2021国防科技大学计算机科学与技术考研真题经验参考书

2021国防科技大学计算机科学与技术考研真题经验参考书
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个人认为,政治是所有考研科目中可控性最高的一个科目。只要学得认真,学得细,就可以取得较高的分数。今年我政治考研的分数是72分,估计后面大题失分比较大。我依然清晰地记得我是从11月3日刚刚开始复习政治的,到考试只有不到2个月时间,只要用对方法,政治可以在短时间内拿到不错的分数,估计大家买的资料都差不多,所以只给大家推荐一下李凡老师的《政治新时器》。

英语复习:首先是单词。刚开始记单词的时候,我是用的《一本单词》,有这一本其实就够了。视频课程的话我买的是蛋核英语的视频课程,关注了一下蛋核英语和木糖英语的微信公众号,听完视频课之后在公众号上巩固一下。然后就是做真题了,真题的话我只买了《木糖英语真题手译版》,反复做,一遍遍做。每篇文章都搞懂,差不多一本题就够了。作文的话就是背模板了,然后自己试着仿写一下练习一下。贵在坚持!

专业课一定要记笔记!一定要记笔记!一定要记笔记!在暑假之前,看熟课本上的内容。暑假期间,形成自己的笔记,或者参考你买的笔记形成自己的笔记。9月份之后,就是不停的翻看,背诵你的笔记。

“笔记”是什么?我刚开始想要考研的时候也不太明白,是应该自己总结呢,还是应该参考别人的呢?其实我觉得,笔记就是一个把书进行整合归纳,把书变薄的过程。应该在脑子里形成一个框架,这很重要。好比你的脑子是一个书架,重点不在于你往里装了多少书,书是装了很多,但是非常凌乱,没有体系,到最后考场上想用的时候写不出来,找不到,那相当于辛苦记得东西没有转化成分数,这是很可惜的。所以我觉的框架真的很重要,相信大家都有这样的感受,背了半天,合上书一想,脑子一片空白,什么也想不起来,这就是因为你没有框架,脑子里一团糟,那肯定是想不起来的。

笔记应该是你总结出来的最后应该记在脑子里的东西,把书变薄,只留下你需要记住的东西。所以笔记的重点在于知识点的把握上,无论是自己的还是买来的,只要总结的是重要的知识点,是经常会出题的部分,就可以了。基本上后期专业课,你就会一直和笔记打交道了,就是在不停的背、忘、再背、再忘中度过。

基础一定要重视,初试的时候比较侧重于考察你的知识结构,也就是你需要把书背下来。因为题目不单单考察选择填空这种小的知识点,而是考简答题。如果你只是理解了,但没有背诵下来,也没有成体系,是很难答完整的。

专业课的课后题也需要认真的做一遍,可以买一本配套的参考书,带有课后答案的那种,辅助学习。有学妹还问到需不需要做题。我个人建议首先是书后面的题目一定要做,辅导书我当时是没有做的,像今年出的第一道题,这道题其实很多学校的考研题目中都出现过了,所以说重点年年考,每个学校出题的方式可能有所不同,但是考察的重点都大同小异,但归根结底还是参照书本的,所以把书本背好背书才是硬道理。

在复习过程中心态的调节也是非常重要的,再看眼复习中难免会有心情低落,坚持不下去的时候,每当这时,我的研友都会安慰我,考研过程中来自家人的关怀也是必不可少的,记得考研时基本每周会给家人打一次电话,一来排解一下思乡之情,二来可以向家人唠叨唠叨自己复习的情况,遇到什么烦心事啦等等,每次打完电话就会斗志昂扬。

最后再和大家说几句吧,我自己之前用的很多资料,比如真题,笔记之类的都分享到了high研app上面,大家如果有需要的话,可以下载一个high研app,在上面找我。

2021年考研《电子技术基础》考研真题与考点归纳

2021年考研《电子技术基础》考研真题与考点归纳第一部分模拟部分 第1章半导体二极管 1.1 考点归纳 一、半导体基础知识 1.半导体的分类 (1)本征半导体 ①概念 本征半导体是指纯净的具有晶体结构的半导体。 ②载流子:自由电子和空穴。 ③本征激发 受光照或热激发,半导体中共价键的价电子获得足够的能量挣脱共价键的束缚,成为自由电子,此时共价键中留下一个空位,即空穴。 (2)杂质半导体 ①N型半导体 N型半导体是通过掺杂具有5个价电子的施主杂质形成的,如锑、砷和磷。自由电子浓度远大于空穴浓度,因此电子为多数载流子,空穴为少数载流子,显电中性。 ②P型半导体 P型半导体是通过掺杂具有3个价电子的受主杂质形成的,如硼、镓和铟。空穴浓度远大于自由电子浓度,因此空穴为多数载流子,电子为少数载流子,显电中性。2.半导体特性

半导体导电性能的两个重要特性:掺杂特性与温度特性。掺杂浓度增大,温度升高,导电能力增强。 二、PN结 1.PN结的形成 (1)耗尽区 PN结是指由P型半导体和N型半导体相结合形成的不能移动的正、负离子组成的空间电荷区,又称耗尽区。 (2)内电场 在空间电荷区的两侧,P区带负电,N区带正电,形成内电场,方向由N区指向P 区,可以阻止载流子的运动。 2.PN结的单向导电性 (1)正向导通 PN结外加正向电压时,与内外电场方向相反,外电场的存在削弱内电场,使耗尽区变窄,促进扩散运动,从而形成较大的正向电流。正向偏置的PN结表现为一个阻值很小的电阻。 (2)反向截止 PN结外加反偏电压时,内电场和外电场的方向相同,增强内电场,使耗尽区变宽,形成了较小的反向电流。反向偏置的PN结表现为一个阻值很大的电阻。 3.PN结反向击穿 PN结的反向击穿是指当PN结的反向电压逐渐增加到一定数值时,反向电流会突然快速增加的现象。 (1)电击穿

