微纳电子材料与器件

微纳电子材料与器件
微纳电子材料与器件

上海大学2013 ~2014学年冬季学期研究生课程考试

课程名称:微纳电子材料与器件课程编号: 10SAZ9002 论文题目:分子导线、分子开关

研究生姓名: 葛升学号: 13721557 论文评语:

成绩: 任课教师: 沈悦

评阅日期:

注:后接研究生小论文,格式参照公开发表论文的样式。

分子导线、分子开关摘要:器元件的尺寸不断的缩小,随着大规模集成电路向超大规模集成电路进发,就必须采取与传统工艺截然要解决这些问题,件工艺开始面临各种各样的限制。而其中一种备受关注的就是从原从而实现器件尺寸的进一步减小。不同的思路,子分子系统出发,制造出分子电子器件,通过原子分子的组装实现器件的集成,本文就分子导线和分子开关展分子计算机等。从而制备出分子电路、分子开关、其中包括生物分子开关的应工作

原理以及实现方法。开讲述,具体介绍其分类、用和利用分子开关构造二进制逻辑单元等。关键词:超大规模集成电路、分子导线、分子开关、逻辑单元Abstract:

With large scale integrated circuit marching to very large scale integration(VLSI), the size of components constantly shrinking, and device technology began to face a variety of constraints. To solve these problems, we must take very different ideas with the traditional process to achieve further reduce the size of the device. The one concern way is that creating a molecular electronic devices start from the atomic and molecular systems and devices to achieve integration by assembling atoms and molecules. Thereby preparing a molecular circuit, molecular switches and molecular computers. In this paper, we will introduce the classification, working principle and implementation methods of molecular wires and molecular switches. Including the biomolecules switching applications and using molecular switch construct a binary logic unit.

Keyword: VLSI, Molecular wires, Molecular switches, Logic unit

1.引言

在大规模集成电路向超大规模集成电路进发的过程中,摩尔定律指出硅片上集成的元件数目每隔18个月将增加1倍,元件的尺寸也会不断的缩小,按照这一定律,器件的几何尺寸将在2015年左右达到纳米量级。在更小的器件尺度上,器件工艺面临如下几个方面的限制:

量子力学的限制。按照量子力学理论,电子具有波粒二象性,当器件尺寸减小到纳米量级(小于35nm)时,电子则以波动性为主,这时电子器件是通过控制电子波的相位来工作的,器件的工作原理已经发生子根本的变化,在这个尺度,不能再按照传统的器件工作原理来设计器件。

热力学限制。当器件尺寸缩小时,热起伏会限制器件性能的一致性,使器件无法正常工作。

[1]。芯片上器件的尺寸与光刻上艺中使用的光的波长有关,光刻工艺的限制光波长越短,制备的器件越小,目前无法制备波长小于157nm光聚焦用的透镜,因此现在的光刻工艺还不能制备出更小的器件。

功率耗散的限制。由于随着元件尺寸不断减小,导线不断变细,导致器件的电阻增加,器件的热耗散增大,这限制子器件集成度的进一步提高。

此外,随着器件尺寸的减小,还会出现电流、电压感应击穿现象,同时使器件的结构复杂化,制作成本上升。

要解决这些问题,就必须采取与传统工艺截然不同的思路,从而实现器件尺寸的进一步减小。随光刻技术的不断发展,传统自上而下的电子芯片制造组装技术到达极限,人们开始试着自下而上从原子分子系统出发,制造出分子电子器件,通过原子分子的组装实现器件的集成,从而制备出分子电路、分子开关、分子计算

机等。

2.分子导线

导线是电路中不可缺少的一种元件,它把各种各样的电子元件连接在一起,起到子信息和能量传输的作用。同样,我们要设计分子电路,要将分子电路中各[2]。

种分子元件连接起来称为一个有机的整体,就需要分子导线分子导线概念2.1

其传导分子导线是由单个分子或多个分子构成的能够起到传导作用的体系,

的对象不仅包括电子和空穴,还包括光子、孤子、自由基电子、极化子和双极化子等。并连接到外部世分子导线能够将一个个分子器件相互连接构成分分子电路,界,有效的分子导线是实现分子器件之间以及分子器件与外部连接的关键单元。其导电性质基于化合物的极分子导线,是一种一维链状并且高共扼的分子,

化或者电荷转移,分子中应至少存在一个共扼单元。2.2 分子导线特点分

子导线通常都具有如下特点:有共扼结构的导电长链;π含有两个极性的能进

行可逆电子交换的活化基团终端;

分子链具有是够的长度;

与周围绝缘以阻止电子的任意传输。

2.3 超分子分子导线

作为研究分子间非共价键相互作用的化学,超分子化学在分子导线的设计上具有其独到的优势。它对分子导线的关注最初来自于从仿生学的角度研究生物媒[3],因此这一类型的分介的穿膜电子传送TEF(Trans-membrance electron transfer)子导线在结构上通常都具有如下的特点:

允许电子传导的P-共轭长链;

含有两个极性的、能进行可逆电子交换的活化基团终端;

链具有是够的长度,可与单分子或双分子膜一类的支撑体的厚度相匹配。

2.3.1 传导电子的分子导线

将类胡萝卜素(Carotenate)的多烯结构与甲基紫(Methyviologen)的氧化还原特性

组合起来,在长链共轭多烯烃两端连上N-取代吡啶基的Caroviologen型分子导线,如图1所示。它是众多分子导线之中最有代表性的一个,大量研究都表明它的长链与双分子膜的厚度相匹配,并且确实可以起到功能化的分子导线作

用。.

型分子导线Caroviologen图 1

非线型光学分子导线2.3.2

在类胡萝卜素的多烯主链两端不对称地修饰上Caroviologen结构为基础,以,TC-NQ(Acceptor)具有电子授受能力的基团,如苯并二硫、THF(Donor),吡啶、[4]分子导线,可以表现出良好的非线型光-拉型(Push Pull)所得到的高度可极化推

学特性。

图 2 类胡萝卜素卟啉- 苯醌(C-P-Q )分子导线

2.3.3 离子传导隧道型分子导线

从大量环状化合物和载体分子的选择性键合作用中得到的信息为设计离子性分子器件提供子基础。无论是通过大环化合物在管状中间相有组织的堆积,还是通过聚大环单元的轴向桥连,都可以形成分子管束,从而为离子的输送提供隧道。

带有适当取代侧链的大环多胺沿与环平面垂直的轴向堆积所形成的盘状分子,如图3,可以在膜间形成管状中间相,从而成为一种传导离子型分子导线。

3 盘状分子离子型分子导线图

的超分子体系时非常巧妙地设计出子一ether)George等在研究套索醚(Lariat

。套索即连接在冠醚环conductingchannel)种如图所示的阳离子传导隧道(Cation ,这种侧臂的桥连增加子冠醚对阳离子的络合作用,从而形(Sidearms)上的侧臂成子环环相串的阳离子传导隧道。

图 4 环环相串的阳离子传导隧道

将数条链嫁接到构成有序的中间核多官能大环分子支撑单元上,可以得到一种结构独特的Chundle型穿膜离子隧道。Chundle的意思可理解为“隧道束”,即[5]。(Channel+bundle)

这种分子是一种有组织的、官能化的纳米结构,对中心大环化合物进行适当的修饰和选择后,它可在分子离子器件方面表现出极大潜

力。.

