光伏电池片技术参数
光伏电池片技术参数
Company Document number：WTUT-WT88Y-W8BBGB-BWYTT-19998
太阳能光伏组件典型技术参数
?型号。一般由生产厂家自行制定。
?光伏组件光电转换效率为10％、11%、12％、13％、14％、15％、16％等。
?尺寸结构。光伏组件大小与结构各有不同。
?使用黏合胶体类型：标称胶体类型。
?电气参数。光伏组件电气参数有标称输出功率、峰值电压、峰值电流、短路电流、开路电压、系统电压。串联电阻r s和并联电阻r sh
?温度范围：标称温度使用范围。
?功率误差范围（±%）：标称级别。
?承受冰雹能力：标称级别。
?接线盒。接线盒的参数有电气参数、防护等级、连接线长度等参数。
典型产品技术参数。
围、通过认证、质量等级标准等参数。
常见的组件系列还有50W（M-多晶硅/S-单晶硅）、80W（M-多晶硅/S-单晶硅）、120W（M-多晶硅/S-单晶硅）、160W（M-多晶硅/S-单晶硅）、140W（M-多晶硅/S-单晶硅）、150W（M-多晶硅/S-单晶硅）等系列。
组件参数的测试环境和条件如下表所示：
质量等级标准
根据国内电子行业标准SJ/规定，结合GB 6495、GB 6497、
GB/T14007、SJ/中的相关规定，地面用晶体硅太阳能电池组件质量等级标准如下：
?优等品标准：外观尺寸符合详细规范规定，美观、无缺陷；转换效率不低于%。
?一等品标准：外观尺寸符合详细规范规定；转换效率不低于%。
?合格品标准：外观尺寸符合现行标准。
伏电池、组件输出功率和转换效率的换算方法
PV001光伏网资讯频道2010-04-13 14:49:48阅读：939我要投稿
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光伏电池片和组件的转换效率是由其输出功率和面积大小决定的。同输出功率的，面积越大，转换效率越低；同样面积的，输出功率越高，转换效率越高。这三者之间满足简单的换算关系。现介绍如下：
提供两种换算光伏组件转换效率的方法如下：
1、光伏电池、组件光电转换效率=（带负载测得的电压*电流）/当时测量的条件下的辐照强度值。
（非晶一般为6%，单晶一般为14%，多晶一般为13%）
2、光伏电池、组件光电转换效率=输出功率/（组件长*宽*1000）
以下以南京中电电气生产的四种电池片为例，说明电池片光电转换效率和其输出功率的关系：
太阳能电池片功率计算
产品类型转化效率(%) 功率(W)
单晶125*125 15
单晶156*156 15
多晶125*125 15
多晶156*156 15
注：1)测试条件符合太阳光谱的辐照强度1000W/m2，电池温度25℃，测试方法符合IEC904-1，容许效率偏差±5%
电池片转换效率=输出功率/（组件长*宽*1000）=( ,125X1000)=%约为15%
晶硅太阳能电池片的制作过程
晶硅太阳能电池板的制作过程 1、表面制绒单晶硅绒面的制备是利用硅的各向异性腐蚀，在每平方厘米硅表面形成几百万个四面方锥体也即金字塔结构。由于入射光在表面的多次反射和折射，增加了光的吸收，提高了电池的短路电流和转换效率。硅的各向异性腐蚀液通常用热的碱性溶液，可用的碱有氢氧化钠，氢氧化钾、氢氧化锂和乙二胺等。大多使用廉价的浓度约为1%的氢氧化钠稀溶液来制备绒面硅，腐蚀温度为 70-85℃。为了获得均匀的绒面，还应在溶液中酌量添加醇类如乙醇和异丙醇等作为络合剂，以加快硅的腐蚀。制备绒面前，硅片须先进行初步表面腐蚀，用碱性或酸性腐蚀液蚀去约20～25μm，在腐蚀绒面后，进行一般的化学清洗。经过表面准备的硅片都不宜在水中久存，以防沾污，应尽快扩散制结。 2、扩散制结太阳能电池需要一个大面积的PN结以实现光能到电能的转换，而扩散炉即为制造太阳能电池PN结的专用设备。管式扩散炉主要由石英舟的上下载部分、废气室、炉体部分和气柜部分等四大部分组成。扩散一般用三氯氧磷液态源作为扩散源。把P型硅片放在管式扩散炉的石英容器内，在850---900摄氏度高温下使用氮气将三氯氧磷带入石英容器，通过三氯氧磷和硅片进行反应，得到磷原子。经过一定时间，磷原子从四周进入硅片的表面层，并且通过硅原子之间的空隙向硅片内部渗透扩散，形成了N型半导体和P型半导体的交界面，也就是PN结。这种方法制出的PN结均匀性好,方块电阻的不均匀性小于百分之十,少子寿命可大于10ms。制造PN结是太阳电池生产最基本也是最关键的工序。因为正是PN结的形成，才使电子和空穴在流动后不再回到原处，这样就形成了电流，用导线将电流引出，就是直流电。 3、去磷硅玻璃该工艺用于太阳能电池片生产制造过程中，通过化学腐蚀法也即把硅片放在氢氟酸溶液中浸泡，使其产生化学反应生成可溶性的络和物六氟硅酸，以去除扩散制结后在硅片表面形成的一层磷硅玻璃。在扩散过程中，POCL3与O2反应生成P2O5淀积在硅片表面。P2O5与Si反应又生成SiO2和磷原子，这样就在硅片表面形成一层含有磷元素的SiO2，称之为磷硅玻璃。去磷硅玻璃的设备一般由本体、清洗槽、伺服驱动系统、机械臂、电气控制系统和自动配酸系统等部分组成，主要动力源有氢氟酸、氮气、压缩空气、纯水，热排风和废水。氢氟酸能够溶解二氧化硅是因为氢氟酸与二氧化硅反应生成易挥发的四氟化硅气体。若氢氟酸过量，反应生成的四氟化硅会进一步与氢氟酸反应生成可溶性的络和物六氟硅酸。 4、等离子刻蚀由于在扩散过程中，即使采用背靠背扩散，硅片的所有表面包括边缘都将不可避免地扩散上磷。PN结的正面所收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到PN结的背面，而造成短路。因此，必须对太阳能电池周边的掺杂硅进行刻蚀，以去除电池边缘的PN结。通常采用等离子刻蚀技术完成这一工艺。等离子刻蚀是在低压状态下，反应气体CF4的母体分子在射频功率的激
太阳能光伏电池新技术一览