电子技术基础考试试题及参考答案

电子技术基础考试试题及参考答案 试题 一、填空题(每空1分,共30分) 1.硅二极管的死区电压为_____V,锗二极管的死区电压为_____V。 2.常用的滤波电路主要有_____、_____和_____三种。 3.晶体三极管的三个极限参数为_____、_____和_____。 4.差模信号是指两输入端所施加的是对地大小_____,相位_____的信号电压。 5.互补对称推挽功率放大电路可分成两类:第一类是单电源供电的,称为_____电路,并有_____通过负载输出;第二类是双电源供电的,称为_____电路,输出直接连接负载,而不需要_____。 6.功率放大器主要用作_____,以供给负载_____。 7.集成稳压电源W7905的输出电压为_____伏。 8.异或门的逻辑功能是:当两个输入端一个为0,另一个为1时,输出为_____;而两个输入端均为0或均为1时,输出为_____。 9.(1111)2+(1001)2=( _____ )2(35)10=( _____ )2 (1010)2–(111)2=( _____ )2(11010)2=( _____ )10 (1110)2×(101)2=( _____ )2 10.逻辑函数可以用_____、_____、_____等形式来表示。 11.组合逻辑电路包括_____、_____、_____和加法器等。 二、判断题(下列各题中你认为正确的,请在题干后的括号内打“√”,错误的打“×”。全打“√”或全打“×”不给分。每小题1分,共10分) 1.放大器采用分压式偏置电路,主要目的是为了提高输入电阻。() 2.小信号交流放大器造成截止失直的原因是工作点选得太高,可以增大R B使I B减小,从而使工作点下降到所需要的位置。() 3.对共集电极电路而言,输出信号和输入信号同相。() 4.交流放大器也存在零点漂移,但它被限制在本级内部。() 5.同相运算放大器是一种电压串联负反馈放大器。() 6.只要有正反馈,电路就一定能产生正弦波振荡。() 7.多级放大器采用正反馈来提高电压放大倍数。() 8.TTL集成电路的电源电压一般为12伏。() 9.流过电感中的电流能够突变。() 10.将模拟信号转换成数字信号用A/D转换器,将数字信号转换成模拟信号用D/A转换器。() 三、单选题(在本题的每小题备选答案中,只有一个答案是正确的,请把你认为正确答案的代号填入题干后的括号内,多选不给分。每小题2分,共26分) 1.用万用表测得某电路中的硅二极管2CP的正极电压为2V,负极电压为1.3V,则此二极管所处的状态是() A.正偏B.反偏C.开路D.击穿 2.放大器的三种组态都具有() A.电流放大作用B.电压放大作用 C.功率放大作用D.储存能量作用 3.下列各图中,三极管处于饱和导通状态的是()

《电子技术基础》研究生入学考试大纲

《电子技术基础》研究生入学考试大纲 课程名称:模拟电子技术、数字电子技术 一、考试的总体要求 模拟电子技术主要考察学生对基本概念、基本理论及基本方法的掌握程度,要求学生能分析计算基本放大电路、集成运算放大电路等模拟电子电路并具有综合运用所学知识分析和解决实际问题的能力。 数字电子技术主要考察学生对基本概念、基本理论及基本方法的掌握程度,要求学生能够运用基本理论分析、设计组合逻辑电路及时序逻辑电路并具有综合运用所学知识分析和解决实际问题的能力。 二、考试内容及比例: 模拟部分: 1、半导体器件(5~10%) (1)理解二极管单向导电特性,掌握二极管伏安特性; (2)理解三极管放大原理,掌握三极管的输入、输出特性曲线; (3)掌握MOS管的转移特性曲线、漏极特性曲线。 2、放大电路的基本原理(20~25%) (1)掌握基本放大电路的结构、工作原理及静态工作点计算; (2)掌握放大电路微变等效电路分析法,理解放大电路的图解分析法。 3、放大电路的频率响应(5~10%) 放大电路的上限频率、下限频率、通频带的概念。正确理解Bode图。 4、集成运算放大器(10~20%) (1)理解零点漂移的概念,理解差动电路克服温漂的原理; (2)掌握差动电路的分析与计算。 5、放大电路中的反馈(5~10%) (1)理解反馈的概念,掌握反馈类型的判断方法,能根据要求引入负反馈; (2)理解反馈对放大器性能的影响; (3)掌握放大电路在深度负反馈条件下的分析计算; (4)理解自激的概念,能根据波特图判断负反馈放大电路是否自激。

6、摸拟信号运算电路(20~25%) (1)理解集成运放电路中“虚短”、“虚断”概念。 (2)掌握基本运算电路的工作原理及分析计算。 7、信号处理电路(10~15%) 掌握信号处理电路原理及分析计算。 8、波形发生电路(10~20%) (1)掌握正弦波振荡电路的工作原理、起振条件、稳幅措施及分析计算; (2)能用相位平衡条件判断各种振荡电路能否起振。 9、功率放大电路(15~20%) OCL、OTL电路的工作原理及分析计算。 10、直流稳压电源(0~10%) (1)整流电路的工作原理及分析计算; (2)电容滤波电路的工作原理及分析计算; (3)稳压电路的工作原理及分析计算。 数字部分: 一、逻辑代数基础(5~10%) (1)逻辑代数基本概念、公式和定理; (2)逻辑函数的化简方法。 二、门电路(15~20%) (1)掌握分立器件门电路的分析方法; (2)理解TTL集成门电路的结构特点,掌握其外特性; (3)理解COMS集成门电路的结构特点,掌握其外特性。 三、组合逻辑电路(30~40%) (1)掌握组合逻辑电路的分析方法及设计方法; (2)熟悉典型组合逻辑电路的设计及逻辑功能表示方法; (3)掌握用中规模集成芯片MSI(译码器、数据选择器等)实现组合逻辑函数。 四、触发器(15~20%) (1)熟悉触发器电路的结构特点; (2)掌握各种结构触发器的功能特点、功能表示方法及应用。

北京工业大学科学技术哲学考研模拟题(1)

