射频模拟电路习题参考解答第一章
习题一
1—1 设计一个并联谐振回路，已知谐振频率P =1MHz f ，要求对990kHz 的干扰信号有足够的抑制(0.1α=
)。设信号源内阻50s R =Ω,负载电阻2k L R =Ω。
解：(990kHz)0.1(1000kHz)
p
p V V V V α=
=
=
0.1α=
=
0110kHz f f f ?=-= 497.5L Q =
'1s s I p I = '21/s s R R p = '22/L L R R p = 1112C p C C =
+ 1
212
L p L L =+
取50L uH = 则2
1
507C pF L
ω=
=
22
612''
1497.5 6.410()
L P s L P P s L Q G p G p G s L G G G ω-=
=?++=?++ 0.02s G s = 30.510L G s -=? 设10.01p = 20.08p = 61.210P G s -=? 60.833100.12P L
R r Cr
=
=?Ω?=Ω
R L
I
1
1—2 有一个并联谐振回路工作于中波频段535kHz —1605kHz 。现有两个可变电容，一个变化范围为12pF —100pF ，另一个为15 pF —450pF 。试问： (1)应采用哪种可变电容?为什么? (2)回路电感L ＝？
(3)为保证足够的频率刻度精度，实际的并联谐振回路应如何设计?
解：0f =
则可变电容的选择应满足max min f f ≤3
max 3min 160510353510f f ?==? max
min
9C C = 电容1：
max min 100912C C =< 电容2：max min 450
30915
C C ==> 选择15pF —450pF 的可变电容是恰当的，同时考虑到频率在535kHz —1605kHz 波段内变化，因此选择一电容x C 与可变电容15pF —450pF 并联以满足
max min 3f f == max min
x 939.37pF 91
C C C -==- 选x 40pF C =
223212
0max min x 111
179μH (2)()(2160510)(1540)10L C f C C ωππ-=
==≈+??+? 2min max x 1
(2)()
L f C C π=
+
L
2
l —3 串联回路如习图1—1所示，将11端短路，C 调到100PF 时谐振，电容C 两端的电压为10V ，如11端串接入阻抗x Z 乙，已知x x x
1
j ωC Z r =+
，此时C 调到200pF 时重新谐振，C 两端电压变成2.5V 。求电感L ，回路空载品质因数
0Q 及x Z 。
解：1）11端短路时，谐振
26212011
253μH (2)(210)10010L f C ππ-=
==???
0101000.1c s V Q V =
== 612
001
1
15.910021010010r Q C ωπ-===Ω????
2）11端串接x x x
1
j ωC Z r =+
，L ，0f 均不变 x
x
100pF C C C C C ∑=
=+ x 200pF C = x C 接入后，C V =2.5V ，因此C C C 200V =
V = 2.5V=5V C 100
∑∑? 5
500.1
c L s V Q V ∑=
== 612
011
31.85021010010x L r r Q C
ωπ-+=
=
=Ω???? 15.9x r =Ω
1—4对于收音机的中频放大电路，其中的频率0f =465KHz ，0.707B =8KHz
，回
3
路电容C=200pF ，试计算回路电感和L Q 的值。若电感线圈0Q =100，问在回路上应并联多大电阻才能满足要求？ 解：由0ω
=02f π 得22014L f C π=
=
23212
1
4(46510)20010
π-???? = 585.7 uH
由0.707B =
0L f Q 得L Q =00.707f B =4658KHz KHz
=58.125 对于原线圈，有0Q =
01
LG
ω，所以 G=
001LQ ω=636
1
5.810246510585.710100
π--=?????? 并联电阻R 后
'01L Q LG ω=
，'01L G LQ ω==5
36
1 1.010*********.71058.125
π--=?????? 由'G =R G G + 得R G ='G -G=64.210-? R=
1
238.1R
K G =Ω 1—5 如习图1—2所示，已知L=0.8μH ，0100Q =，C 1＝C 2＝20pF ，
i C =1pF ，0.5P =，=10k Ωi R ，L C =1pF ，=5k ΩL R 。试计算回路谐振频率、谐
振电阻P R 、有载L Q 值和通频带。
4
L
I
解：1
112
0.5C p C C =
=+ 对比第一题
'2
1
20L L R R k p =
=Ω '2
10.25L L C p C pF == '2
40
L i R R k p
=
=Ω '20.25i L C p C pF == '
0.5s s s I pI I == 并联谐振回路的总电容 ''
1212
10.5i L C C C C C pF C C ∑=+
+=+
054.9MHz f =
=
=
00P
R Q L
ω=
6600100254.9100.81027.6P R Q L k ωπ-==?????=Ω ''3331111110.111ms 401027.6102010
i P L g R R R ∑=
++=++=???
366
011
32.640.11110254.9100.810
L Q g L
ωπ--∑=
=
=?????? 6
00.707
54.9102 1.68MHz 32.64
L f f Q ??===
5
1—6已知习图1—3中，1MHz p f =，C=100pF ，50s R =Ω，0300Q =，
2k ΩL R =，要求0.707210kHz f ?=条件下输入匹配。试求1p 和2p 。
L
解：2
2
'L
L R R p =
21's s R R p = 2621211
253μH (2)(210)10010p L f C ππ-=
==???
0612
0300
477.8k Ω21010010p Q R C ωπ-=
==??? 0.707
1002p L f Q f =
=?
