量子点发光材料综述

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量子点

1.量子点简介

1.1量子点的概述

量子点(quantum dot, QD)是一种细化的纳米材料。纳米材料是指某一个维度上的尺寸小于100nm的材料,而量子点则是要求材料的尺寸在3个维度都要小于100nm[1]。更进一步的规定指出,量子点的半径必须要小于其对应体材料的激子波尔半径,其尺寸通常在1-10nm左右[2]。由于量子点半径小于对应体材料的激子波尔半径,量子点能表现出明显的量子点限域效应,此时载流子在三个方向上的运动受势垒约束,这种约束主要是由静电势、材料界面、半导体表面的作用或是三者的综合作用造成的。量子点中的电子和空穴被限域,使得连续的能带变成具有分子特性的分离能级结构[1]。这种分离结构使得量子点有了异于体材料的多种特性以及在多个领域里的特殊应用。

1.2量子点的特性

由于量子点中载流子运动受限,使得半导体的能带结构变成了具有分子原子特性的分离能级结构,表现出与对应体材料完全不同的光电特性。

1.2.1 量子尺寸效应

纳米粒子中的载流子运动由于受到空间的限制,能量发生量子化,连续能带变为分立的能级结构,带隙展宽,从而导致纳米颗粒的吸收和荧光光谱发生变化[3]。这种现象就是典型的量子尺寸效应。研究表明,随着量子点尺寸的缩小,其荧光将会发生蓝移,且尺寸越小效果越显著[4]。

1.2.2 表面效应

纳米颗粒的比表面积为A A=A

A =4AA2

4

3

AA3

=3

A

,也就是说量子点比表面积随

着颗粒半径的减小而增大。量子点尺寸很小,拥有极大的比表面积,其性质很大程度上由其表面原子决定。当其表面拥有很大悬挂键或缺陷时,会对量子点的光学性质产生极大影响[5]。

1.2.3 量子隧道效应

量子隧道效应是基本的量子现象之一。简单来说,即当微观粒子(例如电子等)能量小于势垒高度时,该微观粒子仍然能越过势垒。当多个量子点形成有序阵列,载流子共同越过多个势垒时,在宏观上表现为导通状态。因此这种现象又

称为宏观量子隧道效应[6][7]。

1.2.4 介电限域效应

上世纪七十年代Keldysh等人首先发现了介电限域效应[8]。该现象可以表示为在不同介质中,因两种不同材料接触界面引起的介电作用变强的现象。与未被介质包裹的量子点相比,被介质包裹的量子点屏蔽效应变弱,带电粒子间库伦作用变大,增加了激子的振子强度和结合能,体现到吸收光谱上就表现为光谱红移。

1.2.5 Stark效应

在量子点上加上外电场时,激子会得到额外的能量,第一吸收峰会发生改变,这种现象称为Stark效应。对量子点而言,所有外加电场均会导致吸收光谱的红移,且红移程度随电场强度的增加而增加[9]。

1.3半导体量子点的光学性质

量子点的发光原理与常规半导体发光原理相近,均是材料中载流子在接受外来能量后,达到激发态,在载流子回复至基态的过程中,会释放能量,这种能量通常以光的形式发射出去。与常规发光材料不同的是,量子点发光材料还具有一下的一些特点。

1.3.1 发射光谱可调节

半导体量子点主要由ⅡB-ⅥA、ⅢA-ⅤA或者ⅣA-ⅥA族元素构成。尺寸、材料不同的量子点发光光谱处于不同的波段区域[10]。如不同尺寸的ZnS量子点发光光谱基本涵盖紫外区,CdSe量子点发光光谱基本涵盖可见光区域,而PbSe量子点发光光谱基本涵盖红外区,如图1.1所示[11]。

图1.1 常见量子点发光光谱分布区间

即使是同一种量子点材料,其尺寸的不同,其发光光谱也不一样。以CdSe 为例,如图1.2所示,当CdSe颗粒半径从1.35nm增加至2.40nm时,其发射光波长从510nm增加至610nm。

图1.2 不同尺寸CdSe量子点及其发光照片

1.3.2宽的激发光谱和窄的发射光谱

能使量子点达到激发态的光谱围较宽,只要激发光能量高于阈值,即可使量子点激发。且不论激发光的波长为多少,固定材料和尺寸的量子点的发射光谱是固定的,且发射光谱围较窄且对称。

1.3.3 较大的斯托克斯位移

量子点材料发射光谱峰值相对吸收光谱峰值通常会产生红移,发射与吸收光谱峰值的差值被称为斯托克斯位移。相反,则被称为反斯托克斯位移。斯托克斯位移在荧光光谱信号的检测中有广泛应用。量子点的斯托克斯位移较常规材料而言要大。

2.量子点的应用

量子点在生物医学、能源材料等领域都有巨大的应用价值。

2.1 能源领域

量子点制备的初衷即为能源应用。随着工业发展,当今能源需求日益増加,如何解决能源危机已经成为当前热口。相较其它方面而言,太阳能属于蕴藏量巨大且可再生资源,同时也是环保无污染资源。因此如何有效的开发太阳能电池是目前在能源利用方面千分重大的课题。目前最常见的珪晶太阳能电池受限于热载流子的浓度,其上限很难超过32%[12],然而量子点作为窄带隙材料,可以大幅度提高光能利用率,增加太阳能电池的转化效率。量子点太阳能电池的优点是显而易见的,一是量子点拥有较高的载流子迁移率,可以大幅度增加光电转化效率;二是带隙可调节,这不仅可以使激发光谱覆盖太谱,增加光能利用率,还可让量子点在特定环境中工作。量子点在太阳能电池领域有着巨大的潜力与优势。

2.2 发光器材

量子点具有发光波长可调谐,发光线宽窄,发光效率高,光、热及化学稳定性好等优点,经过溶液加工、旋涂或喷墨印刷成膜后集成到电致发光器件(Light- emitting device,LED)中可以作为有效的激子辐射复合中心,是应用于固态照明和全色平板显示的新一代发光材料。量子点LED与传统的荧光粉LED以及目前的有机LED相比,用于显示和照明时,具有色域广、色纯度高、低功耗、低成本、易加工等优点[13]。

2.3 光电探测

基于量子点可调节的吸收谱,研究人员可以合成具有特定吸收峰的量子点附着于探测器上,甚至可以制作特定的光电感应器件,用于特殊环境光强探测及校准[14]。

2.4 生物应用

量子点在生物上的应用最为广泛也最为成熟,主要分为细胞成像和分子示踪这两方面。

2.4.1 细胞成像

现代医学己经到了一个全新的高度,研充者不仅可以定量研究药物的疗效,甚至能够实时监测药物的作用机制,因此,相应的细胞标记技术便成了至关重要的技术手段。与传统荧光材料相比,量子点具有宽吸收谱、窄荧光谱、高稳定性的特点,而能更好的应用于生物标记[15]、细胞成像[16]。

2.4.2 分子示踪[17]

相较于细胞标记,分子示踪对技术要求更进一步。在实际临床上,研究者不仅可以检测细胞的动向,同时可以定向研究药物在病体中的趋势,具有实时分析的重要意义。

2.5 激光器

由于量子点的限域效应,使其阈值电流降低、工作温度升高,这些因素都在一定程度上提高了激光器的质量[18]。

2.6 量子点的其他应用

由于量子点的特殊光电效应,量子点在红外探测器、离子传感器等方面也得到有很好的应用。

3.量子点的制备

量子点的制备方法多种多样,不同方法制备出来的量子点性能也各不相同,可根据实际需求选择不同的实验方法。制备方法大致可分为三大类:固相法、液相法和气相法,并且每一类又有多种制备手段[19]。

3.1 固相法

固相法制备量子点通常为物理方法,一般分为物理粉碎法、机械球磨法和真空冷凝法。固相法的优点在于该法制备出的量子点结构优异,其操作方法简单,但成本高昂,对设备要求很高,且易引入杂质,对量子点的尺寸和表面性质的精确控制方面有所欠缺。

