软光刻技术地研究现状

软光刻技术地研究现状
软光刻技术地研究现状

大连理工大学研究生试卷

系别:机械工程学院

课程名称:微制造与微机械电子系统

学号:

姓名:

考试时间:2015年1 月15日

PDMS软光刻技术的研究现状

摘要:软光刻技术作为一种新型的微图形复制技术,和传统的光刻技术相比,软光刻技术更加灵活,而且

有许多技术方面的优势。软光刻技术已经广泛应用于光学、生物技术、微电子、传感器以及微全分析系统

的加工诸领域,并且取得了一定的进展。本文,从软光刻技术的原理、分类、国内外以及我们实验室的应

用上来说明软光刻技术的研究现状,是一种很有发展的重要光刻技术。

关键词:软光刻技术研究现状应用

Research Status of PDMS Soft Lithography

Abstract:Soft lithography technology as a new type of micro-replication technology graphics, and compared to conventional lithographic techniques, soft lithography technology is more flexible and has many technical advantages. Soft lithography technology has been widely used in optical processing areas such as biotechnology, microelectronics, sensors and micro total analysis system, and has made some progress. In this paper, the principle soft lithography techniques, classification, abroad and in our lab up on the status of the application of soft lithography, photolithography technique is a very important development.

Keywords:Soft lithography technologyResearch StatusApplication

1. 软光刻技术概况

20世纪90年代末,一种新的微图形复制技术脱颖而出。该技术用弹性模(大多为PDMS 材料制作)替代传统光刻技术中使用的硬模来产生微结构或者微模具,被称作软光刻技术[1]。软光刻技术作为一种新型的微图形复制技术,和传统的光刻技术相比,软光刻技术更加灵活,而且有许多技术方面的优势,主要有:能制造复杂的多层结构或者三维结构,甚至能在不规则曲面上来制作模具,而且不受材料和化学表面的限制;能突破光刻技术100nm 的限制,实现更为精细的微加工等。此外,它所需设备比较简单,进而在制作成本上也比以前的光刻技术更经济使用。在普通的实验室环境下就能应用,因此软光刻是一种便宜、方便、适于实验室使用的技术。

目前,软光刻技术已经广泛应用于光学、生物技术、微电子、传感器以及微全分析系统的加工诸领域,并且取得了一定的进展。

1.1 软光刻技术的分类

软光刻的核心技术是制作弹性模印章(elastomeric stamp)。通过光刻蚀和模塑的方法,可以快速、高效的获得这种印章。PDMS,即聚二甲基硅氧烷,是软光刻中最常用的弹性模印章制作材料,在设计过程中应该注意防止在PDMS弹性模上产生缺陷,此外,由于PDMS 材料的弹性,过大的深宽比也会导致弹性模结构的倒塌。软光刻的关键技术包括:毛细管成模(micromolding in capillaries,MIMIC)、再铸模(replica molding,REM)、微接触印刷(microcontact printing,uCP)、溶剂辅助成模(solventassistedmicromolding,SAMIM)、

微传递成模(microtransfermolding,uTM)等等[2]。

毛细管成模(micromolding in capillaries,MIMIC)是将PDMS 模放置于基底上,在保证其与基底表面良好接触的情况下,会形成一个中空的网络通道。在这个时候将液态的预聚合物液体倒入网络通道的端口处,在毛细作用下,液体会自发的逐渐的流入整个毛细管网络。加热干燥后取下PDMS母模,就得到了想要的聚合物微结构,这项技术被称作是MIMIC 技术。这项技术要求印模与基底表面良好的接触形成空腔。如果弹性模上的微沟道较长的话,液体流速会减慢,这样充满整个沟道会需要较长的时间。这是因为毛细管径大小对液体充盈速度影响很大;毛细管的充盈速度与液体的粘度、表面张力、已充盈部分的长度和毛细管的半径所共同决定。充盈速率与毛细管横截面成正比,与液体本身的粘度和已充盈的毛细管长度成反比,其速率随着充盈部分的增大而逐渐降低。毛细管的末端,可能会因为压力不够或过大液体无法充盈从而留下缺陷。

软光刻再铸模(replica molding,REM)通常是指用弹性模来重新铸模,而不是刚性模。PDMS模为弹性模,这样剥离过程很容易,这也是再铸模技术的一大优势。在PDMS 上再铸模时,由于PDMS为弹性体,可以通过机械压紧、绑缚、拉紧或以上几种方法的叠加,可以获得比原来的模具更小的尺寸。基于再铸模的万法可以制作30nm 的有机聚合物结构,其垂直精度达±3nm,故其在生物、化学、MEMS上的应用更加广泛。

微接触印刷(microcontact printing,uCP)也致力于图形的转移,但它并不是一种光刻技术。只有印模和基底良好的接触才能使该技术成功的得到运用。它可以用来在基底上形成不同的化学功能集团的自组织单层(SAMs)图形。其过程非常简单,初学者也能很容易的学会并简单的应用。用一种弹性体PDMS印模通过接触来传递溶液上的分子到底物表面。印刷之后,通过含有第二种分子的稀释液来冲洗基底,从而在该图形的非衍生区生成不同的SAMs。所谓SAMs就是指分子通过非共价键作用而自发形成稳定的、确定的结构,由于最终的结构接近热力学平衡,所以能自发的形成并阻止缺陷的产生。以金表面自组织链烷硫的SAMs为例:十二烷硫醇乙醇溶液被用于做接触印刷,其浓度小于10mM,且研究表明当作用时间大于0.3s就足以在金表面形成高度一致的SAMs图像。金和银是最常用的电极材料,是热和电的优良导体,因此金和银蒸镀表面的uCP技术是研究重点。成形的SAMs可以在选择性湿法腐蚀中作为超薄超薄抗蚀剂,或者作为模板控制结晶、去湿、湿润、生长或者沉积其他的材料。基底的表面粗糙、表面吸收、弹性模的材料特性,尤其是变形特性和扭曲特性,会影响uCP图案的尺寸。

溶剂辅助成模(solventassistedmicromolding,SAMIM)是在聚合物基底上制作准三维结构的一种软光刻方法。这种方法不仅有再铸模的特点,而且也兼备了压模的优点.使用这种方法时,一定要选择一种能溶解聚合物基底却不会对PDMS 印模产生影响的溶剂,防止PDMS膨胀,如丙酮作为溶剂,聚苯乙烯作为聚合物基底[3]。另外也要求这种这种溶剂要有较高的表面张力和蒸汽压,这样的话,溶剂可以比较快地蒸发多余的水分,使PDMS 模的膨胀比变小(如甲醇、乙醇和丙酮)。SAMIM 过程:先用适当的溶剂使用蒸发的方法沾湿

PDMS模的表面,还需将印模紧密地压在基底上,溶剂会溶解一层聚合物,之后被填充于印模空隙中,这样拔模之后会形成与印模图形互补的微结构。

微传递成模(microtransfermolding,uTM)是把预聚合物液体滴入在PDMS 模具表面,过多的液体可以这样去除:用扁平的弹性块刮走,或用气体吹去,如氮气。盛满液体的PDMS 模在高温条件下与底物相接触,当注入内部的液体在高温时干燥成固体,小心的将弹性模拔去,这样就在底物表面留下一个聚合物微结构。微传递成模能够同时产生多个单独或者相互联系的微结构,即使在不平滑地表面上也能生成微结构,另外,既可以一层层地建立三维结构,也可以在较大面积的基地上生成想要的微结构。但是这种方法也有缺陷,主要是在基底上制作微结构后,难免会在基底上残存一层聚合物膜,约100μm厚。这层膜将阻碍基底和化学蚀刻剂接触,从而使得这个微结构不能在蚀刻中作为掩模[4]。

