1、先说系统裁剪，首先ARM开发板本身的体系结构决定了，不同系列不同版本的ARM 可以共用（兼容）大部分的boot和内核代码，所以只需要在最相近的版本的软件系统稍作修改并测试成功就可以直接移植了，当然，如果整个软件系统打算亲手写的话，那就可以无视系统裁剪这个环节了（老师说这个基本上没有人写得出来）。具体的裁剪过程稍后讲述。 2、系统移植，就是把裁剪后可以运行在开发板上的软件系统烧写到板子中。这就需要了解arm中的存储体系，arm的总线结构，arm的串口等等。具体烧写过程稍后讲述。第一章：系统裁剪 1、系统裁剪之前，我们需要知道要裁剪哪些东西。这就需要了解ARM的整个软件系统，开发板从上电启动到最后进入操作系统界面之间的流程依次是：boot （uboot），kernel （内核），fs（文件系统,也在内核中），驱动程序（动态加载到内核，部分也已在内核中编译好）。一、首先是uBoot流程分两个阶段（uboot 的源码在解压后的uboot-2010.02-me下，其中第一阶段在/cpu/arm920t的start.s 和board/smdk2440 的lowlevel_init.s中，第二阶段在lib_arm/board.c 的start_armboot函数中，有兴趣的可以去看一看）第一阶段：为自身准备（配置）硬件环境。主要操作有：(代码在/cpu/arm920t的start.s) 1、关闭看门狗（W ATCHDOG），就是把WTCON寄存器写0。（ldr r0, =pWTCON，mov r1, #0x0，str r1, [r0]）。 2、关中断，配置各个中断控制寄存器的值。设置CPU为特权模式svc ，通过cpsr寄存器设置。（代码不列出来了，后面的代码都可以在starts.s文件中去看） 3、设置CPU的时钟频率（时钟分频），配置FCLK（cpu的频率）,HCLK（内部AHB 总线频率）,PCLK（外围APB总线频率）, 比例为1:4:8。 4、配置SDRAM，为本身准备内存空间。配置内存空间（页表），设置堆栈。（通过调用）（通过调用lowlevel_init 函数，函数实现在board/smdk2440的lowlevel_init.s中） 5、配置NAND/NOR flash驱动，主要是nand_read ，nand_write的实现。第二阶段：为内核准备（配置）环境。（代码lib_arm/board.c 的start_armboot函数中） 1、初始化本阶段的硬件设备：关闭MMU和数据CACHE。设置CPU寄存器。R0 =0 R1 = 机器ID。R2 = 启动参数表在RAM中的起始地址。

电容的型号命名

电容的型号命名 1）各国电容器的型号命名很不统一，国产电容器的命名由四部分组成：第一部分：用字母表示名称，电容器为C。第二部分：用字母表示材料。第三部分：用数字表示分类。第四部分：用数字表示序号。 2）电容的标志方法：（1）直标法：用字母和数字把型号、规格直接标在外壳上。（2）文字符号法：用数字、文字符号有规律的组合来表示容量。文字符号表示其电容量的单位：P、N、u、m、F等。和电阻的表示方法相同。标称允许偏差也和电阻的表示方法相同。小于10pF的电容，其允许偏差用字母代替：B——±0.1pF，C——±0.2pF，D——±0.5pF，F——±1pF。（3）色标法：和电阻的表示方法相同，单位一般为pF。小型电解电容器的耐压也有用色标法的，位置靠近正极引出线的根部，所表示的意义如下表所示：颜色黑棕红橙黄绿蓝紫灰耐压4V 6.3V 10V 16V 25V 32V 40V 50V 63V 15）安规电容是指用于这样的场合，即电容器失效后，不会导致电击，不危及人身安全. 安规电容安全等级应用中允许的峰值脉冲电压过电压等级（IEC664） X1 >2.5kV ≤4.0kV Ⅲ X2 ≤2.5kV Ⅱ X3 ≤1.2kV —— 16）安规电容安全等级绝缘类型额定电压范围 Y1 双重绝缘或加强绝缘≥250V Y2 基本绝缘或附加绝缘≥150V ≤250V Y3 基本绝缘或附加绝缘≥150V ≤250V Y4 基本绝缘或附加绝缘<150V Y电容的电容量必须受到限制，从而达到控制在额定频率及额定电压作用下，流过它的漏电流的大小和对系统EMC性能影响的目的。GJB151规定Y电容的容量应不大于0.1uF。Y电容除符合相应的电网电压耐压外，还要求这种电容器在电气和机械性能方面有足够的安全余量，避免在极端恶劣环境条件下出现击穿短路现象，Y电容的耐压性能对保护人身安全具有重要意义安规电容的参数选择 X电容，聚苯乙烯（薄膜乙烯）电容，从上面的贴子里也可以看到，聚苯乙烯的耐电压较高，适合EMI 电路的高压脉冲吸收作用。 2.容量计算：一般两级X电容，前一级用0.47uF,第二基用0.1uF；单级则用0.47uF.目前还没有比较方便的计算方法。（电容容量的大小和电源的功率无直接关系）电容的型号命名：

