模拟电路复习题

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模拟电路复习

第一章半导体二极管及其基本电路

1、PN结外加正向电压时,扩散电流_ 大于_ 漂移电流,耗尽层___变窄__ __。(大于、变窄)

2、(1)在图1所示的电路中,当电源V=5V时,测得I=1mA。若把电源电压调整到V=10V,则电流的大小将是_ C__。

(图1)

A.I=2mA

B.I<2mA

C.I>2mA

3、设硅稳压管Dz1和Dz2的稳定电压分别为5V和10V,求图2中电路的输出电压Uo。已知稳压管的正向压降为0.7V。输出电压为0.7 V 。

(图2)

4、图3所示电路,设Ui=sinωt(V),V=2V,二极管具有理想特性,则输出电压Uo的波形应为图示___A____图。

(图3)

5、试判断图4中二极管是导通还是截止?并求出AO两端电压VA0。设二极管为理想的。 D1二极管是截止,D2二极管是导通。VAO的电压为 -4V 。

(图4)

解:分析方法:(1)将D1、D2从电路中断开,分别出D1、D2两端的电压;(2)根据二极管的单向导电性,二极管承受正向电压则导通,反之则截止。若两管都承受正向电压,则正向电压大的管子优先导通,然后再按以上方法分析其它管子的工作情况。

本题中:V12=12V,V34=12+4=16V,所以D2优先导通,此时,V12=-4V,所以D1管子截止。VA0 = -4V。

第二章半导体三极管及放大电路

例1.半导体三极管为什么可以作为放大器件来使用,放大的原理是什么?试画出固定偏流式共发射极放大电路的电路图,并分析放大过程。

答:放大的原理是利用小信号对大信号的控制作用,利用vBE的微小变化可以导致iC的大变化。固定偏流式共发射极放大电路如图5,其放大过程为:

(图5)

放大的原理和本质:

交流电压U i通过电容C1加到三极管的基极,从而使基极和发射极两端的电压发生了变化:

由VBE→VBE+U i,

由于PN结的正向特性很陡,因此VBE的微小变化就能引起iE发生很大的变化:

由IE→IE+ △IE,

由于三级管内电流分配是一定的,因此iB和iC作相同的变化,其中IC→IC +△IC。

iC流过电阻Rc,则Rc上的电压也就发生变化:

由VRc→VRc +△VRc。

由于vCE=VCC-vRc,因此当电阻Rc上的电压随输入信号变化时,vCE也就随之变化,由VCE→VCE+△VCE,vCE中的变化部分经电容C2传送到输出端成为输出电压Uo。如果电路参数选择合适,我们就能得到比△vi大得多的△U o。

所以,放大作用实质上是放大器件的控制作用,是一种小变化控制大变化。

例2.电路如图6所示,设半导体三极管的β=80,试分析当开关K分别接通A、B、C三位置时,三级管各工作在输出特性曲线的哪个区域,并求出相应的集电极电流Ic。

(图6)

解:(1)当开关K置A,在输入回路IB.Rb+VBE=Vcc,可得IB=Vcc/Rb=0.3mA 假设工作在放大区,则IC=β.IB=24mA,VCE=Vcc-IC.Re< 0.7V,故

假设不成立,三级管工作在放大区。此时,VCE=VCES=0.3V,IC=V cc/Re=3mA (2)当开关K置B,同样的方法可判断三级管工作在放大区,IC=β.IB=1.92mA (3)当开关K置C,三级管工作在截止状态,IC=0

例3.某固定偏流放大电路中三极管的输出特性及交、直流负载线如图7所示,试求:

(1)电源电压VCC、静态电流IB、IC和VCE。

(2)电阻R b、R c的值。

(3)输出电压的最大不失真幅度。

(4)要使该电路能不失真地放大,基极正弦电流的最大幅度是多少?

(图7)

解:(1)直流负载线与横坐标的交点即VCC值,IB=20uA,Ic=1mA VCE=3V (2)因为是固定偏流放大电路,电路如图8所示

图8

Rb=VCC/IB=300KΩ

Rc=(VCC-VCE)/IC=3KΩ

(3)由交流负载线和输出特性的交点可知,在输入信号的正半周,输出电压vCE 从3V到0.8V,变化范围为2.2V,在输入信号的负半周,输出电压vCE从3V到4.6V,变化范围为1.6V。综合考虑,输出电压的最大不失真幅度为1.6V。

(4)同样的方法可判断输出基极电流的最大幅值是20μA.

例4.电路如图9(a)所示,已知三极管的β=100,VCC =12 V,V BE=0.7V。

(1)试画出放大电路的直流通路和交流通路。

(2)若Rb=300K,Rc=2K,RL=4K,试计算该电路的Q点;

(3)画出简化的H参数小信号等效电路;

(4)求该电路的电压增益A V,输入电阻R i,输出电阻R o。

(5)若V O中的交流成分出现如图9(a)所示的失真现象,问是截止失真还是饱和失真?为消除此失真,应调节电路中的哪个元件,如何调整?

解:(1)

(b)

(a)

图9

先分别从三极管的三个极(b、e、c)出发,根据电容和电源交流短接,画出放大电路的交流通路;

直流通路交流通路

(2) IBQ=VCC/Rb=12/300K =40μA

VCEQ= (VCC-ICQ.RC)= (12-β.IBQ.RC) =4V

(3)步骤:根据放大电路的交流通路,将三极管用小信号模型替代;并将电路中电量用瞬时值或相量符号表示,即得到放大电路的小信号等效电路。注意受控电流源的方向。

(4) rbe=300+(1+β)26mA/IEQ =950Ω

电压放大倍数AV=-Vo/Vi =-β(RC//RL) /rbe =-140.3

Ri=Rb//rbe=950Ω

Ro=Rc =4KΩ

(5) 因为vBE=vi+VCb1=vi+VBE

从输出波形可以看出,输出波形对应vs正半周出现失真,也即对应vBE 增大部分出现失真,即为饱和失真。增大Rb,降低静态工作点,可消除此失真。说明:

分析这类问题时,要抓住两点:(1)发生饱和失真或截止失真与发射结的电压有关(对于NPN型管子,为vBE;对于PNP型管子为vEB),发射结电压过大(正半周),发生饱和失真;过小(负半周),发生截止失真。(2)利用放大电路交、直流共存的特点,找出发射结电压与输入信号之间的关系。这里,要利用耦合电容两端的电压不变(因为为大电容,在输入信号变化的范围内,其两端的电压认为近似不变),如上题式子中的VCb1=VEB。