太阳能光伏电池新技术一览 不管是何种太阳能电池的研发与创新，提高太阳能电池转换效率、降低太阳能光伏电池生产成本是所有电池生产企业及研发机构关注的核心问题。 现阶段，太阳能光伏电池行业传来不少新型电池成功研发的喜讯，既有工艺技术上的变革、也有制造材料上的创新。真可谓是百花齐放、百舸争流。受中国电池网（https://www.360docs.net/doc/9b9766710.html,）授权，下面给大家总结下新的太阳能光伏电池研发成果，让感兴趣的朋友们能更深入的了解到现今的太阳能光伏电池技术的发展。 1.喷墨打印技术降低铜铟镓硒太阳能光伏电池 传统的太阳能光伏电池生产技术通常非常耗时，并且需要使用昂贵的真空系统和有毒的化学物质。使用气象沉积沉淀化合物，如铜铟镓硒(CIGS)，会损失大量昂贵的材料。俄勒冈州立大学的工程师首次研发出一种通过喷墨打印技术制造铜铟镓硒太阳能光伏电池的方法。这个方法可以减少90%原材料损耗，大幅降低了使用昂贵化合物生产太阳能光伏电池的成本。 研究者发明了一种墨，能够将黄铜矿打印在基片上，打印出的成品能量转化效率为5%。虽然，这个转化效率还无法满足商用，但研究者表示他们在接下来的研究中有望将转换率提高到12%。 工程师们正在研究其他更为便宜、可用于喷墨技术的化合物。他们称，如果这些材料能够降低足够的成本，直接在屋面材料上安装太阳能电池将成为可能。 2.单晶多晶混合太阳能光伏电池 中国太阳能电池生产商尚德电力(SuntechPower)研发出新型混合太阳能光伏电池，可以有效降低太阳能光伏发电成本10%到20%。这种电池由70%的单晶硅和30%的多晶硅构成。单晶多晶混合硅片的造价成本只是传统单晶硅硅片的一半。由于硅片只占太阳能总体成本的一部分，所以从整体上来看，有助于降低太阳能发电成本10%-20%。 尚德电力首席技术官StuartWenham表示，将很快实现该产品的规模化生产。 3.全光谱太阳能光伏电池 近日报道，加拿大科学家表示，他们研发出了一款新式的全光谱太阳能光伏电池，其不但可以吸收太阳发出的可见光，也可以吸收不可见光，从理论上讲，转化效率可高达42%，超过现有普通太阳能光伏电池31%的理论转化率。研究发表在最新一期的《自然·光子学》杂志上。 此款基于胶体量子点(CQD)的高效串接太阳能光伏电池由加拿大首席纳米技术科学家、多伦多大学电子与计算机工程系教授泰德·萨金特领导的科研团队研制而成。论文主要作者王希华(音译)表示，该太阳能光伏电池由两个吸光层组成：一层被调制用于捕捉太阳发出的可见光;而另外一层则可以捕捉太阳发出的不可见光。 萨金特希望，在5年内，将这款新的分级重组层太阳能光伏电池整合入建筑材料、手机和汽车零件中。 4.量子阱太阳能光伏电池 在西雅图举行的第37届IEEE光伏专家会议上，MagnoliaSolar的首席技术官RogerE.Welser博士做了有关InGaAs量子阱太阳能光伏电池的报告，MagnoliaSolar刷新了该类太阳能光伏电池的电压记录。 “通过把窄带隙量子阱嵌入宽带隙材料中，量子阱结构太阳能光伏电池吸收光谱更宽，同时吸收高能光子的能量损失更小。”MagnoliaSolar的董事长兼首席执行官AshokK.Sood博士表示，”单结量子阱太阳能光伏电池在非聚光条件下的理论转化效率高达45%。” 5.可挠式非晶硅太阳能光伏电池 日本媒体近日报导，TDK已研发出一款可挠式太阳能电池，藉由光学设计的改良，该款太阳能光伏电池在屋外阳光下的转换率已自现行的4.5%提升至7%的水准，TDK并计画于今(2011)年夏天透过甲府工厂量产该款太阳能光伏电池。据报导，该款太阳能电池为采用薄膜基板的非晶硅(amorphoussilicon)太阳能光伏电池。
太阳能电池及硅切片技术
太阳能电池简介 太阳能电池根据所用材料的不同，太阳能电池可分为：硅太阳能电池、多元化合物薄膜太阳能电池、聚合物多层修饰电极型太阳能电池、纳米晶太阳能电池、有机太阳能电池，其中硅太阳能电池是目前发展最成熟的，在应用中居主导地位。 （1）硅太阳能电池 硅太阳能电池分为单晶硅太阳能电池、多晶硅薄膜太阳能电池和非晶硅薄膜太阳能电池三种。 单晶硅太阳能电池转化效率最高，技术也最为成熟，理想转化效率略大于30%，在实验室最高的转化效率为23%，最近实验室转化效率可以达到24.7%，常规地面用商业用直拉单晶硅太阳能电池转化效率可达到18%，期望不久可以达到20%以上。在大规模应用和工业生产中仍占据主导地位，但由于单晶硅成本价格高，弱光特性较差，生产工艺复杂，大幅度降低其成本很困难，为了降低成本，发展多晶硅薄膜和非晶硅薄膜做为单晶硅太阳能电池的替代产品。 多晶硅薄膜太阳能电池与单晶硅比较,成本低廉，而效率高于非晶硅薄膜电池，其实验室最高转换效率为18%,工业规模生产的转换效率为16%。因此，多晶硅薄膜电池不久将会在太阳能电地市场上占据主导地位。
非晶硅薄膜太阳能电池成本低重量轻，转换效率较高，便于大规模生产，有极大的潜力。但受制于其材料引发的光电效率衰退效应，稳定性不高，直接影响了它的实际应用。（2）多元化合物薄膜太阳能电池 多元化合物薄膜太阳能电池材料为无机盐，其主要包括砷化镓III-V族化合物、硫化镉、硫化镉及铜锢硒薄膜电池等。 硫化镉、碲化镉多晶薄膜电池的效率较非晶硅薄膜太阳能电池效率高，成本较单晶硅电池低，并且也易于大规模生产，但由于镉有剧毒，会对环境造成严重的污染，因此，并不是晶体硅太阳能电池最理想的替代产品。 砷化镓（GaAs）III-V化合物电池的转换效率可达28%，GaAs化合物材料具有十分理想的光学带隙以及较高的吸收效率,抗辐照能力强,对热不敏感，适合于制造高效单结电池。但是GaAs材料的价格不菲,因而在很大程度上限制了用GaAs 电池的普及。 铜铟硒薄膜电池（简称CIS）适合光电转换，不存在光致衰退问题，转换效率和多晶硅一样。具有价格低廉、性能良好和工艺简单等优点，将成为今后发展太阳能电池的一个重要方向。唯一的问题是材料的来源，由于铟和硒都是比较稀有的元素，因此，这类电池的发展又必然受到限制。 （3）聚合物多层修饰电极型太阳能电池
光伏电池片技术参数
