KT404A方案参考原理图V1.2

原理图参考——RK3399

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54321 12v input VDD_CPU_B VDD_CENTER VDD_DDR BUCK SY8088AAC VCC_0V9 LDO3BUCK4BUCK3 BUCK2BUCK1LDO1LDO2 VCC_SYS VCC_1V8 Sensor VCC_EFUSE LDO APIO1_VDD USB_AVDD_0V9LDO VCCA_0V9 PLL_AVDD_0V9 AVDD0V9_DDRPLL TYPEC_AVDD_0V9HDMI_AVDD_0V9 EMMC APIO1/APIO3 VDDIO_WL VDDIO_WL (option) LDO Switch Buck BUCK SY8088AAC BUCK SYR837BUCK SYR838 LDO VCC3V0_SD EMMC_CORE USB2.0 HOST SW2VCC3V3_S0 SW1NC LDO8 LDO7LDO4LDO5 LDO6SY6280CAA TYPEC VCCA1V8_HDMI VCCA_1V8VCCA0V9_HDMI VCC_SDIO NC VCC_1V5VCC_3V0 NC USB3.0 HOST SY6280CAA SY6280CAA VDD_LOG VDD_CPU_L VDD_GPU Device SD WIFI BUCK LP3218 eMMC FLASH USB WIFI VCC3V3_SYS NMOS WM2016 VCC3V3_SYS PHY TYPE C USB_AVDD_1V8TYPEC_AVDD_1V8 ADC_AVDD HDMI_AVDD_1V8PLL_AVDD_1V8 Buck NB679GD 12V--5V BUCK (option) Project:File: Date:Fuzhou Rockchip Electronics Designed by: Friday, July 01, 2016POWER TREE RK3399_BOX Linus

经典led驱动电源参考设计大集锦(内含设计原理图、实际案例分析)

经典LED驱动电源参考设计大集锦（内含设计原理图、实际案例分析） PI公司的众多LED驱动电源解决方案中，高效率、低功耗，外围简单、可调光、高稳定性是最大的特点，涉及工业、商业、家用等应用领域。不管是应客户需求设计，还是按相关标准设计，还是基于对行业发展趋势把握所做的前瞻性设计，都同样的出色，其方案、设计、想法具有行业指引性。其众多的驱动电源参考设计中蕴含很多电源基本理论,就算不用其公司的IC也可以作为设计参考，对工程师有超强的指导意义。 1.开关电源设计软件- PI Expert? 操作/设计指南 PI Expert可提供构建和测试工作原型所需的所有必要信息。这些信息包括完整的交互式电路原理图、物料清单(BOM)、电路板布局建议以及详细的电气参数表。PI Expert还可提供完整的变压器设计，包括磁芯尺寸、线圈圈数、适当的线材规格以及每个绕组所用的并绕线数。此外，还可生成详细的绕组机械装配说明。该程序可以将设计时间从数天缩短至几分钟。 2.采用LYTSwitch的带功率因数校正(PFC)的23 W T8电源设计适用于430 mA V (50 V) T8灯管的隔离式、低输入电压、超薄驱动器设计(DER-338)现已推出。这款新设计采用了PI新推出的LYTSwitch? LED驱动器系列器件LYT4215E。 3.一款高功率因数、可控硅调光的非隔离LED驱动器 PI推出了一份新的设计报告((DER-364)，介绍的是一款使用广受好评的LYTSwitch IC设计的高功率因数、可控硅调光的非隔离LED驱动器。其效率额定值高达85%以上，具有无闪烁调光和单向快速启动(<200 ms)的特性。 4.针对T10灯管的最新24 W LED驱动器设计 PI的一款效率达92%的24 W T10灯LED驱动器设计(DER-356)。该设计可极大简化离线式、带功率因数校正的LED电源的生产。 5.适用于可控硅调光A19灯的全新10 W PFC LED驱动器设计 PI发布的关于针对可调光A19灯的全新10 W驱动器设计(DER-328) 6.元件数最少的T8灯管LED驱动器设计–高效率、低THD PI现已推出DER-345–一款针对T8 LED灯的低输入电压、非隔离、高效率、高功率因数LED驱动器设计。 7.适用于A19替换灯的14.5 W可控硅调光的非隔离LED驱动器 Power Integrations的LED设计(DER-341) –适用于A19 LED灯的非隔离式、高效率、高功率因数(PF) LED驱动器。这款新的LED驱动器采用LinkSwitch-PH系列IC中的LNK407EG器件设计而成。

