电子材料与元器件教学指南

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电子材料与元器件教学指南

《电子材料与元器件》教学指南

一、课程的性质与任务

本课程是中等职业学校电工电子类专业的一门专业基础课程。它的任务是使学生具备从事相关专业的高素质劳动者所必需的认知各种电子材料和电子元器件的基本知识和基本技能;并对学生进行劳动观念的培养和职业意识及职业道德教育,提高学生的综合素质、增强适应职业变化的能力和继续学习的能力,为毕业后从事实际工作奠定良好的基础。

二、教学提要、课程内容、教学要求

第一章常用电子材料

第一节常用线材

1.了解材料的作用、意义及其分类。

2.掌握常用的裸导线、电磁线、绝缘电线、电力电缆线的名称、型号及用途。

3.了解通信导线的种类。

4.会电缆线、网线水晶头、有线电视用户视频同轴电缆插头的连接制作。

第二节绝缘材料

1.了解常用绝缘材料的绝缘耐压强度、耐热等级等基本性能。

2.掌握电气绝缘产品的分类、型号编制及用途,掌握绝缘材料的基本选用原则。

3.会使用兆欧表检测常用导线的绝缘性能。

第三节磁性材料

1.了解磁性材料的分类,硬磁材料和软磁材料的种类和特点。

2.掌握磁性材料的磁化性、相对磁导率、磁化曲线等基本特性。

3.了解一些磁材料制品,及软磁性材料的选用原则。

第四节常用工具、仪表、器材

1.掌握试电笔、螺丝刀、钳子、电烙铁等常用工具的分类、构成、规格、用途和使用方法。

2.了解一些电子工业中所要使用的常用工具。

3.掌握指针式万用电表的使用方法,了解一些电子工业中所要使用的常用仪表。

4.了解一些电子工业中所要使用的防静电工具、器材,以及常用的耗材。

第五节电池

1.了解电池的分类、常用电池的主要参数。

2.掌握常用电池的特性和应用,以及基本组成与结构。

3.了解部分干电池的型号、性能规格以及使用注意事项。

4.会使用数字式万用电表检测干电池的质量。

第二章电阻及电阻元件

第一节电阻器

1.掌握电阻器的作用、电路图形符号、常用单位及其换算关系。

2.了解电阻器的种类、主要用途及使用注意事项。

3.了解常用固定电阻器的外形、特点及应用。

4.掌握固定电阻器的型号命名方法、主要参数、标志内容与标注方法,会根据元件上所标内容读出固定电阻器的标称阻值、允许误差和额定功率。

5.会使用万用表的欧姆挡检测电阻器。

6.了解片式电阻器的外形及主要参数的标注方法。

第二节电位器

1.了解电位器的组成、作用、电路图形符号、种类及使用注意事项。

2.掌握电位器阻值变化的三种规律及应用。

3.了解常用电位器的外形、结构、特点及应用。

4.掌握电位器的型号命名方法、主要参数、标志内容与标注方法,会根据元件上所标内容读出电位器的标称阻值、允许误差和额定功率。

5.会使用万用表的欧姆挡检测电位器。

第三节敏感电阻器

1.了解敏感电阻器的特性、作用、电路图形符号及种类。

2.了解热敏电阻器、光敏电阻器和压敏电阻器的制成原理、工作特点及主要应用。

3.会使用万用表的欧姆挡检测热敏电阻器、光敏电阻器和压敏电阻器。

第三章电容及电容元件

第一节电容器概述

1.掌握电容器的作用、电路图形符号、常用单位及其换算关系。

2.了解电容器的种类、主要参数及使用注意事项。

3.掌握电容器的型号命名方法、标志内容与标注方法,会根据元件上所标内容读出电容器的标称容量、允许误差和额定工作电压。

第二节固定电容器

1.了解常用的纸介与金属化纸介电容器、塑料薄膜电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、钽电解电容器的外形、结构、特点及应用。

电子材料与元器件论文

CMOS图像传感器工作原理和应用 姓名: 学院: 班级: 组号: 日期:2014年12月9日

摘要 随着集成电路制造工艺技术的发展和集成电路设计水平的不断提高,基于CMOS集成电路工艺技术制造的CMOS图像传感器由于其集成度高、功耗低、体积小、工艺简单、成本低且开发周期较短等优势,目前在诸多领域得到了广泛的应用,特别是数码产品如数码相机、照相手机的图像传感器应用方面,市场前景广泛,因此对CMOS图像传感器的研究与开发有着非常高的市场价值。 本文首先介绍了CMOS图像传感器的发展历程和工作原理及应用现状。随后叙述了CMOS图像传感器的像元、结构及工作原理,着重说明了成像原理和图像信号的读取和处理过程,以及在数字摄像机,数码相机,彩信手机中的应用方式。 一、CMOS图像传感器的发展历史 上世纪60年代末期,美国贝尔实验室提出固态成像器件概念: 互补金属氧化物半导体图像传感器CMOS —Complementary Metal Oxide Semiconductor 电荷耦合器件图像传感器(CCD) CMOS与CCD图像传感器的研究几乎是同时起步,固体图像传感器得到了迅速发展。 CMOS图像传感器: 由于受当时工艺水平的限制,图像质量差、分辨率低、噪声降不下来,因而没有得到重视和发展。 CCD图像传感器: 光照灵敏度高、噪音低、像素少等优点一直主宰着图像传感器市场。 由于集成电路设计技术和工艺水平的提高,CMOS图像传感器过去存在的缺点,现在都可以找到办法克服,而且它固有的优点更是CCD器件所无法比拟的,因而它再次成为研究的热点。 1970年,CMOS图像传感器在NASA的喷气推进实验室JPL制造成功, 80年代末,英国爱丁堡大学成功试制出了世界第一块单片CMOS型图像传感器件, 1995年像元数为(128×128)的高性能CMOS 有源像素图像传感器由喷气推进实验室首先研制成功。 1997年英国爱丁堡VLSI Version公司首次实现了CMOS图像传感器的商品化。 2000年日本东芝公司和美国斯坦福大学采用0.35mm技术开发的CMOS-APS,

