光电倍增管简介及使用特性

光电倍增管简介及使用特性
光电倍增管简介及使用特性

光电倍增管简介及使用特性我们做化学发光的仪器检测部分都是用光电倍增管来检测我们化学反应所发出的微弱的光信号,我在这里给大家介绍一下光电倍增管的一些参数,仅供大家参考。

介绍

今天我们使用的光电器件中,光电倍增管(PMT)是一种具有极高灵敏度和超快时间响应的光探测器件。典型的光电倍增管如图1所示,在真空管中,包括光电发射阴极(光阴极)和聚焦电极、电子倍增极和电子收集极(阳极)的器件。

当光照射光阴极,光阴极向真空中激发出光电子。这些光电子按聚焦极电场进入倍增系统,通过进一步的二次发射得到倍增放大。放大后的电子被阳极收集作为信号输出。

因为采用了二次发射倍增系统,光电倍增管在可以探测到紫外、可见和近红外区的辐射能量的光电探测器件中具有极高的灵敏度和极低的噪声。光电倍增管还有快速响应、低本底、大面积阴极等特点。

下面将讲解光电倍增管结构的主要特点和基本使用特性。

结构

一般,端窗型(Head-on)和侧窗型(Side-on)结构的光电倍增管都有一个光阴极。侧窗型的光电倍增管,从玻璃壳的侧面接收入射光,而端窗型光电倍增管是从玻璃壳的顶部接收入射光。通常情况下,侧窗型光电倍增管价格较便宜,并在分光光度计和通常的光度测定方面有广泛的使用。大部分的侧窗型光电倍增管使用了不透明光阴极(反射式光阴极)和环形聚焦型电子倍增极结构,这使其在较低的工作电压下具有较高的灵敏度。

端窗型(也称作顶窗型)光电倍增管在其入射窗的内表面上沉积了半透明光阴极(透过式光阴极),使其具有优于侧窗型的均匀性。端窗型光电倍增管的特点还包括它拥有从几十平方毫米到几百平方厘米的光阴极。

端窗型光电倍增管中还有针对高能物理实验用的,可以广角度捕集入射光的大尺寸半球形光窗的光电倍增管。

电子倍增系统

光电倍增管的优异的灵敏度(高电流放大和高信噪比)得益于基于多个排列的二次电子发射系统的使用,它使电子低噪声的条件下得到倍增。电子倍增系统包括从8至19极的被叫做打拿极或倍增极的电极。

现在使用的电子倍增系统主要有以下几类:

1)环形聚焦型

环形聚焦型结构主要应用于侧窗型光电倍增管。其主要特点为紧凑的结构和快速时间响应特性。

2)盒栅型

这种结构包括了一系列的四分之一圆柱形的倍增极,并因其相对简单的倍增极结构和一致性的改良而被广泛地应用于端窗型光电倍增管,但在一些应用中,其时间响应可能略显缓慢。

3)直线聚焦型

直线聚焦型因其极快的时间响应而被广泛地应用于要求时间分辨和线性脉冲研究用的端窗型光电倍增管中。

4)百叶窗型

百叶窗型结构因倍增极可以较大而被用于大阴极的光电倍增管中,其一致性较好,可以有大的脉冲输出电流。这种结构多用于不太要求时间响应的场合。

5)细网型

细网型结构拥有封闭的精密组合的网状倍增极,而使其具有极强的抗磁性、一致性和脉冲线性输出特性。另外,当使用交叠阳极或多阳极结构输出情况下,还具有位置灵敏特性。

6)微通道板(MCP)型

MCP是上百万的微小玻璃管(通道)彼此平行地集成为薄形盘片状而形成。每个通道都是一个独立的电子倍增器。MCP比任何分离电极倍增极结构具有超快的时间响应,并且当采用多阳极输出结构时,在磁场中仍具有良好的一致性和二维探测能力。

7)金属通道型

金属通道型拥有滨松公司独有的机械加工技术创造的紧凑阳极结构,各个倍增极之间狭窄的通道空间,使其比任何常规结构的光电倍增管可以达到更快的时间响应速度。并可适用于位置灵敏探测。

此外,上述结构中两种结构相混合也是可能的。混合的倍增极可以发挥各自的优势。

光谱响应

光电倍增管的阴极将入射光的能量转换为光电子。其转换效率(阴极灵敏度)随入射光的波长而变。这种光阴极灵敏度与入射光波长之间的关系叫做光谱响应特性。图4给出了双碱光电倍增管的典型光谱响应曲线。光谱响应特性的长波端取决于光阴极材料,短波端则取决于入射窗材料。在本书的附件里给出了不同型号的光电倍增管的光谱响应特性,其中长波端的截止波长,对于双碱阴极和Ag-O-Cs阴极的光电倍增管定义为其灵敏度降至峰值灵敏度的1%点,多碱阴极则定义为峰值灵敏度的0.1%。

附件后的光谱响应特性曲线为典型值,对于每一支光电倍增管来讲,真实的数据可能会略有差异。

光阴极材料

光电倍增管的阴极一般是具有低逸出功的碱金属材料形成的光电发射面。常用的阴极材料有以下几种:

1)Ag-O-Cs

用此材料的透过型阴极具有典型的S-1谱,即具有从可见到红外(300-1200nm)的谱响应。因为Ag-O-Cs阴极有较高的热电子发射(请参考阳极暗电流章节),所以这种光电倍增管一般要在制冷器中工作,用于近红外区的光探测。

2)GaAs(Cs)

掺入活性Cs的GaAs材料也可以用作光阴极。这种光阴极比多碱光阴极复盖更宽的光谱范围,可以从近紫外到930nm,并且响应曲线在300-850nm范围内较为平直。

3)InGaAs(Cs)

这种阴极材料比GaAs在红外区有了较大的扩展,可以达到900 -1000nm,比Ag-O-Cs阴极有更高的信噪比。

4)Sb-Cs

这是一种具有在紫外和可见光范围光谱响应的广泛应用的光阴极材料。主要应用在反射式光阴极上,不太适合于透过式光阴极。

5)双碱材料(Sb-Rb-Cs)(Sb-K-Cs)

这些材料与Sb-Cs材料具有相似的光谱响应特性,但比Sb-Cs材料具有更高的灵敏度和更低的噪声。透过式双碱材料光阴极更具有与N aI(Tl)闪烁晶体匹配的良好的灵敏度光谱特性,所以这种光电倍增管常用于放射性领域中的闪烁探测工作。

6)高温双碱和低噪声双碱材料(Na-K-Sb)

这种材料因为可以工作在高达175℃,所以常用于高温环境场合,比如石油测井行业等。在室温下,这种阴极材料具有很低的暗电流,在光子计数应用方面较为理想。

7)多碱阴极(Na-K-Sb-Cs)

多碱阴极在紫外到近红外区很宽的光谱范围内具有较高的灵敏度。所以常用于宽光谱范围的分光光度计。应用特殊的阴极制作方法可以将光谱响应范围扩展至930nm。

8)Cs-Te,Cs-I

这些材料的光谱响应范围在真空紫外和紫外线区,因为对可见光没有响应,所以也叫做日盲材料。Cs-Te材料光谱响应范围可以达到32 0nm,Cs-I材料也可达到200nm。

窗材料

光电倍增管一般使用以下窗材料:

1)硼硅玻璃

这是一种常用的玻璃材料,可以透过从近红外至300nm的入射光,但不适合于紫外区的探测。在一些应用中,常将双碱阴极与低本低硼硅玻璃(也称无钾玻璃)组合使用。无钾玻璃中只有极低含量的钾,其中的K40会造成暗计数。所以通常用于闪烁计数的光电倍增管不仅入射窗,而且玻璃侧管也使用无钾玻璃,就是为了降低暗计数。

2)透紫玻璃(UV玻璃)

这种玻璃材料就象其名字所表达的那样,可以很好地透过紫外光,和硼硅玻璃一样被广泛使用。分光应用领域一般都要求用透紫玻璃,其截止波长可接近185nm。

3)合成石英

合成石英可以将透过的紫外光波长延伸至160nm,并且在紫外区比熔融石英玻璃有更低的吸收。合成石英材料的膨胀系数与芯柱用玻璃的膨胀系数有很大差别,所以,用热膨胀系数渐变的封接材料与合成石英逐渐过渡。因此,此类光电倍增管的强度易受外界震动的破坏,使用中要采取足够的保护措施。

4)氟化镁(镁氟化物)

该材料具有极好的紫外线透过性,但同时也有易潮解的不利因素。尽管如此,氟化镁仍以其接近115nm的紫外透过能力而成为一种实用的光窗材料。

如上所述,光电倍增管的光谱响应特性同时取决于光阴极和光窗材料,这一点对选择适当的光电倍增管很重要。

辐射灵敏度和量子效率

如图4所示,光谱响应经常以不同波长下的辐射灵敏度和量子效率来表示。辐射灵敏度(S)即为某一波长下的光电倍增管阴极发射出的光电子电流与该波长的入射光能量的比值,单位为A/W(安培/瓦)。量子效率(QE)为光阴极发射出来的光电子数量与入射光光子的