第三章集成电路运算放大器

1、集成运算放大器是一种采用______耦合方式的放大电路,最常见的问题是__________。(直接、零点漂移现象)

2、在差动放大电路中,若Vs1=18mV,Vs2=10mV,则输入差模电压Vsd =______mV,共模输入电压Vsc=______mV;若差模电压增益Avd= - 10,共模电压增益Avc= - 0.2,则差动放大电路输出电压V o=______mV。(8、14、-82.8)

3、差动放大电路的基本功能是对差模信号的_______作用和对共模信号的_______作用。(放大、抑制)

4、差动放大电路抑制零点漂移的原理是________________________________________。(利用电路的对称性和发射极电阻的共模负反馈)

5.集成运放的输入级为什么采用差分式放大电路?对集成运放的中间级和输出级各有什么要求?一般采用什么样的电路形式?

集成运算放大器是一个高增益直接耦合多级放大电路,直耦多级放大电路存在零点漂移现象,尤以输入级的零点漂移最为严重。差动放大电路利用电路的对称性和发射级电阻Re或恒流源形成的共模负反馈,对零点漂移有很强的抑制所用,所以输入级常采用差分放大电路,它对共模信号有很强的抑制力。

中间级主要是提供高的电压增益,中间级的电路形式多为差分电路和带有源负载的高增益放大器。

输出级主要是降低输出电阻,提高带负载能力。输出级主要由PNP和NPN 两种极性的三极管或复合管组成,以获得正负两个极性的输出电压或电流。

第四章反馈放大电路

1、判断下列说法是否正确

(1)在深度负反馈放大电路中,闭环放大倍数A f=1/F,它与反馈系数有关,而与放大电路开环时的放大倍数无关,因此基本放大电路的参数无实际意义。(错)

(2)若放大电路的负载固定,为使其电压放大倍数稳定,可以引入电压负反馈也可以引入电流负反馈。(对)

(3)负反馈只能改善反馈环路内的放大性能,对反馈环路之外无效。(对)(4)电压负反馈可以稳定输出电压,流过负载的电流也就必然稳定,因此电压负反馈和电流负反馈都可以稳定输出电流,在这一点上电压负反馈和电流负反馈没有区别。(错)

2、电压反馈和电流反馈在什么条件下其效果相同,什么条件下效果不同?(当电路的负载不变情况下,电压反馈和电流反馈效果相同; 当电路的负载发生变化时,电压反馈和电流反馈效果不相同。)

3 判断如图10电路的反馈类型

图10

解:(1)利用瞬时极性法判断反馈极性

设T1管基极有一瞬时增量

Vi(Vb1)⊕→Vc1(-)→Vc2⊕→Ve1⊕

因为,T1管Vb1⊕,Ve1⊕所以,T1管的净输入电压UBE减小,所以,为负反馈.

(2)从采样端,利用输出短接法。将输出端V o短接,则无反馈量影响输入信号,所以为电压负反馈。

(3)从比较端,由于反馈信号是以电压形式影响输入信号,所以为串联负反馈。

结论:电压串联负反馈。

4. 图如例1,在深度负反馈条件下,估算电压放大倍数AVf=V o/ V i。

解:在深度负反馈条件:

由于已判别是串联负反馈,所以

Vi=Vf

AVf=Vo/Vi=A/(1+AFV)= 1/FV

反馈网络:

忽略C f的影响,所以,Fv=Vf/Vo=Re1/(Re1+Rf)

所以,Avf=(Re1+Rf)/Re

5: 判断如图11电路的反馈类型

图11

6、负反馈对放大电路性能的影响有哪些?

(1)、提高放大倍数的稳定性

放大电路中引入负反馈后,在输入信号(Vi或Ii)为定值时,电压负反馈能稳定输出电压,电流负反馈能稳定输出电流。也就是说,负反馈能使放大倍数(指广义的放大倍数)稳定。

(2)、扩展频带

(3)、减小非线性失真

(4)、抑制反馈环内噪声和干扰

(5)、改变输入和输出电阻

输入电阻:串联负反馈使输入电阻增加,并联负反馈使输入电阻减小

输出电阻:电压负反馈使输出电阻减小,电流负反馈使输出电阻增大

第五章集成电路运算放大器的应用1.

10(故障分析)电路如图所示,已知R1=R2=R3=R4,假设运放是理想的。当Vi1=Vi2=1V时,测得V o=1V。你认为这种现象正常吗?若不正常,请分析是哪个电阻可能(有两种可能)出现了开路或短路故障(注:运放本身并未损坏)。

(R1短路或R4开路、V o=1V,说明运放仍工作在线性区,负反馈仍存在,R2不能开路)

第六章正弦振荡电路

7 如图所示电路或者一个正弦波振荡电路,问

(1)为保证电路正常的工作,节点,K J L M应该如何连接?(2)R2应该选多大才能振荡?

(3)振荡的频率是多少?

(4)R2使用热敏电阻时,应该具有何种温度系数?

提示:正弦波振荡电路的分析方法:

1.检查电路组成(应包括放大,选频,正反馈环节)。

2.用相位平衡条件判断是否能否振荡?

3.计算振荡的频率

4.分析电路稳幅措施

解:(1)运放A应构成放大电路,RC串并联环节构成正反馈。

所以L-J M-K

(2)起振幅值条件是│AF│>1,Av=1+R2/R1,│Fv│=1/3

所以│Av│>3,R2=40KΩ

(3)振荡频率fo=1/(2πRC),即:wo=1/(RC)

(4)为了保证振荡频率的幅值条件,由│AF│>1过渡到│AF│=1。即:│Av│>3过渡到│Av│=3 ,所以R2应该具有负温度系数。

8.用相位平衡条件判断图示电路能否产生正弦波振荡,并简述理由。

解:A为反相比例运算电路,φA=-π;F由三级基本RC移相器构成,每一级移项0~-π/2,三级移项0~-3/2π,存在某一频率fo,使得φF=-π,故满足相位平衡条件,可产生正弦波振荡。

