常用差分接口电平转换

常用差分接口电平转换
常用差分接口电平转换

CML、PECL及LVDS间的互相连接

简介:

随着高速数据传输业务需求的增加,如何高质量的解决高速IC芯片间的互连变得越来越重要。低功耗及优异的噪声性能是要解决的主要问题。芯片间互连通常有三种接口:PECL (Positive Emitter-Coupled Logic)、LVDS(Low-Voltage Differential Signals)、CML (Current Mode Logic)。在设计高速数字系统时,人们常会遇到不同接口标准IC芯片间的连接,为解决这一问题,我们首先需要了解每一种接口标准的输入输出电路结构,由此可以知道如何进行直流偏置,接什么样的负载。该文章正是针对该问题展开讨论,作为例子,文中列举了一些MAXIM公司的产品。

1.PECL接口

PEL是有ECL标准发展而来,在PECL电路中省去了负电源,较ECL电路更方便使用。PECL 信号的摆幅相对ECL要小,这使得该逻辑更适合于高速数据的串性或并行连接。PECL标准最初有MOTOROLA公司提出,经过很长一段时间才在电子工业界推广开。

1.1. PECL接口输出结构

PECL电路的输出结构如图1所示,包含一个差分对和一对射随器。输出射随器工作在正电源范围内,其电流始终存在,这样有利于提高开关速度。标准的输出负载是接50Ω至VCC-2V 的电平上,如图1中所示,在这种负载条件下,OUT+与OUT-的静态电平典型值为VCC-1.3V,OUT+与OUT-输出电流为14mA。PECL结构的输出阻抗很低,典型值为4~ 5 Ω,这表明它有很强的驱动能力,但当负载与PECL的输出端之间有一段传输线时,低的阻抗造成的失配将导致信号时域波形的振铃现象。

图1.PECL输出结构

1.2. PECL接口输入结构

PECL 输入结构如图2所示,它是一个具有高输入阻抗的差分对。该差分对共模输入电压需偏置到VCC-1.3V ,这样允许的输入信号电平动态最大。MAXIM 公司的PECL 接口有两种形式的输入结构,一种是在芯片上已加有偏置电路,如MAX3867、MAX3675,另一种则需要外加直流偏置。

图2. PECL 输入电路结构

表一中给出了MAXIM 公司PECL 接口输入输出的具体电气指标。

表格1. PECL 输入输出指标

参数 条件 最小值 典型值最大值 单位

Ta=0℃~85℃ Vcc-1.025 Vcc-0.88 V 输出高电平 Ta=-40℃ Vcc-1.085 Vcc-0.88 V Ta=0℃~85℃ Vcc-1.81 Vcc-1.62 V 输出低电平

Ta=-40℃ Vcc-1.83

Vcc-1.55 V 输入高电平 Vcc-1.16

Vcc-0.88 V 输入低电平

Vcc-1.81

Vcc-1.48 V

在5V 和3.3V 供电系统中,PECL 接口均适用,3.3V 供电系统中的PECL 常被称作低压PECL ,简写为LVPECL 。

在使用PECL 电路时要注意加电源去耦电路,以免受噪声的干扰,同时输出采用交流还是直流耦合对负载网络的形式将会提出不同的需求。

2. CML 接口

CML 是所有高速数据接口形式中最简单的一种,它的输入与输出是匹配好的,从而减少了外围器件,也更适合于在高的频段工作。它所提供的信号摆幅较小,从而功耗更低。

2.1. CML 接口输出结构

CML 接口的输出电路形式是一个差分对,该差分对的集电极电阻为50Ω,如图3中所示,输出信号的高低电平切换是靠共发射极差分对的开关控制的,差分对的发射极到地的恒流源典型值为16mA ,假定CML 输出负载为一50Ω上拉电阻,则单端CML 输出信号的摆幅为Vcc~Vcc-0.4V 。在这种情况下,差分输出信号摆幅为800mV ,共模电压为Vcc-0.2V 。若CML

输出采用交流耦合至50Ω负载,这时的直流阻抗有集电极电阻决定,为50Ω,CML 输出共模电压变为Vcc-0.4V ,差分信号摆幅仍为800mV 。在交流和直流耦合情况下输出波形见图4。

2.2. CML 接口输入结构

CML 输入结构有几个重要特点,这也使它在高速数据传输中成为常用的方式,如图5所示,MAXIM 公司的CML 输入阻抗为50Ω,容易使用。输入晶体管作为射随器,后面驱动一差分放大器。

图5. CML 输入电路结构

表二以MAX3831、MAX3832为例列出了CML 器件的输入输出技术参数

Vcc 图3. CML 输出结构 图4. CML 在不同负载时的输出波形

表格2. CML 输入和输出参数

参数 条件 最小 典型 最大 单位 差分输入电压 640 800

1000 mV 输出共模电压 Vcc-0.2 V

单端输入电压范围 V IS Vcc-0.6

Vcc+0.2 V 差分输入电压摆幅

400

1000 MVp-p

注:MAXIM 不同产品CML 输入灵敏度不同,如MAX3875、MAX3876。

3. LVDS 接口

LVDS 用于低压差分信号点到

点的传输,该方式有三大优点,从而使得它更具有吸引力。A) LVDS 传输的信号摆幅小,从而功耗低,一般差分线上电流不超过4mA ,负载阻抗为100Ω。这一特征使它适合做并行数据传输。B) LVDS 信号摆幅小,从而使得该结构可以在2.4V 的低电压下工作。C) LVDS 输入单端信号电压可以从0V 到2.4V 变化,单端信号摆幅为400mV ,这样允许输入共模电压从0.2V 到2.2V 范围内变化,也就是说LVDS 允许收发两端地电势有±1V 的落差。

3.1. LVDS 接口输出结构

MAXIM 公司LVDS 输出结构在低功耗和速度方面做了优化,电路如图6所示。电路差分输出阻抗为100Ω,表三列出了其他一些指标。

3.2. LVDS 接口输入结构

LVDS 输入结构如图7所示,输入差分阻抗为100Ω,为适应共模电压宽范围内的变化,输入级还包括一个自动电平调整电路,该电路将共模电压调整为一固定值,该电路后面是一个SCHMITT 触发器。SCHMITT 触发器为防止不稳定,设计有一定的回滞特性,SCHIMTT 后级是差分放大器。

图7.LVDS输入结构

表三总结了MAXIM公司LVDS输入与输出技术指标(MAX3831,MAX3832,MAX3880,MAX3890,MAX3885)

表格3.LVDS输入与输出参数

参数符号条件最小典型最大单位LVDS输出高电压V OH1.475 V

LVDS输出低电压V OL0.925V LVDS输出差分电压 |V Od| 250 400 mV

LVDS在不同状态时输出差分电压波动Δ|V Od|25

mV

LVDS输出电压偏移量1.1251.275 V

LVDS在不同状态时输出电压偏移量波动Δ|V Os|25

mV

LVDS输出差分阻抗80 120 Ω

两差分端相接12 mA LVDS输出电流

差分单端到地短路40 mA LVDS输入单端电压范围V i0 2.4

V LVDS输入差分信号灵敏度 |V id| 100 mV LVDS输入共模电流V OS = 1.2V时 350 μA LVDS回滞门限宽度 70

mV LVDS输入差分阻抗R in85 100 115 Ω

4. 接口的连接

4.1. CML到CML的连接

CML到CML之间连接分两种情况,当收发两端的器件使用相同的电源时,CML到CML可

以采用直流耦合方式,这时不需加任何器件;当收发两端器件采用不同电源时,一般要考虑

交流耦合,如图8中所示,注意这时选用的耦合电容要足够大,以避免在较长连0或连1情

况出现时,接收端差分电压变小。

图8.CML到CML之间的连接

4.2. PECL到PECL的连接

PECL到PECL的连接分直流耦合和交流耦合两种形式,下面分别介绍:

4.2.1. 直流耦合情况

PECL负载一般考虑是通过50Ω接到Vcc-2V的电源上,一般该电源是不存在的,因此通常的做法是利用电阻分压网络做等效电路,如图9中所示,该等效电路应满足如下方程:

解上面方程组,得到:

图9.等效电路形式

在3.3V供电时,电阻按5%的精度选取,R1为130Ω,R2为82Ω。而在5V供电时,R1为82Ω,R2为130Ω。图10给出了这两种供电情况时的详细电路。

图10.PECL电路间直流耦合

这种等效电路同时提供50Ω的交流阻抗以匹配传输线。然而并没有规定,PECL的输出

阻抗要和传输线特征阻抗匹配。

4.2.2. 交流耦合情况

PECL在交流耦合输出到50Ω的终端负载时,要考虑PECL的输出端加一直流偏置电阻,如图11所示。

图11.PECL电路间交流耦合

PECL的输出共模电压需固定在Vcc-1.3V,在选择直流偏置电阻时仅需该电阻能够提供14mA到地的通路,这样R1=(Vcc-1.3V)/14mA。在3.3V供电时,R1=142Ω,5V供电时,R1=270Ω。然而这种方式给出的交流负载阻抗低于50Ω,在实际应用中,3.3V供电时,R1可以从142Ω到200Ω之间选取,5V供电时,R1可以从270Ω到350Ω之间选取,原则是让输出波形达到最佳。

PECL交流耦合另外有两种改进结构,一种是在信号通路上串接一个电阻,从而可以增大交流负载阻抗使之接近50Ω;另一种方式是在直流偏置通道上串接电感,以减少该偏置通道影响交流阻抗。

图11中R1和R2的选择应考虑如下几点:(1)PECL输入直流偏压应固定在Vcc-1.3V;(2)输入阻抗应等于传输线阻抗;(3)低功耗;(4)外围器件少。最常用的就是图11中的两种。在图11(a)中,R1和R2的选择应满足下面方程组:

求解得到:

R2=82 ?and R3=130?+3.3V供电时

R2=68 ?and R3=180?+5V供电时

图11(a)有一个缺点就是它的功耗较大,当对功耗有要求时,可以采用图11(b)所示的结构,在这种情况下,R2和R3需满足如下方程组:

R2和R3通常选:

R2=2.7K?and R3=4.3K?+3.3V供电时

R2=2.7K?and R3=7.8K?+5V供电时

4.3. LVDS 到LVDS 的连接

因为LVDS 的输入与输出都是内匹配的,所以LVDS 间的连接可以如图12中那样直接连接。

5. LVDS ,PECL ,CML 间的互连

在下面的讨论中,PECL 按3.3V 供电考虑,即LVPECL 情况。

5.1. LVPECL 到

CML 的连接

5.1.1.

交流耦合情况

LVDS 到CML 的一种连接方式就是交流耦合方式,如图13所示。在LVPECL 的两个输出端各加一个到地的偏置电阻,电阻值选取范围可以从142Ω到200Ω。如果LVPECL 的输出信号摆幅大于CML 的接收范围,可以在信号通道上串一个25Ω的电阻,这时CML 输入端的电压摆幅变为原来的0.67倍。

图13. LVPECL 到CML 的交流耦合连接方式

5.1.2. 直流耦合情况

在LVPECL 到CML 的直流耦合连接方式中需要一个电平转换网络,如图14中所示。该电平转换网络的作用是匹配LVPECL 的输出与CML 的输入共模电压。一般要求该电平转换网络引入的损耗要小,以保证LVPECL 的输出经过衰减后仍能满足CML 输入灵敏度的要求;另外还要求自LVPECL 端看到的负载阻抗近似为50Ω。下面以LVPECL 驱动MAX3875的CML 输入为例说明该电平转换网络。

图14.LVPECL到CML(MAX3875)间直流耦合时电阻网络

下面是该电阻网络必须满足的方程:

注:假定LVPECL的最小差分输出摆幅为400mV,而MAX3875的输入灵敏度为50mV,这样电阻网络的最小增益必须大于

50mV/400mV=0.125

求解上面的方程组,我们得到R1=182Ω,R2=82Ω,R3=290Ω,V A=1.35V,V B=3.11V,Gain=0.147,Zin=49Ω。把LVPECL输出与MAX3875输入连接好,实测得:V A=2V,V B=3.13V。

LVPECL到MAX3875的直流耦合结构如图15所示,对于其它的CML输入,最小共模电压和灵敏度可能不同,读者可根据上面的考虑计算所需的电阻值。

图15.LVPECL到CML(MAX3875)的直流耦合结构

5.2. CML到LVPECL的连接

图16给出了CML到LVPECL三种交流耦合解决方案。

图16.CML到LVPECL的交流耦合结构

5.3. LVPECL到LVDS的连接

5.3.1 直流耦合情况

LVPECL到LVDS的直流耦合结构需要一个电阻网络,如图17中所示,设计该网络时有这样几点必须考虑:首先,我们知道当负载是50Ω接到Vcc-2V时,LVPECL的输出性能是最优的,因此我们考虑该电阻网络应该与最优负载等效;然后我们还要考虑该电阻网络引入的衰减不应太大,LVPECL输出信号经衰减后仍能落在LVDS的有效输入范围内。注意LVDS的输入差分阻抗为100Ω,或者每个单端到虚拟地为50Ω,该阻抗不提供直流通路,这里意味着LVDS 输入交流阻抗与直流阻抗不等。LVPECL到LVDS的直流耦合所需的电阻网络需满足下面方程组:

考虑Vcc=0.3V情况,解上面的方程组得到:R1=182Ω,R2=48Ω,R3=48Ω,V A=1.14V,R AC=51.8Ω,R DC=62.8Ω,Gain=0.337。电路连接好,实测得V A=2.1V,V B=1.06V。假定LVPECL 单端最小输出电压为300mV,在LVDS的输入端可达到100mV,能够满足其灵敏度要求。考虑信号较大时,如果LVPECL的最大输出为1V,LVDS的单端输入电压则为337mV,同样可以满足指标要求。

5.3.2 交流耦合情况

LVPECL到LVDS的交流耦合结构如图18所示,LVPECL的输出端到地需加直流偏置电阻(142Ω到200Ω),同时信号通道上一定要串接50Ω电阻,以提供一定衰减。LVDS的输入端到地需加5KΩ电阻,以提供近似0.86V的共模电压。