3.2气相法

3.2.1 物理气相法

气相法分为物理气相法和化学气相法。物理气相沉淀法(Physical Vapor Deposition, PVD)在整个纳米材料形成过程中没有化学反应的发生,该法主要是在真空条件下,采用物理方法将材料源——固体或液体表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子,并通过低压气体(或等离子体)过程,在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。物理气相沉积法具有过程简单,对环境改善,无污染,耗材少的优势,但由于过程不发生化学反应,所以只能适用于现有物质的纳米化。

3.2.2 化学气相法

化学气相气相法也叫化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition, CVD),该法是直接利用气体,或者通过各种手段将物质转变为气体,使之在气体状态下发生化学反应得到想要产物,最后在冷却过程中凝聚长大形成纳米粒子的方法。通过该法可制备出的纳米材料具有纯度高、颗粒分散性好、粒径分布窄、粒径小的特点,但同时,该法的反应源和反应后的余气易燃、易爆或有毒,因此需要采取防止环境污染的措施,且对设备往往还有耐腐蚀的要求。

3.3液相法

液相法主要发生在溶剂中,是量子点合成适用最广泛的方法,该方法常通过选用合适的前驱体(核心部分)和配体(稳定剂,用于防止团聚),通过控制反应条件(温度、浓度等)获得具有不同尺寸的量子点。

3.3.1 有机金属高温分解法

目前,该法是合成量子点最常用的一种化学方法,也是最成功的合成高质量纳米粒子的方法之一。如Murray在1993年首先提出了这一制备方法[20],利用含有Se、Te、Cd等的有机金属作为前驱体,在配位溶剂TOPO中制备出了CdS、CdSe、CdTe量子点。该法是无水无氧的条件下,在高沸点的有机溶剂中利用前躯体热解制备量子点的方法,即将有机金属前躯体溶液注射进有机配位溶剂液中,前躯体在无水无氧及高温条件下迅速热解并成核,晶核缓慢生长成为纳米晶粒。该方法制备的量子点具有种类多和量子产率高等优点,其粒径分布也可用多种手段进行控制。通过有机金属高温分解法制备的量子点具有量子产率高和发射峰窄的特点,但是该方法也有原料成本较高,反应条件要求苛刻,操作过于复杂,实验条件不易控制,毒性较大且易燃易爆等不足之处。

3.3.2 “绿色化学”有机相合成法

与有机金属高温分解法类似,该方法仍然利用高温使量子点快速成核并缓慢生长。该方法的特点是使用非配体有机溶剂和烷基非金属前驱体。该方法选用毒

性小的金属氧化物(CdO)或盐(Cd(OOCCH

3)

2

, CdCO

3

)为原料,并沿用烷基非金属化

合物为前驱体,选用长烷基链的酸、氨、磷酸、氧化磷为配体;以高沸点有机溶剂为介质。这一改进降低了成本以及对设备的要求,最主要的是减少了对环境的污染。但是产物在空气中的不稳定性限制了它们的潜在应用,有机相中的量子点必须通过进一步的表面亲水修饰才能具备生物亲合性。但亲水修饰过程不但需要复杂的表面配体交换,而且会破坏纳米晶的发光性质。因此,研究在水溶液中直接合成量子点,即水相合成法,对于量子点的进一步推广及应用具有重要意义。

3.3.3水相合成法

水相合成法的基本原理是在水溶液中利用水溶性的配体作为稳定剂,直接合成水溶性的纳米粒子。目前主要有巯基化合物和聚合物作为稳定剂。其中巯基化合物以性质稳定、价格便宜、毒性较小等优点而广泛应用。相比有机相合成法,水相合成法操作简单、成本低。由于量子点是直接在水相中合成的,既解决了量子点的水溶性问题,又提高了量子点的稳定性。但水相法往往耗时较长,需经过长时间的回流过程才能得到理想的荧光性能和尺寸分布。

3.3.4 水热法及微波法

水热法和微波法也是近年来常用的量子点的制备技术[21]。水热法是将反应物放入高压反应釜中,通过将水加热到接近临界温度而制备量子点的方法。由于反应釜产生的高压,可以将水的沸点提至100℃以上,如此便打破常压下对制备温度的限制。该方法制备巯基乙酸包覆的CdTe量子点,在未作优化的前提下,其

荧光量子产率便可超过30%。

微波法是利用微波辐射原理,从分子部进行加热,有效地改善了传统方法的水浴加热所导致的局部温度过高等问题。Rogach等人[22]从2000年开始利用微波辅助加热的方法,不仅制备出CdSe单核量子点和CdSe/CdS核壳式量子点,又融合了光刻蚀技术,使CdSe/CdS荧光量子产率提高到40%左右。

4.检测方法

4.1 透射电子显微镜(TEM)

由 TEM图像可以获得量子点的尺寸,并且可以看出量子点的形貌结构,如对于核壳结构量子点而言,通过TEM可以观测到核壳是否完全包覆,和核壳的尺寸大小及晶格参数。

4.2 X射线衍射(XRD)

X 射线衍射强度分布与纳米粒子的颗粒尺寸密切相关。一般而言,量子点尺寸越小,某一衍射线的宽度会增加。计算纳米粒子平均粒径的常用方法是Debye-Scherrer法[23],计算公式为D=AA

AAAAA

。式中,λ是X射线的波长;K 是形状因子,取值围是0.85-0.9,一般取 0.89;B是相应衍射线的半宽度;θ是相应衍射线的布拉格角。实际测试表明,这种方法得到的结果与TEM的观测结果是一致的。

4.3 吸收光谱与发射光谱

根据量子点的特性估算吸收光谱及发射光谱波长概值,而选用合适的光谱仪进行测量。

4.4 辐射度量与光度量

辐射亮度是指量子点LED在某一方向上、单位立体角的辐射通量,其单位为瓦特每球面度平方米,即W·sr-1·m-2。波长在380至780nm之间的是可见光,

可见光辐射也是能量传播形式的一种。用字符Q

e

表示辐射能(radiant energy),

单位为焦耳(J);用字符Φ

e 表示辐射通量;用字符Q

e

表示辐射功率;用L

e

表示

辐射亮度。假设LED发光总面积为dA,当与表面法线N成θ角,在dΩ立体角

发出的辐射通量为dΦ

e 时,辐亮度L

e

表示如下公式:

A A=

AΦA AAAAAAAΩ

光度量是按人眼视觉响应特性建立的表征可见光的量,所以,人的视觉特性

决定着光度量和辐射量关系。用 L

v

表示光亮度。若LED发光面积为dA,在元立

体角dΩ,在和表面法线N成θ角方向发射的光通量为dΦ

v

,则光亮度表示为:

A A=

AΦA AAAAAAAΩ

4.5 色度量

CIE-RGB系统分别用波长7×10-7m表示红色、5.461×10-7m表示绿色、4.358×10-7m表示蓝色,分别用R、G、B表示,亦称为三原色。用此三原色匹配等能光谱色。与待测光达到颜色匹配所需的三种原色刺激的量,分别用X(红原色刺激量)、Y(绿原色刺激量)和Z(蓝原色刺激量)表示。用如下公式表示:

X=k∑S(λ)A???(A)ΔA

Y=k∑S(λ)A???(A)ΔA

Z=k∑S(λ)A???(A)ΔA

CIE为了统一尺度,规定光源的Y刺激值为100。另外规定x=A

A+A+A

、y=

A

A+A+A

为色坐标,图4.1是CIE1931色坐标图,给出相应的x,y数值,色坐标图中的某点位置与色温等参数就确定了。

图4.1 色坐标图

色温是LED光显色的重要参数,表示当LED光与黑体在某一特定温度下辐射光的颜色相同时,此时黑体的温度称为该LED的相关色温。

显色指数(CRI)是描述LED光源颜色特性的重要指标,是被测光源照射物体后显示的心理颜色与标准参照光源照射同一物体后显示颜色的差异,完全相同表示显色指数为100,差异越大,显色指数越低。通常,被测LED光源发射光谱与标准光源光谱成分不同时,尤其是缺少某种光谱时,显色指数都不会很高。

4.6 量子产额

量子产额又称量子效率,光源的辐射效率是指在给定波长围,量子点LED

光源发射的辐射功率P

E 与产生这些辐射通量所需电功率P

e

之比,即:

A A=A A

A

=

1

A

∫A(A)

A2

A1

AA

这是一个无量纲的百分数。

与之类似的是量子点LED光源发射的光通量P

V

与产生这些光通量所需电功

率P

e 之比,称为该光源的发光效率η

V

,其单位是流明每瓦(lm/W):

A A=

A A

A

=

1

A

∫A(A)

780

380

AA

此外,LED 的发光性质通常用、外量子效率表示。量子点LED的量子效率

IQE(internal quantum efficiency),定义为单位时间有源层载流子复合发出的光子数与注入LED的电子数的比值,用η

int

表示,公式为:

A AAA=每秒载流子复合发射的光子数

AAA注入的电子数

=

A AAA AA

?

