第二章、三极管
第二章、三极管
一、选择题（本大题共小题，每小题分，共分）
1、晶体三极管内部由（ ）个PN 结构成。
A 、一个
B 、二个
C 、三个
D 、多个
2、如果测得一个放大电路中其三极管的直流电压U CE ＜１Ｖ，则它处于（ ）。 A 、放大状态 B 、饱和状态 C 、截止状态
3、有万用表测得PNP 晶体管三个电极的电位分别是V C =6V ，V B =0.7V ，V E =1V 则晶体管工作在（ ）状态。
A 、 放大
B 、截止
C 、饱和
D 、损坏 4、三级管工作在放大区，要求（ ）
A 、发射结正偏，集电结正偏
B 、发射结正偏，集电结反偏
C 、发射结反偏，集电结正偏
D 、发射结反偏，集电结反偏
5、一只NPN 型三极管三极电位分别有V C =3.3V ，V E =3V ，V B =3.7V ，则该管工作在（ ） A ．饱和区 B ．截止区 C ．放大区 D ．击穿区
6、下列三极管各个极的电位，处于放大状态的三极管是（ ）
A V C =0.3V ，V E =0V ， V
B =0.7V B V
C =-4V ， V E =-7.4V ，V B =-6.7V C V C =6V ， V E =0V ， V B =-3V
D V C =2V ， V
E =2V ， V B =2.7V
7、工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为( )。
A. 83
B. 91
C. 100 D 、50 8、工作于放大状态的PNP 管，各电极必须满足（ ）
A 、U C > U
B > U E B 、U
C < U B < U E C 、U B >U C > U E
D 、U C > U
E > U B 9、NPN 型三极管处在放大状态时是( )
A 、U BE <0, U BC <0
B 、U BE >0, U B
C >0 C 、U BE >0, U BC <0
D 、U B
E <0, U BC >0 10、PNP 型三极管处在放大状态时是( )
A 、U BE <0, U BC <0
B 、U BE >0, U B
C >0 C 、U BE >0, U BC <0
D 、U B
E <0, U BC >0 11、在三极管的共发射极输入特性曲线中，曲线与（ ）对应。 A 、I E B 、U BE C 、I B D 、U CE
12、下列三极管连接的电路图中，属于共发射极连接的是（ ）。
A B C
u i u o b
c e
+ _
+ _
u i u o e
c
b + _
+ _
u i u o b
c e
+ _
+ _
13、测得电路中三极管各电极相对于地的电位如图所示，从而可判断出该三极管工作在（）
A、饱和状态
B、放大状态
C、导致状态
D、截止状态
4.6
5V
4.3V
14、开关三极管一般的工作状态是（）。
A、截止
B、放大
C、饱和
D、截止或饱和
15、在三极管的输出特性曲线族中，每条曲线与（）对应。
A、I E
B、U BE
C、I B
D、U CE
16、某三极管工作在放大状态，其引脚电位如图所示，则该三极管是（）
A、PNP型硅管
B、NPN型硅管
C、PNP型锗管
D、NPN型锗管
5V 5.7V 1V
17、如果在NPN型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置，则此管的工作状态为（）
A、放大状态
B、截止状态
C、不能确定
D、饱和状态
18、如果三极管工作在截止区，两个PN结状态（）
A、均为正偏
B、均为反偏
C、发射结正偏，集电结反偏
D、发射结反偏，集电结正偏
19、一NPN型三极管三极电位分别有V C=3.3V，V E=3V，V B=3.7V，则该管工作（）
A、饱和区
B、截止区
C、放大区
D、击穿区
20、在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是（）。
A、NPN 型硅管
B、NPN 型锗管
C、PNP 型硅管
D、PNP 型锗管
21、某同学用万用表测量一电子线路中得晶体管，测得VE=-3V，VCE=6V,VBC=--5.4V,则该管是（）
A、PNP型处于放大工作状态
B、PNP型处于截止工作状态
C 、NPN 型处于放大工作状态
D 、NPN 型处于截止工作状态
22、三极管的两个PN 结均正偏或均反偏时，所对应的状态分别是（ ）。 A ．截止或放大 B ．截止或饱和 C ．饱和或截止 D ．放大或截止
23、如图示，试判断工作在饱和状态的管子（ ）。 24、某三极管的a 脚流入电流为3mA ，b 脚流出电流为0.05mA ，c 脚流出电流为2.95mA ，则各脚名称及管型为（ ）
A 、a 脚为E 极，b 脚为
B 极，c 脚为
C 极且为NPN 型 B 、a 脚为C 极，b 脚为E 极，c 脚为B 极且为PNP 型 C 、a 脚为E 极，b 脚为B 极，c 脚为C 极且为PNP 型
D 、a 脚为
E 极，b 脚为C 极，c 脚为B 极且为NPN 型
二、判断题（本大题共小题，每小题分，共分） 1、二极管和三极管是非线性元件。 （ ） 2、三极管的三个电极可以调换使用。 （ ） 3、三极管就是两个二极管反接构成。 （ ）
4、由于三极管的核心是两个互相联系的PN 结，因此可以用两个背靠背连接的二极管替换。（ ）
5、三极管按结构分为硅型和锗型三极管。（ ）
6、三极管的发射区和集电区是由同一半导体构成的。（ ）
7、三极管无论工作在何种工作状态，电流I E =I B +I C （ ）
8、三极管处于饱和状态时，其集电极电流Ic 不受基极电流I b 的控制。（ ） 9、二极管的伏安特性曲线和三极管的特性曲线相同。 （ ） 10、三极管处于放大状态时具有恒流特性。（ ）
11、硅材料制成的三极管，当处于放大工作状态时，C 极电位总是高于E 极电位。（ ） 12、三极管处于饱和状态时，其集电极电流I c 不受基极电流I b 的控制。（ ）
三、填空题（本大题共小题，每小题分，共分）
1、半导体三极管常采用 、 和 封装。
2、半导体三极管的核心是 。
3、半导体三极管的两个PN 结将半导体基片分成三个区域： 、
+7.5V -8V
+7.1V +5V
+3.2V (a) +3.5V
-3V -2.3V (b) +6.9V +4V (c) +5V
