微电子课程复习题
“微电子器件”课程复习题
一、填空题
1、若某突变PN 结的P 型区的掺杂浓度为163A 1.510cm N -=?，则室温下该区的平衡多子浓度p p0与平衡少子浓度n p0分别为（ ）和（ ）。
2、在PN 结的空间电荷区中，P 区一侧带（ ）电荷，N 区一侧带（ ）电荷。内建电场的方向是从（ ）区指向（ ）区。
3、当采用耗尽近似时，N 型耗尽区中的泊松方程为（ ）。由此方程可以看出，掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越（ ）。
4、PN 结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（ ），内建电场的最大值就越（ ），内建电势V b i 就越（ ），反向饱和电流I 0就越（ ），势垒电容C T 就越（ ），雪崩击穿电压就越（ ）。
5、硅突变结内建电势V bi 可表为（ ），在室温下的典型值为（ ）伏特。
6、当对PN 结外加正向电压时，其势垒区宽度会（ ），势垒区的势垒高度会（ ）。
7、当对PN 结外加反向电压时，其势垒区宽度会（ ），势垒区的势垒高度会（ ）。
8、在P 型中性区与耗尽区的边界上，少子浓度n p 与外加电压V 之间的关系可表示为（ ）。若P 型区的掺杂浓度173A 1.510cm N -=?，外加电压V = 0.52V ，则P 型区与耗尽区边界上的少子浓度n p 为（ ）。
9、当对PN 结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（ ）；当对PN 结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（ ）。
10、PN 结的正向电流由（ ）电流、（ ）电流和（ ）电流三部分所组成。
11、PN 结的正向电流很大，是因为正向电流的电荷来源是（ ）；PN 结的反向电流很小，是因为反向电流的电荷来源是（ ）。
12、当对PN 结外加正向电压时，由N 区注入P 区的非平衡电子一边向前扩散，一边（ ）。每经过一个扩散长度的距离，非平衡电子浓度降到原来的（ ）。
13、PN 结扩散电流的表达式为（ ）。这个表达式在正向电压下可简化为（ ），
在反向电压下可简化为（ ）。
14、在PN 结的正向电流中，当电压较低时，以（ ）电流为主；当电压较高时，以（ ）电流为主。
15、薄基区二极管是指PN 结的某一个或两个中性区的长度小于（ ）。在薄基区二极管中，
少子浓度的分布近似为（ ）。
16、小注入条件是指注入某区边界附近的（ ）浓度远小于该区的（ ）浓度，因此该
区总的多子浓度中的（ ）多子浓度可以忽略。
17、大注入条件是指注入某区边界附近的（ ）浓度远大于该区的（ ）浓度，因此该
区总的多子浓度中的（ ）多子浓度可以忽略。
18、势垒电容反映的是PN 结的（ ）电荷随外加电压的变化率。PN 结的掺杂浓度越高，
则势垒电容就越（ ）；外加反向电压越高，则势垒电容就越（ ）。
19、扩散电容反映的是PN 结的（ ）电荷随外加电压的变化率。正向电流越大，则扩
散电容就越（ ）；少子寿命越长，则扩散电容就越（ ）。
20、在PN 结开关管中，在外加电压从正向变为反向后的一段时间内，会出现一个较大的反向电流。引起
这个电流的原因是存储在（ ）区中的（ ）电荷。这个电荷的消失途径有两条，即（ ）和（ ）。
21、从器件本身的角度，提高开关管的开关速度的主要措施是（ ）和
（ ）。
22、PN 结的击穿有三种机理，它们分别是（ ）、（ ）和（ ）。
23、PN 结的掺杂浓度越高，雪崩击穿电压就越（ ）；结深越浅，雪崩击穿电压就越（ ）。
24、雪崩击穿和齐纳击穿的条件分别是（ ）和（ ）。
25、晶体管的基区输运系数是指（ ）电流与（ ）电流
之比。由于少子在渡越基区的过程中会发生（ ），从而使基区输运系数（ ）。为了提高基区输运系数，应当使基区宽度（ ）基区少子扩散长度。
26、晶体管中的少子在渡越（ ）的过程中会发生（ ），从而使到达集电结的少子比从发射结注入
基区的少子（ ）。
27、晶体管的注入效率是指（ ）电流与（ ）电流之比。为了提高
注入效率，应当使（ ）区掺杂浓度远大于（ ）区掺杂浓度。
28、晶体管的共基极直流短路电流放大系数α是指发射结（ ）偏、集电结（ ）偏时的（ ）电
流与（ ）电流之比。
29、晶体管的共发射极直流短路电流放大系数β是指（ ）结正偏、（ ）结零偏时的（ ）
电流与（ ）电流之比。
30、在设计与制造晶体管时，为提高晶体管的电流放大系数，应当（ ）基区宽度，（ ）基区掺杂
浓度。
31、某长方形薄层材料的方块电阻为100Ω，长度和宽度分别为300μm 和60μm ，则其长度方向和宽
度方向上的电阻分别为（ ）和（ ）。若要获得1K Ω的电阻，则该材料的长度应改变为（ ）。
32、在缓变基区晶体管的基区中会产生一个（ ），它对少子在基区中的运动起到（ ）的作用，
使少子的基区渡越时间（ ）。
33、小电流时α会（ ）。这是由于小电流时，发射极电流中（ ）的比例增
大，使注入效率下降。
34、发射区重掺杂效应是指当发射区掺杂浓度太高时，不但不能提高（ ），反而会使其（ ）。
造成发射区重掺杂效应的原因是（ ）和（ ）。
35、在异质结双极晶体管中，发射区的禁带宽度（ ）于基区的禁带宽度，从而使异质结双极晶体管的
（ ）大于同质结双极晶体管的。
36、当晶体管处于放大区时，理想情况下集电极电流随集电结反偏的增加而（ ）。但实际情况下集电
极电流随集电结反偏增加而（ ），这称为（ ）效应。
37、当集电结反偏增加时，集电结耗尽区宽度会（ ），使基区宽度（ ），从而使集电极电流（ ），
这就是基区宽度调变效应（即厄尔利效应）。
38、I ES 是指（ ）结短路、（ ）结反偏时的（ ）极电流。
39、I CS 是指（ ）结短路、（ ）结反偏时的（ ）极电流。
41、I CBO 是指（ ）极开路、（ ）结反偏时的（ ）极电流。
41、I CEO 是指（ ）极开路、（ ）结反偏时的（ ）极电流。
42、I EBO 是指（ ）极开路、（ ）结反偏时的（ ）极电流。
43、BV CBO 是指（ ）极开路、（ ）结反偏，当（ ）∞→时的V CB 。
44、BV CEO 是指（ ）极开路、（ ）结反偏，当（ ）∞→时的V CE 。
45、BV EBO 是指（ ）极开路、（ ）结反偏，当（ ）∞→时的V EB 。
46、基区穿通是指当集电结反向电压增加到使耗尽区将（ ）全部占据时，集电极电流急剧增大的现
象。防止基区穿通的措施是（ ）基区宽度、（ ）基区掺杂浓度。
47、比较各击穿电压的大小时可知，BV CBO （ ）BV CEO ，BV CBO （ ）BV EBO 。
48、要降低基极电阻b b r '，应当（ ）基区掺杂浓度，（ ）基区宽度。
49、无源基区重掺杂的目的是（ ）。
50、发射极增量电阻r e 的表达式是（ ）。室温下当发射极电流为1mA 时，r e =（ ）。
51、随着信号频率的提高，晶体管的ωα、ωβ的幅度会（ ），相角会（ ）。
52、在高频下，基区渡越时间b τ对晶体管有三个作用，它们是：（ ）、
（ ）和（ ）。
53、基区渡越时间b τ是指（ ）。当基区宽度加倍时，基区渡越时间增大
到原来的（ ）倍。
54、晶体管的共基极电流放大系数ωα随频率的（ ）而下降。当晶体管的ωα下降到（ ）时
的频率，称为α的截止频率，记为（ ）。
55、晶体管的共发射极电流放大系数ωβ随频率的（ ）而下降。当晶体管的ωβ下降到
021β时的
频率，称为β的（ ），记为（ ）。
56、当βf f >>时，频率每加倍，晶体管的ωβ降到原来的（ ）；最大功率增益p m ax K 降到原来的
（ ）。
57、当（ ）降到1时的频率称为特征频率T f 。当（ ）降到1时的频率称为最高振荡频率M f 。
58、当ωβ降到（ ）时的频率称为特征频率T f 。当p max K 降到（ ）时的频率称为最高振荡频率M f 。
59、晶体管的高频优值M 是（ ）与（ ）的乘积。
60、晶体管在高频小信号应用时与直流应用时相比，要多考虑三个电容的作用，它们是（ ）