6126021010010 6.2810s 100
L
C
g Q ωπ--∑???=
==?
22
12
1s P L p p g R R R ∑=++
输入匹配22
121s P L
p p R R R =+ 解得 10.0125P = 20.0458P =
6
1—7 习题图1-4所示为一电容抽头的并联振荡回路，谐振频率0f =1MHz ，
1C =400pF, 2C =100pF ，求回路电感L ，若0Q =100，L R =2K Ω，求回路的有载L Q 值。
解：1124000.8400100C p C C =
==++，1212400100
80400100
C C C pF C C ∑?===++
'
22 3.1250.64
L L R K R K p Ω
=
==Ω ，
02212120
11
316.6(2)4108010L uH f C ωππ-=
====???
'61230'198.9 3.125
210801010 1.55198.9 3.125
L p L L p
R R Q C R R ωπ∑
-?==????
?=++
000612
0100
,198.92108010
P p Q Q CR R K C ωωπ-∑==
==Ω???
RF射频电路设计
RF电路的PCB设计技巧 如今PCB的技术主要按电子产品的特性及要求而改变，在近年来电子产品日趋多功能、精巧并符合环保条例。故此，PCB的精密度日高，其软硬板结合应用也将增加。 PCB是信息产业的基础，从计算机、便携式电子设备等，几乎所有的电子电器产品中都有电路板的存在。随着通信技术的发展，手持无线射频电路技术运用越来越广，这些设备(如手机、无线PDA等)的一个最大特点是：第一、几乎囊括了便携式的所有子系统；第二、小型化，而小型化意味着元器件的密度很大，这使得元器件（包括SMD、SMC、裸片等）的相互干扰十分突出。因此，要设计一个完美的射频电路与音频电路的PCB，以防止并抑制电磁干扰从而提高电磁兼容性就成为一个非常重要的课题。 因为同一电路，不同的PCB设计结构，其性能指标会相差很大。尤其是当今手持式产品的音频功能在持续增加，必须给予音频电路PCB布局更加关注.据此本文对手持式产品RF电路与音频电路的PCB的巧妙设计（即包括元件布局、元件布置、布线与接地等技巧）作分析说明。 1、元件布局 先述布局总原则：元器件应尽可能同一方向排列，通过选择PCB进入熔锡系统的方向来减少甚至避免焊接不良的现象；由实践所知，元器件间最少要有 0.5mm的间距才能满足元器件的熔锡要求，若PCB板的空间允许，元器件的间距应尽可能宽。对于双面板一般应设计一面为SMD及SMC元件，另一面则为分立元件。 1.1 把PCB划分成数字区和模拟区 任何PCB设计的第一步当然是选择每个元件的PCB摆放位。我们把这一步称为“布板考虑“。仔细的元件布局可以减少信号互连、地线分割、噪音耦合以及占用电路板的面积。 电磁兼容性要求每个电路模块PCB设计时尽量不产生电磁辐射，并且具有一定的抗电磁干扰能力，因此，元器件的布局还直接影响到电路本身的干扰及抗干扰能力，这也直接关系到所设计电路的性能。
模拟电子基础复习题与答案
模拟电子技术基础复习题 图1 图2 一、填空题 1、现有基本放大电路：①共射放大电路②共基放大电路③共集放大电路 ④共源放大电路 一般情况下，上述电路中输入电阻最大的电路是③，输入电阻最小的电路是②，输出电阻最小的电路是③，频带最宽的电路是②；既能放大电流，又能放大电压的电路是①；只能放大电流，不能放大电压的电路是③；只能放大电压，不能放大电流的电路是②。 2、如图1所示电路中，已知晶体管静态时B-E间电压为U BEQ，电流放大系数为β，B-E间动态电阻为r be。填空： （1）静态时，I BQ的表达式为，I CQ的表达式为；，U CEQ的表达式为 （2）电压放大倍数的表达式为，输入电阻的表达式为，输出电阻的表达式为； （3）若减小R B，则I CQ将 A ，r bc将 C ，将 C ，R i将 C ，R o将 B 。
A.增大 B.不变 C.减小 当输入电压不变时，R B减小到一定程度，输出将产生 A 失真。 A.饱和 B.截止 3、如图1所示电路中， （1）若测得输入电压有效值为10mV，输出电压有效值为1.5V，则其电压放大倍数= 150；若已知此时信号源电压有效值为20mV，信号源内阻为1kΩ，则放大电路的输入电阻R i= 1 。 （2）若已知电路空载时输出电压有效值为1V，带5 kΩ负载时变为0.75V，则放大电路的输出电阻Ro 1.67 。 （3）若输入信号增大引起电路产生饱和失真，则可采用将R B增大或将Rc 减小的方法消除失真；若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生截止失真，则只有通过设置合适的静态工作点的方法才能消除失真。 4、文氏桥正弦波振荡电路的“桥”是以RC串联支路、RC并联支路、 电阻R1 和R2 各为一臂而组成的。 5、正弦波振荡电路按选频网络所用元件可分为变压器反馈式、电感三点式和 电容三点式三种电路，其中电容三点式振荡电路的振荡频率最为稳定。 6、为了得到音频信号发生器，应采用正弦波振荡电路。 7、稳压电源一般由整流电路、滤波电路和稳压电路三部分电路组成。 8、在负载电流比较小且其变化也比较小的时候，应采用电容滤波电
模拟电路第三版课后习题答案详解
N7习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？ 答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。 习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。 解：在20℃时的反向电流约为：3 210 1.25 A A μμ -?= 在80℃时的反向电流约为：321080 A A μμ ?=
习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？ 答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。 一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。 温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
100B i A μ=80A μ60A μ40A μ20A μ0A μ0.9933.22 安全工作区
习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ，β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。解：20℃时，()131CEO CBO I I A βμ=+=50℃时，8CBO I A μ≈() () ()0 5020 011%3011%301301%39 t t ββ--=+=?+≈?+?=()13200.32CEO CBO I I A mA βμ=+==