图 5 Chundle型穿膜离子隧道

2.4 一维盘状液晶分子导线

在六取代三苯并环类分子结构中,三个苯并基外侧均由良好绝缘性能的正己烷氧基链所环绕,将少量具有缺电子空轨道的分子(如AlCl3,NOBF4)掺入到盘状液晶分子中,使具有共轭体系的三苯并环中心出现正电荷空穴。当在沿三苯并环中心轴方向施加一定的电压时,环内电子就可做定向移动。

图 6 三苯并环类盘状液晶(HAT6)形成的分子导线

由四硫富瓦烯(TTF)衍生物自组装成的分子导线和线缆属于有机电荷复合体形成的正离子自由基盐聚合物具有金属导电性。在示意图中,导电TTF系,由.

部分由部分氧化的TTF分子的P-P相互作用实现。与普通宏观导线相比,轴向堆积的TTF为导电核,两端大的亲水基团则缠绕成为包围内核的绝缘外层。

图7 四硫富瓦烯(TTF)衍生物自组装成的分子导线和线缆

2.5 核酸型分子导线

DNA分子以其独特的双螺旋结构和它在生物、生理学上的意义一直都是众多学科所关注的热点,现在分子电子学家也逐渐认识到子DNA分子在构筑分子[6]。器件,尤其是生物分子计算机方面所具有的巨大价值

焦家俊提出子如图8所示的核酸型分子导线原理。他的设想是以脱氧核糖核酸作导线,再使其两端分别连接具有共轭体系的有机分子作为能量接受端和能量释放端,从而使能量借助脱氧核糖核酸得以传导。

图8 核酸型分子导线

3. 分子开关

3.1 分子开关概念

所谓分子开关就是具有双稳态性质的分子体系。可以认为,凡通过外界刺激可以可逆地在两种状态间发生转化的任何分子体系都是分子开关。

当外界光、电、热、磁、pH等条件发生改变时,分子的几何结构或化学性质会随之改变,这些变化可以用于信息的存储与传输。如图所示,触发分子开关[7]。针尖触发,pH调控等的条件通常有光、电驱动,氧化还原反应,STM

聚合物微纳制造技术现状及展望

聚合物微纳制造技术现状及展望 目录 聚合物微纳制造技术现状及展望 (1) 1、微纳系统的意义、应用前景 (1) 2、微纳机电系统国内外研究现状和发展趋势 (3) 3. 聚合物微纳制造技术研究现状 (9) 4. 展望 (11) 微/纳米科学与技术是当今集机械工程、仪器科学与技术、光学工程、生物医学工程与微电子工程所产生的新兴、边缘、交叉前沿学科技术。微/纳米系统技术是以微机电系统为研究核心,以纳米机电系统为深入发展方向,并涉及相关微型化技术的国家战略高新技术[1]。微机电系统(Micro Electro Mechani cal System, MEMS ) 和纳机电系统(Nano Electro Mechanical System, NEMS )是微米/纳米技术的重要组成部分,逐渐形成一个新的技术领域。MEMS已经在产业化道路上发展,NEMS还处于基础研究阶段[2]。 从微小化和集成化的角度,MEMS (或称微系统)指可批量制作的、集微型机构、微型传感器、微型执行器以及信号处理和控制电路,直至接口、通讯和电源等于一体的微型器件或系统。而NEMS(或称纳系统) 是90 年代末提出来的一个新概念,是继MEMS 后在系统特征尺寸和效应上具有纳米技术特点的一类超小型机电一体的系统,一般指特征尺寸在亚纳米到数百纳米,以纳米级结构所产生的新效应(量子效应、接口效应和纳米尺度效应) 为工作特征的器件和系统。图1给出了MEMS 和NEMS 的特征尺度、机电系统的尺度与相应的理论问题[2]。 图1 MEMS 和NEMS 的特征尺度、机电系统的尺度与相应的理论问题 1、微纳系统的意义、应用前景 由于微/纳机电系统是一门新兴的交叉和边缘学科,学科还处于技术发展阶段,在国内外尚未形成绝对的学科和技术优势;微/纳米技术还是一项支撑技术,它对应用背景有较强的依赖性,目前它的主要应用领域在惯导器件、军事侦察、通信和生物医学领域,以及微型飞机和纳米卫星等产品上。 (1)重要的理论意义和深远的社会影响

电子材料与元器件论文

CMOS图像传感器工作原理和应用 姓名: 学院: 班级: 组号: 日期:2014年12月9日

摘要 随着集成电路制造工艺技术的发展和集成电路设计水平的不断提高,基于CMOS集成电路工艺技术制造的CMOS图像传感器由于其集成度高、功耗低、体积小、工艺简单、成本低且开发周期较短等优势,目前在诸多领域得到了广泛的应用,特别是数码产品如数码相机、照相手机的图像传感器应用方面,市场前景广泛,因此对CMOS图像传感器的研究与开发有着非常高的市场价值。 本文首先介绍了CMOS图像传感器的发展历程和工作原理及应用现状。随后叙述了CMOS图像传感器的像元、结构及工作原理,着重说明了成像原理和图像信号的读取和处理过程,以及在数字摄像机,数码相机,彩信手机中的应用方式。 一、CMOS图像传感器的发展历史 上世纪60年代末期,美国贝尔实验室提出固态成像器件概念: 互补金属氧化物半导体图像传感器CMOS —Complementary Metal Oxide Semiconductor 电荷耦合器件图像传感器(CCD) CMOS与CCD图像传感器的研究几乎是同时起步,固体图像传感器得到了迅速发展。 CMOS图像传感器: 由于受当时工艺水平的限制,图像质量差、分辨率低、噪声降不下来,因而没有得到重视和发展。 CCD图像传感器: 光照灵敏度高、噪音低、像素少等优点一直主宰着图像传感器市场。 由于集成电路设计技术和工艺水平的提高,CMOS图像传感器过去存在的缺点,现在都可以找到办法克服,而且它固有的优点更是CCD器件所无法比拟的,因而它再次成为研究的热点。 1970年,CMOS图像传感器在NASA的喷气推进实验室JPL制造成功, 80年代末,英国爱丁堡大学成功试制出了世界第一块单片CMOS型图像传感器件, 1995年像元数为(128×128)的高性能CMOS 有源像素图像传感器由喷气推进实验室首先研制成功。 1997年英国爱丁堡VLSI Version公司首次实现了CMOS图像传感器的商品化。 2000年日本东芝公司和美国斯坦福大学采用0.35mm技术开发的CMOS-APS,