电容、（ ）电容和（ ）电容。
61、对于频率不是特别高的一般高频管，ec τ中以（ ）为主，这时提高特征频率T f 的主要措施是
（ ）。
62、为了提高晶体管的最高振荡频率M f ，应当使特征频率T f （ ），基极电阻b b r '（ ），集电结
势垒电容T C C （ ）。
63、对高频晶体管结构上的基本要求是：（ ）、（ ）、（ ）和
（ ）。
64、N 沟道MOSFET 的衬底是（ ）型半导体，源区和漏区是（ ）型半导体，沟道中的载流子是（ ）。
65、P 沟道MOSFET 的衬底是（ ）型半导体，源区和漏区是（ ）型半导体，沟道中的载流子是（ ）。
66、当GS T V V =时，栅下的硅表面发生（ ），形成连通（ ）区和（ ）区的导电沟道，在D S V 的
作用下产生漏极电流。
67、N 沟道MOSFET 中，G S V 越大，则沟道中的电子就越（ ），沟道电阻就越（ ），漏极电流就越（ ）。
68、在N 沟道MOSFET 中，T 0V >的称为增强型，当G S 0V =时MOSFET 处于（ ）状态；T 0V <的称
为耗尽型，当G S 0V =时MOSFET 处于（ ）状态。
69、由于栅氧化层中通常带（ ）电荷，所以（ ）型区比（ ）型区更容易发生反型。
70、要提高N 沟道MOSFET 的阈电压V T ，应使衬底掺杂浓度N A （ ），使栅氧化层厚度T ox （ ）。
71、N 沟道MOSFET 饱和漏源电压Dsat V 的表达式是（ ）。当D S D sat V V ≥时，MOSFET 进入（ ）
区，漏极电流随D S V 的增加而（ ）。
72、由于电子的迁移率n μ比空穴的迁移率p μ（ ），所以在其它条件相同时，（ ）沟道MOSFET 的D sat
I 比（ ）沟道MOSFET 的大。为了使两种MOSFET 的D sat I 相同，应当使N 沟道MOSFET 的沟道宽度（ ）P 沟道MOSFET 的。
73、当N 沟道MOSFET 的GS T V V <时，MOSFET （ ）导电，这称为（ ）导电。
74、对于一般的MOSFET ，当沟道长度加倍，而其它尺寸、掺杂浓度、偏置条件等都不变时，其下列参数
发生什么变化：T V （ ）、D s a t I （ ）、on R （ ）、m g （ ）。
75、由于源、漏区的掺杂浓度（ ）于沟道区的掺杂浓度，所以MOSFET 源、漏PN 结的耗尽区主要向（ ）
区扩展，使MOSFET 的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题（ ）。
76、MOSFET 的跨导g m 的定义是（ ），它反映了（ ）对（ ）的控制能力。
77、为提高跨导g m 的截止角频率m g ω，应当（ ）μ，（ ）L ，（ ）V GS 。
78、阈电压T V 的短沟道效应是指，当沟道长度缩短时，T V 变（ ）。
79、在长沟道MOSFET 中，漏极电流的饱和是由于（ ），而在短沟道MOSFET 中，漏极电流的饱
和则是由于（ ）。
80、为了避免短沟道效应，可采用按比例缩小法则，当MOSFET 的沟道长度缩短一半时，其沟道宽度应
（ ），栅氧化层厚度应（ ），源、漏区结深应（ ），衬底掺杂浓度应（ ）。
二、问答题
1、简要叙述PN 结空间电荷区的形成过程。
2、什么叫耗尽近似？什么叫中性近似？
3、什么叫突变结？什么叫单边突变结？什么叫线性缓变结？分别画出上述各种PN 结的杂质浓度分布图、
内建电场分布图和外加正向电压及反向电压时的少子浓度分布图。
4、PN 结势垒区的宽度与哪些因素有关？
5、写出PN 结反向饱和电流I 0的表达式，并对影响I 0的各种因素进行讨论。
6、PN 结的正向电流由正向扩散电流和势垒区复合电流组成。试分别说明这两种电流随外加正向电压的增加而变化的规律。当正向电压较小时以什么电流为主？当正向电压较大时以什么电流为主？
7、什么是小注入条件？什么是大注入条件？写出小注入条件和大注入条件下的结定律，并讨论两种情况下中性区边界上载流子浓度随外加电压的变化规律。
8、在工程实际中，一般采用什么方法来计算PN 结的雪崩击穿电压？
9、简要叙述PN 结势垒电容和扩散电容的形成机理及特点。
10、当把PN 结作为开关使用时，在直流特性和瞬态特性这两方面，PN 结与理想开关相比有哪些差距？引起PN 结反向恢复过程的主要原因是什么？
11、画出NPN 晶体管在饱和状态、截止状态、放大状态和倒向放大状态时的少子分布图。
画出NPN 晶体管在饱和状态、截止状态、放大状态和倒向放大状态时的能带图。
12、画出共基极放大区晶体管中各种电流的分布图，并说明当输入电流I E 经过晶体管变成输出电流I C 时，发生了哪两种亏损？
13、倒向晶体管的电流放大系数为什么小于正向晶体管的电流放大系数？
14、提高基区掺杂浓度会对晶体管的各种特性，如 γ、α、β、T E C 、EBO BV 、p t V 、A V 、b b r '等产生什么影响？
15、减薄基区宽度会对晶体管的上述各种特性产生什么影响？
16、先画出双极晶体管的理想的共发射极输出特性曲线图，并在图中标出饱和区与放大区的分界线，然后再分别画出包括厄尔利效应和击穿现象的共发射极输出特性曲线图。
17、画出包括基极电阻在内的双极型晶体管的简化的交流小信号等效电路。
18、什么是双极晶体管的特征频率f T ？写出f T 的表达式，并说明提高f T 的各项措施。
19、写出组成双极晶体管信号延迟时间ec τ的4个时间的表达式。其中的哪个时间与电流I E 有关？这使
f T 随I E 的变化而发生怎样的变化？
20、说明特征频率f T 的测量方法。
21、什么是双极晶体管的最高振荡频率f M ？写出f M 的表达式，说明提高f M 的各项措施。
22、画出高频晶体管结构的剖面图，并标出图中各部分的名称。
23、画出MOSFET 的结构图和输出特性曲线图，并简要叙述MOSFET 的工作原理。
24、什么是MOSFET 的阈电压V T ？写出V T 的表达式，并讨论影响V T 的各种因素。
25、什么是MOSFET 的衬底偏置效应？
26、什么是有效沟道长度调制效应？如何抑制有效沟道长度调制效应？
27、什么是MOSFET 的跨导g m ？写出g m 的表达式，并讨论提高g m 的措施。
28、提高MOSFET 的最高工作频率f T 的措施是什么？
29、什么是MOSFET 的短沟道效应？
30、什么是MOSFET 的按比例缩小法则？
三、计算题
1、某突变PN 结的153183D A 1.510cm , 1.510cm N N --=?=?，试求n0n0p0n p p 、、和p 0n 的值，并求当外加0.5V 正向电压和（-0.5V ）反向电压时的p p ()n x -和n n ()p x 的值。
2、某突变PN 结的153183D A 1.510cm , 1.510cm
N N --=?=?，计算该PN 结的内建电势V bi 之值。 3、有一个P 沟道MOSFET 的衬底掺杂浓度为153
D 1.510cm
N -=?，另一个N 沟道MOSFET 的衬底掺杂浓
度为183A 1.510cm
N -=?。试分别求这两个MOSFET 的衬底费米势，并将这两个衬底费米势之和与上
题的V bi 相比较。 4、某突变PN 结的153183D A 1.510cm , 1.510cm N N --=?=?，试问J dp 是J dn 的多少倍？
5、已知某PN 结的反向饱和电流为I o =10 -12A ，试分别求当外加0.5V 正向电压和（-0.5V ）反向电压时的PN 结扩散电流。
6、已知某PN 结的反向饱和电流为I o =10 -11A ，若以当正向电流达到10 -2 A 作为正向导通的开始，试求正向导通电压V F 之值。若此PN 结存在寄生串联电阻r cs = 4Ω，则在同样的测试条件下V F 将变为多少？
7、某硅单边突变结的雪崩击穿临界电场51C 3.510V cm E -=?，开始发生雪崩击穿时的耗尽区宽度dB 8.57μm x =，求该PN 结的雪崩击穿电压B V 。若对该PN 结外加B 0.25V V =的反向电压，则其耗尽区宽度为多少？