uestc射频模拟电路与系统RFIC_fall2012_lect8_phase_noise_2p
Dr. K. Kang 2 Oscillator output spectrum
Dr. K. Kang 3 Phase noise versus amplitude noise Dr. K. Kang 4 Graphical picture of AM and PM
Dr. K. Kang 5 Phase noise? Dr. K. Kang 6 Phase noise measurement
Dr. K. Kang 7 Phase noise in TX chain Dr. K. Kang 8 Phase noise in RX chain
Dr. K. Kang 9 Phase noise in digital communication Dr. K. Kang 10
§??“Perfectly efficient” RLC oscillator §??Signal energy stored in the tank §??Mean square signal (carrier) voltage is Dr. K. Kang 11 General RLC oscillator §??Total mean-square noise voltage §??Noise to Signal ratio §??Resonator Q §??Therefore Dr. K. Kang 12 General RLC oscillator (con’t) N/S?=V↓n?↓↑2 /?V↓sig?↓↑2 = kT/?E↓stored
模拟电子技术习题及答案定稿版
模拟电子技术习题及答 案 HUA system office room 【HUA16H-TTMS2A-HUAS8Q8-HUAH1688】
模拟电子技术 第1章半导体二极管及其基本应用 1．1 填空题 1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。 2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成 N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成 P 型半导体，其多数载流子是空穴。 3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。 4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。 5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。 6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。 7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。 8．测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为0.65 V，该二极管的直流电阻等于650 Ω，交流电阻等于 26 Ω。 1．2 单选题 1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。 A．温度 B．掺杂工艺 C．掺杂浓度 D．晶格缺陷
2．PN结形成后，空间电荷区由( D )构成。 A．价电子 B．自由电子 C．空穴 D．杂质离子 3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而( B )。 A．减小 B．基本不变 C．增大 4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。 A．增大 B．基本不变 C．减小 5．变容二极管在电路中主要用作( D )。、 A．整流 B．稳压 C．发光 D．可变电容器 1．3 是非题 1．在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。( √ ) 2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( × ) 时会损坏。( × ) 3．二极管在工作电流大于最大整流电流I F 4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。( × ) 1．4 分析计算题 1．电路如图T1．1所示，设二极管的导通电压U =0.7V，试写出各电路的输出电压 D(on) Uo值。
模拟电路作业解答
盛年不重来，一日难再晨。及时宜自勉，岁月不待人。 盛年不重来，一日难再晨。及时宜自勉，岁月不待人。 2.2画出图P2.2所示各电路的直流通路和交流通路。设所有电容对交流信号均可视为短路。 (a) (b) (c) (d) 图P2.2 解：将电容开路、变压器线圈短路即为直流通路，图略。 图P2.2所示各电路的交流通路如解图P2.2所示； (a) (b) (c) (d) 解图P2.2
2.4 电路如图P2.4 (a)所示，图(b)是晶体管的输出特性，静态时0.7BEQ U V =。利用图解法分别求出L R =∞和3L R k =Ω时的静态工作点和最大不失真输出电压om U （有效值）。 (a) (b) 图P2.4 解：空载时：20,2,6BQ CQ CEQ I A I mA U V μ=== 最大不失真输出电压峰值约为5.3V ，有效值约为3.75V 。 带载时：20,2,3BQ CQ CEQ I A I mA U V μ===； 最大不失真输出电压峰值约为2.3V ，有效值约为1.63V 。如解图P2.4所示。 解图P2.4 图P2.5 2.7电路如图P2.7所示，晶体管的β=80 ，'100bb r =Ω。分别计算L R =∞和3L R k =Ω 时的Q 点、u A &、i R 和o R 。 解：在空载和带负载情况下，电路的静态电流、be r 均相等，它们分别为： 22CC BEQ BEQ BQ b s V U U I A R R μ-= - ≈ 1.76CQ BQ I I mA β=≈