太阳能光伏组件典型技术参数 型号。一般由生产厂家自行制定。 光伏组件光电转换效率为10％、11%、12％、13％、14％、15％、16％等。 尺寸结构。光伏组件大小与结构各有不同。 使用黏合胶体类型：标称胶体类型。 电气参数。光伏组件电气参数有标称输出功率、峰值电压、峰值电流、短路电流、开路电压、系统电压。串联电阻r s和并联电阻r sh 温度范围：标称温度使用范围。 功率误差范围（±%）：标称级别。 承受冰雹能力：标称级别。 接线盒。接线盒的参数有电气参数、防护等级、连接线长度等参数。 典型产品技术参数。 20W（M-多晶硅）参数表 组件系列20W（M-多晶硅） 规格4W 5W 10W 20W 开路电压（ OC V/V）21.3 21.3 21.3 21.3 短路电流（ OC I/A）0.26 0.31 0.65 1.3 最大功率电压（ mp V/V）17.2 17.2 17.2 17.2 最大功率电流（ mp I/A）0.24 0.30 0.59 1.17 峰值功率（ P P/W） 4 5 10 20 填充因子（FF）>72% 实际光转换效率（η）11% 12.8% 14% 14.3% 外形尺寸（mm）336×156×26 536×246×26 615×280×26 安装孔尺寸（mm）208× 112 208×112 330×202 379×232 安装孔径（mm）Φ6 Φ6 Φ6 Φ6
重量（kg）0.5 1.6 2.23 除以上参数外，常用的参数还有细胞类型、细胞数目、电池工作温度范围、通过认证、质量等级标准等参数。 常见的组件系列还有50W（M-多晶硅/S-单晶硅）、80W（M-多晶硅/S-单晶硅）、120W（M-多晶硅/S-单晶硅）、160W（M-多晶硅/S-单晶硅）、140W（M-多晶硅/S-单晶硅）、150W（M-多晶硅/S-单晶硅）等系列。 组件参数的测试环境和条件如下表所示： 标准测试条件：AM1.5，辐照度1000W/㎡，环境温度25℃电池温度25℃边框接地电阻≤10Ω 绝缘测试电压3000V 迎风压强2400 P a 即以上组件参数均要在此条件下测试所得。 质量等级标准 根据国内电子行业标准SJ/T9550.30-1993规定，结合GB 6495、GB 6497、GB/T14007、SJ/T9550.30-1993中的相关规定，地面用晶体硅太阳能电池组件质量等级标准如下： 优等品标准：外观尺寸符合详细规范规定，美观、无缺陷；AM1.5转换效率不低于9.0%。 一等品标准：外观尺寸符合详细规范规定；AM1.5转换效率不低于8.0%。 合格品标准：外观尺寸符合现行标准。 伏电池、组件输出功率和转换效率的换算方法 PV001光伏网资讯频道2010-04-13 14:49:48阅读：939我要投稿手机看新闻 光伏电池片和组件的转换效率是由其输出功率和面积大小决定的。同输出功率的，面积越大，转换效率越低；同样面积的，输出功率越高，转换效率越高。这三者之间满足简单的换算关系。现介绍如下： 提供两种换算光伏组件转换效率的方法如下： 1、光伏电池、组件光电转换效率=（带负载测得的电压*电流）/当时测量的条件下的辐照强度值。 （非晶一般为6%，单晶一般为14%，多晶一般为13%） 2、光伏电池、组件光电转换效率=输出功率/（组件长*宽*1000）
光伏太阳能电池技术路线图
光伏太阳能电池技术路线图 不断提高光电转换效率和组件额定功率已是当今光伏行业的关键指标。这不仅是整个行业的长期目标，而且是在竞争激烈的产业环境下领军厂商脱颖而出的必要条件。 NPD Solarbuzz上海办公室，2012年2月14日—根据最新出版的NPD Solarbuzz 光伏设备季度报告指出，不断提高光电转换效率和组件额定功率已是当今光伏行业的关键指标。这不仅是整个行业的长期目标，而且是在竞争激烈的产业环境下领军厂商脱颖而出的必要条件。光电转换效率的提高意味着制造工艺流程和原材料（主材和辅材）的改变，理想情况下，引领这些改变的各种技术构成了一份技术路线图。 成功采用这些技术的光伏厂商将在市场份额的竞争中占有优势，能为新工艺流程提供关键设备和原材料的厂商则将成为后续扩产阶段的首选供应商。 因此，许多研发实验室，设备/原材料厂商，光伏制造商和区域性协会都积极地 试图影响技术路线图的内容和进程。设备和原材料厂商也经常根据这些路线图衍生的结论调整企业发展战略，从而与未来的市场需求保持一致。 光伏路线图的不确定性 只有当光伏行业主要厂商采用路线图上的技术时，以上推断才成立，否则将事与愿违。 实际上，产业上下游的设备和原材料厂商在过去吃了不少苦头，因为他们制订内部战略所依据的路线图与常常与主要厂商的路线图并不一致。 在这种情况下，人们一直都对光伏技术路线图抱有怀疑。然而，产业仍然需要确立一个有凝聚力的技术路线图，需要改变的是路线图产生过程中使用的研究方法和推理假设。 NPD Solarbuzz的光伏技术路线图 NPD Solarbuzz的研究方法源于对各个光伏厂商详细工艺流程的分析，并追踪不同工艺流程对产品在下游和终端市场表现的影响。对于光伏厂商设备支出和每个流程设备供应商收入确认与存货的分析，对这种专注于商业运营的研究方法作出了进一步的补充。 经过过去两三年对各种门类光伏技术的大量设备投资，几种技术选择浮出水面。这些设备投资涵盖形形色色的晶硅和薄膜方案，并且经常精心组织各种市场活动，以宣传和支持各自的方案。
太阳能电池片技术发展的现状和趋势
太阳能电池片生产技术的发展和趋势 LED光伏电子项目部 2009/2/22