A A

?

量子点LED的外量子效率EQE定义为:单位时间LED发出的光子数与注入LED 的电子数的比值,用η

ext

表示,公式为:

A AAA=每秒AAA发射的光子数

AAA注入的电子数

=

A AAA AA

?

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发光材料

上海理工大学 目录 一、引言 (1) 二、发光现象及其原理 (1) 2.1荧光现象 (1) 2.2 LED现象 (2) 2.3白炽灯现象 (2) 2.4 HID现象 (2) 2.5有机发光原理 (2) 三、发光材料的应用 (3) 3.1光致发光材料 (3) 3.2阴极射线发光材料 (4) 3.3电致发光材料 (4) 3.4辐射发光材料 (4) 3.5光释发光材料 (5) 3.6热释发光材料 (5) 3.7高分子发光材料 (5) 3.8纳米发光材料 (6) 四、结束语 (6) 五、参考文献 (7)

发光材料 一、引言 众所周知[1],材料、能源和信息是21世纪的三大支柱。发光材料作为人类生活中最为重要的材料之一,有着极其重要和特殊的地位。随着科学技术的进一步发展,发光材料广泛运用于化工、医药食品、电力、公用工程、宇航、海洋船舶等各个领域。各种新型高科技在运用于人类日常生活中,势必都需要用到部分不同成分和性质的发光材料。 从20世纪70年代起,科学家们发现将稀土元素掺入发光材料,可以大大提高材料的光效值、流明数和显色性等性能,从此开启了发光材料发展的又一个主要阶段。世界己经离不开人造光源,荧光灯作为最普遍的人造光源之一己在全世界范围内开始应用,据统计全世界60%以上的人工造光是由荧光灯提供的,而大部分荧光灯就是利用稀土三基色荧光粉发光的。 二、发光现象及其原理 不同发光材料的发光原理不尽相同,但是其基本物理机制是一致的:物质原子外的电子一般具有多个能级,电子处于能量最低能级时称为基态,处于能量较高的能级时称为激发态;当有入射光子的能量恰好等于两个能级的能量差时,低能级的电子就会吸收这个光子的能量,并跃迁到高能级,处于激发态;电子在激发态不稳定,会向低能级跃迁,并同时发射光子;电子跃迁到不同的低能级,就会发出不同的光子,但是发出的光子能量肯定不会比吸收的光子能量大。 2.1荧光现象 荧光发光的主要原理:紫外线的光子的能量比可见光的能量大;当荧光物质被紫外线照射时,其基态电子就会吸收紫外线的光子被激发而跃迁至激发态;当它向基态跃迁时,由于激发态与基态间还有其他能级,所以此时释放的光子能量就会低于紫外线的能量,而刚好在可见光的范围内,于是荧光物质就会发出可见光,这种光就叫做荧光。常见的日光灯发 1

上转换发光材料

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(完整word版)量子点LED

量子点LED专题报告 一、什么是量子点LED? 量子点LED是把有机材料或者LED芯片和高效发光无机纳米晶体结合在一起而产生的具有新型结构的量子点有机发光器件。相对于传统的有机荧光粉,量子点具有发光波长可调(可覆盖可见和近红外波段)、荧光量子效率高(可大于90%)、颗粒尺寸小、色彩饱和度高、可 低价溶液加工、稳定性高等优点,尤其值得注意的是高色纯度的发光使得其色域已经可以超过HDTV标准色三角。因此基于量子点的发 光二极管,有望应用于下一代平板显示和照明。

表征量子点的光电参数: 1、光致发光谱(PL谱):光致发光谱反映的是发射光波长与发光强度的关系。从PL谱上可以得到发光颜色的单色性、复合发光的机制、量子点的颗粒尺寸大小及分布均匀性、本征发射峰波长等基本光学信息。量子点光致发光谱的半高宽越窄,说明量子点的发光单色性越好,器件的缺陷和杂质复合发光越少。 2、紫外可见吸收谱:量子点的紫外可见吸收谱反映的是量子点对不同波长光的吸收程度,从谱中吸收峰的位置可计算出量子点的禁带宽度。量子点吸收谱的第一吸收峰与光致发光谱的发射峰的偏移是斯托

克斯位移,斯托克斯位移越大,量子点的自吸收越弱,量子点的荧光强度越高。 3、光致发光量子产率:量子点溶液的光致发光量子产率是通过与标准荧光物质(一般用罗丹明6G)的荧光强度对比而测出。量子点高的量子产率能有效提升器件的发光效率,但纯核量子点沉积成薄膜后量子产率将比在溶液中的量子产率下降1到2个数量级。量子点也存在荧光自淬灭现象,这是由存在于不均匀尺寸分布的量子点中的激子通过福斯特能量转移到非发光点进行非辐射复合所引起。 二、量子点LED在照明显示中的应用方案 量子点的发射峰窄、发光波长可调、荧光效率高、色彩饱和度好,非常适合用于显示器件的发光材料。量子点LED在照明显示领域中的应用方案主要包括两个方面:a、基于量子点光致发光特性的量子点背光源技术(QD-BLU,即光致量子点白光LED);b、基于量子点电致发光特性的量子点发光二极管技术(QLED)。

量子点发光材料综述

量子点发光材料综述 1.量子点简介 1.1量子点的概述 量子点(quantum dot, QD)是一种细化的纳米材料。纳米材料是指某一个维度上的尺寸小于100nm的材料,而量子点则是要求材料的尺寸在3个维度都要小于100nm[1]。更进一步的规定指出,量子点的半径必须要小于其对应体材料的激子波尔半径,其尺寸通常在1-10nm左右[2]。由于量子点半径小于对应体材料的激子波尔半径,量子点能表现出明显的量子点限域效应,此时载流子在三个向上的运动受势垒约束,这种约束主要是由静电势、材料界面、半导体表面的作用或是三者的综合作用造成的。量子点中的电子和空穴被限域,使得连续的能带变成具有分子特性的分离能级结构[1]。这种分离结构使得量子点有了异于体材料的多种特性以及在多个领域里的特殊应用。 1.2量子点的特性 由于量子点中载流子运动受限,使得半导体的能带结构变成了具有分子原子特性的分离能级结构,表现出与对应体材料完全不同的光电特性。 1.2.1 量子尺寸效应 纳米粒子中的载流子运动由于受到空间的限制,能量发生量子化,连续能带变为分立的能级结构,带隙展宽,从而导致纳米颗粒的吸收和荧光光谱发生变化[3]。这种现象就是典型的量子尺寸效应。研究表明,随着量子点尺寸的缩小,其荧光将会发生蓝移,且尺寸越小效果越显著[4]。 1.2.2 表面效应 纳米颗粒的比表面积为,也就是说量子点比表面积随着颗粒半径的减小而增大。量子点尺寸很小,拥有极大的比表面积,其性质很大程度上由其表面原子决定。当其表面拥有很大悬挂键或缺陷时,会对量子点的光学性质产生极大影响[5]。 1.2.3 量子隧道效应 量子隧道效应是基本的量子现象之一。简单来说,即当微观粒子(例如电子等)能量小于势垒高度时,该微观粒子仍然能越过势垒。当多个量子点形成有序