'26(1) 1.3be bb EQ mV r r k I β=++≈Ω 空载时，静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻分别为： 6.2CEQ CC CQ c U V I R V =-≈；308c u be R A r β=-≈-& // 1.3i b be be R R r r k =≈≈Ω；93be us u be s r A A r R ≈?≈-+&& 5o c R R k ==Ω 3L R k =Ω时，静态管压降、电压放大倍数分别为： (//) 2.3L CEQ CC CQ c L L c R U V I R R V R R = -≈+ (//)115c L u be R R A r β=-≈-&34.7be us u be s r A A r R ≈?≈-+&& // 1.3i b be be R R r r k =≈≈Ω5o c R R k ==Ω。 2.11电路如图P2.11所示，晶体管β=100，b b r '=100Ω。 (1)求电路的Q 点、u A &、i R 和o R ； (2)若改用β=200的晶体管，则Q 点如何变化？ (3)若电容C e 开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？ 解：(1)静态分析： 1 12 2b BQ CC b b R U V V R R = ?=+ 1BQ BEQ EQ f e U U I mA R R -= =+ 101EQ BQ I I A μβ = =+ e (R ) 5.7CEQ CC EQ c f U V I R R V =-++=图P2.11 动态分析：'26(1) 2.73be bb EQ mV r r k I β=++≈Ω
《模拟电子技术》模拟试题与答案解析
《模拟电子技术》模拟题1及答案 一、判断（10分） 1、以自由电子导电为主的半导体称为N型半导体。（） 2、模拟信号的特点是信号在时间和幅度上均是连续的。（） 3、PN结具有单向导电特性。（） 4、差动放大电路结构可以抑制零点漂移现象。（） 5、交流放大器工作时，电路中同时存在直流分量和交流分量，直流分量表示静态工作点，交流分量表示信号的变化情况。（） 6、单管共发射极放大电路的集电极和基极相位相同。（） 7、直流负反馈不能稳定静态工作点。（） 8、晶体二极管击穿后立即烧毁。（） 9、采用集成电路和R,C元件构成的电路称为无源滤波电路。（） 10、集成稳压器79XX系列输出的是正向电压。（） 二、选择（10分） 1、P型半导体是在本征半导体内掺杂( )价元素。 A、3 B、5 C、2 D、4 2、稳压管工作于( )状态下，可以稳定电压。 A、正偏导通 B、反偏截止 C、反向击穿 3、三极管放大的外部条件( )。 A、正偏导通，反偏截止 B、正偏截止，反偏导通 C、正偏导通，反偏导通 D、正偏截止，反偏截止 4、既能放大电压，也能放大电流的电路( )。 A、共发射极 B、共集电极 C、共基级 D、以上均不能 5、共模抑制比CMR K越大，表明电路（）。 A、放大倍数越稳定； B、交流放大倍数越大； C、抑制温漂能力越强； D、输入信号中的差模成分越大。6、放大电路中为增大输入电阻应引入（）反馈，为稳定输出电压应引入（）反馈，为稳定输出电流应引入（）反馈，为减小输出电阻，应引入（）反馈。 A、电压 B、电流 C、串联 D、并联 7、振荡电路中其振荡频率特别稳定的是（）。 A、RC振荡电路 B、LC振荡电路 C、石英晶体振荡电路 三、在图1所示的电路中，已知输入信号ui=5sinωt V,试画出输出电压uo1和uo2的波形，设二极管为理想二极管。（每题10分，共20分）
模拟电子技术习题解答(课后同步)
第三部分习题与解答 习题1 客观检测题 一、填空题 1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度，而少数载流子的浓度则与温度有很大关系。 2、当PN结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。当外加反向电压时，扩散电流小于漂移电流，耗尽层变宽。 3、在N型半导体中，电子为多数载流子，空穴为少数载流子。 二．判断题 1、由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含有大量电子载流子，所以P型半导体带正电，N型半导体带负电。（×） 2、在N型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P型半导体。（√） 3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。（×） 4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。（×） 5、PN结在无光照无外加电压时，结电流为零。（√） 6、温度升高时，PN结的反向饱和电流将减小。（×） 7、PN结加正向电压时，空间电荷区将变宽。（×） 三．简答题 1、PN结的伏安特性有何特点？
答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V V s D -?=表示。 式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有 关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=?2313810 ，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-?=，则)V (2 .11594T V T =，在常温（T=300K ）下，V T =25.875mV=26mV 。当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1e T V V >>，于是 T V V s e I I ?=，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加 反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1e T V V <<，于是s I I -≈，这时PN 结只流过很小 的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。PN 结的伏安特性也可用特性曲线表示，如图1.1.1所示.从式(1.1.1)伏安特性方程的分析和图1.1.1特性曲线（实线部分）可见：PN 结真有单向导电性和非线性的伏安特性。 2、什么是PN 结的反向击穿？PN 结的反向击穿有哪几种类型？各有何特点？ 答：“PN ”结的反向击穿特性：当加在“PN ”结上的反向偏压超过其设计的击穿电压后，PN 图1.1.1 PN 伏安特性
射频电路的无源元件及其等效电路
Apr. 18. 2010Apr. 18. 2010 Apr. 18. 2010Apr. 18. 2010 Apr. 18. 2010Apr. 18. 2010
Apr. 18. 2010 Apr. 18. 2010 Apr. 18. 2010 Apr. 18. 2010 Apr. 18. 2010 电阻器的射频等效电路不仅呈现出单纯的电阻 R ，还具有两端引线的引线电感L 以及模拟电荷分离效应的电容C a 和跨接两端引线之间的电容C b Apr. 18. 2010 From SEIEE SJTU 金属膜电阻器的阻抗绝对值与频率之间的关系 在低频时，电阻器的阻抗是R ，随着频率的升高，寄生电容的影响成为引起电阻阻抗下降的主要因素；随着频率的进一步升高，引线电感的作用就越加明显，电阻阻抗上升；在频率很高时，引线电感就成为一个无限大的阻抗，甚至开路。