51单片机命名规则

51单片机命名规则 89C51 8代表8位单片机 9代表falsh存储器，此位置为0代表无rom，7代表eprom存储器 c代表CMOS工艺，此位置为S代表ISP编程方式 1代表片内程序存储器容量，容量大小对应为该位数字*4KB 89C52:8KB容量 at89s51_&_stc89c51命名规则本文介绍了最常见的两种厂家的单片机的命名规则. 以后见了stc和atmel的单片机看看型号就知道,什么配置了. 先说ATMEL公司的AT系列单片机 89系列单片机的型号编码由三个部分组成，它们是前缀、型号和后缀。格式如下： AT89C XXXXXXXX其中，AT是前缀，89CXXXX是型号，XXXX是后缀。下面分别对这三个部分进行说明，并且对其中有关参数的表示和意义作相应的解释。 (l)前缀由字母“AT”组成，表示该器件是ATMEL公司的产品。 (2)型号由“89CXXXX”或“89LVXXXX”或“89SXXXX”等表示。 “89CXXXX”中，9是表示内部含Flash存储器，C表示为CMOS产品。 “89LVXXXX”中，LV表示低压产品。 “89SXXXX”中，S表示含有串行下载Flash存储器。

在这个部分的“XXXX”表示器件型号数，如51、1051、8252等。 (3)后缀由“XXXX”四个参数组成，每个参数的表示和意义不同。在型号与后缀部分有“—”号隔开。后缀中的第一个参数X用于表示速度，它的意义如下： X＝12，表示速度为12 MHz。X＝20，表示速度为20 MHz。 X＝16，表示速度为16 MHz。X＝24，表示速度为24 MHz。后缀中的第二个参数X用于表示封装，它的意义如下： X＝D，表示陶瓷封装。X＝Q，表示PQFP封装。’ X＝J，表示PLCC封装。X＝A，表示TQFP封装。 X＝P，表示塑料双列直插DIP封装。X＝W，表示裸芯片。 X＝S，表示SOIC封装。后缀中第三个参数X用于表示温度范围，它的意义如下： X＝C，表示商业用产品，温度范围为0～十70℃。 X＝I，表示工业用产品，温度范围为—40～十85℃。 X＝A，表示汽车用产品，温度范围为—40～十125℃。 X＝M，表示军用产品，温度范围为—55～十150℃。后缀中第四个参数X用于说明产品的处理情况，它的意义如下： X为空，表示处理工艺是标准工艺。 X＝／883，表示处理工艺采用MIL—STD—883标准。例如：有一个单片机型号为“AT89C51—12PI”，则表示意义为该单片机是ATMEL公司的Flash 单片机，内部是CMOS结构，速度为12 MHz，封装为塑封DIP，是工业用产品，按标准处理工艺生产。国产stc单片机.我现在使用的就是stc 89C52RC-40C-PDIP可以看出 52内核,512字节RAM ,最大工作在40MHZ下,脚双列直插式封装形式,商业级. 4.1.1 MCS-51系列和80C51系列单片机

nandflash命名规则大全(三星,海力士,美光)