微纳光子学

微纳光子学主要研究在微纳尺度下光与物质相互作用的规律及其光的产生、传输、调控、探测和传感等方面的应用。微纳光子学亚波长器件能有效提高光子集成度,有望像电子芯片一样把光子器件集成到尺寸很小的单一光芯片上。纳米表面等离子体学是一新兴微纳光子学领域,主要研究金属纳米结构中光与物质的相互作用。它具有尺寸小,速度快和克服传统衍射极限等特点,有望实现电子学和光子学在纳米尺度上的完美联姻,将为新一代的光电技术开创新的平台。金属-介质-金属F-P腔是最基本的纳米等离子体波导结构,具有良好的局域场增强和共振滤波特性,是制作纳米滤波器、波分复用器、光开关、激光器等微纳光器件的基础。但由于纳米等离子体结构中金属腔的固有损耗和能量反射,F-P腔在波分复用器应用中透射效率往往较低,这给实际应用带来不利。 最近,科研人员提出了一种提高表面等离子体F-P腔波分复用器透射效率的双腔逆向干涉相消法。该方法能有效避免腔的能量反射,使入射光能完全从通道端口出射,极大增强了透射效率。此设计方法还能有效的抑制噪声光的反馈。同时,科研人员利用耦合模方法验证了这种设计方法的可行性。这种波分复用器相比目前报道的基于F-P单腔共振滤波的波分复用器的透射效率提高了50%以上。相关的成果于2011年6月20日发表在Optics Express上,论文题目为:Enhancement of transmission efficiency of nanoplasmonic wavelength demultiplexer based on channel drop filters and reflection nanocavities。 “新兴光器件及集成技术专题报告会”上发布《纳米光子学对光子技术更新换代的重要作用》精彩演讲。报告摘要;从上世纪70年代开始,光子学进入微光子学阶段,经过40年的研究,现在已经比较成熟。以半导体激光器为重点的研究已经逐渐转向对激光控制问题的研究和激光应用的研究。同时,光子技术已经进入光电子技术阶段,其特点是研究开发以电控光、光电混合的器件和系统。光电子技术已经逐步占领了电子技术原有的阵地。它的应用领域已经扩大到人类社会生活的各方面,如光通信与光网,平板显示、半导体照明、光盘存储、数码相机等。光电子产业迅速发展壮大起来。在经济发达国家,光电子产业的总产值已经可以与电子产业相比,甚至超过电子产业。近十年来,国际学术界开始大力发展纳光子学及其技术,使光电子技术与纳米技术相结合,对现有光电子技术进行升级改造。 与国际上科技发达的国家相比,目前我国微纳光子学的研究还不算落后,这从我国在微纳光子学领域发表的论文数量和投稿的杂志级别就可看出。但是我国的光子学研究论文大部分是理论方面的,大多数是跟踪国外的。由于国内缺乏先进的科学实验平台,特别是缺乏制备微纳光子学材料和器件的工艺条件,实验方面的论文比较少(除了少数与国外合作研究的论文),创新的思想无法得到实验验证。微光子学方面的情况尚且如此,在纳光子学方面,由于对仪器、设备、工艺和技术的要求更高,与国外的差距正在加大。 在光电子技术方面,由于国际经济的全球化和我国的改革开放形势,吸引跨国公司将制造、加工基地向我国转移。21世纪初光电子企业的大公司纷纷落户我国。而且大量资金投向我国沿海经济发达地区(如广东、上海和京津地区),建立起一大批中外合资或独资企业。但是这些外国企业或技术人员,控制着产业的高端技术,对我国实行技术垄断,使我国的光电子技术至今还处于“下游”,成为外向加工企业。大多数光电子企业采用这样的生产模式:购买国外的芯片进行器件封装,或者购买国外的器件进行系统组装。目前我国光电子企业严重缺乏核心技术和自主知识产权,无法抵御国际经济危机,面临着很大的风险。 为了加快我国的微纳光子学与相关光子技术的发展,我国应该集中投入一部分资金,凝聚一批高水平研究人才,在某些光电子企业集中的地区,依托光子学研究有实力的单位,采用先进的管理模式,建设我

电子材料与器件习题解析汇报

5.6 最小电导率 a. 考虑半导体的电导率e h en ep σμμ=+。掺杂总是能提高电导率吗? b. 请说明:当Si 的p 型掺杂而使空穴浓度为下式所表示的值时,可以得到最小的电导率。 m p n = 与该式对应的最小电导率(最大电阻率)为 min 2en σ= c. 对Si 计算m p 和min σ,并与本征值进行比较。 解析: a. 半导体的电导率e h en ep σμμ=+,其中,n 和p 满足质量作用定律 2exp()g i c v E np n N N kT ==- ,在一定的温度下,np 为常数。 当掺杂增大电子浓度n 时,空穴浓度p 则会减小,反之亦然。在掺杂浓度一定时,由于e h μμ>,如果对半导体进行n 型掺杂,则n>p ,显然随着掺杂浓度的 p 型掺杂,则n

,因此,当Si 的p 后增大。对2i e h n e ep p σμμ=+求导得2' 2i e h n e e p σμμ=-+,令'0σ=得p n =

相应地2en σ=m p n =时,电导率最小,为 min 2en σ=。 c. 室温下,对于Si ,103i 1.010n cm -=?,2111350e cm V s μ--=??, 211450h cm V s μ--=??,带入m p n =和min 2en σ=得 1031031.710 1.010m i p cm n cm --=?>=? 611611min i 2.510 2.910cm cm σσ------=?Ω?<=?Ω? 若取103i 1.510n cm -=?,则有 1031032.610 1.510m i p cm n cm --=?>=? 611611min i 3.710 4.310cm cm σσ------=?Ω?<=?Ω? 5.13 砷化镓 Ga 具有的化合价是3,而As 具有的化合价是5。当Ga 和As 原子一起形成GsAs 单晶体时,如图5.54所示,一个Ga 的3个价电子与一个As 的5个价电子均共享,结果形成4个共价键。在具有大约23310cm -Ga 原子和As 原子(数量几乎相等)的GsAs 晶体中,无论是Ga 还是As ,每个原子平均具有4个价电子。因此我们可以认为:其价键的结合与Si 晶体中的相似,每个原子4个键。然而,它的晶体结构却不是金刚石结构,而是闪锌矿结构。 a. 对于每对Ga 和As 原子,以及在GaAs 晶体中,每个原子的平均价电子数是多少? b. 如果在GaAs 晶体中以Ⅵ族元素硒(Se )或碲(Te )代替As 原子,情况如何? c. 如果在GaAs 晶体中以Ⅱ族元素锌(Zn )或镉(Cd )代替Ga 原子,情况如何? d. 如果在GaAs 晶体中以Ⅳ族元素硅(Si )代替As 原子,情况如何? e. 如果在GaAs 晶体中以Ⅳ族元素硅(Si )代替Ga 原子,情况如何?两性掺杂表示什么? f. 基于以上对GaAs 的讨论,你认为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体AlAs ,GaP ,InAs,InP 和InSb 的晶体结构是什么?

