电介质的电导和损耗

介质损耗

电介质在交变电场作用下,所积累的电荷有两种分量:(1)有功功率。一种为所消耗发热的功率,又称同相分量;(2)无功功率,又称异相分量。异相分量与同相分量的比值即称为介质损耗。 通常用正切tanδ表示。tanδ=1/WCR(式中W为交变电场的角频率;C为介质电容;R为损耗电阻)。介电损耗角正切值是无量纲的物理量。可用介质损耗仪、电桥、Q表等测量。对一般陶瓷材料,介质损耗角正切值越小越好,尤其是电容器陶瓷。仅仅只有衰减陶瓷是例外,要求具有较大的介质损耗角正切值。橡胶的介电损耗主要来自橡胶分子偶极化。在橡胶作介电材料时,介电损耗是不利的;在橡胶高频硫化时,介电损耗又是必要的,介质损耗与材料的化学组成、显微结构、工作频率、环境温度和湿度、负荷大小和作用时间等许多因素有关。 电介质损耗(dielectric losses ):电介质中在交变电场作用下转换成热能的能量。这些热会使电介质升温并可能引起热击穿,因此,在电绝缘技术中,特别是当绝缘材料用于高电场强度或高频的场合,应尽量采用介质损耗因数(即电介质损耗角正切tgδ,它是电介质损耗与该电介质无功功率之比)较低的材料。但是,电介质损耗也可用作一种电加热手段,即利用高频电场(一般为0.3~300 兆赫)对电介质损耗大的材料(如木材、纸、陶瓷等)进行加热。这种加热由于热量产生在介质内部,比外部加热的加热速度快、热效率高,且加热均匀。频率高于300兆赫时,达到微波波段,即为微波加热(家用微波炉即据此原理)。 电介质损耗按其形成机理可分为弛豫损耗、共振损耗和电导损耗。前两者分别与电介质的弛豫极化和共振极化过程有关。对于弛豫损耗,当交变电场的频率ω=1/τ时,介质损耗达到极大值,τ为组成电介质的极性分子和热离子的弛豫时间。对于共振损耗,当电场频率等于电介质振子固有频率(共振)时,损失能量最大。电导损耗则是由贯穿电介质的电导电流引起,属焦耳损耗,与电场频率无关。 电容介质损耗和电流电压相位角之间的关系 又称介电相位角。反映电介质在交变电场作用下,电位移与电场强度的位相差。在交变电场作用下,根据电场频率、介质种类的不同,其介电行为可能产生两种情况。对于理想介质电位移与电场强度在时间上没有相位差,此时极化强度与交变电场同相位,交流电流刚好超前电压π/2。对于实际介质而言,电位移与电场强度存在位相差。此时介质电容器交流电流超前电压的相角小于π/2。由此,介质损耗角等于π/2与介质电容器交流电流超差电压的相角之差。 介质损耗角是在交变电场下,电介质内流过的电流向量和电压向量之间的夹角(即功率向量角ф)的余角δ,简称介损角。介质损耗角(介损角)是一项反映高压电气设备绝缘性能的重要指标。介损角的变化可反映受潮、劣化变质或绝缘中气体放电等绝缘缺陷,因此测量介损角是研究绝缘老化特征及在线监测绝缘状况的一项重要内容。 介质损耗检测的意义及其注意问题 (1)在绝缘设计时,必须注意绝缘材料的tanδ 值。若tanδ 值过大则会引起严重发热,使绝缘加速老化,甚至可能导致热击穿。而在直流电压下,tanδ 较小而可用于制造直流或脉冲电容器。