NAND Flash Code Information(1/3)
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1. Memory (K) 2. NAND Flash : 9 3. Small Classification (SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell, SM : SmartMedia, S/B : Small Block) 1 : SLC 1 Chip XD Card 2 : SLC 2 Chip XD Card 3 : 4bit MLC Mono 4 : SLC 4 Chip XD Card 5 : MLC 1 Chip XD Card 6 : MLC 2 Chip XD Card 7 : SLC moviNAND 8 : MLC moviNAND 9 : 4bit MLC ODP A : 3bit MLC MONO B : 3bit MLC DDP C : 3bit MLC QDP F : SLC Normal G : MLC Normal H : MLC QDP K : SLC Die Stack L : MLC DDP M : MLC DSP N : SLC DSP O : 3bit MLC ODP P : MLC ODP Q : SLC ODP R : MLC 12-die stack S : MLC 6 Die Stack T : SLC SINGLE (S/B) U : MLC 16 Die Stack W : SLC 4 Die Stack 4~5. Density 12 : 512M 32 : 32M 64 : 64M 2G : 2G AG : 16G DG : 128G GG : 384G NG : 96G
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6. Technology 0 : Normal (x8) C : Catridge SIP M : moviNAND P : moviMCP Z : SSD 7. Organization 0 : NONE 6 : x16
1 : Normal (x16) D : DDR N : moviNAND FAB T : Premium eSSD
8 : x8
8. Vcc A : 1.65V~3.6V B : 2.7V (2.5V~2.9V) C : 5.0V (4.5V~5.5V) D : 2.65V (2.4V ~ 2.9V) E : 2.3V~3.6V R : 1.8V (1.65V~1.95V) Q : 1.8V (1.7V ~ 1.95V) T : 2.4V~3.0V S : 3.3V (3V~3.6V/ VccQ1.8V (1.65V~1.95V) U : 2.7V~3.6V V : 3.3V (3.0V~3.6V) W : 2.7V~5.5V, 3.0V~5.5V 0 : NONE 9. Mode 0 : Normal 1 : Dual nCE & Dual R/nB 3 : Tri /CE & Tri R/B 4 : Quad nCE & Single R/nB 5 : Quad nCE & Quad R/nB 6 : 6 nCE & 2 RnB 7 : 8 nCE & 4 RnB 8 : 8 nCE & 2 RnB 9 : 1st block OTP A : Mask Option 1 L : Low grade 10. Generation M : 1st Generation A : 2nd Generation B : 3rd Generation C : 4th Generation D : 5th Generation E : 6th Generation Y : 25th Generation Z : 26th Generation
16 : 16M 40 : 4M 80 : 8M 4G : 4G BG : 32G EG : 256G HG : 512G ZG : 48G
28 : 128M 56 : 256M 1G : 1G 8G : 8G CG : 64G FG : 256G LG : 24G 00 : NONE
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Part Number Decoder

电容命名规则

三星电容例：CL10B104KA8NNNC 规格说明：CL=积层陶瓷电容 03=0201(0603) 21=0805(2012) 42=1808(4520) 05=0402(1005) 31=1206(3216) 43=1812(4532) 10=0603(1608) 32=1210(3225) 55=2220(5750) 14=0504(1410) 01=0306(0816) 12=0508(1220) II类:A=X5R F=Y5V B=X7R X=X6S Y=X7S 电容容量用三位数表示，前面两位为有效数字，第三位为有效数字后"O"的位数如：104 = 10 0000 （单位pF）如果中间一位为R 则表示"." 如：3R3 = 3.3pF 误差： B=±0.1pf F=±1% K=±10% C=±0.25pf G=±2% M=±20% D=±0.5pf J=±5% Z=+80/-20% 承受的耐压： Q=6.3V P=10V O=16V A= 25V B= 50V C=100V D=200V E=250V G=500V H=630V 厚度： 3=0.30毫米 A=0.65毫米 M=1.15毫

米 I=2.00毫米 Q=1.25毫米 5=0.50毫米C=0.85毫米F=1.25毫米J=2.50毫米V=2.50毫米8=0.80毫米D=1.00毫米H=1.60毫米 L=3.20毫米端头类别： A=常规产品钯/银/镍屏蔽/锡100% N=常规产品镍/铜/镍屏蔽/锡 100% G=常规产品铜/铜/镍屏蔽/锡 100% L=低侧面产品镍/铜/镍屏蔽/锡 100% 产品： A =阵列(2-元素) B =阵列(4-元素) C=高频 L =LICC N =常规 P =自动预留的用途包装方式： B=散装 O=纸版箱料带,10英寸料盘 E=压花纸版箱,7英寸料盘P=散装箱D=纸版箱料带,13英寸料盘(10000ea) F=压花纸版箱,13英寸料盘 C=纸版箱料带,7英寸料盘 L=纸版箱料带,13英寸料盘(15,000ea) S=压花纸版箱

flash开发中的命名

1、违反：代码规范的目的是增加代码的可读性，便于程序的维护所有有利于代码可读性的违反都是被允许的 .左大括号须放置于组合语句开始的末尾。 If(loggedin()){ https://www.360docs.net/doc/8e12063369.html,bel=”Welcome’; }else{ https://www.360docs.net/doc/8e12063369.html,bel=”Access”; } 2、命名规则使用含义丰富的名字(Use meaningful names) 在缩写中，只将首字母大写如果一个类成员是由缩写开始，则该缩写全部使用小写字母，此约定不适用到常量再说句废话，所有的名字都应该使用英文 3、包命名（package names Package names should be lower case 包的名字应全部为小写； 4、类命名（class names） Class neames should be nouns in singular form,written in mixed cases starting with upper case (类应该以名词单数形式，首字母大写，大小写混排，方式命名) Class representing collections should have names in plural form (表示一组事物的类应使用复数形成；) Names of exception classes should be prefixed with Error (异常类的名字须以Error开头) Defauit implementations of interfaces can be prefixed with Default; （接口的默认实现类可以以Ddfault开头）接口命名Interface names Interface names should be nouns or adjectives prefixed with letter”I” (接口的名字应为字母“I”开头的名词或形容词) 变量/属性命名Variable/property names Private class variable names should be in mixed cases starting with lower case prefixed with ”_’; （私有类的变量名称应为以下划线为前缀，小写字母开头的大小写混排） Private var _lastYear:int; Private var _loader:Loader; 注：函数中局部变量的名字不必在前面加_; Property names should be in mixed cases starting with lower case (属性名应以小写字母开头，大小写字母混排) Parameter name can be suffixed with “_’ to differentiate it with variabke/property name