数量之比。一般用百分比来表示量子效率。在给定波长下辐射灵敏度和量子效率有如下关系:

这里S为给定波长下的辐射灵敏度,单位为A/W,λ为波长,单位为nm(纳米)。

光照灵敏度

由于测量光电倍增管的光谱响应特性需要精密测试系统和很长的时间,所以提供给用户每一支光电倍增管的光谱响应特性不现实,所以我们提供阴极和阳极的光照灵敏度。

阴极光照灵敏度是使用钨灯产生的2856K色温光测试的每单位通量入射光(实际用10-5~10-2Lm)产生的阴极光电子电流。阳极光照灵敏度是每单位阴极上的入射光通量(实际用10-10~10-5Lm)产生的阳极输出电流(经过二次发射极倍增后)。虽然同样是用钨灯,测量时所加电压要作适当的调整。当光电倍增管具有相同或相似的光谱响应范围时,这些参数显然很有用。除了对钨灯产生的光没有响应的Cs-I和Cs-Te阴极的管子(这些管子将给出特定波长下的辐射灵敏度),滨松公司的光电倍增管的最终测试数据也常常提供这些参数。

阴极和阳极的光照灵敏度都是以A/Lm(安培/流明)为单位,请注意,流明是在可见光区的光通量的单位,所以对于光电倍增管的可见光区以外的光照灵敏度数值可能是没有实际意义的(对于这些光电倍增管,常常使用蓝光灵敏度和红白比来表示)

蓝光灵敏度和红白比

一般使用阴极蓝光灵敏度和红白比来简单地比较光电倍增管的光谱响应特性。

阴极蓝光灵敏度是使用钨灯产生的2856K色温光通过蓝色滤光片(康宁公司CS No.5-58磨光至一半厚度)后测试的每单位通量入射光(实际用10-5~10-2Lm)产生的阴极光电子电流。对于光通量,通过蓝色滤光片后就不能再用流明表示了,所以蓝光灵敏度表示为A/L m-b(安培/流明-蓝光)。因为与闪烁计数用的NaI(Tl)晶体产生的蓝色光谱非常相近,蓝光灵敏度在使用NaI(Tl)晶体的场合比较重要,对于能量分辨率更是决定性的参数。

红白比用于光谱响应扩展到近红外区的光电倍增管。这个参数是使用钨灯产生的2856K色温光通过红色滤光片(东芝公司专门用于S-1谱光阴极的IR-D80A或用于其它阴极的R-68滤光片)后测试的阴极光照灵敏度除以去掉上述滤光片时的阴极光照灵敏度的商。

电流放大(增益)

光阴极发射出来的光电子被电场加速撞击到第一倍增极,以便发生二次电子发射,产生多于光电子数目的电子流。这些二次电子发射的电子流又被加速撞击到下一个倍增极产生又一次的二次电子发射,连续地重复这一过程,直到最末倍增极的二次电子发射被阳极收集,从而达到了电流放大的作用。这时可以观测到,光电倍增管的阴极产生的很小的光电子电流,已经被放大成较大的阳极输出电流。

电流增益就是光电倍增管的阳极输出电流与阴极光电子电流的比值。在理想情况下,具有n个倍增极,每个倍增极的平均二次电子发射率为δ的光电倍增管的电流增益为δn。二次电子发射率δ由下式给出:

δ=A·Eα

这里的A为一常数,E为极间电压,α为一由倍增极材料及其几何结构决定的系数,α的数值一般介于0.7和0.8之间。

这样,具有n个倍增极,阴极和阳极间加入电压V的光电倍增管,其电流

增益μ即可表示为:

一般的光电倍增管有9~12个倍增极,所以阳极灵敏度与所加电压可以有106~1010的变化。光电倍增管的输出信号也特别地容易受到所加电压的波动的影响,所以供电电压一定要有很好的稳定性、较小的纹波、漂移和温度系数。基于以上原因,我公司亦可提供充分考虑上述因素设计开发的专供光电倍增管使用的可控高压电源,请参阅相关样本

阳极暗电流

光电倍增管在完全黑暗的环境中仍会有微小的电流输出。这个微小的电流叫做阳极暗电流。阳极暗电流是决定光电倍增管对微弱光信号的检出能力的重要因素。如图9所示,阳极暗电流受电压的影响非常大。

阳极暗电流的主要来源有以下几种:

1)电子热发射

因为光阴极和倍增极材料具有较低的逸出功,所以在室温下会发射出大量的热电子。大部分的暗电流源于这种热电子发射,特别是那些来自光阴极的热电子,因为它们要经过倍增极的放大。将光电倍增管冷却是降低热电子发射的有效手段,这一点对诸如光子计数等要求光电倍增管具有极低暗计数特性的应用显得及其重要。

图10给出了几种光阴极的暗电流与温度的关系。在室温下,那些在红光和红外区具有灵敏度的,特别是S-1谱的光阴极具有较高的暗电流。滨松公司同样提供了各种尺寸光电倍增管使用的电子制冷器(C659、C4877等)。详情请参阅相关样本。

2)残留气体电离(离子反馈)

光电倍增管内的残留气体与电子碰撞会产生电离。当这些离子撞击光阴极或前几极倍增极时也会发射出二次电子,导致较大的阳极脉冲噪声输出。这些噪声脉冲常常在主信号脉冲后作为后脉冲被观察到,从而可能在测试光脉冲时产生问题。现在的光电倍增管在结构设计时,已经采取措施最小化后脉冲。

3)玻璃发光

当电子脱离预定轨道飞出,打击到玻璃壳时会产生辉光并导致暗脉冲输出。为了减小此类暗脉冲,可以将光电倍增管的阴极与地等电位,使用正电压,但是使用不方便。为此,滨松公司提供了一种在光电倍增管的玻壳上涂覆导电层并联接至阴极的称作“HA涂层”的服务。需详细信息请与我公司联系。

4)漏电电流

漏电电流源于光电倍增管的芯柱和管基、管座等,是暗电流的一部分。尤其是当光电倍增管工作在较低电压和较低温度时其所占暗电流成分愈大。图9和图10中暗电流曲线的过分倾斜主要是有漏电电流引起的。

光电倍增管的表面污染和水分附着造成漏电电流增大,因此要尽量避免。在测定微弱电流时,要清洁、干燥芯柱、管基、管座等。

5)场致发射

当光电倍增管工作电压接近极限工作电压时,强大的电场使电极发出场致发射电子,从而造成暗脉冲输出。因此,建议光电倍增管工作在比极限工作电压低20%~30%的电压以下。

黑暗环境中的光电倍增管,其暗电流随时间而减小。一般样本中给出的暗电流值为光电倍增管在黑暗中30分钟后所测得。

等效输入噪声ENI

等效输入噪声ENI是为了得到与阳极暗电流相等的阳极输出电流所需要的入射光,用瓦特(W)或流明(Lm)为单位表示。可由下式计算:

其中:q = 电量

Idb = 黑暗中30分钟后的阳极暗电流(单位:安培)

μ= 电流增益

Δf= 系统的带宽(一般为1赫兹)

S = 固定波长下的阳极辐射灵敏度(安培/瓦)

或阳极光照灵敏度(安培/流明)

对于一般的光电倍增管,ENI的值可由上式得出。通常ENI的值约为10-15和10-16瓦。

磁场影响

大多数的光电倍增管会受到磁场的影响。磁场会使电子脱离预定轨道而造成增益的减少。这种减少由与光电倍增管的型号及其在磁场中的方向有关。图11给出了几种不同结构和电子倍增系统的光电倍增管在磁场中的所受影响的典型曲线。一般而言,从阴极到第一倍增极的距离越长,光电倍增管就越容易受到磁场的影响。因此,端窗型,特别是大口径的光电倍增管,使用中要特别注意这一点。

当光电倍增管不得不工作在磁场中的时候,可能需要使用磁屏蔽套筒来减小管子所处环境的磁场强度。滨松公司同样可以提供各式各样的磁屏蔽套筒,详情请与我公司联系。为了表示磁屏蔽的效果,我们引入一磁屏蔽效果的系数,即光电倍增管的磁屏蔽的外部磁场强度Hout与磁屏蔽内部的磁场强度Hin的比值,称为透磁系数μ,磁屏蔽筒的厚度t(mm),内壁直径D(mm)有下式关系:

需要注意的是,如图12所示,磁屏蔽效果与磁屏蔽筒长出光电倍增管端面的距离有关。可以看到,磁屏蔽筒至少应长出光电倍增管端面一个半径的长度。

滨松公司可以提供细网型光电倍增管,与其他电子倍增系统的光电倍增

管相比,细网型光电倍增管可以避免很高的外界磁场影响。此外,当环境磁场较强,而测试光也较强时,可以考虑使用三倍增极型或四倍增极型的光电倍增管。

均匀性

均匀性是指入射光照射光阴极的不同位置时的灵敏度变化。

尽管光电倍增管在结构、电子轨迹等的设计上考虑将阴极和倍增极产生的二次电子有效地收集到第一倍增极或下一倍增极上,但在聚焦和放大过程中仍然会有电子偏离预定轨道,造成收集效率的降低。这种收集效率的降低,受光电子从阴极上发射出来的位置的影响,从而反应出了光电倍增管的均匀性。当然,均匀性也取决于光阴极本身表面镀层的均匀特点。

一般,端窗型光电倍增管因其阴极与第一倍增极的几何结构特点,在均匀性方面优于侧窗型光电倍增管。特别是用于γ相机的光电倍增管的均匀性,因为光电倍增管的均匀性对γ相机的整体性能而言是个决定性的因素。

温度特性

降低光电倍增管的环境温度,可以减少热电子发射,从而降低暗电流。光电倍增管的灵敏度也受到温度的影响。在紫外和可见光区,光电倍增管的温度系数为负值,到了长波截止波长附近则呈正值。图14给出了典型光阴极的温度系数与波长的关系。由于在长波截止波长附近温度系数变得很大,所以在一些应用中需要很好地控制光电倍增管的环境温度。

滞后特性

当工作电压或入射光产生变化之后,光电倍增管会有一个几秒钟到几十秒钟的不稳定输出过程。在达到稳定状态之前,输出信号会有些微的过脉冲或欠脉冲现象(参见图15)。这个不稳定的过程叫做滞后,滞后特性在分光光度测试中应予以重视。

滞后特性是由于二次电子偏离预定轨道和电极支撑物、玻壳等的静电荷引起的。当工作电压或入射光产生改变时,就会出现明显的滞后。对此,滨松公司的侧窗型光电倍增管采用的“反滞后设计”,实际上已经消除了滞后现象。

时间及寿命特性

长时间连续使用光电倍增管,尽管使用条件没有任何改变,其输出电流随时间也会出现轻微的变化。这个变化叫做漂移,或者,当时间长至103到104小时的时候,叫做寿命特性。图16给出了典型的寿命特性。

漂移主要是由于最末倍增极受到大电流轰击造成的。所以,稍低的工作电压有利于减小漂移。在强调稳定性的场合,平均阳极电流最好在1μA或更低的水平。

时间特性

在测试脉冲光信号时,阳极输出信号必须真实地再现一个输入信号的波形。这种再现能力受到电子渡越时间、阳极脉冲上升时间和电子渡越时间分散(TTS)的很大影响。

电子渡越时间就是脉冲入射光信号(脉冲宽度低于50nm)入射到光阴极的时刻,与阳极输出脉冲幅度达到峰值的时刻两者之间的时间差异。阳极脉冲上升时间定义为全部光阴极被脉冲光信号(脉冲宽度低于50nm)照射时,阳极输出幅度从峰值的10%到90%所需的时间。对于不同的脉冲入射光信号,电子渡越时间会有一些起伏。这种起伏就叫做电子渡越时间分散(TTS),并定义为单光子入射时的电子渡越时间频谱的半高宽(FWHM)(参见图18)。渡越时间分散(TTS)在时间分辨测试中是较主要的参数。

时间响应特性取决于倍增极结构和工作电压。通常,直线聚焦型和环形聚焦型倍增极结构的光电倍增管比盒栅型和百叶窗型倍增极结构的光电倍增管有较好的时间特性。而将常规的倍增极替换为MCP的微通道板型光电倍增管,比其他类型倍增极的光电倍增管有更好的时间特性。例如,因为在阴极、MC P和阳极间加入了较短的平行电场,相对于普通的光电倍增管,微通道板型光电倍增管的渡越时间分散(TTS)得到了极大的改善。图19展示了R2059型光电倍增管(直径51mm,端窗型,12倍增极,线性聚焦型)的时间响应特性与工作电压的关系。

分压器设计

光电倍增管各倍增极的极间电压,一般由包括一系列电阻的分压器来提供。图20为典型的分压电路示意图。电路(a)为直流(DC)输出型得基本电路,图(b)为测试脉冲信号时使用。图21为使用电路(a)作为分压器的光电倍增管的入射光通量与平均阳极输出电流的对应关系曲线。在入射光通量区域(B区),理想的线性发生了背离,这主要是因为光电倍增管的后几极(倍增极和阳极)的电压降低,使得分压器电压重新分配,而造成其它倍增极电压略有提高所导致,其结果是光电倍增管的灵敏度略有提高。随着入射光通量的增加,

不断增加的阳极输出电流已接近了流过分压器的电流值而趋于饱和(C区)。因此,一定要保证分压器电流达到光电倍增管可能达到的平均阳极电流的至少20倍以上。

测试脉冲信号光时需要有较大的电流输出。为了使倍增极正常工作,在脉冲持续时间里获得较大的峰值电流,通常按图20(b)所示接入大的电容。电容值有赖于输出的电荷。如果线性要求优于1%,电容的取值要达到每个脉冲的输出电荷的至少100倍,即:

这里的I为峰值输出电流(安培),t为脉冲宽度(秒),V是电容所加电压(伏)。

在高能物理等高脉冲输出应用时,极间电压保持不变,而随着入射光的增强,输出会在某一点出现饱和。这是由于随着电极间的电荷密度的增加,逐渐增强的空间电荷效应扰乱了电子束电流的缘故。为了降低空间电荷效应影响,在电荷密度较高的后几个倍增极和阳极上所加的电压应适当地提高,增强后几个倍增极和阳极的电压梯度。基于这种考虑,一般使用锥型分压器(图22)。锥型分压器的使用使得脉冲线性度较使用普通分压器线路(均分压线路)提高了5~10倍。

滨松公司可以提供一系列的分压器管座一体化组件。这些组件紧凑、坚固、轻便,采用短线联接,便于使用,可以最大限度地发挥光电倍增管的性能。

阳极接地与HA涂层

如图20所示,对于分压器电路,从一般技术上讲,我们习惯于将阳极接地,而使用负高压电源联接至阴极使用。这种设计方案有利于将光电倍增管作为电流源,或方便与前置放大器的联接。但是将阳极接地却使光电倍增管的管壳与接地端或磁屏蔽筒的电场作用,导致电子撞击光电倍增管的内壁,从而产生噪声。另外,对于端窗型光电倍增管,如果接近阴极的面板或侧壁接地,玻璃材料的微小的电导将会在阴极(接入负高压时)与地之间形成微小的电流,而可能造成阴极的恶化。对此,在设计光电倍增管的屏蔽壳,或使用磁屏蔽套筒时要特别注意。

另外,光电倍增管在使用诸如海绵乳胶等的固定材料时也一定要选择绝缘性能好的材料。对于这个问题,可以使用如图23所示的在光电倍增管的外壳涂覆黑色导电层并联接到阴极(即H A涂层)的方法加以解决。

如上面提到的,HA涂层可以有效地消除外部电压对光电倍增管侧壁的影响。但是如果入射窗处有地电位物料,就没有太好的办法了。如果入射窗玻璃产生打火现象,会对噪声有极大的影响,并且会造成阴极的损坏而降低灵敏度,而这种损坏对于光电倍增管来说是不能恢复的。为了解决这个问题,需要象图24那样将光电倍增管的阴极接地,而将阳极接入正高压。例如在闪烁计数领域,为了避免打火,习惯地将阴极接地,而阳极接入正高压。这种设计方案,需要使用一个隔直电容Cc将正高压与后续电路分隔开,并使DC信号得不到输出。

单光子计数

光子计数法对于使用光电倍增管探测极微弱光是个有效的方法,并在天文光度测量、化学发光和生物发光等领域有较多应用。对于一般的应用,大量光子进入光电倍增管并在阳极输出大量的如图25(a)的脉冲序列。阳极输出是一个如图25(b)的带有波动的直流信号。

当入射光强逐渐降低,以至于入射的光子分散得类似图26时,这种状态称作单光子(或光电子)情况。输出的脉冲数与入射光成正比例,并且对这些脉冲计数的方法在信噪比和稳定性等方面,优于采用平均脉冲的电流测定方法。这个对脉冲计数的光量测量技术叫做光子计数法。