1太阳能电池片的生产工艺 1.1太阳能电池的工作原理 典型的太阳电池本质上是一个大面积半导体二极管，它利用光伏效应原理把太阳辐射能转换成电能。当太阳光照射到太阳电池上并被吸收时,其中能量大于 禁带宽度Eg的光子能把价带中电子激发到导带上去，形成自由电子,价带中留下带正电的自由空穴，即电子-空穴对，通常称它们为光生载流子。自由电子和空穴在不停的运动中扩散到pn结的空间电荷区,被该区的内建电场分离电子被扫 到电池的n型一侧，空穴被扫到电池的p型一侧，从而在电池上下两面(两极) 分 别形成了正负电荷积累，产生“光生电压”,即“光伏效应”（photovoltaic effect）若在电池两侧引出电极并接上负载,负载中就有“光生电流”通过，得到可利用的电能,这就是太阳电池的工作原理，如图1所示。 图1太阳电池的工作原理 光伏效应是1839年法国Becqueral第一次在化学电池中观察到的。1876年在固态硒(Se)的系统中也观察到了光伏效应,随后开发出Se/CuO光电池。硅光电池 的报道出现于1941年1954年，贝尔实验室Chapin等人开发出效率为6%的单晶硅光电池，为太阳能光伏发电奠定了技术基础，成为现代太阳电池时代的划时代标志。作为能源,硅太阳电池于1958年首先在航天器上得到应用。在随后10。多年里,硅太阳电池在空间应用中不断扩大，工艺不断改进,电池设计逐步定型。70 年代初，许多新技术引入电池制造工艺,转换效率有了很大提高。与此同时,硅太阳电池开始引入地面应用，70年代末，地面太阳电池产量已经超过了空间电池产 量,促使成本不断降低。80年代初，硅太阳电池发展进入快速发展时期，技术进步和研究开发使太阳电池效率进一步提高，商业化生产成本持续降低，应用不断 扩大。在太阳电池的整个发展历程中,先后开发出各种不同结构的电池，如肖特基(MS)电池、MIS电池、MINP电池、异质结电池等，其中同质p2n结电池自始 至终占着主导地位，其他结构电池对太阳电池的发展也产生了重要影响。在材料 方面,有晶硅电池、非晶硅薄膜电池、铜铟硒(CIS)薄膜电池、碲化镉(CdTe)薄膜电池、砷化镓薄膜电池等，由于薄膜电池被认为是未来大幅度降低成本的根本出
晶硅太阳能电池片的制作过程
晶硅太阳能电池片的制 作过程 集团文件版本号：（M928-T898-M248-WU2669-I2896-DQ586-M1988）
晶硅太阳能电池板的制作过程 1、表面制绒单晶硅绒面的制备是利用硅的各向异性腐蚀，在每平方厘米硅表面形成几百万个四面方锥体也即金字塔结构。由于入射光在表面的多次反射和折射，增加了光的吸收，提高了电池的短路电流和转换效率。硅的各向异性腐蚀液通常用热的碱性溶液，可用的碱有氢氧化钠，氢氧化钾、氢氧化锂和乙二胺等。大多使用廉价的浓度约为1%的氢氧化钠稀溶液来制备绒面硅，腐蚀温度为70-85℃。为了获得均匀的绒面，还应在溶液中酌量添加醇类如乙醇和异丙醇等作为络合剂，以加快硅的腐蚀。制备绒面前，硅片须先进行初步表面腐蚀，用碱性或酸性腐蚀液蚀去约20～25μm，在腐蚀绒面后，进行一般的化学清洗。经过表面准备的硅片都不宜在水中久存，以防沾污，应尽快扩散制结。 2、扩散制结太阳能电池需要一个大面积的PN结以实现光能到电能的转换，而扩散炉即为制造太阳能电池PN结的专用设备。管式扩散炉主要由石英舟的上下载部分、废气室、炉体部分和气柜部分等四大部分组成。扩散一般用三氯氧磷液态源作为扩散源。把P型硅片放在管式扩散炉的石英容器内，在850---900摄氏度高温下使用氮气将三氯氧磷带入石英容器，通过三氯氧磷和硅片进行反应，得到磷原子。经过一定时间，磷原子从四周进入硅片的表面层，并且通过硅原子之间的空隙向硅片内部渗透扩散，形成了N型半导体和P型半导体的交界面，也就是PN结。这种方法制出的PN结均匀性好,方块电阻的不均匀性小于百分之十,少子寿命可大于10ms。制造PN结是太阳电池生产最基本也是最关键的工序。因为正是PN结的形成，才使电子和空穴在流动后不再回到原处，这样就形成了电流，用导线将电流引出，就是直流电。
光伏电池片的回收处理方法与制作流程
图片简介: 本技术涉及光伏电池片回收处理技术领域，介绍了一种光伏电池片的回收处理方法。首先将光伏电池片用碱液浸泡，待碱液与电池片表面的铝浆完全反应之后，得到去铝电池片，将去铝电池片取出，得到含铝碱液。去铝电池片经清洗后，用酸溶液浸泡，将电池片表面的Ag 浸出，得到去银电池片，将所述去银电池片取出，得到含银酸液。加入HF溶液，待反应完全后时，得到去氮化硅的电池片；电池片经清洗后得到纯净的硅晶片。在上述步骤中均通过一清洗装置对电池片进行清洗，以得到纯净的硅晶片。本技术的光伏电池片的回收处理方法
所采用电池片的清洗装置，可以对电池片的各个角度进行反复清洗，提高了电池片的清洗效率和清洗效果。 技术要求 1.一种光伏电池片的回收处理方法，其特征在于，其依次包括如下步骤： 步骤S1：首先将光伏电池片用碱液浸泡，待碱液与电池片表面的铝浆完全反应之后，得 到去铝电池片，将去铝电池片取出，得到含铝碱液； 步骤S2：上述步骤S1碱浸处理后的去铝电池片经清洗后，用酸溶液浸泡，将电池片表面 的Ag浸出，得到去银电池片，将所述去银电池片取出，得到含银酸液； 步骤S3：上述步骤S2酸浸处理后的去银电池片，表面仍覆盖有蓝色氮化硅防反射层，加 入HF溶液，待反应完全后时，得到去氮化硅的电池片；电池片经清洗后得到纯净的硅晶片。 其中，在步骤S1、S2、S3中均通过一清洗装置对所述电池片进行清洗，以得到纯净的硅 晶片。 2.如权利要求1所述的光伏电池片的回收处理方法，其特征在于，在步骤S1中所述碱液为NaOH溶液，其质量浓度为50％～60％。 3.如权利要求1所述的光伏电池片的回收处理方法，其特征在于，在步骤S2中所述酸溶液为HNO3溶液，其摩尔浓度为11～13mol/L。 4.如权利要求1所述的光伏电池片的回收处理方法，其特征在于，所述清洗装置包括筒 体，所述筒体内收容有竖立的圆盘一，所述圆盘一一侧靠近顶部的偏心处垂直设置有两 个相对的支撑板，每个所述支撑板的顶部设置有用于夹持固定所述电池片的片夹，所述 圆盘一的上方设置有喷淋组件，所述喷淋组件为所述电池片的清洗提供水源。 5.如权利要求4所述的光伏电池片的回收处理方法，其特征在于，所述支撑板背离圆心方向的一侧开设有滑槽；所述片夹的底部滑动连接在所述滑槽内，所述滑槽的槽壁与所述 片夹的相应侧壁间通过一伸缩杆连接，所述伸缩杆的外侧套接有弹簧一。
光伏电池片技术参数