当然,软光刻技术在微加工中的应用中存在一些缺陷也是在所难免的,PDMS固化后有收缩变形,而且在甲苯和乙烷的作用下,深宽比也会出现一定的改变;PDMS这种材料,本身就具有弹性和热膨胀性,使其很难获得很高的精确性,这使得这种材料在软光刻技术的应用中受到限制;由于弹性模太软,无法获得大的深宽比,太大或太小的宽深比都可能导致微结构的变形或扭曲,甚至这些微结构会倒塌。但是这些都不足以阻止PDMS这种材料在软光刻技术中的广泛应用。相信随着研究的进一步深入,将会找到各种办法来弥补上述的不足。

2. 软光刻原理

2.1 聚二甲基硅氧烷(PDMS)介绍

Polydimethylsiloxane简称为PDMS,中文名为聚二甲基硅氧烷。它是软光刻技术中最常用的弹性模材料,相对于其他弹性材料如聚酰亚胺、树脂和聚氨酯等等,PDMS 具有下面的特点:

①适用于底物表面大面积成模,并与底物可以有良好的接触,广泛用于非平面的表面微图案的转移复制。

②PDMS具有化学惰性,而且成模界面自由能较低,制模过程中PDMS吸附底物过程是可逆的,而且处理后很容易取下;这个化学惰性对于图形转移复制来说是非常重要的。

③PDMS具有各向同性,且透射能力可深达300μm,而且光学特性良好,广泛应用于多种光学检测系统中。

④这种材料有良好的绝缘性和热学稳定性,在连续的时间段内可重复使用上百次而无明显变形和性质改变现象,价格便宜,可大规模生产。

⑤PDMS和固化剂添加比例一般为10:1,由于加热能使交联过程加速,所以我们实验室一般都是在真空烘箱内80摄氏度烘1个小时来完成固化过程(或者也有文献中使用70摄氏度烘2个小时),当然,固化之前也要进行抽真空来排除溶于材料中的气体气泡。固化剂增多会使交联的结构增多,从而使形成固化后的弹性体硬度增大,固化剂减少则恰恰相反。通过加热可以使其固化,形成所需的含有微结构的弹性体块。图1示出了PDMS含有的两种成分,图2从分子层面显示了PDMS的交联反应过程[5]。

图1 PDMS的两种成分

1)为硅氧烷低聚体,2)为硅氧烷交联体

图2 PDMS形成的交联反应过程

鉴于PDMS 的化学及物理性状,这也是PDMS这种材料特别适应于作为软光刻技术中的弹性模,来完成图形的转移和复制。PDMS 作为弹性模复制微结构的工艺过程如图3所示。

在该过程中应特别注意:PDMS这种材料的弹性和柔软性,防止产生缺陷[6],如粘结、重力等有时可能使微结构倒塌,如图3D;过大的深宽比也会使微结构产生倒塌,Delamarche 研究团队证明了深宽比在0.2至2的范围内可以得到没有缺陷的模具。另外,在发生倒塌的情况下,用化学药品,如月桂基磷酸钠和庚烷先后冲洗可以恢复部分倒塌的部分;通常PDMS 在干燥后会有1%的收缩,一旦接触了非极性的溶剂,如甲苯、已烷等会发生膨胀变形。要想获得所需设计形状模,控制软光刻过程中弹性模的变形程度是关键的因素。当然,这种材料在微加工中的应用也还存在着一些不可避免的缺陷:

①固化后的收缩变形,而且在非平面的组织溶剂,如甲苯和乙烷的作用下,高深宽比的部分将出现一定的膨胀;

②PDMS本身的弹性和热膨胀性使其很难获得高的精确性,这也是软光刻技术在多层面的微加工中受到局限的一个原因;

③由于PDMS具有柔软性,无法获得大的深宽比,太大或太小的宽深比都将导致微结构的变形或扭曲,如图3D所示。但是这些都不妨碍PDMS在软光刻技术中的广泛应用。相信随着研究的进一步深入,将会找到各种办法来弥补PDMS 的不足[7]。

图3 PDMS弹性模的制作过程

表1 光刻技术与软光刻技术的比较

图5为光刻技术与软光刻技术的工艺过程的比较图,前半部分的步骤基本与传统的光刻相同,它为下半部分提供了图形复制和转移的原始模板。软光刻技术可以利用这一原始的模板复制或者转移精确的图形,从而能够获得更小尺寸的微结构和三维结构。图6为软光刻技术工艺流程图。

图5 光刻技术与软光刻技术的工艺过程的比较

图6 软光刻技术工艺流程图

3. 我们实验室对软光刻技术应用

近年来,我们微系统实验室在刘冲老师作学科带头人,导师刘军山为实验室主任的带领下,每个成员都进自己的最大努力把工作做到最好,实验室中的各个工艺老师都兢兢业业,我们实验室也可以利用软光刻技术来制作微流体芯片。软光刻技术好学、易懂,我作为一个初学者也可以很快的学会,并参与该微流控芯片的制作。如下为一个三层的生物传感器,其制作过程下文有详细的叙述。

图7

(A)微流体盒由三层组成:a)在耐热玻璃基板上的图案化铂层,b)其包括缓冲通道和沉积通道的一种SU-8层和c)一种PDMS盖上样品通道和流体进入孔。所有层都不可逆转地连接在一起。(B)平行排列的电极的照片和特写视图- 左1覆盖有着色,酶膜

制作

操作和布局进行优化,以简化制造和实现了低集成微流体盒。所呈现的原型由三层组成

—其上有图案化金属电极的耐热玻璃基板,结构化的SU-8中间层和一个复制成型的PDMS 顶层(图7)。快速成型技术允许在很少的时间内制造微流体盒。

底层。一个4英寸的耐热晶片上图形化铂金属是根据以下步骤完成的:将光刻胶LOR 3B 和S1813依次旋涂在基板上。经过UV曝光和显影之后,一个20nm厚的钛粘附层和130nm 厚的Pt层通过蒸发的方法沉积在耐热玻璃基板上。在PG去除剂中,剥离,完成金属结构。

SU-8层。SU-8层包括三个功能(参见图7):它包含(1)缓冲通道,其可以在样品层下方引入扩散层,(2)用酶膜沉积的通道使微电极官能化(3)同时,沉积通道末端形成所述微电极。需要注意的是SU-8也需要顶部钝化而使金属仅在电极和没有涂覆金属的地方键合在一起。

步骤:脱水后,80um厚的SU-8 50层是旋涂耐热晶片上,并在热板上前烘(温度缓慢上升用于降低内应力)。对SU-8层通过一对准的掩模结构进行UV光曝光。后烘之后,未曝光SU-8是由该晶片在PGMEA进行10分钟的浸泡得到的。

覆盖层:顶层包含具有入口和出口的样品通道。这是利用SU-8模具的复制注塑PDMS。前烘(在65℃,25分钟;95℃,80分钟)之后,SU-8100被旋转涂敷在4英寸的硅晶片,其厚度为370um。该层用掩模通过UV曝光形成的,在曝光后烘之后,它在PGMEA中显影以创建SU-8模具。成型前,掩膜经历蒸气硅烷化以减少PDMS粘合性:该滴有液滴(1~2uL)的晶片被放置在一个真空室中两小时。

然后,将PDMS部分被制造按如下步骤:将新鲜混合的PDMS(10:1 重量比)倾倒在SU-8的模具上,脱气1小时,在烘箱中65℃固化2小时。在2mm厚的PDMS层轻轻剥离并沿传感器盒的轮廓切割。