北京工业大学科学技术哲学考研模拟题(1) 在太阳中心说提出和发展的过程中,有哪些科学家做出了哪些重要贡献?他们的工作有什么意义? 答: ☆必背知识点: 科学事实:哥白尼的科学贡献、布鲁诺的科学贡献、开普勒的科学贡献、伽利略的科学贡献 意义: 时代背景知识:地心说、中世纪的神学统治 哲学贡献:打破神学统治 答题模板:哥白尼的科学贡献+布鲁诺的科学贡献+开普勒的科学贡献+伽利略的科学贡献。他们的科学贡献都是建立在:地心说+中世纪的神学统治,因此他们的工作的意义是打破神学统治。 哲学类专业考研真题答题黄金攻略 资深哲学类名师独家解析

专业课辅导名师点评:认为只要专业课重点背会了,就能拿高分,是广大考生普遍存在的误区。而学会答题方法才是专业课取得高分的关键。 (一)填空题答题方法 【哲学类考研名师答题方法点拨】 填空题是一种客观性试题,有标准答案,是非分明,不容考生自由发挥。它所考查的主要是哲学常识和重要概念,其内容是极为重要的、要求考生必须记忆的知识点。 做填空题的技巧应该说只有一个:记忆,准确的记忆。它要求考生准确记忆哲学常识和哲学概念,而不能模糊不清,模棱两可。填空题所考查的常常就是容易混淆的内容。 【哲学类填空题答题示范】 例题:中国古代的“论天三家”是指____说、_____说、_____说。“论天三家”是汉代三种天文学说,即盖天说、浑天说和宣夜说。盖天说的代表是《周髀算经》,主张天是拱形的,日月星辰绕天穹中央北极运动,其东升西降是因远近所致;浑天说的集大成者是张衡,主张浑天如鸡子,地如鸡中黄,天包地浑圆如弹丸、天地乘气而立,载水而浮;宣夜说的代表人物是东汉时的郄荫,主张天体在广阔的空间分布,运动是随其自然的。 【哲学类填空题答题注意事项】 填空题的一个根本要求就是准确,因此,考生在复习教材、记忆知识点时一定要仔细,确保准确无误,只有这样才能做好填空题,并且对做所有的题目都具有重要意义。可以说,要学好哲学,准确记忆是一切基础的基础。 (二)判断题答题方法 【哲学类考研名师答题方法点拨】 判断题是一种客观性试题,相对而言较简单,非对即错,二者必居其一。判断题所考查的是那些容易混淆、稍不留意就会出错的内容。 做判断题最重要的技巧就是认真读题,仔细分析题意,反复推敲,确保要求明确(是填“对”或“错”,还是画“√”或“×”,还是其他方法),题意明晰。 做判断题最常见的失误是读题不认真,未全面、准确理解题意,考虑问题过于简单和片

《电子技术基础》考试试题

共4页 第1页 《电子技术基础》考试试题 时量:120分钟 总分:100分 (每小题1.5分,共15分)单项选择题: 1、某放大电路在负载开路时的输出电压为 4V ,接入12K Q 的负载 电阻后,输出电压降为 3V ,这说明放大电路的输出电阻为 A. 10K Q B.2 K Q C.4 K Q D.3 K Q 2、 稳压二极管工作于伏安特性曲线的 ________ 区。 A.正向特性 B. 反向饱和特性 C.反向击穿特性 D. 不确定 3、 为了使高内阻信号源与低阻负载很好地配合,可以在信号源与 低阻负载间接入 ______ 。 A.共射电路 B. C.共集电路 D. 4、多级负反馈放大电路在下列 A.回路增益AF 大 B. C ?闭环放大倍数很大 D. 放大器的级数少 5、 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要 区别是,前者的运放通常工作在 ________ 。 A .开环或正反馈状态 B. 深度负反馈状态 C.放大状态 D. 线性工作状态 6、 差分放大电路由双端输入变为单端输入,差模电压增益则 A.增加一倍 B. 为双端输入时的1/2 C.不变 D. 不确定 7、对于有二个输入变量和一个输出变量的逻辑问题,由于状态赋 值的不同,列出的真值表可以有 _________ 。 A. 一种 B.二种 C.三种 D.四种 8 A ? B 函数表达式为 ________ : 共基电路 共集一共基串联电路 —情况下容易引起自激。 反馈系数小

C. A B D. AB AB 共4页 第2页 A. AB AB B. A+B 9、 与函数式 A+ABC 相等的表达式为 _________ 。 A. A+B B. A+C C. A+BC D. BC 10、 将二进制数(1110100) 2转换为十进制数应为 ________ 。 A. 15 B. 116 C. 110 D. 126 、(本题10分)用图1所示的1片双4选1的数据选择器,搭建一 位全加器电路,该电路的输入变量为 A (加数)、B (加数)、C I (低 位来的进位信号);输出变量为S (和),C O (向高位的进位信号)。 三、 (本题10分)用卡诺图化简下列逻辑函数为最简与或表达式。 1. 丫1 二' m (0,1,2,5,6,7,8,9,13,14) 2. 丫2「m (0,2,4,5,7,13) ' d (8,9,10,11,14,15) 四、 (本题10分)电路如图 2所示,试画出在所示 C 脉冲作用下 QI 和Q2端的信号波形,设两个触发器的初始状态为 0。

电子技术基础考研

注意事项:1.本试卷共12道大题,满分150分; 2.本卷属试题卷,答案一律写在答题纸上,写在该试题卷上或草稿纸上均无效。要注意试卷清洁,不要在试卷上涂划; 3.必须用蓝、黑色钢笔或圆珠笔答题,其它笔答题均无效。 ﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡ 一 填空题(本题共14小题除标注外每空1分,共30分) 1、设VD 1、VD 2的正向压降为0.3V ,试分析在不同的U 1、U 2组态下,VD 1、VD 2是导通还是截止,并求U O 的值,把正确答案填入表内。(每三空1分) 2、图中 VT 为小功率锗晶体管当R b 不同时,VT 可能处于放大、饱和、截止状态。把不同状态下基射极电压U BE 、集射极电压U CE 的大致数值范围填入表内。(每三空1分) V CC 3、某放大电路在接有2Ωk 负载电阻时,测得输出电压为3V ,在输入电压不变的情况下断开负载电阻,输出电压上升到7.5V ,说明该放大电路的输出电阻为 ________________。 U 2 U VD 1