模拟电子基础复习题与答案

模拟电子技术基础复习题 图1 图2 一、填空题 1、现有基本放大电路:①共射放大电路②共基放大电路③共集放大电路 ④共源放大电路 一般情况下,上述电路中输入电阻最大的电路是③,输入电阻最小的电路是②,输出电阻最小的电路是③,频带最宽的电路是②;既能放大电流,又能放大电压的电路是①;只能放大电流,不能放大电压的电路是③;只能放大电压,不能放大电流的电路是②。 2、如图1所示电路中,已知晶体管静态时B-E间电压为U BEQ,电流放大系数为β,B-E间动态电阻为r be。填空: (1)静态时,I BQ的表达式为,I CQ的表达式为;,U CEQ的表达式为 (2)电压放大倍数的表达式为,输入电阻的表达式为,输出电阻的表达式为; (3)若减小R B,则I CQ将 A ,r bc将 C ,将 C ,R i将 C ,R o将 B 。

A.增大 B.不变 C.减小 当输入电压不变时,R B减小到一定程度,输出将产生 A 失真。 A.饱和 B.截止 3、如图1所示电路中, (1)若测得输入电压有效值为10mV,输出电压有效值为1.5V,则其电压放大倍数= 150;若已知此时信号源电压有效值为20mV,信号源内阻为1kΩ,则放大电路的输入电阻R i= 1 。 (2)若已知电路空载时输出电压有效值为1V,带5 kΩ负载时变为0.75V,则放大电路的输出电阻Ro 1.67 。 (3)若输入信号增大引起电路产生饱和失真,则可采用将R B增大或将Rc 减小的方法消除失真;若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生截止失真,则只有通过设置合适的静态工作点的方法才能消除失真。 4、文氏桥正弦波振荡电路的“桥”是以RC串联支路、RC并联支路、 电阻R1 和R2 各为一臂而组成的。 5、正弦波振荡电路按选频网络所用元件可分为变压器反馈式、电感三点式和 电容三点式三种电路,其中电容三点式振荡电路的振荡频率最为稳定。 6、为了得到音频信号发生器,应采用正弦波振荡电路。 7、稳压电源一般由整流电路、滤波电路和稳压电路三部分电路组成。 8、在负载电流比较小且其变化也比较小的时候,应采用电容滤波电

模拟电子线路期末试题及其答案(两套)

《模拟电子技术基础(一)》期末试题〔A 〕 一、填空题(15分) 1.由PN 结构成的半导体二极管具有的主要特性是 性。 2、双极性晶体三极管工作于放大模式的外部条件是 。 3.从信号的传输途径看,集成运放由 、 、 、 这几个部分组成。 4.某放大器的下限角频率L ω,上限角频率H ω,则带宽为 Hz 。 5.共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其 的特点以获得较高增益。 6.在RC 桥式正弦波振荡电路中,当满足相位起振条件时,则其中电压放大电路的放大 倍数要略大于 才能起振。 7.电压比较器工作时,在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中,单限比较器的 输出状态发生 次跃变,迟滞比较器的输出状态发生 次跃变。 8.直流稳压电源的主要组成部分是 、 、 、 。 二、单项选择题(15分) 1.当温度升高时,二极管反向饱和电流将 。 [ ] A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2.场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的 。 [ ] A 非饱和区 B 饱和区 C 截止区 D 击穿区

3.直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 。 [ ] A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性 C 晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响 4.差动放大电路的主要特点是 。 [ ] A 有效放大差模信号,有力抑制共模信号;B 既放大差模信号,又放大共模信号 C 有效放大共模信号,有力抑制差模信号; D 既抑制差模信号,又抑制共模信号。 5.互补输出级采用射极输出方式是为了使 。 [ ] A 电压放大倍数高 B 输出电流小 C 输出电阻增大 D 带负载能力强 6.集成运放电路采用直接耦合方式是因为 。 [ ] A 可获得较高增益 B 可使温漂变小 C 在集成工艺中难于制造大电容 D 可以增大输入电阻 7.放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 。 [ ] A 耦合电容和旁路电容的影响 B 晶体管极间电容和分布电容的影响 C 晶体管的非线性特性 D 放大电路的静态工作点设置不合适 8.当信号频率等于放大电路的L f 和H f 时,放大倍数的数值将下降到中频时的 。 A 0.5倍 B 0.7倍 C 0.9倍 D 1.2倍 [ ] 9.在输入量不变的情况下,若引入反馈后 ,则说明引入的是负反馈。[ ] A 输入电阻增大 B 输出量增大 C 净输入量增大 D 净输入量减小 10 [ ] A 、

《模拟电子技术》大学期末考试题及答案(七)

《模拟电子技术》模拟试题七 一、选择题(每空2分,共34分) 1、三端集成稳压器CXX7805的输出电压是() A 5v B 9v C 12v 2、测某电路中三极管各极电位分别是0 V、-6V、0.2V则三极管的三个电极分别是(),该管是()。 A (E、C、B) B(C、B、E) C(B、C、E) D(PNP) E(NPN) 3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为()失真。共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为()失真。 A 饱和 B 截止C交越D频率 4、差分放大电路是为了()而设置的。 A稳定Au B放大信号C抑制零点漂移 5、对功率放大器的主要要求有()()() A Uo高 B Po大C效率高 D Ri大 E 波形不失真 6、LM386是集成功率放大器,它可以使电压放大倍数在()变化。 A 0-20 B 20 -200 C 200-1000 7、单相桥式整流电容波电路输出电压平均在Uo=( )U2。 A 0.45 B 0.9 C 1.2 8、当集成运放线性工作时,在两条分析依据()()。 A U-=U+ B I-=I+=0 C Uo=Ui D Au=1 9、对功率放大器的主要要求有()()()。 A Uo高 B Po大C效率高 D Ri大 E 波形不失真 10、振荡器的输出信号最初是由()而来的。 A基本放大器 B 选频网络C干扰或噪声信号 二、填空题(每空1分,共32分) 1、自由电子为()载流子,空穴为()载流子的杂质半导体称为()半导体。 2、PN结的单向导电性,就是PN结正偏时(),反偏时()。 3、扩展运动形成的电流是()电流,漂移运动形成的电流是()。 4、所谓理想二极管就是当其正偏时,结电阻为(),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(),等效成开断。 5、场效应管的漏极电流ID=( ),所以它是()控制文件。 6、当温度升高时三极管的集电极电流IC(),电流放大系数β