电子材料与器件习题解析汇报

5.6 最小电导率 a. 考虑半导体的电导率e h en ep σμμ=+。掺杂总是能提高电导率吗? b. 请说明:当Si 的p 型掺杂而使空穴浓度为下式所表示的值时,可以得到最小的电导率。 m p n = 与该式对应的最小电导率(最大电阻率)为 min 2en σ= c. 对Si 计算m p 和min σ,并与本征值进行比较。 解析: a. 半导体的电导率e h en ep σμμ=+,其中,n 和p 满足质量作用定律 2exp()g i c v E np n N N kT ==- ,在一定的温度下,np 为常数。 当掺杂增大电子浓度n 时,空穴浓度p 则会减小,反之亦然。在掺杂浓度一定时,由于e h μμ>,如果对半导体进行n 型掺杂,则n>p ,显然随着掺杂浓度的 p 型掺杂,则n

,因此,当Si 的p 后增大。对2i e h n e ep p σμμ=+求导得2' 2i e h n e e p σμμ=-+,令'0σ=得p n =

相应地2en σ=m p n =时,电导率最小,为 min 2en σ=。 c. 室温下,对于Si ,103i 1.010n cm -=?,2111350e cm V s μ--=??, 211450h cm V s μ--=??,带入m p n =和min 2en σ=得 1031031.710 1.010m i p cm n cm --=?>=? 611611min i 2.510 2.910cm cm σσ------=?Ω?<=?Ω? 若取103i 1.510n cm -=?,则有 1031032.610 1.510m i p cm n cm --=?>=? 611611min i 3.710 4.310cm cm σσ------=?Ω?<=?Ω? 5.13 砷化镓 Ga 具有的化合价是3,而As 具有的化合价是5。当Ga 和As 原子一起形成GsAs 单晶体时,如图5.54所示,一个Ga 的3个价电子与一个As 的5个价电子均共享,结果形成4个共价键。在具有大约23310cm -Ga 原子和As 原子(数量几乎相等)的GsAs 晶体中,无论是Ga 还是As ,每个原子平均具有4个价电子。因此我们可以认为:其价键的结合与Si 晶体中的相似,每个原子4个键。然而,它的晶体结构却不是金刚石结构,而是闪锌矿结构。 a. 对于每对Ga 和As 原子,以及在GaAs 晶体中,每个原子的平均价电子数是多少? b. 如果在GaAs 晶体中以Ⅵ族元素硒(Se )或碲(Te )代替As 原子,情况如何? c. 如果在GaAs 晶体中以Ⅱ族元素锌(Zn )或镉(Cd )代替Ga 原子,情况如何? d. 如果在GaAs 晶体中以Ⅳ族元素硅(Si )代替As 原子,情况如何? e. 如果在GaAs 晶体中以Ⅳ族元素硅(Si )代替Ga 原子,情况如何?两性掺杂表示什么? f. 基于以上对GaAs 的讨论,你认为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体AlAs ,GaP ,InAs,InP 和InSb 的晶体结构是什么?

专科《电子元器件与实用电路基础》 试卷 答案

专科《电子元器件与实用电路基础》 一、(共56题,共152分) 1. 若电路中某元件的端电压为,电流, 为关联方向,则该元件是___。(2分) A.电阻 B.电感 C.电容 .标准答案:C 2. UGS=0V时,不能够工作在恒流区的场效应管有____。(2分) A.结型管 B.增强型MOS管 C.耗尽型MOS管 .标准答案:B 3. 图4-1与图4-2两条曲线的相位差=_____。 (2分) A.900 B.-450 C.-1350 .标准答案:C 4. 已知2电阻的电压,当为关联方向时,电阻上电流 =___A。(2分) A. B. C. .标准答案:B 5. 当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为____。(2分) A.前者反偏、后者也反偏 B.前者正偏、后者反偏 C.前者正偏、后者也正偏 .标准答案:B 6. 在基本放大电路中,输入耦合电容C1作用是________。(2分) A.通直流和交流 B.隔直流通交流 C.隔交流通直流 .标准答案:B 7. 差动放大器比非差动的直接耦合放大器以多用一个晶体三极管为代价,换取 ____。(2分) A.高的电压放大倍数 B.使电路放大信号时减少失真 C.抑制零点漂移 .标准答案:C 8. 单稳态多谐振荡器的耦合电路A是由________构成。(2分) A.电阻 B.电容 C.电阻和电容 .标准答案:B 9. 单相半波整流电路中,负载为500Ω电阻,变压器的副边电压为12V,则负载上电压平均值和二极管所承受的最高反向电压为________。(2分) A.5.4V、17V B.5.4V、12V C.9V、12V .标准答案:A 10. 在纯电感电路中,电压应为_____。(2分) A. B. C. .标准答案:B 11. 乙类双电源互补对称功率放大电路中,正负电源轮流供电。(2分) ( ) .标准答案:正确 12. 充放电过程的快慢取决于时间常数,时间常数越大,过程越短。(2分) ( ) .标准答案:错误 13. 处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。(2分) ( ) .标准答案:错误 14. 集成放大电路采用直接耦合的主要原因之一是不易制作大容量电容。(2分)( ) .标准答案:正确 15. 脉冲电路是数字电路的基础。在数字设备中,数字信号的波形就是脉冲信号。(2分) ( )

电子元器件行业现状

1、电子元器件行业现状 我国电子元件的产量已占全球的近39%以上。产量居世界第一的产品有:电容器、电阻器、电声器件、磁性材料、压电石英晶体、微特电机、电子变压器、印制电路板。 伴随我国电子信息产业规模的扩大,珠江三角洲、长江三角洲、环渤海湾地区、部分中西部地区四大电子信息产业基地初步形成。这些地区的电子信息企业集中,产业链较完整,具有相当的规模和配套能力。 我国电子材料和元器件产业存在一些主要问题:中低档产品过剩,高端产品主要依赖进口;缺乏核心技术,产品利润较低;企业规模较小,技术开发投入不足。 2、电子元器件行业发展趋势 技术发展趋势 新型元器件将继续向微型化、片式化、高性能化、集成化、智能化、环保节能方向发展。 市场需求分析 随着下一代互联网、新一代移动通信和数字电视的逐步商用,电子整机产业的升级换代将为电子材料和元器件产业的发展带来巨大的市场机遇。 我国“十一五”发展重点 我国《电子基础材料和关键元器件“十一五”专项规划》重点强调新型元器件、新型显示器件和电子材料作为主要分产业的发展目标。 注:上表所列信息与数据引自商务部网站、国研网、统计局网站 3、阿里巴巴关于“电子元器件”买家分布情况 在alibaba买家分布中,广东、浙江、江苏买家数占78%,其市场开发潜力巨大。 4、阿里巴巴电子元器件企业概况