第三章_电介质电导和击穿ppt1

第三章_电介质电导和击穿ppt1 3 电介质电导和击穿 3.1 概述 3.2 气体电介质的电导和击穿 3.3 固体电介质的电导 3. 4 固体电介质的热击穿 3. 5 固体电介质的电击穿返回 3.1 概述 1(什么是电介质的电导,提高电介质的绝缘性能的基本方法是什么,(掌握) 2(电介质电导类型有哪些,(掌握) 3(什么叫电介质的击穿,它有哪些击穿形式,通常用那些参数评价(掌握) 返回1(什么是电介质的电导,提高电介质的绝缘性能的基本方法是什么,(掌握) 弱联系的带电质点在电场作用下作定向漂移,从而构成传导电流的过程称为电介质的电导。电介质电导的强弱(或者说电介质的绝缘性能) 通常采用电导率或电阻率表示。一般地当 10 m ,即可认为该电介质具有良好的8 绝缘性能。提高电介质的绝缘性能的基本方法是: (1)降低载流子浓度; (2)降低载流子的迁移率。下一页返回2(电介质电导类型有哪些,(掌握)) 电导类型有:离子电导,电子电导,电泳电导。离子电导: 固体电介质的主要电导形式,是介质中带电荷的弱联系的正负离子(或离子空位)。电子电导: 一般电介质物质的禁带较宽,电子(空穴)载流子极少,因而电子电导一般不是电介质电导的主要因素,只在特定条件下才表现得比较明显。电泳电导: 是液体电导的主要形式,载流子是带电的分子团所形成的电导。返回3(什么叫电介质的击穿,它有哪些击穿形式,通常用那些参数评价(掌握) 当外加电场增加到某一临界值时,电导率突然剧增,电介质丧失其固有的绝缘性能,变成导体,这种现象称为击穿。击穿的形式有: 热击穿电击穿电化学击穿通常使用击穿电压、击穿电 回 3.2 场强度、绝缘强度、介电强度、耐电强度、抗电强度等参数或术语评价。返气体电介质的电导和击穿 1(气体电介质伏安特性曲线分为那三个部分,各部分的特征是什么,(掌握) 2(气体为何能导电,如何对其导电过程进行理论分析,(掌握) 3(什么叫气体电介质击穿,气体电介质放电过程有那两种形式,(掌握)

电介质的损耗复习课程

电介质的损耗

第二节电介质的损耗 作用下的能量损耗,由电能转变为其它形式的能,如热能、光能等,统称为介质损耗。它是导致电介质发生热击穿的根源。电介质在单位时间内消耗的能量称为电介质损耗功率,简称电介质损耗。 1 损耗的形式 ①电导损耗: 在电场作用下,介质中会有泄漏电流流过,引起电导损耗。气体的电导损耗很小,而液体、固体中的电导损耗则与它们的结构有关。非极性的液体电介质、无机晶体和非极性有机电介质的介质损耗主要是电导损耗。而在极性电介质及结构不紧密的离子固体电介质中,则主要由极化损耗和电导损耗组成。它们的介质损耗较大,并在一定温度和频率上出现峰值。 电导损耗,实质是相当于交流、直流电流流过电阻做功,故在这两种条件下都有电导损耗。绝缘好时,液、固电介质在工作电压下的电导损耗是很小的,与电导一样,是随温度的增加而急剧增加的。 ②极化损耗: 只有缓慢极化过程才会引起能量损耗,如偶极子的极化损耗。它与温度有关,也与电场的频率有关。极化损耗与温度、电场频率有关。在某种温度或某种频率下,损耗都有最大值。用tg δ来表征电介质在交流电场下的损耗特征。 ` ③游离损耗: 气体间隙中的电晕损耗和液、固绝缘体中局部放电引起的功率损耗称为游离损耗。电晕是在空气间隙中或固体绝缘体表面气体的局部放电现象。但这种放电现象不同于液、固体介质内部发生的局部放电。即局部放电是指液、固体绝缘间隙中,导体间的绝缘材料局部形成“桥路”的一种电气放电,这种局部放电可能与导体接触或不接触。这种损耗称为电晕损耗。 2 介质损耗的表示方法 在理想电容器中,电压与电流强度成 90o ,在真实电介质中,由于 GU 分量,而不是 90o 。此时,合成电流为: ; 故定义:——为复电导率