模拟电子技术基础试题汇总附有答案解析

模拟电子技术基础试题汇总 一.选择题 1.当温度升高时,二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示,由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0,则在静态时该三极管处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过高,容易产生

( B )失真。 ( A)截止失真 ( B)饱和v失真 ( C)双向失真 ( D)线性失真 6.电路如图所示,二极管导通电压U D=,关于输出电压的说法正确的是( B )。 A:u I1=3V,u I2=时输出电压为。 B:u I1=3V,u I2=时输出电压为1V。 C:u I1=3V,u I2=3V时输出电压为5V。 D:只有当u I1=,u I2=时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线,静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是。 A:集电极电源+V CC电压变高B:集电极负载电阻R C变高 C:基极电源+V BB电压变高D:基极回路电阻R b 变高。

8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中,A为理想运放,则电路的输出电压约为( A ) A. - B. -5V C. - D. - 11. 在图所示的单端输出差放电路中,若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号 源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路

模拟电路期末试卷及标准答案

《模拟电子技术基础(1)》期末试题 (A 卷)参考答案及评分标准 一、填空(每空1分,共20分) 1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结 正偏、集电结反偏。 2. 放大器级间耦合方式有三种: 直接 耦合; 阻容 耦合;变压器 耦合; 在集成电路中通常采用 直接耦合。 3. 差分放大器的基本特点是放大差模信号、抑制共模信号。 4. 乙类推挽放大器的主要失真是 _________ ,要消除此失真,应改 用甲乙类推挽放大器。 5. 图1所示两级放大电路,图中级间采用 阻容 耦合方式,h 接成 共基 组 态,T 2接成 共集 组态,R i 和R 2的作用是 为T1管提供基极偏置 。 I ------------ 1 ------------------------------ 曲叫 前卜L 6. 在阻容耦合放大器中,若要降低下限频率,应将耦合电容的值 增大。 7. 共射一共基组合电路中,由于共射电路的上限频率 小干 共基电路的上 限频率,故此组合电路的上限频率主要取决于 共射 电路。 8. 负反馈系统产生自激的条件是T (j ?) = -1,相应的振幅条件是T (j ) =1, 图1

相位条件是T 匸:吆

二、简答(共3小题,每小题5分,共15分) 1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图 2所示 (1) 判断它们各是NPN 管还是PNP 管,在图中标出 答:见图中标识(判断NPN 管还是PNP 管各1分,标出e ,b ,c 极1 分, 共3 分) (2)估算(b)图晶体管的1和〉值 p 0.985 (各1分,共2分) 1 e , b ,c 极; I C 6 'LOT 60, 图2

模拟电路期末考试题A卷

模拟电路试题B卷 一.(24分) 1)射极输出器的特性归纳为:电压增益,电压跟随性好,输入阻抗,输出阻抗,而且具有一定的放大能力和功率放大能力,射极输出器的反馈类型是。 2)电压负反馈可以使放大器的输出稳定,电流负反馈可以使放大器的输出稳定。 3)在差分放大电路中,大小相等、极性或相位一致的两个输入信号称为信号;大小相等,极性 或相位相反的两个输入信号称为信号。 4)在导体中导电的是,在半导体中导电的不仅有,而且有,这是半导体区别于导 体导电的重要特征。 5)PN结正向偏置时,反向偏置时,这种特性称为PN结的。 6)晶体三极管有两个PN结,即结和结,在放大电路中结必须正偏, 结必须反偏。 7)晶体三极管有型和型两种类型。 8)画放大器的直流通路时,将视为开路,画交流通路时,将和视为短;.

路。 二.(1.9分,2.9分,3.6分,共24分) 1.放大电路如图所示,T为锗NPN管. (1)设V cc=12V,R c=3kΩ,β=70,如果要将静态工作点电流I c调至1.5mA,问R b要取多大? (2)电路参数同上,如果要将静态工作点的电压V CE调至3.3V,问R b应多大? (3)在调整静态工作点时,如稍不小心把R b调至零,这时三极管是否会损坏,为什么?为避免损坏,电路上可 采取什么措施? 得分 ;.

2.已知电路参数如图所示,R g1=300kΩ,R g2=100kΩ,R g3=2MΩ,R d=10kΩ,R2=10kΩ,+V DD=+20V,场效应 管工作点的互导g m=1ms,设r d>>R d (1)画出小信号等效电路; (2)求电压增益A v; (3)求放大器的输入电阻R i 3.下面电路其输入,输出波形如图所示 试问: a)此电路产生何种类型失真? (饱和?截止?) b)为消除此失真,应如何调节电阻R b? ;.

模拟电子技术基础期末考试试题集及答案(18套)

《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导 电性。 2、漂移电流是(温度)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温 度)有关,而与外加电压(无关)。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(0 ),等效成一条直线;当其反 偏时,结电阻为(无穷),等效成断开; 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(变小),发射结压降(不变)。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共基)、(共射)、(共集) 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(电压并联)负反馈,为了稳 定交流输出电流采用(串联)负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(1/(1/A+F)),对于深度负反馈放大电路的 放大倍数AF=( 1/ F )。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=()BW,其中BW=(), ()称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为()信号, 而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为()信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的()失真,而采用()类互补 功率放大器。 13、OCL电路是()电源互补功率放大电路; OTL电路是()电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(),输入电阻(),输出电阻() 等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制()漂移,也称()漂移,所以它广泛应用于() 电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(),未被调制的高频信号 是运载信息的工具,称为()。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(),电路符号是()。 二、选择题(每空2分共30分) 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在()状态,但其两端电压 必须(),它的稳压值Uz才有导通电流,否则处于()状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止 2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V,则三个电 极分别是(),该管是()型。 A、( B、 C、E) B、(C、B、E) C、(E、C、B) D、(NPN) E、(PNP) 3、对功率放大器的要求主要是()、()、()。 A、U0高 B、P0大 C、功率大 D、Ri大 E、波形不失真 4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为(),此时应该()偏置