光电倍增管简介及使用特性

我们做化学发光的仪器检测部分都是用光电倍增管来检测我们化学反应所发出的微弱的光信号,我在这里给大家介绍一下光电倍增管的一些参数,仅供大家参考。 介绍 今天我们使用的光电器件中,光电倍增管(PMT)是一种具有极高灵敏度和超快时间响应的光探测器件。典型的光电倍增管如图1所示,在真空管中,包括光电发射阴极(光阴极)和聚焦电极、电子倍增极和电子收集极(阳极)的器件。 当光照射光阴极,光阴极向真空中激发出光电子。这些光电子按聚焦极电场进入倍增系统,通过进一步的二次发射得到倍增放大。放大后的电子被阳极收集作为信号输出。 因为采用了二次发射倍增系统,光电倍增管在可以探测到紫外、可见和近红外区的辐射能量的光电探测器件中具有极高的灵敏度和极低的噪声。光电倍增管还有快速响应、低本底、大面积阴极等特点。 下面将讲解光电倍增管结构的主要特点和基本使用特性。 结构 一般,端窗型(Head-on)和侧窗型(Side-on)结构的光电倍增管都有一个光阴极。侧窗型的光电倍增管,从玻璃壳的侧面接收入射光,而端窗型光电倍增管是从玻璃壳的顶部接收入射光。通常情况下,侧窗型光电倍增管价格较便宜,并在分光光度计和通常的光度测定方面有广泛的使用。大部分的侧窗型光电倍增管使用了不透明光阴极(反射式光阴极)和环形聚焦型电子倍增极结构,这使其在较低的工作电压下具有较高的灵敏度。 端窗型(也称作顶窗型)光电倍增管在其入射窗的内表面上沉积了半透明光阴极(透过式光阴极),使其具有优于侧窗型的均匀性。端窗型光电倍增管的特点还包括它拥有从几十平方毫米到几百平方厘米的光阴极。 端窗型光电倍增管中还有针对高能物理实验用的,可以广角度捕集入射光的大尺寸半球形光窗的光电倍增管。

二极管种类及应用

二极管 一、二极管的种类 二极管有多种类型:按材料分,有锗二极管、硅二极管、砷化镓二极管等;按制作工艺可分为面接触二极管和点接触二极管;按用途不同又可分为整流二极管、检波二极管、稳压二极管、变容二极管、光电二极管、发光二极管、开关二极管、快速恢复二极管等;接构类型来分,又可分为半导体结型二极管,金属半导体接触二极管等;按照封装形式则可分为常规封装二极管、特殊封装二极管等。下面以用途为例,介绍不同种类二极管的特性。 1.整流二极管 整流二极管的作用是将交流电源整流成脉动直流电,它是利用二极管的单向导电特性工作的。 因为整流二极管正向工作电流较大,工艺上多采用面接触结构。南于这种结构的二极管结电容较大,因此整流二极管工作频率一般小于3kHz。 整流二极管主要有全密封金属结构封装和塑料封装两种封装形式。通常情况下额定正向T作电流LF在l A以上的整流二极管采用金属壳封装,以利于散热;额定正向工作电流在lA以下的采用全塑料封装。另外,由于T艺技术的不断提高,也有不少较大功率的整流二极管采用塑料封装,在使用中应予以区别。 由于整流电路通常为桥式整流电路(如图1所示),故一些生产厂家将4个整流二极管封 装在一起,这种冗件通常称为整流桥或者整流全桥(简称全桥)。常见整流二极管的外形如图2所示。 选用整流二极管时,主要应考虑其最大整流电流、最大反向丁作电流、截止频率及反向恢复时间等参数。 普通串联稳压电源电路中使用的整流二极管,对截止频率的反向恢复时间要求不高,只要根据电路的要求选择最大整流电流和最大反向工作电流符合要求的整流二极管(例如l N 系列、2CZ系列、RLR系列等)即可。 开关稳压电源的整流电路及脉冲整流电路中使用的整流二极管,应选用工作频率较高、

光电倍增管综述

光电倍增管综述

光电倍增管综述 摘要:光电倍增管是一种能将微弱的光信号转换成可测电信号的光电转换器件。本文将从结构,特性,应用及发展前景几方面做阐述。 一结构 光电倍增管是一种真空器件。它由光电发射阴极(光阴极)和聚焦电极、电子倍增极及电子收集极(阳极)等组成。典型的光电倍增管按入射光接收方式可分为端窗式和侧窗式两种类型。下图所示为端窗型光电倍增管的剖面结构图。 其主要工作过程如下:当光照射到光阴极时,光阴极向真空中激发出光电子。这些光电子按聚焦极电场进入倍增系统,并通过进一步的二次发射得到的倍增放大。然后把放大后的电子用阳极收集作为信号输出。因为采用了二次发射倍增系统,所以光电倍增管在探测紫外、可见和近红外区的辐射能量的光电探测器中,具有极高的灵敏度和极低的噪声。另外,光电倍增管还具有响应快速、成本低、阴极面积大等优点。 二特性 一光谱响应 光电倍增管由阴极收入射光子的能量并将其转换为光子,其转换效率(阴极灵敏度)随入射光的波长而变。这种光阴极灵敏度与入射光波长之间的关系叫做光谱响应特性。 一般情况下,光谱响应特性的长波段取决于光阴极材料,短波段则取决于入射窗材料。光电倍增管的阴极一般都采用具有低逸出功能的碱金属材料所形成的光电发射面。光电倍增管的窗材料通常由硼硅玻璃、透紫玻璃(UV玻璃)、合成石英玻璃和氟化镁(或镁氟化物)玻璃制成。硼硅玻璃窗材料可以透过近红外至300nm垢可见入射光,而其它3种玻璃材料则可用于对紫外区不可见光的探测。

二光照灵敏度 由于测量光电倍增管的光谱响应特性需要精密的测试系统和很长的时间,因此,要为用户提 供每一支光电倍增管的光谱响应特性曲线是不现实的,所以,一般是为用户提供阴极和阳极 的光照灵敏度。 阴极光照灵敏度,是指使用钨灯产生的2856K色温光测试的每单位通量入射光产生的阴极光 电子电流。阳极光照灵敏度是每单位阴极上的入射光能量产生的阳极输出电流(即经过二次 发射极倍增的输出电流)。 三增益 光阴极发射出来的光电子被电场加速后撞击到第一倍增极上将产生二次电子发射,以便产生 多于光电子数目的电子流,这些二次发射的电子流又被加速撞击到下一个倍增极,以产生又 一次的二次电子发射,连续地重复这一过程,直到最末倍增极的二次电子发射被阳极收集, 这样就达到了电流放大的目的。这时光电倍增管阴极产生的很小的光电子电流即被放大成较 大的阳极输出电流。一般的光电倍增管有9~12个倍增极。 三应用 光电倍增管应用用下表简单表示。 光电倍增管的应用领域 光谱学----- 利用光吸收原理 应用领域光电倍增管特性适用管紫外/可见/近红外分光光度计 光通过物质时使物质的电子状态发生变化,而失去部分能量,叫做吸收。利用吸收进行定量分析。为确定样品物质的量,采用连续的光谱对物质进行扫描,并利用光电倍增管检测光通过被测物质前后的强度,即可得到被测物质程度,计算出物质的量。1.宽光谱响应 2.高稳定性 3.低暗电流 4.高量子效率 5.低滞后效应 6.较好偏光特性 R212 R6356,R6 R928,R955,R14 R1463 R374,R3 CR114,CR131 原子吸收分光光度计 广泛地应用于微量金属元素的分析。对应于分析的各种元素,需要专用 的元素灯,照射燃烧并雾化分离成原子状态的被测物质上,用光电倍增 管检测光被吸收的强度,并与预先得到的标准样品比较。 R928,R955 CR1 生物技术 应用领域光电倍增管特性适用管 细胞分类 细胞分类仪是利用荧光物质对细胞标定后,用激光照射,细胞的荧光、散乱光用光电倍增管进行观察,对特定的细胞进行选别的装置。1.高量子效率 2.高稳定性 3.低暗电流 4.高电流增益 5.好的偏振特性 R6353,R6357,R R928,R1477,R3 R2368 CR131 荧光计 细胞分类的最终目的是分离细胞,为此,有一种用于对细胞、化学物质进行解析的装置,它称为荧光计。它对细胞、染色体发出的荧光、散乱