微纳测试

第一章 1、微纳米材料的三个特性是什么? 答:微尺寸效应、表面与界面效应、量子尺寸效应。 2、微纳测试的研究内容是什么,并解释其内涵 答:圆片级测试、管芯级测试和器件级测试。 MEMS圆片级测试主要解决MEMS在工艺线上制造过程中微结构与设计的符合性、微结构之间以及不同批次圆片间的一致性与重复性问题; 管芯级测试主要解决封装前微器件的成品率的测试问题; 器件级测试有两个方面的目的:其一是检测封装的质量,进行微器件的综合性能测试;另一方面则是考核微器件的可靠性,给出可靠性指标。 3、微纳测试方法有哪两大类 答:接触式测试与非接触式测试。 4、微纳测试仪器有哪几类 答:光学、电子学、探针等。 5、微纳测试的特点 答:被测量的尺度小,一般在微纳米量级;以非接触测量为主要手段。 第二章 1、试述光学法在微纳测量技术中的意义(同自动调焦法优点) 答:由于是非接触测量,因而对被测表面不造成破坏,可测量十分敏感或柔软的表面;测量速度高,能扫描整个被测表面的三维形貌,且能测量十分复杂的表面结构;用这种方法制成的测量仪器可用在制造加工过程中实现自动化测量。 2、可见光的波长范围 答:400~760nm 3、凸透镜成像的5种形式 答:形式1:当物距大于2倍焦距时,则像距在1倍焦距和2倍焦距之间,成倒立、缩小的实像。此时像距小于物距,像比物小,物像异侧。应用:照相机、摄像机。 形式2:当物距等于2倍焦距时,则像距也在2倍焦距,成倒立、等大的实像。此时物距等于像距,像与物大小相等,物像异侧。 形式3:当物距小于2倍焦距、大于1倍焦距时,则像距大于2倍焦距,成倒立、放大的实像。此时像距大于物距,像比物大,物像异侧。应用:投影仪、幻灯机、电影放映机。 形式4:当物距等于1倍焦距时,则不成像,成平行光射出。 形式5:当物距小于1倍焦距时,则成正立、放大的虚像。此时像距大于物距,像比物大,物像同侧。应用:放大镜。 4、几何光学的成像原理、波动光学的成像原理 答:几何光学成像原理:在均匀介质中,光线直线传播;光的反射定律;光的折射定律;光程可逆性原理。 波动光学成像原理:光的干涉;光的衍射;光的偏振。 5、显微镜与望远镜的异同点 答:显微镜与望远镜的相同点:(1)都是先成实像,后成虚像(2)他们的目镜都相当于放大镜成正立放大虚像。

电子元器件行业现状

1、电子元器件行业现状 我国电子元件的产量已占全球的近39%以上。产量居世界第一的产品有:电容器、电阻器、电声器件、磁性材料、压电石英晶体、微特电机、电子变压器、印制电路板。 伴随我国电子信息产业规模的扩大,珠江三角洲、长江三角洲、环渤海湾地区、部分中西部地区四大电子信息产业基地初步形成。这些地区的电子信息企业集中,产业链较完整,具有相当的规模和配套能力。 我国电子材料和元器件产业存在一些主要问题:中低档产品过剩,高端产品主要依赖进口;缺乏核心技术,产品利润较低;企业规模较小,技术开发投入不足。 2、电子元器件行业发展趋势 技术发展趋势 新型元器件将继续向微型化、片式化、高性能化、集成化、智能化、环保节能方向发展。 市场需求分析 随着下一代互联网、新一代移动通信和数字电视的逐步商用,电子整机产业的升级换代将为电子材料和元器件产业的发展带来巨大的市场机遇。 我国“十一五”发展重点 我国《电子基础材料和关键元器件“十一五”专项规划》重点强调新型元器件、新型显示器件和电子材料作为主要分产业的发展目标。 注:上表所列信息与数据引自商务部网站、国研网、统计局网站 3、阿里巴巴关于“电子元器件”买家分布情况 在alibaba买家分布中,广东、浙江、江苏买家数占78%,其市场开发潜力巨大。 4、阿里巴巴电子元器件企业概况

目前通过阿里巴巴搜索“电子元器件”有43533310条产品供应信息,这些企业中有很多实现了从做网站、做推广、找买家,谈生意、成交等一站式的业务模式。当前有效求购“电子元器件”的信息已达到50536条(数据截止2008-10-23)。 阿里巴巴部分电子元器件行业企业 公司名称合作年限公司名称合作年限深圳市百拓科技有限公司 3 靖江市柯林电子器材厂 6 深圳赛格电子市场广发电子经营部 4 乐清市东博机电有限公司 6 镇江汉邦科技有限公司7 温州祥威阀门有限公司 6 无锡市国力机电工程安装有限公司 5 上海纳新工业设备有限公司 6 深圳市恒嘉乐科技有限公司 6 天津市天寅机电有限公司科技 开发分公司 6 厦门振泰成科技有限公司 6 常州市武进坂上继电器配件厂 6 5、同行成功经验分享 公司名:佛山市禅城区帝华电子五金制品厂——一个“很有想法”的诚信通老板主营产品:16型电位器;开关电位器;调光电位器;调速电位器;直滑式电位器等加入诚信通年限:第4年 佛山市禅城区帝华电子五金制品厂的董仁先生是一个“很有想法”的老板,虽然公司成立的时间不长,但是有很多经营理念。董先生是很健谈的人,据他介绍,帝华电子是以生产进口碳膜电位器和五金批咀的专业厂家,加入阿里巴巴诚信通已有两年时间。对于加入诚信通的目的,董先生的解释比较独特:“我们的产品属于电子设备及家用电器的元器件,和终端消费者没有直接的联系,就是把我们的产品扔两箱在大街上,扫大街的都没人要。而且我们的销售方式和普通厂家也不太一样,我们在国际国内都有销售办事处,同时还采用配套享受的形式。因此,我们加入诚信通并不是希望直接获得订单,而是想通过阿里巴巴的巨大知名度来提升我们公司的知名度,要让相关客户都知道中国有我们这样一个生产进口碳膜电位器和五金批咀的专业厂家。” 对于经营管理上的困难,董先生直言不讳:“当然,我们现在也遇到不少的困难,最困扰我的两个主要问题一是运输物流,二是生产。到现在我还没找到值得信赖和长期合作的物流公司,公司产品的运输经常得不到保证。现在阿里巴巴的网络交易渠道和交易方式已经很完善,我们也迫切希望阿里巴巴能提供物流服务。另一方面,最关键是生产上的问题,我们的生产往往赶不上订单的速度,这两个问题我正在努力解决中。” 对于公司今后的长远发展,“我们现在还属于生产元器件的厂家,随着公司的壮大,今后我们还将向半成品和终端消费品发展,我希望我们能形成终端消费品和相关的配套产业一条龙生产。”董先生显得踌躇满志。