发光材料

发光材料 连新宇豆岁阳董江涛陈阳郭欣高玮婧 北京交通大学材料化学专业100044 摘要:本文简要介绍了发光材料的发光机理,并根据机理分类介绍了几种典型的发光材料。补充介绍了新型发光材料并对发光材料的现状进行了介绍对其应用和发展前景做了展望。 关键词:发光材料分类新型展望 1 引言 发光材料已成为人们日常生活中不可缺少的材料,被广泛地用在各种显示、照明和医疗等领域,如电视屏幕、电脑显示器、X射线透射仪等。目前发光材料主要是无机发光材料,从形态上分,有粉末状多晶、薄膜和单晶等。最近,有机材料在电致发光上获得了重要应用。[1] 2 发光材料 发光是一种物体把吸收的能量,不经过热的阶段,直接转换为特征辐射的现象。发光现象广泛存在于各种材料中,在半导体、绝缘体、有机物和生物中都有不同形式的发光。 发光材料分为有机和无机两大类。通常把能在可见光和紫外光谱区发光的无机晶体称为晶态磷光体,而将粉末状的发光材料称为荧光粉。[2] 常用的发光材料按激发方式分为: (1) 光致发光材料,由紫外光、可见光以及红外光激发而发光,按照发光性能、应用范 围的不同,又分为长余辉发光材料、灯用发光材料和多光子发光材料。 (2) 阴极射线发光材料,由电子束流激发而发光的材料,又称电子束激发发光材料。 (3) 电致发光材料,由电场激发而发光的材料,又称为场致发光材料。 (4) X射线发光材料,由X射线辐射而发光的材料。 (5) 化学发光材料,两种或两种以上的化学物质之间的化学反应而引起发光的材料。 (6) 放射性发光材料,用天然或人造放射性物质辐照而发光的材料。 2.1光致发光材料 2.1.1光致发光材料的定义 发光就是物质内部以某种方式吸收能量以后,以热辐射以外的光辐射形式发射出多余的能量的过程。用光激发材料而产生的发光现象,称为光致发光。光致发光材料一个主要的应用领域是照明光源,包括低压汞灯、高压汞灯、彩色荧光灯、三基色灯和紫外灯等。其另一个重要的应用领域是等离子体显示。

半导体量子点发光

. 半导体量子点发光 一、半导体量子点的定义 当半导体的三维尺寸都小于或接近其相应物质体相材料激子的玻尔半径(约5.3nm)时,称为半导体量子点。 二、半导体量子点的原理 在光照下,半导体中的电子吸收一定能量的光子而被激发,处于激发态的电子向较低能 级跃迁,以光福射的形式释放出能量。大多数情况下,半导体的光学跃迁发生在带边,也就是说光学跃迁通常发生在价带顶和导带底附近。半导体的能带结构可以用图的简化模型来表 示。如图所示,直接带隙是指价带顶的能量位置和导带底的能量位置同处于一个K 空间,间接带隙是指价带顶位置与导带底位置的K 空间位置不同。电子从高能级向低能级跃迁,伴随着发射光子,这是半导体的发光现象。

. 对于半导体量子点,电子吸收光子而发生跃迁,电子越过禁带跃迁入空的导带,而在原来的价带中留下一个空穴,形成电子空穴对(即激子),由于量子点在三维度上对激子施加 量子限制,激子只能在三维势垒限定的势盒中运动,这样在量子点中,激子的运动完全量子 化了,只能取分立的束缚能态。激子通过不同的方式复合,从而导致发光现象。原理示意图,如图所示,激子的复合途径主要有三种形式。 (1)电子和空穴直接复合 ,产生激子态发光。由于量子尺寸效应的作用 ,所产生的发射光的波长随着颗粒尺寸的减小而蓝移。 (2)通过表面缺陷态间接复合发光。在纳米颗粒的表面存在着许多悬挂键,从而形成了许多表面缺陷态。当半导体量子点材料受光的激发后,光生载流子以极快的速度受限于表面缺 陷态而产生表面态发光。量子点的表面越完整,表面对载流子的捕获能力就越弱,从而使得表面态的发光就越弱。 (3)通过杂质能级复合发光。杂质能级发光是由于表面分子与外界分子发生化学反应生 成其它杂质,这些杂质很容易俘获导带中的电子形成杂质能级发光。 以上三种情况的发光是相互竞争的。如果量子点的表面存在着许多缺陷,对电子和空穴的俘获能力很强,电子和空穴一旦产生就被俘获,使得它们直接复合的几率很小,从而使得激子态的发光就很弱,甚至可以观察不到,而只有表面缺陷态的发光。 为了消除由于表面缺陷引起的缺陷态发光而得到激子态的发光,常常设法制备表面完整 的量子点或者通过对量子点的表面进行修饰来减少其表面缺陷,从而使电子和空穴能够有效 地直接复合发光。

发光材料

发光材料 发光与发光材料的定义 什么是发光: 1、当某种物质受到激发(射线、高能粒子、电子束、外电场等)后,物质将处于激发态,激发态的能量会通过光或热的形式释放出来。如果这部分的能量是位于可见、紫外或是近红外的电磁辐射,此过程称之为发光过程。 2、发光就是物质在热辐射之外以光的形式发射出多余的能量,这种发射过程具有一定的持续时间。 什么是发光材料: 能够实现上述过程的物质叫做发光材料。物质内部以某种方式吸收能量,将其转化成光辐射(非平衡辐射)的过程称为发光;在实际应用中,将受外界激发而发光的固体称为发光材料。它们可以粉末、单晶、薄膜或非晶体等形态使用,主要组分是稀土金属的化合物和半导体材料,与有色金属关系很密切。 高纯稀土氧化物Y2O3、Eu2O3、Gd2O3、La2O3、Tb4O7等制成的各种荧光体,广泛应用于彩色电视机、彩色和黑白大屏幕投影电视、航空显示器、X射线增感屏,以及用于制作超短余辉材料、各种灯用荧光粉等。 半导体发光材料有ZnS、CdS、ZnSe和GaP、GaAs1-xPx、GaAlAs、GaN等。主要用于制造各色大中型数字符号、图案显示器、数字显示钟、X 射线图像增强屏和长寿命各色发光二极管、数码管等。可见光发光二极管,因显示响应速度快而广泛应用于仪表、计算机,年产量成倍增长,不断取代其他显示器件

固体能带基本理论 固体中的光学跃迁 固体发光材料基本知识 发光的表征 光致发光材料的应用 1.反光材料这种材料可以将照在其表面上的光迅速地反射回来。材料不同,反射的光的波长范围也就不同。反射光的颜色取决于材料吸收何种波长的光并反射何种波长的光,因此必须要有光照在材料表面,材料表面才能反射光,如各种执照牌、交通标志牌等。光致发光材料是向外发光,而不是反射光。 2.荧光材料吸收一定波长的光,立刻向外发出不同波长的光,称为荧光,当入射光消失时,荧光材料就会立刻停止发光。更确切地讲,荧光是指在外界光照下,人眼见到的一些相当亮的颜色光,如绿色、橘黄色、黄色,人们也常称它们为霓虹光。 荧光材料分无机荧光材料和有机荧光材料。 无机发光材料 无机荧光材料的代表为稀土离子发光及稀土荧光材料,其优点是吸收能力强,转换率高,稀土配合物中心离子的窄带发射有利于全色显示,且物理化学性质稳定。由于稀土离子具有丰富的能级和 4f 电子跃迁特性,使稀土成为发光宝库,为高科技领域特别是信息通讯领域提供了性能优越的发光材料。目前, 常见的无机荧光材料是以碱土金属的硫化物(如 ZnS、CaS)铝酸盐(SrAl2O4, CaAl2O4, BaAl2O4)等作为发光基质,以稀土镧系元素[铕(Eu) 、钐( Sm) 、铒(Er) 、钕(Nd)等] 作为激活剂和助激活剂。 无机荧光体的传统制备方法是高温固相法,但随着新技术的快速更新,发光材料性能指标的提高需要克服经典合成方法所固有的缺陷,一些新的方法应运而生,如燃烧法、溶胶—凝胶法[、水热沉淀法、微波法等。 有机发光材料 在发光领域中,有机材料的研究日益受到人们的重视。因为有机化合物的种类繁多,可调性好,色彩丰富,色纯度高,分子设计相对比较灵活。根据不同的分子结构,有机发光材料可分为:(1) 有机小分子发光材料;(2) 有机高分子发光材料;(3) 有机配合物发光材料。这些发光材料无论在发光机理、物理化学性能上,还是在应用上都有各自的特点。 有机小分子发光材料种类繁多,它们多带有共轭杂环及各种生色团,结构易于调整,通过引入烯键、苯环等不饱和基团及各种生色团来改变其共轭长度,从而使化合物光电性质发生变化。如恶二唑及其衍生物类,三