8、如果设单边突变结的雪崩击穿临界电场E C 与杂质浓度无关，则为了使雪崩击穿电压V B 提高1倍，发生雪崩击穿时的耗尽区宽度x dB 应为原来的多少倍？低掺杂区的杂质浓度应为原来的多少倍？
9、某突变PN 结的V bi = 0.7V ，当外加-4.3V 的反向电压时测得其势垒电容为8pF ，则当外加-19.3V 的反向电压时其势垒电容应为多少？
10、某突变结的内建电势V bi = 0.7V ，当外加电压V = 0.3V 时的势垒电容与扩散电容分别是2pF 和4210pF -?，试求当外加电压V = 0.6V 时的势垒电容与扩散电容分别是多少？
11、某均匀基区NPN 晶体管的21B B 1μm ,20cm s W D -==，试求此管的基区渡越时间b τ。当此管的基
区少子电流密度J nE = 102Acm -2时，其基区少子电荷面密度Q B 为多少？
12、某均匀基区晶体管的B B 2μm ,10μm W L ==，试求此管的基区输运系数*β之值。若将此管的基
区掺杂改为如式（3-28）的指数分布，场因子6η=，则其*β变为多少？
13、某均匀基区NPN 晶体管的171217B B B B 2μm ,10cm ,18cm s ,510s W N D τ---====?，试求该管的基区输运系数*β之值。又当在该管的发射结上加0.6V 的正向电压，集电结短路时，该管的J nE 和J nC 各为多少？
14、某均匀基区晶体管的注入效率0.98γ=，若将其发射结改为异质结，使基区的禁带宽度E GB 比发射区的禁带宽度E GE 小0.08eV ，则其注入效率γ变为多少？若要使其γ仍为0.98，则其有源基区方块电阻B 1R 口可以减小到原来的多少？
15、某双极型晶体管的B11000,5R R =Ω=Ω口口E ，基区渡越时间b τ=10–9 s ,当I B = 0.1mA 时, I C = 10mA ，求该管的基区少子寿命B τ。
16、某晶体管的基区输运系数0.99β
*=，注入效率0.97γ=，试求此管的α与β。当此管的有源基
区方块电阻B 1R 口乘以3，其余参数均不变时，其α与β变为多少？
17、某双极型晶体管当I B1 = 0.05mA 时测得I C1 = 4mA ，当I B2 = 0.06mA 时测得I C2 = 5mA ，试分别求此管当I C = 4mA 时的直流电流放大系数β与小信号电流放大系数βO 。
18、某缓变基区NPN 晶体管的BV CBO = 120V ，81β=，试求此管的BV CEO 。
19、某高频晶体管的5M H z f β=，当信号频率为40MHz f =时测得其10=ωβ，则当80MHz f =时ωβ为多少？该管的特征频率T f 为多少？该管的0β为多少？
20、某高频晶体管的500=β，当信号频率f 为30MHz 时测得5=ωβ，求此管的特征频率T f ，以及当信号频率f 分别为15MHz 和60MHz 时的ωβ之值。
21、某高频晶体管的基区宽度B 1μm W =，基区渡越时间10b 2.710s τ-=?，T 550M H z f =。当该管的基区宽度减为0.5μm ，其余参数都不变时，T f 变为多少？
22、某高频晶体管的20M H z f β=，当信号频率为100MHz f =时测得其最大功率增益为p m ax 24K =，则当200MHz f =时p m ax K 为多少？该管的最高振荡频率M f 为多少？
23、在N A = 1015cm -3的P 型硅衬底上制作Al 栅N 沟道MOSFET ，栅氧化层厚度为50nm ，栅氧化层中正电荷数目的面密度为1011cm -2，求该MOSFET 的阈电压V T 之值。
24、某处于饱和区的N 沟道MOSFET 当V GS = 3V 时测得I Dsat = 1mA ，当V GS = 4V 时测得I Dsat = 4mA ，求该管的V T 与β之值。
25、某N 沟道MOSFET 的V T = 1V,β= 4×10-3AV -2，求当V GS = 6V ，V DS 分别为2V 、4V 、6V 、8V 和10V 时的漏极电流之值。
26、某N 沟道MOSFET 的V T = 1.5V,β= 6×10-3AV -2，求当V DS = 6V ，V GS 分别为1.5V 、3.5V 、5.5V 、7.5V
和9.5V 时的漏极电流之值。
27、某N 沟道MOSFET 的V T = 1.5V,β= 6×10-3AV -2，求当V GS 分别为2V 、4V 、6V 、8V 和10V 时的通导电
阻R on 之值。
28、某N 沟道MOSFET 的V T = 1V,β= 4×10-3AV -2，求当V GS = 6V ，V DS 分别为2V 、4V 、6V 、8V 和10V 时的跨导g m 之值。
29、某N 沟道MOSFET 的V T = 1V,β= 6×10-3AV -2，求当V DS = 4V ，V GS 分别为2V 、4V 、6V 、8V 和10V 时漏源电导g ds 之值。
30、某N 沟道MOSFET 的沟道长度2μm L =，阈电压V T = 1.5V ，电子迁移率为320cm 2/V.s ，试求当外加栅电压V GS = 5V 时的饱和区跨导的截止角频率m g ω。
微电子器件 课程复习题
“微电子器件”课程复习题 一、填空题 1、若某突变PN 结的P 型区的掺杂浓度为163A 1.510cm N -=?，则室温下该区的平衡多子 浓度p p0与平衡少子浓度n p0分别为（ ）和（ ）。 2、在PN 结的空间电荷区中，P 区一侧带（ ）电荷，N 区一侧带（ ）电荷。内建电场的方向是从（ ）区指向（ ）区。 3、当采用耗尽近似时，N 型耗尽区中的泊松方程为（ ）。由此方程可以看出，掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越（ ）。 4、PN 结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（ ），内建电场的最大值就越（ ），内建电势V bi 就越（ ），反向饱和电流I 0就越（ ），势垒电容C T 就越（ ），雪崩击穿电压就越（ ）。 5、硅突变结内建电势V bi 可表为（ ），在室温下的典型值为（ ）伏特。 6、当对PN 结外加正向电压时，其势垒区宽度会（ ），势垒区的势垒高度会（ ）。 7、当对PN 结外加反向电压时，其势垒区宽度会（ ），势垒区的势垒高度会（ ）。 8、在P 型中性区与耗尽区的边界上，少子浓度n p 与外加电压V 之间的关系可表示为 （ ）。若P 型区的掺杂浓度173A 1.510cm N -=?，外加电压V = 0.52V ，则P 型区与耗尽区边界上的少子浓度n p 为（ ）。 9、当对PN 结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（ ）；当对PN 结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（ ）。 10、PN 结的正向电流由（ ）电流、（ ）电流和（ ）电流三部分所组成。
11、PN结的正向电流很大，是因为正向电流的电荷来源是（）；PN结的反向电流很 小，是因为反向电流的电荷来源是（）。 12、当对PN结外加正向电压时，由N区注入P区的非平衡电子一边向前扩散，一边（）。 每经过一个扩散长度的距离，非平衡电子浓度降到原来的（）。 13、PN结扩散电流的表达式为（）。这个表达式在正向电压下可简化 为（），在反向电压下可简化为（）。 14、在PN结的正向电流中，当电压较低时，以（）电流为主；当电压较高时，以（） 电流为主。 15、薄基区二极管是指PN结的某一个或两个中性区的长度小于（）。在薄 基区二极管中，少子浓度的分布近似为（）。 16、小注入条件是指注入某区边界附近的（）浓度远小于该区的（） 浓度，因此该区总的多子浓度中的（）多子浓度可以忽略。 17、大注入条件是指注入某区边界附近的（）浓度远大于该区的（） 浓度，因此该区总的多子浓度中的（）多子浓度可以忽略。 18、势垒电容反映的是PN结的（）电荷随外加电压的变化率。PN结 的掺杂浓度越高，则势垒电容就越（）；外加反向电压越高，则势垒电容就越（）。 19、扩散电容反映的是PN结的（）电荷随外加电压的变化率。正向 电流越大，则扩散电容就越（）；少子寿命越长，则扩散电容就越（）。 20、在PN结开关管中，在外加电压从正向变为反向后的一段时间内，会出现一个较大的 反向电流。引起这个电流的原因是存储在（）区中的（）电荷。这个电荷的消失途径有两条，即（）和（）。 21、从器件本身的角度，提高开关管的开关速度的主要措施是（）和