目前通过阿里巴巴搜索“电子元器件”有43533310条产品供应信息,这些企业中有很多实现了从做网站、做推广、找买家,谈生意、成交等一站式的业务模式。当前有效求购“电子元器件”的信息已达到50536条(数据截止2008-10-23)。 阿里巴巴部分电子元器件行业企业 公司名称合作年限公司名称合作年限深圳市百拓科技有限公司 3 靖江市柯林电子器材厂 6 深圳赛格电子市场广发电子经营部 4 乐清市东博机电有限公司 6 镇江汉邦科技有限公司7 温州祥威阀门有限公司 6 无锡市国力机电工程安装有限公司 5 上海纳新工业设备有限公司 6 深圳市恒嘉乐科技有限公司 6 天津市天寅机电有限公司科技 开发分公司 6 厦门振泰成科技有限公司 6 常州市武进坂上继电器配件厂 6 5、同行成功经验分享 公司名:佛山市禅城区帝华电子五金制品厂——一个“很有想法”的诚信通老板主营产品:16型电位器;开关电位器;调光电位器;调速电位器;直滑式电位器等加入诚信通年限:第4年 佛山市禅城区帝华电子五金制品厂的董仁先生是一个“很有想法”的老板,虽然公司成立的时间不长,但是有很多经营理念。董先生是很健谈的人,据他介绍,帝华电子是以生产进口碳膜电位器和五金批咀的专业厂家,加入阿里巴巴诚信通已有两年时间。对于加入诚信通的目的,董先生的解释比较独特:“我们的产品属于电子设备及家用电器的元器件,和终端消费者没有直接的联系,就是把我们的产品扔两箱在大街上,扫大街的都没人要。而且我们的销售方式和普通厂家也不太一样,我们在国际国内都有销售办事处,同时还采用配套享受的形式。因此,我们加入诚信通并不是希望直接获得订单,而是想通过阿里巴巴的巨大知名度来提升我们公司的知名度,要让相关客户都知道中国有我们这样一个生产进口碳膜电位器和五金批咀的专业厂家。” 对于经营管理上的困难,董先生直言不讳:“当然,我们现在也遇到不少的困难,最困扰我的两个主要问题一是运输物流,二是生产。到现在我还没找到值得信赖和长期合作的物流公司,公司产品的运输经常得不到保证。现在阿里巴巴的网络交易渠道和交易方式已经很完善,我们也迫切希望阿里巴巴能提供物流服务。另一方面,最关键是生产上的问题,我们的生产往往赶不上订单的速度,这两个问题我正在努力解决中。” 对于公司今后的长远发展,“我们现在还属于生产元器件的厂家,随着公司的壮大,今后我们还将向半成品和终端消费品发展,我希望我们能形成终端消费品和相关的配套产业一条龙生产。”董先生显得踌躇满志。

常用电子元器件培训资料

常用电子元器件参考资料第一节部分电气图形符号

二.半导体管 三.其它电气图形符号

第二节常用电子元器件型号命名法及主要技术参数一.电阻器和电位器 1.电阻器和电位器的型号命名方法 示例: (1)精密金属膜电阻器 R J7 3 第四部分:序号 第三部分:类别(精密) 第二部分:材料(金属膜) 第一部分:主称(电阻器) (2) 多圈线绕电位器 W X D 3 第四部分:序号 第三部分:类别(多圈) 第二部分:材料(线绕) 第一部分:主称(电位器)

2.电阻器的主要技术指标 (1) 额定功率 电阻器在电路中长时间连续工作不损坏,或不显著改变其性能所允许消耗的最大功率称为电阻器的额定功率。电阻器的额定功率并不是电阻器在电路中工作时一定要消耗的功率,而是电阻器在电路工作中所允许消耗的最大功率。不同类型的电阻具有不同系列的额定功率,如表2所示。 (2) 标称阻值 阻值是电阻的主要参数之一,不同类型的电阻,阻值范围不同,不同精度的电阻其阻值系列亦不同。根据国家规范,常用的标称电阻值系列如表3所示。E24、E12和E6系列也适用于电位器和电容器。 (3) 允许误差等级 3.电阻器的标志内容及方法 (1)文字符号直标法:用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值,额定功率、允许误差等级等。符号前面的数字表示整数阻值,后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值,其文字符号所表示的单位如表5所示。如1R5表示1.5Ω,2K7表示2.7kΩ, 表5

例如: RJ71-0.125-5k1-II 允许误差±10% 标称阻值(5.1kΩ) 额定功率1/8W 型号 由标号可知,它是精密金属膜电阻器,额定功率为1/8W,标称阻值为5.1kΩ,允许误差为±10%。 (2)色标法:色标法是将电阻器的类别及主要技术参数的数值用颜色(色环或色点)标注在它的外表面上。色标电阻(色环电阻)器可分为三环、四环、五环三种标法。其含义如图1和图2所示。 标称值第一位有效数字 标称值第二位有效数字 标称值有效数字后0的个数 允许误差 图1 两位有效数字阻值的色环表示法 三色环电阻器的色环表示标称电阻值(允许误差均为±20%)。例如,色环为棕黑红,表示10?102=1.0kΩ±20%的电阻器。 四色环电阻器的色环表示标称值(二位有效数字)及精度。例如,色环为棕绿橙金表示15?103=15kΩ±5%的电阻器。 五色环电阻器的色环表示标称值(三位有效数字)及精度。例如,色环为红紫绿黄棕表示275?104=2.75MΩ±1%的电阻器。