键合。将PDMS层不可逆地结合到的SU-8层,以密封所述微流体通道并完成总的制造。我们是使用先前报道的蒸汽硅烷化的方法进行接合工艺。既对SU-8和PDMS层用异丙醇和去离子水彻底清洁。然后在一个封闭的腔室中,对SU-8层用3-氨基丙基硅烷(APTES)硅烷化两小时。最后,这两个表面进行接触,并在热板上(70℃,10min)加热。制造的传感器盒如图8A。

图8

(A)制作该传感器包括所有的流体连接孔和连接垫。(B)PMMA板确保可靠的电力和流体连接。

装配和操作

操作中,所述盒被放置在PMMA支架上。它被制造成两结构板(底和盖),其利用小螺钉夹持中间暗盒。埋设在盖上的弹簧触点提供电接触到电极垫。在盖上的三个孔允许所述流体管道被连接到传感器的两个入口和出口(图8B)。0.7 V的恒电位被施加在每个工作电极上和以4通道多电位的盒上的共同的Pt伪参比/反电极。连续的样品流和缓冲液流是由两个独立校准注射器泵控制的。由PBS组成的样品制备具有确定葡萄糖和乳酸浓度,所述扩散层是PBS。

我们开发的这种微流体装置,是使用快速软光刻技术制造的,其设计为低集成原型进行了优化。它涵盖了大规模制造的,低成本的和一次性盒外包电气和流体控制的需求。该传感器可同时并连续的无串音检测几种分析物。本研究叙述了使用软光刻技术通过两次转印制作PDMS微透镜阵列和SU-8微透镜阵列的工艺流程,并使用金相显微镜和白光干涉轮廓仪对光刻胶PDMS及SU-8微透镜阵列的阵列元的底面直径及表面轮廓进行了测量。通过对比这三种材料且不同尺寸的微透镜阵列元的底面直径的测量值,以及这些值与设计值之间误差得知: 使用PDMS复制光刻胶上的微结构是有效的,将PDMS薄膜作为模板将微结构转印至SU-8上也是可行的。

3. 软光刻技术在国内外的研究现状

随着软光刻技术研究的深入发展,近年来,在材料科学、纳米制造、传感器、光学、表面化学、MEMS、微电子以及生物技术领域等得到了很好的运用了发展。这也为软光刻技术的研究提供了便利,多学科的相互交叉使得软光刻技术适应性增强,不再拘泥于微系统芯片的制作,而是更加全面的发展。下面简单介绍软光刻技术在微电子、应用光学以及细胞工程和生物化学上的应用[8]。

JeoniNL研究团队使用微接触式印刷技术结合溶胶凝胶沉积技术发展了软光刻技术,在硅片上制作出了PLT微结构,这种微结构可以应用在集成电路上。由于其泄露电流较低并且介电常数较高,在集成电路上用作DRAM是其一大优势。这也是JeoniNL研究团队的一大发现,拓宽了软光刻技术的应用[9]。Hu J研究团队介绍了用MIMIC技术制作场效应晶体管的方法.实验表明用这种方法制作的场效应管有很大的优势,例如其漏源电流与漏源电压特性在常温下即可达到用传统的光刻技术制造的场效应晶体的要求[9]。

Xian Y研究团队研究了使用REM的方法把多种复杂的微结构制作在聚合物表面上,并且这些这些微结构具有光学功能。包括周期比原始印模周期的衍射光栅还小;在平面和曲平上形成周期线形变化的衍射光栅在近似于半圆形光学表面上形成做结构通过施加压力使PDMS印模变形,制作出从方形到菱形的各种形状和聚焦特性的微摄镜[10]。Zhao XN研究团队使用微传递成膜技术,在硅片上用聚氨脂制作了波导,这些波导具有很微小的横截面并且支持波长为600nm至500nm的多模式光传输。

RaSul T研究团队使用具有微米结构的弹性印模在金表面上制造具有特殊图形的自组织图案,这有很多的应用,例如用它来吸附蛋白质和细胞。实验结果这出乎意料,它可以在特

定位置上吸附细胞,并且排列成特定的形状并且具有确定的细胞间距;要想控制细胞生长和蛋白质分泌,可以通过限定细胞的边界[11]。实验通过在金基底上形成尺寸为1um~100um可吸附蛋白质的确定形状的十六烷硫醇自组织单层,并在其他地方形成不吸附蛋白质的化合物的自组织单层,再涂上海带氨酸,由于海带氨酸吸附于与十六烷硫醇自组织单层上,从而得到所需的蛋白质图形。这个方法在实验上十分简单,并且有很好的适应性。为生物化学和细胞工程提供了操纵细胞生长和细胞定位的简便的实验方法,展现了软光刻技术在细胞分析领域的应用前景。

4. 软光刻技术的发展前景展望

由于微流控芯片在越来越多的领域得到了广泛的应用,而软光刻技术是制作微流控芯片的主要技术之一[17]。软光刻技术的发展使得微流控芯片在光学系统、传感器工程学和细胞工程的应用也越来越广泛,人们对新的微流控芯片的制作方法的需求也日渐高涨。软光刻技术主要包括毛细管成模技术(micromolding in capillaries,MIMIC)、再铸模技术(replica molding,REM)、微接触印刷技术(microcontact printing,uCP)、溶剂辅助成模技术(solventassistedmicromolding,SAMIM)、微传递成模技术(microtransfermolding,uTM)等等[12],展示了在这些新领域应用的潜力以及它独特的优点。鉴于软光刻有这么多的优点和很广泛的应用,虽然仍然有许多问题亟待解决,但这些问题仍然不能阻止软光刻技术的快速发展。现在亟待解决的问题有:(1)克服使用弹性材料柔韧性的限制,制作出精度<15nm 的印模图像;(2)如何控制弹性材料(PDMS等)的变形和扭曲。尽管目前软光刻技术还仍是一种实验室应用的技术,相信随着该技术的发展和专用设备的开发,软光刻必将在上述众多领域内形成规模微制造上发挥其独特的作用[18]。

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光刻技术

职大09微电子 光刻技术 摘要:光刻(photoetching)是通过一系列生产步骤将晶圆表面薄膜的特定部分除去的工艺,在此之后,晶圆表面会留下带有微图形结构的薄膜。被除去的部分可能形状是薄膜内的孔或是残留的岛状部分。 关键词:光刻胶;曝光;烘焙;显影;前景 Abstract: photoetching lithography (is) through a series of steps will produce wafer surface film of certain parts of the process, remove after this, wafer surface will stay with the film structure. The part can be eliminated within the aperture shape is thin film or residual island. Keywords: the photoresist, Exposure; Bake; Enhancement; prospects

目录 第一章绪论 (2) 第二章光刻技术的原理 (3) 第三章光刻技术的工艺过程 (4) 1基本光刻工艺流程—从表面准备到曝光 (4) 1.1光刻十步法 (4) 1.2基本的光刻胶化学物理属性 (4) 1.2.1组成 (4) 1.2.2光刻胶的表现要素 (4) 1.2.3正胶和负胶的比较 (5) 1.2.4光刻胶的物理属性 (5) 1.3光刻工艺剖析 (5) 1.3.1表面准备 (5) 1.3.2涂光刻胶 (5) 1.3.3软烘焙 (6) 1.3.4对准和曝光(A&E) (6) 2基本光刻工艺流程—从曝光到最终检验 (6) 2.1显影 (6) 2.1.1负光刻胶显影 (6) 2.1.2正光刻胶显影 (7) 2.1.3湿法显影 (7) 2.1.4干法(或等离子)显影 (7) 2.2硬烘焙 (7) 2.3显影检验(develop inspect DI) (7) 2.3.1检验方法 (8) 2.3.2显影检验拒收的原因 (8) 2.4刻蚀 (8) 2.4.1湿法刻蚀 (8) 2.4.2干法刻蚀(dry etching) (9) 2.5光刻胶的去除 (10) 2.6最终目检 (10) 第四章光刻技术的发展与现状 (11) 1 .EUV 光刻技术 (11) 2 .PREVAIL 光刻技术 (12) 3.纳米压印光刻技术 (12) 4.展望 (14) 参考文献15