光伏电池片技术参数 Company Document number：WTUT-WT88Y-W8BBGB-BWYTT-19998
太阳能光伏组件典型技术参数 ?型号。一般由生产厂家自行制定。 ?光伏组件光电转换效率为10％、11%、12％、13％、14％、15％、16％等。 ?尺寸结构。光伏组件大小与结构各有不同。 ?使用黏合胶体类型：标称胶体类型。 ?电气参数。光伏组件电气参数有标称输出功率、峰值电压、峰值电流、短路电流、开路电压、系统电压。串联电阻r s和并联电阻r sh ?温度范围：标称温度使用范围。 ?功率误差范围（±%）：标称级别。 ?承受冰雹能力：标称级别。 ?接线盒。接线盒的参数有电气参数、防护等级、连接线长度等参数。 典型产品技术参数。 围、通过认证、质量等级标准等参数。
常见的组件系列还有50W（M-多晶硅/S-单晶硅）、80W（M-多晶硅/S-单晶硅）、120W（M-多晶硅/S-单晶硅）、160W（M-多晶硅/S-单晶硅）、140W（M-多晶硅/S-单晶硅）、150W（M-多晶硅/S-单晶硅）等系列。 组件参数的测试环境和条件如下表所示： 质量等级标准 根据国内电子行业标准SJ/规定，结合GB 6495、GB 6497、 GB/T14007、SJ/中的相关规定，地面用晶体硅太阳能电池组件质量等级标准如下： ?优等品标准：外观尺寸符合详细规范规定，美观、无缺陷；转换效率不低于%。 ?一等品标准：外观尺寸符合详细规范规定；转换效率不低于%。 ?合格品标准：外观尺寸符合现行标准。 伏电池、组件输出功率和转换效率的换算方法 PV001光伏网资讯频道2010-04-13 14:49:48阅读：939我要投稿 手机看新闻 光伏电池片和组件的转换效率是由其输出功率和面积大小决定的。同输出功率的，面积越大，转换效率越低；同样面积的，输出功率越高，转换效率越高。这三者之间满足简单的换算关系。现介绍如下： 提供两种换算光伏组件转换效率的方法如下： 1、光伏电池、组件光电转换效率=（带负载测得的电压*电流）/当时测量的条件下的辐照强度值。 （非晶一般为6%，单晶一般为14%，多晶一般为13%） 2、光伏电池、组件光电转换效率=输出功率/（组件长*宽*1000） 以下以南京中电电气生产的四种电池片为例，说明电池片光电转换效率和其输出功率的关系： 太阳能电池片功率计算 产品类型转化效率(%) 功率(W) 单晶125*125 15 单晶156*156 15 多晶125*125 15 多晶156*156 15 注：1)测试条件符合太阳光谱的辐照强度1000W/m2，电池温度25℃，测试方法符合IEC904-1，容许效率偏差±5%
光伏电池片丝网印刷SOP
丝网印刷SOP 一、丝网印刷结构图 二、印刷参数和调整。 1、硅片厚度。一般设置为0.18mm—0.2mm，是指承印物的厚度，稍微影响丝网间距。 2、丝网间距（sanp-off）。决定网版距离硅片的距离，间距大时印刷重量重，间距小时 印刷重量轻。调整范围是0.5mm—1.5mm。 3、印刷压力（park）。决定刮刀在网版上施加的压力，影响印刷重量，压力大时印刷 重量轻，压力小时印刷重量重。调整范围0.2mp—0.3mp。 4、背压。决定刮刀下刀速度。背压大时刮刀下刀速度快，背压小时刮刀下刀速度慢。 背压太大时，容易造成压版隐裂。调整范围0.10-0.20mp 5、印刷速度（print speed）。决定印刷时的刮刀运行速度，速度高时印刷重量重，速度 慢时印刷重量轻，但对印重影响较小。调整范围150-250mm/s。 6、回墨速度（flood speed）。决定回墨刀运行速度。调整范围350—600mm/s。 7、刮刀深度（down-stop）。决定印刷时的刮刀下降高度。在印刷机上不可见，受气缸 控制。可通过调整气缸供气量解决。 三、印刷异常描述和解决 1、虚印。外观上，肉眼从侧面观察，可以看到局部颜色偏暗；显微镜观察，可以看到 局部印刷高度明显偏低。可到导致虚印的原因有： A.网版制作异常，局部曝光不佳，在印刷后的电池上形成局部虚印。一般，如果
在刚换上网版时，就出现局部规则性虚印，且每片都出现，即可判断为网版异常。更换另外一块网版即可。 B.网版局部堵网严重，导致透墨不佳，在印刷后的电池上形成局部虚印。一般， 出现在印刷图形的边缘，且在网版使用一段时间后出现。使用无尘布蘸松油醇擦拭网版，然后使用试印纸2次，将网版上残余松油醇擦拭干净即可。 C.刮刀不水平，导致印刷厚度不均匀，在印刷后的电池上形成局部虚印。一般， 在电池上表现为图形规则的虚印，且面积较大。重新较刮刀水平即可解决。 D.刮刀深度太低，导致网版上印刷后刮刀刮不干净浆料。在印刷后的电池上形成 局部虚印或大面积虚印。 E.回墨刀过高或不水平，导致浆料无法覆盖全部印刷图形，一般为大面积虚印。 添加适量浆料或是适当下调回墨刀可以解决；若是一个工位大面积虚印则为回墨刀不水平，需要重新校正回墨刀水平即可。 2、断线。 A.网版制作异常，局部乳剂未清洗干净，导致印刷后在电池细栅线上形成局部断 点，显微镜可以观察到该区域无浆料覆盖。如使用无尘布蘸松油醇擦拭网版无法解决，即可确认网版异常，更换网版后可解决。 B.网版使用过程中网孔被浆料堵塞，导致印刷后在电池细栅线上形成局部断点， 使用无尘布蘸松油醇擦拭网版，然后使用试印纸2次，将网版上残余松油醇擦拭干净即可。 C.硅片表面不洁净，有粉尘，导致印刷后在电池细栅线上形成局部断点。需要加 强前道气枪吹扫，并要求PE进行炉管吹扫或清理。 3、图形偏移。 A.网版制作异常或受损伤，导致网版局部张力降低，形成图形偏移或印刷图形局 部扭曲。将网版调转180度重新装上后，随网版位置变化而变化，并且换下清理后使用张力计可以检测到张力异常，该类型可以通过更换网版来解决。 B.校准异常，导致硅片位置偏移，印刷后图形偏移。重新校准后即可解决。 C.本身硅片尺寸异常，通常为硅片角度偏移，与正常硅片重叠对比可以明显看出 角度存在偏差，此类异常直接反馈硅检停投或是让步放行。 4、隐裂和压版。 A.硅片表面不洁净，有小颗粒的硅或其他东西粘在硅片表面，导致印刷后出现碎