发光二极管的作用及分类详细资料

发光二极管的作用及分类详细资料 关键字:LED(2891) 发光二极管的作用及分类详细资料 发光二极管的作用 发光二极管(LED)是一种由磷化镓(GaP)等半导体材料制成的、能直接将电能转变成光能的发光显示器件。当其内部有一定电流通过时,它就会发光。图4-21是共电路图形符号。 发光二极管也与普通二极管一样由PN结构成,也具有单向导电性。它广泛应用于各种电子电路、家电、仪表等设备中、作电源指示或电平指示。 2.发光二极管的分类 发光二极管有多种分类方法。 按其使用材料可分为磷化镓(GaP)发光二极管、磷砷化镓(GaAsP)发光二极管、砷化镓(GaAs)发光二极管、磷铟砷化镓(GaAsInP)发光二极管和砷铝化镓(GaAlAs)发光二极管等多种。 按其封装结构及封装形式除可分为金属封装、陶瓷封装、塑料封装、树脂封装和无引线表面封装外,还可分为加色散射封装(D)、无色散射封装(W)、有色透明封装(C)和无色透明封装(T)。 按其封装外形可分为圆形、方形、矩形、三角形和组合形等多种,图4-22为几种发光二极管的外形。

塑封发光二极管按管体颜色又分为红色、琥珀色、黄色、橙色、浅蓝色、绿色、黑色、白色、透明无色等多种。而圆形发光二极管的外径从¢2~¢20mm,分为多种规格。 按发光二极管的发光颜色又可人发为有色光和红外光。有色光又分为红色光、黄色光、橙色光、绿色光等。 另外,发光二极管还可分为普通单色发光二极管、高亮度发光二极管、超高亮度发光二极管、变色发光二极管、闪烁发光二极管、电压控制型发光二极管、红外发光二极管和负阻发光二极管等。 3.普通单色发光二极管 普通单色发光二极管具有体积小、工作电压低、工作电流小、发光均匀稳定、响应速度快、寿命长等优点,可用各种直流、交流、脉冲等电源驱动点亮。它属于电流控制型半导体器件,使用时需串接合适的限流电阻。 图4-23是普通发光二极管的应用电路。 普通单色发光二极管的发光颜色与发光的波长有关,而发光的波长又取决于制造发光二极管所用的半导体材料。红色发光二极管的波长一般为650~700nm,琥珀色发光二极管的波长一般为630~650 nm ,橙色发光二极管的波长一般为610~630 nm左右,黄色发光二极管的波长一般为585 nm左右,绿色发光二极管的波长一般为555~570 nm。

量子点发光材料综述

量子点 1.量子点简介 1.1量子点的概述 量子点(quantum dot, QD)是一种细化的纳米材料。纳米材料是指某一个维度上的尺寸小于100nm的材料,而量子点则是要求材料的尺寸在3个维度都要小于100nm[1]。更进一步的规定指出,量子点的半径必须要小于其对应体材料的激子波尔半径,其尺寸通常在1-10nm左右[2]。由于量子点半径小于对应体材料的激子波尔半径,量子点能表现出明显的量子点限域效应,此时载流子在三个方向上的运动受势垒约束,这种约束主要是由静电势、材料界面、半导体表面的作用或是三者的综合作用造成的。量子点中的电子和空穴被限域,使得连续的能带变成具有分子特性的分离能级结构[1]。这种分离结构使得量子点有了异于体材料的多种特性以及在多个领域里的特殊应用。 1.2量子点的特性 由于量子点中载流子运动受限,使得半导体的能带结构变成了具有分子原子特性的分离能级结构,表现出与对应体材料完全不同的光电特性。 1.2.1 量子尺寸效应 纳米粒子中的载流子运动由于受到空间的限制,能量发生量子化,连续能带变为分立的能级结构,带隙展宽,从而导致纳米颗粒的吸收和荧光光谱发生变化[3]。这种现象就是典型的量子尺寸效应。研究表明,随着量子点尺寸的缩小,其荧光将会发生蓝移,且尺寸越小效果越显著[4]。 1.2.2 表面效应 纳米颗粒的比表面积为,也就是说量子点比表面积随着颗 粒半径的减小而增大。量子点尺寸很小,拥有极大的比表面积,其性质很大程度上由其表面原子决定。当其表面拥有很大悬挂键或缺陷时,会对量子点的光学性质产生极大影响[5]。 1.2.3 量子隧道效应 量子隧道效应是基本的量子现象之一。简单来说,即当微观粒子(例如电子等)能量小于势垒高度时,该微观粒子仍然能越过势垒。当多个量子点形成有序阵列,载流子共同越过多个势垒时,在宏观上表现为导通状态。因此这种现象又

量子点发光材料综述

量子点发光材料综述

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量子点 1.量子点简介 1.1量子点的概述 量子点(quantum dot, QD)是一种细化的纳米材料。纳米材料是指某一个维度上的尺寸小于100nm的材料,而量子点则是要求材料的尺寸在3个维度都要小于100nm错误!未找到引用源。。更进一步的规定指出,量子点的半径必须要小于其对应体材料的激子波尔半径,其尺寸通常在1-10nm左右[2]。由于量子点半径小于对应体材料的激子波尔半径,量子点能表现出明显的量子点限域效应,此时载流子在三个方向上的运动受势垒约束,这种约束主要是由静电势、材料界面、半导体表面的作用或是三者的综合作用造成的。量子点中的电子和空穴被限域,使得连续的能带变成具有分子特性的分离能级结构错误!未找到引用源。。这种分离结构使得量子点有了异于体材料的多种特性以及在多个领域里的特殊应用。 1.2量子点的特性 由于量子点中载流子运动受限,使得半导体的能带结构变成了具有分子原子特性的分离能级结构,表现出与对应体材料完全不同的光电特性。 1.2.1 量子尺寸效应 纳米粒子中的载流子运动由于受到空间的限制,能量发生量子化,连续能带变为分立的能级结构,带隙展宽,从而导致纳米颗粒的吸收和荧光光谱发生变化错误!未找到引用源。。这种现象就是典型的量子尺寸效应。研究表明,随着量子点尺寸的缩小,其荧光将会发生蓝移,且尺寸越小效果越显著[4]。 1.2.2 表面效应 纳米颗粒的比表面积为A m=S V =4πR2 4 3 πR3 =3 R ,也就是说量子点比表面积随着颗 粒半径的减小而增大。量子点尺寸很小,拥有极大的比表面积,其性质很大程度上由其表面原子决定。当其表面拥有很大悬挂键或缺陷时,会对量子点的光学性质产生极大影响错误!未找到引用源。。 1.2.3量子隧道效应