集成电路的现状与发展趋势

集成电路的现状与发展趋势 1、国内外技术现状及发展趋势 目前,以集成电路为核心的电子信息产业超过了以汽车、石油、钢铁为代表的传统工业成为第一大产业,成为改造和拉动传统产业迈向数字时代的强大引擎和雄厚基石。1999年全球集成电路的销售额为1250亿美元,而以集成电路为核心的电子信息产业的世界贸易总额约占世界GNP的3%,现代经济发展的数据表明,每l~2元的集成电路产值,带动了10元左右电子工业产值的形成,进而带动了100元GDP的增长。目前,发达国家国民经济总产值增长部分的65%与集成电路相关;美国国防预算中的电子含量已占据了半壁江山(2001年为43.6%)。预计未来10年内,世界集成电路销售额将以年平均15%的速度增长,2010年将达到6000~8000亿美元。作为当今世界经济竞争的焦点,拥有自主版权的集成电路已曰益成为经济发展的命脉、社会进步的基础、国际竞争的筹码和国家安全的保障。 集成电路的集成度和产品性能每18个月增加一倍。据专家预测,今后20年左右,集成电路技术及其产品仍将遵循这一规律发展。集成电路最重要的生产过程包括:开发EDA(电子设计自动化)工具,利用EDA进行集成电路设计,根据设计结果在硅圆片上加工芯片(主要流程为薄膜制造、曝光和刻蚀),对加工完毕的芯片进行测试,为芯片进行封装,最后经应用开发将其装备到整机系统上与最终消费者见面。 20世纪80年代中期我国集成电路的加工水平为5微米,其后,经历了3、1、0.8、0.5、0.35微米的发展,目前达到了0.18 微米的水平,而当前国际水平为0.09微米(90纳米),我国与之相差约为2-3代。 (1)设计工具与设计方法。随着集成电路复杂程度的不断提高,单个芯片容纳器件的数量急剧增加,其设计工具也由最初的手工绘制转为计算机辅助设计(CAD),相应的设计工具根据市场需求迅速发展,出现了专门的EDA工具供应商。目前,EDA主要市场份额为美国的Cadence、Synopsys和Mentor等少数企业所垄断。中国华大集成电路设计中心是国内唯一一家EDA开发和产品供应商。 由于整机系统不断向轻、薄、小的方向发展,集成电路结构也由简单功能转向具备更多和更为复杂的功能,如彩电由5片机到3片机直到现在的单片机,手机用集成电路也经历了由多片到单片的变化。目前,SoC作为系统级集成电路,能在单一硅芯片上实现信号采集、转换、存储、处理和I/O等功能,将数字电路、存储器、MPU、MCU、DSP等集成在一块芯片上实现一个完整系统的功能。它的制造主要涉及深亚微米技术,特殊电路的工艺兼容技术,设计方法的研究,嵌入式IP核设计技术,测试策略和可测性技术,软硬件协同设计技术和安全保密技术。SoC以IP复用为基础,把已有优化的子系统甚至系统级模块纳入到新的系统设计之中,实现了集成电路设计能力的第4次飞跃。

光刻技术及其应用的状况和未来发展

光刻技术及其应用的状况和未来发展 光刻技术及其应用的状况和未来发展1 引言 光刻技术作为半导体及其相关产业发展和进步的关键技术之一,一方面在过去的几十年中发挥了重大作用;另一方面,随着光刻技术在应用中技术问题的增多、用户对应用本身需求的提高和光刻技术进步滞后于其他技术的进步凸显等等,寻找解决技术障碍的新方案、寻找COO更加低的技术和找到下一俩代可行的技术路径,去支持产业的进步也显得非常紧迫,备受人们的关注。就像ITRS对未来技术路径的修订一样,上世纪基本上3~5年修正一次,而进入本世纪后,基本上每年都有修正和新的版本出现,这充分说明了光刻技术的重要性和对产业进步的影响。如图1所示,是基于2005年ITRS对未来几种可能光刻技术方案的预测。也正是基于这一点,新一轮技术和市场的竞争正在如火如荼的展开,大量的研发和开发资金投入到了这场竞赛中。因此,正确把握光刻技术发展的主流十分重要,不仅可以节省时间和金钱,同时可以缩短和用户使用之间的周期、缩短开发投入的回报时间,因为光刻技术开发的投入比较庞大。 2 光刻技术的纷争及其应用状况 众说周知,电子产业发展的主流和不可阻挡的趋势是"轻、薄、短、小",这给光刻技术提出的技术方向是不断提高其分辨率,即提高可以完成转印图形或者加工图形的最小间距或者宽度,以满足产业发展的需求;另一方面,光刻工艺在整个工艺过程中的多次性使得光刻技术的稳定性、可靠性和工艺成品率对产品的质量、良率和成本有着重要的影响,这也要求光刻技术在满足技术需求的前提下,具有较低的COO和COC。因此,光刻技术的纷争主要是厂家可以提供给用户什么样分辨率和产能的设备及其相关的技术。 以Photons为光源的光刻技术 2.1 以Photons为光源的光刻技术 在光刻技术的研究和开发中,以光子为基础的光刻技术种类很多,但产业化前景较好的主要是紫外(UV)光刻技术、深紫外(DUV)光刻技术、极紫外(EUV)光刻技术和X射线(X-ray)光刻技术。不但取得了很大成就,而且是目前产业中使用最多的技术,特别是前两种技术,在半导体工业的进步中,起到了重要作用。 紫外光刻技术是以高压和超高压汞(Hg)或者汞-氙(Hg-Xe)弧灯在近紫外(350~450nm)的3条光强很强的光谱(g、h、i线)线,特别是波长为365nm的i线为光源,配合使用像离轴照明技术(OAI)、移相掩模技术(PSM)、光学接近矫正技术(OPC)等等,可为0.35~0.25μm的大生产提供成熟的技术支持和设备保障,在目前任何一家FAB中,此类设备和技术会占整个光刻技术至少50%的份额;同时,还覆盖了低端和特殊领域对光刻技术的要求。光学系统的结构方面,有全反射式(Catoptrics)投影光学系统、折反射式(Catadioptrics)系统和折射式(Dioptrics)系统等,如图2所示。主要供应商是众所周知的ASML、NIKON、CANON、ULTRATECH 和SUSS MICROTECH等等。系统的类型方面,ASML以提供前工程的l:4步进扫描系统为主,分辨率覆盖0.5~0.25μm:NIKON以提供前工程的1:5步进重复系统和LCD的1:1步进重复系统为主,分辨率覆盖0.8~0.35μm和2~0.8μm;CANON以提供前工程的1:4步进重复系统和LCD的1:1步进重复系统为主,分辨率也覆盖0.8~0.35μm和1~0.8μm;ULTRATECH以提供低端前工程的1:5步进重复系统和特殊用途(先进封装/MEMS/,薄膜磁头等等)的1:1步进重复系统为主;而SUSS MICTOTECH以提供低端前工程的l:1接触/接近式系统和特殊用途(先进封装/MEMS/HDI等等)的1:1接触/接近式系为主。另外,在这个领域的系统供应商还有USHlO、TAMARACK和EV Group等。 深紫外技术