光伏电池片技术参数
光伏电池片技术参数 This model paper was revised by the Standardization Office on December 10, 2020
太阳能光伏组件典型技术参数 型号。一般由生产厂家自行制定。 光伏组件光电转换效率为10％、11%、12％、13％、14％、15％、16％等。 尺寸结构。光伏组件大小与结构各有不同。 使用黏合胶体类型：标称胶体类型。 电气参数。光伏组件电气参数有标称输出功率、峰值电压、峰值电流、短路电流、开 路电压、系统电压。串联电阻r s 和并联电阻r sh 温度范围：标称温度使用范围。 功率误差范围（±%）：标称级别。 承受冰雹能力：标称级别。 接线盒。接线盒的参数有电气参数、防护等级、连接线长度等参数。典型产品技术参数。 20W（M-多晶硅）参数表 组件系列20W（M-多晶硅）
除以上参数外，常用的参数还有细胞类型、细胞数目、电池工作温度范围、通过认证、质量等级标准等参数。 常见的组件系列还有50W（M-多晶硅/S-单晶硅）、80W（M-多晶硅/S-单晶硅）、120W（M-多晶硅/S-单晶硅）、160W（M-多晶硅/S-单晶硅）、140W（M-多晶硅/S-单晶硅）、150W（M-多晶硅/S-单晶硅）等系列。 组件参数的测试环境和条件如下表所示： 即以上组件参数均要在此条件下测试所得。 质量等级标准
根据国内电子行业标准SJ/规定，结合GB 6495、GB 6497、GB/T14007、SJ/中的相关规定，地面用晶体硅太阳能电池组件质量等级标准如下： 优等品标准：外观尺寸符合详细规范规定，美观、无缺陷；转换效率不低于%。 一等品标准：外观尺寸符合详细规范规定；转换效率不低于%。 合格品标准：外观尺寸符合现行标准。 伏电池、组件输出功率和转换效率的换算方法 PV001光伏网资讯频道2010-04-13 14:49:48 阅读：939 我要投稿手机看新闻 光伏电池片和组件的转换效率是由其输出功率和面积大小决定的。同输出功率的，面积越大，转换效率越低；同样面积的，输出功率越高，转换效率越高。这三者之间满足简单的换算关系。现介绍如下： 提供两种换算光伏组件转换效率的方法如下： 1、光伏电池、组件光电转换效率=（带负载测得的电压*电流）/当时测量的条件下的辐照强度值。 （非晶一般为6%，单晶一般为14%，多晶一般为13%） 2、光伏电池、组件光电转换效率=输出功率/（组件长*宽*1000） 以下以南京中电电气生产的四种电池片为例，说明电池片光电转换效率和其输出功率的关系：
主要薄膜光伏电池技术及制备工艺介绍
主要薄膜光伏电池（非/微晶硅、CIGS） 技术及制备工艺介绍 第一章薄膜光伏电池技术及发展概况简述一、全球主要薄膜光伏电池技术简介
图：薄膜光伏电池结构
二、薄膜光伏电池发展概况 （一）非晶硅薄膜电池的大规模应用堪忧 中国有超过20 家非晶硅薄膜电池厂商，共约1.1GW 产能，其中800MW的转换效率为6%-7%，300MW 的转换效率高于8.5%，最高的转换效率可以达到9%-10%，生产成本为约0.8 美元/W。如果非晶硅薄膜电池的转换效率为10％，组件的价格低于晶体硅电池的75％，才有竞争力。 随着今年晶硅电池成本的下降和转换效率的稳步提升，2010 年7月，美国应用材料公司(Applied Materials)宣布，停止向新客户销售其SunFab 系列整套非晶硅薄膜技术。8 月，无锡尚德叫停旗下的非晶硅薄膜太阳能组件生产线的业务。非晶硅薄膜电池要继续扩张市场份额，还需要突破其转换率低和衰减性等问题，建立市场信心。 另外，非晶硅薄膜电池在半透明BIPV 玻璃幕领域具有相对优势，但目前BIPV 仍面临透光度和转换效率的两难困境，大规模应用尚未推行，非晶硅薄膜电池前景堪忧。 （二）CdTe薄膜电池难以成为国内企业的发展重点 CdTd 薄膜电池方面，美国First Solar 一枝独秀。First Solar 组件效率已达11％，成本降低到0.76 美元/W，在所有太阳电池中成本最低。First Solar 今年产能约1.4GW,预计2011、2012 年分别达到2.1GW 、2.7GW。在电池制造技术和装备制造，市场份额和规模效应方面，FirstSolar 已经占据了绝对优势，国内企业难以有较大发展，目前国内介入CdTe 电池的企业仅三家，且均未实现大规模量产。
光伏电池的几种类型
光伏电池的几种类型 光伏电池的几种类型随着科学技术进步、市场需求拉动和世界各国产业政策的引导，近年光伏发电快速发展，在新能源、可再生能源领域中一枝独秀，将成为最有发展前景的主导能源和替代能源。光伏发电最基本的装置就是光伏电池。它是利用光伏技术制作，直接将太阳能转换为电能的光电元件。目前，世界上最常用的光伏电池主要有以下几种类型： 一、单晶硅光伏电池 单晶硅光伏电池是开发较早、转换率最高和产量较大的一种光伏电池。目前单晶硅光伏电池转换效率在我国已经平均达到16.5％,而实验室记录的最高转换效率超过了24.7%。这种光伏电池一般以高纯的单晶硅硅棒为原料，纯度要求 99.9999%。为了降低生产成本，现在地面应用的光伏电池采用太阳能级的单晶硅棒，材料性能指标有所放宽。有的也可使用半导体器件加工的头尾料和废次单晶硅材料，经过复拉制成光伏电池专用的单晶硅棒。将单晶硅棒切成硅片, 硅片厚度一般在180-220um左右。硅片经过检测、清洗、制绒等工序后，再在表层上掺杂和扩散微量元素硼、磷、锑等，形成PN结，即具备了电池的基本特征。为了防止大量的光子被光滑的硅片表面反射掉，需要采用Pevcd法等在硅片表面