Apr. 18. 2010 电阻器的阻抗首先是随着频率的升高而增加；但到某Apr. 18. 2010 Apr. 18. 2010 ，总的旁路电在200MHz Apr. 18. 2010 电容器的射频等效电路 C ：电容数值；Rs ：串联电阻；Rp ：绝缘电阻；：引线和平板的电感；其中电阻都会形成热损耗，用Apr. 18. 2010 Apr. 18. 2010 From SEIEE SJTU 理想的阻抗随着工作频率的升高而近似线性地减小。而实际阻抗， 随着频率的升高，其引线电感变得越来越重要；电容器的特性随着频率的升高而改变。在谐振频率Fr ，引线电感与实际电容形成串联谐振，使得总的电抗趋向于0Ω；之后，在高于Fr 的些政频率之上，电容器的行为呈现为电感性而不再是电容性。
《模拟电子技术基础》典型习题解答
半导体器件的基础知识 1.1 电路如图P1.1所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出u i 与u O的波形，并标出幅值。 图P1.1 解图P1.1 解：波形如解图P1.1所示。 1.2 电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。 图P1.2 解：u O的波形如解图P1.2所示。
解图P1.2 1.3 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。 图P1.3 解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA 电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin ，所以其取值范围为 Ω =-=k 8.136.0Z Z I ～I U U R 1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。 （1） 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值； （2） 若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？ 图P1.4 解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+=U R R R U 当U I ＝15V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 L O I L 5V R U U R R =?≈+ 当U I ＝35V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V 。 （2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.5 电路如图P1.5（a ）、（b ）所示，稳压管的稳定电压U Z ＝3V ，R 的取值合适，u I 的波
射频通信电路试题及答案6
一、选择题（每小题2分、共30分）将一个正确选项前的字母填在括号内 1．用万用表欧姆档辨别二极管的阴、阳极时，应该把欧姆档拨到（A）A．R×100或R×1k档B．R×1档C．R×10档D．R×10k档2．为了有效地实现基极调幅，调制器必须工作在哪种工作状态（B）A．临界B．欠压C．过压 3．LC正弦波振荡器电路如图所示，下列哪种说法是正确的（D） A．由于放大器不能正常工作，故不能振荡 B．不满足相位平衡条件，故不能振荡 C．没有选频网络，故不能振荡 D．电路能振荡 4．用双踪示波器观察到下图所示的调幅波，根据所给的数值，它的调幅度为（C） A．0.2 B．0.8 C．0.67 D．0.1 5．谐振功率放大器的输入激励信号为正弦波时，集电极电流为（ C ）A．余弦波B．正弦波C．余弦脉冲波 6．在调谐放大器的LC回路两端并上一个电阻R，可以（A）A．降低回路的Q值B．提高谐振频率C．减小通频带 7．大信号包络检波器只适用于以下哪种调幅波（D）A．VSB B．SSB C．DSB D．AM 8．某超外差接收机的中频为465kHz，当接收931kHz的信号时，还收到465kHz的干扰信号，此干扰为（B）A．干扰哨声B．中频干扰 C．镜像干扰D．交调干扰 9．检波并经隔直电容后的信号成份有（D）A．调幅波、低频、直流B．等幅载波和上下边频 C．等幅载波、低频、直流D．低频信号 10．AFC电路的作用是（A）A．维持工作频率稳定B．消除频率误差 C．使输出信号幅度保持恒定或仅在很小的范围内变化 11．下列哪种说法是正确的（C）A．同步检波器要求接收端载波与发端载波频率相同、幅度相同 B．同步检波器要求接收端载波与发端载波相位相同、幅度相同 C．同步检波器要求接收端载波与发端载波频率相同、相位相同 D．同步检波器要求接收端载波与发端载波频率相同、相位相同、幅度相同 12．检波的描述是（A）
模拟电路作业解答
2.2画出图P2.2所示各电路的直流通路和交流通路。设所有电容对交流信号均可视为短路。 (a) (b) (c) (d) 图P2.2 解：将电容开路、变压器线圈短路即为直流通路，图略。 图P2.2所示各电路的交流通路如解图P2.2所示； (a) (b) (c) (d) 解图P2.2
2.4 电路如图P2.4 (a)所示，图(b)是晶体管的输出特性，静态时0.7BEQ U V =。利用图解法分别求出L R =∞和3L R k =Ω时的静态工作点和最大不失真输出电压om U （有效值）。 (a) (b) 图P2.4 解：空载时：20,2,6BQ CQ CEQ I A I mA U V μ=== 最大不失真输出电压峰值约为5.3V ，有效值约为3.75V 。 带载时：20,2,3BQ CQ CEQ I A I mA U V μ===； 最大不失真输出电压峰值约为2.3V ，有效值约为1.63V 。如解图P2.4 所示。 解图P2.4 图P2.5 2.7电路如图P2.7所示，晶体管的β=80 ，'100bb r =Ω。分别计算L R =∞和3L R k =Ω时的Q 点、u A 、i R 和o R 。 解：在空载和带负载情况下，电路的静态电流、be r 均相等，它们分别为： 22CC BEQ BEQ BQ b s V U U I A R R μ-=- ≈ 1.76CQ BQ I I mA β=≈ '26(1) 1.3be bb EQ mV r r k I β=++≈Ω