激光光刻技术的研究与发展

第41卷第5期红外与激光工程2012年5月Vol.41No.5Infrared and Laser Engineering May.2012 激光光刻技术的研究与发展 邓常猛1,2,耿永友1,吴谊群1,3 (1.中国科学院上海光学精密机械研究所中国科学院强激光材料重点实验室,上海201800; 2.中国科学院研究生院,北京100049; 3.功能无机材料化学省部共建教育部重点实验室(黑龙江大学),黑龙江哈尔滨150080) 摘要:光刻技术作为制备半导体器件的关键技术之一将制约着半导体行业的发展和半导体器件的性能。随着半导体工业的发展,集成电路的特征尺寸越来越小,光刻技术将面临新的挑战。分析了激光光刻技术,包括投影式光刻和激光无掩膜光刻技术的研究现状,着重介绍了极紫外光刻(EUVL)作为下一代光刻技术的发展前景和技术难点、激光无掩膜光刻技术的发展,特别是激光近场扫描光刻、激光干涉光刻、激光非线性光刻等新技术的最新进展及其在高分辨率纳米加工领域的应用前景。 关键词:投影式光刻;无掩膜光刻;发展趋势 中图分类号:TN305.7文献标志码:A文章编号:1007-2276(2012)05-1223-09 Research development of laser lithography technology Deng Changmeng1,2,Geng Yongyou1,Wu Yiqun1,3 (1.Key Laboratory of Material Science and Technology for High Power Lasers,Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics,Chinese Academy of Sciences,Shanghai201800,China;2.Graduate University of the Chinese Academy of Sciences,Beijing100049,China;3.Key Laboratory of Functional Inorganic Material Chemistry(Heilongjiang University), Ministry of Education,Harbin150080,China) Abstract:Lithography technology,as one of the key technologies in the manufacture of semiconductor devices,has played an important role in the development of semiconductor industry.As the critical dimension of integrated circuit is decreased to smaller and smaller,lithography technology will face new challenges.In this review,the progress and status on laser lithography were presented,including projection lithography and laser maskless lithography.The foreground and technology challenges of extreme ultraviolet lithography(EUVL),which was considered to be the next generation lithography,were analyzed.The progress and application prospect in high-resolution nano lithography patterning of laser maskless lithography,especially of near-field scanning optical microscopy,laser interference and nonlinearity lithography etc,were discussed. Key words:projection lithography;maskless lithography;development trend 收稿日期:2011-09-05;修订日期:2011-10-03 基金项目:国家自然科学基金(60977004,50872139) 作者简介:邓常猛(1985-),男,博士生,主要从事光刻技术和光刻材料方面的研究。Email:chmdeng@https://www.360docs.net/doc/c11442786.html, 导师简介:吴谊群(1957-),女,研究员,博士生导师,主要从事高密度光存储和光电子学功能材料方面的研究。Email:yqwu@https://www.360docs.net/doc/c11442786.html,

光刻技术新进展

光刻技术新进展 刘泽文李志坚 一、引言 目前,集成电路已经从60年代的每个芯片上仅几十个器件发展到现在的每个芯片上可包含约10亿个器件,其增长过程遵从一个我们称之为摩尔定律的规律,即集成度每3年提高4倍。这一增长速度不仅导致了半导体市场在过去30年中以平均每年约15%的速度增长,而且对现代经济、国防和社会也产生了巨大的影响。集成电路之所以能飞速发展,光刻技术的支持起到了极为关键的作用。因为它直接决定了单个器件的物理尺寸。每个新一代集成电路的出现,总是以光刻所获得的线宽为主要技术标志。光刻技术的不断发展从三个方面为集成电路技术的进步提供了保证:其一是大面积均匀曝光,在同一块硅片上同时作出大量器件和芯片,保证了批量化的生产水平;其二是图形线宽不断缩小,使用权集成度不断提高,生产成本持续下降;其三,由于线宽的缩小,器件的运行速度越来越快,使用权集成电路的性能不断提高。随着集成度的提高,光刻技术所面临的困难也越来越多。 二、当前光刻技术的主要研究领域及进展 1999年初,0.18微米工艺的深紫外线(DUV)光刻机已相继投放市场,用于 1G位DRAM生产。根据当前的技术发展情况,光学光刻用于2003年前后的0.13微米将没有问题。而在2006年用到的0.1微米特征线宽则有可能是光学光刻的一个技术极限,被称为0.1微米难关。如何在光源、材料、物理方法等方面取得突破,攻克这一难关并为0.07,0.05微米工艺开辟道路是光刻技术和相应基础研究领域的共同课题。

在0.1微米之后用于替代光学光刻的所谓下一代光刻技术(NGL)主要有极紫外、X射线、电子束的离子束光刻。由于光学光刻的不断突破,它们一直处于"候选者"的地位,并形成竞争态势。这些技术能否在生产中取得应用,取决于它们的技术成熟程度、设备成本、生产效率等。下面我们就各种光刻技术进展情况作进一步介绍。 1.光学光刻 光学光刻是通过光学系统以投影方法将掩模上的大规模集成电路器件的结 构图形"刻"在涂有光刻胶的硅片上,限制光刻所能获得的最小特征尺寸直接与光刻系统所能获得的分辨率直接相关,而减小光源的波长是提高分辨率的最有效途径。因此,开发新型短波长光源光刻机一直是国际上的研究热点。目前,商品化光刻机的光源波长已经从过去的汞灯光源紫外光波段进入到深紫外波段(DUV),如用于0.25微米技术的KrF准分子激光(波长为248纳米)和用于0.18微米技术的ArF准分子激光(波长为193纳米)。 除此之外,利用光的干涉特性,采用各种波前技术优化工艺参数也是提高光刻分辨率的重要手段。这些技术是运用电磁理论结合光刻实际对曝光成像进行深入的分析所取得的突破。其中有移相掩膜、离轴照明技术、邻近效应校正等。运用这些技术,可在目前的技术水平上获得更高分辨率的光刻图形。如1999年初Canon公司推出的FPA-1000ASI扫描步进机,该机的光源为193纳米ArF,通过采用波前技术,可在300毫米硅片上实现0.13微米光刻线宽。 光刻技术包括光刻机、掩模、光刻胶等一系列技术,涉及光、机、电、物理、化学、材料等多个研究领域。目前科学家正在探索更短波长的F2激光(波长为157纳米)光刻技术。由于大量的光吸收,获得用于光刻系统的新型光学及掩模衬底材料是该波段技术的主要困 难。

光刻技术及其应用的现状及展望

光刻技术及其应用的现状与展望

1 引言 光刻技术作为半导体及其相关产业发展和进步的关键技术之一,一方面在过去的几十年中发挥了重大作用;另一方面,随着光刻技术在应用术问题的增多、用户对应用本身需求的提高和光刻技术进步滞后于其他技术的进步凸显等等,寻找解决技术障碍的新方案、寻找COO更加低的技术和找到下一俩代可行的技术路径,去支持产业的进步也显得非常紧迫,备受人们的关注。就像ITRS对未来技术路径的修订一样,上世纪基本上3~5年修正一次,而进入本世纪后,基本上每年都有修正和新的版本出现,这充分说明了光刻技术的重要性和对产业进步的影响。2005年ITRS对未来几种可能光刻技术方案进行预测。也正是基于这一点,新一轮技术和市场的竞争正在如火如荼的展开,大量的研发和开发资金投入到了这场竞赛中。因此,正确把握光刻技术发展的主流十分重要,不仅可以节省时间和金钱,同时可以缩短和用户使用之间的周期、缩短开发投入的回报时间,因为光刻技术开发的投入比较庞大。 2 光刻技术的现状及其应用状况