设计学原理参考

设计学原理部分试题参考选择题 1．意大利艺术家和作家被尊称为“西方艺术史之父”的是乔瓦.萨里。他所谓的艺术是绘画，雕塑和建筑。 2．设计学就是研究设计历史与理论的学科，古代中国先哲写的《考工记》。 3．包豪斯学校设立建筑学系 4．设计使家通常又是美术史家或建筑史家5．现代设计史之父的佩夫斯纳，他的著作有《现代运动的先锋》 6．被尊称“无名的美术史”是吉迪恩。他的著作《机械化决定作用》 7．荷家私的著作《美的分析》为最早的设计理论专著 8．琼斯的经典著作《装饰的基本原理》 9．普金的《尖顶建筑或基督教建筑原理》提倡复兴哥特式风格，拉斯金是设计批评，他的著作《建筑的七盏明灯》时间19世纪。 10．莫里斯领导过工艺美术运动 11．格迪斯著名的《地平线》大力赞扬机器时代。12．莎利文发表了《论文集》，里面的名言是“形

西蒙，他的著作是《有关人工的诸种科学》21．中国新石器时代的设计，除了石器工具的设计以外，还有一个重要的设计领域就是陶器用具的设计。中国陶器出现的时期（新石器时代）22．黄河中上游仰韶文化和马家窑文化为中心的彩陶和续之而起的黄河下游龙山文化为中心的黑陶，以及长江以南东南广大地区的几何印纹陶。 23．黑陶是龙山文化的象征，山东龙山文化的黑陶素有“蛋皮陶”之称。仰韶文化半坡类型的尖底瓶汲水器，基本形状为小口，尖底，腹部置有双耳。 24．彩绘是我国新石器时代制陶工艺中最为成功的一种装饰设计手法。 25．生活在长江流域多水地区的人们，设计建造了下层架空，上层居住的干栏式建筑，并且采用（75页）结构。 26．中国的丝织品的发源地“缯国” 27西周时期发明了瓦，春秋时期发明了砖。仿制品最早在中国出现。 28中国喜欢运用成语概括，雕梁画栋，红黄蓝。

Marvell 935参考设计原理图

1s 3y k j f 0u i g 8r i i o y 40g 3a 4n w o k 8d p -g b g 7v 3p y * S h e n z h e n L a n x u s E l e c t r o n i c s * U N D E R N D A # 12121951 M A R V E L L C O N F I D E N T I A L - U N A U T H O R I Z E D D I S T R I B U T I O N O R U S E S T R I C T L Y P R O H I B I T E D

可控硅的工作原理和设计参考

可控硅的工作原理和设计参考可控硅物理结构如下图所示，P-N-P-N，就象两只背靠背的三极管。我们先来分析栅极不作电气联接的情况。当可控硅阴极电位大于阳极电位，J1和J3结反偏，器件截止。当可控硅阴极电位小于阳极电位，J1和J3正偏，但J2反偏，器件仍然截止。如果J2的反偏电压达到引发雪崩击穿时，器件的导通特性就象单个正偏的PN结一样。 P 1 N ANODE P N P 图一图二图三进而分析图三：可控硅可等效为一个PNP晶体管和一个NPN晶体管集基相联而成，T1的集电极为T2提供基极电流，T1的基极电流由外电路通过栅极加T2的集电极电流提供。如果T1、T2集基环路的增益超过单位增益（请参考晶体管增益和偏置电流的关系图）则环路电流持续保持增加，T1、T2进入饱和，可控硅被称为锁定，阳极到阴极的电流由外部偏置电路决定。因此有几种情况能使可控硅进入锁定状态。 Ic 1、超过击穿电压使可控硅进入导通当加在可控硅阳极和阴极之间的电压超过击穿电压V BO时，可控硅导通，V BO大于器件的额定电压。在击穿电压时可控硅的阳极电流被称作为锁定电流IL。击穿电压触发在大多数电路设计中是避免使用的。它的特点是正向电压的下降沿很陡，下降时间是栅极触发的二十分之一；但它允许的di/dt却比栅极触发的低。 2、靠漏电流使可控硅进入导通可控硅的结温升高，漏电流也增大。如果结温允许升得足够高，使漏电流大到足以触发可控硅体内的集基耦合正反馈环路进入锁定而导通。在结温超过Tjmax的某一温度，可控硅将不存在截止电压。 3．利用dv/dt使可控硅导通。