光电子材料与器件 课后习题答案

3.在未加偏置电压的条件下,由于截流子的扩散运动,p 区和n 区之间的pn 结附近会形成没有电子和空穴分布的耗尽区。在pn 结附近,由于没有电子和空穴,无法通过电子-空穴对的复合产生光辐射。加上正向偏置电压,驱动电流通过器件时,p 区空穴向n 区扩散,在pn 结附近形成电子和空穴同时存在的区域。电子和空穴在该区通过辐射复合,并辐射能量约为Eg 的光子,复合掉的电子和空穴由外电路产生的电流补充。 5要满足以下条件a 满足粒子数反转条件,即半导体材料的导带与价带的准费米能级之差不小于禁带宽度即B.满足阈值条件,半导体由于粒子数产生的增益需要能够补偿工作物质的吸收、散射造成的损耗,以及谐振腔两个反射面上的透射、衍射等原因产生的损耗。即 第二章课后习题 1、工作物质、谐振腔、泵浦源 2、粒子数反转分布 5a.激光介质选择b.泵浦方式选择c 、冷却方式选择d 、腔结构的选择e 、模式的选择f 、整体结构的选择 第三章课后习题 10.要求:对正向入射光的插入损耗值越小越好,对反向反射光的隔离度值越大越好。原理:这种光隔离器是由起偏器与检偏器以及旋转在它们之间的法拉第旋转器组成。起偏器将输入光起偏在一定方向,当偏振光通过法拉第旋转器后其偏振方向将被旋转45度。检偏器偏振方向正好与起偏器成45度,因而由法拉第旋转器出射的光很容易通过它。当反射光回到隔离器时,首先经过起偏器的光是偏振方向与之一至的部分,随后这些这些光的偏振方向又被法拉第旋转器旋转45度,而且与入射光偏振方向的旋转在同一方向上,因而经过法拉第旋转器后的光其偏振方向与起偏器成90度,这样,反射光就被起偏器所隔离,而不能返回到入射光一端。 15.优点:A 、采用光纤耦合方向,其耦合效率高;纤芯走私小,使其易于达到高功率密度,这使得激光器具有低的阈值和高的转换效率。B 、可采用单模工作方式,输出光束质量高、线宽窄。C 、可具有高的比表面,因而散热好,只需简单风冷即可连续工作。D 、具有较多的可调参数,从而可获得宽的调谐范围和多种波长的选择。E 、光纤柔性好,从而使光辉器使用方便、灵巧。 由作为光增益介质的掺杂光纤、光学谐振腔、抽运光源及将抽运光耦合输入的光纤耦合器等组成。 原理:当泵浦激光束通过光纤中的稀土离子时,稀土离子吸收泵浦光,使稀土原子的电子激励到较高激发态能级,从而实现粒子数反转。反转后的粒子以辐射跃迁形式从高能级转移到基态。 g v c E F F 211ln 21R R L g g i th

电子基础材料与关键元器件“十一五”专项规划

电子基础材料和关键元器件“十一五”专项规划 前言 电子材料和元器件是核心基础产业的重要组成部分,处于电子信息产业链的前端,是通信、计算机及网络、数字音视频等系统和终端产品发展的基础,作为体现自主创新能力和实现产业做强的重要环节,对于电子信息产业的技术创新和做大做强发挥着至关重要的作用。 根据信息产业“十一五”规划“加快元器件产业结构升级和提高电子专用材料配套能力”的总体要求,在深入调研、广泛论证的基础上,编制本规划,以此作为“十一五”我国电子基础材料和关键元器件产业发展的指导性文件,作为国家进一步加强和规范行业管理的依据。 一、“十五”回顾 (一)产业规模进一步扩大 “十五”期间,我国电子材料和元器件产业保持了较快增长速度,产业规模进一步扩大(详见表1和表2),其销售收入、工业增加值、利润总额等指标均实现了快速增长,成为电子信息产业增长的重要力量。到“十五”末,我国电子材料和元器件产业规模仅次于日本和美国,居全球第三位。 表1 “九五”、“十五”末期电子材料和元器件发展指标对比 表2 2000-2005年我国电子材料和元器件产业指标情况

(二)部分产品产量居世界前列 经过“十五”的发展,我国已经成为世界电子基础材料和元器件的生产大国,产量占世界总产量的30%以上,部分产品产量居世界前列。其中,产量居全球首位的产品:电容器、电阻器、电声器件、磁性材料、石英晶体器件、微特电机、电子变压器、彩管、玻壳、覆铜板材料、压电晶体材料、印刷电路板等。我国中低档电子材料和元器件产销量已居世界前列,成为全球重要的生产和出口基地(详见表3)。 表3 “十五”电子元件产品产量增长情况 (三)产品结构有所改善 “十五”期间,我国电子材料和元器件产品结构有所改善。阻容感元件片式化率已超过75%,接近世界平均水平;新型显示器件产业取得突破,国内两条第5代TFT-LCD 生产线均实现量产,PDP的研发和产业化取得一定进展,彩管正在向纯平、高清晰度方向发展;多层、挠性等中高端印刷电路板比例接近40%;锂离子、太阳能电池等绿色电池产量居世界前列;大功率高亮度的蓝光、白光LED已经批量生产。 (四)技术创新取得新进展 “十五”期间,国内关键元器件和电子材料产业在技术创新方面也取得了较大进展。内资电容器生产企业已经突破贱金属电极的瓶颈,大大降低了MLCC的成本;TFT-LCD 领域拥有了一定数量的核心专利,OLED技术研发取得重要进展;具有自主知识产权的光纤预制棒技术开发成功并实现产业化;已自主研制成功4英寸、6英寸GaAs单晶和4英寸InP单晶,并掌握主要技术;SOI(绝缘层上的硅)技术研究水平基本与国外同步,6英寸注氧隔离(SIMOX)晶片已经批量生产。 尽管“十五”以来,我国电子材料和关键元器件取得长足进步,但总体看,行业整体实力仍然不强。产品结构性矛盾突出,高端元器件和关键电子材料主要依赖进口;整机和元器件产业互动发展的机制尚未形成;国内骨干企业规模小、经济实力弱,自主创新能力不足;关税、投融资等政策环境亟待改善,低水平竞争、重复建设等问题仍较突出。 二、“十一五”面临的形势 (一)技术发展趋势 随着电子整机向数字化、多功能化和小型化方向发展,电子系统向网络化、高速化和宽带的方向发展,电子材料和元器件技术将发生深刻变化。 新型元器件将向微型化、片式化、高性能化、集成化、智能化、环保节能方向发展。微小型和片式化技术、无源集成技术、抗电磁干扰技术、低温共烧陶瓷技术、绿色化生产技术等已成为行业技术进步的重点。微电子机械系统(MEMS)和微组装技术的高速发展,将促进元器件功能和性能大幅提升。