4、某放大电路当接接入一个内阻等于零的信号源电压时,测得输出电压为5V,在信号源内阻增大到1Ω k,其它条件不变时,测得输出电压为4V,说明该放大电路的输入电阻为________________。 5、下限截止频率为10Hz的两个相同的单级放大电路连接成一个两级放大电路,这个两级放大电路在信号频率为10Hz时,放大倍数的幅值下降到中频放大倍数的________________倍,或者说下降了________________dB,放大倍数的相位与中频时相比,附加相移约为________________度。(每空0.5分) 6、试在下列空格中填写合适数值。(每空0.5分) 在两边完全对称的差分放大电路中,若两输入端电压u I1=u I2,则双端输出电压u O=___V;若u I1=1mV,u I2=0mV,则差分放大电路的差模输入电压u Id=___mV,其分配在两边的一对差模输入信号为u Id1=___mV,u Id2=___mV,共模输入信号u Ic=___mV。 7、电路如图所示,A1、A2为理想运算放大器。A1组成电路,A2组成电路,VD1、VD2和R组成的电路起作用,u O与u I的关系说明整个电路构成的是电路。 u I O 8、在如图所示电路中,已知稳压管VD Z1的稳定电压U Z1=6.3V,VD Z2的稳定电压 U Z2=7.7V,它们的正向导通电压U D均为0.7V,U I和R的取值合理,U I的实际极性和U O1~U O4的假设极性如图中所标注。(每空0.5分) 填空: U O1=V,U O2=V,U O3=V, U O4=V。

模电考研《模拟电子技术基础》童诗白考研复习考点总结

模电考研《模拟电子技术基础》童诗白考研复习考点 总结 第1章常用半导体器件 1.1 复习笔记 本章首先介绍了半导体的基础知识,随后重点阐述了半导体二极管、晶体管(BJT)和场效应管(FET)的工作原理、特性曲线以及主要参数。半导体器件是组成电子电路的核心元件,因此本章内容是整本书学习的重要基础。通过本章的学习,应能熟练掌握常用半导体器件的工作原理、外特性和主要参数,并熟悉半导体相关基础知识,最后需要了解半导体器件的选用原则,为今后的模拟电路分析和设计打下基础。 一、半导体基础知识 半导体器件是构成电子电路的基本元件,所用的原料是经过特殊加工且性能可控的半导体材料,所以在学习半导体器件之前,需要了解一些半导体的基本名词术语(见表1-1-1)。 表1-1-1 半导体基本名词术语

二、半导体二极管 1二极管的结构和分类(见表1-1-2) 表1-1-2 二极管的结构和分类 2二极管的伏安特性 与PN结一样,二极管具有单向导电性,但由于二极管结构上的不同,具体的伏安特性与PN结又有区别(见表1-1-3)。 表1-1-3 二极管的伏安特性

3二极管的主要参数 为描述二极管性能,常引用以下几个主要参数(见表1-1-4)。 表1-1-4 二极管主要参数 4二极管的等效电路 二极管的伏安特性具有非线性,这给二极管的应用和分析带来了一定的困难。为了便于分析,常在一定的条件下,用线性原件构成的电路来模拟二极管的特性,并取代电路中的二极管,称为二极管的等效电路,也叫等效模型(见表1-1-5)。

表1-1-5 二极管等效电路

5稳压二极管 稳压管在反向击穿时,在一定的电流范围内(或者说在一定的功率损耗范围内),端电压几乎不变,表现出稳压特性。关于稳压二极管见表1-1-6。 表1-1-6 稳压二极管

数电考研阎石《数字电子技术基础》考研真题与复习笔记

数电考研阎石《数字电子技术基础》考研真题与复习 笔记 第一部分考研真题精选 第1章数制和码制 一、选择题 在以下代码中,是无权码的有()。[北京邮电大学2015研] A.8421BCD码 B.5421BCD码 C.余三码 D.格雷码 【答案】CD查看答案 【解析】编码可分为有权码和无权码,两者的区别在于每一位是否有权值。有权码的每一位都有具体的权值,常见的有8421BCD码、5421BCD码等;无权码的每一位不具有权值,整个代码仅代表一个数值。 二、填空题 1(10100011.11)2=()10=()8421BCD。[电子科技大学2009研] 【答案】163.75;000101100011.01110101查看答案 【解析】二进制转换为十进制时,按公式D=∑k i×2i求和即可,再由十进制数的每位数对应写出8421BCD码。 2数(39.875)10的二进制数为(),十六进制数为()。[重庆大学2014研] 【答案】100111.111;27.E查看答案

【解析】将十进制数转化为二进制数时,整数部分除以2取余,小数部分乘以2取整,得到(39.875)10=(100111.111)2。4位二进制数有16个状态,不够4位的,若为整数位则前补零,若为小数位则后补零,即(100111.111)2=(0010 0111.1110)2=(27.E)16。 3(10000111)8421BCD=()2=()8=()10=()16。[山东大学2014研] 【答案】1010111;127;87;57查看答案 【解析】8421BCD码就是利用四个位元来储存一个十进制的数码。所以可先将8421BCD码转换成10进制再进行二进制,八进制和十六进制的转换。(1000 0111)8421BCD=(87)10=(1010111)2 2进制转8进制,三位为一组,整数向前补0,因此(001 010 111)2=(127)8。同理,2进制转16进制每4位为一组,(0101 0111)2=(57)16。 4(2B)16=()2=()8=()10=()8421BCD。[山东大学2015研] 【答案】00101011;53;43;01000011查看答案 【解析】4位二进制数有16个状态,因此可以将一位16进制数转化为4位二进制数,得到(2B)16=(0010 1011)2;八进制由0~7八个数码表示,可以将一组二进制数从右往左,3位二进制数分成一组,得到(00 101 011)2=(53)8;将每位二进制数与其权值相乘,然后再相加得到相应的十进制数,(0010 1011)2=(43)10;8421BCD码是一种二进制的数字编码形式,用二进制编码的十进制代码。因此可以将每位二进制数转化为4位8421BCD码,(43)10=(0100 0011)8421BCD。