电介质的损耗

第二节电介质的损耗 作用下的能量损耗,由电能转变为其它形式的能,如热能、光能等,统称为介质损耗。它是导致电介质发生热击穿的根源。电介质在单位时间内消耗的能量称为电介质损耗功率,简称电介质损耗。 1 损耗的形式 ①电导损耗: 在电场作用下,介质中会有泄漏电流流过,引起电导损耗。气体的电导损耗很小,而液体、固体中的电导损耗则与它们的结构有关。非极性的液体电介质、无机晶体和非极性有机电介质的介质损耗主要是电导损耗。而在极性电介质及结构不紧密的离子固体电介质中,则主要由极化损耗和电导损耗组成。它们的介质损耗较大,并在一定温度和频率上出现峰值。 电导损耗,实质是相当于交流、直流电流流过电阻做功,故在这两种条件下都有电导损耗。绝缘好时,液、固电介质在工作电压下的电导损耗是很小的,与电导一样,是随温度的增加而急剧增加的。 ②极化损耗: 只有缓慢极化过程才会引起能量损耗,如偶极子的极化损耗。它与温度有关,也与电场的频率有关。极化损耗与温度、电场频率有关。在某种温度或某种频率下,损耗都有最大值。用tg δ来表征电介质在交流电场下的损耗特征。` ③游离损耗: 气体间隙中的电晕损耗和液、固绝缘体中局部放电引起的功率损耗称为游离损耗。电晕是在空气间隙中或固体绝缘体表面气体的局部放电现象。但这种放电现象不同于液、固体介质内部发生的局部放电。即局部放电是指液、固体绝缘间隙中,导体间的绝缘材料局部形成“桥路”的一种电气放电,这种局部放电可能与导体接触或不接触。这种损耗称为电晕损耗。 2 介质损耗的表示方法 在理想电容器中,电压与电流强度成90o ,在真实电介质中,由于GU 分量,而不是90o 。此时,合成 电流为: ; 故定义:——为复电导率

完整word版,介电常数与好三因素间的关系

介电常数与耗散因数间的关系 介电常数又称电容率或相对电容率,是表征电介质或绝缘材料电性能的一个重要数据,常用ε表示。介质在外加电场时会产生感应电荷而削弱电场,原外加电场(真空中)与最终介质中电场比值即为介电常数。其表示电介质在电场中贮存静电能的相对能力,例如一个电容板中充入介电常数为ε的物质后可使其电容变大ε倍。介电常数愈小绝缘性愈好。如果有高介电常数的材料放在电场中,场的强度会在电介质内有可观的下降。介电常数还用来表示介质的极化程度,宏观的介电常数的大小,反应了微观的极化现象的强弱。气体电介质的极化现象比较弱,各种气体的相对介电常数都接近1,液体、固体的介电常数则各不相同,而且介电常数还与温度、电源频率有关有些物质介电常数具有复数形式,其实部即为介电常数,虚数部分常称为耗散因数。 通常将耗散因数与介电常数之比称作耗散角正切,其可表示材料与微波的耦合能力,耗散角正切值越大,材料与微波的耦合能力就越强。例如当电磁波穿过电解质时,波的速度被减小,波长也变短了。 介质损耗是指置于交流电场中的介质,以内部发热的形式表现出来的能量损耗。介质损耗角是指对介质施加交流电压时,介质内部流过的电流相量与电压向量之间的夹角的余角。介质损耗角正切是对电介质施加正弦波电压时,外施电压与相同频率的电流之间相角的余角δ的正切值--tgδ. 其物理意义是:每个周期内介质损耗的能量//每个

周期内介质存储的能量。 介电损耗角正切常用来表征介质的介电损耗。介电损耗是指电介质在交变电场中,由于消耗部分电能而使电介质本身发热的现象。原因是电介质中含有能导电的载流子,在外加电场作用下,产生导电电流,消耗掉一部分电能,转为热能。任何电介质在电场作用下都有能量损耗,包括由电导引起的损耗和由某些极化过程引起的损耗。 用tgδ作为综合反应介质损耗特性优劣的指标,其是一个仅仅取决于材料本身的损耗特征而与其他因素无关的物理量,tgδ的增大意味着介质绝缘性能变差,实践中通常通过测量tgδ来判断设备绝缘性能的好坏。 由于介电损耗的作用电解质在交变电场作用下将长生热量,这些热会使电介质升温并可能引起热击穿,因此,在绝缘技术中,特别是当绝缘材料用于高电场强度或高频的场合,应尽量采用介质损耗因数,即电介质损耗角正切tgδ较低的材料。但是,电介质损耗也可用作一种电加热手段,即利用高频电场(一般为0.3--300兆赫兹)对介电常数大的材料(如木材、纸张、陶瓷等)进行加热。这种加热由于热量产生在介质内部,比外部加热速度更快、热效率更高,而且热均匀。频率高于300兆赫时,达到微波波段,即为微波加热(家用微波炉即据此原理)。 在绝缘设计时,必须注意材料的tgδ值。若tgδ过大则会引起严重发热,使绝缘材料加速老化,甚至导致热击穿。 一下例举一些材料的ε值:

电介质击穿

电介质击穿 dielectric breakdown 在强电场作用下,电介质丧失电绝缘能力的现象。分为固体电介质击穿、液体电介质击穿和气体电介质击穿3种。 固体电介质击穿导致击穿的最低临界电压称为击穿电压。均匀电场中,击穿电压与介质厚度之比称为击穿电场强度(简称击穿场强,又称介电强度)。它反映固体电介质自身的耐电强度。不均匀电场中,击穿电压与击穿处介质厚度之比称为平均击穿场强,它低于均匀电场中固体介质的介电强度。固体介质击穿后,由于有巨大电流通过,介质中会出现熔化或烧焦的通道,或出现裂纹。脆性介质击穿时,常发生材料的碎裂,可据此破碎非金属矿石。固体电介质击穿有3种形式:电击穿、热击穿和电化学击穿。电击穿是因电场使电介质中积聚起足够数量和能量的带电质点而导致电介质失去绝缘性能。热击穿是因在电场作用下,电介质内部热量积累、温度过高而导致失去绝缘能力。电化学击穿是在电场、温度等因素作用下,电介质发生缓慢的化学变化,性能逐渐劣化,最终丧失绝缘能力。固体电介质的化学变化通常使其电导增加,这会使介质的温度上升,因而电化学击穿的最终形式是热击穿。温度和电压作用时间对电击穿的影响小,对热击穿和电化学击穿的影响大;电场局部不均匀性对热击穿的影响小,对其他两种影响大。 液体电介质击穿纯净液体电介质与含杂质的工程液体电介质的击穿机理不同。对前者主要有电击穿理论和气泡击穿理论,对后者有气体桥击穿理论。沿液体和固体电介质分界面的放电现象称为液体电介质中的沿面放电。这种放电不仅使液体变质,而且放电产生的热作用和剧烈的压力变化可能使固体介质内产生气泡。经多次作用会使固体介质出现分层、开裂现象,放电有可能在固体介质内发展,绝缘结构的击穿电压因此下降。脉冲电压下液体电介质击穿时,常出现强力气体冲击波(即电水锤),可用于水下探矿、桥墩探伤及人体内脏结石的体外破碎。 气体电介质击穿在电场作用下气体分子发生碰撞电离而导致电极间的贯穿性放电。其影响因素很多,主要有作用电压、电板形状、气体的性质及状态等。气体介质击穿常见的有直流电压击穿、工频电压击穿、高气压电击穿、冲击电压击穿、高真空电击穿、负电性气体击穿等。空气是很好的气体绝缘材料,电离场强和击穿场强高,击穿后能迅速恢复绝缘性能,且不燃、不爆、不老化、无腐蚀性,因而得到广泛应用。为提供高电压输电线或变电所的空气间隙距离的设计依据(高压输电线应离地面多高等),需进行长空气间隙的工频击穿试验。

材料的介电常数测试

材料科学实验讲义 (一级实验指导书) 东华大学材料科学与工程中心实验室汇编 2009年7月

一、实验目的 介电特性是电介质材料极其重要的性质。在实际应用中,电介质材料的介电系数和介质损耗是非常重要的参数。例如,制造电容器的材料要求介电系数尽量大,而介质损耗尽量小。相反地,制造仪表绝缘器件的材料则要求介电系数和介质损耗都尽量小。而在某些特殊情况下,则要求材料的介质损耗较大。所以,通过测定介电常数(ε)及介质损耗角正切(tg δ),可进一步了解影响介质损耗和介电常数的各种因素,为提高材料的性能提供依据。 本实验的目的: 1、探讨介质极化与介电常数、介质损耗的关系; 2、了解高频Q 表的工作原理; 3、掌握室温下用高频Q 表测定材料的介电常数和介质损耗角正切值。 二、实验原理 按照物质电结构的观点,任何物质都是由不同的电荷构成,而在电介质中存在原子、分子和离子等。当固体电介质置于电场中后会显示出一定的极性,这个过程称为极化。对不同的材料、温度和频率,各种极化过程的影响不同。 1、介电常数(ε):某一电介质(如硅酸盐、高分子材料)组成的电容器在一定电压作用下所得到的电容量C x 与同样大小的介质为真空的电容器的电容量C o 之比值,被称为该电介质材料的相对介电常数。 o x C C = ε 式中:C x —电容器两极板充满介质时的电容; C ο —电容器两极板为真空时的电容; ε —电容量增加的倍数,即相对介电常数 介电常数的大小表示该介质中空间电荷互相作用减弱的程度。作为高频绝缘材料,ε要小,特别是用于高压绝缘时。在制造高电容器时,则要求ε要大,特别是小型电容器。 在绝缘技术中,特别是选择绝缘材料或介质贮能材料时,都需要考虑电介质的介电常数。此外,由于介电常数取决于极化,而极化又取决于电介质的分子结构和分子运动的形式。所以,通过介电常数随电场强度、频率和温度变化规律的研究,还可以推断绝缘材料的分子结构。 2.介电损耗(tg δ):指电介质材料在外电场作用下发热而损耗的那部分能量。在直流电场作用下,介质没有周期性损耗,基本上是稳态电流造成的损耗;在交流电场作用下,介质损耗除了稳态电流损耗外,还有各种交流损耗。由于电场的频繁转向,电介质中的损耗要比直流电场作用时大许多(有时达到几千倍),因此介质损耗通常是指交流损耗。 在工程中,常将介电损耗用介质损耗角正切tg δ来表示。tg δ是绝缘体的无效消耗