APD光电二极管特性测试实验

APD光电二极管特性测试实验 一、实验目的 1、学习掌握APD光电二极管的工作原理 2、学习掌握APD光电二极管的基本特性 3、掌握APD光电二极管特性测试方法 4、了解APD光电二极管的基本应用 二、实验内容 1、APD光电二极管暗电流测试实验 2、APD光电二极管光电流测试实验 3、APD光电二极管伏安特性测试实验 4、APD光电二极管雪崩电压测试实验 5、APD光电二极管光电特性测试实验 6、APD光电二极管时间响应特性测试实验 7、APD光电二极管光谱特性测试实验 三、实验仪器 1、光电探测综合实验仪 1个 2、光通路组件 1套 3、光照度计 1台 4、光敏电阻及封装组件 1套 5、2#迭插头对(红色,50cm) 10根 6、2#迭插头对(黑色,50cm) 10根 7、三相电源线 1根 8、实验指导书 1本 9、示波器 1台 四、实验原理 雪崩光电二极管APD—Avalanche Photodiode是具有内部增益的光检测器,它可以用来检测微弱光信号并获得较大的输出光电流。 雪崩光电二极管能够获得内部增益是基于碰撞电离效应。当PN结上加高的反偏压时,耗尽层的电场很强,光生载流子经过时就会被电场加速,当电场强度足够高(约3x105V/cm)时,光生载流子获得很大的动能,它们在高速运动中与半导体晶格碰撞,使晶体中的原子电离,从而激发出新的电子一空穴对,这种现象称为碰撞电离。碰撞电离产生的电子一空穴对在强电场作用下同样又被加速,重复前一过程,这样多次碰撞电离的结果使载流子迅速增加,电流也迅速增大,这个物理过程称为雪崩倍增效应。 图6-1为APD的一种结构。外侧与电极接触的P区和N区都进行了重掺杂,分别以P+和N+表示;在I区和N+区中间是宽度较窄的另一层P区。APD工作在大的反偏压下,当反偏压加大到某一值后,耗尽层从N+-P结区一直扩展(或称拉通)到P+区,包括了中间的P层区和I区。图4的结构为拉通型APD的结构。从图中可以看到,电场在I区分布较弱,而在N+-P区分布较强,碰撞电离区即雪崩区就在N+-P区。尽管I区的电场比N+-P区低得多,但也足够高(可达2x104V/cm),可以保证载流子达到饱和漂移速度。当入射光照射时,由于雪

光电倍增管使用特性

页眉内容 光电倍增管简介及使用特性 我们做化学发光的仪器检测部分都是用光电倍增管来检测我们化学反应所发出的微弱的光信号,我在这里给大家介绍一下光电倍增管的一些参数,仅供大家参考。 介绍 今天我们使用的光电器件中,光电倍增管(PMT )是一种具有极高灵敏度和超快时间响应的光探测器件。典型的光电倍增管如图1所示,在真空管中,包括光电发射阴极(光阴极)和聚焦电极、电子倍增极和电子收集极(阳极)的器件。 当光照射光阴极,光阴极向真空中激发出光电子。这些光电子按聚焦极电场进入倍增系统,通过进一步的二次发射得到倍增放大。放大后的电子被阳极收集作为信号输出。 因为采用了二次发射倍增系统,光电倍增管在可以探测到紫外、可见和近红外区的辐射能量的光电探测器件中具有极高的灵敏度和极低的噪声。光电倍增管还有快速响应、低本底、大面积阴极等特点。 下面将讲解光电倍增管结构的主要特点和基本使用特性。

结构 一般,端窗型(Head-on)和侧窗型(Side-on)结构的光电倍增管都有一个光阴极。侧窗型的光电倍增管,从玻璃壳的侧面接收入射光,而端窗型光电倍增管是从玻璃壳的顶部接收入射光。通常情况下,侧窗型光电倍增管价格较便宜,并在分光光度计和通常的光度测定方面有广泛的使用。大部分的侧窗型光电倍增管使用了不透明光阴极(反射式光阴极)和环形聚焦型电子倍增极结构,这使其在较低的工作电压下具有较高的灵敏度。 端窗型(也称作顶窗型)光电倍增管在其入射窗的内表面上沉积了半透明光阴极(透过式光阴极),使其具有优于侧窗型的均匀性。端窗型光电倍增管的特点还包括它拥有从几十平方毫米到几百平方厘米的光阴极。 端窗型光电倍增管中还有针对高能物理实验用的,可以广角度捕集入射光的大尺寸半球形光窗的光电倍增管。 电子倍增系统 光电倍增管的优异的灵敏度(高电流放大和高信噪比)得益于基于多个排列的二次电子发射系统的使用,它使电子低噪声的条件下得

二极管的特性与应用及英文代码含义

二极管的工作原理 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时,p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。 二极管的类型 二极管种类有很多,按照所用的半导体材料,可分为锗二极管(Ge管)和硅二极管(Si管)。根据其不同用途,可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管等。按照管芯结构,又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面,通以脉冲电流,使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起,形成一个“PN结”。由于是点接触,只允许通过较小的电流(不超过几十毫安),适用于高频小电流电路,如收音机的检波等。面接触型二极管的“PN结”面积较大,允许通过较大的电流(几安到几十安),主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。平面型二极管是一种特制的硅二极管,它不仅能通过较大的电流,而且性能稳定可靠,多用于开关、脉冲及高频电路中。 二极管的导电特性 二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中,电流只能从二极管的正极流入,负极流出。下面通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。 1. 正向特性。 在电子电路中,将二极管的正极接在高电位端,负极接在低电位端,二极管就会导通,这种连接方式,称为正向偏置。必须说明,当加在二极管两端的正向电压很小时,二极管仍然不能导通,流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”,锗管约为0.2V,硅管约为0.6V)以后,二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变(锗管约为0.3V,硅管约为0.7V),称为二极管的“正向压降”。 2. 反向特性。

实验七 光电倍增管的特性与特性参数测试

实验七光电倍增管的特性与特性参数测试 1. 实验目的: 光电倍增管是最灵敏的光电器件。它的暗电流、噪声、灵敏度大范围可调和时间响应等特性都具有独特的特点,因此,光电倍增管是非常优秀的光电器件。掌握光电倍增管的主要特性参数,及其它的供电电路对于正确应用光电倍增管解决微弱辐射的测量技术是非常重要的。 2. 实验仪器: 1)GDS-Ⅱ型光电综合实验平台主机; 1)GDBS-Ⅰ型光电倍增管实验装置; 3. 实验内容: 1、光电倍增管阳极暗电流I D的测量; 2、光电倍增管阳极光照灵敏度S a的测量;光电倍增管的灵敏度S a与电源电压U bb 的关系; 3、测量光电倍增管的增益G; 4. 实验原理 1)光电倍增管工作原理 光电倍增管是真空光电器件,它主要由光入射窗、光电阴极面、电子聚焦系统、倍增电极和阳极等5部分构成。其工作原理如“光电技术”教材第4章所讲述,分下面5部分: (1)光子透过入射窗口玻璃入射到玻璃内层光电阴极上,窗口玻璃的透过 率满足光电倍增管的光谱响应特性; (2)进入到光电阴极上的光子使光电阴极材料产生外光电效应,激发出电 子,并飞离表面到真空中,称其为光电子; (3)光电子通过电场加速,并在电子聚焦系统的作用下射入到第一倍增极 D1上,倍增极D1将发射出比入射光电子数目增多δ倍,这些二次电子又在电场 作用下射入到下一增极; (4)入射电子经N级倍增后,电子数就被放大δN倍; (5)经过电子倍增后的二次电子由阳极收集起来,形成阳极电流,在负载上产生压降,输出电压信号U o。 2)光电倍增管的基本特性参数 光电倍增管的特性参数包括光电灵敏度、电流增益、光电特性、阳极特性、暗电流特性与时间响应等特性。 ①光电灵敏度 光电灵敏度是光电倍增管探测光信号能力的一个重要标致,光电灵敏度通常分为阴极灵

光电倍增管使用特性

- -- - . -考试文档- 光电倍增管简介及使用特性 我们做化学发光的仪器检测部分都是用光电倍增管来检测我们化学反应所发出的微弱的光信号,我 在这里给大家介绍一下光电倍增管的一些参数,仅供大家参考。 介绍 今天我们使用的光电器件中,光电倍增管(PMT)是一种具有极高灵敏度和超快时间响应的光探测器件。典型的光电倍增管如图1所示,在真空管中,包括光电发射阴极(光阴极)和聚焦电极、电子倍增极和电子收集极(阳极)的器件。 当光照射光阴极,光阴极向真空中激发出光电子。这些光电子按聚焦极电场进入倍增系统,通过进一步的二次发射得到倍增放大。放大后的电子被阳极收集作为信号输出。 因为采用了二次发射倍增系统,光电倍增管在可以探测到紫外、可见和近红外区的辐射能量的光电探测器件中具有极高的灵敏度和极低的噪声。光电倍增管还有快速响应、低本底、大面积阴极等特点。

下面将讲解光电倍增管结构的主要特点和基本使用特性。 结构 一般,端窗型(Head-on)和侧窗型(Side-on)结构的光电倍增管都有一个光阴极。侧窗型的光电倍增管,从玻璃壳的侧面接收入射 光,而端窗型光电倍增管是从玻璃壳的顶部接收入射光。通常情况下,侧窗型光电倍增管价格较便宜,并在分光光度计和通常的光度 测定方面有广泛的使用。大部分的侧窗型光电倍增管使用了不透明光阴极(反射式光阴极)和环形聚焦型电子倍增极结构,这使其在 较低的工作电压下具有较高的灵敏度。 端窗型(也称作顶窗型)光电倍增管在其入射窗的表面上沉积了半透明光阴极(透过式光阴极),使其具有优于侧窗型的均匀性。端 窗型光电倍增管的特点还包括它拥有从几十平方毫米到几百平方厘米的光阴极。 端窗型光电倍增管中还有针对高能物理实验用的,可以广角度捕集入射光的大尺寸半球形光窗的光电倍增管。 - . -考试文档-