Flash快闪记忆体分类介绍

Flash快閃記憶體分類介紹：SLC/MLC/黑片 1 Flash快閃記憶體是非易失性記憶體，這是相對於SDRAM等記憶體所說的。即記憶體斷電後，內部的資料仍然可以保存。Flash根據技術方式分為Nand 、Nor Flash和AG-AND Flash，而U盤和MP3中最常用的記憶體就是Nand Flash。 NOR和NAND是現在市場上兩種主要的非易失快閃記憶體技術。Intel于1988年首先開發出NOR flash技術，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發表了NAND flash結構，強調降低每比特的成本，更高的性能，並且象磁片一樣可以通過介面輕鬆升級。但是經過了十多年之後，仍然有相當多的硬體工程師分不清NOR 和NAND快閃記憶體。大多數情況下快閃記憶體只是用來存儲少量的代碼，這時NOR快閃記憶體更適合一些。而NAND則是高資料存儲密度的理想解決方案。 Nand Flash也有幾種，根據技術方式，分為SLC、MCL、MirrorBit等三種。SLC 是Single level cell的縮寫，意為每個存儲單元中只有1bit資料。而MLC就是Multi-Level-Cell，意為該技術允許2 bit的資料存儲在一個存儲單元當中。而MirrorBit則是每個存儲單元中只有4bit資料。 SLC的技術存儲比較穩定，SLC的技術也最為成熟。然而MLC可以在一個單元中有2bit資料，這樣同樣大小的晶圓就可以存放更多的資料，也就是成本相同的情況下，容量可以做的更大，這也是同樣容量，MLC價格比SLC低很多的原因。通常情況下相同容量的MLC和SLC，MLC的價格比SLC低30％~40%，有些甚至更低。區分SLC(停產)和MLC（現在主流，分新老制程，60NM 和56/50NM ） 1、看Flash的型號：根據Flash的命名規則，進行區分。 2、測試讀寫速度：SLC的非常快，MLC的很慢。：目前市場上還流行黑片、白片的說法，這些都是Downgrade Flash的類型，由於Flash制程和容量的提升，內部的構成越來越複雜。而新的制程推出時，產品良率並不一定理想，那些不良的Flash有些是容量不足，有些是壽命不能達到要求，有些是測試不能通過，這些不能達到出廠要求的Flash都被稱為Downgrade Flash。Downgrade Flash有些由廠家推向市場，比如Spectech等就是鎂光(Micron)的Downgrade Flash。而另外一部分作為廢品淘汰掉，但是利潤驅使，這些廢品也會低價被收購流入市場。一些廠家以各種方案的掃描工具(Soting Board)來檢驗出來哪些能夠使用。這些廠家收購Flash按斤回收，通過少則數十台Soting

村田瓷片电容命名规则

o Part Numbering (Part Number)Safety Standard Certified Ceramic Capacitors t Capacitance Expressed by three figures. The unit is pico-farad (pF). The first and second figures are significant digits, and the third figure expresses the number of zeros which follow the two numbers. o Individual Specification Code In case part number cannot be identified without "Individual Specification", it is added at the end of part number. Expressed by three-digit alphanumerics. three digits (q Product ID and w Series Category) express "Series Name". In case of Safety Certified Capacitors, first three digits express product code. The following fourth figure expresses certified type shown in r Safety Standard Certified Type column. t 102y M q DE u N3r KH e E3w 2i A o q Product ID w Series Category e Temperature Characteristics r Rated Voltage/Safety Standard Certified Type y Capacitance Tolerance u Lead Style i Packaging

三星的nand flash的命名规则

三星的pure nand flash的命名规则如下： K 9 ×××××××× - ×××× ××× 1 2 3 4~5 6~7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 1. Memory (K) 2. NAND Flash : 9 3. Small Classification (SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell, SM : SmartMedia, S/B : Small Block) 1 : SLC 1 Chip XD Card 2 : SLC 2 Chip XD Card 4 : SLC 4 Chip XD Card A : SLC + Muxed I/ F Chip B : Muxed I/ F Chip D : SLC Dual SM E : SLC DUAL (S/ B) F : SLC Normal G : MLC Normal H : MLC QDP J : Non-Muxed OneNand K : SLC Die Stack L : MLC DDP M : MLC DSP N : SLC DSP Q : 4CHIP SM R : SLC 4DIE STACK (S/ B) S : SLC Single SM T : SLC SINGLE (S/ B) U : 2 STACK MSP V : 4 STACK MSP W : SLC 4 Die Stack 4~5. Density 12 : 512M 16 : 16M 28 : 128M 32 : 32M 40 : 4M 56 : 256M 64 : 64M 80 : 8M