金融工程学A卷参考答案(1)
《金融工程学》期末考试卷（A ）参考答案 一、名词解释（共15分，每题3分） 1、盯市指在期货交易中，在每天交易结束时保证金账户进行调整，以反映投资者的盈 利或损失。 2、FRA 就是远期利率协议，是参与者同意在指定的未来某个时期将某个确定的利率应 用于某个确定的本金的远期合约。 3、远期价格就是使得某个远期合约的合约价值为零的交割价格。合约刚签定时相等， 之后一般不相等。 4、久期指债券的持有者在收到现金付款之前平均需要等待的时间。用公式表示为: i i y t i i t c e D B -=∑。 5、欧式看涨期权就是持有者可以在约定的期限到来时以约定的价格买入一定数量的某 种金融资产的权利。 二、判断说明题（要求先判断对错，然后简要说明理由或给出证明。共25分， 每小题5分） 1、答：正确。 （1分） 因为期权和期货的交易双方的损益刚好互为相反数，即一方所挣的数额刚好是另一方 所亏的数额，所以是零和博弈。 （4分） 2、答：正确。 （1分） 因为当标的资产的价格上涨时，远期合约的多头可获利，此时相当于一个欧式看涨期 权的多头；而当标的资产的价格下跌时，远期合约的多头亏损，此时相当于一个欧式看跌 期权的空头（因为看跌期权的多头会行使期权，所以多头是亏损的）。 （4分） 3、答：错误。 （1分） 最佳的套期比率取决于现货价格的变化和期货价格的变化的标准差以及二者的相关 关系。而只有没有基差风险才可以进行完全的套期保值。所以最小风险的套期保值比率 为1不一定是 完全的套期保值。 （4分） 4、答：错误。 （1分） n 年期限的零息票债券的久期等于n 。因为在到期之前没有收到任何的现金，所以n 年期限的零息票债券的持有者在收到现金付款之前平均需要等待的时间就是n 。 (4分) 5、答：错误。 （1分） 考虑两个组合：组合A 是一个美式看涨期权加上金额为X e -r(T-t) 的现金； 组合B 是一股股票。 假设在到期前的τ时刻执行，则组合A 的价值为()r T S X Xe τ---+，总是小于组合B 的价值；如果持有到期，则组合A 的价值为max(S T , X)，至少不小于组合B 的价值；所以 说提前执行不支付红利的美式看涨期权是不明智的。 （4分）
微电子学概论复习题
第一章 绪论 1.画出集成电路设计与制造的主要流程框架。 2.集成电路分类情况如何？ 答： 3.微电子学的特点是什么？ 答：微电子学：电子学的一门分支学科 微电子学以实现电路和系统的集成为目的，故实用性极强。 微电子学中的空间尺度通常是以微米(μm, 1μm ＝10－6m)和纳米(nm, 1nm = 10-9m)为单位的。 微电子学是信息领域的重要基础学科 微电子学是一门综合性很强的边缘学科 涉及了固体物理学、量子力学、热力学与统计物理学、材料科学、电子线路、信号处理、计算??????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????按应用领域分类数字模拟混合电路非线性电路线性电路模拟电路时序逻辑电路组合逻辑电路数字电路按功能分类GSI ULSI VLSI LSI MSI SSI 按规模分类薄膜混合集成电路厚膜混合集成电路混合集成电路BiCMOS BiMOS 型BiMOS CMOS NMOS PMOS 型MOS 双极型单片集成电路按结构分类集成电路
机辅助设计、测试与加工、图论、化学等多个学科 微电子学是一门发展极为迅速的学科，高集成度、低功耗、高性能、高可靠性是微电子学发展的方向 微电子学的渗透性极强，它可以是与其他学科结合而诞生出一系列新的交叉学科，例如微机电系统(MEMS)、生物芯片等 第二章半导体物理和器件物理基础 1.什么是半导体？特点、常用半导体材料 答：什么是半导体？ 金属：电导率106～104(W?cm-1)，不含禁带； 半导体：电导率104~10-10(W?cm-1)，含禁带； 绝缘体：电导率<10-10(W?cm-1)，禁带较宽； 半导体的特点： （1）电导率随温度上升而指数上升； （2）杂质的种类和数量决定其电导率； （3）可以实现非均匀掺杂； （4）光辐照、高能电子注入、电场和磁场等影响其电导率； 半导体有元素半导体，如：Si、Ge（锗） 化合物半导体，如：GaAs（砷化镓）、InP （磷化铟）、ZnS 硅：地球上含量最丰富的元素之一，微电子产业用量最大、也是最重要的半导体材料。硅(原子序数14)的物理化学性质主要由最外层四个电子（称为价电子）决定。每个硅原子近邻有四个硅原子，每两个相邻原子之间有一对电子，它们与两个原子核都有吸引作用，称为共价键。 化合物半导体：III族元素和V族构成的III-V族化合物，如，GaAs(砷化镓)，InSb(锑化铟)，GaP(磷化镓)，InP(磷化铟)等，广泛用于光电器件、半导体激光器和微波器件。 2.掺杂、施主/受主、P型/N型半导体（课件） 3.能带、导带、价带、禁带（课件） 4.半导体中的载流子、迁移率（课件） 5.PN结，为什么会单向导电，正向特性、反向特性，PN结击穿有几种（课件） 6.双极晶体管工作原理，基本结构，直流特性（课件） 7.MOS晶体管基本结构、工作原理、I-V方程、三个工作区的特性（课件） 8.MOS晶体管分类 答：按载流子类型分： ?NMOS: 也称为N沟道，载流子为电子。 ?PMOS: 也称为P沟道，载流子为空穴。 按导通类型分： ?增强（常闭）型：必须在栅上施加电压才能形成沟道。 ?耗尽（常开）型：在零偏压下存在反型层导电沟道，必须在栅上施加偏压才能使沟道内载流子耗尽的器件。 四种MOS晶体管：N沟增强型；N沟耗尽型；P沟增强型；P沟耗尽型 第三章大规模集成电路基础 1．集成电路制造流程、特征尺寸（课件） 2．CMOS集成电路特点（课件） 3．MOS开关、CMOS传输门特性（课件）
人机工程学试题及答案 (1)
测试题答案一、填空题（30分，每空1分）1、人机工程学的英文名称是：Ergonomics。2、作业场所的光照形式有天然采光和人工照明两种。而天然采光有可以有：侧面采光、上部采光、综合采光三种；人工采光有：一般照明、局部照明、混合照明。3、人的感觉通道种类不同，感受刺激的反应速度也不相同，最快的感觉通道是听觉／触觉，最慢的是痛觉。4、基准面和基准轴：a：矢状面；b：水平面；c：冠状面；d：垂直轴；e：纵轴；f：横轴。5、在室内空间设计中，点光源至少安放在水平视线25 度以上，45 度以上更好。24％的人对于安装在水平视线以上 21 度的水银灯已经感到舒适，90％的人对于安装在水平视线以上 33 度的水银灯感到舒适。6、在人体测量数据统计中的第5百分位指的是5％位置的统计数字。7、人的行为习性有：左侧通行、抄近路、左转弯、从众习性、聚集效应和识途性。8、图形建立的一般规则是：接近因素、渐变因素、方向因素、类似因素、对称因素和封闭因素。二、简答题（30分）1、人机工程学主要研究的是人、机、环境三者之间的关系，简述这三者的含义。答：人——指操作者或使用者（1分）；机——泛指人操作或使用的物，可以是机器。也可以是用具、工具或设施、设备等；（2分）环境——是指人、机所处的周围环境，如作业场所和空间、物理化学环境和社会环境等；（2分）人—机—环境系统——是指由共处于同一时间和空间的人与其所使用的机以及它们所处的周围环境所构成的系统。（1分）2、在设计室内空间的灯具安装位置时，有空腔和空腔率的概念。请简述空腔的种类及各类所包含的范围。答：空腔类型：顶棚空腔、房间空腔、地板空腔。（0.5分／项）顶棚空腔：天花板到灯具下母线之间的空间范围；（1.5分）房间空腔：灯具下母线到操作面之间的空间范围；（1.5分）地板空腔：操作面到地板之间的空间范围。（1.5分）3、简述舒适性的类型，并解释。答：类型：行为舒适性（2分）、知觉舒适性（2分）。