空载时，静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻分别为： 6.2CEQ CC CQ c U V I R V =-≈； 308c u be R A r β=- ≈- // 1.3i b be be R R r r k =≈≈Ω； 93be us u be s r A A r R ≈?≈-+ 5o c R R k ==Ω 3L R k =Ω时，静态管压降、电压放大倍数分别为： (//) 2.3L CEQ CC CQ c L L c R U V I R R V R R = -≈+ (//) 115c L u be R R A r β=- ≈- 34.7be us u be s r A A r R ≈ ?≈-+ // 1.3i b be be R R r r k =≈≈Ω 5o c R R k ==Ω。 2.11 电路如图P2.11所示，晶体管β=100，b b r '=100Ω。 (1)求电路的Q 点、u A 、i R 和o R ； (2)若改用β=200的晶体管，则Q 点如何变化？ (3)若电容C e 开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？ 解：(1)静态分析： 1 12 2b BQ CC b b R U V V R R = ?=+ 1BQ BEQ EQ f e U U I mA R R -= =+ 101EQ BQ I I A μβ = =+ e (R ) 5.7CEQ CC EQ c f U V I R R V =-++= 图P2.11 动态分析：'26(1) 2.73be bb EQ mV r r k I β=++≈Ω (//) 7.7(1)c L u be f R R A r R ββ=- =-++ 12////[(1)] 3.7i b b be f R R R r R k β=++≈Ω
模拟电路习题及答案-免费下载(1)
填空题 1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V；锗二极管的门槛电压约为_0.1_V，导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。 2、二极管的正向电阻小；反向电阻大。 3单向导电性大于漂移电流，耗尽层变窄。 4单向导电性 电阻 5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下 模拟电子技术。 6、PN 结反向偏置时，PN 增强具有具有单向导电 7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为0.7V th 约为0.5伏。 8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。 9、P 型半导体的多子为空穴、N 自由电子、本征半导体的载流子为电子—空穴对。 10、因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为 空穴 （P）半导体和 电子 （N） 11、二极管的最主要特性是单向导电性，它的两个主要参数是反映正向特性的最大整流电流和反映反向特性的反向击穿电压。 12、在常温下，硅二极管的开启电压约为0.5 V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7 V。 13输出随频率连续变化的稳态响应 15、N 型半导体中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴 16甲类、乙类、甲乙类三种基本类型。 17、在阻容耦合多级放大电路中，影响低频信号放大的是耦合和旁路电容，影响高频信号放大的是结电容。 18、在 NPN 三极管组成的基本共射放大电路中，如果电路的其它参数不变，三极管的β增加，则 I BQ增大， I CQ增大， U CEQ减小。 19截止，饱和，放大。集成运算放大器是一种采用直接耦合方式的放大电路。 20、某放大电路中的三极管，在工作状态中测得它的管脚电压 V a = 1.2V， V b = 0.5V, V c = 3.6V, 试问该三极管是硅管管（材料），NPN型的三极管，该管的集电极是a、b、c中的C。 21、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为 60dB 和 20dB, 则该放大电路总的对数增益为80 dB，总的电压放大倍数为 10000 。 发射结正偏、集电结反偏 得管脚电压V a= -1V，V b=-3.2V, V c=-3.9V,这是硅管（硅、锗），NP N型，集电极管 a。 23、三种不同耦合方式的放大电路分别为：阻容（RC）耦合、直接耦合和_变压器耦合_，其中直接耦合能够放大缓慢变化的信号。 24、在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级的负载，而前级的输出电阻可视为后级的信号源的内阻。多级放大电路总的通频带比其中每一级的通频带要窄。 4V，接入12kΩ 3V，这说明放大 4 kΩ。 26 正向偏置，集电结反向偏置。②对于ＮＰＮ型三极管，应使 V BC＜0 27变压器耦合三大类。 28、在三极管组成的三种不同组态的放大电路中，共射和共基组态有电压放大作用，共射组态有电 共射和共集组态有倒相作用；共集组态带负载能力强，共集 共基 29共集、共基、共射。 30直接耦合，阻容耦合，变压器耦合 31O I O I 1800；当为共集电极电路时，则V O和V I0
模拟电子技术习题答案1
模拟电子技术 习题答案 电工电子教学部 2012.2
第一章 绪论 一、填空题： 1. 自然界的各种物理量必须首先经过 传感器 将非电量转换为电量，即 电信号 。 2. 信号在频域中表示的图形或曲线称为信号的 频谱 。 3. 通过傅立叶变换可以实现信号从 时域 到频域的变换。 4. 各种信号各频率分量的 振幅 随角频率变化的分布，称为该信号的幅度频谱。 5. 各种信号各频率分量的 相位 随角频率变化的分布，称为该信号的相位频谱。 6. 周期信号的频谱都由 直流分量 、基波分量 以及 无穷多项高次谐波分量 组成。 7. 在时间上和幅值上均是连续的信号 称为模拟信号。 8. 在时间上和幅值上均是离散的信号 称为数字信号。 9. 放大电路分为 电压放大电路 、电流放大电路、互阻放大电路 以及 互导放大电路 四类。 10. 输入电阻 、输出电阻 、增益 、 频率响应 和 非线性失真 等主要性能指标是衡量放大电路的标准。 11. 放大电路的增益实际上反映了 电路在输入信号控制下，将供电电源能量转换为信号能量 的能力。 12. 放大电路的电压增益和电流增益在工程上常用“分贝”表示，其表达式分别是 dB lg 20v A =电压增益 、dB lg 20i A =电流增益 。 13. 放大电路的频率响应指的是，在输入正弦信号情况下，输出随 输入信号频率连续变化 的稳态响应。 14. 幅频响应是指 电压增益的模与角频率 之间的关系 。 15. 相频响应是指 放大电路输出与输入正弦电压信号的相位差与角频率 之间的关系 。 二、某放大电路输入信号为10pA 时，输出为500mV ，它的增益是多少？属于哪一类放大电路？ 解： Ω105A 10V 50pA 10mV 5001011i o r ?==== -.i v A 属于互阻放大电路 三、某电唱机拾音头内阻为1MΩ，输出电压为1V （有效值），如果直接将它与10Ω扬声器连接，扬声器上 的电压为多少？如果在拾音头与扬声器之间接入一个放大电路，它的输入电阻R i =1MΩ，输出电阻R o =10Ω，电压增益为1，试求这时扬声器上的电压。该放大电路使用哪一类电路模型最方便？ 解：直接将它与10Ω扬声器连接， 扬声器上的电压V 10V 1Ω 10Ω 10V 1Ω10M Ω1Ω1056o -=?≈?+= V 在拾音头与扬声器之间接入放大电路后，使用电压放大电路模型，则等效电路如下图所示