2018中国计量大学808电子技术基础考研真题

一、单选题(每题2分,共20分) 1. 为提高共模抑制比应采用( ) A. 共射放大电路 B. 共基放大电路 C. 多级放大电路 D. 差动放大电路 2. 由理想二极管构成的限幅电路如图1所示, 当输入电压V V i 9=时,输出电压o V 为 ( )。 A. 3V B. 9V C. 15V D. 6V 3. 在乙类功率放大电路中,三极管在信号的( )内导通。 A. 一个周期 B. 半个周期 C. 四分之一周期 D.四分之三周期 4. 若一无零单极点系统,极点频率610H f Hz =,中频电压增益dB A I 100=,则 710f Hz = 时,增益为( )dB 。 A. 100 B. 40 C. 20 D. 80 5. 差分放大电路由双端输入改为单端输入,则差模电压放大倍数( )。 A .不变 B .提高一倍 C .提高两倍 D .减小为原来的一半 6. 在开环放大电路中引入( )负反馈,可使输入电阻增大. A. 电压 B.电流 C.串联 D.并联 7. 反相输入比例运算放大器电路中的反馈极性和类型属于( ) A. 电压并联负反馈 B. 电流串联负反馈 C. 正反馈 D. 电压串联负反馈 8. 在桥式整流电路中接入电容C 滤波后,输出直流电压较未加C 时( ) A. 不变 B. 降低 C.升高 D. 不定 - V O + -

9. 某负反馈放大电路的开环放大倍数为100,反馈系数为0.09,则闭环放大倍数为( ) A. 0.02 B. 100 C.25 D.10 10. 功放电路采用甲乙类工作状态的原因是为了消除( )。 A. 饱和失真 B. 交越失真 C.截止失真 D.频率失真 二、简答题(共16分) 1.(5分)单相直流稳压电源电路如图2所示, (1)指出它由哪几部分组成,并写出它们的名称; (2)当电路正常工作时,V O =? 2.(5分)某OCL 互补对称电路如图3所示,已知三极管T 1 、T 2的饱和压降为V V CES 1=, V V CC 18=,Ω=8L R 。 (1)计算电路的最大不失真输出功率max O P ; (2)计算电路的效率。 O v

2021年电子技术基础考研题库

2021年电子技术基础考研题库 2021年电子技术基础考研题库【考研真题精选+章节题库】(上册) 目录 第一部分考研真题精选 一、填空题 二、选择题 三、分析题 第二部分章节题库 第1章数字逻辑概论 第2章逻辑代数与硬件描述语言基础 第3章逻辑门电路 第4章组合逻辑电路 第5章锁存器和触发器 第6章时序逻辑电路 第7章半导体存储器 第8章CPLD和FPGA 第9章脉冲波形的变换与产生 第10章数模与模数转换器

第11章数字系统设计基础 ? 试看部分内容 考研真题精选 一、填空题 1(10100011.11)2=______10=______8421B C D。[电子科技大学2 009年研] 【答案】163.75;000101100011.01110101查看答案 【解析】二进制转换为十进制时,按公式D=∑k i×2i求和即可,再由十进制数的每位数对应写出8421BCD码。 2数(39.875)10的二进制数为______,十六进制数为______。[重庆大学2014年研] 【答案】100111.111;27.E查看答案 【解析】将十进制数转化为二进制数时,整数部分除以2取余,小数部分乘以2取整,得到(39.875)10=(100111.111)2。4位二进制数有16个状态,不够4位的,若为整数位则前补

零,若为小数位则后补零,即(100111.111)2=(0010 0111. 1110)2=(27.E)16。 3(10000111)8421B C D=______2=______8=______10=______16。[山东大学2014年研] 【答案】1010111;127;87;57查看答案 【解析】8421BC D码就是利用四个位元来储存一个十进制的数码。所以可先将8421BCD码转换成10进制再进行二进制,八进制和十六进制的转换。 (1000 0111)8421B C D=(87)10=(1010111)2 2进制转8进制,三位为一组,整数向前补0,因此(001 010 1 11)2=(127)8。 同理,2进制转16进制每4位为一组,(0101 0111)2=(57)16。 4(2B)16=______2=______8=______10=______8421B C D。[山东大学2015年研] 【答案】00101011;53;43;01000011查看答案 【解析】4位二进制数有16个状态,因此可以将一位16进制数转化为4位二进制数,得到(2B)16=(0010 1011)2;八进制由0~7八个数码表示,可以将一组二进制数从右往左,3位二进制数分成一组,得到(00 101 011)2=(53)8;将每位二