解释（2分）。4、使图形稳定、清楚的条件有哪些？（答出一点得1分，总分6分）答：1）面积小的部分比大的部分容易形成图形；2）同周围环境的亮度差别大的部分比差别小的部分容易形成图形。3）亮的部分比暗的部分容易形成图形；4）含有暖色色相的部分比冷色色相部分容易形成图形；5）向垂直、水平方向扩展的部分比向斜向扩展的容易形成图形；6）对称的部分比带有非对称的部分容易形成图形；7）具有幅宽相等的部分比幅宽不等的部分容易形成图形；8）与下边相联系的部分比上边垂落下来的部分容易形成图形；9）与活动着的部分比静止的部分容易形成图形。5、什么是旷奥度？答：空间的旷奥度：空间的开放性与封闭性。（2分）旷：开放性（2分）奥：封闭性（2分）三、论述题（40分）1、知觉的基本特性有哪些？并举图例说明。答：整体性、选择性、理解性、恒常性、错觉（4分，少一项扣一分），举例说明（4分，少一项扣一分）2、分析图2中的色视野图，在空白位置填上合适的色觉，并对色视野图进行分析，最后举出在实际设计中的应用实例。答：（填空4分，分析1分，实例3分） 3、论述格式塔心理学的两个基本观点，并加以说明。答：1) 一个完全独立的新整体，其特征和性质都无法从原构成中找到。（2分）说明（2分）。2) 在大小、方向、位置等构成改变的情况下，也仍然存在或不变。（2分）说明（2分）。 4、作业场所布置总则是什么？分条论述。答：1.重要性原则（1分）说明（1分）。2.使用频率原则（1分）说明（1分）。3.功能原则（1分）说明（1分）。4.使用顺序原则（1分）说明（1分）。 5、论述增加室内的知觉空间的方法。（8分）答：方法数量2分，论点鲜明2分，论据充分2分，条理清楚1分，卷面1分。人机工程学题库填空题（每空2分，共10个题，共20分）填空题-01】人机工程学（Man-Machine Engineering)是研究人、机械及其工作环境之间相互作用的学科。【填空题-02】人机工程学在美国称为：人类工程学Human Engineering或人因工程学Human Factors Engineering；在西欧国 家多称为工效学Ergonomics；其他国家大多引用西欧的名称。【填空题-03 史了。【填空题-04】国际人类工效学学会（IEA 【填空题-05】人机工程学范围内人体形态测量数据主要有两 类,【填空题-06】 【填空题-07】立姿眼高可用于确定在剧院、礼堂、会议室等处人的视线，用于布置广告和其他的展品，用于确定屏风和开敞式大办公室内隔段的高度。【填空题-08】下列图 -09】人耳中的半规管主要是感觉人体平衡的器官。【填空题-10】要想达到优良视觉效 -11】噪声的个人防护用具有耳塞、耳罩、护耳头盔等。【填空题-12 【填空题-13】人机工程学范围内的人体测量有一个最重要的原则即应按照 -14】人体测量按测量对象不同可分为两类：一类是个别，如宇航员，另一类是对部分群体，例如流行时装。【填空题-15】人脑中产生的具体事物的印象总是由各种感觉综合而成的， 没有反应个别属性的感觉，也就是不可能有反映事物整体的知觉。【填空题-16】当头和环境都保持不动时，眼睛能看到的空间就是视野。-17 （正反）。【填空题-18【填空题-19】两肘之间宽度,
16秋浙大《金融工程学》在线作业
16秋浙大《金融工程学》在线作业
浙江大学17春16秋浙大《金融工程学》在线作业 一、单选题（共 20 道试题，共 40 分。） 1. 期货交易的真正目的是（）。 A. 作为一种商品交换的工具 B. 转让实物资产或金融资产的财产权 C. 减少交易者所承担的风险 D. 上述说法都正确 正确答案： 2. 套利者认为近期合约价格的涨幅会大于远期合约,买进近期合约,卖出远期合约的套利活动为( )。 A. 牛市套利 B. 熊市套利 C. 蝶式套利 D. 跨商品套利 正确答案：
3. 金融互换的局限性不包括以下哪一种 ? A. 要有存在绝对优势的产品 B. 交易双方都同意,互换合约才可以更改或终止 C. 存在信用风险 D. 需要找到合适的交易对手 正确答案： 4. 看跌期权的买方对标的金融资产具有（）的权利。 A. 买入 B. 卖出 C. 持有 D. 以上都不是 正确答案： 5. 期权的最大特征是（）。 A. 风险与收益的对称性 B. 卖方有执行或放弃执行期权的选择权 C. 风险与收益的不对称性 D. 必须每日计算盈亏 正确答案： 6. 认购权证实质上是一种股票的（）。 A. 远期合约
B. 期货合约 C. 看跌期权 D. 看涨期权 正确答案： 7. 实物期权是一种以（）为根本资产的期权。 A. 金融期货 B. 金融期权 C. 权证 D. 实物资产（非金融资产） 正确答案： 8. 金融衍生工具产生的最基本原因是（）。 A. 投机套利 B. 规避风险 C. 赚取买卖价差收入 D. 以上都不对 正确答案： 9. 决定外汇期货合约定价的因素，除即期汇率、距交割天数外，还取决于（）。 A. 两国通行汇率的差异 B. 两国通行利率的差异 C. 即期汇率与远期汇率的差异 D. 全年天数的计算惯例的差异
人机工程学试题库
一．名词解释（5）：15 人体测量学：是通过测量人体各部位尺寸来确定个体之间和群体之间在人体尺寸上的差别，用以研究人的形态特征，从而为各种工业设计和工程设计提供人体测量数据。 百分位：具有某一尺寸和小于该尺寸的人占统计对象的百分比。 临界视角：眼睛能分辨被看物体最近两点的视角。 视野：指人的头部和眼球固定不动的情况下，眼睛观看正前方物体时所能看得见的空间围，常以角度来表示。 听阈：在最佳的听闻频率围，一个听力正常的人刚刚能听到给定各频率的正弦式纯音的最低声强I mi n，称为相应频率下的”听阈值“。 痛阈：对于感受给定各频率的正弦式纯音，开始产生疼痛感的极限声强I max，称为相应频率下的“痛阈值”。 掩蔽效应：一个声音的听阈因另一个声音的掩蔽（一个声音被另一个声音所掩盖的现象）作用而提高的效应。
痛觉：有机体受到伤害性刺激所产生的感觉。 适宜刺激：人体的各感觉器官都有各自最敏感的刺激形式，这种刺激形式称为相应感觉器的适宜刺激。 余觉：刺激取消后，感觉可以存在极短时间，这种现象叫“余觉”。 知觉：是人脑对直接作用于感觉器官的客观事物和主观状况整体的反映。 感觉：是人脑对直接作用于感觉器官的客观事物个别属性的反映。 感知觉：在生活和生产活动中，人都是以知觉的形式直接反映事物，而感觉只作为知觉的组成部分而存在于知觉之中，很少有孤立的感觉存在，在心理学中就把感觉和知觉统称为“感知觉”。 错觉：在特定条件下，人们对作用于感觉器官之外事物所产生的不正确的知觉。 反应时间：人从接受外界刺激到作出反应的时间。 坐高：从头顶点至椅面的垂距。 坐宽：臀部左右向外最凸出部位间的横向水平直线距离。
微电子器件可靠性复习题
1、什么是可靠性 答：可靠性是指产品在规定条件下和规定的时间内，完成规定功能的能力。 2、固有可靠性 答：指产品的原材料性能及制成后在工作过程中所受应力，在设计阶段所赋予的，在制造过程中加以保证的可靠性。 3、使用可靠性 答：指产品在实际使用中表现出的可靠性。 4、失效 答：产品（器件）失去规定的功能称为失效。 5、可靠度，及其表达式 答：可靠度是指产品在规定的条件下，在规定的时间内，完成规定功能的概率。 表达式：Ｒ（ｔ）＝Ｐ｛ξ＞ｔ｝。 6、失效概率 答：失效概率是指产品在规定的条件下载时间ｔ以前失效的概率。 7、失效概率密度 答：失效密度是指产品在ｔ时刻的单位时间内，发生失效的概率 8、瞬时失效率
答：失效率是指在时刻ｔ尚未失效的器件在单位时间内失效的概率。 9、平均寿命 答：器件寿命这一随机变量的平均值称为平均寿命。 10、可靠寿命 答：对一些电子产品，当其可靠度降到ｒ时的工作时间称为产品的可靠寿命。 11、菲特的定义 答：简单地说就是１００万个器件工作１０００ｈ后只出现一个失效。 12、解释浴盆曲线的各个周期的含义 答：第一区：早期失效阶段：此阶段失效率较高，失效随时间增加而下降，器件失效主要是由一种或几种具有普遍性的原因所造成，此阶段的延续时间和失效比例是不同的。第二区：偶然失效阶段：失效率变化不大，是器件的良好阶段，失效常由多种而又不严重的偶然因素造成。第三区：损耗失效阶段：失效率上升，大部分器件相继失效，失效是由带全局性的原因造成，损伤严重，寿命即将终止。 13、指数分布的可靠度，失效率，寿命方差，可靠寿命，中位寿命 答：指数分布可靠度：ｆ（ｔ）＝λｅ－λｔ（０≤ｔ＜∞，０＜λ＜∞）失效率：λ＝λｅ－λｔ／ｅ－λｔ寿命方差：Ｄ（ξ）＝１/λ２可靠寿命：ｔｒ（Ｒ）＝ln（1/R）１／λ中位寿命：tr （0.5）=0.693*1/λ 14、什么是系统
