可控硅参数说明
符号说明：
VRRM--反向重复峰值电压：
在控制极断路和额定结温的条件下，可以重复加在可控硅上的交流电压。此电压小于反向最高测试电压100V。反向最高测试电压，规定为反向漏电流急速增加，反向特性曲线开始弯曲时的电压。
VRSM--反向不重复峰值电压；在控制极断路和额定结温的条件下，不允许加在可控硅上的交流电压。VDRM――断态重复峰值电压；断态重复峰值电压是在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的正向峰值电压.国标规定重复频率为50H，每次持续时间不超高10ms。规定断态重复峰值电压V
DRM为断态不重复峰值电压（即断态最大瞬时电压）UDSM的90%.断态不重复峰值电压应低于正向转折电压Ubo。
IT(AV)/IF(AV)--通态/正向平均电流；在环境温度+40℃和额定结温下，导通角不小于170°阻性负载电路中，允许通过的50Hz正弦半波电流的平均值。
IT(RMS), I
F(RMS)――通态/正向方均根电流；是指在额定结温,允许流过器件的最大有效电流值，用户在使用中须保证，在任何条件下流过器件的电流有效值，不超过对应壳温下的方均根电流值ITSM,I
FSM--通态/正向浪涌电流；指由于电路异常情况引起的并使结温超过额定结温的不重复性最大正向过载电流（半个正弦波t=10ms, 50Hz）I2
t--表示可控硅所通过的电流产生的能量，是电流的平方乘以时间，表示可控硅的发热特性。P
GM--门极峰值功率；门极触发电压与最大触发电流的乘积；PG(AV)--门极平均功率；门极触发电压与正常触发电流的乘积；
di/dt--通态电流临界上升率；指在额定结温下，可控硅能承受的最大通态电流上升率（如果电流上升太快，可能造成局部过热而使可控硅损坏）V
ISO--绝缘电压；芯片与可控硅的底板之间的绝缘电压。
Tj--工作结温；可控硅在正常工作条件下允许的PN结温度。
Tjm--额定结温；可控硅在正常工作条件下允许的最高PN结温度。
Tstg--储存温度；能保证可控硅正常工作的储存温度。
Md--安装力矩/电极连接力矩；在安装过程中超过此规定，将造成可控硅的损坏。
IDRM--断态重复峰值电流；为晶闸管在阻断状态下，承受断态重复峰值电压VDRM和反向重复峰值电压VRRM时，流过元件的正反向峰值漏电流，该参数在器件允许工作的最高结温Tjm下测出。
IRRM--反向重复峰值漏电流；为晶闸管在阻断状态下承受断态重复峰值电压V
DRM和反向重复峰值电压V
RRM时流过元件的正反向峰值漏电流该参数在器件允许工作的最高结温Tjm下测出VTM / V
FM――通态/正向峰值电压；指器件通过规定正向峰值电流I
FM或通态峰值电流I
TM时的峰值电压也称峰值压降，该参数直接反映了器件的通态损耗特性影响着器件的通态电流额定能力。
VGT--门极触发电压；在额定结温、在阳极和阴极加上正向电压（一般为
6V）时，使元件从阻断状态转为导通状态，控制极所需要的最大的直流电压。也就
是说当触发电路输出的的直流触发电压不小于Vg就能保证该型号的元件均能可靠的触发而导通。
VGD门极不触发电压；在额定结温、在阳极和阴极加上正向阻断峰值电压时，保证元件处于阻断状态所能加在门极上的最大直流电压。
IGD--不触发电流；在额定结温、在阳极和阴极加上正向阻断峰值电压时，保证元件处于阻断状态所能允许的，加在门极上的最大触发电流。
IGT--门极触发电流；在额定结温、在阳极和阴极加上一定正向电压（一般为6V）时，保证元件从阻断状态到导通状态，加在门极上的最大触发电流。
dv/dt--断态电压临界上升率；指在额定结温的门极断路的情况下，不导至可控硅从断态到通态转换的外加电压最大上升率
IH--维持电流；在门极断路时。规定环境温度和元件导通条件下，要保持元件能处于导通状态所必须的最小正向电流。
IL------擎住电流；擎住电流是晶闸管刚从断态转入通态，并移除了触发信号后，能维持通态所必需的最小主电流。擎住电流约为维持电流的2到4倍