二极管的介绍

二极管符号 二极管(国标) 二极管的判别及参数 1.简述 半导体是一种具有特殊性质的物质,它不像导体一 样能够完全导电,又不像绝缘体那样不能导电,它介于 两者之间,所以称为半导体。半导体最重要的两种元素 是硅(读“guī”)和锗(读“zhě”)。我们常听说的美国硅 谷,就是因为起先那里有好多家半导体厂商。 二极管 应该算是半导体器件家族中的元老了。很久以前,人们 热衷于装配一种矿石收音机来收听无线电广播,这种矿 石后来就被做成了晶体二极管。 二极管最明显的性质就是它的单向导电特性,就是说电流只能从一边过去,却不能从另一边过来(从正极流向负极)。我们用万用表来对常见的1N4001型硅整流二极管进行测量,红表笔接二极管的负极,黑表笔接二极管的正极时,表针会动,说明它能够导电;然后将黑表笔接二极管负极,红表笔接二极管正极,这时万用表的表针根本不动或者只偏转一点点,说明导电不良(万用表里面,黑表笔接的是内部电池的正极)。 常见的几种二极管中有玻璃封装的、塑料封装的和金属封装的等几种。像它的名字,二极管有两个电极,并且分为正负极,一般把极性标示在二极管的外壳上。大多数用一个不同颜色的环来表示负极,有的直接标上“-”号。大功率二极管多采用金属封装,并且有个螺帽以便固定在散热器上。 2.半导体二极管的极性判别及选用 (1) 半导体二极管的极性判别

一般情况下,二极管有色点的一端为正极,如2AP1~2AP7,2AP11~2AP17等。如果是透 明玻璃壳二极管,可直接看出极性,即内部连触丝的一头是正极,连半导体片的一头是负极。塑封二极管有圆环标志的是负极,如IN4000系列。 无标记的二极管,则可用万用表电阻档来判别正、负极,万用表电阻档示意图见图T304。根据二 极管正向电阻小,反向电阻大的特点,将万用表拨到电阻档(一般用R×100或R×1k档。不要用R×1或R×10k档,因为R×1档使用的电流太大, 容易烧坏管子,而R×10k挡使用的电压太高, 可能击穿管子)。用表笔分别与二极管的两极相 接,测出两个阻值。在所测得阻值较小的一次,与黑表笔相接得一端为二极管的正极。同理,在所测得较大阻值的一次,与黑表笔相接的一端为二极管的负极。如果测得的正、反向电阻均很小,说明管子内部短路;若正、反向电阻均很大,则说明管子内部开路。在这两种情况下,管子就不能使用了。 (2) 半导体二极管的选用 通常小功率锗二极管的正向电阻值为Array 300~500 Ω,硅管为1 kΩ或更大些。锗管反向电 阻为几十千欧,硅管反向电阻在500 kΩ以上(大功率二极管的数值要大得多)。正反向电阻差值越大越好。点接触二极管的工作频率高,不能承受较高的电压和通过较大的电流,多用于检波、小电流整流或高频开关电路。面接触二极管的工作电流和能承受的功率都较大,但适用的频率较低,多用于整流、稳压、低频开关电路等方面。选用整流二极管时,既要考虑正向电压,也要考虑反向饱和电流和最大反向电压。选用检波二极管时,要求工作频率高,正向电阻小,以保证较高的工作效率,特性曲线要好,避免引起过大的失真。 3.半导体分立元器件命名方法

二极管的基本特性与应用(精)

几乎在所有的电子电路中,都要用到半导体二极管,它在许多的电路中起着重要的作用,它是诞生最早的半导体器件之一,其应用也非常广泛。 二极管的工作原理 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。 当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。 当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。 当外加的反向电压高到一定程度时,p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。 二极管的类型 二极管种类有很多,按照所用的半导体材料,可分为锗二极管(Ge管)和硅二极管(Si管)。根据其不同用途,可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管等。按照管芯结构,又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平 面型二极管。点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面,通以脉冲电流,使触丝一端与晶片牢固 地烧结在一起,形成一个“PN结”。由于是点接触,只允许通过较小的电流(不超过几十毫安),适用于高频小电流电路,如收音机的检波等。 面接触型二极管的“PN结”面积较大,允许通过较大的电流(几安到几十安),主要用于把交流电变换成直流电的“整流” 电路中。 平面型二极管是一种特制的硅二极管,它不仅能通过较大的电流,而且性能稳定可靠,多用于开关、脉冲及高频电路中。 二极管的导电特性 二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中,电流只能从二极管的正极流入,负极流出。下面通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。 1、正向特性 在电子电路中,将二极管的正极接在高电位端,负极接在低电位端,二极管就会导通,这种连接方式,称为正向偏置。必须说明,当加在二极管两端的正向电压很小时,二极管仍然不能导通,流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电 压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”,锗管约为0.2V,硅管约为0.6V)以后,二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变(锗管约为0.3V,硅管约为0.7V),称为二极管的“正向压降”。 2、反向特性 在电子电路中,二极管的正极接在低电位端,负极接在高电位端,此时二极管中几乎没有电流流过,此时二极管处于截止状态,这种连接方式,称为反向偏置。二极管处于反向偏置时,仍然会有微弱的反向电流流过二极管,称为漏电流。当 二极管两端的反向电压增大到某一数值,反向电流会急剧增大,二极管将失去单方向导电特性,这种状态称为二极管的击穿。 二极管的主要参数 用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标,称为二极管的参数。不同类型的二极管有不同的特性参数。对初学者而言,必须了解以下几个主要参数: 1、额定正向工作电流 是指二极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流值。因为电流通过管子时会使管芯发热,温度上升,温度超过容许限度(硅管为140左右,锗管为90左右)时,就会使管芯过热而损坏。所以,二极管使用中不要超过二极管额定正向工作电流值。例如,常用的IN4001-4007型锗二极管的额定正向工作电流为1A。 2、最高反向工作电压 加在二极管两端的反向电压高到一定值时,会将管子击穿,失去单向导电能力。为了保证使用安全,规定了最高反向工

二极管基本知识介绍18页

二极管 几乎在所有的电子电路中,都要用到半导体二极管,它在许多的电路中起着重要的作用,它是诞生最早的半导体器件之一,其应用也非常广泛。 一、二极管的工作原理 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。 外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。 当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。 当外加的反向电压高到一定程度时,p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。 二、二极管的类型

二极管种类有很多,按照所用的半导体材料,可分为锗二极管(Ge 管)和硅二极管(Si管)。根据其不同用途,可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管等。按照管芯结构,又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面,通以脉冲电流,使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起,形成一个“PN结”。由于是点接触,只允许通过较小的电流(不超过几十毫安),适用于高频小电流电路,如收音机的检波等。 面接触型二极管的“PN结”面积较大,允许通过较大的电流(几安到几十安),主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。平面型二极管是一种特制的硅二极管,它不仅能通过较大的电流,而且性能稳定可靠,多用于开关、脉冲及高频电路中。 三、二极管的导电特性 二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中,电流只能从二极管的正极流入,负极流出。下面通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。 1.正向特性 在电子电路中,将二极管的正极接在高电位端,负极接在低电位端,二极管就会导通,这种连接方式,称为正向偏置。必须说明,当

二极管特性及应用实验

姓名班级________学号____ 实验日期__节次教师签字成绩 二极管的特性研究及其应用一.实验目的 1.通过二极管的伏安特性的绘制,加强对二极管单向导通特性的理解; 2.了解二极管在电路中的一些应用; 3,学习自主设计并分析实验 二.实验内容: 1.二极管伏安特性曲线绘制; 2.交流条件下二极管电压波形仿真; 3.二极管应用电路 三.实验仪器 稳压电源RIGOL DS5102CA FLUKE190型测试仪;1N4001二极管若干; 函数信号发生器 TFG2020G ;电阻若干; 四.实验步骤 1.二极管伏安特性曲线绘制; 二极管测试电路

(1)创建电路二极管测试电路; (2)调整V1电源的电压值,记录二极管的电流与电压并填入表1; (3)调整V2电源的电压值,记录二极管的电流与电压并填入表2; (4)根据实验结果,绘制二极管的伏安特性。 表一 V1 200mv 300mv 400mv 500mv 600mv 700mv 800mv 1v 2v 3v ID VD 表二 V1 I D V D 绘制U—I图: 2.交流条件下二极管电压波形仿真;

D1 1N4001GP R1 100Ω V16 Vpk 100 Hz 0° XSC1 A B C D G T 2 1 仿真电路图 仿真结果

3.二极管应用电路 (1)桥式整流电路 D1 1N4001 D2 1N4001 D3 1N4001 D4 1N4001 V115 Vpk 60 Hz 0° R1100Ω 1 3 45 用示波器测量R1两端波形,并记录