上镀一层氮化硅减反射膜，同时还起到保护作用。然后经过去磷硅玻璃和等离子刻蚀后，采用丝网印刷法，将配制好的银浆印在硅片上做成栅线，同时制成背电极，再经过经过烧结工艺，就制成了单晶硅光伏电池片。 二、多晶硅光伏电池 多晶硅光伏电池是以多晶硅材料为基体的光伏电池。由于多晶硅材料多以浇铸代替了单晶硅的拉制过程，因而生产时间缩短，制造成本大幅度降低。再加之单晶硅硅棒呈圆柱状，用此制作的光伏电池也是圆片，因而组成光伏组件后平面利用率较低。与单晶硅光伏电池相比，多晶硅光伏电池就显得具有一定竞争优势。但是，在多晶硅材料的生长过程中,由于热应力的作用,会在晶粒中产生大量的位错。再加上金属杂质和氧碳等杂质在位错上的聚集,会造成复合中心,使电学性能不均匀,因此大大降低少数载流子的寿命，影响光伏电池片的转换效率。多晶硅光伏电池的制造工艺和单晶硅光伏电池相差不大,所用的设备也基本相同,只是在制造多晶硅光伏电池时要尽量降低其晶界对光生载流子的复合损失。近年来多晶硅电池片研究和发展日新月异，经过采取磷和铝吸杂、氢气钝化和建立界面场等工艺措施，从而大大提高了光伏电池的转换效率。目前，工业化生产的多晶硅电池转换效率达到了12%-15%。 三、非晶硅光伏电池
太阳能电池组件技术规范
太阳能电池组件技术规范-标准化文件发布号：（9456-EUATWK-MWUB-WUNN-INNUL-DDQTY-KII
太阳电池组件成品技术规范 编写： 校对： 审核： 会签：、 、 、 、 、 、 批准：
太阳电池组件技术总规范 1目的 通过制定太阳电池组件技术总规范，使公司所生产的太阳能电池组件的生产及质量处于规范、可控的状态。保证产品质量，满足客户要求。 2适用范围 2.1本技术规范规定了太阳电池组件的技术要求、外观质量及性能要求。 2.2本技术规范适用于本公司生产的太阳能电池组件（客户另有要求除外）。 2.3本技术规范不能取代本公司与客户签订的技术协议。 3职责权限 3.1技术开发部制定太阳能电池组件成品技术总规范； 3.2公司各相关部门在电池组件生产、检验等环节依据本规范执行。 4引用文件 4.1 GB/T 9535 地面用晶体硅光伏组件——设计鉴定和定型（IEC 61215-2005，IDT）； 4.2 GB/T 20047.1-2006 光伏（PV）组件安全鉴定第1部分：结构要求（IEC 61730-1:2004）； 4.3 GB/T 20047.2-2006光伏（PV）组件安全鉴定第2部分：试验要求（IEC 61730-2:2004）； 4.4 QEH-2011-RD-I139A太阳电池组件用晶硅电池片技术规范V1.0； 4.5 QEH-2011- RD-I115A太阳电池组件用钢化玻璃技术规范V2； 4.6 QEH-2011- RD-I121A太阳电池组件用EVA技术规范V2； 4.7 QEH-2011- RD-I122A太阳电池组件用背板材料技术规范 V2；
电池片丝网印刷技术修订稿
电池片丝网印刷技术 WEIHUA system office room 【WEIHUA 16H-WEIHUA WEIHUA8Q8-
电池片丝网印刷技术 1 引言 随着全球能源的日趋紧张，太阳能以无污染、市场空间大等独有的优势受到世界各国的广泛重视，国际上众多大公司投入太阳能电池研发和生产行业。从太阳能获得电力，需通过太阳能电池进行光电变换来实现，硅太阳能电池是一种有效地吸收太阳能辐射并使之转化为电能的半导体电子器件，广泛应用于各种照明及发电系统 中。 2 硅太阳能电池的生产工序 太阳能电池原理主要是以半导体材料硅为基体，利用扩散工艺在硅晶体中掺入杂质：当掺入硼、磷等杂质时，硅晶体中就会存在着一个空穴，形成n型半导体；同样，掺入磷原子以后，硅晶体中就会有一个电子，形成p 型半导体，p型半导体与n型半导体结合在一起形成pn结，当太阳光照射硅晶体后，pn结中n型半导体的空穴往p型区移动，而p型区中的电子往n型区移动，从而形成从n型区到p型区的电流，在pn结中形成电势 差，这就形成了电源，见图1。
图1 太阳能电池原理示意 图2 太阳能电池生产主要工序 图2为硅太阳能电池生产的主要工序，从中可以看出丝网印刷是生产太阳能电池的重要工序，其印刷质量（厚 度，宽度，膜厚一致性）影响电池片的技术指标。 3 工序对印刷电极的要求 背面银电极印刷（背银） 在电池片的正极面（p区）用银铝浆料印刷两条电极导线（宽约3～4mm）作为电池片的电极（图3）。 图3 电池片背银及背铝印刷示意图 背面铝印刷（背铝） 在电池片的正极面采用铝浆料印刷整面（除背银电极外）。 正面银印刷（正银） 在电池片的正面（喷涂减反射膜的面）同时用银浆料印刷一排间隔均匀的栅线和两条电极（图4），在工艺上 要求栅线间距约3mm、宽度约～0.12mm：
光伏产品结构出现变化 单晶硅片电池片表现亮眼
光伏产品结构出现变化单晶硅片电池片表现亮眼 2018年上半年，我国光伏产业呈现出规模持续增长、市场应用保持稳定、技术水平不断提升和产品出口继续增长等特点。 2018年1—5月我国光伏产品出口结构(按金额) 数据来源：海关总署 2014—2018年半年度我国新增装机情况(单位：GW) 数据来源：国家能源局
产业规模持续增长 据中国光伏行业协会统计，2018年1—6月，我国多晶硅产量14.3万吨，同比增加24%以上;硅片产量50GW，同比增长38.9%;电池片产量39GW，同比增长21.9%;组件产量42GW，同比增长23.5%。在产多晶硅企业在1—5月均满产甚至超产运行，6月企业库存增加，部分企业通过安排检修方式减产，产量有所下降。在组件环节产量中，仍有50%以上在国内市场消化，行业平均产能利用率在76.5%左右。 市场应用保持稳定 受惠于成本的持续下降和国内配额制预期，光伏电站投资意愿持续增强，即使在531约束下，上半年装机量依然不逊于去年。2018年上半年，国内新增光伏装机量约24GW，同比基本持平，分布式装机约12.24GW，同比增长72%，新增规模首次超过集中式光伏。全国光伏发电量823.9亿千瓦时，同比增长达59%;全国弃光率3.6%，同比下降3.2个百分点，弃光电量30.4亿千瓦，同比下降7.1亿千瓦时，弃光问题逐步好转。技术层面，系统集成技术不断优化，高容配比、跟踪、双面、光伏+等技术层出不穷，应用方式也更趋多样化。 产品结构出现变化 2018年上半年，单晶产品的产量占比明显上升，一些多晶硅片企业受制于设备、资金等因素，陆续停产或破产，自6月以来有加速趋势。经统计，今年上半年，在硅片产量中，单晶硅片已经占据52.7%;在电池片产量中，单晶电池片占据41%。而2017年全年，我国单晶硅片和电池片产量占比分别为31%和32.3%。 技术水平不断提升 多晶硅方面，亚洲硅业流化床法取得突破，黄河、鑫华等电子级多晶硅实现出货。硅片方面，CCZ法、硼镓共掺、铸造单晶等长晶技术快速发展，金刚线切割应用范围进一步扩大。电池片方面，PERC技术产业化加速，单晶电池几乎全部采用PERC工艺，电池片量产平均效率>21.8%;多晶PERC已开始进入产业化阶段，电池片量产平均效率≥20.6%;P-型PERC电池已经开始向双面电池发展;N型、HIT等产业化应用速度超预期，MBB、双面技术发展速度加快。组件