图18.LVPECL到LVDS的交流耦合结构

5.4. LVDS到LVPECL的连接

5.4.1. 直流耦合情况

LVDS到LVPECL的直流耦合结构中需要加一个电阻网络,如图19所示,该电阻网络完成直流电平的转换。LVDS输出电平为1.2V,LVPECL的输入电平为Vcc-1.3V。LVDS的输出是以地为基准,而LVPECL的输入是以电源为基准,这要求考虑电阻网络时应注意LVDS的输出电位不应对供电电源敏感;另一个问题是需要在功耗和速度方面折中考虑,如果电阻值取的较小,可以允许电路在更高的速度下工作,但功耗较大,LVDS的输出性能容易受电源的波动影响;还有一个问题就是要考虑电阻网络与传输线的匹配。电阻值可以通过下面的方程导出。

图19.LVDS到LVPECL的直流耦合结构

在Vcc电压为3.3V时,解上面的方程得:R1=374Ω,R2=249Ω,R3=402Ω,V A=1.2V,V B=2.0V,R IN=49Ω,Gain=0.62。LVDS的最小差分输出信号摆幅为500mV,在上面结构中加到LVPECL输入端的信号摆幅变为310mV,该幅度低于LVPECL的输入标准,但对于绝大多数MAXIM公司的LVPECL电路来说,该信号幅度是足够的,原因是MAXIM公司LVPECL输入端有较高的增益。在实际应用中,读者可根据器件的实际性能作出自己的判断。

5.4.2 交流耦合情况

LVDS到LVPECL的交流耦合结构较为简单,图20给出了两个例子。

图20.LVDS到LVPECL的交流耦合结构

5.5. CML和LVDS间互连

一般情况下,在光传输系统中没有CML和LVDS的互连问题,因为LVDS通常用作并联数据的传输,数据速率为155MHz,622MHz或1.25GHz,而CML常用来做串行数据的传输,数据速率为2.5GHz或10GHz。不管怎样,作为特殊情况,在这里给出了它们间互连的交流解决方案,如图21和图22。需注意CML的输出信号摆幅应落在LVDS的有效工作范围内。

图21.LVDS到CML的交流耦合结构

图22. CML 到LVDS 的交流耦合结构

6. 如何选择交流耦合电容

当利用交流耦合结构时,耦合电容的选取应特别小心,该电容与负载阻抗一起构成高通滤波结构,非归零的连0或连1出现时,电容会造成接收端电压下降,过零点偏移,通过下面的图形23可以很好地理解这一点。

图23. 交流耦合造成低频分量损失,过零点漂移

为防止连零和连1序列造成负载电压有较大下降,我们可以把耦合电容与负载组成的高通网络的3dB 转角频率降低,下面主要从时域对此进行分析,我们知道一级高通RC 网络的时域响应为:

NRZ 数据信号经过电容耦合至50Ω的负载上,信号这时的摆动则以0为基准。我们把信号幅度以V P-P 进行归一化处理,电压幅度归一化为±0.5V P-P 。假定负载最初充电电压为V 0+=0.5V P-P ,最终电压为V ∞=0。τ为HPF 的时常数,则经过一段时间t 后,负载电压下降ΔV 为:

如允许在时间t 时,功率下降0.25dB ,则ΔV/ V P-P = 6%;

如果我们定义T B 为数据每比特周期,N CID 为最大容许的连零或连1数目,负载阻抗

R=50

零点偏移LF PDJ

Ω,C为耦合电容,则t=N CID·T B,τ=R·C,C可通过下面式子估算:

C=7.8oN CIDoT B R

我们以2.488Gbps的系统为例,T B = 400ps,N CID = 100bit,通过计算得C =6.2nF。下面

计算该电容造成的过零点偏移大小:

t r在这里指NRZ信号幅度从20%到80%的上升时间,一般可通过下式估算:

t r=0.22BW5 BW指系统带宽,通常为0.6~1倍数据速率,对于 2.5Gbps系统,如果取t r=120ps,

C=6.2nF,计算得LFPDJ等于13ps,如果把C增加到100nF,这时LFPDJ将小于1ps,可以忽

略不计。

详解电平种类与电平转换

详解电平种类与电平转换 1. 常用的电平转换方案 (1) 晶体管+上拉电阻法 就是一个双极型三极管或 MOSFET,C/D极接一个上拉电阻到正电源,输入电平很灵活,输出电平大致就是正电源电平。 (2) OC/OD 器件+上拉电阻法 跟 1) 类似。适用于器件输出刚好为 OC/OD 的场合。 (3) 74xHCT系列芯片升压(3.3V→5V) 凡是输入与 5V TTL 电平兼容的 5V CMOS 器件都可以用作3.3V→5V电平转换。 ——这是由于 3.3V CMOS 的电平刚好和5V TTL电平兼容(巧合),而 CMOS 的输出电平总是接近电源电平的。 廉价的选择如 74xHCT(HCT/AHCT/VHCT/AHCT1G/VHCT1G/...) 系列 (那个字母 T 就表 示 TTL 兼容)。 (4) 超限输入降压法(5V→3.3V,3.3V→1.8V, ...) 凡是允许输入电平超过电源的逻辑器件,都可以用作降低电平。 这里的"超限"是指超过电源,许多较古老的器件都不允许输入电压超过电源,但越来越多的新器件取消了这个限制 (改变了输入级保护电路)。 例如,74AHC/VHC 系列芯片,其 datasheets 明确注明"输入电压范围为0~5.5V",如果采 用 3.3V 供电,就可以实现5V→3.3V电平转换。 (5) 专用电平转换芯片 最著名的就是 164245,不仅可以用作升压/降压,而且允许两边电源不同步。这是最通用的电平转换方案,但是也是很昂贵的 (俺前不久买还是¥45/片,虽是零售,也贵的吓人),因此若非必要,最好用前两个方案。 (6) 电阻分压法 最简单的降低电平的方法。5V电平,经1.6k+3.3k电阻分压,就是3.3V。 (7) 限流电阻法 如果嫌上面的两个电阻太多,有时还可以只串联一个限流电阻。某些芯片虽然原则上不允许输入电平超过电源,但只要串联一个限流电阻,保证输入保护电流不超过极限(如 74HC 系列为 20mA),仍然是安全的。 (8) 无为而无不为法 只要掌握了电平兼容的规律。某些场合,根本就不需要特别的转换。例如,电路中用到了某种 5V 逻辑器件,其输入是 3.3V 电平,只要在选择器件时选择输入为 TTL 兼容的,就不需要任何转换,这相当于隐含适用了方法3)。

电平转换方法

5V-3.3V电平转换方法 在实际电路设计中,一个电路中会有不同的电平信号。 方案一:使用光耦进行电平转换 首先要根据要处理的信号的频率来选择合适的光耦。高频(20K~1MHz)可以用高速带放大整形的光藕,如6N137/TLP113/TLP2630/4N25等。如果是20KHz以下可用TLP521。然后搭建转换电路。如将3.3V信号转换为5V信号。电路如下图: CP是3.3V的高速信号,通过高速光耦6N137转换成5V信号。如果CP接入的是5V 的信号VCC=3.3V,则该电路是将5V信号转换成3.3V信号。优点:电路搭建简单,可以调制出良好的波形,另外光耦还有隔离作用。缺点:对输入信号的频率有一定的限制。 方案二:使用三极管搭建转换电路 三极管的开关频率很高,一般都是几百兆赫兹,但是与方案一相比,电路搭建相对麻烦,而且输出的波形也没有方案一的好。 电路如下图: 其中C1为加速电容,R1为基极限流电阻,R2为集电极上拉电阻,R3将输入端下拉到地,保证在没有输入的情况下,输出端能稳定输出高电平。同时在三极管截止时给基区过量的电荷提供泄放回路缩短三极管的退饱和时间。 优点:开关频率高,在不要求隔离,考虑性价比的情况下,此电路是很好的选择。 缺点:输出波形不是很良好。 方案三:电阻分压 这里分析TTL电平和COMS电平的转换。首先看一下TTL电平和CMOS电平的区别。 TTL电平:输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。在室温下,一般输出高电平是3.5V,输出低电平是0.2。最小输入高电平>=2.0V,输入低电平<=0.8,噪声容限是0.4V。 CMOS电平:1逻辑电平电压接近于电源电压,0逻辑电平接近于0V。而且有很宽的噪声容限。 下面的电路是将5V的TTL电平转换成3V的TTL电平