光电子材料与器件 课后习题答案

3.在未加偏置电压的条件下,由于截流子的扩散运动,p 区和n 区之间的pn 结附近会形成没有电子和空穴分布的耗尽区。在pn 结附近,由于没有电子和空穴,无法通过电子-空穴对的复合产生光辐射。加上正向偏置电压,驱动电流通过器件时,p 区空穴向n 区扩散,在pn 结附近形成电子和空穴同时存在的区域。电子和空穴在该区通过辐射复合,并辐射能量约为Eg 的光子,复合掉的电子和空穴由外电路产生的电流补充。 5要满足以下条件a 满足粒子数反转条件,即半导体材料的导带与价带的准费米能级之差不小于禁带宽度即B.满足阈值条件,半导体由于粒子数产生的增益需要能够补偿工作物质的吸收、散射造成的损耗,以及谐振腔两个反射面上的透射、衍射等原因产生的损耗。即 第二章课后习题 1、工作物质、谐振腔、泵浦源 2、粒子数反转分布 5a.激光介质选择b.泵浦方式选择c 、冷却方式选择d 、腔结构的选择e 、模式的选择f 、整体结构的选择 第三章课后习题 10.要求:对正向入射光的插入损耗值越小越好,对反向反射光的隔离度值越大越好。原理:这种光隔离器是由起偏器与检偏器以及旋转在它们之间的法拉第旋转器组成。起偏器将输入光起偏在一定方向,当偏振光通过法拉第旋转器后其偏振方向将被旋转45度。检偏器偏振方向正好与起偏器成45度,因而由法拉第旋转器出射的光很容易通过它。当反射光回到隔离器时,首先经过起偏器的光是偏振方向与之一至的部分,随后这些这些光的偏振方向又被法拉第旋转器旋转45度,而且与入射光偏振方向的旋转在同一方向上,因而经过法拉第旋转器后的光其偏振方向与起偏器成90度,这样,反射光就被起偏器所隔离,而不能返回到入射光一端。 15.优点:A 、采用光纤耦合方向,其耦合效率高;纤芯走私小,使其易于达到高功率密度,这使得激光器具有低的阈值和高的转换效率。B 、可采用单模工作方式,输出光束质量高、线宽窄。C 、可具有高的比表面,因而散热好,只需简单风冷即可连续工作。D 、具有较多的可调参数,从而可获得宽的调谐范围和多种波长的选择。E 、光纤柔性好,从而使光辉器使用方便、灵巧。 由作为光增益介质的掺杂光纤、光学谐振腔、抽运光源及将抽运光耦合输入的光纤耦合器等组成。 原理:当泵浦激光束通过光纤中的稀土离子时,稀土离子吸收泵浦光,使稀土原子的电子激励到较高激发态能级,从而实现粒子数反转。反转后的粒子以辐射跃迁形式从高能级转移到基态。 g v c E F F 211ln 21R R L g g i th

电子元件基础知识44506

电阻器和电容器 电阻器和电容器简称为阻容元件,在各类电子元器件中,它们是生产量最大,使用范围最广 的一类元件。 (一)电阻器(元件符号R) 我们平常在工作中所说的电阻其实是电阻器。 电阻器是一种具有一定阻值,一定几何形状,一定性能参数,在电路中起电阻作用的实体元件。在电路中,它的主要作用是稳定和调节电路中的电流和电压,作为分流器、分压器和消 耗电能的负载使用。 大部分电阻器的引出线为轴向引线,一小部分为径向引线,为了适应现代表面组装技术 (SMT )的需要,还有“无引出线”的片状电阻器(或叫无脚零件),片状电阻器像米粒般 大小、扁平的,一般用自动贴片机摆放,我们公司的SMT机房里面就有。电阻器是非极性 元件,电阻器的阻值可在元件体通过色环或工程编码来鉴别。 种类: 我们常见的电阻器有下列几种: (1)金属膜电阻器(2)碳膜电阻器 (3)线绕电阻器(4)电位器 (5)电阻网络器(6)热敏电阻器 不同的电阻器,不仅其电阻值不同,功能也不一样,所以不同的电阻器是不可以随便替代的。 2.电阻的单位是欧姆(Q ),千欧(K Q ),兆欧(M Q)o 它们的换算公式为106Q =1M Q =103K Q 注意:若在元件体的一端有一宽的银色环,则此元件不是电阻,是电感器,如果这种银色环 与元件体上其它色环宽度相同,则还是电阻。 5 .电阻器的标识方法 (1 )色环法:目前国标上普遍流行色环标识电阻,色环在电阻器上有不同的含义,它具有简单、直观、方便等特点。色环电阻中最常见的是四环电阻和五环电阻。 四环电阻(碳膜电阻) 第一道色环印在电阻的金属帽上,表示电阻有效数字的最高位,也表示电阻值色标法读数的 方向,第二道色环表示有效数字的次高位,第三道色环表示相乘的倍率,第四环表示误差。 金色为土5%,银色为土10%。 值得注意的是:第四环的位置国内外的标法有异,国外有此厂家把第四环也标在另一端的金属 帽上,遇此情况切记:金色或银色的一端不是第一环。第一环是离元件体端部最近的一环。 例:某电阻的色环依次为“黄、紫、红、银”,则该电阻的阻值为4700 Q =4.7K Q,误差为

电子基础材料与关键元器件“十一五”专项规划

电子基础材料和关键元器件“十一五”专项规划 前言 电子材料和元器件是核心基础产业的重要组成部分,处于电子信息产业链的前端,是通信、计算机及网络、数字音视频等系统和终端产品发展的基础,作为体现自主创新能力和实现产业做强的重要环节,对于电子信息产业的技术创新和做大做强发挥着至关重要的作用。 根据信息产业“十一五”规划“加快元器件产业结构升级和提高电子专用材料配套能力”的总体要求,在深入调研、广泛论证的基础上,编制本规划,以此作为“十一五”我国电子基础材料和关键元器件产业发展的指导性文件,作为国家进一步加强和规范行业管理的依据。 一、“十五”回顾 (一)产业规模进一步扩大 “十五”期间,我国电子材料和元器件产业保持了较快增长速度,产业规模进一步扩大(详见表1和表2),其销售收入、工业增加值、利润总额等指标均实现了快速增长,成为电子信息产业增长的重要力量。到“十五”末,我国电子材料和元器件产业规模仅次于日本和美国,居全球第三位。 表1 “九五”、“十五”末期电子材料和元器件发展指标对比 表2 2000-2005年我国电子材料和元器件产业指标情况