可控硅工作原理
可控硅工作原理 一种以硅单晶为基本材料的Ｐ１Ｎ１Ｐ２Ｎ２四层三端器件，创制于１９５７年，由于它特性类似于真空闸流管，所以国际上通称为硅晶体闸流管，简称可控硅Ｔ。又由于可控硅最初应用于可控整流方面所以又称为硅可控整流元件，简称为可控硅ＳＣＲ。 在性能上，可控硅不仅具有单向导电性，而且还具有比硅整流元件（俗称死硅）更为可贵的可控性。它只有导通和关断两种状态。 可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备，如果超过此频率，因元件开关损耗显著增加，允许通过的平均电流相降低，此时，标称电流应降级使用。 可控硅的优点很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍数高达几十万倍；反应极快，在微秒级内开通、关断；无触点运行，无火花、无噪音；效率高，成本低等等。 可控硅的弱点：静态及动态的过载能力较差；容易受干扰而误导通。 可控硅从外形上分类主要有：螺栓形、平板形和平底形。 １、可控硅元件的结构 不管可控硅的外形如何，它们的管芯都是由Ｐ型硅和Ｎ型硅组成的四层Ｐ１Ｎ１Ｐ２Ｎ２结构。见图１。它有三个ＰＮ结（Ｊ１、Ｊ２、Ｊ３），从Ｊ１结构的Ｐ１层引出阳极Ａ，从Ｎ２层引出阴级Ｋ，从Ｐ２层引出控制极Ｇ，所以它是一种四层三端的半导体器件。 ２、工作原理 可控硅是Ｐ１Ｎ１Ｐ２Ｎ２四层三端结构元件，共有三个ＰＮ结，分析原理时，可以把它看作由一个ＰＮＰ管和一个ＮＰＮ管所组成，其等效图解如图１所示 图１、可控硅结构示意图和符号图 当阳极Ａ加上正向电压时，ＢＧ１和ＢＧ２管均处于放大状态。此时，如果从控制极Ｇ输入一个正向触发信号，ＢＧ２便有基流ｉｂ２流过，经ＢＧ２放大，其集电极电流ｉｃ２＝β２ｉｂ２。因为ＢＧ２的集电极直接与ＢＧ１的基极相连，所以ｉｂ１＝ｉｃ２。此时，电流ｉｃ２再经ＢＧ１放大，于是ＢＧ１的集电极电流ｉｃ１＝β１ｉｂ１＝β１β２ｉｂ２。这个电流又流回到ＢＧ２的基极，表成正反馈，使ｉｂ２不断增大，如此正向馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。 由于ＢＧ１和ＢＧ２所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制极Ｇ的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。 由于可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化，此条件见表１
双向可控硅好坏检测方法
双向可控硅好坏检测方法 双向可控硅是在普通可控硅的基础上发展而成的，它不仅能代替两只反极性并联的可控硅，而且仅需一个触发电路，是比较理想的交流开关器件。其英文名称TRIAC即三端双向交流开关之意。 1.双向可控硅的检测 方法一： 测量极间电阻法。将万用表置于皮R×1k档，如果测得T2－T1、T2－G之间的正反向电阻接近∞，而万用表置于R×10档测得T1－G之间的正反向电阻在几十欧姆时，就说明双向可控硅是好的，可以使用；反之，若测得T2－T1，、T2－G之间的正反向电阻较小甚或等于零．而Tl－G之间的正反向电阻很小或接近于零时．就说明双向可控硅的性能变坏或击穿损坏。不能使用；如果测得T1－G之间的正反向电阻很大(接近∞)时，说明控制极G与主电极T1之间内部接触不良或开路损坏，也不能使用。 方法二： 检查触发导通能力。万用表置于R×10档：①如图,1(a)所示，用黑表笔接主电极T2，红表笔接T1，即给T2加正向电压，再用短路线将G与T1(或T2)短接一下后离开，如果表头指针发生了较大偏转并停留在一固定位置，说明双向可控硅中的一部分(其中一个单向可控硅)是好的，如图1(b)所示，改黑表笔接主电极T1，红表笔接T2，即给T1加正向电压，再用短路线将G与T1(或T2)短接一下后离开，如果结果同上，也证明双向可控硅中的另一部分(其中的一个单向可控硅是好的。测试到止说明双向可控硅整个都是好的，即在两个方向(在不同极性的触发电压证）均能触发导通。 图1判断双向可控硅的触发导通能力 方法三： 检查触发导通能力。如图2所示．取一只10uF左右的电解电容器，将万用表置于R×10k档(V电压)，对电解电容器充电3~5s后用来代替图1中的短路线，即利用电容器上所充的电压作为触发信号，然后再将万用表置于R×10档，照图2(b)连接好后进行测试。测试时，电容C的极性可任意连接，同样是碰触