串口电平转换芯片数据手册SP3222_3232E

DESCRIPTION s Meets true EIA/TIA-232-F Standards from a +3.0V to +5.5V power supply s 235KBps Transmission Rate Under Load s 1μA Low-Power Shutdown with Receivers Active (SP3222E ) s Interoperable with RS-232 down to +2.7V power source s Enhanced ESD Specifications: ±15kV Human Body Model ±15kV IEC1000-4-2 Air Discharge ±8kV IEC1000-4-2 Contact Discharge The SP3222E/3232E series is an RS-232 transceiver solution intended for portable or hand-held applications such as notebook or palmtop computers. The SP3222E/3232E series has a high-efficiency, charge-pump power supply that requires only 0.1μF capacitors in 3.3V operation. This charge pump allows the SP3222E/3232E series to deliver true RS-232performance from a single power supply ranging from +3.3V to +5.0V. The SP3222E/3232E are 2-driver/2-receiver devices. This series is ideal for portable or hand-held applications such as notebook or palmtop computers. The ESD tolerance of the SP3222E/3232E devices are over ±15kV for both Human Body Model and IEC1000-4-2 Air discharge test methods. The SP3222E device has a low-power shutdown mode where the devices' driver outputs and charge pumps are disabled. During shutdown, the supply current falls to less than 1μA. SELECTION TABLE L E D O M s e i l p p u S r e w o P 232-S R s r D e v i r 232-S R s r e v i e c e R l a n r e t x E s t n e n o p m o C n w o d t u h S L T T a S -3e t t f o .o N s n i P 2223P S V 5.5+o t V 0.3+224s e Y s e Y 02,812 323P S V 5.5+o t V 0.3+2 2 4 o N o N 6 1

常见TTL电平转换电路

常见TTL电平转换电路 ------设计参考 1.二、三级管组成的TTL/CMOS电平转换电路,优点是价格非常低,缺点是要求使用在 信号频率较低的条件下。 建议上拉电阻为10K时,可使用在信号频率为几百Khz以下的环境中,曾经在960Khz 的串口通信中做过测试。上拉电阻越小,速率越高,但是电路的功耗也越高,在低功耗要求高的电路中需要慎重考虑。在选择二、三极管时,尽量选用结电容小,开关速率高的。 A ) 图1所示电路,仅能使用在输入信号电平大于输出信号电平的转换上,例如3.3V转2.8V。二极管选用高速肖特基二极管,并且V F尽量小,例如RB521S。 图1 B ) 图2电路,仅能使用在输入信号电平大于输出信号电平的转换上,例如3.3V转2.8V,否则PNP管可能关不断。如果对输出低电平电压幅度有较严格的要求,PNP管则选用饱和压降小些的管子。PNP管也不如NPN的通用。VCC_OUT是输出信号的电源电压。 图2

C ) 图3是NPN管组成的转换电路,对输入和输出电平的谁高谁低没有要求,适用性很好。其中VCC_IN是输入信号的电源电压,VCC_OUT是输出信号的电源电压。转换后输出的低电平VOL=Vin_Lmax+Vsat,Vin_Lmax为输入信号低电平的最高幅值,Vsat为NPN管的饱和压降,如果对输出低电平电压幅度有较严格的要求,NPN管则选用饱和压降小些的管子,以满足一般电路中VOL<0.8V的要求。 图3 2.OC/OD输出的反相器组成的电平转换电路。 图4,由2级反相器组成,反相器必须是OC/OD输出的。反相器的电源与输入信号的电平相同或者相匹配,最后的输出电平由上拉电阻上拉到输出信号的目标电平上。上拉电阻的取值直接影响功耗和可适用的信号频率。 图4

选择正确的电平转换方案英文

Application Report SCEA044–June2010 A Guide to Voltage Translation With TXS-Type Translators Dave Moon,Aeysha Sultana High Volume Linear ABSTRACT Modern trends are driving the need for lower supply voltages across many system-level designs.As most processor voltage levels continue to decrease in the interest of achieving the lowest possible power consumption,peripheral devices maintain a need for higher voltage levels,creating potential for voltage discontinuities within a system.To remedy this mixed voltage system incompatibility,a voltage translator can be used. Texas Instruments High Volume Linear group offers a wide-range of voltage level translators.A variety of architectures provide solutions for different application environments including dual-supply direction-controlled,auto-direction sensing,and application-specific memory card interface translators. The information in this application report is intended to help system designers understand the architecture and operation of the TXS-type auto-direction sensing translator family Contents 1The Need For Voltage-Level Translation (2) 2Auto-Direction Sensing Voltage Translator Architecture (2) 3Input Driver Requirements With TXS-Type Translators (6) 4Driving External Loads With TXS-Type Translators (7) 5Output Enable Control (7) 6Conclusion (7) List of Figures 1Digital Switching Levels (2) 2Basic TXS0101,TXS0102,and TXS0104Architecture (3) 3Transfer Characterisitics of an N-Channel Transistor (3) 4Basic TXS0108E Architecture (4) 5TXS0108E During Low-to-High Signal Transition (5) 6TXS0108E During High-to-Low Signal Transition (6) 1 SCEA044–June2010A Guide to Voltage Translation With TXS-Type Translators Copyright?2010,Texas Instruments Incorporated

在各个领域中常用芯片汇总(2)(精)

在各个领域中常用芯片汇总 1. 音频pcm编码DA转换芯片cirrus logic的cs4344,cs4334,4334是老封装,据说已经停产,4344封装比较小,非常好用。还有菲利谱的8211等。 2. 音频放大芯片4558,833,此二芯片都是双运放。为什么不用324等运放个人觉得应该是对音频的频率响应比较好。 3. 74HC244和245,由于244是单向a=b的所以只是单向驱动。而245是用于数据总线等双向驱动选择。同时245的封装走线非常适合数据总线,它按照顺序d7-d0。 4. 373和374,地址锁存器,一个电平触发,一个沿触发。373用在单片机p0地址锁存,当然是扩展外部ram的时候用到62256。374有时候也用在锁数码管内容显示。 5. max232和max202,有些为了节约成本就用max202,主要是驱动能力的限制。 6. 网络接口变压器。需要注意差分信号的等长和尽量短的规则。 7. amd29系列的flash,有bottom型和top型,主要区别是loader区域设置在哪里?bottom型的在开始地址空间,top型号的在末尾地址空间,我感觉有点反,但实际就是这么命名的。 8. 164,它是一个串并转换芯片,可以把串行信号变为并行信号,控制数码管显示可以用到。 9. sdram,ddrram,在设计时候通常会在数据地址总线上加22,33的电阻,据说是为了阻抗匹配,对于这点我理论基础学到过,但实际上没什么深刻理解。 10. 网卡控制芯片ax88796,rtl8019as,dm9000ae当然这些都是用在isa总线上的。 11. 24位AD:CS5532,LPC2413效果还可以 12. 仪表运放:ITL114,不过据说功耗有点大 13. 音频功放:一般用LM368 14. 音量控制IC. PT2257/9. 15. PCM双向解/编码ADC/DAC CW6691.