(二)部分产品产量居世界前列 经过“十五”的发展,我国已经成为世界电子基础材料和元器件的生产大国,产量占世界总产量的30%以上,部分产品产量居世界前列。其中,产量居全球首位的产品:电容器、电阻器、电声器件、磁性材料、石英晶体器件、微特电机、电子变压器、彩管、玻壳、覆铜板材料、压电晶体材料、印刷电路板等。我国中低档电子材料和元器件产销量已居世界前列,成为全球重要的生产和出口基地(详见表3)。 表3 “十五”电子元件产品产量增长情况 (三)产品结构有所改善 “十五”期间,我国电子材料和元器件产品结构有所改善。阻容感元件片式化率已超过75%,接近世界平均水平;新型显示器件产业取得突破,国内两条第5代TFT-LCD 生产线均实现量产,PDP的研发和产业化取得一定进展,彩管正在向纯平、高清晰度方向发展;多层、挠性等中高端印刷电路板比例接近40%;锂离子、太阳能电池等绿色电池产量居世界前列;大功率高亮度的蓝光、白光LED已经批量生产。 (四)技术创新取得新进展 “十五”期间,国内关键元器件和电子材料产业在技术创新方面也取得了较大进展。内资电容器生产企业已经突破贱金属电极的瓶颈,大大降低了MLCC的成本;TFT-LCD 领域拥有了一定数量的核心专利,OLED技术研发取得重要进展;具有自主知识产权的光纤预制棒技术开发成功并实现产业化;已自主研制成功4英寸、6英寸GaAs单晶和4英寸InP单晶,并掌握主要技术;SOI(绝缘层上的硅)技术研究水平基本与国外同步,6英寸注氧隔离(SIMOX)晶片已经批量生产。 尽管“十五”以来,我国电子材料和关键元器件取得长足进步,但总体看,行业整体实力仍然不强。产品结构性矛盾突出,高端元器件和关键电子材料主要依赖进口;整机和元器件产业互动发展的机制尚未形成;国内骨干企业规模小、经济实力弱,自主创新能力不足;关税、投融资等政策环境亟待改善,低水平竞争、重复建设等问题仍较突出。 二、“十一五”面临的形势 (一)技术发展趋势 随着电子整机向数字化、多功能化和小型化方向发展,电子系统向网络化、高速化和宽带的方向发展,电子材料和元器件技术将发生深刻变化。 新型元器件将向微型化、片式化、高性能化、集成化、智能化、环保节能方向发展。微小型和片式化技术、无源集成技术、抗电磁干扰技术、低温共烧陶瓷技术、绿色化生产技术等已成为行业技术进步的重点。微电子机械系统(MEMS)和微组装技术的高速发展,将促进元器件功能和性能大幅提升。

《电子材料与元器件》试卷

电子电工《电子材料与元器件》样卷 一.填空题:(30分) 1.电感线圈主要用于对交变信号进行、、组成等。2.磁性材料常分成、三大类。 3.电解电容器主要用于、等电路。 4.常见的无机绝缘材料有、、 5.常见的变压器有、、、。 6.继电器是一种用小电流或控制或的自动开关,在电路中起着自动操作、自动调节、安全保护的作用。 7. P型半导体靠导电,N型半导体靠导电。 8.晶体二极管具有;晶体三极管具有的作用。 9.晶体三极管主要有、、三个参数。 二.判断题(10分) 1.在放大电路中用碳膜电阻来补偿因温度变他而引起的工作点变化。()2.中频变压器俗称中周。() 3.二芯插头插座主要用于立体声信号的连接。() 4.半导体的电阻率随温度变化很明显。() 5.稳压二极管的反向特性与普通二极管相似。() 6.全桥硅整流堆内含4个二极管。() 7.达林顿管是复合管。() 8.镍镉电池对环境无污染.( ) 9.玻璃和橡胶都属于无机绝缘材料。()10.在傻瓜照相机测光电路中使用光敏电阻。() 三选择题(28分) 1制作印制电路板可用的材料是() A 铝板 B 铜板 C 敷铜板 D 环氧板 2精密电阻器大多用色标法来标注,所用的色环是() A 3色环 B 4色环 C 5色环 D 6色环 3某电容器标有2200字样,它的容量是() A 2200uF B 2200pF C 2200F D 22uF 4带电子多的杂质半导体称为() A N型半导体 B P型半导体 C 本征型半导体 D 电子型半导体 5 锗二极管的死区电压为() A 0.2V B 0.5V C 0.7V D 1.6V 6要使三极管有放大作用必须() A发射结加正向电压,集电结加反向电压。 B发射结加反向电压,集电结加正向电压。 C发射结加正向电压,集电结加正向电压。 D发射结加反向电压,集电结加反向电压。 7.扬声器的阻抗可能是() A0.5欧 B8欧 C100欧 D1000欧 8.圆柱型干电池的标称电压是() A 1V B 1.5V C 1.8V D 2.5V 9.锂电池() A有记忆效应 B无记忆效应 C充电慢 D不能充电

电子元器件与电路基础试题

电子元器件与电路基础试题 一、填空题:(20分,每空1分) 1、通常将三极管的输出特性曲线分为( )、( )和( )。 2、基尔霍夫第一定律指的是(), 第二定律指的是()。 3、晶闸管又称(),对于金属封装的单向晶闸管,螺栓一端为(), 较细的引线端为(),较粗的引线端为()。 4、双向晶闸管的主要技术参数包括()、()、 ()、()。 5、场效晶体管按结构分为()、()。 6、固态继电器,简称(),是由()、()、 ()组成的无触电开关。 7、光电耦合器是一种()转换的器件。 二、单项选择题:(每题1分,共10分) 1.电容器上面标示为107,容量应该是() A.10μF B.100μF C.1000μF 2. 两个容值相同的电容器串联和并联使用容值有什么不同?( ) A.串联容量变小,并联容量变大 B.串联容量变大,并联容量变小 C.串联容量变小,并联容量变小 D.串联容量变大,并联容量变大 3、瓷介电容471、103、104请指出最大容量的电容?() A. 471 B.103 C.104 4、4环色环电阻第四环颜色是银色,对应的误差多少?( ) A.5% B.10% C.15% 5、低压小功率三极管条件下最关键的参数是。( ) A.放大系数β值 B.最大耗散功率Pcm C.穿透电流Iceo 6、一个电源变压器输入电压为220V,初级的线圈匝数为3500匝,输出电压为12V请问次级线圈的匝数是:( ) A.235匝 B.150匝 C.191匝 7、贴片电阻的阻值为5.1K,那么上面的标号应该为( ) A.511 B.512 C.513 8、贴片电阻的封装是:( ) A.0805 B.SOT-23 C.TO-92 9、如何判断发光二极管的管脚极性?( ) A.发光二极管的长脚为正极 B.发光二极管的长脚为负极 C.有的二极管有环状标志的一端是正极 10、三极管硅管的导通电压为() A.0.6V B.0.2V C.0.3V 三、判断题:(20分,每题2分) 1、稳压二极管代换时只要稳定电压值相同即可代换。() 2、在RLC谐振电路中,谐振频率f仅由电路参数L和C决定,与电阻R的大