众说周知,电子产业发展的主流和不可阻挡的趋势是“轻、薄、短、小”,这给光刻技术提出的技术方向是不断提高其分辨率,即提高可以完成转印图形或者加工图形的最小间距或者宽度,以满足产业发展的需求;另一方面,光刻工艺在整个工艺过程中的多次性使得光刻技术的稳定性、可靠性和工艺成品率对产品的质量、良率和成本有着重要的影响,这也要求光刻技术在满足技术需求的前提下,具有较低的COO和COC。因此,光刻技术的纷争主要是厂家可以提供给用户什么样分辨率和产能的设备及其相关的技术。 2.1 以Photons为光源的光刻技术 在光刻技术的研究和开发中,以光子为基础的光刻技术种类很多,但产业化前景较好的主要是紫外(UV)光刻技术、深紫外(DUV)光刻技术、极紫外(EUV)光刻技术和X射线(X-ray)光刻技术。不但取得了很大成就,而且是目前产业中使用最多的技术,特别是前两种技术,在半导体工业的进步中,起到了重要作用。 紫外光刻技术是以高压和超高压汞(Hg)或者汞-氙(Hg-Xe)弧灯在近紫外(350~450nm)的3条光强很强的光谱(g、h、i线)线,特别是波长为365nm的i线为光源,配合使用像离轴照明技术(OAI)、移相掩模技术(PSM)、光学接近矫正技术(OPC)等等,可为0.35~0.25μm的大生产提供成熟的技术支持和设备保障,在目前任何一家FAB中,此类设备和技术会占整个光刻技术至少50%的份额;同时,还覆盖了低端和特殊领域对光刻技术的要求。光学系统的结构方面,有全反射式(Catoptrics)投影光学系统、折反射式(Catadioptrics)系统和折射式(Dioptrics)系统等。主要供应商是众所周知的ASML、NIKON、CANON、ULTRATECH和SUSS MICROTECH等等。系统的类型方面,ASML以提供前工

提高多晶Si薄膜太阳电池转换效率的途径

提高多晶S i薄膜太阳电池转换效率的途径 Prepared on 22 November 2020

本文由【】搜集整理。免费提供海量教学资料、行业资料、范文模板、应用文书、考试学习和社会经济等w o r d文档“微纳电子技术”2008年第4期 专家论坛 187-提高多晶Si薄膜太阳电池转换效率的途径 纳米器件与技术 193-小尺寸超高频双极晶体管工艺及特性模拟 198-单电子晶体管的蒙特卡罗模拟及宏观建模 纳米材料与结构 205-腐蚀法制备绒面ZnO透明导电薄膜 209-Bi2O3/TiO2纳米复合物的微波合成及光催化性质MEMS器件与技术 214-基于MEMS技术的微波滤波器研究进展 219-新型三轴MEMS热对流加速度传感器的研究 显微、测量、微细加工技术与设备 222-纳米光刻对准方法及其原理 231-变温腐蚀法制备纳米光纤探针 235-一维纳米结构的拉伸力学测试 240-Si 基GaN薄膜的制备方法及结构表征 ======================================= 专家论坛 187-提高多晶Si薄膜太阳电池转换效率的途径 彭英才1,2,姚国晓3,马蕾1,王侠1 (1. 河北大学电子信息工程学院,河北保定071002; 2. 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京 100083; 3. 中国天威英利新能源有限公司,河北保定071051)

摘要:多晶Si薄膜对可见光进行有效地吸收、光照稳定性好、制作成本低,被公认为是高效率和低成本的光伏器件材料。以提高多晶Si薄膜太阳电池转换效率为主线,介绍了增大晶粒尺寸以增加载流子迁移率、进行表面和体内钝化以减少复合中心、设计p-I-n结构以增加光收集效率、制作绒面结构以提高对入射光的吸收效果、改进电池结构以谋求最大效率等工艺措施;综述了近5年来多晶Si薄膜电池在材料生长、结构制备和性能参数方面取得的最新进展,并对其发展前景做了预测。 关键词:多晶Si薄膜;大晶粒;氢钝化;p-I-n结构;太阳电池;转换效率纳米器件与技术 193-小尺寸超高频双极晶体管工艺及特性模拟 赵守磊,李惠军,吴胜龙,刘岩 (山东大学孟尧微电子研发中心,济南250100) 摘要:基于通信系统中射频电路设计的特殊要求,对小尺寸(基区宽度低于100 nm)、超高频(特征频率高于15 GHz)双极晶体管工艺制程和器件的物理特性进行了模拟,为工艺线流片进行可行性研究。该器件采用BiCMOS制程结构实现,在对小尺寸、超高频双极性器件物理模型进行详尽分析的基础上,实现了该器件工艺级(Sentaurus Process)及器件物理特性级(Sentaurus Device)的仿真,提出TCAD工艺及器件的一体化设计方案。模拟结果表明,在高频指标参数 17GHz下,所得β值接近于80,满足设计要求。 关键词:小尺寸;双极器件;频率特性;工艺仿真;特性模拟 198-单电子晶体管的蒙特卡罗模拟及宏观建模 孙海定,江建军 (华中科技大学电子科学与技术系,武汉430074) 摘要:以单电子晶体管为研究对象,系统阐述了库仑阻塞、库仑台阶、单电子隧穿等物理现象的产生机理。微观模拟与宏观建模相结合,着重介绍了如何用蒙特卡罗方法和Matlab相结合对上述各种物理现象进行数值模拟,同时对单电子晶体管进行宏观电路等效,用一些常用元器件进行宏观建模。采用强大的模拟集成电路软件Hspice进行分析模拟,大大减少了计算及仿真时间。通过分析比较,两者曲线得到了较好的吻合,直观地反映了单电子晶体管的电学特性,为进一步研究复杂系统提供了理论依据。

软光刻技术的研究现状

大连理工大学研究生试卷 系别:机械工程学院 课程名称:微制造与微机械电子系统 学号: 姓名: 考试时间:2015年1 月15日

PDMS软光刻技术的研究现状 摘要:软光刻技术作为一种新型的微图形复制技术,和传统的光刻技术相比,软光刻技术更加灵活,而且 有许多技术方面的优势。软光刻技术已经广泛应用于光学、生物技术、微电子、传感器以及微全分析系统 的加工诸领域,并且取得了一定的进展。本文,从软光刻技术的原理、分类、国内外以及我们实验室的应 用上来说明软光刻技术的研究现状,是一种很有发展的重要光刻技术。 关键词:软光刻技术研究现状应用 Research Status of PDMS Soft Lithography Abstract:Soft lithography technology as a new type of micro-replication technology graphics, and compared to conventional lithographic techniques, soft lithography technology is more flexible and has many technical advantages. Soft lithography technology has been widely used in optical processing areas such as biotechnology, microelectronics, sensors and micro total analysis system, and has made some progress. In this paper, the principle soft lithography techniques, classification, abroad and in our lab up on the status of the application of soft lithography, photolithography technique is a very important development. Keywords:Soft lithography technologyResearch StatusApplication 1. 软光刻技术概况 20世纪90年代末,一种新的微图形复制技术脱颖而出。该技术用弹性模(大多为PDMS 材料制作)替代传统光刻技术中使用的硬模来产生微结构或者微模具,被称作软光刻技术[1]。软光刻技术作为一种新型的微图形复制技术,和传统的光刻技术相比,软光刻技术更加灵活,而且有许多技术方面的优势,主要有:能制造复杂的多层结构或者三维结构,甚至能在不规则曲面上来制作模具,而且不受材料和化学表面的限制;能突破光刻技术100nm 的限制,实现更为精细的微加工等。此外,它所需设备比较简单,进而在制作成本上也比以前的光刻技术更经济使用。在普通的实验室环境下就能应用,因此软光刻是一种便宜、方便、适于实验室使用的技术。 目前,软光刻技术已经广泛应用于光学、生物技术、微电子、传感器以及微全分析系统的加工诸领域,并且取得了一定的进展。 1.1 软光刻技术的分类 软光刻的核心技术是制作弹性模印章(elastomeric stamp)。通过光刻蚀和模塑的方法,可以快速、高效的获得这种印章。PDMS,即聚二甲基硅氧烷,是软光刻中最常用的弹性模印章制作材料,在设计过程中应该注意防止在PDMS弹性模上产生缺陷,此外,由于PDMS 材料的弹性,过大的深宽比也会导致弹性模结构的倒塌。软光刻的关键技术包括:毛细管成模(micromolding in capillaries,MIMIC)、再铸模(replica molding,REM)、微接触印刷(microcontact printing,uCP)、溶剂辅助成模(solventassistedmicromolding,SAMIM)、