金融工程学复习试题
金融工程学复习题 一填空部分 1、金融工程学中，工程是指工程化的方法。 2、金融工程学的理论体系包括资金的时间价值、资产定价、风险管理。 3、国债与公司债券的记息方式不同，国债一般按每年_365__天记息，公司债券一般按每年_360__天记息。 4、衍生金融工具主要包括期货__、远期、期权（包括单期和多期期权）和互换。 5、金融工程学是金融理论和工程化方法相结合的金融学科。 6、在价格风险的度量中，我们一般用期望收益来表示收益均值，用收益方差或收益标准差来表示收益风险。 7、金融工程学起源于80年代英国的投资银行家 8、金融工程师往往具有交易商（交易者）、观念创造者（创新者）、市场漏洞利用者（违规者）等多重身份。 9、金融期货主要包括利率期货、股票指数期货、债券期货、货币期货。 10、如果某投资者对待风险的态度较保守，则该投资者的无差异曲线的特征是曲线斜率较大或越陡峭。 11、如果某公司债券的税收等级较高，则该债券的息票利率可能较高；如果某债券是可转换性债券，则该债券的息票利率可能较低。 12、债券价格与债券收益率成反比例变化。 13、互换包括利率互换、货币互换。 14、远期包括远期利率协议、综合远期外汇协议、远期股票合约。 15、银行充当互换媒介和互换主体，因此将银行形象地称为互换仓库。 16、期权价格包括内（涵）在价值、时间价值。 17、美国财政部发行的零息票债券主要包括13周、26 周、52周的短期国债。 18、垃圾债券市场主要为企业兼并和杠杆收购提供资金来源。 19、测量债券价格对收益率的敏感程度的方法主要有久期法、一个基本点的价值法、1/32的收益率值法。 20、按照外汇买卖交割的期限，可以将汇率分为即期汇率、远期汇率。 21、一个以LIBOR为基础2×3的FRA合约中，2×3中的2是即期日到结算日期限为2个月，3是指即期日至到期日期限为3个月。 二名词解释部分 1、多头投资者在预计未来资产价值将会上升时，将资产低价买入，高价卖出，对资产的购买形成一个资产的多头。 2、衍生金融工具价值由其他资产及基础资产衍生出来的工具 3、期权购买者在支付一定数额的权利金后，即拥有在一定时间内以一定价格出售或购买一定数量的相关商品和约的权利。 4、利率互换双方承诺在事先确定的将来日期、在一名义本金基础上用指定的同种货币定期支付利息给对方；一方是固定利率支付方，另一方是浮动利率支付方；双方没有本金的交换，仅有利息的交换。 5、多期在投资期限内，投资者周期性地重组其投资。 6、基本点1%的1% 7、零息票债券是指一种无需支付周期性的利息，以面值的折扣价出售的债券。 8、垃圾债券是指投资利息高（一般较国债高4个百分点）、风险大，对投资人本金保障较弱，投资等级低的债券。 9、金融工程学包含创新性金融工具及金融手段的设计、开发和实施，以及对金融问题的创造性的解决。 10、互换双方签约同意，在确定期限内互相交换一系列支付的一种金融活动。 11、垃圾债券（同8） 12、时间价值的敏感性在现金流确定的条件下，投资的净现值（NPV）随折现率的变化而变化的幅度。 13、内部收益率使投资的净现值（NPV）正好为零时的折现率。 14、空头投资者在预计未来资产价值将会贬值时，投资者将自己并不拥有的资产高价卖出，低价买入，对资产的卖出形成卖空。对资产的卖空形成空头。 15、远期利率协议交易双方现期达成的一笔关于未来固定利率的名义远期贷款协议。 16、欧式期权是指只能在到期日行使的期权。 17、货币互换是指持有不同种货币的交易双方,以商定的酬资本金和利率为基础,进行货币本金的交换并结算记息。 18、时间价值期权买方希望随时间的延长，相关价格的变动有可能使期权增值时乐意为这一期权所付出的价格。 19、美式期权是指在到期日前任何一天都可以行使的期权。 20、内涵价值立即履行期权合约时可获得的总利润。是指实值数量和零中最大的一个。 三单项选择 1、在一个以LIBOR为基础2×5的FRA合约中，2×5中的5是指（A ）。A 即期日到到期日为5个月 2、某投资者第一期投资所得月末财富为e3 ,第二期投资的月末财富为e2 ，则该投资第二期的HPY c为（B ）。B．-1 3、在相同的到期日下，折价债券久期值（A）溢价债券久期值。。A．大于 4、看涨期权的实值是指（A）A 标的资产的市场价格大于期权的执行价格 5、对于期权价值中的时间价值部分，期权合约到期时间越长，则时间价值越（A ）。A．大
微电子学概论复习资料最终版 仅供参考
1，晶体管的发明 ENIAC计算机是由电子管构成的 1947年12月23日，第一次观测到了具有放大作用的晶体管 2，历史发展 1946年第一台计算机：ENIAC 1947年12月23日第一个晶体管：NPN Ge晶体管W. Schokley J. Bardeen W. Brattain 1977年在北京大学诞生第一块大规模集成电路 1958年以德克萨斯仪器公司基尔比(Clair Kilby)研制出了世界上第一块集成电路，并于1959年公布。TI公司的Kilby，12个器件，Ge晶片 3，微电子学的概念 微电子学是研究在固体（主要是半导体）材料上构成的微小型化电路及系统的电子学分支。微电子学——微型电子学核心——集成电路 4，集成电路的概念 集成电路：Integrated Circuit，缩写IC。是指通过一系列工艺,在单片半导体材料上(Si或GaAs)加工出许多元器件（有源和无源），这些元器件按照一定要求连接起来，作为一个不可分割的整体执行某一特定功能。 （通过一系列特定的加工工艺，将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容等无源器件，按照一定的电路互连，“集成”在一块半导体单晶片（如硅或砷化镓）上，封装在一个外壳内，执行特定电路或系统功能）
1.金属、半导体、绝缘体 金属：电导率106～104(W?cm-1)，不含禁带； 半导体：电导率104~10-10(W?cm-1)，含禁带； 绝缘体：电导率<10-10(W?cm-1)，禁带较宽； 金属、半导体、绝缘体的区别：半导体中存在着禁带，而金属中不存在；半导体和绝缘体的禁带宽度和电导率的温度特性不同。 2.半导体的特点： （1）电导率随温度上升而指数上升； （2）杂质的种类和数量决定其电导率； （3）可以实现非均匀掺杂； （4）光辐照、高能电子注入、电场和磁场等影响其电导率； 3.P型/N型半导体 N型半导体：自由电子浓度大大增加的杂质半导体，也称为电子半导体。在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷(或锑)。 P型半导体：空穴浓度大大增加的杂质半导体，也称为空穴半导体。在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼（或铟）。 4.多子、少子的概念 多子：多数载流子n型半导体：电子p型半导体：空穴 少子：少数载流子n型半导体：空穴p型半导体：电子 电子和空穴统称为载流子。 5.能带、导带、价带、禁带 能带之间的间隙叫禁带，一个能带到另一个能带之间的能量差称为禁带宽度。 价带：0K条件下被电子填充的能量最高的能带 导带： 0K条件下未被电子填充的能量最低的能带 禁带：导带底与价带顶之间能带 带隙：导带底与价带顶之间的能量差 5.本征半导体：没有掺杂的半导体（相对应的为掺杂半导体） 6.半导体迁移率 迁移率：单位电场作用下载流子获得平均速度，反映了载流子在电场作用下输运能力 影响迁移率的因素：有效质量和平均弛豫时间（散射） 体现在：温度和掺杂浓度 7.扩散和漂移 扩散运动：多数载流子因浓度上的差异而形成的运动。 漂移运动：少数载流子在内电场作用下有规则的运动。 漂移运动和扩散运动的方向相反 正向偏置时，扩散大于漂移；反向偏置时，漂移大于扩散 8.过剩载流子 由于受外界因素如光、电的作用，半导体中载流子的分布偏离了平衡态分布，称这些偏离平衡分布的载流子为过剩载流子. 9.PN结，为什么会单向导电，正向特性、反向特性， 正向特性：正向偏置时，扩散大于漂移，称为PN结的正向注入效应。 反向特性：反向偏置时，漂移大于扩散, PN结的反向抽取作用。 10.双极晶体管的基本结构及特点 双极晶体管（三极管）的结构：由两个相距很近的PN结组成：