光电子材料与器件题库

《光电子材料与器件》题库 选择题: 1. 如下图所示的两个原子轨道沿z轴方向接近时,形成的分子轨道类型为( A ) (A) *σ(B) σ(C) π(D) *π 2. 基于分子的对称性考虑,属于下列点群的分子中不可能具有偶极矩的为(C)(A)C n(B)C n v(C)C2h(D)C s 3. 随着温度的升高,光敏电阻的光谱特性曲线的变化规律为(B)。 (A)光谱响应的峰值将向长波方向移动 (B)光谱响应的峰值将向短波方向移动 (C)光生电流减弱 (D)光生电流增强 4. 利用某一CCD来读取图像信息时,图像积分后每个CCD像元积聚的信号在同一时刻先转移到遮光的并行读出CCD中,而后再转移输出。则该CCD的类型为(B ) (A)帧转移型CCD (B)线阵CCD (C)全帧转移型CCD (D)行间转移CCD 5. 对于白光LED器件,当LED基片发射蓝光时,其对应的荧光粉的发光颜色应该为(D) (A)绿光(B)紫光(C)红光(D)黄光 6. 在制造高效率太阳能电池所采取的技术和工艺中,下列不属于光学设计的为(C) (A)在电池表面铺上减反射膜; (B)表面制绒; (C)把金属电极镀到激光形成槽内; (D)增加电池的厚度以提高吸收 7. 电子在原子能级之间跃迁需满足光谱选择定则,下列有关跃迁允许的表述中,不正确的是(B ): (A)总角量子数之差为1 (B)主量子数必须相同 (C)总自旋量子数不变

(D)内量子数之差不大于2 8. 物质吸收一定波长的光达到激发态之后,又跃迁回基态或低能态,发射出的荧光波长小于激发光波长,称为(B)。 (A)斯托克斯荧光(B)反斯托克斯荧光(C)共振荧光(D)热助线荧光9. 根据H2+分子轨道理论,决定H原子能否形成分子的主要因素为H原子轨道的(A ) (A)交换积分(B)库仑积分(C)重叠积分(D)置换积分 10. 下列轨道中,属于分子轨道的是(C) (A)非键轨道(B)s轨道(C)反键轨道(D)p 轨道 11. N2的化学性质非常稳定,其原因是由于分子中存在(D ) (A)强σ 键(B)两个π键(C)离域的π键(D)N N≡三键12. 测试得到某分子的光谱处于远红外范围,则该光谱反映的是分子的(B )能级特性。 (A)振动(B)转动(C)电子运动(D)电声子耦合 13.下列的对称元素中,所对应的对称操作属于虚动作的是(C ) (A)C3 (B)E(C)σh(D)C6 14. 某晶体的特征对称元素为两个相互垂直的镜面,则其所处的晶系为(C)(A)四方晶系(B)立方晶系(C)正交晶系(D)单斜晶系 15. 砷化镓是III-V族化合物半导体,它的晶体结构是(D)。 (A)NaCl 结构(B)纤锌矿结构(C)钙钛矿结构(D)闪锌矿结构16. 原子轨道经杂化形成分子轨道时,会发生等性杂化或非等性杂化。下列物质中化学键属于不等性杂化的是(B)。 (A)CH4(B)H2O (C)石墨烯(D)金刚石 17. 关于金属的特性,特鲁德模型不能成功解释的是(A ) (A)比热(B)欧姆定律(C)电子的弛豫时间(D)电子的平均自由程18. 下列有关半导体与绝缘体在能带上的说法中,正确的是(B )。 (A)在绝缘体中,电子填满了所有的能带 (B)在0 K下,半导体中能带的填充情况与绝缘体是相同的 (C)半导体中禁带宽度比较大 (D)绝缘体的禁带宽度比较小 19. 在非本征半导体中,载流子(电子和空穴)的激发方式为(B)? (A)电(B)热(C)磁(D)掺杂 20.在P型半导体材料中,杂质能级被称之为(C)。 (A)施主能级(B)深陷阱能级(C)受主能级(D)浅陷阱能级

电子元器件培训资料

一、电子及传感器基础知识、元器件基础知识前言: PCBA维修原则: 1、首先,要确认不良现象,排除误判误测,不良现象要有可重复性; 2、第二,要对外观进行复检,及时发现是否存在有错料,少料,多料等简单的外观不良; 3、第三,要找出维修记录或维修速查表,针对相应电子元件作检查。确认不良元件时可以与良 品交替互换或从电路板上拆除后单独测量; 4、第四,要找出PCBA功能的原理图,对照相应电路模块作检查,测量相关元件是否存在不良; 5、第五,如果是批量性不良,或以上方法无法维修的不良,可能是设计缺陷。 1、电子基础知识 电路的基本原理:电流,电压,电阻,电荷 电流是电荷在导线内流动的现象,电流的测量单位是安培(A)。电荷分为正电荷和负电荷二种。物质中的电子带有负电荷;而质子带有正电荷。电荷在导线内会由高电位的地方流向低电位的地方。电位的高低便形成了电位差,我们称为电压。电压愈大,流动的电流便愈大,电压的测量单位是伏特(V)。电流流动时会遇到阻力,就是电阻。每种物质都有电阻值,优良的导体如铜、白金等,它们的电阻很小,电流很容易通过。电阻很大,大到电流无法通过的物质就是绝缘体,而介于导体和绝缘体之间就是半导体。电阻的测量单位是欧姆(Ω)。 电流 是指电线中电子流动的相反方向,也就是质子流动的方向,通常以I表示,其单位为安培 A(Ampere)。直流电的电流方向固定由正极流向负极,并不会随时间而改变;而交流电的电流流向则会不断地交替变化,例如公司用电的电流便是每秒正负极交替变换50次的交流电,称为50赫兹(Hz)。而在台湾地区交流电的频率为60Hz。 电压 是指能使电在电线中流动的力量,通常以E表示,其单位为伏特V(Volt),电流一般都是从高电压流向低电压,通常电源电位较高的一端以"+"号表示,而电位较低的一端则以"_"表示。电池、水银电池等,电压包含1.5V、3V、9V等,而家庭用电电压在台湾、美国日本为交流110V;在大陆为220V;欧州为240V。 电阻 是指阻挡电流在电线流动的阻力,通常以R表示,其单位为欧姆,任何物体都具有电阻,如同水流一般,物体的电阻大小随材质、长度、大小而异。电阻值大到不能导电的物质称为「绝缘体」,如塑料、木材等。电阻会消耗能量,消耗的能量通常以热的形式呈现,所以传输材料的电阻值愈低愈好,因此一般电线便采用导电性佳的铜线,为了减低能源的消耗,「低温超导体」已成为新兴的科技了。 电路符号示例 电路是由各种不同的组件组成,其相互关系通常使用电路图描述,而电路图的每个基本组件均使用电路符号表示。下图是摘取ATA2001(1866)一部分电路图为例。 如下图:

电子元件基础知识培训考试试题及答案

电子元件基础知识考试试题 部门:姓名:分数: 一、单项选择题:(每题2分,共30分) 1、二极管在电路板上用( B ) 表示。 A、C B、D C、R 2.、一色环电阻颜色为:红-黑-黑-橙-棕其阻值为( C)。 A、200Ω B、20K C、200K 3、47KΩ±1%电阻的色环为( C )。 A、黄-紫-橙-金 B、黄-紫-黑-橙-棕 C、黄-紫-黑-红-棕 4、电感线圈的单位符号是( B )。 A.L B.H C.R 5、下图所示的二极管,描述正确的是( B )图。 A、黑色端代表正极 B、黑色端代表负极 C、以上描述都不对 6、电容量的基本单位是( C ) A.欧姆 B.亨利 C.法拉 7、电容器上面标示为107,容量应该是( B ) A.10μF B.100μF C.1000μF 8、4环色环电阻第四环颜色是银色,对应的误差多少?( B ) A.5% B.10% C.15% 9、前四环为棕黑黑红的五环电阻标值为多少?( B ) A.100欧姆 B.10K欧姆 C.1K欧姆 10、贴片电阻的阻值为5.1K,那么上面的标号应该为( B ) A.511 B.512 C.513 11 、电容的单位换算正确的是( C ) A.1F=1000000μF B. 1μF =1000000pF C.以上都是 12、电阻按照封装来分非为:( A ) A.贴片电阻,插件电阻 B.水泥电阻,功率电阻 C.色环电阻,标码电阻 13、电感的单位换算正确的是( A ) A.1H=1000,000uH B.1H=1000,000,000uH C.1mH=1000,000uH 14、如何判断发光二极管的管脚极性?( A ) A.发光二极管的长脚为正极 B.发光二极管的长脚为负极 C.有的二极管有环状标志的一端是正极 15、贴片电阻的封装是:( A ) A.0805 B.SOT-23 C.TO-92 二、填空题:(每空1分,共30分) 1. 电阻用字母 R 表示,电阻的基本单位是Ω或者(欧姆),电容用字母 C 表示。 2. 电容的基本单位是 F 或者(法拉) ,二极管用字母 D 表示,IC用字母U 表示。 3. 为保护静电敏感元件,在人接触静电敏感元件时要:穿防静电衣,戴防静电帽,戴防静电手环。 4、配戴静电环时必须戴紧。对静电敏感元件有IC ,,晶体管等。(至少写一种) 5、电阻换算:1MΩ= 103KΩ= 106Ω。

电子元器件基础知识【大全】

电子元器件基础知识 内容来源网络,由“深圳机械展(11万㎡,1100多家展商,超10万观众)”收集整理! 更多cnc加工中心、车铣磨钻床、线切割、数控刀具工具、工业机器人、非标自动化、数字化无人工厂、精密测量、数控系统、3D打印、激光切割、钣金冲压折弯、精密零件加工等展示,就在深圳机械展. 电子元器件是元件和器件的总称。是电子元件和小型机器、仪器的组成部分,其本身常由若干零件构成,可以在同类产品中通用。常指电器、无线电、仪表等工业的某些零件,如电容、晶体管、游丝、发条等子器件的总称。 电子元器件组成 电子元器件由两大部分构成:电子器件和电子元件。 电子器件 指在工厂生产加工时不改变分子成分的成品。如电阻器、电容器、电感器。因为它本身不产生电子,它对电压、电流无控制和变换作用,所以又称无源器件。 电子元件

指在工厂生产加工时改变了分子结构的成品。例如晶体管、电子管、集成电路。因为它本身能产生电子,对电压、电流有控制、变换作用(放大、开关、整流、检波、振荡和调制等),所以又称有源器件。按分类标准,电子器件可分为12个大类,可归纳为真空电子器件和半导体器件两大块。 常用电子元器件介绍 常用的电子元器件有:电阻、电容、电感、电位器、变压器、二极管、三极管、mos管、集成电路等等。 下面就来介绍几个常用的元器件。 电阻 导体对电流的阻碍作用就叫该导体的电阻。 电阻小的物质称为电导体,简称导体。 电阻大的物质称为电绝缘体,简称绝缘体。 在物理学中,用电阻(resistance)来表示导体对电流阻碍作用的大小。导体的电阻越大,表示导体对电流的阻碍作用越大。不同的导体,电阻一般不同,电阻是导体本身的一种性质。 导体的电阻通常用字母R表示,电阻的单位是欧姆(ohm),简称欧,符号是Ω。比较大的单位有千欧(kΩ)、兆欧(MΩ)(兆=百万,即100万)。