太阳能电池组件技术规范资料
太阳电池组件成品技术规范 编写： 校对： 审核： 会签：、 、 、 、 、 、 批准：
太阳电池组件技术总规范 1目的 通过制定太阳电池组件技术总规范，使公司所生产的太阳能电池组件的生产及质量处于规范、可控的状态。保证产品质量，满足客户要求。 2适用范围 2.1本技术规范规定了太阳电池组件的技术要求、外观质量及性能要求。 2.2本技术规范适用于本公司生产的太阳能电池组件（客户另有要求除外）。 2.3本技术规范不能取代本公司与客户签订的技术协议。 3职责权限 3.1技术开发部制定太阳能电池组件成品技术总规范； 3.2公司各相关部门在电池组件生产、检验等环节依据本规范执行。 4引用文件 4.1 GB/T 9535 地面用晶体硅光伏组件——设计鉴定和定型（IEC 61215-2005，IDT）； 4.2 GB/T 20047.1-2006 光伏（PV）组件安全鉴定第1部分：结构要求（IEC 61730-1:2004）； 4.3 GB/T 20047.2-2006光伏（PV）组件安全鉴定第2部分：试验要求（IEC 61730-2:2004）； 4.4 QEH-2011-RD-I139A太阳电池组件用晶硅电池片技术规范V1.0； 4.5 QEH-2011- RD-I115A太阳电池组件用钢化玻璃技术规范V2； 4.6 QEH-2011- RD-I121A太阳电池组件用EVA技术规范V2； 4.7 QEH-2011- RD-I122A太阳电池组件用背板材料技术规范 V2； 4.8 QEH-2011- RD-I114A太阳电池组件用焊带技术规范V1.2； 4.9 QEH-2011- RD-I123A太阳电池组件用接线盒技术规范V2.0； 4.10 QEH-2010-RD-I118A太阳电池组件用铝合金边框技术规范； 4.11 QEH-2011-RD-I119A 太阳电池组件用透明胶带技术规范V1.0； 4.12 QEH-2011-RD-I124太阳能电池组件制造工艺过程卡汇总V4.0; 4.13 IEC 60364-2005 Electrical installations of buildings-Part 5-51 Selection and erection of electrical equipment-Common rules.
太阳能电池片技术及发展
太阳能电池片技术及发展 结构 太阳能电池片分为单晶电池片和多晶电池片。性质是晶体。 太阳能电池片的生产工艺流程分为硅片检测--表面制绒及酸洗--扩散制结--去磷硅玻璃--等离子刻蚀及酸洗--镀减反射膜--丝网印刷--快速烧结等。 分类 国内常用的太阳能晶硅电池片根据尺寸和单多晶可分为: 单晶125*125 单晶156*156 多晶156*156 单晶150*150 单晶103*103 多晶125*125
技术参数
相关组件 晶体硅太阳电池的优良性能简介: ·高效率，低衰减，可靠性强; ·先进的扩散技术，保证了片间片内的良好均匀性，降低了电池片之间的匹配损失; ·运用先进的管式PECVD成膜技术，使得覆盖在电池表面的深蓝色氮化硅减反射膜致密、均匀、美观; ·应用高品质的金属浆料制作电极和背场。确保了电极良好的导电性、可焊性以及背场的平整性; ·高精度的丝网印刷图形，使得电池片易于自动焊接。 折叠156*156多晶 晶体硅太阳电池的优良性能简介: 除了125*125单晶电池的优良性能外还有以下性能 ·高精度的丝网印刷图形，使得电池片易于自动焊接。 折叠125单晶 晶体硅太阳能电池组件的优良性能简介: ·SF-PV的组件可以满足不同的消费层次 ·使用高效率的硅太阳能电池
·组件标称电压24/12V DC ·3.2mm厚的钢化玻璃 ·为提高抗风能力和抗积雪压力，使用耐用的铝合金框架以方便装配， ·组件边框设计有用于排水的漏水孔消除了在冬天雨或雪水长期积累在框架内造成结冰甚至使框架变形 ·电缆线使用快速连接头来装配 ·满足顾客要求的包装 ·保证25年的使用年限 折叠156多晶 晶体硅太阳能电池组件的优良性能简介:同125单晶的优良性能 制造工艺 太阳能电池片的生产工艺流程分为硅片检测--表面制绒及酸洗--扩散制结-- 去磷硅玻璃--等离子刻蚀及酸洗--镀减反射膜--丝网印刷--快速烧结等。具体介绍如下： 折叠一、硅片检测 硅片是太阳能电池片的载体，硅片质量的好坏直接决定了太阳能电池片转换效率的高低，因此需要对来料硅片进行检测。该工序主要用来对硅片的一些技术参数进行在线测量，这些参数主要包括硅片表面不平整度、少子寿命、电阻率、P/N型和微裂纹等。该组设备分自动上下料、硅片传输、系统整合部分和四个检测模块。其中，光伏硅片检测仪对硅片表面不平整度进行检测,同时检测硅片的尺寸和对角线等外观参数;微裂纹检测模块用来检测硅片的内部微裂纹;另外还有两个检测模组，其中一个在线测试模组主要测试硅片体电阻率和硅片类型，另一个模块用于检测硅片的少子寿命。在进行少子寿命和电阻率检测之前，需要先对硅片的对角线、微裂纹进行检测，并自动剔除破损硅片。硅片检测设备能够自动装片和卸片，并且能够将不合格品放到固定位置，从而提高检测精度和效率。