人体工程学课后习题及答案
第一章 1、简述人体工程学的定义。 人体工程学是关于探索人与某一系统中各要素之间的相互作用，应用专业理论、原理、数据及各种方法，优化人和整个系统效能的学科。 2、人体工程学的发展主要经历了哪几个阶段？ 经验人体工程学、科学人体工程学、现代人体工程学。 3、人体工程学的研究内容是什么？ 人的特性研究，物的特性研究，环境的特性研究，人、物、环境之间的关系研究。 4、人体工程学的研究方法主要有哪些？ 自然观测法、实测法、调查研究法、计算机仿真系统、系统分析评价法。 5、试述人体工程学在家具与室内设计中的作用与意义。 因为家具和室内设计的基本点都是要围绕“以人为本”的设计理念，其根本目的就是要满足人们的使用功能和精神需求，这就要求家具和室内设计必须考虑人体工程学的各因素。将人体工程学应用于家具和室内设计就是要在设计中充分考虑人的特性，考虑人与家具、人与室内以及人、家具、室内三者之间的相互关系和相互作用，使家具和室内设计符合人的生理和心理需要。如果进行家具设计时忽视了对使用者因素的考虑，就不可能让使用者感到舒适和方便；同样，如果室内设计忽视了人的因素，其功能就不能得到很好的发挥，将给人们的生活和工作带来不便。因此，将人体工程学与家具和室内设计相结合就显得尤为必要。 6、为什么现代设计要考虑人、物、环境三者之间的关系？ 据有关数据统计，人们每天在家具上消磨的时间约占全天时间的2/3以上，家具在一般起居室、办公室等场所的占地面积约为室内的35％~40％，而在各种餐厅、影院等公共场所，家具的占地面积更大。在某种程度上来说，室内面貌取决于家具的风格、色彩和质地。另外，为了创造出一个实用功能合理、环境氛围适宜的室内活动场所，必须考虑如何进行家具布置。所以说，在设计中重要充分考虑。。。。。。。 第二章 1、什么是感觉？它有哪些基本特性？ 感觉是人脑对于直接作用与感觉器官的客观事物个别属性的反映。 特性：适宜刺激、感觉阈限、适应、相互作用、对比、余觉。 2、什么是知觉？它有哪些基本特性？ 感觉是人脑对于直接作用与感觉器官的客观事物和主观状况整体的反映。 特性：知觉的选择性、整体性、理解性、恒常性。 3、比较感觉、知觉、错觉的区别与联系。 区别：知觉是在感觉基础上对客观事物所产生的更高一级的认识；感觉是对客观事物个别属性的反映，知觉是对客观事物整体形象的反映，知觉比感觉更深入、完整；错觉则是与客观事物不相符的知觉。 联系：感觉是知觉的前提、基础和有机组成部分，错觉是与客观事物不相符的知觉。4、例举错觉现象在设计中的应用。 例如，颜色不同而造成同一物品轻重有别的错觉，小巧轻便的产品涂着浅色，使产品显得更加轻便灵巧，而机械设备的基础部分则采用深色，可以使人产生稳固之感。 5、简述神经系统的功能，以及在人体工程学中研究神经系统的意义。 神经系统是机体的主导系统，全身各器官、系统均在神经系统的一控制和调节下相互影响、相互协调，保证机体的整体统一及其与外界环境的相对平衡；各种感觉的产生也是在神经系统等支配下完成的。
《金融工程学》习题及参考答案
《金融工程学》习题及参考答案
无套利定价和风险中性定价 练习 1、假定外汇市场美元兑换马克的即期汇率是1美元换1.8马克，美元利率是8%，马克利 率是4%，试问一年后远期无套利的均衡利率是多少？ 2、银行希望在6个月后对客户提供一笔6个月的远期贷款。银行发现金融市场上即期利 率水平是：6个月利率为9.5%，12个月利率为9.875%，按照无套利定价思想，银行为这笔远期贷款索要的利率是多少？ 3、假如英镑与美元的即期汇率是1英镑=1.6650美元，远期汇率是1英镑=1.6600美元，6 个月期美远与英镑的无风险年利率分别是6%和8%，问是否存在无风险套利机会？如存在，如何套利？ 4、一只股票现在价格是40元，该股票一个月后价格将是42元或者38元。假如无风险利 率是8%，用无风险套利原则说明，执行价格为39元的一个月期欧式看涨期权的价值是多少？ 5、条件同题4，试用风险中性定价法计算题4中看涨期权的价值，并比较两种计算结果。 6、一只股票现在的价格是50元，预计6个月后涨到55元或是下降到45元。运用无套利 定价原理，求执行价格为50元的欧式看跌期权的价值。 7、一只股票现在价格是100元。有连续两个时间步，每个步长6个月，每个单步二叉树 预期上涨10%，或下跌10%，无风险利率8%（连续复利），运用无套利原则求执行价格为100元的看涨期权的价值。 8、假设市场上股票价格S=20元，执行价格X=18元，r=10%,T=1年。如果市场报价欧式 看涨期权的价格是3元，试问存在无风险的套利机会吗？如果有，如何套利？ 9、股票当前的价格是100元，以该价格作为执行价格的看涨期权和看跌期权的价格分别 是3元和7元。如果买入看涨期权、卖出看跌期权，再购入到期日价值为100 的无风险债券，则我们就复制了该股票的价值特征（可以叫做合成股票）。试问无风险债券的投资成本是多少？如果偏离了这个价格，市场会发生怎样的套利行为？ 参考答案 1、按照式子：（1+8%）美元=1.8×（1+4%）马克，得到1美元=1.7333马克。 2、设远期利率为i,根据（1+9.5%）×（1+i）=1+9.875%, i=9.785%. 3、存在套利机会，其步骤为： （1） 以6%的利率借入1655万美元，期限6个月； （2） 按市场汇率将1655万美元换成1000万英镑； （3） 将1000万英镑以8%的利率贷出，期限6个月； （4） 按1.6600美元/英镑的远期汇率卖出1037.5万英镑； （5） 6个月后收到英镑贷款本息1040.8万英镑（1000e0.08×0.5），剩余3.3万英镑； （6） 用1037.5万元英镑换回1722.3万美元（1037.5×1.66）； （7） 用1715.7美元（1665 e0.06×0.5）归还贷款本息，剩余6.6万美元； （8） 套利盈余=6.6万美元+3.3万英镑。 4、考虑这样的证券组合：购买一个看涨期权并卖出Δ股股票。如果股票价格上涨到42元， 组合价值是42Δ-3；如果股票价格下降到38元，组合价值是38Δ。若两者相等，则42Δ-3=38Δ，Δ=075。可以算出一个月后无论股票价格是多少，组合 的价值都是28.5，今天的价值一定是28.5的现值，即28.31=28.5 e-0.08×0.08333。即-f+40Δ=28.31，f是看涨期权价格。f=1.69。
微电子技术概论期末试题
《微电子技术概论》期末复习题 试卷结构： 填空题40分，40个空，每空1分， 选择题30分，15道题，每题2分， 问答题30分，5道题，每题6分 填空题 1.微电子学是以实现电路和系统的集成为目的的。 2.微电子学中实现的电路和系统又称为集成电路和集成系统，是微小化的。 3.集成电路封装的类型非常多样化。按管壳的材料可以分为金属封装、陶瓷封装和塑料封装。 4.材料按其导电性能的差异可以分为三类：导体、半导体和绝缘体。 5. 迁移率是载流子在电场作用下运动速度的快慢的量度。 6.PN 结的最基本性质之一就是其具有单向导电性。 7.根据不同的击穿机理，PN 结击穿主要分为雪崩击穿和隧道击穿这两种电击穿。 8.隧道击穿主要取决于空间电荷区中的最大电场。 9. PN结电容效应是PN结的一个基本特性。 10.PN结总的电容应该包括势垒电容和扩散电容之和。 11.在正常使用条件下，晶体管的发射结加正向小电压，称为正向偏置，集电结加反向大电压，称为反向偏置。 12.晶体管的直流特性曲线是指晶体管的输入和输出电流-电压关系曲线， 13.晶体管的直流特性曲线可以分为三个区域：放大区，饱和区，截止区。 14.晶体管在满足一定条件时，它可以工作在放大、饱和、截止三个区域中。 15.双极型晶体管可以作为放大晶体管，也可以作为开关来使用，在电路中得到了大量的应用。 16. 一般情况下开关管的工作电压为 5V ，放大管的工作电压为 20V 。 17. 在N 型半导体中电子是多子，空穴是少子； 18. 在P 型半导体中空穴是多子，电子是少子。 19. 所谓模拟信号，是指幅度随时间连续变化的信号。 20. 收音机、收录机、音响设备及电视机中接收、放大的音频信号、电视信号是模拟信号。 21. 所谓数字信号，指在时间上和幅度上离散取值的信号。 22. 计算机中运行的信号是脉冲信号，但这些脉冲信号均代表着确切的数字，因而又叫做数字信号。 23. 半导体集成电路是采用半导体工艺技术，在硅基片上制作包括电阻、电容、二极
