SX1302大电流升压芯片参数应用
SX1302大电流升压芯片参数应用
SX1302外置MOS大电流升压，输入电压2.2V-15V，输出
电压3V-60V，19/4A 80W以内应用，开关频率100KHZ-1MHZ
大功率升压IC，2.5V-60V输入输出3V-120V ,4V-6V升12V
1.5A
2.5升5V 3V升5V 2A。
SX1302大电流升压芯片：
10V-15V输入，12V输出 5.3-7.5v输入5v 2A 同步升降压芯片6V升8.4V 9v-28v转12v 12v升16.8v 24转27V 2A
3V升5V 2A 12V升19V 4A 4-6V升12V1.5A 9v-28v转12v3A 车充电源芯片12升24v 1A 12V升18V3A
MID ipod 3.7v 升5v2A 应急电源升压ic 移动电源升压ic
12v升28v 30v 移动打印机升压ic ups dc-dc电源芯片雾化器
升压驱动方案、美容雾化器、医疗雾化器、车载雾化器、12升
15v升18v升20v升24v 驱动电源。
IPAD 移动电源 Iphoen4 iPod touch 移动充电方案3.7v升5v 2.1A大电流9v~ 30v输入输出12v 3A 8v~32v输入输出5v 7.v 9v12v15v升降压电路太阳能升降压电源ic 10v~30v输入输出12v 15v 大电流，dc-dc12V/3V车充芯片电子器件IC 供应车载
DVD供电芯片，SX1302[详细内容] 硕芯科技推出高效、同步整
流升压和降压DC/DC转换器SX1302，当输入电压低于设定的输出
电压时，芯片工作在升压状态、当输入电压高于设定的输出电压
时工作在降压状态，从而成为处于电池电压范围内的单节锂离子
电池（2.8V-4.2V）、汽车蓄电池(9V-28V)的便携供电设备能够
保证输出的稳定，是便携设备供电的理想选择。
SX1302为一款频率可调、外置MOSFET大电流升压芯片，电路PWM输出直接驱动N沟道场效应管驱动升压实现大电流输出，芯片的供电范围为2.2～15V，该控制器采用独特的控制方案，PWM（脉冲宽度调制）的优越性，提供一个高效、较宽电压调节范围的电
源。具有较小的静态电流，在重载情况下具有较高的效率，噪声
小。采用很小体积的外围元件就可获得满意的输出纹波，这样便
于降低电路成本及电路的尺寸。SX1302B广泛应用于CCD/CATV/ PMPDSC/DSV、STB/VGA Card、DPF(数码相框)、LCD Panel背光、移动电源、应急充电器，
SX1302其基本特性如下：
1. 提供高精确度参考电压源: 0.5V(+/-2%)
2. Totem Pole 输出PWM 信号，用以直接推动NMOS
3. 宽工作电压范围：3.6V-15V
4. 宽工作频率范围：50KHz~1MHz
5. 欠压IC 栓锁功能(UVLO)
6. 最大PWM DTC 限制：75%
7. 软开机及短路保护功能(Soft-Start amp;am SCP)
8. 省电功能(Shutdow Mode)
9. TSSOP-8L封装
SX1302典型应用：
输入电压输出电压输出电流转换效率
2.8V-6V 3V 1A 86%
9V-28V 12V 3A 86%
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线路参数计算公式
参数计算（第一版） 1.线路参数计算内容 1.1已知量： 线路型号(导线材料、截面积mm 2)、长度(km)、排列方式、线间距离(m)、外径(mm)、分裂数、分裂距(m)、电压等级(kV)、基准电压U B (kV , 母线电压作为基准电压)、基准容量S B (100MV A)。 1.2待计算量： 电阻R(Ω/km)、线电抗X(Ω/km)、零序电阻R0(Ω/km)、零序电抗X0(Ω/km)、对地电纳B (S/km)、对地零序电纳B0(S/km)。 1.3计算公式： 1.3.1线路电阻 R=ρ/S (Ω/km) R*=R 2B B U S 式中 ρ——导线材料的电阻率(Ω·mm 2/km)； S ——线路导线的额定面积（mm 2）。 1.3.2线路的电抗 X=0.1445lg eq m r D +n 0157.0(Ω/km) X*=X 2B B U S 式中 m D ——几何均距,m D =ac bc ab D D D (mm 或cm,其单位应与eq r 的单位相同); eq r ——等值半径, eq r =n n m rD 1 (mm,其中r 为导线半径); n ——每个导线的分裂数。 1.3.3零序电阻 R0=R+3R g (Ω/km)