0V (d)
和。由这三个区引出三个电极为：、和。分别用字母、和。其中区相对较薄。
4、半导体三极管中，通常将发射极与基极之间的PN结称为；集电极与基极之间的PN结称为。
5、按两个PN结组合方式的不同，三极管可分为型和型两类。
6、在三极管的结构示意图中，如果两边是N区，中间夹着P区，就称为型三极管，它的图形符号为；如果两边是P区，中间夹着N区，就称为型三极管，它的图形符号为。
7、制造三极管的材料有和。
8、半导体三极管通常也称为晶体管，通过观察知道三极管一般情况都有脚。
9、三极管的图形符号为或，有箭头的电极是，箭头方向表示发射结偏置时的电流方向，由此可以判断管子是型还是型。
10、半导体三极管按功率分有和;按工作频率分有
和；按管芯所用半导体材料分有和；按结构工艺分有和；按用途分有和。
11、三极管的基极用符号表示，流过它的电流用符号表示；集电极用符号
表示，流过它的电流用符号表示；发射极用符号表示，流过它的电流用符号表示。
12、三极管各个电极上电流的分配关系是。
13、在半导体三极管中，基极电流I B的微小变化控制了集电极电流I C较大的变化，这就是三极管的原理。
14、要使三极管起到电流放大作用，必须保证发射结加电压，集电结加电压。
15、三极管的主要功能是电信号。
16、三极管三种基本连接方式是、、。
17、三极管的三种工作状态是、、。
18、三极管工作在截止区的条件为；
三极管工作在放大区的条件为
三极管工作在饱和区的条件为
19、三极管的共发射极直流放大系数，三极管的共发射极交流放大系数
。
20、三极管电流放大作用，实质上是用较小的电流信号控制较大的电流信号，实现“”的作用
21、某三极管工作在放大状态，管型为PNP，发射极电流为4mA，基极电流为2μA，那么集电极电流为，发射极电流为（填流入或流出）管子，基极电流为（填流入或流出）管子，集电极电流为（填流入或流出）管子。
22、三极管处于放大状态的条件为：发射结加，集电结加。
23、三极管电流放大作用的实现需要外部提供偏置。
24、NPN型三极管处于放大状态时，三个极的电位关系为，电流I B （填流入或流出）三极管，电流I C （填流入或流出）三极管，电流I E （填
流入或流出）三极管。
25、PNP型三极管处于放大状态时，三个极的电位关系为，电流I B （填流入或流出）三极管，电流I C （填流入或流出）三极管，电流I E （填
流入或流出）三极管。
26、与二极管相似，三极管各极电流和极间电压之间的关系可以用曲线形象地来描述，
他们是三极管特性的主要表现形式，称为三极管的，这些特性曲线主要有和。
27、三极管在电路中有三种组态，以发射极为公共端的是、以集电极为
公共端的是和以基极为公共端的是。
28、三极管在电路中的三种组态的电路图中，由于三极管的接地方式不同，三极管的伏
安特性也不同，其中特性曲线是最常用的。
29、共发射输入特性曲线是指当为某一定值时，基极电流i B和之间
的关系曲线。
30、在三极管中，硅管的死区电压约为、锗管的死区电压约为。硅管
的导通电压约为、锗管的导通电压约为。
31、共发射极输入特性曲线的横轴表示的是，纵轴表示的是。
32、共发射极输出特性曲线是在为一常量的情况下，集电极电流i C和
之间的关系曲线。
33、三极管饱和时的u CE值称为，小功率硅管约为，锗管约为
。
四、计算分析题（本大题共小题，每小题分，共分）
1、已知某三极管的交流放大系数?=100，当ΙB=20微安时，ΙC=2毫安，若把ΙB调到
40微安，则ΙC应为多少？
2、已知两只三极管的电流放大系数
分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子
两个电极的电流如图所示。分别求另一电极的电流，标出其实际方向，并在圆圈中画出
管子。
3、某三极管的1脚流进电流为4mA，2脚流出电流为3.95mA，3脚流出电流为0.05mA，判断各管脚名称，并指出管型。
4、题图1－13所示电路，在检测某放大电路时，一时辨认不出该电路中三极管的型号，但可以从电路中测出它的三个电极的对地电压分别为V1=-6.2V，V2=-6V，V3=-9V，试分析哪个电极是发射极、基极和集电极，该管是NPN型还是PNP型？是锗管还是硅管？
-6.2V-6V-9V
5、用万用表测的放大电路中某个三极管两个电极的电流值如图.
（1）求另一个电极的电流大小，在图上标出实际方向
（2）判断是PNP还是NPN管?
（3）图上标出管子的E.B.C.极
（4）估算管子的?值.
+7.5V
-8V
+7.1V
+5V
+3.2V
+3.5V
-3V
-2.3V (b)
+6.9V
+4V (c) +5V
0V (d)
6、如图示，试判断三极管的工作状态。
7、测得放大电路中六只晶体管的直流电位如题图1－15所示。在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。
题 图 1－15
8、如图示，试判断三极管的工作状态。
34
5V
2V
0V
-6V
5V
0V
4.7V
5V
2.7V
-5.3V
2V
4.7V
五、简答题（本大题共小题，每小题分，共分） 1、判断下图三极管的管型。
2、简述三极管的能量转换作用？
3、三极管三种工作状态的条件是什么？处于放大状态PNP 和NPN 两种三极管的电位关系是什么样的？
第二章 双极型晶体三极管
第二章 双极型晶体三极管（BJT ） §2.1 知识点归纳 一、BJT 原理 ·双极型晶体管（BJT ）分为NPN 管和PNP 管两类（图2-1，图2-2）。 ·当BJT 发射结正偏，集电结反偏时，称为放大偏置。在放大偏置时，NPN 管满足C B C V V V >>；PNP 管满足C B E V V V <<。 ·放大偏置时，作为PN 结的发射结的V A 关系是：/BE T v V E ES i I e =（NPN ），/E B T v V E ES i I e =（PNP ）。 ·在BJT 为放大偏置的外部条件和基区很薄、发射区较基区高掺杂的内部条件下，发射极电流E i 将几乎转化为集电流C i ，而基极电流较小。 ·在放大偏置时，定义了 CN E i i α= （CN i 是由E i 转化而来的C i 分量）极之后，可以导出两个关于电极电流的关系方程：C E CBO i i I α=+ (1)C B CBO B CEO i i I i I βββ=++=+ 其中 1α βα= -，CEO I 是集电结反向饱和电流，(1)CEO CBO I I β=+是穿透电流。 ·放大偏置时，在一定电流范围内，E i 、C i 、B i 基本是线性关系，而BE v 对三个电流都是指数非线性关系。 ·放大偏置时：三电极电流主要受控于BE v ，而反偏CB v 通过基区宽度调制效应，对电流有较小的影响。影响的规律是；集电极反偏增大时，C I ，E I 增大而B I 减小。 ·发射结与集电结均反偏时BJT 为截止状态，发射结与集电结都正偏时，BJT 为饱和状态。 二、BJT 静态伏安特性曲线 ·三端电子器件的伏安特性曲线一般是画出器件在某一种双口组态时输入口和输出口的伏安特性曲线族。BJT 常用CE 伏安特性曲线，其画法是： 输入特性曲线：()CE B BE V i f v =常数 （图2-13） 输出特性曲线：()B B CE I i f v =常数 （图2-14） ·输入特性曲线一般只画放大区，典型形状与二极管正向伏安特性相似。 ·输出特性曲线族把伏安平面分为4个区（放大区、饱和区、截止区和击穿区）放大区近似的等间隔平行线，反映β近似为常数，放大区曲线向上倾是基区宽度调制效应所致。 ·当温度增加时，会导致β增加，CBO I 增加和输入特性曲线左移。 三、BJT 主要参数 ·电流放大系数：直流β，直流α；交流 0lim C E Q i i α?→?=?和 0lim C B Q i i β?→?=?，α、β也满足 1α βα= -。 ·极间反向电流：集电结反向饱和和电流CBO I ；穿透电流CEO I ·极限参数：集电极最大允许功耗CM P ；基极开路时的集电结反向击穿电压CEO BV ；集
(完整版)第二章三极管练习题
第二章练习题 一、填空题： 1．晶体管工作在饱和区时发射结偏；集电结偏。 2．三极管按结构分为_ 和两种类型，均具有两个PN结，即______和______。 3.三极管是___________控制器件。 4.放大电路中，测得三极管三个电极电位为U1=6.5V,U2=7.2V,U3=15V，则该管是______类型管子，其中_____极为集电极。 5．三极管的发射结和集电结都正向偏置或反向偏置时，三极管的工作状态分别是__ __和______。 6.三极管有放大作用的外部条件是发射结________，集电结______。 7．三极管按结构分为______和______两种类型，均具有两个PN结，即___________和_________。 8．若一晶体三极管在发射结加上反向偏置电压，在集电结上也加上反向偏置电压，则这个晶体三极管处于＿＿＿＿＿＿状态。 8、某三极管3个电极电位分别为V E=1V,V B=1.7V,V C=1.2V。可判定该三极管是工作于区的 型的三极管。 9、已知一放大电路中某三极管的三个管脚电位分别为①3.5V，②2.8 V，③5V，试判断： a．①脚是，②脚是，③脚是（e, b，c）； b．管型是（NPN，PNP）； c．材料是（硅，锗）。 二、选择题： 1、下列数据中，对NPN型三极管属于放大状态的是。 A、V BE>0,V BE
第二章_半导体三极管及其基本电路(附答案)[1].
第二章半导体三极管及其基本电路 一、填空题 1、(2-1，中)当半导体三极管的正向偏置，反向偏置偏置时，三极管具有放大作用，即极电流能控制极电流。 2、(2-1，低)根据三极管的放大电路的输入回路与输出回路公共端的不同，可将三极管放大电路分为，，三种。 3、(2-1，低)三极管的特性曲线主要有曲线和曲线两种。 4、(2-1，中)三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压V CE一定时，与之间的关系。 5、(2-1，低)为了使放大电路输出波形不失真,除需设置外,还需输入信号。 6、(2-1，中)为了保证不失真放大，放大电路必须设置静态工作点。对NPN管组成的基本共射放大电路，如果静态工作点太低，将会产生失真，应调R B，使其，则I B，这样可克服失真。 7、(2-1，低)共发射极放大电路电压放大倍数是与的比值。 8、(2-1，低)三极管的电流放大原理是电流的微小变化控制电流的较大变化。 9、(2-1，低)共射组态既有放大作用，又有放大作用。 10、(2-1，中)共基组态中，三极管的基极为公共端，极为输入端，极为输出端。 11、(2-1，难)某三极管3个电极电位分别为V E=1V,V B=1.7V,V C=1.2V。可判定该三极管是工作于 区的型的三极管。 12、(2-1，难)已知一放大电路中某三极管的三个管脚电位分别为①3.5V，②2.8 V，③5V，试判断： a．①脚是，②脚是，③脚是（e, b，c）； b．管型是（NPN，PNP）； c．材料是（硅，锗）。 13、(2-1，中)晶体三极管实现电流放大作用的外部条件是，电流分配关系是。 14、(2-1，低)温度升高对三极管各种参数的影响，最终将导致I C，静态工作点。 15、(2-1，低)一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而，发射结的导通压降V BE 则随温度的增加而。 16、(2-1，低)画放大器交流通路时，和应作短路处理。 17、(2-2，低)在多级放大器里。前级是后级的，后级是前级的。 18、(2-2，低)多级放大器中每两个单级放大器之间的连接称为耦合。常用的耦合方式有：，，。 19、(2-2，中)输出端的零漂电压电压主要来自放大器静态电位的干扰变动，因此要抑制零漂，首先要抑制的零漂。目前抑制零漂比较有效的方法是采用。
模电第二章三极管练习题