电介质基本物理知识

第一章 电介质基本物理知识 电介质(或称绝缘介质)在电场作用下的物理现象主要有极化、电导、损耗和击穿。 在工程上所用的电介质分为气体、液体和固体三类。目前,对这些电介质物理过程的阐述,以气体介质居多,液体和固体介质仅有一些基本理论,还有不少问题难以给出量的分析,这样就在很大程度上要依靠试验结果和工作经验来进行解释和判断。 第一节电介质的极化 一、极化的含义 电介质的分子结构可分为中性、弱极性和极性的,但从宏观来看都是不呈现极性的。当把电介质放在电场中,电介质就要极化,其极化形式大体可分为两种类型:第一种类型的极化为立即瞬态过程,极化的建立及消失都以热能的形式在介质中消耗而缓慢进行,这种方式称为松电子和离子极化属于第一种,为完全弹性方式,其余的属于松弛极化型。 (一)电子极化 电子极化存在于一切气体,液体和固体介质中,形成极化所需的时间极短,约为1015 s。它与频率无关,受湿度影响小,具有弹性,这种极化无能量损失。 (二)原子或离子的位移极化 当无电场作用时,中性分子的正、负电荷作用中心重合,将它放在电

场中时,其正负电荷作用中心就分离,形成带有正负极性的偶极子。离子式结构的电介质(如玻璃、云母等),在电场作用下,其正负离子被拉开,从而使正负电荷作用中心分离,使分子呈现极性,形成偶极子,形成正负电荷距离。 原子中的电子和原子核之间,或正离子和负离子之间,彼此都是紧密联系的。因此在电场作用下,电子或离子所产生的位移是有限的,且随电场强度增强而增大,电场以清失,它们立即就像弹簧以样很快复原,所以通称弹性极化,其特点是无能量损耗,极化时间约为1013-s。(三)偶极子转向极化 电介质含有固有的极性分子,它们本来就是带有极性的偶极子,它的正负电荷作用中心不重合。当无电场作用时,它们的分布是混乱的,宏观的看,电介质不呈现极性。在电场作用下,这些偶极子顺电场方向扭转(分子间联系比较紧密的),或顺电场排列(分子间联系比较松散的)。整个电介质也形成了带正电和带负电的两级。这类极化受分子热运动的影响也很大。偶极松弛极化的电介质有胶木、橡胶、纤维素等,极化为非弹性的,极化时间约为1010---102-s。 (四)空间电荷极化 介质内的正负自由离子在电场作用下,改变其分布状况,在电极附近形成空间电荷,称为空间电荷极化,其极化过程缓慢。 (五)夹层介质界面极化 由两层或多层不同材料组成的不均匀电介质,叫做夹层电介质。由于各层中的介电常数和电导率不同,在电场作用之下,各层中的电位,