《模拟电子技术》复习题10套及答案
《模拟电子技术》复习题一 一、填空题 1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。 2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。 3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。 4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。 5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。 6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。 7、正弦波振荡电路通常由，，和 四部分组成。 二、选择题 1、利用二极管的（）组成整流电路。 A 正向特性 B 单向导电性 C反向击穿特性 2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。 A空穴 B三价元素硼 C五价元素锑 3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。 A P沟道增强型MOS型 B P沟道耗尽型MOS型 C N沟道增强型MOS型 D N沟道耗尽型MOS型 E N沟道结型 F P沟道结型
图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。 A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃ B 1：ｃ、2：e 、3：ｂ C 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅ D 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。 A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。 A 可能 B 不能 7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。 A 差 B 和 C 算术平均 8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。 A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况 9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。 A 电压串联 B 电压并联 C 电流串联 D 电流并联 10、设图2-10所示电路中二极管D1、D2为理想二极管，判断它们是导通还是截止？（ ） A D1导通，D2导通 B D1导通，D2截止 C D1截止，D2导通 D D1截止，D2截止 三、判断题 （ ）1、温度升高后，本征半导体中自由电子和空穴数目都增多，且增量相同。 （ ）2、结型场效应管通常采用两种偏置方式，即（源极）自给偏压式和栅极分压与源极自偏相结合的偏置方式。 （ ）3、共集电极电路没有电压和电流放大作用。 （ ）4、用电流源代替R e 后电路的差模倍数增加。 （ ）5、集成运放部第一级是差分放大电路，因此它有两个输入端。 （ ）6、只有两个晶体管的类型相同（都为NPN 管或都为PNP 管时）才能组成复合管。 （ ）7、RC 桥式振荡电路只要R ｆ≤2R １就能产生自激振荡。 （ ）8、一个理想的差分放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。 （ ）9、电压负反馈可以稳定输出电压。 （ ）10、直流电源是一种电能形式转换电路，将交流电变为直流电。 四、分析题 电路如图所示： （1）写出输入级、中间级、输出级的电路名称。 + + +++ +------Rb1 Rb2Re1Re2 Rc RL C1Ce C1C2L 15V 8V Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1-2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1+2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3 图2-6 图2-4 图2-5图3-1 + + ++++ ------D2R Rb1Rb2Re1 Re2 Rc RL C1 Ce C1 C2 L 15V 8V B=50 Ui Rf Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1 -2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1 +2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3图2-6 图2-4图2-5图3-1
模拟电路习题答案第章放大电路中的反馈题解
第六章 放大电路中的反馈 自测题 一、在括号内填入“√”或“×”，表明下列说法是否正确。 （1）若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。（ ） （2）负反馈放大电路的放大倍数与组成它的基本放大电路的放大倍数量纲相同。（ ） （3）若放大电路引入负反馈，则负载电阻变化时，输出电压基本不变。 （ ） （4）阻容耦合放大电路的耦合电容、旁路电容越多，引入负反馈后，越容易产生低频振荡。（ ） 解：（1）× （2）√ （3）× （4）√ 二、已知交流负反馈有四种组态： A ．电压串联负反馈 B ．电压并联负反馈 C ．电流串联负反馈 D ．电流并联负反馈 选择合适的答案填入下列空格内，只填入A 、B 、C 或D 。 （1）欲得到电流－电压转换电路，应在放大电路中引入 ； （2）欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在放大电路中引入 ； （3）欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入 ； （4）欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入 。 解：（1）B （2）C （3）A （4）D 三、判断图T6.3所示各电路中是否引入了反馈；若引入了反馈，则判断是正反馈还是负反馈；若引入了交流负反馈，则判断是哪种组态的负反馈， 并求出反馈系数和深度负反馈条件下的电压放大倍数f u A 或f s u A 。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