第二章三极管练习题 一、填空题： 1．晶体管工作在饱和区时发射结偏；集电结偏。 2．三极管按结构分为_ 和两种类型，均具有两个PN结，即______和______。 3.三极管是___________控制器件，场效应管是控制器件。 4.晶体管放大电路的性能指标分析，主要采用等效电路分析法。 5.放大电路中，测得三极管三个电极电位为U1=,U2=,U3=15V，则该管是______类型管子，其中_____极为集电极。 6.场效应管输出特性曲线的三个区域是________、___________和__________。 7．三极管的发射结和集电结都正向偏置或反向偏置时，三极管的工作状态分别是__ __和______。 8．场效应管同三极管相比其输入电阻_________，热稳定性________。 9.采用微变等效电路法对放大电路进行动态分析时，输入信号必须是________的信号。 10.三极管有放大作用的外部条件是发射结________，集电结______。 11.在正常工作范围内，场效应管极无电流 12．三极管按结构分为______和______两种类型，均具有两个PN结，即___________和_________。 13.晶体三极管是一种＿＿＿控制＿＿＿器件，而场效应管是一种＿＿＿控制＿＿＿器件。 14．若一晶体三极管在发射结加上反向偏置电压，在集电结上也加上反向偏置电压，则这个晶体三极管处于＿＿＿＿＿＿状态。 15．作放大作用时，场效应管应工作在＿＿＿＿(截止区，饱和区，可变电阻区)。 16．晶体三极管用于放大时，应使发射极处于＿＿偏置，集电极处于＿＿偏置。 二、选择题： 1.有万用表测得PNP晶体管三个电极的电位分别是V C=6V，V B=，V E=1V则晶体管工作在（）状态。 A、放大 B、截止 C、饱和 D、损坏 2、三级管开作在放大区，要求（） A、发射结正偏，集电结正偏 B、发射结正偏，集电结反偏 C、发射结反偏，集电结正偏 D、发射结反偏，集电结反偏 3、在放大电路中，场效应管应工作在漏极特性的哪个区域（） A 可变线性区 B 截止区 C 饱合区 D击穿区 4.一NPN型三极管三极电位分别有V C=，V E=3V，V B=，则该管工作在（） A．饱和区 B．截止区 C．放大区 D．击穿区 5.三极管参数为P CM=800mW, I CM=100mA, U BR(CEO)=30V,在下列几种情况中，（）属于正常工作。 A．U CE=15V，I C=150 mA B．U CE=20V，I C=80 mA
第二章晶体三极管和场效晶体管
课题第一章晶体=极管和场效晶体管 2.1.1—2.1.3三极管的基本特性 课型 新课 投课班级17机电授课时数2课时 教学目标 1.掌握三极管的结构、分类和符号 2.理解三极管的工作电压和基本连接方式 3.理解三极管电流的分配和放大作用、掌握电流的放大作用 教学重点三极管结构、分类、电流分配和放大作用教学难点电流分配和放大作用 学情分析学生已经了解了PN结及特性学生已熟练掌握晶体二极管的基本特性 教学方法讲授法、引导法、图示法、对比法、多媒体演示法 教后记 通过对本次课的学习，学生了解了三极管的基本特性，了解三极管中的PN结与二极皆中PN结的区别，同时掌握了三极管的基本连接方式和放大倍数的讣算方法，并能进行实际应用，利用査表法说出三极管的型号
A.引入 在电子线路中，经常用的基本器件除二极管外，还有三引脚的三极管。B?新授课 2.1,1三极管的结构、分类和符号 一、晶体三极管的基本结构 1?观察外形 2.三极管的结构图 （1〉发射区掺杂浓度较大，以利于发射区向基区发肘载流子。（2）基区很薄，掺杂少，载流子易于通过。 <3）集电区比发射区体枳大且掺杂少，收集载流子。 注意：三极管并不是两个PN结的简单组合，不能用两个二极管代替。 二、图形符号 a. NPN 型 三.分类 1?内部三个区的半导体分类：NPN型、PNP型 2.工作频率分类：低频管和高频管 3.以半导体材料分：错、硅 2.1.2三极管的工作电压和基本连接方式 一、三极管的工作电压 1?三极笛工作时，发射结加正向电压?集电结加反向电压。 2?偏置电压：基极与发射极之间的电压。 二.三极管在电路中的基本连接方式 1?共发射极接法（讲解） 三极：发射极、 两结：发射结、基极、集电极 集电结 基区、集电区 （引导： 比较两种符 号，箭头说 明发射结导 通的方向） C b V e b. PNP 型 集 C电 极 集 C电 极 b V
第二章 三极管 习题一
第二章三极管习题一 一、填空（31×2=64分） 1．三极管按结构分为_ 和两种类型，均具有两个PN结，其中基区和发射区之间的PN结叫做；另一个叫做。 2．晶体三极管I E、I B、I C之间的关系式是。I C/I B的比值是，?I C/I B的比值叫。 3．NPN型晶体三极管的发射区是型半导体，集电区是型半导体，基区是型半导体。 4．若晶体三极管集电极输出电流I C=9mA，该管的电流放大系数为β=50，则其基极电流 I B= mA；I B= mA。 5．晶体三极管的穿透电流I CEO随温度的升高而，由于锗三极管的穿透电流比硅三极管，所以热稳定性三极管较好。 6．三极管在电路中的基本连接方式有、和。 7．三极管处于放大状态时应在加电压，加电压。 8．PNP型三极管处于放大状态时，三个电极中极电位最高，极电位最低。 9．晶体管实现放大作用的内部条件是发射区掺杂浓度，有利于载流子；基区很，有利于载流子通过；集电区体积，掺杂，有利于载流子。 10．三极管发射极上箭头的方向表示发射结加电压时的电流方向。 二、判断题（11×2=22分） 1．（）硅材料和锗材料都可以用来制造NPN型或PNP型三极管。 2.（）β越大的三极管，放大电流的能力越强。 3.（）I CBO称为三极管的穿透电流，选管时要求I CBO越小越好。 4.（）严格的讲，三极管当I B=0时，I C也为0。 5.（）三极管的β值与I C的大小有关，I C越大β值也越大。 6.（）为使晶体管处于放大工作状态，其发射结应加反向电压，集电结应加正向电压。 7.（）无论是哪种晶体三极管，当处于放大工作状态时，b极电位总是高于e极电位， c极电位也总是高于b极电位。 8.（）晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体（N型或P型）构成的，所以e 极和c极可以互换使用。 9.（）已知某三极管的射极电流 I E=1.36mA, 集电极电流I C=1.33mA，则基极电流I B=30 μA。 10.（）某三极管的I B=10μA时，I C=0.44mA；当I B=20μA时，I C=0.89mA，则它的电流 放大系数β=45。 11．（）三极管共集电极组态，是以集电极为公共端，基极为输入端，发射极为输出端。 三、分析题（14分） 用万用表测得放大电路中某个三极管两个电极的电流值如图所示 （1）（4分）求另一个电极的电流大小，在图上标出实际方向 （2）（2分）判断是PNP还是NPN管? （3）（6分）图上标出管子的E、B、C极 （4）（2分）估算管子的?值.