光刻技术及其应用的现状与展望

光刻技术及其应用的现状与展 望 标准化文件发布号:(9312-EUATWW-MWUB-WUNN-INNUL-DQQTY-

光刻技术及其应用的现状与展望

1 引言 光刻技术作为半导体及其相关产业发展和进步的关键技术之一,一方面在过去的几十年中发挥了重大作用;另一方面,随着光刻技术在应用中技术问题的增多、用户对应用本身需求的提高和光刻技术进步滞后于其他技术的进步凸显等等,寻找解决技术障碍的新方案、寻找COO更加低的技术和找到下一俩代可行的技术路径,去支持产业的进步也显得非常紧迫,备受人们的关注。就像ITRS对未来技术路径的修订一样,上世纪基本上3~5年修正一次,而进入本世纪后,基本上每年都有修正和新的版本出现,这充分说明了光刻技术的重要性和对产业进步的影响。2005年ITRS对未来几种可能光刻技术方案进行预测。也正是基于这一点,新一轮技术和市场的竞争正在如火如荼的展开,大量的研发和开发资金投入到了这场竞赛中。因此,正确把握光刻技术发展的主流十分重要,不仅可以节省时间和金钱,同时可以缩短和用户使用之间的周期、缩短开发投入的回报时间,因为光刻技术开发的投入比较庞大。 2 光刻技术的现状及其应用状况 众说周知,电子产业发展的主流和不可阻挡的趋势是“轻、薄、短、小”,这给光刻技术提出的技术方向是不断提高其分辨率,即提高可以完成转印图形或者加工图形的最小间距或者宽度,以满足产业发展的需求;另一方面,光刻工艺在整个工艺过程中的多次性使得光刻技术的稳定性、可靠性和工艺成品率对产品的质量、良率和成本有着重要的影响,这也要求光刻技术在满足技术需求的前提下,具有较低的COO和COC。因此,光刻技术的纷争主要是厂家可以提供给用户什么样分辨率和产能的设备及其相关的技术。 以Photons为光源的光刻技术 在光刻技术的研究和开发中,以光子为基础的光刻技术种类很多,但产业化前景较好的主要是紫外(UV)光刻技术、深紫外(DUV)光刻技术、极紫外(EUV)光刻技术和X射线(X-ray)光刻技术。不但取得了很大成就,而且是目前产业中使

光刻技术的发展概要

摘要: 光刻在半导体集成电路制造工艺中,无论是从占用的资金、技术还是人员来看,都有举足轻重的地位。光刻工艺的发展历史就是集成电路的发展历史,光刻技术的发展现状就是集成电路的发展现状,不论是最低端的,还是今天最为先进的集成电路制造,光刻技术水平始终决定着集成电路的生产水平。 关键词:光刻曝光分辨率 引言: 30多年以来,集成电路技术的发展始终是随着光学光刻技术的不断创新所推进的。在摩尔定律的驱动下,光学光刻技术经历了接触/接近(Aligner)、等倍投影、缩小步进投影(Stepper)、步进扫描投影(Scanner)曝光方式的变革(见图l所示),曝光波长由436nm的h线向365nm的i线、继而到248nm的KrF0.5 m、0.35 m、0.1 m、90 nnl、65 nm、45 nnl等节点。光刻技术始终为摩尔定律的不断向前推进而孜孜不懈地努力着,目前已迈向了32 nn]节点的开发阶段。 一.推动光刻技术和设备发展的动力 经济利益是si片直径由200ram向300mm转移的主要因素。Canon于1995年着手300ram曝光机,推出了EX3L和[5L步进机,于1997~1998年提供日本半导体超前边缘技术(SELETE)集团使用,ASML公司的300ram步进扫描曝光机使用193nm波长,型号为FPA2500,也于1999年提供给SELETE集团使用。曝光是芯片制造中最关键的制造工艺,由于光学曝光技术的不断创新,一再突破人们预期的极限,使之成为当前曝光的主流技术。1997年美国GCA公司推出了第一台分布重复投影曝光机,被视为曝光技术的一大里程碑,1991年美国SVC公司推出了步进扫描曝光机,它集分布投影曝光机的高分辨率和扫描投影机的大视场、高效率于一身,更适合 (<0125 m)线条的大规模生产曝光。后来Nikon公司又推出了NSR2S204B,用KrF,使用变形照明(MBI)可做到0115 111的曝光。ASML公司也推出PAS15500/750E,使用该公司的AERILAIJII 照明,可解决0113 in曝光。但1999ITRS建议。01l3 111曝光方案是用193nm或248nm加分辨率提高技术 (RET);0110 nl曝光方案是用157、193nm加RET、接近式x光曝光(PxL)或离子束投影曝光(IPL)。目前,Ic加工中线宽在0.25 m 以上的大生产光刻设备,基本都采用i谱线光源,当线宽在0.25g.m--~0.18 m 时,将采用248nm DUV(远紫外)投影光刻技术,若将DUV 辅以提高光刻分辨率的诸多措施,将可用于0.15 m IC器件的研制,这种光源多采用KrF准分子激光器。但到了0.18 m 以下时,人们还是认为光学光刻将会发展193nm 和157nmVUV(真空紫外/深紫外)准分子激光光刻技术。193nm技术已比较成熟[4],商品化在即,只是还有些问题正在解决,比如抗蚀剂等问题。157nm 的F。准分子激光光刻技术,被认为是193nm 的后续技术,可用于0.10 m尺寸IC器件的加工,现已有工业级的F2激光器,由Lambda Physik 公司研制[5]。不过,该技术要达到实用化,估计要到2010年左右。 用于0.10 m 以下尺寸器件~JnY_的光刻技术即EUV[极紫外(辅射)],或许会采用126nm 的Ar。准分子激光氩灯源,但在目前看来,不能不说还处于想象阶段,除光源本身外,各种配套技术、原材料、全反射光学系统等等价格昂贵得将会难以承受。也许,到了这个时候,非光学光刻技术才会真正成为这个技术领域的超微细加工技术的主流,比如采用X-ray曝光技术、电子束(EB—stepper)曝光技术、离子束曝光技术,尽管这种设备的价格也相当昂贵。据了解,日本东京精密有限公司(ACCRETECH),正在联合日本十几家大公司,共同研制用于0.10 m 及以下尺寸器件加工的大型系统设备EB—stepper,有望于5年内问世,NIKON 公司也在开展相关研究,整个行业正拭目以待。最后,以NIKON 公司光刻系统设备及技术为例。。9O年代以来,为适应IC集成度逐步提高的要求,微细加工的技术也迅速提高,相继出现了g谱线,h谱线、i谱线光源及KrF、ArF、F:、Ar:等准分子激光光源,x 射线、电子束、离子束等非光学曝光技术也得到了发展。8O年代,普遍认为光学分辨率的极限只能达到0.5 m 左右,而现在的大多数业内人士则认为可以达到0.1 m 甚至以下[3]。表1给出了不同光源波长的分辨率 二.光刻技术的发展前景