可控硅参数名词解释
晶闸管参数名词解释 1. 反向重复峰值电压（VRRM）：反向阻断晶闸管两端出现的重复最大瞬时值反向电压，包括所有的重复瞬态电压，但不包括所有的不重复瞬态电压。 注：反向重复峰值电压（VRRM）是可重复的，值大于工作峰值电压的最大值电压，如每个周期开关引起的毛疵电压。 2. 反向不重复峰值电压（VRSM）：反向阻断晶闸管两端出现的任何不重复最大瞬时值瞬态反向电压。 1）测试目的：在规定条件下，检验晶闸管的反向不重复峰值电压额定值。 2）测试条件：a）结温：25℃和125℃；b）门极断路；c）脉冲电压波形：底宽近似10mS 的正弦半波；d)脉冲重复频率：单次脉冲；e)脉冲次数：按有关产品标准规定；f)测试电压：反向不重复峰值电压 注：反向不重复峰值电压（VRSM）是外部因素偶然引起的，值一般大于重复峰值电压的最大值电压。通常标准规定VRSM =1.11VRRM。应用设计应考虑一切偶然因素引起的过电压都不得超过不重复峰值电压。 3. 通态方均根电流（IT(RMS)）：通态电流在一个周期内的方均根值。 4. 通态平均电流(IT(AV))：通态电流在一个周期内的平均值。 5. 浪涌电流（ITSM）：一种由于电路异常情况（如故障）引起的，并使结温超过额定结温的不重复性最大通态过载电流。 1）测试目的：在规定条件下，检验晶闸管的通态（不重复）浪涌电流额定值。 2）测试条件：a)浪涌前结温：125℃；b)反半周电压：80％反向重复峰值电压；d)每次浪涌的周波数：一个周波，其导通角应在160度至180度之间 6. 通态电流临界上升率（di/dt）：在规定条件下，晶闸管能承受而无有害影响的最大通态电流上升率。 1)测试目的：在规定条件下，检验晶闸管的通态电流临界上升率额定值。 2）测试条件：a)加通态电流前结温：125℃；b)门极触发条件：IGM =3～5IGT；c)开通前断态电压VDM=2/3VDRM ；d)开通后通态电流峰值：2 IT（AV）～3IT（AV）；e)t1≥1us；f)重复频率：50HZ；g)通态电流持续时间：5s。 7. I2t值：浪涌电流的平方在其持续时间内的积分值。 1）测试目的：在规定条件下，检验和测量反向阻断三级晶闸管的I2t值 2）测试条件：a)浪涌前结温：125℃；b)浪涌电流波形：正弦半波； 3) I2t测试实质是持续时间小于工频正弦波（1-10ms范围）的一种不重复浪涌电流测试。通过浪涌电流it对其持续时间t积分∫it2dt，即可求得I2t值。 8. 门极平均值耗散功率（PG（AV））：在规定条件下，门极正向所允许的最大平均功率。 1) 测试目的：在规定条件下，检验反向阻断三级晶闸管的门极平均功率额定值 2) 测试条件：a)结温：125℃；b)门极功率：额定门极平均功率；c)测试持续时间：3S；d)主电路条件：阳，阴极间断路。 3）测量程序：a)被测器件加热到规定结温；b)从零缓慢调整电源的输出，使电流表和电压表指示的数字的乘积达到额定门极平均功率PG（AV），并保持3S时间，然后将电源的输出调回零；c)测试后，进行门极触发电流和电压测量，如无异常，则PG（AV）额定值得到确认。 9. 反向重复峰值电流（IRRM）：晶闸管加上反向重复峰值电压时的峰值电流。 10. 断态重复峰值电流（IDRM）：晶闸管加上断态重复峰值电压时的峰值电流。
可控硅元件的工作原理及基本特性