模拟电路考试题及答案【精】

自测题一 一、判断题 1.因为P型半导体的多数载流子是空穴,所以它带正电。(F) 2.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。(T) 3.处于放大状态的三极管,集电极电流是多数载流子漂移所形成的。(F) 二、单选题 1.半导体中的少数载流子产生的原因是(D)。 A.外电场B.内电场C.掺杂D.热激发2.用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏,好的管子应为(C)。 A.正、反向电阻相等B.正向电阻大,反向电阻小 C.反向电阻比正向电阻大很多倍D.正、反向电阻都等于无穷大 3.二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将(B)。(X 轴为电压) A.右移B.左移C.上移D.下移 4.当外加偏置电压不变时,若工作温度升高,二极管的正向导通电流将(A)。 A.增大B.减小C.不变D.不确定 5.三极管β值是反映(B )能力的参数。(三极管可改为电流控制电流源) A.电压控制电压B.电流控制电流C.电压控制电流D.电流控制电压 6.温度升高时,三极管的β值将(A )。 A.增大B.减少C.不变D.不能确定 7.下列选项中,不属三极管的参数是(B )。 A.电流放大系数B.最大整流电流 C.集电极最大允许电流D.集电极最大允许耗散功率 8.某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为V U6 1 =,V U4.5 2 =,V U12 3 =,则对应该管的管脚排列依次是(B)。 A.e, b, c B.b, e, c C.b, c, e D.c, b, e 9.晶体三极管的反向电流是由(B)运动形成的。 A.多数载流子B.少数载流子 C.扩散D.少数载流子和多数载流子共同 10.三极管工作在放大区,三个电极的电位分别是6V、12V和6.7V,则此三极管是(D)。(发正偏集反偏) A.PNP型硅管B.PNP型锗管C.NPN型锗管D.NPN型硅管 11.场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的(B)。 A.非饱和区B.饱和区C.截止区D.击穿区12.增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时(B)。 A.能够形成导电沟道B.不能形成导电沟道 C.漏极电流不为零D.漏极电压为零 三、填空题 1.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于掺杂浓度。 2.少数载流子在内电场力作用下有规则的运动称为漂移。 3.PN结正偏导通,反偏截止,称为PN结的单向导电性性能。 4.PN结加正向电压时,空间电荷区将变窄。 5.PN结正向偏置时,PN结的内电场被削弱。 6.三极管最重要的特性是电流放大作用。 7.温度升高时,晶体管的反向饱和电流将增大。 8.场效应晶体管属于电压控制器件。 精选文档

模拟电路期末复习

电子技术基础-模拟部分复习 第一章绪论 1.1 电子电路的基本概念 1.1.1 电子电路及其框图 理想电子电路:R i?∞, R o?0 1 两个电压放大倍数相同的放大电路A和B,对同一个具有内阻的信号源电压进行放大,在负载开路的条件下测得A的输出电压较大,这说明A的? 2 两个电压放大倍数相同的放大电路A和B,分别由晶体管和场效应管构成,对同一个具有内阻的信号源电压进行放大,在负载开路的条件下测得A、B两电路哪个输出电压大? 3 两个放大电路负载开路时电压放大倍数为10dB,若将他们级联后构成两级放大器的总电压放大倍数是? 1.1.2 模拟信号与数字信号 模拟信号:是一种随时间连续变化的信号。正弦波信号就是一种常见的模拟信号,其幅值、频率或相位都是随时间连续变化的。 数字信号:是一种离散信号。矩型波信号就是一种常见的数字信号,其幅值、频率或相位都是离散的,它们通常用数字形式表示。 处理模拟信号的电路称为模拟电路,常用的模拟电路有放大电路、滤波电路和波形转换电路等。 处理数字信号的电路称为数字电路,常用的有编码电路、译码电路和记忆电路等。 1.2 电子电路的电路模型 1.2.1 电子电路的模型

工程(去精取粗)模型:就是常说的电路原理图,简称电路图。它着重表明了电子电路的工作原理,对与工作原理关系不大的细节通常不与表示。 物理(实际)模型:是分析电子电路或电子系统的分析模型,最终建立电子电路各变量和元件参数之间的数学表达式——数学模型。 第二章二极管与基本放大电路 二极管的物理模型: 死区电压:0.5V; 导通压降:0.6~0.8V 二极管理想模型:正向导通时压降为零, 反向截止时电流为零。 理想模型、管压降理想模型、考虑r be模型、小信号实际模型分别如下图:

模拟电子技术基础期末复习题演示教学

填空题 1.在常温下,硅二极管的门槛电压约为V,导通后在较大电流下的正向压降约为V;锗二极管的门槛电压约为V,导通后在较大电流下的正向压降约为V。 3、二极管的最主要特性是。PN结外加正向电压时,扩散电流漂移电流,耗尽层。 5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分,其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术,称为电子技术。 6、PN结反向偏置时,PN结的内电场。PN具有特性。 8、二极管正向偏置时,其正向导通电流由载流子的运动形成。 9、P型半导体的多子为、N型半导体的多子为、本征半导体的载流子为。 12、在常温下,硅二极管的开启电压约为 V,导通后在较大电流下的正向压降约为 V。 15、N型半导体中的多数载流子是,少数载流子是。 16、按一个周期内一只三极管的导通角区分,功率放大电路可分为、、三种基本类型。 17、在阻容耦合多级放大电路中,影响低频信号放大的是电容,影响高频信号放大的是电容。 18、在NPN三极管组成的基本共射放大电路中,如果电路的其它参数不变,三极管的β增加,则I BQ, I CQ,U CEQ。 19、三极管的三个工作区域是,,。集成运算放大器是一种采用耦合方式的放大电路。 20、某放大电路中的三极管,在工作状态中测得它的管脚电压V a = 1.2V, V b = 0.5V, V c = 3.6V, 试问该三极管是管(材料),型的三极管,该管的集电极是a、b、c中的。 21、某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为60dB和20dB, 则该放大电路总的对数增益为 dB,总的电压放大倍数为。 22、三极管实现放大作用的外部条件是:。某放大电路中的三极管,测得管脚电压V a = -1V,V b =-3.2V, V c =-3.9V, 这是管(硅、锗),型,集电极管脚是。 23、三种不同耦合方式的放大电路分别为:、和_ _,其中能够放大缓慢变化的信号。 24、在多级放大电路中,后级的输入电阻是前级的,而前级的输出电阻可视为后级的。多级放大电路总的通频带比其中每一级的通频带。 25、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接入12kΩ的负载电阻后,输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为。 26、为了保证三极管工作在放大区,要求: ①发射结偏置,集电结偏置。②对于NPN型三极管,应使V BC。 28、在三种不同组态的放大电路中,组态有电压放大作用,组态有电流放大作用,组态有倒相作用;组态带负载能力强,组态向信号源索取的电流小,组态的频率响应好。 31、在单级共射放大电路中,如果输入为正弦波形,用示波器观察V O和V I的波形,则V O和V I的相位差为;当为共集电极电路时,则V O和V I的相位差为。 33、晶体管工作在饱和区时,发射结,集电结;工作在放大区时,集电结,发射结。(填写a正偏,b反偏,c零偏) 41、场效应管属于型器件,而双极型半导体三极管则可以认为是型器件。 42、场效应管是器件,只依靠导电。 43、根据场效应管的输出特性,其工作情况可以分为、、和截止区四个区域。48、在甲类、乙类和甲乙类功率放大电路中,效率最低的电路为,为了消除交越失真常采用电路。 49、乙类功放的主要优点是,但出现交越失真,克服交越失真的方法是。 51、双电源互补对称功率放大电路(OCL)中V CC=8v,R L=8Ω,电路的最大输出功率为,此时应选用最大功耗大于功率管。 52、差动放大电路中的长尾电阻Re或恒流管的作用是引人一个反馈。 53、已知某差动放大电路A d=100、K CMR=60dB,则其A C= 。集成电路运算放大器一般由、中间级、输出级、四部分组成。 55、差动放大电路能够抑制和。 56、电路如图1所示,T1、T2和T3的特性完全相同,则I2≈mA,I3≈0.2mA,则R3≈kΩ。