微纳练习题解答

一、 1.套准精度的定义,套准容差的定义。大约关键尺寸的多少是套准容差? 套准精度是测量对准系统把版图套准到硅片上图形的能力。套准容差描述要形成图形层和前层的最大相对位移,一般,套准容差大约是关键尺寸的三分之一。 2.信息微系统的特点是什么? 低成本,能耗低,体积小,重量轻,高可靠性和批量生产,可集成并实现复杂功能。 3.微加工技术是由什么技术发展而来的,又不完全同于这种技术。独特的微加工技术包括哪些? (1)微电子加工技术;(2)表面微制造、体硅微制造和LIGA工艺。4.微电子的发展规律为摩尔定律,其主要内容是什么? 集成电路芯片的集成度每三年提高4倍,而加工特征尺寸缩小√2倍 5.单晶、多晶和非晶的特点各是什么? 单晶:几乎所有的原子都占据着安排良好的规则的位置,即晶格位置;非晶:原子不具有长程有序,其中的化学键,键长和方向在一定的范围内变化; 多晶:是彼此间随机取向的小单晶的聚集体,在工艺过程中,小单晶的晶胞大小和取向会时常发生变化,有时在电路工作期间也发生变化 6.半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质;当受外界光和热作用时,半导体的导电能力明显变化;在纯半导体中掺杂可以使半导体的

导电能力发生数量级的变化。 7.标准RCA清洗工艺有几个步骤,各步主要用来去除哪些物质? SPM清洗:有机物 APM清洗:颗粒和少量有机物 DHF清洗:氧化膜 HPM清洗:金属离子 8.磁控溅射镀膜工艺中,加磁场的主要目的是什么? 将电子约束在靶材料表面附近,延长其在等离子体中运动的轨迹,提高与气体分子碰撞和电离的几率 9.谐衍射光学元件的优点是什么? 高衍射效率、优良的色散功能、减小微细加工的难度、独特的光学功能10.描述曝光波长与图像分辨率的关系,提高图像分辨率,有哪些方法? (1) NA = 2 r0/D, 数值孔径;K1是工艺因子:0.6~0.8 (2)减小波长和K1,增加数值孔径 氧气在强电场作用下电离产生的活性氧,使光刻胶氧化而成为可挥发的CO2、H2O 及其他气体而被带走;目的是去除光刻后残留的聚合物11.什么是等离子体去胶,去胶机的目的是什么? 通过控制F/C的比例,形成聚合物,在侧壁上生成抗腐蚀膜 12.硅槽干法刻蚀过程中侧壁是如何被保护而不被横向刻蚀的?

电子基础材料和关键元器件十二五规划

子规划1: 电子基础材料和关键元器件“十二五”规划

目录 前言 (1) 一、“十一五”产业发展回顾 (1) (一)产业规模稳步增长 (1) (二)企业实力进一步增强 (2) (三)生产技术水平持续提升 (3) (四)清洁生产稳步推进,循环经济初步发展 (4) (五)产业发展仍存在突出问题 (4) 二、“十二五”期间产业发展面临的形势 (5) (一)产业面临良好发展机遇 (5) (二)技术创新孕育新的突破 (5) (三)外部环境变化对产业的挑战日趋严峻 (6) (四)产业面临转型升级的迫切需要 (6) 三、产业发展的指导思想和目标 (7) (一)指导思想 (7) (二)发展目标 (7) 1、经济指标 (7) 2、结构指标 (7) 3、创新指标 (8) 4、节能环保指标 (8) 四、主要任务和发展重点 (8) (一)主要任务 (8) 1、推动产业升级 (8) 2、加强科技创新 (9) 3、统筹规划产业布局 (9) 4、加强自主品牌建设 (9) 5、促进产业协同发展 (10)

6、积极参与国际合作 (10) (二)发展重点 (10) 1、电子材料 (10) 2、电子元件 (12) 3、电子器件 (13) 五、政策措施和建议 (14) (一)加强政府引导,完善产业政策 (14) (二)发挥财政资金作用,创造良好投融资环境 (14) (三)提升产业创新能力,推动产业升级 (15) (四)优化产业布局,统筹规划区域发展 (15) (五)加强行业管理,促进产业健康发展 (15) (六)重视人才培养,积极参与国际交流合作 (16)

前言 电子材料和元器件是电子信息产业的重要组成部分,处于电子信息产业链的前端,是通信、计算机及网络、数字音视频等系统和终端产品发展的基础,对于电子信息产业的技术创新和做大做强有着重要的支撑作用。 为全面科学地总结“十一五”的发展经验,明确“十二五”期间我国电子基础材料和关键元器件产业的发展方向,确保产业健康发展,根据《工业转型升级“十二五”规划》、《信息产业“十二五”发展规划》和《电子信息制造业“十二五”发展规划》,制定本规划。 本规划涉及电子材料、电子元件、电子器件三大行业中的基础材料和关键元器件,是“十二五”期间我国电子基础材料和关键元器件产业发展的指导性文件,以及加强行业管理、组织实施重大工程的重要依据。 一、“十一五”产业发展回顾 (一)产业规模稳步增长 我国电子材料和元器件产业在“十一五”期间产量、销售额、进出口总额都有较大幅度提升,增强了我国作为基础电子生产大国的地位。虽然期间受金融危机冲击,产业经历小幅调整,但总体发展稳定。2010年,在国内行业整体增长特别是新兴产业快速发展的带动下,行业恢复发展到历

