2020年长春理工大学电子信息工程学院电子技术基础考研复试冲刺狂背五套题
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本书严格按照该考研科目最新复试笔试题型、试题数量和复试笔试难度出题，结合历年复试经验整理编写了五套复试冲刺模拟试题并给出了答案解析。涵盖了这一考研科目复试笔试常考试题及重点试题，针对性强，是考研复试报考本校该科目笔试复习冲刺阶段的首选资料。
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目录
2020年长春理工大学电子信息工程学院电子技术基础考研复试冲刺狂背五套题（一） (4)
2020年长春理工大学电子信息工程学院电子技术基础考研复试冲刺狂背五套题（二） (15)
2020年长春理工大学电子信息工程学院电子技术基础考研复试冲刺狂背五套题（三） (28)
2020年长春理工大学电子信息工程学院电子技术基础考研复试冲刺狂背五套题（四） (41)
2020年长春理工大学电子信息工程学院电子技术基础考研复试冲刺狂背五套题（五） (57)
2020年长春理工大学电子信息工程学院电子技术基础考研复试冲刺狂背五套题（一）
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一、简答题
1．什么是PN结的反向击穿？PN结的反向击穿有哪几种类型？各有何特点？
【答案】当作用在PN结的反向电压增大到值时，反向电流剧增，如图1中虚线部分所示，这种现象称为PN结的反向击穿。发生反向击穿的电压称为击穿电压。
反向击穿有电击穿和热击穿两类。产生电击穿的物理过程又有齐纳击穿和雪崩击穿两种类型。
齐纳击穿常发生在掺杂浓度高、空间电荷区较薄的PN结，其击穿电压较低，具有负的温度系数，即温度升高时，击穿电压降低。
雪崩击穿常发生在掺杂浓度低、空间电荷区较厚的PN结，其击穿电压较高，具有正的温度系数，即温度升高时，击穿电压增高。
齐纳击穿和雪崩击穿都属于电击穿，这种击穿是可逆的，当外加电压(绝对值)下降到击穿电压以下时，PN结又恢复单向导电性。但是，当反向电流和反向电压的乘积超过PN结允许的耗散功率时，PN结就由电击穿变为热击穿，造成永久性破坏。
如果将PN结与限流电阻串联，使其工作在反向击穿状态时，流过的反向电流被限止在允许的范围内，则PN结不至于损坏。利用PN结反向击穿时，流过的电流在较大范围内变化，而两端的电压基本保持不变的特点，可以达到稳定电压的效果。硅稳压管就是利用这种稳压特性工作的一种特殊二极管，其稳压值就是其击穿电压值。
2．比较图所示三极管电流源、场效应管电流源。试指出在一般情况下，哪种形式的电路更接近理想恒流源？哪个电路的输出电阻可能最小？图(a)和图(b)所示电路相比，哪个电路受温度影响更大些？
图
【答案】电流源的恒流特性好坏，取决于电流源输出电阻的大小，输出电阻越大，恒流效果越好。
如图(a)所示电路为三极管基本镜像电流源电路，其输出电阻为三极管的输出等效电阻，即
如图(b)所示电路为三极管微电流源电路，输出电阻可由其对应的小信号等效电路图(d)求得。在图(d)中，加外加电源，列的集电极回路方程为
列的基极回路方程，求解基极电流：
将代入集电极方程，得
因为
故输出电阻
如图(c)所示电路为场效应管基本镜像电流源电路，其等效电路如图(b)所示，求得输出电阻为
由于场效应管的输出特性曲线一般不如双极型三极管输出特性曲线平坦，因此，图(c)所示电路的输出电阻最小。
比较图(a)和图(b)所示电路的输出电阻表达式可知，由于图(b)所示电路有电阻，其输出电阻最大。图(b)所示电流源最接近理想恒流源。
由于图(b)所示电流源的电阻有负反馈作用，受温度影响比图(a)所示电流源小，即温度稳定特性好。
3．乙类功放提高效率的代价是什么？
【答案】乙类结构提高功率转化效率的根源在于提高输出电压摆幅相对于的比率，因此乙类将Q 点设置为点，若不考虑功率管串联电阻的损耗，理想转换效率可达78.5%。实际上由于各种因素的影
响，效率降低，但仍远高于甲类的转化效率。
为获得正负半周期对称的输出波形，乙类放大电路的输出功率管硬件规模要增大一倍，类型须互补，而且通常采用正负电源供电。
4．PN结的交流电阻和直流电阻有什么区别？
【答案】本质上PN结为非线性元件。导通状态下，在工作点附近的极小范围内，PN结才可近似为线性元件，而在不同的工作点下，其线性特性存在明显差异。以上特性可用其直流电阻、交流电阻及其相互间的关系来表征。直流电阻、交流电阻都与静态工作点有关，同一工作点下的直流电阻与交流电阻不同，因为两者的定义不同。不同静态点下的交流电阻值不相同，直流电阻也不相同，原因在于静态偏置电流不同。
PN结偏置电压与输出电流间为指数关系
其中与为其静态偏置点，则其直流电阻和交流电阻分别为