科学技术哲学考研真题

科学技术哲学 考试科目:科学技术哲学 招生专业:科学技术哲学 一、简答题(选4题,每题12分,共48分) 1、列出亚里士多德关于逻辑和自然哲学的主要著作(至少4种) 2、近代欧洲哲学中唯理论和经验论的主要代表人物是谁? 3、十九世纪实证主义的代表人物有哪些?简述实证主义的主要特征。 4、简述什么是特设性假说? 5、亨普尔认为科学说明(或解释)主要有哪两种模式? 6、简述卡尔波普区分科学与非科学的划界标准。 二、论述题(选2题,每题26分,共52分) 1、试论实验及其在科学中的作用 2、试对以库恩为代表的科学哲学中的所谓历史学派作一评述。 3、“科学技术本身是中性的,无所谓善恶,科技对人类及环境的负面作用完全是人类自身的责任。”试作评论,并谈谈你的看法。 考试科目:科学史 招生专业:科学技术哲学 简答题(40分,每题4分) 1、在科学史学科的百年历史上,出现了哪三种重要的编史方法?各自的代表人物是谁? 2、写出三位希腊化时期科学家的名字及主要成就。 3、中国传统科技中的四大学科、三大技术和四大发明分别是什么? 4、赫尔蒙特为了证明“万物源于水”这个古老的命题,做了一个什么有名的实验? 5、哈维在他的《心血运动论》中提出了什么学说? 6、瓦特对蒸汽机的关键改进是什么? 7、写出三位对氧气的发现有贡献的化学家的名字。 8、写出三位对热力学第二定律的建立有贡献的物理学家的名字。 9、写出三位对量子力学的建立有贡献的物理学家的名字。 10、原子弹爆炸和人类第一次登上月球分别是哪一年? 论述题(60分,每题15分) 1、在五千年人类科学的发展历程中,一段时期里某些地域或者民族对当时的科学发展做出 了较大的贡献,我们称这些地域或民族是当时的科学重心。试描述五千年中科学重心的变迁情况。 2、试述毕达哥拉斯学派的思想在近现代科学发展中的作用和影响。 3、由哥白尼提出的日心说,经第谷、开普勒、伽利略的卓越工作,最后由牛顿集大成而得 以确立。试分述他们的贡献。 4、试阐述分子生物学和基因工程的发展,对人类未来可能产生的影响。

模拟电路电子技术基础考研试题

第一部分:模拟电路 一、填空题(共10分,每小题2分) 1、由二极管D和正偏直流电源V,交流信号源υs及负载R L构成的串连电路,当V=3V时,测得R L上的交流压降υL=100mV。若调节V=4V,其他参数不变,则υL100mV。 2、基本放大电路的静态工作电流调得太大,容易产生失真,这种失真属于失真。 3、放大器中的噪声是是放大器中所造成的。放大器的噪声系数N F的定义是:。 4、某负反馈放大电路,其开环增益Ag=100mS,反馈系数Fr=10KΩ,开环输入电阻R i=3KΩ,则其闭环输入电阻R if =。(R i 和R if 均为未考虑偏置电阻的输入电阻) 5、由集成运放构成的非正弦波信号(三角波、矩形波、锯齿波)发生电路,通常由 和电路两部分组成。 二、分析与计算题 1.(8分)对于增强型n沟MOSFET , 1)写出其在线性区的伏安特性表达式; 2)在V DS>>2(V GS-V TH)条件下,写出上述伏安特性表达式的近似表达式; 3)已知MOSFET的μn·Cox=50μA/V2,V TH=0.7V, 当V GS=2.5V ,求此时该MOSFET的等效导通电阻R ON=? 2.(10分)两相同单级放大器组成二级放大器,回答如下问题1)在其单级放大器的截止频率处,二级放大器的放大倍数比其单级中频放大倍数下降多少dB? 2)为保证二级放大器的上限频率为106Hz,下限频率为156Hz,计算每个单级放大器的上限频率和下限频率分别应为多少? 3.(6分)一理想运算放大器组成的电路如图所示,试求该电路的输入电阻R i表达式。

4. (12分)在下图所示的多级运算放大电路中,设A 1、A 2、A 3均为理想运放电路: 1)写出计算υO1、υO2、υO 的表达式 2)若 R 3=R 5=R f1=R f2 =200K Ω,R 1=R 2=R 4=R 7=20K Ω,C =5μF ,t =0 时,加入阶跃信号υi 1=-0.1V,υi2=0.3V, 而电容C 上的初始电压υC =0,求需经过多长时间使υO =5V ? 5.(15分)在下图(a )所示的单极放大电路中,场效应管T 的转移特性如下图(b )所示。已知+V DD =+15V ,R D =15k Ω,R S =8 k Ω,R G =100 k Ω,R L =75 k Ω;要求 (!)用近似方法计算电路的静态工作点;(提示:T 的伏安特性方程可近似为:2 P GS D 1???? ??U U I I DSS -=,U GS =-I D ×R S ,U P 为夹断电压)。 (2)计算放大器的输入电阻 R i 和输出电阻 R o ; (3)计算场效应晶体管的跨导 g m ; (4)计算放大器的电压放大倍数 A u ; 6、(14分)下图所示RC 桥式振荡电路中,设运放A 为理想组件,设R =3.9K Ω, C =0.01μF ,R T =15K Ω,+V CC =+15V ,-V CC =-15V ,试回答如下问题:

中共中央党校科学技术哲学考博真题-参考书-状元经验

中共中央党校科学技术哲学考博真题-参考书-状元经验 一、专业的设置 中共中央党校哲学教研部每年招收博士生22人,下设马克思主义哲学、中国哲学、外国哲学、科学技术哲学概论以及战略哲学等六个专业。 其中科学技术哲学专业下设六个方向,分别是王克迪的自然科学哲学问题以及科学技术与社会;冯鹏志的信息哲学以及科学技术与社会;赵建军的可持续发展以及技术哲学。 一共有位3博导,每个导师最多招收2个博士生。本专业一共有6个研究方向,可以说分类非常的全面和齐全。 二、考试的科目 科学技术哲学专业的考试科目是:①100英语(102日语103俄语)②207科学技术哲学原理③307科学思想史,复试加试科目:科学哲学、科学技术与社会。 三、导师介绍 王克迪,职称:教授,博士生导师,单位:哲学教研部,职务:现代科学技术与科技哲学教研室主任。 冯鹏志,职称:教授,博士生导师,单位:文史教研部,职务:主任。 赵建军,职称:教授,博士生导师,单位:哲学教研部,职务:现代科学技术与科技哲学教研室副主任。 四、参考书目 科学技术哲学: 1、孙小礼主编:《现代科学的哲学争论》,北京大学出版社2003年8月版; 2、教育部社科司主编:《自然辩证法概论》,高等教育出版社2004年版;