第四章 场效应管习题答案
第四章 场效应管基本放大电路 4-1 选择填空 1．场效应晶体管是用_______控制漏极电流的。 a. 栅源电流 b. 栅源电压 c. 漏源电流 d. 漏源电压 2．结型场效应管发生预夹断后，管子________。 a. 关断 b. 进入恒流区 c. 进入饱和区 d. 可变电阻区 3．场效应管的低频跨导g m 是________。 a. 常数 b. 不是常数 c. 栅源电压有关 d. 栅源电压无关 4. 场效应管靠__________导电。 a. 一种载流子 b. 两种载流子 c. 电子 d. 空穴 5. 增强型PMOS 管的开启电压__________。 a. 大于零 b. 小于零 c. 等于零 d. 或大于零或小于零 6. 增强型NMOS 管的开启电压__________。 a. 大于零 b. 小于零 c. 等于零 d. 或大于零或小于零 7. 只有__________场效应管才能采取自偏压电路。 a. 增强型 b. 耗尽型 c. 结型 d. 增强型和耗尽型 8. 分压式电路中的栅极电阻R G 一般阻值很大，目的是__________。 a. 设置合适的静态工作点 b. 减小栅极电流 c. 提高电路的电压放大倍数 d. 提高电路的输入电阻 9. 源极跟随器（共漏极放大器）的输出电阻与___________有关。 a. 管子跨导g m b. 源极电阻R S c. 管子跨导g m 和源极电阻R S 10. 某场效应管的I DSS 为6mA ，而I DQ 自漏极流出，大小为8mA ，则该管是_______。 a. P 沟道结型管 b. N 沟道结型管 c. 增强型PMOS 管 d. 耗尽型PMOS 管 e. 增强型NMOS 管 f. 耗尽型NMOS 管 解答： 1.b 2.b 3.b,c 4. a 5.b 6.a 7. b,c 8. d 9.c 10.d 4-2 已知题4-2图所示中各场效应管工作在恒流区，请将管子类型、电源V DD 的极性（+、-）、u GS 的极性（>0，≥0，<0，≤0,任意）分别填写在表格中。 D DD （a ）题4-2图 D DD （b ） D DD （c ）D DD （d ） D DD （e ）D DD （f ） 解：
(电气工程)半导体三极管及其电路分析习题及解答
本文由yarelxtf贡献 doc文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT，或下载源文件到本机查看。 第二章 半导体三极管及其电路分析 题 1.2.1 有二个晶体管，一个β=200，ICEO=200μA；另一个β=50，ICEO=10μA 其余参数大致相同。你认为应选用哪个管子较稳定？解：选β=50,ICEO=10μA 的管子较稳定。题 1.2.2 有甲、乙两个三极管一时辨认不出型号，但可从电路中测出它们的三个未知电极 V V 乙管 VX=9V， Y=6V， Z=6.2V。 V V X、 Z 对地电压分别为： Y、甲管 VX=9V， Y=6V，Z=6.7V；试分析三个电极中，哪个是发射极、基极、集电极？它们分别是 NPN 型还是 PNP 型，是锗管还是硅管？解：甲管为 NPN 型硅管，其中 X 为 C 极，Y 为 E 极，Z 为 B 极；乙管为 PNP 型锗管，其中 X 为 C 极，Y 为 E 极，Z 为 B 极。题 1.2.3 共射电路如图题 1.2.3 所示。现有下列各组参数：（1） VCC=15V，Rb=390kΩ，Rc=3.1kΩ，β=100 （2）VCC=18V，Rb=310kΩ，Rc=4.7kΩ，β=100 （3） VCC=12V，Rb=370kΩ，Rc=3.9kΩ，β=80 （4）VCC=6V，Rb=210kΩ，Rc=3 kΩ，β=50 判定电路中三极管 T 的工作状态（放大、饱和、截止）。 图题 1.2.3 (1)工作在放大状态(工作在放大区)； (2)工作在饱和状态(工作在饱和区)； (3)工作在放大状态(工作在放大区)； (4)工作在放大状态(工作在放大区)。题 1.2.4 从图 题 1.2.4 所示各三极管电极上测得的对地电压数据中，分析各管的类型和电路中所处的工作状态。（1）是锗管还是硅管？（2）是 NPN 型还是 PNP 型？（3）是处于放大、截止或饱和状态中的哪一种？或是已经损坏？（指出哪个结已坏，是烧断还是短路？）[提示：注意在放大区，硅管 V BE = V B ? V E ≈ 0.7V ，锗管 解： VBE ≈ 0.3V ，且 VCE = VC ? VE >0.7V；而处于饱和区时， VCE ≤ 0.7V 。 图题 1.2.4 解： (a)NPN 硅管，工作在饱和状态； (b)PNP 锗管，工作在放大状态； (c)PNP 锗管，管子的 b-e 结已开路； (d)NPN 硅管，工作在放大状态； (e)PNP 锗管，工作在截止状态； (f)PNP 锗管，工作在放大状态； (g)NPN 硅管，工作在放大状态； (h)PNP 硅管，b-c 结已短路。 题 1.2.5 图题 1.2.5 所示电路中，设晶体管的β=50，VBE=0.7V。（1）试估算开关S 分别接通 A、B、C 时的 IB、IC、VCE，并说明管子处于什么工作状态。（2）当开关 S 置于 B 时，若用内阻为 10kΩ的直流电压表分别测量 VBE 和 VCE，能否测得实际的数值？试画出测量时的等效电路，并通过图解分析说明所测得的电压与理论值相比，是偏大还是偏小？（3）在开关置于 A 时，为使管子工作在饱和状态（设临界饱和时的 VCE=0.7V） c 值 不，R 应小于多少？ (1) S 接 A 点；IB≈0.14mA,IC≈3mA,VCE≈0.3V,管子饱和。 解：S 接 B 点：IＢ≈28.6mA,IC≈1.43mA,VCE≈7.85V，放大状态。 S 接 C 点：IB≈0,IC≈
第二章 晶体三极管和场效晶体管
课题第二章晶体三极管和场效晶体管 2.1.1～2.1.3 三极管的基本特性课型 新课 授课班级17机电授课时数2课时 教学目标 1．掌握三极管的结构、分类和符号 2．理解三极管的工作电压和基本连接方式 3．理解三极管电流的分配和放大作用、掌握电流的放大作用 教学重点 三极管结构、分类、电流分配和放大作用教学难点 电流分配和放大作用 学情分析学生已经了解了PN结及特性 学生已熟练掌握晶体二极管的基本特性 教学方法 讲授法、引导法、图示法、对比法、多媒体演示法 教后记 通过对本次课的学习，学生了解了三极管的基本特性，了解三极管中的PN结与二极管中PN结的区别，同时掌握了三极管的基本连接方式和放大倍数的计算方法，并能进行实际应用，利用查表法说出三极管的型号