电容的型号命名方式

电容的型号的命名： 1）各国电容器的型号命名很不统一，国产电容器的命名由四部分组成：第一部分：用字母表示名称，电容器为C。第二部分：用字母表示材料。第三部分：用数字表示分类。第四部分：用数字表示序号。 2）电容的标志方法：（1）直标法：用字母和数字把型号、规格直接标在外壳上。（2）文字符号法：用数字、文字符号有规律的组合来表示容量。文字符号表示其电容量的单位：P、N、u、m、F等。和电阻的表示方法相同。标称允许偏差也和电阻的表示方法相同。小于10pF的电容，其允许偏差用字母代替：B——±0.1pF，C——±0.2pF，D——±0.5pF，F——±1pF。（3）色标法：和电阻的表示方法相同，单位一般为pF。小型电解电容器的耐压也有用色标法的，位置靠近正极引出线的根部，所表示的意义如下表所示：颜色黑棕红橙黄绿蓝紫灰耐压4V 6.3V 10V 16V 25V 32V 40V 50V 63V 15）安规电容是指用于这样的场合，即电容器失效后，不会导致电击，不危及人身安全. 安规电容安全等级应用中允许的峰值脉冲电压过电压等级（IEC664） X1 >2.5kV ≤4.0kV Ⅲ X2 ≤2.5kV Ⅱ X3 ≤1.2kV —— 16）安规电容安全等级绝缘类型额定电压范围 Y1 双重绝缘或加强绝缘≥250V Y2 基本绝缘或附加绝缘≥150V ≤250V Y3 基本绝缘或附加绝缘≥150V ≤250V Y4 基本绝缘或附加绝缘<150V Y电容的电容量必须受到限制，从而达到控制在额定频率及额定电压作用下，流过它的漏电流的大小和对系统EMC性能影响的目的。GJB151规定Y电容的容量应不大于0.1uF。Y电容除符合相应的电网电压耐压外，还要求这种电容器在电气和机械性能方面有足够的安全余量，避免在极端恶劣环境条件下出现击穿短路现象，Y电容的耐压性能对保护人身安全具有重要意义安规电容的参数选择 X电容，聚苯乙烯（薄膜乙烯）电容，从上面的贴子里也可以看到，聚苯乙烯的耐电压较高，适合EMI 电路的高压脉冲吸收作用。 2.容量计算：一般两级X电容，前一级用0.47uF,第二基用0.1uF；单级则用0.47uF.目前还没有比较方便的计算方法。（电容容量的大小和电源的功率无直接关系）

Flash知识点总结(有用哦)(吐血推荐)

Flash基础知识点总结(一) Flash的工作界面标题栏主工具栏文档选项卡工具箱舞属性面板编辑栏库面板

舞台：进行创作的主要工作区域。标尺、网格、编辑栏中设置显示比例。场景概念：时间轴窗口：由一系列的帧组成，每一帧是一幅瞬时图。分为：图层控制区和时间轴控制区。时间线是通过时间变化精确控制图层在每一秒的位置的工具。默认12帧/秒。Fps(framepersecond) 工具箱：主要绘图工具动画播放控制器面板属性窗口：设置对象属性动作窗口：编写动作脚本浮动面板：如：库窗口：用于存放重复元素。（二）Flash动画的制作原理在时间轴的不同帧上放置不同的对象或设置同一对象的不同属性，例如形状、位置、大小、颜色和透明度等，当播放指针在这些帧之间移动时，便形成了动画。

（三）重要概念图形：是组成Flash动画的基本元素。制作动画时，可利用Flash的工具箱提供的工具绘制出动画需要的任何图形。元件：是指可以在动画场景中反复使用的一种动画元素。它可以是一个图形，也可以是一个小动画，或者是一个按钮。图层：图层就像好多透明的纸，用户可以在不同的纸上绘制各种图画，然后再将所有的纸叠在一起就构成了一幅完整的图画。位于下层的图形将在上层中空白或者透明的地方显示出来。帧：帧分为关键帧、空白关键帧和普通帧三种类型。关键帧是可以直接在舞台上编辑其内容的帧, 记录动画内容发生根本性变化的画面。只有关键帧才能进行编辑。F6:插入关键帧。插入关键帧时将上一状态的帧内容完全复制。空白关键帧帧内没有画面，帧标识是空心小圆圈；普通帧的作用是延伸关键帧上的内容。帧频：每秒钟播放的帧数，默认12fps 一般认为是网页上最合适的速度。