微纳结构三维形貌高精度测试系统

第37卷第1期 光电工程V ol.37, No.1 2010年1月Opto-Electronic Engineering Jan, 2010 文章编号:1003-501X(2010)01-0019-06 微/纳结构三维形貌高精度测试系统 谢勇君1,2,3,史铁林2,3,刘世元2 ( 1. 暨南大学电气自动化研究所,广东珠海 519070; 2. 华中科技大学数字制造装备与技术国家重点实验室,武汉 430074; 3. 武汉光电国家实验室(筹) 光电材料与微纳制造研究部,武汉 430074 ) 摘要:为实现微/纳结构三维形貌的高精度测量,提出利用显微干涉技术和偏振技术相结合的方法来研制微/纳结构三维形貌亚纳米级精度测试系统。首先,利用五步相移干涉技术采集5幅带有π/2相移增量的干涉条纹图。然后,通过Hariharan五步相移算法得到包裹相位图。最后,利用分割线相位去包裹算法和相位高度关系转换得到微/纳结构三维形貌。在测试过程中通过偏振片产生强度可调的线偏振光,再由1/2波片改变偏振光在分光镜中的分光比,补偿参考镜与试件的反射性能差异,可得到亮度适中且对比度高的干涉条纹图,从而有利于实现微/纳结构三维形貌的高精度测量。系统的轮廓算术平均偏差R a的重复测量精度可达0.06 nm,最大示值误差不到±1%,示值变动性不到0.5%。通过对标准多刻线样板、硅微麦克风膜和硅微陀螺仪折叠梁的三维形貌测量验证了系统的有效性和实用性。 关键词:微/纳结构;显微干涉;偏振技术;三维形貌 中图分类号:TH741.8 文献标志码:A doi:10.3969/j.issn.1003-501X.2010.01.04 Measurement System for 3D Profile of Micro/Nano Structures with High Resolution XIE Yong-jun1,2,3,SHI Tie-lin2,3,LIU Shi-yuan2 ( 1. Institute of Electric Automatization, Jinan University, Zhuhai 519070, Guangdong Province, China; 2. State Key Laboratory of Digital Manufacturing Equipment and Technology, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China; 3. Division of Optoelectronic Materials & Micro-Nano Manufacture, Wuhan National Laboratory for Opto-electronics, Wuhan 430074, China ) Abstract: In order to test 3D profile of micro/nano structures with high resolution, a measurement system was developed based on microscopic interferometry and polarization technique. First, five interferograms with π/2-phase increase were acquired by five-step phase-shift interferometry. Then wrapped phase maps were calculated with Hariharan five-step-phase-shift algorithm. Finally, 3D profile of micro/nano structure could be gotten with branch-cut unwrapping algorithm and the phase-height formula. A polarizer provided a polarization beam and adjusted its illumination power. The polarized beam was parceled into two perpendicular directions by a polarization-beam splitter, and the intensities proportion of the two beams could be adjusted by rotating a 1/2-waveplate making it possible to compensate the differences of the reflectances between the sample and the reference mirror. This arrangement allowed that the interferograms had the advantages of high contrast and optimum intensity, and this was useful to increase system 收稿日期:2009-07-13;收到修改稿日期:2009-09-03 基金项目:国家自然科学基金重点项目(50535030); 国家自然科学基金(50775090); 新世纪优秀人才支持计划(NCET-06-0639); 国家博士后科学基金(20070410930); 广东省自然科学基金博士研究启动项目(9451063201002281); 广东高校优秀青年创新人才 培育项目(LYM08019);广西制造系统与先进制造技术重点实验室开放课题基金; 暨南大学青年基金项目(51208027). 作者简介:谢勇君(1977-),女(汉族),广西全州人。讲师,博士,主要研究工作是精密测控技术。E-mail:xyj919@https://www.360docs.net/doc/a87001785.html,。

《电子材料与元器件》试卷

电子电工《电子材料与元器件》样卷 一.填空题:(30分) 1.电感线圈主要用于对交变信号进行、、组成等。2.磁性材料常分成、三大类。 3.电解电容器主要用于、等电路。 4.常见的无机绝缘材料有、、 5.常见的变压器有、、、。 6.继电器是一种用小电流或控制或的自动开关,在电路中起着自动操作、自动调节、安全保护的作用。 7. P型半导体靠导电,N型半导体靠导电。 8.晶体二极管具有;晶体三极管具有的作用。 9.晶体三极管主要有、、三个参数。 二.判断题(10分) 1.在放大电路中用碳膜电阻来补偿因温度变他而引起的工作点变化。()2.中频变压器俗称中周。() 3.二芯插头插座主要用于立体声信号的连接。() 4.半导体的电阻率随温度变化很明显。() 5.稳压二极管的反向特性与普通二极管相似。() 6.全桥硅整流堆内含4个二极管。() 7.达林顿管是复合管。() 8.镍镉电池对环境无污染.( ) 9.玻璃和橡胶都属于无机绝缘材料。()10.在傻瓜照相机测光电路中使用光敏电阻。() 三选择题(28分) 1制作印制电路板可用的材料是() A 铝板 B 铜板 C 敷铜板 D 环氧板 2精密电阻器大多用色标法来标注,所用的色环是() A 3色环 B 4色环 C 5色环 D 6色环 3某电容器标有2200字样,它的容量是() A 2200uF B 2200pF C 2200F D 22uF 4带电子多的杂质半导体称为() A N型半导体 B P型半导体 C 本征型半导体 D 电子型半导体 5 锗二极管的死区电压为() A 0.2V B 0.5V C 0.7V D 1.6V 6要使三极管有放大作用必须() A发射结加正向电压,集电结加反向电压。 B发射结加反向电压,集电结加正向电压。 C发射结加正向电压,集电结加正向电压。 D发射结加反向电压,集电结加反向电压。 7.扬声器的阻抗可能是() A0.5欧 B8欧 C100欧 D1000欧 8.圆柱型干电池的标称电压是() A 1V B 1.5V C 1.8V D 2.5V 9.锂电池() A有记忆效应 B无记忆效应 C充电慢 D不能充电

电子材料与元器件教学大纲

电子材料与元器件教学大 纲 Final approval draft on November 22, 2020

《电子材料与元器件》课程教学大纲 课程编号:010192 适用专业:应用电子技术专业 学时数:60(讲课:40,上机:20)学分数:4 执笔者:张恒审核人:编写日期: 建议教材与教学参考书:[1]《电子材料与元器件》电子工业出版社陈颖主编 一、课程的性质和目的: 《电子材料与元器件》是高等职业学校工业应用电子技术、自动化和机电一体化等专业的一门重要的专业必修课,是与实际生产相结合的基本课程,是电子类技术人才必须掌握的基础知识。本大纲根据高等职业学校机电类专业教学计划制订。 本课程是一门技术性与实践性较强的应用学科,教学中必须坚持理论联系实际的原则,让学生有一定的动手练习机会。可按照相关的课程内容,相应的组织实验、模拟实习、焊接练习,以提高学生的理解深度和动手能力,从而提高学生对电子材料与元器件的处理问题的能力。 本课程的教学任务是:讲授常用电子材料以及各种常用电子元器件:电阻器、电容器、电感、接插件、晶体管、集成电路的外形,命名和标识,检测和使用等方面的知识,把学生培养成为具有一定理论与实践相结合的高等职业技术人才。 本课程是一门技术性与实践性较强的应用学科,教学中必须有时注意理论联系实际的原则,让学生有相应的动手练习机会。由于受课时量的限制,可按照相关的课程内容,组织相应的元器件识别、以提高学生的对电子元器件的识别能力、应用能力 二、教学目标和基本要求: 教学目标: 通过本课程的学习,把学生培养成为具有一定电子技术知识和操作能力,能够独立分析、解决有关材料和元器件问题的高等职业技术人才。 (一)理论方面: 本课程的教学任务是:使学生掌握常用电子材料以及各种常用电子元器件:电阻器、电容器、电感、接插件、晶体管、集成电路的外形,命名和标识,检测和使用等方面的知识,为学习后续课程和今后的工作准备必要的基础知识,以及同时也