图T6.3 解：图（a ）所示电路中引入了电流串联负反馈。反馈系数和深度负反 馈条件下的电压放大倍数f u A 分别为 L 3 1321f 32131 R R R R R R A R R R R R F u ?++≈++= 式中R L 为电流表的等效电阻。 图（b ）所示电路中引入了电压并联负反馈。反馈系数和深度负反馈条 件下的电压放大倍数f u A 分别为 1 2f 2 1R R A R F u -≈-= 图（c ）所示电路中引入了电压串联负反馈。反馈系数和深度负反馈条 件下的电压放大倍数f u A 分别为 1 1f ≈=u A F 图（d ）所示电路中引入了正反馈。 四、电路如图T6.4所示。
模拟电路考试题及答案【精】
自测题一 一、判断题 1．因为P型半导体的多数载流子是空穴，所以它带正电。（F） 2．在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（T） 3．处于放大状态的三极管，集电极电流是多数载流子漂移所形成的。（F） 二、单选题 1．半导体中的少数载流子产生的原因是（D）。 A．外电场B．内电场C．掺杂D．热激发2．用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏，好的管子应为（C）。 A．正、反向电阻相等B．正向电阻大，反向电阻小 C．反向电阻比正向电阻大很多倍D．正、反向电阻都等于无穷大 3．二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将（B）。(X 轴为电压) A．右移B．左移C．上移D．下移 4．当外加偏置电压不变时，若工作温度升高，二极管的正向导通电流将（A）。 A．增大B．减小C．不变D．不确定 5．三极管β值是反映（B ）能力的参数。（三极管可改为电流控制电流源） A．电压控制电压B．电流控制电流C．电压控制电流D．电流控制电压 6．温度升高时，三极管的β值将（A ）。 A．增大B．减少C．不变D．不能确定 7．下列选项中，不属三极管的参数是（B ）。 A．电流放大系数B．最大整流电流 C．集电极最大允许电流D．集电极最大允许耗散功率 8．某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为V U6 1 =，V U4.5 2 =，V U12 3 =，则对应该管的管脚排列依次是（B）。 A．e, b, c B．b, e, c C．b, c, e D．c, b, e 9．晶体三极管的反向电流是由（B）运动形成的。 A．多数载流子B．少数载流子 C．扩散D．少数载流子和多数载流子共同 10．三极管工作在放大区，三个电极的电位分别是6V、12V和6.7V，则此三极管是（D）。（发正偏集反偏） A．PNP型硅管B．PNP型锗管C．NPN型锗管D．NPN型硅管 11．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（B）。 A．非饱和区B．饱和区C．截止区D．击穿区12．增强型绝缘栅场效应管，当栅极g与源极s之间电压为零时（B）。 A．能够形成导电沟道B．不能形成导电沟道 C．漏极电流不为零D．漏极电压为零 三、填空题 1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺杂浓度。 2．少数载流子在内电场力作用下有规则的运动称为漂移。 3．PN结正偏导通，反偏截止，称为PN结的单向导电性性能。 4．PN结加正向电压时，空间电荷区将变窄。 5．PN结正向偏置时，PN结的内电场被削弱。 6．三极管最重要的特性是电流放大作用。 7．温度升高时，晶体管的反向饱和电流将增大。 8．场效应晶体管属于电压控制器件。 精选文档
模拟电路课后习题答案
模拟电路课后习题答案 Final approval draft on November 22, 2020
第七章 习题与思考题 ◆◆ 习题 7-1 在图P7-1所示的放大电路中，已知R 1=R 2=R 5=R 7=R 8=10k Ω，R 6=R 9=R 10=20k Ω： ① 试问R 3和R 4分别应选用多大的电阻； ② 列出u o1、u o2和u o 的表达式； ③ 设u I1=3V ，u I2=1V ，则输出电压u o ＝ 解： ① Ω=Ω==k k R R R 5)10//10(//213，Ω≈Ω==k k R R R 67.6)20//10(//654 ② 1111211010I I I o u u u R R u -=-=- =，2226525.1)20 10 1()1(I I I o u u u R R u =+=+=， ③ V V u u u I I o 9)1332(3221=?+?=+= 本题的意图是掌握反相输入、同相输入、差分输入比例运算电路的工作原理，估算三种比例电路的输入 输出关系。 ◆◆ 习题 7-2 在图P7-2所示电路中，写出其 输出电压u O 的表达式。 解： 本题的意图是掌握反相输入和同相输入比例 电路的输入、输出关系。 ◆◆ 习题 7-3 试证明图P7-3中，)(1122 1 I I o u u R R u -= ）＋（ 解： ◆◆ 解： ◆◆ 解：
◆◆ 习题 7-6 试设计一个比例运算放大器，实现以下运算关系：u O =。请要求画出电路原理图，并估算各电阻的阻值。希望所用电阻的阻抗在20k Ω至200k Ω的范围内。 解： 上图为实现本题目要求的一种设计方案，使5.0)1()5.0(21=-?-=?=uf uf uf A A A ，即 I O u u 5.0=。 本题的意图是在深入掌握各种比例运算电路性能的基础上，采用适当电路实现给定的运算关系。以上只是设计方案之一。 ◆◆ 习题 7-71为阻值在1k Ω~10k Ω之间可调的电位器，R 2=R 3=20k Ω，R 4=R 5=33k Ω，R 6=R 7=100k Ω，试估算电路的输出电压与输入电压之间的比例系数的可调范围。 解： 当R1 当R1 ◆◆ 解： u o -=2 o u =， A uf = 本题的意图是了解T 型反馈网络比例电路的特点，学习估算电压放大倍数和输入电 阻。 ◆◆ 习题 7-9 写出图P7-9(a)和(b)所示运算电路的输入输出关系。 解： （a ） 11110110 I I O u u u -=-= （b ） 321321444 14 )141(411)141(14I I I I I I O u u u u u u u ++-=+?+++? ++-= 本题的意图是对比例电路及求和电路进行综合训练。 ◆◆ 习题 7-10 试用集成运放组成一个运算电路，要求实现以下运算关系： 解：