A．引入 在电子线路中，经常用的基本器件除二极管外，还有三引脚的三极管。 B．新授课 2.1.1三极管的结构、分类和符号 一、晶体三极管的基本结构 1．观察外形 2．三极管的结构图 三极：发射极、基极、集电极 两结：发射结、集电结 三区：发射区、基区、集电区 3．特点 （1）发射区掺杂浓度较大，以利于发射区向基区发射载流子。 （2）基区很薄，掺杂少，载流子易于通过。 （3）集电区比发射区体积大且掺杂少，收集载流子。 注意：三极管并不是两个PN结的简单组合，不能用两个二极管代替。 二、图形符号 a．NPN型b．PNP型 三、分类 1．内部三个区的半导体分类：NPN型、PNP型 2．工作频率分类：低频管和高频管 3．以半导体材料分：锗、硅 2.1.2三极管的工作电压和基本连接方式 一、三极管的工作电压 1．三极管工作时，发射结加正向电压，集电结加反向电压。 2．偏置电压：基极与发射极之间的电压。 二、三极管在电路中的基本连接方式 1．共发射极接法 （讲解） （引导： 比较两种 符号，箭 头说明发 射结导通 的方向）
第二章晶体三极管分解
珙县职业高级中学 教案） 电子技术基 础》 授课教师：电子专业部
1.掌握三极管的结构、分类和符号。 2.理解三电流放大作用极管的。 3 ?掌握三极管的基本连接方式。 6?了解片状三极管。 7?了解场效晶体管结构特点和类型。 8. 理解场效晶体管电压放大原理。 1提高学生学习电子技术的兴趣。 2.培养学生积极参与，主动请教的态度。 3?创设各种合作学习的活动，促使学生互相学 习、互相帮助、发展合作精神。 和积极性。 5.尊重每个学生，关注性格内向或学习有困难的 学生，尽可能多地给他们实践的机会。 1.三极管的电流放大作用。 2.三极管的基本连接方式。 1.三电流放大作用极管的。 2.三极管的特性曲线和主要参数。 3.场效晶体管电压放大原理。 第一步：每次上课果，检查出勤、教具、学具、多媒体设施等, 第二步：每次上课时，通过设问、复习、情景创设等方法营造 晶体三极管 4?掌握三极管的特性曲线和主要参数。 知识目标 5?掌握三极管的测试方法。 教学目标 技能目标 1学会三极管的基本连接方式。 2.学会三极管的测试方法。 情感目标 4.鼓励学生在学习中的尝试，保护他们的自尊心 教材重、难点 3.三极管的测试方法。 教学组织与过程 营造企业化管理的学习情景。
已具备知识晶体二极管 1多媒体、三极管、万用表、彩色粉笔。 教学方法与实施过程 环节教师活动学生活动备注 任务准备 1.检查出勤、教具、学具、多媒体 2.总结上节课完成情况，提出改进措施进行工作准 备； 渐入工作角 色。 组织课堂，营造 企业化管理的学 习情景； 任务引入 与任务引出通过设冋、启发，复习上次课内容或视具体 情况结合生产生活实际引入新课，并提出本 节课的目标与希望，为本节课作准备： 1.思考回答问 题 2.学生接受任 务 创设教学情境学习氛围。 第三步：提出学习任务，让学生明确学习目的，明白应知、应 会要求。 第四步：让学生自己根据学习任务，制定学习方法与步骤。 第五步：组织学生交流、讨论、各抒己见、取长补短，确定学 习方法与步骤。 第六步：组织学生进行理论学习与操作。 第七步：学生自评、互评。 第八步：学生互动相互交流，指出不足。 第九步：教师总结。 教学教法任务驱动法 方法学法自学、讨论、交流、总结 教学媒体及辅件 2.音乐门铃套件（实习用）。
半导体三极管及放大电路基础
半导体三极管及放大电 路基础 Standardization of sany group #QS8QHH-HHGX8Q8-GNHHJ8-HHMHGN#
第二章半导体三极管及放大电路基础 第一节学习要求 第二节半导体三极管 第三节共射极放大电路 第四节图解分析法 第五节小信号模型分析法 第六节放大电路的工作点稳定问题 第七节共集电极电路 第八节放大电路的频率响应概述 第九节本章小结 第一节学习要求 （1）掌握基本放大电路的两种基本分析方法--图解法与微变等效电路法。会用图解法分析电路参数对电路静态工作点的影响和分析波形失真等；会用微变等效电路法估算电压增益、电路输入、输出阻抗等动态指标。 （2）熟悉基本放大电路的三种组态及特点；掌握工作点稳定电路的工作原理。 （3）掌握频率响应的概念。了解共发射极电路频率特性的分析方法和上、下限截止频率的概念。 第二节半导体三极管（BJT） BJT是通过一定的工艺，将两个PN结结合在一起的器件，由于PN结之间的相互影响，使BJT表现出不同 于单个 PN结的特性而具有电流放大，从而使PN结的应 用发生了质的飞跃。本节将围绕BJT为什么具有电流放 大作用这个核心问题，讨论BJT的结构、内部载流子的 运动过程以及它的特性曲线和参数。 一、BJT的结构简介 BJT又常称为晶体管，它的种类很多。按照频率分，有高频管、低频管；按照功率分，有小、中、大功
率管；按照半导体材料分，有硅管、锗管；根据结构不同，又可分成NPN型和PNP型等等。但从它们的外形来看，BJT都有三个电极，如图所示。 图是NPN型BJT的示意图。它是由两个 PN结的三层半导体制成的。中间是一块很薄的P型半导体(几微米~几十微米)，两边各为一块N型半导体。从三块半导体上各自接出的一根引线就是BJT的三个电极，它们分别叫做发射极e、基极b和集电极c，对应的每块半导体称为发射区、基区和集电区。虽然发射区和集电区都是N 型半导体，但是发射区比集电区掺的杂质多。在几何尺寸上，集电区的面积比发射区的大，这从图也可看到，因此它们并不是对称的。 二、BJT的电流分配与放大作用 1、BJT内部载流子的传输过程 BJT工作于放大状态的基本条件：发射结正偏、集电结反偏。 在外加电压的作用下， BJT内部载流子的传输过程为： （1）发射极注入电子 由于发射结外加正向电压V EE，因此发射结的空间电荷区变窄，这时发射区的多数载流子电子不断通过发射
《电子技术基础》第二章半导体三极管及其放大电路试卷
《电子技术基础》第二章半导体三极管及其放大电路试卷 一、单项选择题 1.在三极管放大器中,三极管各极电位最高的是( )。(2 分) A.NPN管的集电极 B.PNP管的集电极 C.NPN管的发射极 D.PNP管的基极 2.在一块正常放大的电路板上,测得三极管1、2、3脚对地电压分别为-10V、-10.3V、 -14V,下列符合该三极管的有( )。(2 分) A.PNP型三极管 B.硅三极管 C.1脚是发射极 D.2脚是基极 3.一般要求放大电路的( )。(2 分) A.输入电阻大,输出电阻大 B.输入电阻小,输出电阻大 C.输入电阻大,输出电阻小 D.输入电阻小,输出电阻小 4.用万用表判别三极管的管脚时,应该( )。(2 分) A.用R×1挡或R×10挡 B.先判别出基极B C.先判别出发射极E D.不需判别是NPN还是PNP 5.三极管按内部结构不同,可分为( )。(2 分) A.NPN型 B.PNP型 C.硅管 D.锗管 6.一个三级放大器,工作时测得A u1=100,A u2= -50,A u3=1,则总的电压放大倍数是( )。(2 分) A.51 B.100 C.-5000 D.1 7.在单管共发射极放大电路中,其输出电压u o与输入电压u i( )。(2 分) A.频率相同 B.波形相似 C.幅度相同