微纳系统及其最新应用

MEMS系统及其封装技术的研究报告 微机电系统(Micro-Electro-Mechanical Systems,MEMS)是以微细加工技术为基础,将微传感器、微执行器和电子线路、微能源等有机组合在一起的微机电器件、装置、或系统。微机电既可以根据电路信号的指令控制执行元件,实现机械驱动,也可以利用传感器探测或接受外部信号。传感器将转换后的信号经电路处理后,再由执行器转换为机械信号,完成命令的执行。可以说,MEMS技术是一种获取、处理和执行操作的集成技术,它是一种多学科交叉的前沿性领域,几乎涉及到自然及工程科学的所有领域,例如电子、机械、材料和能源。但是,由于对MEMS封装的认识一直落后于MEMS器件的研究,封装已成为妨碍MEMS商业化的主要技术瓶颈。 一、MEMS系统的特点、存在的问题 与常规机电系统相比,MEMS系统的主要优点包括:系统微型化,MEMS器件体积小,精度高、重量轻,尺寸精度可达到纳米量级;制造材料性能稳定,MEMS的主要材料是硅;批量生产成本低;能耗低,灵敏度和工作效率高;集成化程度高等。 但是,按照摩尔定律的预测,在不断追求电子元器件的高集成度、高密度的同时,MEMS 系统也存在一些问题,例如尺寸效应;材料性能主要是对于MEMS硅衬底上的薄膜的机械性能和电性能的分析;黏附问题;静电力问题;摩擦问题;检测问题;薄膜应力以及表面粗糙度问题。 二、MEMS封装 MEMS封装的分类方式有两种:一种是按封装材料分,可分为金属封装、陶瓷封装和塑料封装;另一种是按密封特性分,可分为气密封装和非气密性封装。通常金属封装和陶瓷封装为气密封装,而塑料封装为非气密封装。 1.MEMS封装的自身特性包括以下几点: 1)专用性 MEMS中通常都有一些可动部分或悬空结构,如硅等空腔、梁、沟、槽、膜片甚至是流体部件。 2)复杂性 由于多数MEMS封装外壳的负责性,对芯片纯化、封装保护提出了特殊要求。某些MEMS 的封装及其技术比MEMS还新颖,不仅技术难度大,而且对封装环境的洁净度要求更高。 3)空间性 为给MEMS可活动部分提供足够的可动空间,需在外壳上进行刻蚀,或留有一定的槽型及其他形状的空间。 4)保护性 在晶片上制成的MEMS,在完成封装之前,始终对环境的影响极其敏感。MEMS封装的各操作工序(划片、烧结、互联、密封等),需要采用特殊的处理方法,提供相应的保护措施。 5)可靠性 6)经济性 2.几种重要的 MEMS封装技术 MEMS封装经过多年的发展,出现了一些比较完善的封装技术和封装形式,比如键合技术、倒装芯片技术、多芯片封装技术以及3D封装等。 1)键和技术 键合技术是MEMS中最为关键、最具挑战性的技术,由于MEMS器件包含多种立体结构和多种材料层,MEMS元件的键合要比微电子元件困难得多。键合技术分为引线键合和表面键合两种。其中引线键合的作用是从核心元件引人和导出电连接。根据键合时所用能量

光电子材料与器件题库

《光电子材料与器件》题库 选择题: 1. 如下图所示的两个原子轨道沿z轴方向接近时,形成的分子轨道类型为( A ) (A) *σ(B) σ(C) π(D) *π 2. 基于分子的对称性考虑,属于下列点群的分子中不可能具有偶极矩的为(C)(A)C n(B)C n v(C)C2h(D)C s 3. 随着温度的升高,光敏电阻的光谱特性曲线的变化规律为(B)。 (A)光谱响应的峰值将向长波方向移动 (B)光谱响应的峰值将向短波方向移动 (C)光生电流减弱 (D)光生电流增强 4. 利用某一CCD来读取图像信息时,图像积分后每个CCD像元积聚的信号在同一时刻先转移到遮光的并行读出CCD中,而后再转移输出。则该CCD的类型为(B ) (A)帧转移型CCD (B)线阵CCD (C)全帧转移型CCD (D)行间转移CCD 5. 对于白光LED器件,当LED基片发射蓝光时,其对应的荧光粉的发光颜色应该为(D) (A)绿光(B)紫光(C)红光(D)黄光 6. 在制造高效率太阳能电池所采取的技术和工艺中,下列不属于光学设计的为(C) (A)在电池表面铺上减反射膜; (B)表面制绒; (C)把金属电极镀到激光形成槽内; (D)增加电池的厚度以提高吸收 7. 电子在原子能级之间跃迁需满足光谱选择定则,下列有关跃迁允许的表述中,不正确的是(B ): (A)总角量子数之差为1 (B)主量子数必须相同 (C)总自旋量子数不变

(D)内量子数之差不大于2 8. 物质吸收一定波长的光达到激发态之后,又跃迁回基态或低能态,发射出的荧光波长小于激发光波长,称为(B)。 (A)斯托克斯荧光(B)反斯托克斯荧光(C)共振荧光(D)热助线荧光9. 根据H2+分子轨道理论,决定H原子能否形成分子的主要因素为H原子轨道的(A ) (A)交换积分(B)库仑积分(C)重叠积分(D)置换积分 10. 下列轨道中,属于分子轨道的是(C) (A)非键轨道(B)s轨道(C)反键轨道(D)p 轨道 11. N2的化学性质非常稳定,其原因是由于分子中存在(D ) (A)强σ 键(B)两个π键(C)离域的π键(D)N N≡三键12. 测试得到某分子的光谱处于远红外范围,则该光谱反映的是分子的(B )能级特性。 (A)振动(B)转动(C)电子运动(D)电声子耦合 13.下列的对称元素中,所对应的对称操作属于虚动作的是(C ) (A)C3 (B)E(C)σh(D)C6 14. 某晶体的特征对称元素为两个相互垂直的镜面,则其所处的晶系为(C)(A)四方晶系(B)立方晶系(C)正交晶系(D)单斜晶系 15. 砷化镓是III-V族化合物半导体,它的晶体结构是(D)。 (A)NaCl 结构(B)纤锌矿结构(C)钙钛矿结构(D)闪锌矿结构16. 原子轨道经杂化形成分子轨道时,会发生等性杂化或非等性杂化。下列物质中化学键属于不等性杂化的是(B)。 (A)CH4(B)H2O (C)石墨烯(D)金刚石 17. 关于金属的特性,特鲁德模型不能成功解释的是(A ) (A)比热(B)欧姆定律(C)电子的弛豫时间(D)电子的平均自由程18. 下列有关半导体与绝缘体在能带上的说法中,正确的是(B )。 (A)在绝缘体中,电子填满了所有的能带 (B)在0 K下,半导体中能带的填充情况与绝缘体是相同的 (C)半导体中禁带宽度比较大 (D)绝缘体的禁带宽度比较小 19. 在非本征半导体中,载流子(电子和空穴)的激发方式为(B)? (A)电(B)热(C)磁(D)掺杂 20.在P型半导体材料中,杂质能级被称之为(C)。 (A)施主能级(B)深陷阱能级(C)受主能级(D)浅陷阱能级

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