3、W.H.牛顿-史密斯主编:《科学哲学指南》,上海科技教育出版社2006年11月版; 4、麦克莱伦等:《世界史上的科学技术》,上海科技教育出版社2003年版。 复试加试科目及参考书目同初试 五、党校考博英语 党校的考博英语满分100分,题型有20题20分的词汇,10分的完形填空,5篇40分的阅读理解,15分的英译汉翻译,15分的作文。党校考博英语的整体难度介于六级和老托福之间,对词汇量有很高的要求,特别注重对形近字、意近词和固定搭配以及语法的考察。做阅读理解一定要遵守“实事求是”的原则,翻译这一个题型很容易丢分,要想得高分,每一天都要遵循“八步法”练习三个句子。作文对于考生的英语综合能力要求很高,要做到“厚重、灵动和美观”,复习资料建议使用育明教育考博分校编写的党校考博英语一本通。每年有大批的同学英语单科受限,对于英语基础比较差的考生,建议大家早做准备。 六、党校考博专业课 考博就是考专业课,专业课定生死。对于专业课的复习,可不仅仅是看看参考书就可以的。我们育明教育考博分校针对专业课的辅导一共有五轮,第一轮是对核心参考书的分析讲解,主要是理清学科的发展史,掌握每一个阶段的主要理论,代表人物,提出背景和评价,最终构建起完整的学科框架,第二轮在第一轮的基础上进行常考专题的讲解,是对一一轮和深化和凝练,第三轮是针对真题的难度深度广度灵活度和缜密度以及出题老师的特点,就出题老师的学科背景,研究重点,上课的笔记讲稿,论文,研究课题成果等进行深度讲解,第四轮是就最新的理论前沿和学科热点结合现实的热点进行拔高应用性讲解,最后一轮是模拟练习,教会考生怎么破题,怎么安排结构,怎么突出创新点等答题技巧。相信经

2012年北京科技大学817模拟电子技术与数字电子技术基础考研试题

北 京 科 技 大 学 2012 年硕士学位研究生入学考试试题 ============================================================================================================= 试题编号: 817 试题名称: 模拟电子技术与数字电子技术基础 (共 7 页) 适用专业: 物理电子学 说明: 所有答案必须写在答题纸上,做在试题或草稿纸上无效。 ============================================================================================================= 一、(本题 6 分)电路如图 1,二极管为理想元件,其中 E = 2V ,试画出输出电 压 u O 波形,写出简要的分析过程。 图 1 第一题图 二、(本题 15 分)电路如图 2,已知 V CC , R b1, R b2, R e , R S 及晶体管的电流放大倍数 β 和动态电阻 r be 。试求: 1)画出电路的直流通路,并计算静态工作点:I B ,I E ,U CE 。 2)静态时(u i =0)C 1 和 C 2 上的电压各为多少?并说明极性。 3)画出电路的微变等效电路,并标明必要的参考方向。 4)计算电压放大倍数 A u ,输入电阻 r i 和输出电阻 r O 。 图 2 第二题图

um 三、(本题8 分) 假设某单管共射放大电路的对数幅频特性如图3。 1) 求出该放大电路的中频电压放大倍数A& ,下限频率f L 和上限频率 f H ; 2) 说明该放大电路的耦合方式; 3) 画出相应的对数相频特性。 图 3 第三题图 四、(本题12 分)分析图4 所示电路中的反馈。 1)判断电路中是否引入了反馈(指出哪些器件构成了该反馈)? 2)是直流反馈还是交流反馈?并使用瞬时极性法判断是正反馈还是负反馈(在图中标注判断过程)。 3)如果存在交流负反馈,请判断其组态。 4)估算在理想运放条件下整个电路的电压放大倍数A uf。 图 4 第四题图

研究生自然辨证法考题

一.选择题 1.自然辩证法的研究对象是(ABC) A.自然界 B.科学与技术 C.人类认识和实践活动 D.辩证唯物主义的自然观 E辩证唯物方义的科学技术观 2.马克思主义自然观的基本内容有(BDE) A.大科学观 B.进化历史观 C.高技术观 D.系统层次观 E.协调发展观 3.自然科学是(BCE) A.反思的科学 B.认识活动 C.社会建制 D.科学的科学 E.知识体系 4.科学抽象成果的表现形式有(ABDE) A.科学概念 B.科学符号 C.科学事实 D.思想模型 E.理想实验 5.科学思维的逻辑方法有(BD) A 系统分析方法 B 类比方法 C 反馈控制方法 D 归纳和演绎方法 E 功能模拟方法 6.自然界演化发展的普遍性特征有(ABE) A 不可逆性 B 自组织性 C 因果线形 D 热平衡性 E 对称性的破缺 7.()是信息的基本特征。 A 信息含义的可变性 B 信息的不守恒性 C 信息形式的多样性 D 信息内容的选择性 E 信息本质的绝对独立性 9.系统科学方法的特点有(ABCDE) A 整体性 B 最优化 C 动态性 D 层次性 E 模型化10.建构科学理论体系的方法有(ADE) A 从抽象到具体的方法 B 假说方法 C 从具体到抽象的方法 D 公理化方法 E 逻辑与历史相统一的方法 11.自然界演化发展的方式是(ACD) A 必然与偶然 B 原因与结果 C 渐变与突变 D 周期性与无限性 E 现象与结果 二.填空题 1.自然辩证法是联系(具体科学技术)和(马克思列宁主义哲学)的桥梁和纽带,是一门具有中介特点的(马克思主义科学技术哲学)。 2.19世纪自然科学的三大发现是(能量守恒与转化定律)(细胞学说)和(达尔文的生物进化论)

阎石《数字电子技术基础》第6版笔记课后习题考研真题详解

阎石《数字电子技术基础》(第6版)笔记和课后习题(含考研真题)详解攻重浩精研学习网提供资料 第1章数制和码制 1.1复习笔记 本章作为《数字电子技术基础》的开篇章节,是数字电路学习的基础。本章介绍了与数制和码制相关的基本概念和术语,包括常用的数制和码制,最后给出了不同数制之间的转换方法和二进制算术运算的原理和步骤。本章重点内容为:不同数制之间的转换,原码、反码、补码的定义及相互转换,以及二进制的补码运算。 一、概述 1数码的概念及其两种意义(见表1-1-1) 表1-1-1数码的概念及其两种意义 2数制和码制基本概念(见表1-1-2) 表1-1-2数制和码制基本概念 二、几种常用的数制 常用的数制有十进制、二进制、八进制和十六进制几种。任意N进制的展开形式为: D=∑k i×N i 式中,k i是第i位的系数,N为计数的基数,N i为第i位的权。 关于各种数制特征、展开形式、示例总结见表1-1-3。 表1-1-3各种数制特征、展开式、示例总结