桥式整流电路仿真 D1 1N4001 D21N4001 D3 1N4001 D41N4001 V115 Vpk 60 Hz 0° R12kΩ 4 XSC1 A B Ext Trig + + _ _ + _ 3 2 仿真结果

光电倍增管和半导体光电器件新应用举例

光电倍增管(PMT)研究进展及应用 ——记2004年北京HAMAMATSU技术交流会 前言 “2004年北京HAMAMATSU技术交流会”于2004年10月27日~2004年10月29日在浙江杭州召开的。北京HAMAMATSU技术交流会是由北京滨松光子技术有限公司承办的技术交流活动,每年举办一次,邀请各个科研机构和生产单位的专家和技术人员参加,主要介绍滨松公司的产品和研究进展,解答用户的技术问题,交流讨论光电器件在科研和生产中的应用问题。我代表西安交通大学生物医学与分子光子学研究室和西安天隆科技有限公司有幸参加了这次交流活动。 HAMAMATSU(滨松)是总部设在日本的一家主要生产光器件的跨国公司。它在亚洲、欧洲和北美设有七家分支机构。日本滨松下设四个生产部门:电子管事业部,主要生产以光电倍增管为主的各种真空探测器,真空光源等相关仪器设备。半导体事业部,主要生产以光电二极管为主的各种半导体光电器件。系统事业部,主要生产以滨松公司自产器件为中心的各种分析和测量仪器,应用在半导体芯片,生物工程和医疗等各种领域。激光器事业部,主要生产科研和产业用的大功率半导体激光器。北京滨松光子技术有限公司是1988年由中国核工业总公司北京核仪器厂与日本滨松光子学株式会社共同投资成立的。 在2004年交流会中来自日本滨松总部、电子管事业部、半导体事业部的五位专家做了五场专题报告,分别是大冢副社长做的“HPK(滨松)与光产业的现状和未来”,夸田敏一先生做的“PMT新产品介绍”,久米英浩先生做的“PMT应用技术产品及应用领域”,伊藤先生做的“半导体光检测新产品介绍”和石原繁树做的“光源产品介绍”。会议过程中还穿插有技术交流活动,为来自各个科研院所和生产单位的技术人员提供了一个交流的平台。 光电倍增管技术的进展 图1 滨松生产的PMT

光电倍增管简介

光电倍增管简介 1. 光电倍增管的结构和工作原理 由光阴极、次阴极(倍增电极)以及阳极三部分组成。光阴极是由半导体光电材料锑铯做成;次阴极是在镍或铜-铍的衬底上涂上锑铯材料而形成的,次阴极多的可达30级;阳极是最后用来收集电子 的,收集到的电子数是阴极发射电子数的105~106倍。即光电倍增管的放大倍数可达几万倍到几百万倍。光电倍增管的灵敏度就比普通光电管高几万倍到几百万倍。因此在很微弱的光照时,它就能产生很大的光电流。 2. 光电倍增管的主要参数 (1)倍增系数M 倍增系数M等于n个倍增电极的二次电子发射系数δ的乘积。如果n个倍增电极的δ都相同,则M=1因此,阳极电流I 为 i —光电阴极的光电流 光电倍增管的电流放大倍数β为 M与所加电压有关,M在105~108之间,稳定性为1%左右,加速电压稳定性要在0.1%以内。如果有波动,倍增系数也要波动,因此M具有一定的统计涨落。一般阳极和阴极之间的电压为1000~2500V,两个相邻的倍增电极的电位差为50~100V。对所加电压越稳越好,这样可以减小统计涨落,从而减小测量误差。

光电倍增管的特性曲线 (2)光电阴极灵敏度和光电倍增管总灵敏度 一个光子在阴极上能够打出的平均电子数叫做光电倍增管的阴极灵敏度。而一个光子在阳极上产生的平均电子数叫做光电倍增管的总灵敏度。 光电倍增管的最大灵敏度可达10A/lm,极间电压越高,灵敏度越高;但极间电压也不能太高,太高反而会使阳极电流不稳。 另外,由于光电倍增管的灵敏度很高,所以不能受强光照射,否则将会损坏。 (3)暗电流和本底脉冲 一般在使用光电倍增管时,必须把管子放在暗室里避光使用,使其只对入射光起作用;但是由于环境温度、热辐射和其它因素的影响,即使没有光信号输入,加上电压后阳极仍有电流,这种电流称为暗电流,这是热发射所致或场致发射造成的,这种暗电流通常可以用补偿电路消除。 如果光电倍增管与闪烁体放在一处,在完全蔽光情况下,出现的电流称为本底电流,其值大于暗电流。增加的部分是宇宙射线对闪烁体的照射而使其激发,被激发的闪烁体照射在光电倍增管上而造成的,本底电流具有脉冲形式。 (4)光电倍增管的光谱特性 光谱特性反应了光电倍增管的阳极输出电流与照射在光电阴极上的光通量之间的函数关系。对于较好的管子,在很宽的光通量范围之内,这个关系是线性的,即入射光通量小于10-4lm时,有较好的线性关系。光通量大,开始出现非线性,如图所示。

光电二极管检测电路的组成及工作原理

光电二极管及其相关的前置放大器是基本物理量和电子量之间的桥梁。许多精密应用领域需要检测光亮度并将之转换为有用的数字信号。光检测电路可用于CT扫描仪、血液分析仪、烟雾检测器、位置传感器、红外高温计和色谱分析仪等系统中。在这些电路中,光电二极管产生一个与照明度成比例的微弱电流。而前置放大器将光电二极管传感器的电流输出信号转换为一个可用的电压信号。看起来好象用一个光电二极管、一个放大器和一个电阻便能轻易地实现简单的电流至电压的转换,但这种应用电路却提出了一个问题的多个侧面。为了进一步扩展应用前景,单电源电路还在电路的运行、稳定性及噪声处理方面显示出新的限制。 本文将分析并通过模拟验证这种典型应用电路的稳定性及噪声性能。首先探讨电路工作原理,然后如果读者有机会的话,可以运行一个SPICE模拟程序,它会很形象地说明电路原理。以上两步是完成设计过程的开始。第三步也是最重要的一步(本文未作讨论)是制作实验模拟板。 1 光检测电路的基本组成和工作原理 设计一个精密的光检测电路最常用的方法 是将一个光电二极管跨接在一个CMOS输入 放大器的输入端和反馈环路的电阻之间。这种 方式的单电源电路示于图1中。 在该电路中,光电二极管工作于光致电压 (零偏置)方式。光电二极管上的入射光使之 产生的电流I SC从负极流至正极,如图中所示。由于CMOS放大器反相输入端的输入阻抗非常高,二极管产生的电流将流过反馈电阻R F。输出电压会随着电阻R F两端的压降而变化。 图中的放大系统将电流转换为电压,即 V OUT = I SC×R F(1) 图1 单电源光电二极管检测电路 式(1)中,V OUT是运算放大器输出端的电压,单位为V;I SC是光电二极管产生的电流,单位为A;R F是放大器电路中的反馈电阻,单位为W 。图1中的C RF是电阻R F的寄生电容和电路板的分布电容,且具有一个单极点为1/(2p R F C RF)。 用SPICE可在一定频率范围内模拟从光到电压的转换关系。模拟中可选的变量是放大器的反馈元件R F。用这个模拟程序,激励信号源为I SC,输出端电压为V OUT。 此例中,R F的缺省值为1MW ,C RF为0.5pF。理想的光电二极管模型包括一个二极管和理想的电流源。给出这些值后,传输函数中的极点等于1/(2p R F C RF),即318.3kHz。改变R F 可在信号频响范围内改变极点。

光电倍增管应用

光电倍增管(PMT)研究进展及应用 光电倍增管技术的进展 图1 滨松生产的PMT 近些年得到广泛应用的MCP-PMT(Microchannel Plate Photomultiplier),金属封装PMT,多通道PMT代表了光电倍增管的最新研究进展: 1.高量子效率,高灵敏度,高响应速度,探测波长向红外延伸。某些型号PMT光谱响应范围可延伸置1200nm。 2.采用金属封装,多通道结构,提高有效光电面积。已有的平板型PMT,其有效光电面积可达89%。 3.采用平板化、多阳极技术,可以小型化,具有二维高分辨率。已有的10×10道阳极, 44的MCP-PMT厚度仅有1 4.8mm。 4.努力降低暗电流和自身噪声,减少放射性物质。暗电流最小可达0.5nA,自身噪声可减置5个暗计数/2 cm sec。 5.将电子管真空技术与半导体技术,微细加工技术,电子轨道技术和周边电路技术相结合。HPD(Hybrid Photo Detector)就是一种结合了电子管真空技术与半导体技术的复合器件。光电转换后的电子经过电场加速,直接照射在CCD或APD上,引起“电子入射倍增效应”。 6.使用简单化,价格降低。 光电倍增管的应用领域 光电倍增管的应用领域非常广泛,主要分为以下十几种: 光谱学:紫外/可见/近红外分光光度计,原子吸收分光光度计,发光分光光度计,荧光分光光度计,拉曼分光光度计,其他液相或气相色谱如X光衍射仪、X光荧光分析和电子显微镜等。 质量光谱学与固体表面分析:固体表面分析,这种技术在半导体工业领域被用于半导体的检查中,如缺陷、表面分析、吸附等。电子、离子、X射线一般采用电子倍增器或MCP来