任何PN结都有电容，结面积越大，电容也越大。当一锯齿电压加到可控硅的阳极和阴极之间，充电电流由下式表示： ic=Cdv/dt 如果电流足够大，将引起可控硅导通。 4．利用栅极触发可控硅导通这是一种常用的方法使可控硅导通，提供栅极电流触发可控硅体内的集基耦合正反馈环，使可控硅进入锁定状态。如图四所示。 FORWARD CURRENT ARD 当栅流大于零时，使可控硅进入导通的正向偏压小于VBO。手册上提供要保证某一可控硅可靠触发导通的栅流和偏压条件。同时，可控硅的触发特性和温度有关，所以要保证栅极触发脉冲的宽度和时间必须足够保证在所有条件下使可控硅进入锁定。设计时注意几点： 1、电路设计上要保证dIF/dt不能超过规定指标，否则可控硅将被损坏。 2、在栅极触发电流设计上，比较好的方法是提供高速大电流过驱动脉冲(dIG/dt)（不超过额定功率），使可控硅快速导通，怎样可提高dIF/dt的额定值。 3、一旦可控硅锁定，栅极驱动即可减小或完全取消。使用脉冲信号触发可控硅可减小栅极功耗。 4、在栅极触发方式中，触发脉冲必须持续到可控硅的阳、极之间电流超过锁定电流IL才能取消。一旦稳定的导通状态建立，IH是维持可控硅导通的最小电流。要关断可控硅，必须使可控硅的导通电流降至IH之下。具体做法可减小可控硅两端所施加的电压。 5、下面以本公司常用型号BT151为例作一说明。在规格书中， IGT=15MA，Vd=12V,It=0.1A在电阻性负载时的IL=40MA，TGT=2US。在下面的栅极触发参考图中可查得，有一特性曲线与其对应。为了缩小开通时间的分散性，都应采用强触发脉冲，当触发脉冲的Igtm/Igt=5—6倍时,元件的开通性能有明显的改善,这样比较恰当的强触发电流波形的前沿如下图所示.其对应的特性曲线如断态通态电压曲线中标示的with high gate current Igtm/Igt Igtm/Igt=5—6

stm32f103ve参考原理图

September 2009Doc ID 14611 Rev 71/123 STM32F103xC STM32F103xD STM32F103xE High-density performance line ARM-based 32-bit MCU with 256 to 512KB Flash, USB, CAN, 11 timers, 3 ADCs, 13 communication interfaces Features ■ Core: ARM 32-bit Cortex?-M3 CPU –72 MHz maximum frequency, 1.25DMIPS/MHz (Dhrystone 2.1) performance at 0 wait state memory access –Single-cycle multiplication and hardware division ■ Memories –256 to 512 Kbytes of Flash memory –up to 64 Kbytes of SRAM –Flexible static memory controller with 4 Chip Select. Supports Compact Flash, SRAM, PSRAM, NOR and NAND memories –LCD parallel interface, 8080/6800 modes ■ Clock, reset and supply management – 2.0 to 3.6V application supply and I/Os –POR, PDR, and programmable voltage detector (PVD) –4-to-16 MHz crystal oscillator –Internal 8 MHz factory-trimmed RC –Internal 40 kHz RC with calibration –32 kHz oscillator for RTC with calibration ■ Low power –Sleep, Stop and Standby modes –V BAT supply for RTC and backup registers ■ 3 × 12-bit, 1 μs A/D converters (up to 21 channels) –Conversion range: 0 to 3.6 V –Triple-sample and hold capability –Temperature sensor ■ 2 × 12-bit D/A converters ■ DMA: 12-channel DMA controller –Supported peripherals: timers, ADCs, DAC, SDIO, I 2Ss, SPIs, I 2Cs and USARTs ■ Debug mode –Serial wire debug (SWD) & JTAG interfaces –Cortex-M3 Embedded T race Macrocell? ■ Up to 112 fast I/O ports –51/80/112 I/Os, all mappable on 16 external interrupt vectors and almost all 5V-tolerant ■ Up to 11 timers –Up to four 16-bit timers, each with up to 4 IC/OC/PWM or pulse counter and quadrature (incremental) encoder input – 2 × 16-bit motor control PWM timers with dead-time generation and emergency stop – 2 × watchdog timers (Independent and Window) –SysTick timer: a 24-bit downcounter – 2 × 16-bit basic timers to drive the DAC ■ Up to 13 communication interfaces –Up to 2 × I 2C interfaces (SMBus/PMBus)–Up to 5 USARTs (ISO 7816 interface, LIN, IrDA capability, modem control)–Up to 3 SPIs (18 Mbit/s), 2 with I 2S interface multiplexed –CAN interface (2.0B Active)–USB 2.0 full speed interface –SDIO interface ■CRC calculation unit, 96-bit unique ID ■ ECOPACK ? packages Table 1. Device summary Reference Part number STM32F103xC STM32F103RC STM32F103VC STM32F103ZC STM32F103xD STM32F103RD STM32F103VD STM32F103ZD STM32F103xE STM32F103RE STM32F103ZE STM32F103VE https://www.360docs.net/doc/d93799709.html,