单片机的命名规则

系列产品命名规则图为Intel公司80C51系列单片机产品命名规则。 Intel 80C51系列单片机产品命名规则 Mask ROM：为掩模ROM。 EPROM：紫外线可擦除ROM。 2. Atmel 80C51系列产品命名规则 Atmel公司是第一家将Flash EEPROM存储器用于80C51系列单片机的生厂商，其典型产品有AT89C51、AT89C52，对应的低功耗产品为AT89LV51

和AT89LV52。图为Atmel公司80C51系列单片机产品命名规则。 Atmel 80C51系列单片机产品命名规则 Flash EEPROM：在片程序存储器为电可擦除的闪速存储器Flash EEPROM。 LV：Low-Voltage，芯片工作电源电压为2.7V～6V。 8 9 系列单片机的型号编码 89 系列单片机的型号编码由三个部分组成它们是前缀型号和后缀格式如下 AT89C XXXXXXXX 其中AT 是前缀89CXXXX 是型号XXXX 是后缀下面分别对这三个部分进行说明并且对其中有关参数的表示和意义作相应的解释 (l)前缀由字母AT 组成表示该器件是ATMEL 公司的产品 (2)型号由89CXXXX 或89LVXXXX 或89SXXXX 等表示

89CXXXX 中9 是表示部含 Flash 存储器C 表示为 CMOS 产品 89LVXXXX 中LV 表示低压产品 89SXXXX 中S 表示含有串行下载 Flash 存储器在这个部分的XXXX 表示器件型号数如51 1051 8252 等 (3)后缀由XXXX 四个参数组成每个参数的表示和意义不同在型号与后缀部分有”-”号隔开后缀中的第一个参数 X 用于表示速度它的意义如下 X 12 表示速度为12 MHz X 20 表示速度为20 MHz X 16 表示速度为16 MHz X 24 表示速度为24 MHz 后缀中的第二个参数 X 用于表示封装它的意义如下 X D 表示瓷封装 X Q 表示 PQFP 封装 X J 表示 PLCC 封装 X A 表示 TQFP 封装 X P 表示塑料双列直插 DIP 封装 X W 表示裸芯片 X S 表示 SOIC 封装后缀中第三个参数 X 用于表示温度围它的意义如下 X C 表示商业用产品温度围为0 十 70 X I 表示工业用产品温度围为40 十 85 X A 表示汽车用产品温度围为40 十 125 X M 表示军用产品温度围为55 十 150 后缀中第四个参数 X 用于说明产品的处理情况它的意义如下 X 为空表示处理工艺是标准工艺 X 883 表示处理工艺采用 MIL STD 883 标准

三星NAND FLASH命名规则

三星的pure nand flash（就是不带其他模块只是nand flash存储芯片）的命名规则如下：第1位. Memory (K) 第2位. NAND Flash : 9 第3位. Small Classification(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell,SM : SmartMedia, S/B : Small Bl ock) 1 : SLC 1 Chip XD Card 2 : SLC 2 Chip XD Card 4 : SLC 4 Chip XD Card A : SLC + Muxed I/ F Chip B : Muxed I/ F Chip D : SLC Dual SM E : SLC DUAL (S/ B) F : SLC Normal G : MLC Normal H : MLC QDP J : Non-Muxed OneNand K : SLC Die Stack L : MLC DDP M : MLC DSP N : SLC DSP Q : 4CHIP SM R : SLC 4DIE STACK (S/ B) S : SLC Single SM T : SLC SINGLE (S/ B) U : 2 STACK MSP V : 4 STACK MSP W : SLC 4 Die Stack 第4~5位. Density（注：实际单位应该是bit，而不是Byte） 12 : 512M 16 : 16M 28 : 128M 32 : 32M 40 : 4M 56 : 256M 64 : 64M 80 : 8M 1G : 1G 2G : 2G 4G : 4G 8G : 8G AG : 16G BG : 32G CG : 64G