R0*=R02B B U S 式中 R g ——大地电阻, R g =π2×10-4×f =9.869×10-4×f (Ω/km)。在f =50Hz 时，R g =0.05Ω/km 。 1.3.4零序电抗 X0=0.4335lg s g D D (Ω/km) X0*=X02B B U S 式中 g D ——等值深度, g D =γf 660 ,其中γ为土壤的电导率,S/m 。当土壤电导率不明确时，在一 般计算中可取g D =1000m 。 s D ——几何平均半径, s D =32m D r '其中r '为导线的等值半径。若r 为单根导线的实际半径，则 对非铁磁材料的圆形实心线，r '=0.779r ;对铜或铝的绞线，r '与绞线股 数有关，一般r '=0.724~0.771r ；纲芯铝线取r '=0.95r ；若为分裂导线 ，r '应为导线的相应等值半径。m D 为几何均距。 1.3.5对地电钠 B=610lg 58.7-?eq m r D (S/km) B*=B B B S U 2 式中
IGBT驱动电路参数计算详解
IGBT驱动电路参数计算详解 大功率IGBT 模块在使用中驱动器至关重要，本文介绍在特定应用条件下IGBT门极驱动性能参数的计算方法，经验公式及有关CONCEPT 驱动板的选型标准，得出的一些参数值可以作为选择一款合适IGBT驱动器的基本依据。 1 门极驱动的概念 IGBT存在门极-发射极电容Cge，门极-集电极电容Cgc，我们将IGBT的门极等效电容定义为Cg，门极驱动回路的等效电路如下图所示： 其本质是：一个脉冲电压源向RC电路进行充放电，对于这个电压源，有2个物理量我们需要关心，1.它的功率；2.它的峰值电流。 2 驱动功率的计算 驱动器是用来控制功率器件的导通和关断。为了实现此功能，驱动器对功率器件的门极进行充电以达到门极开通电压VGE_on，或者是对门极进行放电至门极关断电压 VGE_off。 门极电压的两种电平间的转换过程中，在驱动器门极驱动电阻及功率器件组成的回路中产生一定的损耗。这个参数我们称为驱动功率PDRV。驱动器必须根据其所驱动的功率器件所需的驱动功率来选择。 驱动功率可以从门极电荷量QGate，开关频率fIN，以及驱动器实际输出电压摆幅ΔVGate 计算得出： P DRV = Q Gate * f IN * ΔV Gate (Eq. 1) 备注：P DRV: 驱动器每通道输出功率；f IN: IGBT开关频率；Q Gate :IGBT门极电荷，可从规格书第一页查出，不同IGBT该数值不同；ΔV Gate:门极驱动电压摆幅，等于驱动正压+U 和负压–U 之间差值。 如果门极回路放置了一个电容CGE (辅助门极电容)，那么驱动器也需要对该电容进行充放电，如图1 所示：
三极管放大电路设计-参数计算及静态工作点设置方法
三极管放大电路设计,参数计算及静态工作点设置方法 说一下掌握三极管放大电路计算的一些技巧 放大电路的核心元件是三极管,所以要对三极管要有一定的了解。用三极管构成的放大电路的种类较多,我们用常用的几种来解说一下(如图1)。图1是一共射的基本放大电路,一般我们对放大路要掌握些什么内容? (1)分析电路中各元件的作用; (2)解放大电路的放大原理; (3)能分析计算电路的静态工作点; (4)理解静态工作点的设置目的和方法。 以上四项中,最后一项较为重要。 图1中,C1,C2为耦合电容,耦合就是起信号的传递作用,电容器能将信号信号从前级耦合到后级,是因为电容两端的电压不能突变,在输入端输入交流信号后,因两端的电压不能突变因,输出端的电压会跟随输入端输入的交流信号一起变化,从而将信号从输入端耦合到输出端。但有一点要说明的是,电容两端的电压不能突变,但不是不能变。 R1、R2为三极管V1的直流偏置电阻,什么叫直流偏置?简单来说,做工要吃饭。要求三极管工作,必先要提供一定的工作条件,电子元件一定是要求有电能供应的了,否则就不叫电路了。 在电路的工作要求中,第一条件是要求要稳定,所以,电源一定要是直流电源,所以叫直流偏置。为什么是通过电阻来供电?电阻就象是供水系统中的水龙头,用调节电流大小的。所以,三极管的三种工作状态“:载止、饱和、放大”就由直流偏置决定,在图1中,也就是由R1、R2来决定了。首先,我们要知道如何判别三极管的三种工作状态,简单来说,判别工作于何种工作状态可以根据Uce的大小来判别,Uce接近于电源电压VCC,则三极管就工作于载止状态,载止状态就是说三极管基本上不工作,Ic电流较小(大约为零),所以R2由于没有电流流过,电压接近0V,所以Uce就接近于电源电压VCC。