介电常数和介电损耗测量 2

介电常数和介电损耗测量 一.背景 介电特性是电介质材料极其重要的性质。在实际应用中,电介质材料的介电系数和介质损耗是非常重要的参数。例如,制造电容器的材料要求介电系数尽量大,而介质损耗尽量小。相反地,制造仪表绝缘器件的材料则要求介电系数和介质损耗都尽量小。而在某些特殊情况下,则要求材料的介质损耗较大。所以,通过测定介电常数及介质损耗角正切(tg),可进一步了解影响介质损耗和介电常数的各种因素,为提高材料的性能提供依据。按照物质电结构的观点,任何物质都是由不同的电荷构成,而在电介质中存在原子、分子和离子等。当固体电介质置于电场中后会显示出一定的极性,这个过程称为极化。对不同的材料、温度和频率,各种极化过程的影响不同。 在绝缘技术中,特别是选择绝缘材料或介质贮能材料时,都需要考虑电介质的介电常数。此外,由于介电常数取决于极化,而极化又取决于电介质的分子结构和分子运动的形式。所以,通过介电常数随电场强度、频率和温度变化规律的研究,还可以推断绝缘材料的分子结构。 二.基本原理 电子材料与元件的电学性能参数的测量是一项基本而重要的工作。这些电学参数包括不同频率、不同温度下的电阻、电容、阻抗、介电常数、损耗角正切值等特性测量。全面而准确地掌握这些特性,对分析、改进电子材料与元件的性能十分重要。数字式LCR 测量仪(数字电桥)是随着数字测量技术发展而出现的新型智能化材料和元件参数测量仪器,具有使用简便、效率高、测量精度高等优点,在电子材料与元件特性参数测量和研究中获得了极其广泛的应用。 数字式LCR 测量仪以微处理器为核心、通过采集给定激励下被测样品和标准元件的电压、电流信号并按照—定的数学模型进行被测样品的参数计算。数字式LCR 测量仪测量原理以阻抗参数的数字化测量为基础,典型测量方法为矢量电流—电压法。测量电路原理如图1 所示,其中R s 为标准电阻值,Z x 为待测样品的阻抗。 图 1 测量电路原理图2 数字式LCR 测量仪原理框图 阻抗参数的测量可首先转化为电压测量及电压分量的计算,最终可得到复阻抗的电阻参数和电抗参数,并可间接计算其他参数,如损耗参数、不同等效模式下的阻抗参数等。图2为数字式LCR 测量仪一般原理框图。流过待测元件的电流转换为相应的电压信号,与待测元件的电压经缓冲放大后送给相敏模/数转换器(PSADC)。PSADC 主要由相敏检波器(PSD)

高频PCB基材介电常数与介电损耗的特性与改性进展

高频PCB基材介电常数与介电损耗的特性与改性进展 杨盟辉 (中南电子化学材料所,武汉 430070) 摘 要 随着高频化PCB技术与产品占有越来越重要的地位,高频电路基板材料的发展也出现了高速化,其中比较重要的一方面就是低介电常数和低介质损耗因数的材料的选择,这是PCB基板材料实现高速化,高频化的重要性能项目。文章针对基板材料的介电常数与介电损耗的关系加以论述,并对它们与外部环境的关系做出相应的阐述,使得在PCB的制造中对各种基板材料进行合理正确的评估和使用。 关键词 高频PCB, 树脂材料的改性,介电常数,介电损耗 The Dielectrics Characteristics and Modified Progress of Base Materials Applied in High Frequency Printed Circuit Board Yang Menghui Abstract With the application of high frequency printed circuit board in more fields,the base materials need to adapt the requirements of high-speed circuits.The most important factors are the dielectric characteristics,such as low dielectric constant and dielectric loss,which is propitious to the high transmission speed of printed circuit board.The dielectric constant and dielectric loss of base materials are discussed in this paper and the affected relation with environment conditions are also described.In addition,the modified progresses of difference base materials are evaluated. Keywords High Frequency Printed Circuit Board, base materials, dielectric constant, dielectric loss 0 前言 目前已经商品化的高频基板主要有三大类[1] [2]:聚四氟乙烯(PTFE)基板;热固性PPO (Polyphenyl Oxide);交链聚丁二烯基板和环氧树脂复合基板(FR-4)。PTFE基板具有介电损耗小,介电常数小且随温度和频率的变化小,与金属铜箔的热膨胀系数接近等优点[3] [4],从而得到了广泛的应用。PTFE与玻璃纤维、陶瓷搭配制备的基板,例如:RO3200,RO3210,RO4003等系列已经能够满足介电常数2.2~10.8,工作频段为30 MHz~30 GHz的要求[5]。虽然,PTFE微波板制造发展迅猛,但与之相适应的工艺是由传统的FR-4印制电路制造工艺改进而成[6]。现在电子信息产品特别是

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