电容的型号命名规则

电容的型号命名： 1、各国电容器的型号命名很不统一，国产电容器的命名由四部分组成：第一部分：用字母表示名称，电容器为C。第二部分：用字母表示材料。第三部分：用数字表示分类。第四部分：用数字表示序号。 2、电容的标志方法： (1)直标法：用字母和数字把型号、规格直接标在外壳上。 (2)文字符号法：用数字、文字符号有规律的组合来表示容量。文字符号表示其电容量的单位：P、N、u、m、F等。和电阻的表示方法相同。标称允许偏差也和电阻的表示方法相同。小于10pF的电容，其允许偏差用字母代替：B——±0.1pF，C——±0.2pF，D——±0.5pF，F——±1pF。 (3)色标法：和电阻的表示方法相同，单位一般为pF。小型电解电容器的耐压也有用色标法的，位置靠近正极引出线的根部，所表示的意义如下表所示：颜色黑棕红橙黄绿蓝紫灰耐压4V 6.3V 10V 16V 25V 32V 40V 50V 63V (4)进口电容器的标志方法：进口电容器一般有6项组成。第一项：用字母表示类别：第二项：用两位数字表示其外形、结构、封装方式、引线开始及与轴的关系。第三项：温度补偿型电容器的温度特性，有用字母的，也有用颜色的，其意义如下表所示：序号字母颜色温度系数允许偏差字母颜色温度系数允许偏差 1 A 金+100 R 黄-220 2 B 灰+30 S 绿-330 3 C 黑0 T 蓝-470 4 G ±30 U 紫-750 5 H 棕-30 ±60 V -1000 6 J ±120 W -1500 7 K ±250 X -2200 8 L 红-80 ±500 Y -3300 9 M ±1000 Z -4700 10 N ±2500 SL +350~-1000 11 P 橙-150 YN -800~-5800 备注：温度系数的单位10e -6/℃；允许偏差是% 。第四项：用数字和字母表示耐压，字母代表有效数值，数字代表被乘数的10的幂。第五项：标称容量，用三位数字表示，前两位为有效数值，第三为是10的幂。当有小数时，用R或P表示。普通电容器的单位是pF，电解电容器的单位是uF。第六项：允许偏差。用一个字母表示，意义和国产电容器的相同。也有用色标法的，意义和国产电容器的标志方法相同。 3、电容的主要特性参数： (1) 容量与误差：实际电容量和标称电容量允许的最大偏差范围。一般分为3级：I级±5%，II级±10%，III级±20%。在有些情况下，还有0级，误差为±20%。

OK335x产品规格书-2013-09-12

OK335x产品规格书

目录第一章产品说明 (3) 1.1产品总述 (3) 1.2应用领域 (4) 第二章OK335xD产品 (5) 2.1产品概述 (5) 2.1.1FET335xD概述 (5) 2.1.2OK335xD概述 (7) 2.2产品参数 (8) 2.2.1FET335xD硬件参数 (8) 2.2.2FET335xD软件参数 (8) 2.2.3OK335xD接口说明 (10) 2.3FET335xD尺寸说明 (11) 第三章OK335xS产品 (12) 3.1产品概述 (12) 3.1.1FET335xS概述 (12) 3.1.2OK335xS概述 (13) 3.2产品参数 (14) 3.2.1FET335xS硬件参数 (14) 3.2.2FET335xS软件参数 (14) 3.2.3OK335xS接口说明 (16) 第四章附加说明 (17)

第一章产品说明 1.1产品总述 OK335x开发板是一款由飞凌自主设计、生产和发行销售的高性能开发平台。本开发板采用了TI公司的AM335X Cortex-A8处理器，运行主频高达1GHz，AM335X处理器集成了两个1000M网卡，集成了Can总线控制器，IIC控制器，LCD控制器，集成了PowerVR SGX530图形处理器，非常适合工业控制，多媒体终端等应用领域。 OK335X开发平台采用“核心板+底板”结构，这种分离设计是一种高效率，低成本的设计方式，核心板采用6层或者8层PCB，底板采用2层PCB，客户可以从我公司购买核心板，设计自己的底板，这样可以加速产品上市的时间，降低客户研发风险，为客户节约产品成本。针对AM335X CPU的特性，飞凌公司开发了两款基于AM335X的开发平台，OK335xD和OK335xS，这两款产品的主要差别是核心板和底板的连接方式，OK335xD的核心板和底板采用200Pin的双排针插座，方便核心板与底板插拔，OK335xS核心板和底板采用136Pin的邮票孔连接方式，这种连接方式使核心板和底板连接更稳定，适用于对产品高度有要求的应用环境，除此外OK335xS有两个1000M网口，而Ok335xD有一个1000M网口，更详细的差别请看后面章节的详细介绍。 OK335xD和OK335xS开发板默认使用TI AM3354处理器，运行主频800MHz/720MHz，运行温度为-40℃~+90℃.，下面是两款产品的详细参数。