D.相位相反 8.有三只晶体三极管,除β和I CEO不同外,其他参数一样,用作放大器件时,应选用( )。(2 分) A.β=50,I CEO=0.5 mA B.β=140,I CEO=2.5 mA C.β=10,I CEO=0.5 mA 9.晶体三极管中电流固定不变的分配原则是:( )。(2 分) A. B. C. 10.在分压式偏置电路中,已知R B1=20kΩ,R B2=10 kΩ,R C=2 kΩ,R E=2kΩ,U CC=12V,β =50,R L=2kΩ。设U BEQ=0,I CQ为( )。(2 分) A.1mA B.2mA C.3mA D.4mA 二、判断题 11.( )功率放大电路的主要作用是向负载提供足够大的功率信号。(2 分) 12.( )放大电路静态工作点过高时,在V CC和R C不变情况下,可增加基极电阻R B。(2 分) 13.( )放大电路的静态,是指未加交流信号以前的起始状态。(2 分) 14.( )在放大电路中,静态工作点选得偏高,会出现截止失真。(2 分) 15.( )半导体三极管是电压放大器件。(2 分) 16.( )互补对称式功率放大电路输入交流信号时,总有一只功放管处于截止状态,所以输出信号波形必然失真。(2 分) 17.( )选择半导体三极管时,只要考虑其P CM常用的元器件半导体三极管
第六节常用的元器件半导体三极管 半导体三极管是电子设备的关键器件之一。它对信号具有放大及开关控制作用，也用于振荡、调制等，与电子管比较具有体积小、重量轻、坚固耐震、使用寿命长、耗电省等优点。 6.1 半导体三极管的分类 6.2 半导体三极管的极性判别 6.2.1 管型和管脚排列 6.2.2 管脚判别 （1）根据管脚排列及色点判别。有一种等腰三角形排列，其顶点是基极，有红色点的一边是集电极，另一极为发射极。另一种等腰三角形排列，顶点是基极，管帽边缘凸出的一边为发射极，另一极为集电极。还有一种等腰三角形排列，靠不同的色点来区分。顶点与管壳上的红点标记相对应的为集电极，与白点对应的为基极，与绿点对应的为发射极。有些管子管脚排成一条直线而距离相等，则管壳带红点的一边为发射极，中间为集电极，另一脚为基极，靠里的为基极，另一个为集电极。四个管脚的晶体管，若有四个点色，则红色点对应的是集电极，白色点对应的是基极，绿色点对应的是发射极，黑色点对应的是地线。有些四个管脚的晶体管，管壳带有凸缘，可将管脚朝向自己，则从管壳凸缘开始顺时针方向排列依次为发射极、基极、集电极、地线。对塑封晶体
管，可将剖去一个平面或去掉一个角的标记朝向自己，则从左至右依次依次为发射极、基极、集电极。超小型晶体管，其中一个管脚截去一角为标记，定位发射极，与其垂直的管脚为集电极。另一个管脚为基极。还有一种超小型三极管，将球面向上，管脚朝自己，则从左至右依次是基极、集电极、和发射极。以上均可参见图1-23。 （2）用万用表判别。目前晶体管的品种繁多，一般都可以用万用表判别管脚。其依据是：NPN型管子基极到发射极和基极到集电极均为PN结的正向，而PNP型管子基极到发射结反PN极和基极到集电极均为向。将万用表拨首先判别管子的基极。档上，用黑表棒或R*1k在R*100用红表棒分别接触接触某一管脚，另两个管脚，如表头读数都很小，则与黑表棒接触的那一管脚是基极，同时可（约几千欧）型。若用红表棒接触某一管脚，而用黑表棒NPN知此管子为时，表头读数同样都很小（约几百欧）分别接触另两个管脚，PNP 则与红表棒接触的那一管脚是基极，同时可知此管子为型。用上述方法既判定了晶体管的基极，又判别了管子的类型。确定基极后，NPN接着判别发射极和集电极。以型管子为例，假定其余的两只脚中的一只是集电极，将黑表棒接在此脚上，红表棒则接到假定的发射极上。用手指把假定的集电极和已测出的基极捏起来（但不要相碰），看表针指示，并记下此阻值的读数。然后再作相反假设，即把原来假设为集电
第二章 半导体三极管练习
第二章 半导体三极管 一、单选题 1. （ ）具有不同的低频小信号电路模型。 A. NPN 管和PNP 管 B. 增强型场效应管和耗尽型场效应管 C. N 沟道场效应管和P 沟道场效应管 D. 三极管和二极管 2. 放大电路如图所示，已知三极管的05=β，则该电路中三极管的工作状态为（ ）。 A. 截止 B. 饱和 C. 放大 D. 无法确定 3.硅三极管放大电路中，静态时测得集-射极之间直流电压U CE =0.3V ，则此时三极管工作于（ ） 状态。 A. 饱和 B. 截止 C. 放大 D. 无法确定 4. 放大电路如图所示，已知硅三极管的50=β，则该电路中三极管的工作状态为（ ）。 A. 截止 B. 饱和 C. 放大 D. 无法确定 5. 三极管当发射结和集电结都正偏时工作于（ ）状态。 A. 放大 B. 截止 C. 饱和 D. 无法确定 6. 某三极管的V 15,mA 20,mW 100(BR)CEO CM CM ===U I P ，则下列状态下三极管能正常工作的是（ ）。 A. mA 10,V 3C CE ==I U B. mA 40,V 2C CE ==I U C. mA 20,V 6C CE ==I U D. mA 2,V 20C CE ==I U 7. 关于三极管反向击穿电压的关系，下列正确的是（ ）。 A. EBO BR CBO BR CEO BR U U U )()()(>> B. EBO BR CEO BR CBO BR U U U )()()(>> C. CEO BR EBO BR CBO BR U U U )()()(>> D. CBO BR CEO BR EBO BR U U U )()()(>> 8. 在三极管放大电路中，下列等式不正确的是（ ）。 A.C B E I I I += B. B C I I β≈ C. CEO CBO I I )1(β+ = D. βααβ=+ 9. （ ）情况下，可以用H 参数小信号模型分析放大电路。 A. 正弦小信号 B. 低频大信号 C. 低频小信号 D. 高频小信号 10. 场效应管本质上是一个（ ）。 A 、电流控制电流源器件 B 、电流控制电压源器件 C 、电压控制电流源器件 D 、电压控制电压源器件 二、判断题 （ ）1. 三极管的输出特性曲线随温度升高而上移，且间距随温度升高而减小。 （ ）2. 三极管工作在放大区时，若i B 为常数，则u CE 增大时，i C 几乎不变，故当三极管工作在放大区时可视为一电流源。 （ ）3. 三极管的C 、E 两个区所用半导体材料相同，因此，可将三极管的C 、E 两个电极互换使用。 （ ）4. 双极型三极管由两个PN 结构成，因此可以用两个二极管背靠背相连构成一个三极管。 （ ）5. 双极型三极管和场效应管都利用输入电流的变化控制输出电流的变化而起到放大作用。 （ ）6. 分析三极管低频小信号放大电路时，可采用微变等效电路分析法把非线性器件等效为线性器件，从而简化计算。 （ ）7. 三极管放大电路中的耦合电容在直流分析时可视为短路，交流分析时可视为开路。 三、填空题 1. 双极型半导体三极管按结构可分为 型和 型两种，它们的符号分别_______和 2. β反映 态时集电极电流与基极电流之比；β反映 态时的电流放大特性。 3. 当温度升高时，三极管的参数β会 ，CBO I 会 ，导通电压会 4. 某放大电路中，三极管三个电极的电流如图所示，测得I A =2mA ，I B =0.04mA ，I C =2.04mA ，
(整理)4场效应晶体管及其电路.