光电材料与器件 考试卷 A

皖西学院2016 –2017学年度第 1 学期考试试卷(A 卷) 电气 学院 光电信息 专业 2014 级 光电子材料与器件 课程 一.填空题:本大题共10小题,每空1.5分,共15分。 1. pn 结附近载流子被耗尽的区域,称为空间电荷区,又称__耗尽层__。 2. 往硅中掺入硼元素的半导体是_ p _型半导体。 3. 半导体发光二极管设计成圆顶(半球顶)是为了减少__全反射__的影响,以便形成有 效光辐射。 4. 固体激光材料由激活离子和_基质材料_所组成。 5. 固体激光材料按照基质材料划分,可分为激光晶体、_激光玻璃_和激光陶瓷三类。 6. 固体激光器由泵浦源、固体激光工作物质与_光学谐振腔__所组成。 7. 光纤的损耗包括__吸收损耗__、散射损耗与弯曲损耗。 8. 多模光纤的色散包括模间色散、_材料色散_和波导色散。 9. 光开关可分为机械式光开关、_固体式光开关___和半导体光波导光开关三类。 10. 纳米光电材料在光学上和电学性质上表现出异于宏观光电材料的特性,这主要来源于 _小尺寸效应_、表面效应和量子尺寸效应。 1. 间接带隙半导体的发光效率比直接带隙半导体高。× 2. 高效率的发光器件需要辐射寿命远大于非辐射寿命。× 3. GaN 是直接带隙半导体发光材料。√ 4. 半导体激光器只要一通电,不论电流多小,都能产生激光。× 5. 在固体激光材料中,激光晶体的主要优点是热导率高、荧光谱线窄、硬度较大。 √ 6. 只要形成光放大就可以产生激光。× 7. 光纤的基本结构包括纤芯、包层与缓冲涂覆层三个部分。√ 8. 多模光纤的色散特性优于单模光纤。× 9. 光波导的波长越长越容易形成单模。√ 10. 光纤连接器的插入损耗越小越好,回波损耗越大越好。√ 11. 光纤放大器结构中,也包含有光学谐振腔。× 12. 磁光调制属于光的内调制。× 13. 光子器件不存在截止波长,对一切波长的光均能响应。× 14. 光敏电阻是光电导型器件,其工作原理为光电导效应。√ 15. 扭曲向列相液晶显示有光透过与关闭都不彻底,对比度不理想的缺点。√ 三.选择题:本大题共15小题,每小题2分,共30分。 1.电子浓度高于空穴浓度的半导体是_A 。 A .n 型半导体 B .p 型半导体 C .本征半导体 D .不能确定 2.导带底与价带顶对应相同的k (电子波矢量)的半导体是A 。 A .直接带隙半导体 B .间接带隙半导体 C .p 型半导体 D .n 型半导体 3.发光二极管的核心是pn 结,对于发光二极管的发光原理,以下论述中正确的是_B 。 A .对pn 结施加正向偏压,耗尽层被加强,p 区电子向n 区漂移,n 区空穴向p 区漂移,在pn 结附近相遇,发生辐射复合,辐射出光子 B .对pn 结施加正向偏压,耗尽层被削弱乃至消失,p 区空穴向n 区扩散,n 区电子向p 区扩散,在pn 结附近相遇,发生辐射复合,辐射出光子 C .对pn 结施加反向偏压,耗尽层被加强,p 区电子向n 区漂移,n 区空穴向p 区漂移,在pn 结附近相遇,发生非辐射复合,辐射出光子 D .对pn 结施加反向偏压,耗尽层被加强,p 区空穴向n 区扩散,n 区电子向p 区扩散,在pn 结附近相遇,发生非辐射复合,辐射出光子 4.___C_不是半导体激光器出射激光所必须要具备的条件。 A .粒子数反转 B .光学谐振腔提供的驻波条件 C .较高的温度 D .光增益超过光损耗 5.以下是光纤特性参数的是_B_。 A .插入损耗 B .归一化频率 C .分光比 D .隔离度 6.将某一光纤浸入水中,与该光纤在空气中相比,其受光角_B_。 A .变大 B .变小 C .不变 D .不能确定 7.某一无源树形光纤耦合器(1X3耦合器)输入功率是10.2mW ,输出总功率为10mW ,其中3个输出端口分别输出光功率为4mW 、4mW 、2 mW 。则该光纤耦合器各端口分光比分别为_D_。 A .35%,30%,35% B .20%,50%,30% C .15%,45%,40% D .40%,40%,20% 8.以下光纤器件中,是光纤有源器件的是B_。 A .光纤连接器 B .光纤激光器 C .光隔离器 D .光纤耦合器 9.以下不是光纤通讯窗口的波长是___A 。 A .500nm B .850nm C .1300nm D .1550nm 10.以下属于二阶非线性光学效应的是_D_。 A .光束自聚焦 B .三次谐波产生 C .受激布里渊散射 D .和频. 11.下列材料中,不属于非线性光学晶体的是_C_。 A .KDP B .KTP C .NaCl D .LiNbO 3

电子元器件基础知识培训(资料)

电子元件基础知识培训 一、电阻 1、电阻的外观、形状如下图示: 2、电阻在底板上用字母R(Ω)表示、图形如下表示: 从结构分有:固定电阻器和可变电阻器 3 、电阻的分类:从材料分有:碳膜电阻器、金属膜电阻器、线绕电阻器、热敏电阻等 从功率分有:1/16W、1/8W、1/4W(常用)、1/2W、1W、2W、3W等 4、电阻和单位及换算:1MΩ(兆欧姆)=1000KΩ(千欧姆)=1000'000Ω(欧姆) 一种用数字直接表示出来 5电阻阻值大小的标示四道色环电阻其中均有一 一种用颜色作代码间接表示五道色环电阻道色环为误 六道色环电阻差值色环 颜色黑棕红橙黄绿蓝紫灰白金银无数值0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 0.1 0.01 误差值±1℅±2℅±5℅±10℅±20℅四道色环电阻的识别方法如下图五道色环电阻的识别方法如下图 常用四道色环电阻的误差值色环颜色常用五道色环电阻的误差值色是 是金色或银色,即误差值色环为第四棕色或红色,即第五道色环就是误 道色环,其反向的第一道色环为第一差色环,第五道色环与其他色环相 道色环。隔较疏,如上图,第五道色环的反 向第一道即为第一道色环。 四道色环电阻阻值的计算方法: 阻值=第一、第二道色环颜色代表的数值×10 即上图电阻的阻值为:33×10=33Ω(欧姆) 第三道色不订所代表的数值

五道色环电阻阻值的计算方法: 阻值=第一、二、三道色环颜色所代表的数值×10即上图电阻阻值为:440×10=4.4Ω(欧姆) 7、电阻的方向性:在底板上插件时不用分方向。二:电容 1、电容的外观、形状如下图示: 2、电容在底板上用字母C表示,图形如下表示: 从结构上分有:固定电容和可调电容 3电容的分类有极性电容:电解电容、钽电容 从构造上分有: 无极性电容:云母电容、纸质电容、瓷片电容 4、电容的标称有容量和耐压之分 电容容量的单位及换算:1F”(法拉)=10 uF(微法)=10 pF(皮法) 5、电容容量标示如下图: 100uF∕25V 47uF∕25V 0.01 uF 0.01uF∕1KV 0.022uF∕50V 上图的瓷片电容标示是用103来表示的,其算法如下:10×10=0.01 uF=10000 pF 另电容的耐压表示此电容只能在其标称的电压范围内使用,如超过使用电压范围则会损坏炸裂或失效。 6、电容的方向性:在使用时有极性电容要分方向,无极性不用分方向。 三、晶体管 (一)晶体二极管 1、晶体二极管外形如下图: 第四道色不订所代表的数值 -2 6 12 3

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