TI-选择正确的电平转换方案

1. 简介 在今天的电子电路系统中电压电平的转换基本成为了必须。例如:一 个ASIC的供电为VccA,而I/O器件的供电为VccB。为了使它们之间正常通信,就需要一个如图1的电平转换(level-translation)方案。 输入电平限值和器件的输出电平主要根据器件采用的工艺技术和供电 。图2显示了不同的供电和元件技术的限值范围。为了成功的实现两个 器件的接口,一定要保证以下的条件: ■驱动器件的Voh必须大于接收器件的Vih ■驱动器件的Vol必须小于接收器件的Vil ■驱动器件的输出电压范围不能超过接收器件的可容忍的I/O电 压范围

2. 双电源电平转换器件(Dual-Supply Level Translators) 2.1 特性 双电源的器件是为了满足两类总线或不同供电器件之间的异步通讯的 。这类器件采用双电源:VccA为A端(A side)供电,VccB为B端供电。对于数据从A到B或B到A都能传输的双向的电平转换器件,方向取决于输入pin DIR的逻辑电平。如果器件有OE控制,在OE有无效时 A端和B端的总线隔离。 TI的双电源器件有各种位宽的应用并几乎覆盖了当前出现的全部的供 电应用。这些器件灵活,易用并能实现双向转换,对于许多电平转换 的应用都是理想的选择(译者注:强!)。它们的电流驱动能力可以 使其适合长线及重载的应用。 SN74AVCB324245是一种32位双电源电平转换器件(由四组8位端口组成)。图3显示了SN74AVCB324245的1.8V转3.3V的一个端口,同

时另一个端口实现3.3V到1.8V的转换。 双电源器件的优点: ●可以在不同电压结点间灵活的转换 ●具有电流驱动的能力 ●具有不同的位宽 2.2 产品列表

常用的电平转换方案

常用的电平转换方案 TTL、CMOS、ECL等电路的高低电平阀值不同,他们之间逻辑连接需要电平转换;还有,就是接口与接口之间的,如RS232与485之间,USB与串口之间等等,由于这些接口协议里面定义的电平不同,所以也需要电平转换。 1. 常用的电平转换方案 (1) 晶体管+上拉电阻法 就是一个双极型三极管或MOSFET,C/D极接一个上拉电阻到正电源,输入电平很灵活,输出电平大致就是正电源电平。 图1. 电阻-二极管拓扑,是在同一根信号线上实现双向转换的可选技术之一

图2. 分立/数字晶体管是实现双向转换的另外一种选择 (数据入和数据出也被称为主入从出(MISO)和主出从入(MOSI)。SPI能够使用超过20Mbp的时钟信号,使用CMOS推挽逻辑。由于SPI是单向的,没有必要在同一根信号线上实现双向转换。这使电平转换变得简单一些,因为 可以采用电阻与二极管(图1)或分立/数字晶体管(图2)等简单方案。I2C、SMBusTM和1-Wire 接口为双向、漏极开路拓?扑。I2C有3个速度范围:≤ 100kbps的标准模式,≤ 400kbps的快速模式,≤ 3.4Mbps的高速模式。双向总线的电平转换更加困难,因为必须在同一根数据线上进行双向转换。基于电阻-二极管或集电极/漏极开路的单级晶体管转换器的简单拓扑由于固有的单向性,无法满足要求。 ) (2) OC/OD 器件+上拉电阻法 跟1) 类似。适用于器件输出刚好为OC/OD 的场合。 (3) 74xHCT系列芯片升压(3.3V→5V) 凡是输入与5V TTL 电平兼容的5V CMOS 器件都可以用作 3.3V→5V 电平转换。 ——这是由于3.3V CMOS 的电平刚好和5V TTL电平兼容(巧合),而CMOS 的输出电平总是接近电源电平的。 廉价的选择如74xHCT(HCT/AHCT/VHCT/AHCT1G/VHCT1G/...) 系列(那个字母T 就表示TTL 兼容)。 (4) 超限输入降压法(5V→3.3V, 3.3V→1.8V, ...) 凡是允许输入电平超过电源的逻辑器件,都可以用作降低电平。 这里的"超限"是指超过电源,许多较古老的器件都不允许输入电压超过电源,但越来越多的新器件取消了这个限制(改变了输入级保护电路)。 例如,74AHC/VHC 系列芯片,其datasheets 明确注明"输入电压范围为0~5.5V",如果采用 3.3V 供电,就可以实现5V→3.3V 电平转换。 (5) 专用电平转换芯片 最著名的就是164245,不仅可以用作升压/降压,而且允许两边电源不同步。这是最通用的电平转换方案,但是也是很昂贵的(俺前不久买还是¥45/片,虽是零售,也贵的吓人),因此若非必要,最好用前两个方案。

电平转换资料

74AVC1T145 1、概述 74AVC1T145是一款具有双向电压转换和3态输出的单位双电源收发器。它的功能端口有1位输入输出端口(A和B),一个方向控制输入(DIR)和双电源引脚(V CC(A)和V CC(B))。同时V CC(A)和V CC(B)可以输入介于0.8 V 到3.6 V的电压实现器件在任意低电压节点之间的转换(0.8 V, 1.2 V, 1.5 V, 1.8 V, 2.5 V 和3.3 V)。引脚A和DIR由V CC(A)供电,引脚B由V CC(B)供电。在DIR上的高电平允许从A传输到B,也允许在DIR上的低电平从B传输到A。 该器件明确规定在局部省电模式时使用I OFF。I OFF将使输出失能,防止在电源关闭时破坏性的回路电流通过器件。当VCC(A)或VCC(B)处于地电平电压时处于挂起模式,同时A和B 将处于高阻态。 2、功能与优点 ?电源电压范围宽: ◆ ◆ ?噪声抑制能力强 ?符合JEDEC标准: ◆-12 (0.8 V to 1.3 V) ◆-11 (0.9 V to 1.65 V) ◆-7 (1.2 V to 1.95 V) ◆-5 (1.8 V to 2.7 V) ◆-B (2.7 V to 3.6 V) ?静电保护: ◆HBM JESD22-A114E类3 b超过8000 V ◆MM JESD22-A115-A超过200 V ◆CDM JESD22-C101C超过1000 V ?最大数据速率: ◆500 Mbit / s(1.8 V至3.3 V的转换) ◆320 Mbit / s(< 1.8 V至3.3 V转换) ◆320 Mbit / s(转换为2.5 V和2.5 V) ◆280 Mbit / s(转换到1.5 V) ◆240 Mbit / s(转换到1.2 V) 挂起模式或睡眠模式; ?锁存性能超过100 mA / JESD 100 II级 ?输入接受电压最高达3.6 V ?低噪声时过冲和欠冲小于VCC的10% ?I OFF电流提供部分省电模式操作 ?多种封装选择 ?指定使用温度范围从-40°C到+ 85°C和?40°C到+ 125°C 3、订购信息(略) 4、标记(略) 5、逻辑图