RCD尖峰脉冲吸收电路参数计算举例
跟电源专家陶显芳学电源技术（完）：RCD尖峰脉冲吸收电路参数计算举例 2012年12月13日13:42 作者：陶显芳 1、开关变压器初级线圈漏感Ls的计算 反激式开关变压器的漏感一般都比较大，漏感与初级线圈电感之比，大多数都在2～5%之间。漏感的大小主要与变压器初、次级线圈的绕法、铁芯和骨架的结构，以及气隙大小等参数有关，还与磁通密度取值的大小有关，因为磁通密度取得越大，导磁率就会越小，漏感相对也要增大。漏感小于2%或大于15%的开关变压器，其结构一般都比较特殊。 开关变压器初级线圈电感量的大小，主要与开关电源的工作频率有关，还与工作电压和输出功率的大小有关。一般输出功率越大，工作频率就越低，电感量相应也要增大；而工作电压越高，电感量也越大。开关变压器初级线圈的电感L和漏感Ls的大小可以用仪表直接测量，一般工作频率为30～50kHz，工作电压为AC110V~220V的开关变压器，其初级线圈的电感量大约为：300～1000微亨，漏感大约为：10～100微亨；计算时，可按3～6%的比例来取值进行估算。例如：L=1000uH，则可取 Ls = 30～60uH。
尖峰脉冲吸收电容器容量的计算 - 跟电源专家陶显芳学电源技术（完）：RCD尖峰脉冲吸收电路 参数计算举例 2012年12月13日13:42 来源：电子发烧友网原创作者：陶显芳 2、尖峰脉冲吸收电容器容量的计算 要计算尖峰脉冲吸收电容器容量，首先要计算流过变压器初级线圈电流的最大值。计算流过变压器初级线圈的最大电流Im可根据开关电源的最大输入功率Pm来估算。电流Im可根据开关电源的最大输入功率Pm来估算。根据（26）式，当输出功率一定时，输入电压在一定的范围内，流过变压器初级线圈的最大电流Im和输出电压Uo基本是稳定的；变压器初、次级线圈反激输出电压的半波平均值也基本是稳定的，与输入电压的大小无关，但对应不同的输入电压必须对应不同的占空比，参看（41）、（42）式。 当流过开关变压器初级线圈的最大电流确定之后，尖峰脉冲吸收电容器容量以及电容充电时电压增量的数值就可以按（33）～（36）式进行计算。
BOOST电路参数计算公式
输出电容的选择和你的开关频率占空比还有纹波的要求有关，和电感量没有直接关系。也就说没有所谓的搭配关系影响效率和MOS发热。 我感觉你的电感选小了，或者频率选低了。电感选小了电感充电迅速完成，之后管子没有关断导致电感成了直流电阻负载，消耗电能并导致MOS发热。如果频率高的话可以缓解这种状况，但是增加电感量是根本。 再有Mos发热还跟你的开关时间有关系，就是说加在mos管G极的信号是不是很好的方波，因为mos从截至到饱和必须划过放大区，而放大区的结功耗要大的多。所以要求换过放大区的时间越短越好，就要求信号的上升下降沿要足够陡峭。而mos管本G极和与DS之间是由比较的结电容的。所以要求mos前面的电路要有一定的驱动能力。 下面是从网上看到的一个计算用例。你试一下。 已知参数： 输入电压：12V --- Vi 输出电压：18V ---Vo 输出电流：1A --- Io 输出纹波：36mV --- Vpp 工作频率：100KHz --- f ************************************************************************ 1：占空比 稳定工作时，每个开关周期，导通期间电感电流的增加等于关断期间电感电流的减少，即Vi*don/(f*L)=(Vo+Vd-Vi)*(1-don)/(f*L),整理后有 don=(Vo+Vd-Vi)/(Vo+Vd),参数带入，don=0.572 2：电感量 先求每个开关周期内电感初始电流等于输出电流时的对应电感的电感量 其值为Vi*(1-don)/(f*2*Io)，参数带入，Lx=38.5uH, deltaI=Vi*don/(L*f)，参数带入，deltaI=1.1A 当电感的电感量小于此值Lx时，输出纹波随电感量的增加变化较明显，