二极管简介

YF.liao SMC二极管培训资料 目录 二极管简单介绍 A、一般整流二极管 B、高速整流二极管: ①FRD(Fast Recovery Diode:高速恢复二极管) ②HED(High Efficiency Diode:高速高效整流二极管) ③SBD(Schottky Barrier Diode:肖特基势垒二极管) C、定压二极管(齐纳二极管) 二极管的基本特性 利用PN接合的少数载子的注入和扩散现象,只能一个方向(正向)上流通电流。如果在PN接合二极管的N型半导体加上负压、在P型半导体加上正电压,就可使电流流通。我们将该电流的流动方向叫做正向。如果外加正、负压与上述反方向的电压,则几乎不会流通电流。我们将该方向叫做反向。如果提高PN接合二极管的反向电压,则电流在某个电压值会急剧增加。我们将该电流叫做击穿电流。此时的电压值对电流而言基本上为定值。 二极管的特性曲线和图形记号、结构 下图表示二极管的特性曲线和图形记号、结构图。

A一般整流二极管 二极管在一般的应用上,有利用电流只在一个方向上流通的功能的交流电压主的整流电路。 典型的2μs 恢复时间 B1)高速恢复二极管(FRD:Fast Recovery Diode) 高速恢复二极管在结构上和一般整流二极管基本相同,但它是一种有白金、金等掺杂物质扩散在Si结晶中,增加了电子和空穴的再结合中心,关闭后少数载子会立刻被消灭的二极管。因此可以提高二极管的反向恢复特性(反向恢复时间:trr),实现高速动作。 开关时间120 to 500 ns

2)高效二极管(HED:High Efficiency Diode) 高效二极管比上述FRD速度更快,损失更低(正向电压较低),因此它使用外延晶圆,在利用导电调制效果(参考PIN二极管)来降低正向电阻的同时,通过追加重金属扩散,能在不损坏正向特性的情况下,提高反向恢复特性。HED用于比FRD更为高速的开关电路。 开关时间35—100纳秒 PN接合之间夹着本征半导体(I型),外加正向电压的话,P型半导体和N型半导体会向本征半导体注入很多空穴、以及相同密度度的电子,从而降低比电阻。这种现象叫“导电调制效果”。PIN二极管正向流通直流电流的话,在导电调制效果下会显示出较低的电阻值,但外加反向直流电压的话,I层的空乏层会扩大,结果会显示出非常小的电容值。利用这种特性,可作为高频带的开关与共振电路的频段开关和减衰器。

二极管正反特性及应用

二极管的类型 二极管种类有很多,按照所用的半导体材料,可分为锗二极管(Ge管)和硅二极管(S i管)。根据其不同用途,可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管等。按照管芯结构,又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面,通以脉冲电流,使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起,形成一个“PN结”。由于是点接触,只允许通过较小的电流(不超过几十毫安),适用于高频小电流电路,如收音机的检波等。 面接触型二极管的“PN结”面积较大,允许通过较大的电流(几安到几十安),主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。 平面型二极管是一种特制的硅二极管,它不仅能通过较大的电流,而且性能稳定可靠,多用于开关、脉冲及高频电路中。 二极管的工作原理 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。 当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。 当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。 当外加的反向电压高到一定程度时,p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。

二极管的导电特性 二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中,电流只能从二极管的正极流入,负极流出。下面通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。 1、正向特性 在电子电路中,将二极管的正极接在高电位端,负极接在低电位端,二极管就会导通,这种连接方式,称为正向偏置。必须说明,当加在二极管两端的正向电压很小时,二极管仍然不能导通,流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”,锗管约为0.2V,硅管约为0.6V)以后,二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变(锗管约为0.3V,硅管约为0.7V),称为二极管的“正向压降”。 2、反向特性 在电子电路中,二极管的正极接在低电位端,负极接在高电位端,此时二极管中几乎没有电流流过,此时二极管处于截止状态,这种连接方式,称为反向偏置。二极管处于反向偏置时,仍然会有微弱的反向电流流过二极管,称为漏电流。当二极管两端的反向电压增大到某一数值,反向电流会急剧增大,二极管将失去单方向导电特性,这种状态称为二极管的击穿。 二极管的主要参数 用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标,称为二极管的参数。不同类型的二极管有不同的特性参数。对初学者而言,必须了解以下几个主要参数: 1、额定正向工作电流 是指二极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流值。因为电流通过管子时会使管芯发热,温度上升,温度超过容许限度(硅管为140左右,锗管为90左右)时,就会使管芯

光电二极管检测电路的工作原理及设计方案

?光电二极管及其相关的前置放大器是基本物理量和电子量之间的桥梁。许多精密应用领域需要检测光亮度并将之转换为有用的数字信号。光检测电路可用于CT扫描仪、血液分析仪、烟雾检测器、位置传感器、红外高温计和色谱分析仪等系统中。在这些电路中,光电二极管产生一个与照明度成比例的微弱电流。而前置放大器将光电二极管传感器的电流输出信号转换为一个可用的电压信号。看起来好象用一个光电二极管、一个放大器和一个电阻便能轻易地实现简单的电流至电压的转换,但这种应用电路却提出了一个问题的多个侧面。为了进一步扩展应用前景,单电源电路还在电路的运行、稳定性及噪声处理方面显示出新的限制。 本文将分析并通过模拟验证这种典型应用电路的稳定性及噪声性能。首先探讨电路工作原理,然后如果读者有机会的话,可以运行一个SP IC E模拟程序,它会很形象地说明电路原理。以上两步是完成设计过程的开始。第三步也是最重要的一步(本文未作讨论)是制作实验模拟板。 1 光检测电路的基本组成和工作原理 设计一个精密的光检测电路最常用的方法是将一个光电二极管跨接在一个CMOS 输入放大器的输入端和反馈环路的电阻之间。这种方式的单电源电路示于图1中。 在该电路中,光电二极管工作于光致电压(零偏置)方式。光电二极管上的入射光使之产生的电流ISC从负极流至正极,如图中所示。由于CMOS放大器反相输入端的输入阻抗非常高,二极管产生的电流将流过反馈电阻RF。输出电压会随着电阻RF两端的压降而变化。 图中的放大系统将电流转换为电压,即 VOUT = ISC ×RF (1)

图1 单电源光电二极管检测电路 式(1)中,VOUT是运算放大器输出端的电压,单位为V;ISC是光电二极管产生的电流,单位为A;RF是放大器电路中的反馈电阻,单位为W 。图1中的CRF是电阻RF的寄生电容和电路板的分布电容,且具有一个单极点为1/(2p RF CRF)。 用SPICE可在一定频率范围内模拟从光到电压的转换关系。模拟中可选的变量是放大器的反馈元件RF。用这个模拟程序,激励信号源为ISC,输出端电压为VOUT。 此例中,RF的缺省值为1MW ,CRF为0.5pF。理想的光电二极管模型包括一个二极管和理想的电流源。给出这些值后,传输函数中的极点等于1/(2p RFCRF),即318.3kHz。改变RF可在信号频响范围内改变极点。 遗憾的是,如果不考虑稳定性和噪声等问题,这种简单的方案通常是注定要失败的。例如,系统的阶跃响应会产生一个其数量难以接受的振铃输出,更坏的情况是电路可能会产生振荡。如果解决了系统不稳定的问题,输出响应可能仍然会有足够大的“噪声”而得不到可靠的结果。 实现一个稳定的光检测电路从理解电路的变量、分析整个传输函数和设计一个可靠的电路方案开始。设计时首先考虑的是为光电二极管响应选择合适的电阻。第二是分析稳定性。然后应评估系统的稳定性并分析输出噪声,根据每种应用的要求将之调节到适当的水平。 这种电路中有三个设计变量需要考虑分析,它们是:光电二极管、放大器和R//C反馈网络。首先选择光电二极管,虽然它具有良好的光响应特性,但二极管的寄生电容将对电路的噪声增益和稳定性有极大的影响。另外,光电二极管的并联寄生电阻在很宽的温度范围内变化,会在温度极限时导致不稳定和噪声问题。为了保持良好的线性性能及较低的失调误差,运放应该具有一个较小的输入偏置电流(例如CMOS工艺)。此外,输入噪声电压、输入共模电容和差分电容也对系统的稳定性和整体精度产生不利的影响。最后,R//C反馈网络用于建立电路的增益。该网络也会对电路的稳定性和噪声性能产生影响。 2 光检测电路的SPICE模型

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