电路与模拟电子技术复习题

一、基本概念 1. 当把电流为1A 的理想电流源与电压为100V 的理想电压源相并联时,电流源两端的电压是(D )。 A 、1V ; B 、10V ; C 、50V ; D 、100V 。 2. 当把电流为1A 的理想电流源与电压为100V 的理想电压源相串联时,流过电压源的电流是(A )。 A 、1A ; B 、10A ; C 、50A ; D 、100A 。 3. 一个电感线圈在下列哪种频率条件下,其对电流呈现的感抗较大?( C )正比,wL A 、f =100Hz ; B 、f =200Hz ; C 、f =300Hz ; D 、f =1Hz 。 4. 一个电容器在下列哪种频率条件下,其对电流呈现的容抗较大?( D )反比,1/wC A 、f =100Hz ; B 、f =200Hz ; C 、f =300Hz ; D 、f =1Hz 。 5. 对于纯电容性负载,其电压与电流的相位关系是( C )。-90 A 、电压与电流同相位; B 、电压超前电流90°; C 、电流超前电压90°。 6. 对于纯电感性负载,其电压与电流的相位关系是( B )。U-i ,90 A 、电压与电流同相位; B 、电压超前电流90°; C 、电流超前电压90°。 7. 在计算戴维南电路的等效电阻时,将原电路的电源置零意味着( B )。 A 、电压源开路、电流源短路; B 、 电压源短路、电流源开路; B 、电压源开路、电流源开路; D 、 电压源短路、电流源短路。 8. 当理想二极管外加正向电压时,其电流为( C ),其正向压降为( B )。 A 、0=I ; B 、0=U ; C 、=I 常数; D 、=U 常数。 9. 测得某无源一端口网络的电压u=100sin (2t+60°)V ,电流i=5sin (2t-30°)A ,则该网络的等效阻抗是多少?它是电阻性、电感性还是电容性的网络?( B )。J=90 A 、20、阻性; B 、j20、感性; C 、-j20、容性; D 、20+j20、感性。 10. 某网络的端口电压和电流分别为u=40sin (10t+60°)V ,i=8sin (10t+90°)A ,则该网络的功率因数cos ?为( B )。U-i A 、21; B 、2 3; C 、0.9; D 、1。 11. 在集成运算放大器的分析计算中,虚短的概念是指( C )。 A 、0=+U ; B 、0=-U ; C 、-+=U U 。 D 、0==-+I I 。

模拟电子技术基础试卷及答案(期末)

模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空(18分) 1.二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2.如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ,桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ,经过电容滤波后为 12 V ,二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3.差分放大电路,若两个输入信号u I1u I2,则输出电压,u O 0 ;若u I1=100 V ,u I 2 =80V 则差模输入电压u Id = 20 V ;共模输入电压u Ic = 90 V 。 4.在信号处理电路中,当有用信号频率低于10 Hz 时,可选用 低通 滤波器;有用信号频率高于10 kHz 时,可选用 高通 滤波器;希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时,可选用 带阻 滤波器;有用信号频率为某一固定频率,可选用 带通 滤波器。 5.若三级放大电路中A u 1 A u 230d B ,A u 320dB ,则其总电压增益为 80 dB ,折合为 104 倍。 6.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能 量转换效率在理想情况下,可达到 % ,但这种功放有 交越 失真。 7.集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空(20分) 1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ,-10 V , V ,则这只三极管是( A )。 A .NPN 型硅管 型锗管 型硅管 型锗管 2.某场效应管的转移特性如图所示,该管为( D )。 A .P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( C )。 A .输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻,R S 为常数,为使下限频率f L 降低,应( D )。 A . 减小C ,减小R i B. 减小C ,增大R i C. 增大C ,减小 R i D. 增大C ,增大 R i 5.如图所示复合管,已知V 1的1 = 30,V 2的 2 = 50,则复合后的约为( A )。 A .1500 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和( D )。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 i D /mA -4 u GS /V 5 V 2 V 1