各种电平总结

TTL和CMOS电平总结 TTL和CMOS电平总结 TTL——Transistor-Transistor Logic HTTL——High-speed TTL LTTL——Low-power TTL STTL——Schottky TTL LSTTL——Low-power Schottky TTL ASTTL——Advanced Schottky TTL ALSTTL——Advanced Low-power Schottky TTL FAST(F)——Fairchild Advanced schottky TTL CMOS——Complementary metal-oxide-semiconductor HC/HCT——High-speed CMOS Logic(HCT与TTL电平兼容) AC/ACT——Advanced CMOS Logic(ACT与TTL电平兼容)(亦称ACL) AHC/AHCT——Advanced High-speed CMOS Logic(AHCT与TTL电平兼容) FCT——FACT扩展系列,与TTL电平兼容 FACT——Fairchild Advanced CMOS Technology 1,TTL电平: 输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。在室温下,一般输出高电平是3.5V,输出低电平 是0.2V。最小输入高电平和低电平:输入高电平>=2.0V,输入低电平<=0.8V,噪声容限是0.4V。 2,CMOS电平: 1逻辑电平电压接近于电源电压,0逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。 3,电平转换电路: 因为TTL和COMS的高低电平的值不一样(ttl 5v<==>cmos 3.3v),所以互相连接时需 要电平的转换:就是用两个电阻对电平分压,没有什么高深的东西。哈哈 4,OC门,即集电极开路门电路,OD门,即漏极开路门电路,必须外界上拉电阻和电源才能将开关电平作为高低电平用。否则它一般只作为开关大电压和大电流负载,所以又叫做驱 动门电路。 5,TTL和COMS电路比较: 1)TTL电路是电流控制器件,而coms电路是电压控制器件。 2)TTL电路的速度快,传输延迟时间短(5-10ns),但是功耗大。 COMS电路的速度慢,传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。 COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关,频率越高,芯片集越热,这是正常

5V-3.3V电平转换方案

2013年1月8日 15:17 源文档 整理By caowent@ https://www.360docs.net/doc/c817986455.html, 近年来,半导体制造工艺的不断进步发展,为便携式电子工业产品的广泛应用提供了动力和保证,便携式设备要求使用体积小,功耗低,电池耗电小的器件,因低电压器件的成本比传统5V器件更低,功耗更小,性能更优,加上多数器件的I/O脚可以兼容5V/3.3vTTL电平,可以直接使用在原有的系统中,所以各大半导体公司都将3.3,2.5v等低电平集成电路作为推广重点。但是,目前市场上仍有许多5V电源的逻辑器件和数字器件,因此在许多设计中3.3V(含3V)逻辑系统和5V逻辑系统共存,而且不同的电源电压在同一电路板中混用,随着更低电压标准的引进,不同电源电压和不同逻辑电平器件间的接口问题将在很长一段时间内存在.MSP430系列单片机的供电电压在1.8~3.6V这间,因此在使用它的过程中不可避免要碰到不同电压,电平的接口问题. 在混合电压系统中,不同的电源电压的逻辑器件相互连接时会存在以下三个主要问题: 1:加到输入和输出引脚上的最大允许电压限制问题; 器件对加到输入或者输出脚上的电压通常是有限制的.这些引脚有二极管或者分离元件接到Vcc。如果接入的电压过高,则电流将会通过二极管或者分离元件流向电源。例如在3.3V器件的输入端加上5V的信号,则5V电源会向3.3V电源充电,持续的电流将会损坏二极管和其他电路元件. 2:两个电源间电流的互串问题 在等待或者掉电方式时,3.3V电源降落到0V,大电流将流通到地,这使得总线上的高电压被下拉到地,这些情况将引起数据丢失和元件损坏.必须注意:不管在3.3V的工作状态还是在0V的等待状态下都不允许电流流向Vcc. 3:必须满足输入转换门限电平的问题. 用5V的器器件来驱动3.3V的器件有很多不同的情况,同样TTL和CMOS间的转换电平也存在着不同的情况.驱动器必须满足接收器的输入转换电平,并且要有足够的容限以保证不损坏电路元件. 在实际电路设计中,一个电路中会有不同的电平信号。 方案一:使用光耦进行电平转换首先要根据要处理的信号的频率来选择合适的光耦。高频(20K~1MHz)可以用高速带放大整形的光藕,如 6N137/TLP113/TLP2630/4N25等。如果是20KHz以下可用TLP521。然后搭建转换电路。如将3.3V信号转换为5V信号。电路如下图:

3.3V转5V的双向电平转换电路

3.3V转5V的双向电平转换电路 说说所有的电平转换方法,你自己参考~ (1) 晶体管+上拉电阻法 就是一个双极型三极管或MOSFET,C/D极接一个上拉电阻到正电源,输入电平很灵活,输出电平大致就是正电源电平。 (2) OC/OD 器件+上拉电阻法 跟1) 类似。适用于器件输出刚好为OC/OD 的场合。 (3) 74xHCT系列芯片升压(3.3V→5V) 凡是输入与5V TTL 电平兼容的5V CMOS 器件都可以用作3.3V→5V 电平转换。 ——这是由于3.3V CMOS 的电平刚好和5V TTL电平兼容(巧合),而CMOS 的输出电平总是接近电源电平的。 廉价的选择如74xHCT(HCT/AHCT/VHCT/AHCT1G/VHCT1G/...) 系列(那个字母 T 就表示TTL 兼容)。 (4) 超限输入降压法(5V→3.3V, 3.3V→1.8V, ...) 凡是允许输入电平超过电源的逻辑器件,都可以用作降低电平。 这里的"超限"是指超过电源,许多较古老的器件都不允许输入电压超过电源,但越来越多的新器件取消了这个限制(改变了输入级保护电路)。 例如,74AHC/VHC 系列芯片,其datasheets 明确注明"输入电压范围为0~5.5V",如果采用3.3V 供电,就可以实现5V→3.3V 电平转换。 (5) 专用电平转换芯片 最著名的就是164245,不仅可以用作升压/降压,而且允许两边电源不同步。这是最通用的电平转换方案,但是也是很昂贵的(俺前不久买还是¥45/片,虽是零售,也贵的吓人),因此若非必要,最好用前两个方案。 (6) 电阻分压法 最简单的降低电平的方法。5V电平,经1.6k+3.3k电阻分压,就是3.3V。 (7) 限流电阻法 如果嫌上面的两个电阻太多,有时还可以只串联一个限流电阻。某些芯片虽然原则上不允许输入电平超过电源,但只要串联一个限流电阻,保证输入保护电流不超过极限(如74HC 系列为20mA),仍然是安全的。 (8) 无为而无不为法 只要掌握了电平兼容的规律。某些场合,根本就不需要特别的转换。例如,电路中用到了某种5V 逻辑器件,其输入是3.3V 电平,只要在选择器件时选择输入为TTL 兼容的,就不需要任何转换,这相当于隐含适用了方法3)。 (9) 比较器法 算是凑数,有人提出用这个而已,还有什么运放法就太恶搞了。 那位说的可以~但我分析你也不是非要芯片不可吧?尽量节约成本啊~ 3.3V转5V 电平转换方法参考 电平转换

