晶体管特性测试仪的使用

晶体管特性测试仪的使用
典型的晶体管特性测试仪面板上的开关、旋钮按功能可划分为6个部分,即示波管及显示电路、集电极电源、Y轴部分、X轴部分、校正及转换部分、阶梯信号部分。现将各部分的主要开关及旋钮的作用说明如下(以HZ4832型晶体管特性测试仪为参考)。
(1)电源及示波管控制部分:这一部分的使用与示波器完全相同,不做过多介绍。
(2)Y轴部分
①电流/度开关。它是一种具有25挡、4种偏转作用的开关,是测量二极管反向漏电流及三极管集电极电流的量程开关。集电极电流共20挡(10μA/div～0.5A/div);二极管漏电流共5挡(0.2～5μA/div)。当开关置于“基极电流或基极源电压”位置时,可使屏幕Y轴代表基极电流或电压;当开关置于“外接”时,Y轴系统处于外接收状态,外接是由后面板插座直接输入到Y轴放大器,经放大后取得其偏转值。
②Y轴移位。它可使被测信号或集电极扫描线在Y轴方向移动。
(3)X轴部分
①电压/度开关。它是一种具有22挡、4种偏转作用的开关,是集电极电压及基极电压的量程开关。集电极电压共12挡(0.05～50V/div)。当开关置于“基极电流或基极源电压”位置时,可使屏幕X轴代表基极电流或电压;当开关置于“外接”时,X轴系统处于外接收状态,外接是由后面板Q9插座直接输入到X轴放大器,经放大后取得其偏转值。
②X轴移位。可以使被测信号或集电极扫描线在X轴方向移动。
(4)阶梯信号部分
①级/簇。它是用来调节阶梯信号的级数,能在1～10级内任意选择。
②调零。未测试前,应首先调整阶梯信号起始级为零电位。当荧光屏上可观察到基极阶梯信号后将零电压按钮置于“零电压”,观察光点或光迹在荧光屏上的位置,然后将其复位,调节“阶梯调零”电位器,使阶梯信号起始级与“零电压”时的位置重合,这样阶梯信号的“零电位”被正确校正。
③串联电阻开关。当阶梯选择开关置于电压/级的位置时,串联电阻与半导体器件的输入回路串联,用于改变阶梯信号与被测管输入端之间所串接的电阻的大小。
④电流电压/级开关。它是一个具有22挡、2种作用的开关,即阶梯信号选择开关,用于确定每级阶梯的电压值或电流值。基极电流共17挡(0.5μA/级～100mA/级),其作用是通过改变开关的不同挡级的电阻值,使不同基极电流在被测半导体器件的输入回路中流过。基极电压源0.05～1V/级,其作用是通过改变不同的分压电阻
与反馈电阻,使相应输出0.05～1V/级的电压。
⑤重复、关、单次选择开关。选择“重复”时,阶梯信号会重复出现,做正常测试;选择“关”时,阶梯信号没有输出,处于待触发状态;选择“单次”时,使预先调整好的电压(电流)/级出现一次阶梯信

号后回到等待触发位置。
⑥极性。为满足不同类型半导体器件的需要而设置,它可用来选择阶梯信号的极性。
(5)集电极电源
①熔丝1.5A。当集电极电源短路或过载时起保护作用。
②容性平衡。由于集电极电流输出端的各种杂散电容的存在,都将形成容性电流降压在电流取样电阻上,造成测量上的误差,因此在测试前应调节,使之减到最小值。
③辅助容性平衡。它是针对集电极变压器次级绕组对地电容的不对称,再次进行电容平衡调节而设置的。适当调节“容性平衡”“辅助容性平衡”旋钮,使之当Y轴为较高电流灵敏度时容性电流最小,即屏幕上的水平线基本重叠为一条。一般情况下无需经常调节这两个旋钮。
④功耗限制电阻开关。它是串联在被测管的集电极电路上限制超过功耗,在测试击穿电压或二极管正向特性时,可作为电流限制电阻。测量被测管的正向特性时应置于低阻挡,测量反向特性时应置于高阻挡。
⑤峰值电压。使集电极电源在确定的峰值电压范围内连续变化。峰值控制旋钮可以在0～5V、0～20V、0～100V、0～500V连续选择,面板上的值只能做近似值使用,精确的读数应由X轴偏转灵敏度读得。
⑥极性。该开关可以转换集电极电源的正、负极性,按需要选择。
⑦峰值电压范围。通过集电极变压器的不同输出电压的选择而分为5V(5A)、50V(1A)、500V(0.1A)、3000V(2mA)4挡,在测试半导体器件时,应由低挡改换到高挡,在换挡时必须将“峰值电压%”调到0,再慢慢增加,否则易击穿被测管。
⑧3kV高压测试按钮。为了0～3kV挡高压测试安全,特设此测试开关,不按时则无电压输出。
⑨3kV高压输出插座。
(6)测试控制器
①B测试插孔。在测试标准型管壳的半导体器件时,可用附件中的测试盒与之直接连接,当做其他特殊用途测试时,应采用香蕉插头与导线作为插孔与被测器件之间的连接。
②A测试插孔。作用同B测试插孔。
③测试选择开关。零电压按钮:用来校正阶梯信号作电压源输出时其起始级的零电压,按下该按钮时,被测管的栅极接地;零电流按钮:按下该按钮时,被测管的基极开路。
④A、B选择开关。当按下A时,A测试插孔被接通;当按下B时,B测试插孔被接通。当A和B全部被按下时,此时工作在双簇显示状态,A测试插孔和B测试插孔交替接通,因此能同时显示A管和B管的特性曲线,这一功能便于管子的配对与比较。
下面介绍晶体管特性测试仪的应用举例。
(1)二极管正向特性的测量:下面以硅整流二极管1N4007为例,说明二极管正向特性曲线的测量方法。
测量时,将屏幕上的光点移至左下角,测试仪面板上的有关开关、按钮置于如下位置:
峰值电压范围:0～5V
极性:正(+)
功耗电阻:2.5Ω

X轴:集电极电压0.1V/div
Y轴:集电极电流0.1A/div
通过调节测试开关,即可实现对二极管正向特性的测量。在示波管上显示出一条反映该管IDVD函数关系的伏安曲线。调节“峰值电压%”旋钮使峰值电压逐渐增大,则屏幕上将显示如图117(b)所示的正向特性曲线。由于正弦半波信号的极性对于二极管来说是正向的,故屏幕上的这条曲线即为二极管的正向特性曲线。很显然,若改变集电极扫描发生器的输出极性(或将二极管的极性对调),则屏幕上所显示的将是该被测管的反向特性曲线。
(2)三极管的测量:下面以NPN型三极管9011为例,说明三极管的ICVCE特性曲线的测量方法。测量时,将屏幕上的光点移至左下角,测试仪面板上的有关开关、按钮置于如下位置:峰值电压范围:0～20V,极性为正
功耗电阻:250Ω
X轴:集电极电压1V/div
Y轴:集电极电流1mA/div
阶梯信号:重复,极性为正
阶梯电流:10μA/div
通过转换测试开关,即可实现对三极管输出特性的测量。先将“级/簇”旋至适中位置,调节“峰值电压%”旋钮使峰值电压逐渐增大,则屏幕上将显示出一簇输出特性曲线;再调节“级/簇”旋钮,使屏幕上在IC=10mA附近存在曲线,这就是三极管的ICVCE特性曲线。更多电子元件资料https://www.360docs.net/doc/94107951.html,