模拟电子技术期末复习题及答案

《电子技术基础2》复习题 一、判断题(本大题共10个小题,每小题2分,共20分) 1、N型半导体的多数载流子是空穴。() 2、P型半导体的多数载流子是空穴。() 3、负反馈放大电路的放大倍数与组成它的基本放大电路的放大倍数量相同。 () 4、运算电路中一般引入负反馈。() 5、只要在放大电路中引入反馈,就一定能使其性能得到改善。() 6、在放大电路中引入正反馈,主要目的是改善放大电路的性能。() 7、在放大电路中引入负反馈,主要目的是改善放大电路的性能。() 8、若放大电路的放大倍数为零,则引入的反馈一定是负反馈。() 9、在输入信号作用时,偏置电路改变了各放大管的动态电流。() 10、阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立。() 11、阻容耦合多级放大电路只能放大交流信号。() 12、直接耦合可以放大缓慢变化的信号。() 13、只有电路既放大电流又放大电压,才算其有放大作用。() 14、共发射极放大电路输出与输入反相。() 15、共基极放大电路输出与输入反相。() 16、共集电极放大电路输出与输入反相。() 17、只有直接耦合放大电路中晶体管的参数才随温度而变化。() 18、在运算电路中,集成运放的反相输入端均为虚地。() 19、在运算电路中,集成运放的输入端均可采用虚短和虚断。() 20、运放的共模抑制比K CMR越大越好。() 21、运放的共模抑制比K CMR越小越好。() 22、运放的共模放大倍数越小越好。() 23、运放的差模放大倍数越小越好。() 24、功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下,负载上可能获得的最大交流功率。()25、当输入电压U I和负载电流I L变化时,稳压电路的输出电压是绝对不变的。 () 26、直流电源是一种能量转换电路,它将交流能量转换成直流能量。() 27、在单相桥式整流电容滤波电路中,若有一只整流管断开,输出电压平均值变为原来的一半。() 28、半波整流输出电压平均值是全波整流的一半。() 29、用于滤波的电容通常串联连接。() 30、用于滤波的电容通常并联连接。() 31、用于滤波的电感通常串联连接。() 32、用于滤波的电感通常并联连接。() 33、稳压管正常工作状态下,处于正向导通状态。() 34、低通滤波器是指信号幅度小才能通过。() 35、高通滤波器是指信号幅度大才能通过。() 36、电路引入了正反馈,就一定会产生正弦波振荡。()

模拟电路复习题原

一、单选题(每题1分,共30分) 1. 半导体的导电阻率为。 A ρ<10-6Ω·m B ρ>108Ω·m C ρ介于10-6~108Ω·m D ρ >1010Ω·m 2. 本征激发是指现象。 A 价电子从外界获得足够能量而挣脱共价键束缚而变为自由电子的∨ B 价电子依靠本身的运动能量而挣脱共价键束缚而变为自由电子的 C 价电子依靠互相的碰撞增加运动能量而挣脱共价键束缚而变为自由电子的 3. 空穴的导电机理是。 A 电子的接力运动 B 空穴在电场作用下的定向运动 C 空穴的接力运动 D 杂质粒子在电场作用下的定向运动 4. P(N)型半导体是在本征半导体硅(或锗)中掺入少量的而获得的杂质半导体。 A 二价元素 B 三价元素 C 四价元素 D 五价元素 5. 模拟信号是指的信号。 A 时间连续 B 数值连续, C 时间和数值都连续 D 时间和数值都不连续 6. 放大电路放大倍数是指。 A 输出信号与输入信号的比值 B 输入信号与输出信号的比值

C 输出电压与输入电流的比值 D 输出电流与输入电压的比值 7. 某放大电路的电压增益为60dB,则该电路的电压放大倍数为倍。 A 10 B 102 C 103 D 104 8. 放大电路中的非线性失真是有引起的。 A 电抗元件 B 放大元器件的非线性 C 非电抗元件 D 输入信号的失真 9. PN结雪崩击穿主要主要发生在情况下。 A PN结反偏较低 B PN结正偏电压较高 C PN结反偏较高 D PN结正偏电压较低 10. PN结齐纳击穿主要主要发生在情况下。 A PN结反偏较低 B PN结正偏电压较高 C PN结反偏较高 D PN结正偏电压较低 11. 锗(硅)晶体二极管的正常工作电压约为。 A 0.7V B 0.5V C 0.1V D 0.2V 12. 晶体三极管工作在放大(饱和、截止)状态的外部条件为。 A. 发射结正偏,集电结反偏 B. 发射结反偏,集电结正偏 C. 发射结正偏,集电结正偏 D. 发射结反偏,集电结反偏

电子科技大学模拟电路简答题总汇期末必备

1 画出BJT管输出特性曲线,简述各个区域的特点及偏置条件 截止区:ic几乎为0,电路不工作。发射结电压小于开启电压;集电结反偏;放大区:ic=βib,ic几乎只与ib有关,与uCE无关,表现出ib对ic的控制作用。 发射结电压大于开启电压;集电结反偏。 饱和区:ic不仅与ib有关,还随uCE增大而明显增大,ic<βib。 发射结和集电结正偏。 BJT输出特性曲线表现的是IB为常数时ic与管压降UCE的关系。 2为什么BJT称为双极性晶体管,而FET称为单极晶体管,他们各自是哪种控制型器件。 BJT管工作时两种载流子都参与导电;FET管仅有多数载流子参与导电;BJT管是电流控制器件;FET管是电压控制器件。 3 BJT管输出电压产生截止失真(饱和失真)的原因是什么,如何减小。 产生失真的原因是静态工作点Q设置不合理或者外加信号过大。 输出电压产生截止失真的原因是Q点过低,负半周期时IB过小导致BJT管进入截止区;适当减小RB以增大IB即可; 输出电压产生饱和失真的原因是Q点过高,正半周期时IC饱和导致BJT管进入饱和区;适当增大RB以减小IB即可 Q点位置适中的时候如果外加输入信号过大,产生双向失真。通过输入端接分压电路或者适当增大直流偏置电压。 4 直流电源在放大电路的作用是什么 ①为晶体管正常工作提供偏置电压;

②为电路提供能源 5 为什么要稳定静态工作点,有哪些方法 静态工作点不但决定电路是否会产生失真,还会影响到电压放大倍数、输入电阻等动态参数。 引入直流负反馈或者使用温度补偿(靠温度敏感器件直接对IB产生影响)。 6 BJT管稳定静态工作点电路引入了哪种反馈,简述稳Q过程。 见6 7 有哪些耦合方式,各有什么特点? 直接耦合、阻容耦合、变压器耦合和光电耦合。 直接耦合:可放大直流信号、低频特性好、利于集成;静态工作点相互影响,存在零点漂移现象。 阻容耦合:各级静态工作点相互独立;只能放大交流信号、低频特性差、耦合过程有损耗,不利于集成。 变压器耦合:同阻容耦合,可实现阻抗变换。 光电耦合:实现电气隔离,抑制电干扰。 8 什么是零点漂移,为什么差分放大电路可以抑制零点漂移。 零点漂移:输入信号为零时,由于温度变化、电源电压不稳、元件参数变值等因素(其中最重要的是温度因素)造成静态工作点产生微小变化,经逐级放大和传输后使得输出端电压偏离原固定值上下漂移的现象。 (直接耦合时第一级的微小变化会导致输出级的较大变化) 差分放大电路主要是抑制温度变化造成的零点漂移现象。