5V到3V3的电平转换-串口通信

5V到3V3的电平转换-串口通信 一、电平转换电路 下面来分析一下电路的设计思路: https://www.360docs.net/doc/c817986455.html,/BLOG_ARTICLE_244240.HTM 首先声明一下:这个电路是从3V3的角度考虑的! 1、接收通道 我们首先来明确一下数据流向(其实就是电平驱动方向),接收通道是由5V方驱动的(Source),3V3方只是取电平(Sink),因此TXD5V作为此通道的输入方,RXD3V3作为通道的输出方。 我们知道,三极管(开关型)集电极输出驱动能力不错,我们就设计为集电极输出;但是,只有一个三极管是不行的,因为集电极输出的时候,基极电平和集电极逻辑是相反的;那么,加一个反相器?没必要,那是另外一种电平转换的方法了,我们只需要再使用一个三极管,基极接前级输出就可以了。这样,逻辑转换就完成了,当输入低电平时,Q1截止,集电极输出高电平,Q2导通,集电极输出低电平。同理,高电平分析是一样的。 逻辑转换完成了,那么就是电平的问题了。这很好解决,输入方为5V逻辑,那么就给它一个VCC5,3V3逻辑高电平需要一个3V3,那么就给一个VCC3V3;OK! 2、发送通道 分析完接收通道,发送通道的原理其实也是一样的,就不详细介绍了。 3、结论 其实如果稍微熟悉电子电路知识的人看来,这个电路实在太简单,正因为如此,我才要强调,基础很重要!否则,一个系统的设计会在这些小地方卡住。 二、电平问题: 单片机手册————电气特性 常用逻辑电平:12V,5V,3.3V; 1.TTL电平: 输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。在室温下,一般输出高电平是3.5V,输出低电平是0.2V。最小输入高电平和低电平:输入高电平>=2.0V,输入低电平<=0.8V,噪声容限是0.4V。

常用数字芯片大全

产品 型号规格性能说明型号规格性能说明 名称 74LS SN74LSOO四2输入与非门SN74LSO1四2输入与非门 SN74LSO2四2输入与非门SN74LS03四2输入与非门 SN74LS04六反相器SN74LS05六反相器 SN74LS06六反相缓冲器/驱动器SN74LS07六缓冲器/驱动器 SN74LS08四2输入与非门SN74LS09四2输入与非门 SN74LS10三3输入与非门SN74LS11三3输入与非门 SN74LS12三3输入与非门SN74LS13三3输入与非门 SN74LS14六反相器.斯密特触发SN74LS15三3输入与非门 SN74LS16六反相缓冲器/驱动器SN74LS17六反相缓冲器/驱动器 SN74LS20双4输入与门SN74LS21双4输入与门 SN74LS22双4输入与门SN74LS25双4输入与门 SN74LS26四2输入与非门SN74LS27三3输入与非门 SN74LS28四输入端或非缓冲器SN74LS30八输入端与非门 SN74LS32四2输入或门SN74LS33四2输入或门 SN74LS37四输入端与非缓冲器SN74LS38双2输入与非缓冲器 SN74LS40四输入端与非缓冲器SN74LS42BCD-十进制译码器 SN74LS47BCD-七段译码驱动器SN74LS48BCD-七段译码驱动器SN74LS49BCD-七段译码驱动器SN74LS51三3输入双与或非门 SN74LS54四输入与或非门SN74LS55四4输入与或非门 SN74LS63六电流读出接口门SN74LS73双J-K触发器 SN74LS74双D触发器SN74LS754位双稳锁存器 SN74LS76双J-K触发器SN74LS78双J-K触发器 SN74LS83双J-K触发器SN74LS854位幅度比较器 SN74LS86四2输入异或门SN74LS884位全加器 SN74LS904位十进制波动计数器SN74LS918位移位寄存器 SN74LS9212分频计数器SN74LS93二进制计数器 SN74LS965位移位寄存器SN74LS954位并入并出寄存器 SN74LS109正沿触发双J-K触发器SN74LS107双J-K触发器 SN74LS113双J-K负沿触发器SN74LS112双J-K负沿触发器 SN74LS121单稳态多谐振荡器SN74LS114双J-K负沿触发器 SN74LS123双稳态多谐振荡器SN74LS122单稳态多谐振荡器 SN74LS125三态缓冲器SN74LS124双压控振荡器 SN74LS1313-8线译码器SN74LS126四3态总线缓冲器 SN74LS13313输入与非门SN74LS132二输入与非触发器 SN74LS137地址锁存3-8线译码器SN74LS136四异或门 SN74LS139双2-4线译码-转换器SN74LS1383-8线译码/转换器 SN74LS14710-4线优先编码器SN74LS145BCD十进制译码/驱动器SN74LS153双4选1数据选择器SN74LS1488-3线优先编码器 SN74LS155双2-4线多路分配器SN74LS1518选1数据选择器 SN74LS157四2选1数据选择器SN74LS1544-16线多路分配器 SN74LS160同步BDC十进制计数器SN74LS156双2-4线多路分配器

电平转换方法

常用的电平转换方案 (1) 晶体管+上拉电阻法 就是一个双极型三极管或 MOSFET,C/D极接一个上拉电阻到正电源,输入电平很灵活,输出电平大致就是正电源电平。 (2) OC/OD 器件+上拉电阻法 跟 1) 类似。适用于器件输出刚好为 OC/OD 的场合。 (3) 74xHCT系列芯片升压 (3.3V→5V) 凡是输入与 5V TTL 电平兼容的 5V CMOS 器件都可以用作 3.3V→5V 电平转换。 ——这是由于 3.3V CMOS 的电平刚好和5V TTL电平兼容(巧合),而 CMOS 的输出电平总是接近电源电平的。 廉价的选择如 74xHCT(HCT/AHCT/VHCT/AHCT1G/VHCT1G/...) 系列 (那个字母 T 就表 示 TTL 兼容)。 (4) 超限输入降压法 (5V→3.3V, 3.3V→1.8V, ...) 凡是允许输入电平超过电源的逻辑器件,都可以用作降低电平。 这里的"超限"是指超过电源,许多较古老的器件都不允许输入电压超过电源,但越来越多的新器件取消了这个限制 (改变了输入级保护电路)。 例如,74AHC/VHC 系列芯片,其 datasheets 明确注明"输入电压范围为0~5.5V",如果采 用 3.3V 供电,就可以实现 5V→3.3V 电平转换。 (5) 专用电平转换芯片 最著名的就是 164245,不仅可以用作升压/降压,而且允许两边电源不同步。这是最通用的电平转换方案,但是也是很昂贵的 (俺前不久买还是¥45/片,虽是零售,也贵的吓人),因此若非必要,最好用前两个方案。 (6) 电阻分压法 最简单的降低电平的方法。5V电平,经1.6k+3.3k电阻分压,就是3.3V。 (7) 限流电阻法 如果嫌上面的两个电阻太多,有时还可以只串联一个限流电阻。某些芯片虽然原则上不允许输入电平超过电源,但只要串联一个限流电阻,保证输入保护电流不超过极限(如 74HC 系列为 20mA),仍然是安全的。 (8) 无为而无不为法 只要掌握了电平兼容的规律。某些场合,根本就不需要特别的转换。例如,电路中用到了某种 5V 逻辑器件,其输入是 3.3V 电平,只要在选择器件时选择输入为 TTL 兼容的,就不需要任何转换,这相当于隐含适用了方法3)。 (9) 比较器法