半导体量子点及其应用概述_李世国答辩

科技信息2011年第29期 SCIENCE&TECHNOLOGY INFORMATION 0引言 近年来半导体材料科学主要朝两个方向发展:一方面是不断探索扩展新的半导体材料,即所谓材料工程;另一方面是逐步从高维到低维深入研究己知半导体材料体系,这就是能带工程。半导体量子点就是通过改变其尺寸实现能级的改变,达到应用的目的,这就是半导体量子点能带工程。半导体量子点是由少量原子组成的准零维纳米量子结构,原子数目通常在几个到几百个之间,三个维度的尺寸都小于100纳米。载流子在量子点的三个维度上运动受尺寸效应限制,量子效应非常显著。在量子点中,由于量子限制效应作用,其载流子的能级类似原子有不连续的能级结构,所以量子点又叫人造原子。由于特殊能级结构,使得量子点表现出独特的物理性质,如量子尺寸效应、量子遂穿效应、库仑阻塞效应、表面量子效应、量子干涉效应、多体相关和非线性光学效应等,它对于基础物理研究和新型电子和光电器件都有很重要的意义,量子点材料生长和器件应用研究一直是科学界的热点之一[1]。 1量子点制备方法 目前对量子点的制备有很多方法,主要有外延技术生长法、溶胶-凝胶法(Sol-gel 和化学腐蚀法等,下面简单介绍这几种制备方法: 1.1外延技术法 外延技术法制备半导体量子点,主要是利用当前先进的分子束外延(MBE、金属有机物分子束外延(MOCVD和化学束外延(CBE等技术通过自组装生长机理,在特定的生长条件下,在晶格失配的半导体衬底上通过异质外延来实现半导体量子点的生长,在异质外延外延中,当外延材料的生长达到一定厚度后,为了释放外延材料晶格失配产生的应力能,外延材料就会形成半导体量子点,其大小跟材料的晶格失配度、外延过程中的条件控制有很大的关系,外延技术这是目前获得高质量半导体量子点比较普遍的方法,缺点是对半导体量子点的生长都是在高真空或超高真空下进行,使得材料生长成本非常高。1.2胶体法

发光地功能化MOF材料

发光的功能化MOF材料 1.简介 金属-有机框架(MOFs)是近二十年来被学术界广泛关注的一种多孔材料[1-3],这种材料是利用有机配体与金属离子间的金属-配体配位作用而自组装形成的超分子网络结构。在MOFs 发展的早期,美国加州大学伯克利分校的O. M. Yaghi 教授、日本京都大学的S. Kitagawa 教授和美国北卡大学教堂山分校的Wenbin Lin 教授等分别对其做了更为详细的定义[4-6],通过归纳总结具体定义如下:MOFs 作为一类稳定的、可设计的、晶态的类沸石材料需具备以下条件:(1)通过配位键形成稳定结构;(2)通过设计变换有机配体(linker)和金属次级构筑单元(SBU)类型可以调控材料的空间结构;(3)具有良好的结晶性因而可精确定义其配位结构及空间构型。顾名思义,微孔金属-有机框架(MOFs)指框架中具有一定的被游离溶剂分子填充的孔道(孔径在 2 nm 以内)并能通过后续处理方法将孔道中客体分子除去而不影响框架结构的多孔材料。 MOF材料由于具有网状结构、均一孔道、孔径可调且具有巨大比表面积,以及独特的光、电、磁等性质引起了研究者的广泛关注。与传统发光材料相比,MOF发光材料具有不可比拟的优势,这些优势主要体现在它的组成、合成和性质上。 (1)组成方面 传统的发光材料,组成成分或者是有机化合物或者是无机化合物,所以其发光形式单一。而金属有机骨架是由金属离子与有机配体配位构筑而成的材料,兼具了有机材料与无机材料两种性能,从而增加了发光形式的多样性。同时易于引入功能化的组成成分,可以将发光性质、磁学特性、电学特性、催化特性等各种功能都整合到同一个MOFs材料中来实现MOFs结构的多功能设计,从而拓宽其应用范围。 (2)合成方面 无机发光材料在生产上采用的方法仍能是高温固相法。这种方法需要很高的锻烧温度,甚至高达几千摄氏度,并且保温时间比较长(24小时以上),对设备要

上转换发光材料

上转换发光材料 上转换发光的概念: 上转换发光是在长波长光激发下,可持续发射波长比激发波长短的光。本质上是一种反-斯托克斯(Anti-Stokes)发光,即辐射的能量大于所吸收的能量。斯托克斯定律认为材料只能受到高能量的光激发,发出低能量的光,换句话说,就是波长短的频率高的激发出波长长的频率低的光。比如紫外线激发发出可见光,或者蓝光激发出黄色光,或者可见光激发出红外线。但是后来人们发现,其实有些材料可以实现与上述定律正好相反的发光效果,于是我们称其为反斯托克斯发光,又称上转换发光。 上转换发光技术的发展: 早在1959年就出现了上转换发光的报道,Bloembergc在Physical Review Letter上发表的一篇文章提出,用960nm的红外光激发多晶ZnS,观察到了525nm绿色发光。1966年Auzcl在研究钨酸镱钠玻璃时,意外发现,当基质材料中掺入Yb离子时,Er3+、Ho3+和Tm3+离子在红外光激发时,可见发光几乎提高了两个数量级,由此正式提出了“上转换发光”的观点。整个60-70年代,以Auzal 为代表,系统地对掺杂稀土离子的上转换特性及其机制进行了深入的研究,提出掺杂稀土离子形成亚稳激发态是产生上转换功能的前提。迄今为止,上转换材料主要是掺杂稀土元素的固体化合物,利用稀土元素的亚稳态能级特性,可以吸收多个低能量的长波辐射,从而可使人眼看不见的红外光变成可见光。 80年代后期,利用稀土离子的上转换效应,覆盖红绿蓝所有可见光波长范围都获得了连续室温运转和较高效率、较高输出功率的上转换激光输出。1994年Stanford大学和IBM公司合作研究了上转换应用的新生长点——双频上转换立体三维显示,并被评为1996年物理学最新成就之一。2000年Chen 等对比研究了Er/Yb:FOG氟氧玻璃和Er/Yb:FOV钒盐陶瓷的上转换特性,发现后者的上转换强度是前者的l0倍,前者发光存在特征饱和现象,提出了上转换发光机制为扩散.转移的新观点。近几年,人们对上转换材料的组成与其上转换特性的对应关系作了系统的研究,得到了一些优质的上转换材料。 上转换发光的机理:

稀土发光材料的特点及应用介绍

稀土发光材料的特点及应用介绍 专业:有机化学姓名:杨娟学号:201002121343 发光是物体把吸收的能量转化为光辐射的过程。当物质受到诸如光照、外加电场或电子束轰击等的激发后,吸收外界能量,处于激发状态,它在跃迁回到基态的过程中,吸收的能量会通过光或热的形式释放出来。如果这部分能量是以光的电磁波形式辐射出来,即为发光。 所谓的稀土元素,是指镧系元素加上同属IIIB族的钪Sc和钇Y,共17种元素。这些元素具有电子结构相同,而内层4f电子能级相近的电子层构型、电价高、半径大、极化力强、化学性质活泼及能水解等性质,故其应用十分广泛。 1稀土发光材料的发光特性 稀土是一个巨大的发光材料宝库,稀土元素无论被用作发光(荧光)材料的基质成分,还是被用作激活剂,共激活剂,敏化剂或掺杂剂,所制成的发光材料,一般统称为稀土发光材料或稀土荧光材料。 物质发光现象大致分为两类:一类是物质受热,产生热辐射而发光,另一类是物体受激发吸收能量而跃迁至激发态(非稳定态)在返回到基态的过程中,以光的形式放出能量。 因为稀土元素原子的电子构型中存在4f轨道,当4f电子从高的能级以辐射驰骋的方式跃迁至低能级时就发出不同波长的光。稀土元素原子具有丰富的电子能级,为多种能级跃迁创造了条件,从而获得多种发光性能。 稀土发光材料优点是发光谱带窄,色纯度高色,彩鲜艳;吸收激发能量的能力强,转换效率高;发射光谱范围宽,从紫外到红外;荧光寿命从纳秒跨越到毫秒6个数量级,磷光最长达十多个小时;材料的物理化学性能稳定,能承受大功率的电子束,高能射线和强紫外光的作用等。今天,稀土发光材料已广泛应用于显示显像,新光源,X射线增感屏,核物理探测等领域,并向其它高技术领域扩展。 2稀土发光材料的合成方法 稀土发光材料的合成方法包括水热合成法、高温固相合成法、微波合成法、溶胶——凝胶法、微波辐射法、燃烧合成法以及共沉淀法。 2. 1 水热合成法