三、不同数制间的转换 1二进制转换为十进制 转换时将二进制数的各项按展开成十进制数,然后相加,即可得到等值的十进制数。例如:(1011.01)2=1×23+0×22+1×21+1×20+0×2-1+1×2-2=(11.25)10。 2十进制转换为二进制 (1)整数部分的转换:将十进制数除以2,取余数为k0;将其商再除以2,取其余数为k1,……以此类推,直到所得商等于0为止,余数k n…k1k0(从下往上排)即为二进制数。以273.69为例,如图1-1-1所示。 (2)小数部分的转换:将十进制数乘以2,取乘积的整数部分为k-1;将乘积的小数部分再乘以2,取乘积的整数部分为k-2,……以此类推,直到求出要求的位数为止,k-1k-2k-3…(从上往下排)即为二进制数。以273.69为例,如图1-1-2所示。 图1-1-1十-二进制整数部分的转换

考研《电子技术基础》重要考点归纳

考研《电子技术基础》重要考点归纳 第1章半导体二极管 1.1考点归纳 一、半导体基础知识 1.半导体的分类 (1)本征半导体 ①概念 本征半导体是指纯净的具有晶体结构的半导体。 ②载流子:自由电子和空穴。 ③本征激发 受光照或热激发,半导体中共价键的价电子获得足够的能量挣脱共价键的束缚,成为自由电子,此时共价键中留下一个空位,即空穴。 (2)杂质半导体 ①N型半导体 N型半导体是通过掺杂具有5个价电子的施主杂质形成的,如锑、砷和磷。自由电子浓度远大于空穴浓度,因此电子为多数载流子,空穴为少数载流子,显电中性。 ②P型半导体 P型半导体是通过掺杂具有3个价电子的受主杂质形成的,如硼、镓和铟。空穴浓度远大于自由电子浓度,因此空穴为多数载流子,电子为少数载流子,显电中性。 2.半导体特性 半导体导电性能的两个重要特性:掺杂特性与温度特性。掺杂浓度增大,温度升高,导电能力增强。 二、PN结

1.PN结的形成 (1)耗尽区 PN结是指由P型半导体和N型半导体相结合形成的不能移动的正、负离子组成的空间电荷区,又称耗尽区。 (2)内电场 在空间电荷区的两侧,P区带负电,N区带正电,形成内电场,方向由N区指向P区,可以阻止载流子的运动。 2.PN结的单向导电性 (1)正向导通 PN结外加正向电压时,与内外电场方向相反,外电场的存在削弱内电场,使耗尽区变窄,促进扩散运动,从而形成较大的正向电流。正向偏置的PN结表现为一个阻值很小的电阻。 (2)反向截止 PN结外加反偏电压时,内电场和外电场的方向相同,增强内电场,使耗尽区变宽,形成了较小的反向电流。反向偏置的PN结表现为一个阻值很大的电阻。 3.PN结反向击穿 PN结的反向击穿是指当PN结的反向电压逐渐增加到一定数值时,反向电流会突然快速增加的现象。 (1)电击穿 雪崩击穿发生在低掺杂的PN结中,击穿电压较低;齐纳击穿发生在高掺杂的PN结中,击穿电压较高。这两种击穿过程是可逆的。 (2)热击穿 反向电压和反向电流的乘积超过PN结的容许耗散功率,使结温上升直至过热而烧毁,此过程是不可逆的。 4.PN结电容 扩散电容CD:因扩散运动在PN结附近形成的电容。 势垒电容CB:当PN结外加反向电压时,呈现出来的电容效应。

科学技术哲学 考研复习答案

1.简述演绎推理和归纳推理各自的基本特点 在传统的亚里士多德逻辑中,演绎推理(英语:deductive reasoning)是“结论,可从叫做前提的已知事实,“必然的”得出的推理”。如果前提为真,则结论必然为真。这区别于溯因推理和归纳推理,它们的前提可以预测出高概率的结论,但是不确保结论为真。 归纳法或归纳推理(Inductive reasoning),有时叫做归纳逻辑,是论证的前提支持结论但不确保结论的推理过程。它基于对特殊的代表(token)的有限观察,把性质或关系归结到类型;或基于对反复再现的现象的模式(pattern)的有限观察,公式表达规律。 归纳推理是从已知知识推出新知识。 例:前提:中国有一只天鹅是白的 美国有一只天鹅是白的 结论:所有的天鹅是白的 2.何为归纳主义?它面临的主要问题是什么? 归纳主义 inductivism 归纳主义科学观的要义是:科学是从经验事实推导出来的知识。这种科学观是经过近代“科学革命”后流行起来的。 如果我们要了解自然,就必须向自然请教,而不是向《圣经》或古代权威求教,因为知识来自经验。 归纳主义面临的主要问题是:1.归纳是从有限的事例推广到无限的定律,有限不能证明 无限 2.归纳是已过去的事情证明未来的事情,过去不能证明未 来 3.归纳不是一个严密的逻辑形式推理 3.介绍波普尔(karl popper)的证伪主义的基本主张及其局限性。 波普尔是当代著名的科学哲学家,代表著作有《科学发现的逻辑》《猜测与反驳》 科学的基本过程是猜测与反驳,科学的根本方法是试错法。 科学理论要求可证伪性,可证伪度越高,就是越好的理论 科学知识的增长模式: 不足之处:1.否定了归纳法的作用,过分强调猜想,在科学假设中的作用 2.片面强调否定,革命在科学发展中的作用,忽略了科学发展中肯定,进化

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