3.3v和5v双向电平转换芯片

3.3v和5v双向电平转换芯片 74LVC4245,8位电平转换 74LVC4245A,8位双向 NLSX4373,2位电平转换 NLSX4014,4位电平转换 NLSX4378,4位电平转换 NLSX3018,8位电平转换 max3002,8路双向 TXB0104?(她好像有一个系列?0102?0104?0106?0108), ADG3308 74HCT245:三态输出的八路总线收发器 SN74AVCH2T45 SN74AVC16T245:具有可配置电压转换和3 态输出的16 位双电源总线收发器 SN74LVC2T45DCT:双位双电源总线收发器可配置电压转换和三态输出 SN74LVC4245A:8位 德州仪器宣布推出SN74LVC1T45、SN74LVC2T45、SN74AVC8T245及SN74AVC20T245四款新型双电源电平转换收发器。该新品能够在 1.5V、1.8V、2.5V、3.3V 与5V 电压节点之间进行灵活的双向电平转换,而且可提供全面的可配置性。如果采用AVC 技术,则每条轨可从 1.4V 配置为 3.6V;而采用LVC 技术时则可从1.65V 配置为5.5V。适用于便携式消费类电子产品、网络、数据通信以及计算应用领域。 日前,德州仪器(TI)宣布推出四款新型的双电源电平转换器--AVC1T45、AVC2T45、AVC16T245及AVC32T245,从而进一步扩展其电平转换产品系列。这些转换器能够在互不兼容的I/O之间进行通信。这四款器件均支持1.2V、1.5V、1.8V、2.5V与3.3V节点之间的双向电平转换。在混合信号环境中,可以使用这些电压电平的任意组合,从而提高这些器件的灵活性。 1位AVC1T45与2位AVC2T45可根据需要在电路板上集成单或双转换器功能,而不是通过较高位宽的器件进行路由,这有助于简化电路板布线作业(board routing),可适用于便携式手持应用的转换要求。AVC16T245与AVC32T245是TI当前16位与32位双电源转换功能的改进版本。这些器件能够提供较低的功耗(AVC16T245的功耗为25μA,而AVCA164245的功耗则为40μA)。该类器件的总线控制选件无需外部上拉/下拉电阻器。TI还提供全面的IBIS模型支持。 SN74AVC1T45与SN74AVC2T45以及总线控制版本SN74AVCH1T45与SN74AVCH2T45均采用NanoStar 与NanoFree芯片级封装。这些器件现已推出,并可提供样片。批量为千套时,预计1T45器件的最低零售单价为0.24美元,而2T45器件的最低零售单价为0.35美元。 SN74AVC16T245和总线控制版本SN74AVCH16T245采用56球栅VFBGA封装。该器件现已推出,并可提

CMOS电平转换电路详解

CMOS电平转换电路详解 COMS集成电路是互补对称金属氧化物半导体(Compiementary symmetry metal oxide semicoductor)集成电路的英文缩写,电路的许多基本逻辑单元都是用增强型PMOS晶体管和增强型NMOS管按照互补对称形式连接的,静态功耗很小。 COMS电路的供电电压VDD范围比较广在+5~+15V均能正常工作,电压波动允许10,当输出电压高于VDD-0.5V时为逻辑1,输出电压低于VSS+0.5V(VSS为数字地)为逻辑0。CMOS电路输出高电平约为0.9Vcc,而输出低电平约为0.1Vcc.当输入电压高于VDD-1.5V时为逻辑1,输入电压低于VSS+1.5V(VSS为数字地)为逻辑0。 TTL电平信号被利用的最多是因为通常数据表示采用二进制规定,+5V等价于逻辑1,0V 等价于逻辑0,这被称做TTL(晶体管-晶体管逻辑电平)信号系统,这是计算机处理器控制的设备内部各部分之间通信的标准技术。 标准TTL输入高电平最小2V,输出高电平最小2.4V,典型值3.4V,输入低电平最大0.8V,输出低电平最大0.4V,典型值0.2V(输入H》2V,输入L《0.8V;输出H 》2.4V(3.4V),输出L《0.4V(0.2V)。 CMOS电平是数字信号还是模拟信号?CMOS电平是数字信号,COMS电路的供电电压VDD范围比较广在+5--+15V均能正常工作,电压波动允许10,当输出电压高于VDD-0.5V 时为逻辑1,输出电压低于VSS+0.5V(VSS为数字地)为逻辑0,一般数字信号才是0和1 。 cmos电平转换电路1、TTL电路和CMOS电路的逻辑电平 VOH:逻辑电平1 的输出电压 VOL:逻辑电平0 的输出电压 VIH :逻辑电平1 的输入电压 VIH :逻辑电平0 的输入电压 TTL电路临界值:

常见电平转换芯片

常用的一些电平转换芯片 芯片描述电压范围位数是否双电源 SN74AVC1T45 具有可配置电压转换和 3 态输出的单位双电源总线收发器 1.2 3.6 两者兼有 1 双电源 SN74LVC1T45 具有可配置电压转换和 3 态输出的单位双电源总线收发器 1.65 5.5 两者兼有 1 双电源 SN74AVCH2T45 具有可配置电压转换和 3 态输出的双位双电源总线收发器 1.2 3.6 两者兼有 2 双电源 SN74LVC2T45 具有可配置电压转换和 3 态输出的双位双电源收发器 1.65 5.5 两者兼有 2 双电源 SN74AVC2T45 具有可配置电压转换和 3 态输出的双位双电源总线收发器 1.2 3.6 两者兼有 2 双电源 SN74AVCH4T245 具有可配置电压转换和 3 态输出的 4 位双电源总线收发器 1.2 3.6 两者兼有 4 双电源SN74AVC4T245 具有可配置电压转换和 3 态输出的 4 位双电源总线收发器 1.2 3.6 两者兼有 4 双电源 SN74AVCH8T245 具有可配置电压转换和 3 态输出的 8 位双电源总线收发器 1.2 3.6 两者兼有 8 双电源SN74LVC8T245 具有可配置电压转换和 3 态输出的 8 位双电源总线收发器 1.65 5.5 两者兼有 8 双电源SN74AVC8T245 具有可配置电压转换和 3 态输出的 8 位双电源总线收发器 1.2 3.6 两者兼有 8 双电源 SN74LVC16T245 具有可配置电压转换和 3 态输出的 16 位双电源总线收发器 1.65 5.5 两者兼有 16 双电源SN74AVC16T245 具有可配置电压转换和 3 态输出的 16 位双电源总线收发器 1.2 3.6 两者兼有 16 双电源SN74AVC20T245 具有可配置电压转换和 3 态输出的 20 位双电源总线收发器 1.2 3.6 两者兼有 20 双电源SN74AVC24T245 具有可配置电压转换和 3 态输出的 24 位双电源总线收发器 1.2 3.6 两者兼有 24 双电源SN74AVC32T245 具有可配置电压转换和 3 态输出的 32 位双电源总线收发器 1.2 3.6 两者兼有 32 双电源SN74TVC3306 双路钳位电压 0.8 5.0 两者兼有 2 FET 开关 SN74TVC3010 10 位钳位电压 0.8 5.0 两者兼有 10 FET 开关 SN74TVC16222A 22 位钳位电压 0.8 5.0 两者兼有 22 FET 开关

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