人机工程学试题库
人机工程学试题 第1章人机工程学概论 一、填空题 1、人机工程学是研究人、机械及其工作环境之间相互作用的学科。 2、英国是世界上开展人机工程学研究最早的国家。因此，人机工程学有“起源于欧洲，形成于美国”之说。 3、人机工程学在其形成与发展史中，大致经历了经验人机工程学、科学人机工程学和现代人机工程学三个阶段。 4、在经验人机工程学阶段，学科发展的主要特点是：在人机关系上是以选择和培训操作者为主，使人适应于机器。 5、第二次世界大战期间是科学人机工程学阶段，并一直延续到50年代末。 6、科学人机工程学的发展特点是：重视工业与工程设计中的“人的因素”，力求使机器适应于人。 7、现代人机工程学研究的方向是：把人-机-环境系统作为一个统一的整体来研究。 8、本学科的根本研究方向是通过揭示人、机、环境之间相互关系的规律，以达到确保系统总体性能的最优化。 9、人机工程学中人体特性的主要研究对象是：在工业设计中与人体有关的问题。 10、人机工程学目前常用的研究方法有：观察法、实测法、实验法、模拟和模型试验法、计算机数值仿真法、分析法和调查研究法。 11、人机工程学实际上是人体科学、环境科学不断向工程科学渗透和交叉的产物。 12、一项优良设计必然是人、环境、技术、经济、文化等因素巧妙平衡的产物。判断最佳平衡点的标准，就是在设计中坚持以“人”为核心的主导思想。 二、选择题 1、第二次世界大战之前是（ A ）的发展阶段。 A、经验人机工程学 B、科学人机工程学 C、现代人机工程学 2、第二次世界大战期间是（ B ）的发展阶段。 A、经验人机工程学 B、科学人机工程学 C、现代人机工程学 3、从60年代至今，称其为（ C ）发展阶段。 A、经验人机工程学 B、科学人机工程学 C、现代人机工程学 4、在 B 人机工程学发展阶段，研究者大都是心理学家。 A、科学 B、经验 C、现代 5、在经验人机工程学发展阶段，研究者大都是。 A、工程技术人员 B、心理学家 C、管理学家 三、简答题 1、人机工程学在其形成与发展史中，大致经历了哪三个阶段？每一个阶段的主要特点分别是什么？ 2、对工业设计师来说，从事人机工程学研究的主要内容有哪几个方面？(6分) 3、人机工程学目前常用的研究方法有哪些？（7分）
微电子器件课程复习题教学内容
微电子器件课程复习 题
“微电子器件”课程复习题 一、填空题 1、若某突变PN 结的P 型区的掺杂浓度为163A 1.510cm N -=?，则室温下该区的平衡多子 浓度p p0与平衡少子浓度n p0分别为（ ）和（ ）。 2、在PN 结的空间电荷区中，P 区一侧带（ ）电荷，N 区一侧带（ ）电荷。内建电场 的方向是从（ ）区指向（ ）区。 3、当采用耗尽近似时，N 型耗尽区中的泊松方程为（ ）。由此方程可以看出，掺 杂浓度越高，则内建电场的斜率越（ ）。 4、PN 结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（ ），内建电场的最大值就越（ ）， 内建电势V bi 就越（ ），反向饱和电流I 0就越（ ），势垒电容C T 就越（ ），雪崩击穿电压就越（ ）。 5、硅突变结内建电势V bi 可表为（ ），在室温下的典型值为（ ）伏特。 6、当对PN 结外加正向电压时，其势垒区宽度会（ ），势垒区的势垒高度会（ ）。 7、当对PN 结外加反向电压时，其势垒区宽度会（ ），势垒区的势垒高度会（ ）。 8、在P 型中性区与耗尽区的边界上，少子浓度n p 与外加电压V 之间的关系可表示为 （ ）。若P 型区的掺杂浓度173A 1.510cm N -=?，外加电压V = 0.52V ，则P 型 区与耗尽区边界上的少子浓度n p 为（ ）。 9、当对PN 结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓 度（ ）；当对PN 结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（ ）。 10、PN 结的正向电流由（ ）电流、（ ）电流和（ ）电流三部分所组 成。
金融工程学试题
金融工程学 一、单选题（每题2分，共20分） 1.远期合约的多头是（） A.合约的买方 B.合约的卖方 C.交割资产的人 D.经纪人 2.利用预期利率的上升，一个投资者很可能（）A．出售美国中长期国债期货合约 B. 在小麦期货中做多头 C. 买入标准普尔指数期货合约 D.在美国中长期国债中做多头 3.在期货交易中，由于每日结算价格的波动而对保证金进行调整的是（） A.初始保证金 B.维持保证金 C.变动保证金 D.以上均不对 4.在芝加哥交易所按2005年10月的期货价格购买一份美国中长期国债期货合约，如果期货价格上升2个基点，到期日你将盈利（损失）（） A. 损失2000美元 B. 损失20美元 C. 盈利20美元 D. 盈利2000美元 5.关于可交割债券，下列说法错误的是（） A.若息票率低于8％，则期限越长，转换因子越小 B.若息票率低于8％，则期限越长，转换因子越大 C.若息票率高于8％，则期限越长，转换因子越大 D.以上均不对 6.关于期权价格的叙述，正确的是（） A.期权的有效期限越长，期权价值就越大 B.标的资产价格波动率越大，期权价值就越大 C.无风险利率越小，期权价值就越大 D.标的资产收益越大，期权价值就越大 7.对久期的不正确理解是（）A．用以衡量债券持有者在收回本金之前，平均需要等待的时间 B．是对固定收益类证券价格相对易变性的一种量化估算 C．是指这样一个时点，在这一时点之前的债券现金流总现值恰好与这一时点后的现金流总现值相等 D．与债券的息票高低有关，与债券到期期限无关 8.关于凸性的描述，正确的是（） A. 凸性随久期的增加而降低
B. 没有隐含期权的债券，凸性始终小于0 C. 没有隐含期权的债券，凸性始终大于0 D. 票面利率越大，凸性越小 9.国债A价格为95元，到期收益率为5%；国债B价格为100元，到期收益率为3%。关于国债A和国债B投资价值的合理判断是（） A. 国债A较高 B. 国债B较高 C. 两者投资价值相等 D. 不能确定 10. A债券市值6000万元，久期为7；B债券市值4000万元，久期为10，则A 和B债券组合的久期为（）A. 8.2 B. 9.4 C. 6.25 D. 6.7 二、判断题（每题1分，共10分） 1.如果从动态的角度来考察，那么当无风险利率越低时，看跌期权的价格就越高。 （）2.期权时间价值的大小受到期权有效期长短、标的资产价格波动率和内在价值这三个因素的共同影响。（）3.在金融市场上，任何一项金融资产的定价，都会使得利用该项金融资产进行套利的机会不复存在。（）4.在风险中性条件下，所有现金流量都可以通过无风险利率进行贴现求得现值。 （）5.β系数是衡量一种股票价格受整个股市价格波动的影响的幅度，该系数越大则系统风险越小。（） 6.利率互换的实质是将未来两组利息的现金流量进行交换。（） 7.在套期保值中，若保值工具与保值对象的价格负相关，则一般可利用相反的头寸进行套期保值。（）8.在风险中性假设下，欧式期权的价格等于期权到期日价值的期望值的现值。 （）9.利用无风险套利原理对远期汇率定价的实质：在即期汇率的基础上加上或减去相应货币的利息就构成远期汇率。（）10.债券期货和短期利率期货的主要区别在于期限、报价方式以及交割方式不同，共同点是它们的价格决定因素基本相同。（） 三、名词解释（每题4分，共16分） 1.金融工程 2.久期 3.基差 4.利率互换 四、简答题（每题6分，共24分）