模拟电子技术期末复习试题及答案

《模拟电子技术》期末复习试题及参考答案 一、填空题(每空1分,共32分) 1、自由电子为()载流子,空穴为()载流子的杂质半导体称为()半导体。 2、PN结的单向导电性,就是PN结正偏时(),反偏时()。 3、扩展运动形成的电流是()电流,漂移运动形成的电流是()。 4、所谓理想二极管就是当其正偏时,结电阻为(),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(),等效成开断。 5、场效应管的漏极电流I D=( ),所以它是()控制文件。 6、当温度升高时三极管的集电极电流IC(),电流放大系数β()。 7、为了提高三极管放大电路的输入电阻,采用()负反馈。为了稳定输出电流,采用()负反馈。 8、负反馈使放大电路增益(),但()增益稳定性。 9、()称为负反馈深度,其中F=( ),称为()。 10、差模信号是大小(),极性(),差分电路不抑制()漂移。 11、甲乙类互补功率放大器,可以消除()类互补功率()失真。 12、用低频信号去改变高频信号的()称为调幅,高频信号称为()信号。 13、当频率升高时,晶体管电流放大系数()共基极电路比共射极电路的高频特性(),fδ=()fβ 14、振荡电路的平衡条件是(),正反馈才能保证振荡电路的()。 15半波整流电路电阻负载时,理想二极管承受的最高反压是()。 二、选择题(每空2分,共30分) 1、三端集成稳压器CW7906的输出电压是() A -6V B -9v C -12v 2、测得某电路中三极管各极电位分别是3V、2.3V、12V则三极管的三个电极分

别是(),该管是()型。 A (E、B、C) B(B、C、E) C(B、E、C) D(PNP) E(NPN) 3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为()失真。共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为()失真。 A 饱和 B 截止C交越D频率 4、差分放大电路是为了()而设置的。 A稳定Au B放大信号 C抑制零点漂移 5、K MCR是差分放大电路的一个主要技术指标,它反映放大电路()能力。A放大差模抑制共模 B 输入电阻高C输出电阻低 6、LM386是集成功率放大器,它可以使电压放大倍数在()变化。 A 0-20 B 20 -200 C 200-1000 7、单相桥式整流电容波电路输出电压平均在Uo=( )U2。 A 0.45 B 0.9 C 1.2 8、当集成运放线性工作时,在两条分析依据()()。 A U-=U+ B I-=I+=0 C Uo=Ui D Au=1 9、对功率放大器的主要要求有()()()。 A Uo高 B Po大 C效率高 D Ri大 E 波形不失真 10、振荡器的输出信号最初是由()而来的。 A基本放大器 B 选频网络C干扰或噪声 三、分析计算题(共34分) 1、已知:电路如图所示V1、V2为理想二极管。求:1)哪只二极管导通2)U AO=?(5分) 2、已知:电路如图所示Vcc=12V R B1=40k R B2=20k Rc=R L=2k R E=1.65k U BEQ=0.7V C1=C2=20ηF r be=1.5K β=100

电路与模拟电子技术期末考试试卷

皖西学院07–08学年度第2学期期末考试试卷(A 卷) 计算机系计算机科学技术专业本06级电路与模拟电子技术课程 参考答案 一.填空题:本大题共12小题,每小题2分,共24分。 1、换路定律主要针对储能元件而言,电场储能不能突变,对电感而言,是指电感两端的 电流 不能突变,用数学表达式表示为 i(0+)=i(0-) 。 2、在对称三相交流电路中,各相之间的相位差为 120度或2/3π ,线电压与相电压的关系为 U L =1.73U P 。 3、稳压二极管配以合适的电阻在电路中起稳压作用,稳压二极管正向接入电路时,其元件上的压降为 0.5——0. 7V 。 4、微分电路中,对电容的取值有要求,设输入交流信号的周期T ,负载等效电阻为R L ,则R L ·C 与T 之间的关系应满足 R L C <<0.2MIN{t p ,T-t p } 。 5 、正弦交流量的三要素是指 振幅 、 周期 、 相位(初相) 。 6、光电二极管的电路符号为 。 7、NPN 型三极管的电路符号为 。 8、晶体三极管是 电流 型控制元件,场效应管是 电压 型控制元件。 9、运算放大器为了减小零点漂移,输入级采用 差动 放大电路。 10、运算放大器的电压放大倍数主要在 中间 级(输入、中间、输出), 为 直接耦合放大 。 11、有一8位T 形电阻网络D/A 转换器,已知U R =+8V,R F =3R 当D 7~D 0为10000000,时的输出电压U 0= -4V 。 二. 绘图题:本大题共3小题, 共10分。 1、 1、图形正确3分,计算出3.7得1分 2、本电路是正反馈电路(3分)。 3、本电路是负反馈电路(3分)。 三.应用题:本大题共8小题,共66分。 1、解:各点的电位 d 点为参考点,Ud =0V Ub =Ubd =I 3R 3=2A ×5Ω=10V Ua =Uad =E 1=40V Uc =Ucd =E 2=5V 电压 Uab = Ua - Ub = 40V -10V = 30V Ubc = Ub - Uc = 10V -5V = 5V 2、解: 电路等效如图所示: Ω 6 ab R =Ω=+++??++?46106 36 36 )10636 3(

模电总结复习资料_模拟电子技术基础(第五版)

绪论 一.符号约定 ?大写字母、大写下标表示直流量。如:V CE、I C等。 ?小写字母、大写下标表示总量(含交、直流)。如:v CE、i B等。?小写字母、小写下标表示纯交流量。如:v ce、i b等。 ? 上方有圆点的大写字母、小写下标表示相量。如:等。 二.信号 (1)模型的转换 (2)分类 (3)频谱 二.放大电路 (1)模型

(2)增益 如何确定电路的输出电阻r o?

三.频率响应以及带宽 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通,反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:

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