发光材料与LED综述

功能材料课报告 发光材料与LED 摘要:发光材料是一种功能材料,广泛应用于我们日常生活中,例如电视机、日光灯、发光二极管等。本文就应用于LED的两种发光方式,光致发光和电致发光,作了简单的介绍和说明,并着重介绍了LED的原理、发展历史、优点以及应用。在未来的几十年里,发光材料将继续快速向前发展,给我们的生活带来更大的变化。 关键词:发光材料;光致发光;电致发光;LED

功能材料是指通过光、电、磁、热、化学、生化等作用后具有特定功能的材料。随着时代的发展,人类将进入一个信息时代。为了解决生产告诉发展以及由此所产生的能源、环境等等一系列问题,更需要用高科技的方法和手段来生产新型的、功能性的产品,以获得各种优良的综合性能。近年来新型功能材料层出不穷,得到了突破性的进展,功能材料正在渗透到现代生活和生产的各个领域。 本文所论述的发光材料即为在不同的能量激发方式下可以发出不同波长的可见光的一种功能材料。 一.概述 物质发光现象大致分为两类:一类是物质受热,产生热辐射而发光;另一类是物体受激发吸收能量而跃迁至激发态,在返回到基态的过程中以光的形式放出能量。热辐射发光最常见的例子是太阳和白炽灯,而后一种发光方式应用也很广泛,比如阴极射线管、日光灯、发光二极管等,如图1。 图1 两种发光方式的典型例子:白炽灯和日光灯 按照激发能量方式的不同,发光材料的分类如下: 1.紫外光、可见光以及红外光激发而发光的为光致发光材料; 2.电子束流激发而发光的为阴极射线发光材料; 3.电场激发而发光的为电致发光材料; 4.X射线辐射而发光的为X射线发光材料; 5.用天然或人造放射性物质辐射而发光的为放射性发光材料。

量子点发光材料简介

量子点发光材料综述 1.1 量子点的概述 量子点(quantum dot, QD)是一种细化的纳米材料。纳米材料是指某一个维度上的尺寸小于100nm的材料,而量子点则是要求材料的尺寸在3个维度都要小于100nm[1]。更进一步的规定指出,量子点的半径必须要小于其对应体材料的激子波尔半径,其尺寸通常在1-10nm 左右[2]。由于量子点半径小于对应体材料的激子波尔半径,量子点能表现出明显的量子点限域效应,此时载流子在三个方向上的运动受势垒约束,这种约束主要是由静电势、材料界面、半导体表面的作用或是三者的综合作用造成的。量子点中的电子和空穴被限域,使得连续的能带变成具有分子特性的分离能级结构[1]。这种分离结构使得量子点有了异于体材料的多种特性以及在多个领域里的特殊应用。 1.2 量子点的特性 由于量子点中载流子运动受限,使得半导体的能带结构变成了具有分子原子特性的分离能级结构,表现出与对应体材料完全不同的光电特性。 1.2.1 量子尺寸效应 纳米粒子中的载流子运动由于受到空间的限制,能量发生量子化,连续能带变为分立的能级结构,带隙展宽,从而导致纳米颗粒的吸收和荧光光谱发生变化[3]。这种现象就是典型的量子尺寸效应。研究表明,随着量子点尺寸的缩小,其荧光将会发生蓝移,且尺寸越小效果越显著[4]。 1.2.2 表面效应 纳米颗粒的比表面积为,也就是说量子点比表面积随着颗粒半径的减小而增大。量子点尺寸很小,拥有极大的比表面积,其性质很大程度上由其表面原子决定。当其表面拥有很大悬挂键或缺陷时,会对量子点的光学性质产生极大影响[5]。 1.2.3 量子隧道效应 量子隧道效应是基本的量子现象之一。简单来说,即当微观粒子(例如电子等)能量小于势垒高度时,该微观粒子仍然能越过势垒。当多个量子点形成有序阵列,载流子共同越过多个势垒时,在宏观上表现为导通状态。因此这种现象又称为宏观量子隧道效应[6][7]。 1.2.4 介电限域效应

长余辉发光材料概述

长余辉发光材料概述 摘要 本文综述了长余辉材料的发光机理及制备方法,并简单介绍了硫化物长余辉发光材料、铝酸盐长余辉发光材料及硅酸盐长余辉发光材料。 关键词:长余辉;发光材料 1.长余辉发光材料简介 长余辉发光材料简称长余辉材料,又称夜光材料、蓄光材料。它是一类吸收太阳光或人工光源所产生的光的能量后,将部分能量储存起来,然后缓慢地把储存的能量以可见光的形式释放出来,在光源撤除后仍然可以长时间发出可见光的物质[1]。 2.长余辉发光材料的基本机理 长余辉材料被激发以后,能长时间持续发光,其关键在于有适当深度的陷阱能态(即能量存储器)。光激发时产生的自由电子(或自由空穴)落入陷阱中储存起来,激发停止后,靠常温下的热扰动而释放出被俘的陷阱电子(或陷阱空穴)与发光中心复合产生余辉光。随着陷阱逐渐被腾空,余辉光也逐渐衰减至消失。而陷阱态来源于晶体的结构缺陷,换言之,寻求最佳的晶体缺陷以形成最佳陷阱(种类、深度、浓度等)是获得长余辉的主要因素。余辉时间的长短决定于陷阱深度与余辉强度,余辉光的强度依赖于陷阱浓度、容量与释放电子(或空穴)的速率。而晶体缺陷的产生除了材料制备过程中自然形成的结构缺陷外,主要是掺杂。 长余辉发光机理实际是发光中心与缺陷中心间如何进行能量传递的过程,具体的长余辉材料有不同的发光模型,但最流行的是两类:一是载流子传输;二是隧穿效应。前者包含电子传输、空穴传输和电子空穴共传输,后者包括激发、能量存储与热激励产生发射的全程隧穿和仅是“热激励”发射的半程隧穿。除这两类外,学术界还有学者提出位形坐标[2]、能量传递、双光子吸收和Vk传输模型。至今为止,上述模型都是根据已有的实验结果提出的假设,可以解释一定的实验现象,但缺乏足够的论据,也存在若干不确定因素,难以让人信服,而发光机理的研究又是为新材料设计提供物理依据所必须的,有待进一步深入。

发光材料综述

结构与物性结课作业 发 光 材 料 综 述 学院:物理与电子工程学院 专业:材料物理13-01 学号:541311020102 姓名:陈强

发光材料综述 摘要: 能够以某种方式吸收能量,将其转化成光辐射(非平衡辐射)物质叫做发光材料。发光是辐射能量以可见光的形式出现。辐射或任何其他形式的能量激发电子从价带进入导带,当其返回到价带时便发射出光子(能量为 1.8~3.1eV)。如果这些光子的波长在可见光范围内,那么,便产生了发光现象。 0引言 发光材料是国家重要战略能源,在人们的日常生活中也占据着重要地位,被广泛应用于各个领域,因此对发光材料的研制和运用受到越来越多的关注。 本文基于发光材料研究现状,分析发光材料种类和制备方式,并介绍几种不同发光材料在生活中的应用,以期推动我国发光材料研究探索,为国家建设和人们生活水平提高提供助力。发光材料是人类生活重要材料之一,在航天科技、海洋运输、医学医疗、出版印刷等各个领域被广泛应用,具有极为重要的战略地位。 随着科学技术的发展,发光材料研究已经成为了我国科学界广泛关注的焦点,其运用技术直接关系到人们日常生活质量和国防建设,因此如何推动发光材料研制,将其更加安全、合理、高效的应用于生产生活中,成为了亟待解决的问题。 1发光材料分类 发光材料按激发的方式可分为以下几类: 1.1光致发光材料 用紫外、可见及红外光激发发光材料而产生的发光称为光致发光,该发光材料称为光致发光材料。 光致发光过程分为三步:①吸收一个光子;②把激光能转移到荧光中心;③