电容器的型号命名方法及分类

电容器（capacitor）简称电容，也是组成电子电路的主要元件。它可以储存电能，具有充电、放电及通交流、隔直流的特性。从某种意义上说，电容器有点像电池。尽管两者的工作方式截然不同，但它们都能存储电能。电池有两个电极, 在电池内部，化学反应使一个电极产生电子，另一个电极吸收电子。而电容器则要简单得多，它不能产生电子——它只是存储电子。它是各类电子设备大量使用的不可缺少的基本元件之一。各种电容器在电路中能起不同的作用，如耦合和隔直流、旁路、整流滤波、高频滤波、调谐、储能和分频等。电容器应根据电路中电压、频率、信号波形、交直流成分和温湿度条件来加以选用。发展简况傻瓜相机的闪光灯电容器最原始的电容器是1745年荷兰莱顿大学P.穆森布罗克发明的莱顿瓶，它是玻璃电容器的雏形。1874年德国M.鲍尔发明云母电容器。1876年英国D.斐茨杰拉德发明纸介电容器。1900年意大利L.隆巴迪发明瓷介电容器。30年代人们发现

在陶瓷中添加钛酸盐可使介电常数成倍增长,因而制造出较便宜的瓷介电容器。1921年出现液体铝电解电容器，1938年前后改进为由多孔纸浸渍电糊的干式铝电解电容器。1949年出现液体烧结钽电解电容器，1956年制成固体烧结钽电解电容器。50年代初，晶体管发明后，元件向小型化方向发展。随着混合集成电路的发展，又出现了无引线的超小型片状电容器和其他外贴电容器。基本原理电容器是由两个电极及其间的介电材料构成的。介电材料是一种电介质，当被置于两块带有等量异性电荷的平行极板间的电场中时，由于极化而在介质表面产生极化电荷，遂使束缚在极板上的电荷相应增加，维持极板间的电位差不变。这就是电容器具有电容特征的原因。电容器中储存的电量Q等于电容量C与电极间的电位差U的乘积。电容量与极板面积和介电材料的介电常数ε成正比，与介电材料厚度(即极板间的距离)成反比。电容量的单位是法。容量为1法的电容器可以在1伏特的电压下存储1库仑的电量。1库仑为6.25e18（6.25*10^18，即625 亿亿）个电子。1安培表示每秒钟流过1库仑电子的电子流动速率，因此，容量为1法的电容器可以在1伏特的电压下存储数量为1安培-秒的电子。1法的电容器通常相当大。根据电容器的电压承受能力的不同，它可能会有金枪

SLC和MLC闪存nand flash的区别和历史

SLC和MLC闪存nand flsah的区别和历史飞凌OK6410开发板全新升级，标配1G超大容量NandFlash，让您的使用更加游刃有余。市面上绝大多数6410开发板仍然只是支持SLC类型的NAND。我们经过努力，实现了MLC NAND的完美支持。成为同价位开发板中唯一标配1GFlash的产品。包括wince系统在内的驱动软件经过改写，并严格测试。使用MLC的NAND可大幅提高容量和产品性价比。备注：强大的S3C6410处理器支持MLC NANDFLASH,而这个功能在S3C2440上是不支持的。MLC NAND已经得到广泛应用，是未来的发展方向。 ------------------------------------------------------------------------------------------ 以前只是知道FLASH分为NOR和NAND，没有注意过NAND还分很多种。今天看到飞凌的升级信息，就在网上查了一下。评论不一，就拿出来和大家讨论一下，互相学习了。 Flash闪存是非易失性存储器，这是相对于SDRAM等存储器所说的。即存储器断电后，内部的数据仍然可以保存。Flash根据技术方式分为Nand 、Nor Flash和AG-AND Flash，而U盘和MP3中最常用的内存就是Nand Flash。 Nand Flash也有几种，根据技术方式，分为SLC、MCL、MirrorBit等三种。SLC是Single level cell 的缩写，意为每个存储单元中只有1bit数据。而MLC就是Multi-Level-Cell，意为该技术允许2 bit的数据存储在一个存储单元当中。而MirrorBit则是每个存储单元中只有4bit数据。 SLC的技术存储比较稳定，SLC的技术也最为成熟。然而MLC可以在一个单元中有2bit 数据，这样同样大小的晶圆就可以存放更多的数据，也就是成本相同的情况下，容量可以做的更大，这也是同样容量，MLC价格比SLC低很多的原因。通常情况下相同容量的MLC和SLC，MLC的价格比SLC低30％~40%，有些甚至更低。区分SLC(停产)和MLC（现在主流，分新老制程，60NM 和56/50NM ） 1、看Flash的型号：根据Flash的命名规则，进行区分。 2、测试读写速度：SLC的非常快，MLC的很慢。 SLC闪存：即单层式储存(Single Level Cell；SLC)，包括三星电子、Hynix、美光（Micron）以及东芝都是此技术使用者 MLC闪存：多层式储存（Multi Level Cell；MLC)，目前有东芝、Renesas、三星使用，英飞凌（Infineon）与Saifun Semiconductors合资利用NROM技术所共同开发的多位储存（Multi Bit Cell； MBC）。除了三星，Hynix等其他存储器制造商也在向MLC闪存迈进。虽然东芝凭借多年的技术