原理图参考——RK3399

Project:RK3399_BOX

12v input VDD_CPU_B VDD_CENTER VDD_DDR BUCK SY8088AAC VCC_0V9 LDO3BUCK4BUCK3 BUCK2BUCK1LDO1LDO2 VCC_SYS VCC_1V8 Sensor VCC_EFUSE LDO APIO1_VDD USB_AVDD_0V9LDO VCCA_0V9 PLL_AVDD_0V9 AVDD0V9_DDRPLL TYPEC_AVDD_0V9HDMI_AVDD_0V9 EMMC APIO1/APIO3 VDDIO_WL VDDIO_WL (option) LDO Switch Buck BUCK SY8088AAC BUCK SYR837BUCK SYR838 LDO VCC3V0_SD EMMC_CORE USB2.0 HOST SW2VCC3V3_S0 SW1NC LDO8 LDO7LDO4LDO5 LDO6SY6280CAA TYPEC VCCA1V8_HDMI VCCA_1V8VCCA0V9_HDMI VCC_SDIO NC VCC_1V5VCC_3V0 NC USB3.0 HOST SY6280CAA SY6280CAA VDD_LOG VDD_CPU_L VDD_GPU Device SD WIFI BUCK LP3218 eMMC FLASH USB WIFI VCC3V3_SYS NMOS WM2016 VCC3V3_SYS PHY TYPE C USB_AVDD_1V8TYPEC_AVDD_1V8 ADC_AVDD HDMI_AVDD_1V8PLL_AVDD_1V8 Buck NB679GD 12V--5V BUCK (option)

无线电技术参考及原理图

无线电技术参考及原理图-标准化文件发布号：（9456-EUATWK-MWUB-WUNN-INNUL-DDQTY-KII

无线电技术参考及原理图中国充电器门户网10月20日讯：无线充电器正向我们走来，本文介绍了无线充电器的结构与原理。爱好电子产品设计的朋友们可以参考。简单实用的无线传能充电器，通过线圈将电能以无线方式传输给电池。只需把电池和接收设备放在充电平台上即可对其进行充电。实验证明．虽然该系统还不能充电于无形之中．但已能做到将多个校电器放置于同一充电平台上同时充电。免去接线的烦恼。 1 无线充电器原理与结构无线充电器系统主要采用电磁感应原理，通过线圈进行能量耦合实现能量的传递。如图1所示，系统工作时输入端将交流市电经全桥整流电路变换成直流电，或用24V直流电端直接为系统供电。经过无线充电器电源管理模块后输出的直流电通过2M有源晶振逆变转换成高频交流电供给初级绕组。通过2个电感线圈耦合能量，次级线圈输出的电流经接受转换电路变化成直流电为电池充电。 2 无线充电器发射电路模块如图3，无线充电器主振电路采用2 MHz有源晶振作为振荡器。有源晶振输出的方波，经过二阶低通滤波器滤除高次谐波，得到稳定的正弦波输出，经三极管13003及其外围电路组成的丙类放大电路后输出至线圈与电容组成的并联谐振回路辐射出去．为接收部分提供能量。测得与电容组成的并联谐振回路的空芯耦合线圈的线径为O．5 mm，直径为7 cm，电感为47 uH，载波频率为2 MHz。根据并联谐振公式得匹配电容C约

为140 pF。因而．无线充电器发射部分采用2MHz有源晶振产生与谐振频率接近的能源载波频率。