第四章 场效应晶体管及其电路 【场效应管，7学时】 1. MOS 场效应管 EMOS 场效应管：DMOS 场效应管；四种MOS 场效应管比较；小信号模型分析方法 2. 结型场效应管 工作原理：伏安特性 3. 场效应管应用原理 §4.1 场效应管（FET ） 场效应管是一种利用电场效应来控制电流大小的半导体器件。其特点是控制端基本上不需要电流，是一种用输入电压控制输出电流的半导体器件。它在工作过程中只有一种载流子参与导电——多子。（而在半导体三极管的工作过程中，管子内部的多子和少子都参与导电。因此，称场效应管为单极型晶体管，称半导体三极管为双极型晶体管）。 从参与导电的载流子来划分，它有电子作为载流子的N 沟道器件和空穴作为载流子的P 沟道器件。从场效应三极管的结构来划分，它有结型场效应三极管JFET （Junction type Field Effect Transister ）和绝缘栅型场效应三极管IGFET （ Insulated Gate Field Effect Transister ） 之分。IGFET 也称金属-氧化物-半导体三极管MOSFET （Metal Oxide Semicon-ductor FET ）。从工作方式又分为增强型和耗尽型，由于结构和工作原理的特点，结型场效应管只有耗尽型。 一. 结型场效应管（JFET ）【1学时】 1. 结构、电路符号及其特点（以N 沟道为例） 结型场效应三极管的结构如图4.1所示，它是在N 型半 导体的两侧扩散高浓度的P 型区（用P ＋ 表示），形成两个 PN 结夹着一个N 型沟道的结构。两个P 区用欧姆接触电极 连在一起即为栅极G ，N 型半导体的一端引出为漏极D ，另 一端为源极S 。箭头由P 指向N 。 实际的JFET 的结构如图4.1所示。 电极D(Drain)称为漏极，相当双极型三极管的集电极； ????? ??????????????????????沟道沟道耗尽型沟道沟道增强型绝缘栅型场效应管沟道沟道结型场效应管场效应管P N P N P N 图4.1 结型场效应三极管的结构
第二章、三极管
第二章、三极管 一、选择题（本大题共小题，每小题分，共分） 1、晶体三极管内部由（ ）个PN 结构成。 A 、一个 B 、二个 C 、三个 D 、多个 2、如果测得一个放大电路中其三极管的直流电压U CE ＜１Ｖ，则它处于（ ）。 A 、放大状态 B 、饱和状态 C 、截止状态 3、有万用表测得PNP 晶体管三个电极的电位分别是V C =6V ，V B =0.7V ，V E =1V 则晶体管工作在（ ）状态。 A 、 放大 B 、截止 C 、饱和 D 、损坏 4、三级管工作在放大区，要求（ ） A 、发射结正偏，集电结正偏 B 、发射结正偏，集电结反偏 C 、发射结反偏，集电结正偏 D 、发射结反偏，集电结反偏 5、一只NPN 型三极管三极电位分别有V C =3.3V ，V E =3V ，V B =3.7V ，则该管工作在（ ） A ．饱和区 B ．截止区 C ．放大区 D ．击穿区 6、下列三极管各个极的电位，处于放大状态的三极管是（ ） A V C =0.3V ，V E =0V ， V B =0.7V B V C =-4V ， V E =-7.4V ，V B =-6.7V C V C =6V ， V E =0V ， V B =-3V D V C =2V ， V E =2V ， V B =2.7V 7、工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为( )。 A. 83 B. 91 C. 100 D 、50 8、工作于放大状态的PNP 管，各电极必须满足（ ） A 、U C > U B > U E B 、U C < U B < U E C 、U B >U C > U E D 、U C > U E > U B 9、NPN 型三极管处在放大状态时是( ) A 、U BE <0, U BC <0 B 、U BE >0, U B C >0 C 、U BE >0, U BC <0 D 、U B E <0, U BC >0 10、PNP 型三极管处在放大状态时是( ) A 、U BE <0, U BC <0 B 、U BE >0, U B C >0 C 、U BE >0, U BC <0 D 、U B E <0, U BC >0 11、在三极管的共发射极输入特性曲线中，曲线与（ ）对应。 A 、I E B 、U BE C 、I B D 、U CE 12、下列三极管连接的电路图中，属于共发射极连接的是（ ）。 A B C u i u o b c e + _ + _ u i u o e c b + _ + _ u i u o b c e + _ + _
模拟电子技术基础第二章练习题
注意：答案仅供参考！ 一、填空题 1. 半导体三极管属于 电流 控制器件，而场效应管属于 电压 控制器件。 2. 放大器有两种不同性质的失真，分别是 线性 失真和 非线性 失真。 3. 共射极放大电路中三极管集电极静态电流增大时，其电压增益将变 大 ；若负载电阻R L 变小时，其电压增益将变 小 。 4. 单级共射极放大电路产生截止失真的原因是 静态Ic 偏小 ；产生饱和失真的原因是 Ic 偏大 ；若两种失真同时产生，其原因是 输入信号太大 。 5.静态工作点Q 点一般选择在 交流 负载线的中央。 6.静态工作点Q 点选得过低会导致 截止 失真；Q 点选得过高会导致 饱和 失真。 7.对于下图所示电路，设V CC =12V ，R b =510k Ω，R c =8 k Ω，V BE =0.7V ，V CE （sat ）=0.3V,当β=50，静态电流I BQ = 22μA ，I CQ = 1.1mA ，管压降V CEQ = 3.2V ；若换上一个当β=80，静态电流I BQ = 22μA ，I CQ = 1.46mA ，管压降V CEQ = 0.3V ，三级管工作在 饱和 状态。 8.对于下图所示电路，设V CC =12V ，三级管β=50，V BE =0.7V ，若要求静态电流I CQ =2mA ，V CEQ =4V ，则电路中的R b = 282.5 k Ω ，R C = 4 k Ω 。
9.对于下图所示电路，已知V CC =12V，R b1 =27 kΩ，R c =2 kΩ,R e =1 kΩ,V BE =0.7V, 现要求静态电流I CQ =3mA，则R b2 = 12 kΩ。 10.已知图示的放大电路中的三级管β=40，V BE=0.7V，稳压管的稳定电压V Z=6V， 则静态电流I BQ = 0.275mA ，I CQ = 11mA ，管压降V CEQ = 3V 。 11. 当环境温度升高时，三极管的下列参数变化的趋势是：电流放大系数β增 大，穿透电流I CEO增加，当I B不变时，发射结正向压降|U BE|减小。 12.若下图所示放大电路在冬天调试时能正常工作，当到了夏天后，发现输出波形失真，且幅度增大，这时发生的失真是饱和失真，失真的主要原因是由于 夏天室温升高后，三级管的 I CBO 、 V BE 和β三个参数的变化，引起工 作点上移；输出波形幅度增大，则是因为β参数随温度升高而增大所造成，输出波形幅度增大也是引起失真的一个原因。