光刻机的技术原理和发展趋势

光刻机的技术原理和发展趋势 王平0930******* 摘要: 本文首先简要介绍了光刻技术的基本原理。现代科技瞬息万变,传统的光刻技术已经无法满足集成电路生产的要求。本文又介绍了提高光刻机性能的关键技术和下一代光刻技术的研究进展情况。 关键字:光刻;原理;提高性能;浸没式光刻;下一代光刻 引言: 光刻工艺直接决定了大规模集成电路的特征尺寸,是大规模集成电路制造的关键工艺。作为光刻工艺中最重要设备之一,光刻机一次次革命性的突破,使大模集成电路制造技术飞速向前发展。因此,了解光刻技术的基本原理,了解提高光刻机性能的关键技术以及了解下一代光刻技术的发展情况是十分重要的。本文就以上几点进行了简要的介绍。 光刻技术的基本原理: 光刻工艺通过曝光的方法将掩模上的图形转移到涂覆于硅片表面的光刻胶上,然后通过显影、刻蚀等工艺将图形转移到硅片上。 1、涂胶 要制备光刻图形,首先就得在芯片表面制备一层均匀的光刻胶。截止至2000年5月23日,已经申请的涂胶方面的美国专利就达118项。在涂胶之前,对芯片表面进行清洗和干燥是必不可少的。目前涂胶的主要方法有:甩胶、喷胶和气相沉积,但应用最广泛的还是甩胶。甩胶是利用芯片的高速旋转,将多余的胶甩出去,而在芯片上留下一层均匀的胶层,通常这种方法可以获得优于+2%的均匀性(边缘除外)。胶层的厚度由下式决定: 式中:F T为胶层厚度,ω为角速度,η为平衡时的粘度,ρ为胶的密度,t为时间。由该式可见,胶层厚度和转速、时间、胶的特性都有关系,此外旋转时产生的气流也会有一定的影响。甩胶的主要缺陷有:气泡、彗星(胶层上存在的一些颗粒)、条纹、边缘效应等,其中边缘效应对于小片和不规则片尤为明显。

电子束光刻技术研究

电子束光刻技术研究 摘要:介绍了纳米加工领域的关键技术——电子束光刻技术及其最新进展。简要介绍了电子束光刻技术和目前这种技术所存在的技术缺陷和最新的研究成果和解决办法,如:关于邻近效应的解决,关于电子束高精度扫描成像曝光效率很低的问题,如电子束与其他光学曝光系统的匹配和混合光刻等问题,以及关于抗蚀剂工艺的最新进展等。 关键词:电子束光刻技术邻近效应电子束高精度扫描成像电子束与其他光学曝光系统的匹配混合光刻抗蚀剂工艺 Abstract: This paper introduces the key technology——electron beam lithography technology and the latest developments in the field of nanofabrication. A brief introduction and electron beam lithography technology currently exists drawback of this technology and the latest research results and solutions, such as: the effect on neighboring settlement, on the low-precision electron beam exposure scanning imaging efficiency issues, such as electron beam mixing and matching and other optical lithography exposure system and other issues, as well as the latest developments on the resist process and the like. 一:概述 电子束光刻与传统意义的光刻(区域曝光)加工不同,其设备如图1所示,它是利用电子束在涂有电子抗蚀剂的晶片上直接描画或投影复印图形的技术。电子束光刻机与SEM(扫描电子显微镜)的原理基本相同,电子束被电磁场聚焦成微细束照到电子抗蚀剂(感光胶) 上,由于电子束可以方便地 由电磁场进行偏转扫描,复 杂的图形可以直接写到感 光胶上而无需使用掩模版。 与其他光刻技术相比,电子 束光刻的优点非常明显:首 先,电子束光刻分辨率高, 可达0.1 m,如直接进行刻 蚀可达到几个纳米。用电子图1

提高多晶Si薄膜太阳电池转换效率的途径

本文由【中文word文档库】搜集整理。中文word文档库免费提供海量教学资料、行业资料、范文模板、应用文书、考试学习和社会经济等word文档 “微纳电子技术”2008年第4期 专家论坛 187-提高多晶Si薄膜太阳电池转换效率的途径 纳米器件与技术 193-小尺寸超高频双极晶体管工艺及特性模拟 198-单电子晶体管的蒙特卡罗模拟及宏观建模 纳米材料与结构 205-腐蚀法制备绒面ZnO透明导电薄膜 209-Bi2O3/TiO2纳米复合物的微波合成及光催化性质MEMS器件与技术 214-基于MEMS技术的微波滤波器研究进展 219-新型三轴MEMS热对流加速度传感器的研究 显微、测量、微细加工技术与设备 222-纳米光刻对准方法及其原理 231-变温腐蚀法制备纳米光纤探针 235-一维纳米结构的拉伸力学测试 240-Si 基GaN薄膜的制备方法及结构表征 ======================================= 专家论坛 187-提高多晶Si薄膜太阳电池转换效率的途径 彭英才1,2,姚国晓3,马蕾1,王侠1 (1. 河北大学电子信息工程学院,河北保定071002; 2. 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京 100083; 3. 中国天威英利新能源有限公司,河北保定071051) 摘要:多晶Si薄膜对可见光进行有效地吸收、光照稳定性好、制作成本低,被公认为是高效率和低成本的光伏器件材料。以提高多晶Si薄膜太阳电池转换效率为主线,介绍了增大晶粒尺寸以增加载流子迁移率、进行表面和体内钝化以减少复合中心、设计p-I-n结构以增加光收集效率、制作绒面结构以

光刻技术研究

编号: 河南大学2010届本科毕业论文 光刻技术研究 论文作者姓名:张永攀 作者学号:1023009650 所在学院:物理院 所学专业:电子信息科学与技术 导师姓名:谷城 导师职称:讲师 2014 年 4 月 25 日

光刻技术研究 摘要 光刻技术是集成电路制造中至关重要的一环,同时光刻技术的发展速度也在一定程度上决定了集成电路更新换代的周期,因此对光刻技术的研究对于集成电路的发展进程就显得尤为关键。本文首先讲述了光刻技术的含义以及它在集成电路制造工艺中的作用和地位,给读者一个直观的感受,然后具体介绍了光刻技术主要用到的设备和材料并且一一阐释了光刻的每个步骤,并结合每个步骤探讨未来可能会出现改进的地方,最后从理论和可实现性两方面结合自己的理解预测未来光刻技术的走向,试着找到最有可能实现大规模生产的新的工艺技术。 关键词:光刻技术,重要作用,流程,发展方向

Abstract Lithography is a vital part of the integrated circuit , at the same time, the speed of the development of lithography technology determines the integrated circuit upgrade cycle to a certain extent, so studying lithography process is particularly critical in the development of integrated circuit. First, this article tells us the definition of lithography and its role and status in the integrated circuit process to give the readers an intuitive feeling, then it introduced equipment and materials of lithography in detail and illustrates the each step of lithography, then combined with the steps to explore where it can be improved. Finally, from the two aspects of theory and reality it predicts the future lithography combined with own understanding, and try to find the new technology which most likely to achieve mass production. Keywords: Lithography,important role, process, direction

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