由荧光中心发射辐射。 发光的滞后时间约为10-8s的称为荧光,衰减时间大于10-8s的称为磷光。 光致发光材料一般可分为荧光灯用发光材料、长余辉发光材料和上转换发光材料。 按发光驰豫时间分类,光致发光材料分为荧光材料和磷光材料。 图1 1.2电致发光材料 所谓电致发光是在直流或交流电场作用下,依靠电流和电场的激发使材料发光的现象,又称场致发光。这种发光材料称为电致发光材料,或称场致发光材料。 1. 本征式场致发光 简单地说,本征式场致发光就是用电场直接激励电子,电场反向后电子与中心复合而发光的现象。 2. 注入式发光 注人式场致发光是由Ⅱ- Ⅳ族和Ⅲ - Ⅴ族化合物所制成的有 p - n 结的二极管,注人载流子,然后在正向电压下,电子和空穴分别由 n 区和 p 区注人到结区并相互复合而发光的现象。又称p-n结电致发光 目前大概可以有以下几种材料: 1.2.1直流电压激发下的粉末态发光材料 目前常用的直流电致发光材料有Zn S:Mn,Cu,其发光亮度大约为350 cd/m。

半导体量子点发光

半导体量子点发光 一、半导体量子点的定义 当半导体的三维尺寸都小于或接近其相应物质体相材料激子的玻尔半径(约5.3nm)时,称为半导体量子点。 二、半导体量子点的原理 在光照下,半导体中的电子吸收一定能量的光子而被激发,处于激发态的电子向较低能级跃迁,以光福射的形式释放出能量。大多数情况下,半导体的光学跃迁发生在带边,也就是说光学跃迁通常发生在价带顶和导带底附近。半导体的能带结构可以用图的简化模型来表示。如图所示,直接带隙是指价带顶的能量位置和导带底的能量位置同处于一个K空间,间接带隙是指价带顶位置与导带底位置的K空间位置不同。电子从高能级向低能级跃迁,伴随着发射光子,这是半导体的发光现象。

对于半导体量子点,电子吸收光子而发生跃迁,电子越过禁带跃迁入空的导带,而在原来的价带中留下一个空穴,形成电子空穴对(即激子),由于量子点在三维度上对激子施加量子限制,激子只能在三维势垒限定的势盒中运动,这样在量子点中,激子的运动完全量子化了,只能取分立的束缚能态。激子通过不同的方式复合,从而导致发光现象。原理示意图,如图所示,激子的复合途径主要有三种形式。 (1)电子和空穴直接复合,产生激子态发光。由于量子尺寸效应的作用,所产生的发射光的波长随着颗粒尺寸的减小而蓝移。 (2)通过表面缺陷态间接复合发光。在纳米颗粒的表面存在着许多悬挂键,从而形成了许多表面缺陷态。当半导体量子点材料受光的激发后,光生载流子以极快的速度受限于表面缺陷态而产生表面态发光。量子点的表面越完整,表面对载流子的捕获能力就越弱,从而使得表面态的发光就越弱。 (3)通过杂质能级复合发光。杂质能级发光是由于表面分子与外界分子发生化学反应生成其它杂质,这些杂质很容易俘获导带中的电子形成杂质能级发光。 以上三种情况的发光是相互竞争的。如果量子点的表面存在着许多缺陷,对电子和空穴的俘获能力很强,电子和空穴一旦产生就被俘获,使得它们直接复合的几率很小,从而使得激子态的发光就很弱,甚至可以观察不到,而只有表面缺陷态的发光。 为了消除由于表面缺陷引起的缺陷态发光而得到激子态的发光,常常设法制备表面完整的量子点或者通过对量子点的表面进行修饰来减少其表面缺陷,从而使电子和空穴能够有效地直接复合发光。

上转换发光材料综述

Upconversion DOI:10.1002/anie.201005159 Upconverting Nanoparticles Markus Haase and Helmut Sch?fer* Angewandte Chemie Keywords: doping ·nanoparticles ·nonlinear optics ·photon upconversion ·surface chemistry 5808 https://www.360docs.net/doc/be15542038.html, 2011Wiley-VCH Verlag GmbH &Co.KGaA,Weinheim Angew.Chem.Int.Ed.2011,50,5808–5829

1.Introduction In linear optics it is assumed that optical properties are independent of the intensity of the incident light.The expression “nonlinear optics”is usually used to describe all other phenomena for which the optical properties of the material depend on the radiant flux density of the exciting light.Nonlinear optics,an integral part of contemporary optics,is based on a number of nonlinear phenomena and processes.Photon upconversion (UC)is one such phenom-enon and is characterized by the conversion of long-wave-length radiation,for instance infrared or near infrared (NIR)radiation,to short-wavelength radiation,usually in the visible range.The upconversion process proceeds by different mechanisms,which are summarized and discussed in detail in several review articles [1–3]and can be roughly divided into three classes:APTE effect (for addition de photon par transferts d ’energie),later also named ETU for energy-transfer upconversion,[4,5]excited-state absorption (ESA),and photon avalanche (PA).It is worth mentioning that the expression “upconversion”is sometimes used to describe the consequence of these mechanisms,that is,the conversion from long-wavelength to short-wavelength radiation,and sometimes for a specific mechanism itself. All three mechanisms are based on the sequential absorption of two or more photons by metastable,long-lived energy states.This sequential absorption leads to the population of a highly excited state from which upconversion emission occurs.In the case of ESA,the emitting ions sequentially absorb at least two photons of suitable energy to reach the emitting level (Figure 1).In ETU,one photon is absorbed by the ion,but subsequent energy transfer from neighboring ions results in the population of a highly excited state of the emitting ion (Figure 1).Energy-transfer steps between two ions,both in excited states,leading to emission lines at short wavelength were first mentioned by Auzel in 1966.[6,7] ETU and ESA should not be confused with two other nonlinear optical processes,simultaneous two-photon absorp-tion (STPA)[1,8–10]and second-harmonic generation (SHG),which is efficient if coherent excitation sources with suffi-ciently high power are used.[11–14]Several early reviews focused on the synthesis and application of upconversion phosphors.[4,5,15,16] Important requirements for photon upconversion,such as long lifetimes of the excited states and a ladder-like arrange-ment of the energy levels with similar spacings,are realized for certain ions of the d and f elements.A large number of suitable hosts doped with transition-metal ions (3d,4d,5d)have been reported to show upconversion,for example Ti 2+-,[17,18]Ni 2+-,[19–22]Mo 3+-,[23,24]Re 4+-,[23,25,26]or Os 4+-doped solids.[27–30]Actinide-doped materials have also been inves-U pconversion (UC)refers to nonlinear optical processes in which the sequential absorption of two or more photons leads to the emission of light at shorter wavelength than the excitation wavelength (anti-Stokes type emission).In contrast to other emission processes based on multiphoton absorption,upconversion can be efficiently excited even at low excitation densities.The most efficient UC mechanisms are present in solid-state materials doped with rare-earth ions.The development of nanocrystal research has evoked increasing interest in the development of synthesis routes which allow the synthesis of highly efficient,small UC particles with narrow size distribution able to form transparent solutions in a wide range of solvents.Meanwhile,high-quality UC nanocrystals can be routinely synthesized and their solu-bility,particle size,crystallographic phase,optical properties and shape can be controlled.In recent years,these particles have been discussed as promising alternatives to organic fluorophosphors and quantum dots in the field of medical imaging. From the Contents 1.Introduction 5809 2.Selection of Suitable Dopants and Host Materials 5810 3.Synthesis,Growth,and Properties of Rare-Earth-Doped Nanocrystals 58124.Surface Functionalization by Modification of the Ligand Shell and the Particle Surface 58205.Application of Upconversion Nanocrystals 58206.Conclusions and Outlook 5822 Figure 1.UC processes for lanthanide-doped crystals:a)excited-state absorption,b)energy-transfer upconversion.d :photon excitation,a :energy transfer,c :emission.Reproduced from reference [47]by permission of The Royal Society of Chemistry. [*]Prof.Dr.M.Haase,Dr.H.Sch?fer Inorganic Chemistry I,University of Osnabrück Barbarastrasse 7,49069Osnabrück (Deutschland)E-mail:helmut.schaefer@uos.de 5809 Angew.Chem.Int.Ed.2011,50,5808–5829 2011Wiley-VCH Verlag GmbH &Co.KGaA, Weinheim

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