可控硅元件的工作原理及基本特性 1、工作原理 可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成，其等效图解如图1所示 图1 可控硅等效图解图 当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。此时，如果从控制极G输入一个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放大，其集电极电流ic2=β2ib2。因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以ib1=ic2。此时，电流ic2再经BG1放大，于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。这个电流又流回到BG2的基极，表成正反馈，使ib2不断增大，如此正向馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。 由于BG1和BG2所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制极G的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。 由于可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化，此条件见表1 状态条件说明 从关断到导通1、阳极电位高于是阴极电位 2、控制极有足够的正向电压和电流 两者缺一不可 维持导通1、阳极电位高于阴极电位 2、阳极电流大于维持电流 两者缺一不可 从导通到关断1、阳极电位低于阴极电位 2、阳极电流小于维持电流 任一条件即可 2 可控硅的基本伏安特性见图2 图2 可控硅基本伏安特性 （1）反向特性 当控制极开路，阳极加上反向电压时（见图3），J2结正偏，但J1、J2结反偏。此时只能流过很小的反向饱和电流，当电压进一步提高到J1结的雪崩击穿电压后，接差J3结也击穿，电流迅速增加，图3的特性开始弯曲，如特性OR段所示，弯曲处的电压URO叫“反向转折电压”。此时，可控硅会发生永久性反向击穿。
可控硅的主要参数
可控硅 可控硅是硅可控整流元件的简称，亦称为晶闸管。具有体积小、结构相对简单、功能强等特点，是比较常用的半导体器件之一。该器件被广泛应用于各种电子设备和电子产品中，多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。家用电器中的调光灯、调速风扇、空调机、电视机、电冰箱、洗衣机、照相机、组合音响、声光电路、定时控制器、玩具装置、无线电遥控、摄像机及工业控制等都大量使用了可控硅器件。按其工作特性，可控硅（THYRISTOR)可分为普通可控硅（SCR）即单向可控硅、双向可控硅（TRIAC)和其它特殊可控硅。 可控硅的主要参数 非过零触发-无论交流电电压在什么相位的时候都可触发导通可控硅，常见的是移相触发，即通过可控硅的主要参数 1、额定通态平均电流IT在一定条件下，阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。 2、正向阻断峰值电压VPF 在控制极开路未加触发信号，阳极正向电压还未超过导能电压时，可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。可控硅承受的正向电压峰值，不能超过手册给出的这个参数值。 3、反向阴断峰值电压VPR当可控硅加反向电压，处于反向关断状态时，可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。使用时，不能超过手册给出的这个参数值。 4、控制极触发电流Ig1 、触发电压VGT在规定的环境温度下，阳极---阴极间加有一定电压时，可控硅从关断状态转为导通状态所需要的最小控制极电流和电压。
5、维持电流IH在规定温度下，控制极断路，维持可控硅导通所必需的最小阳极正向电流。 近年来，许多新型可控硅元件相继问世，如适于高频应用的快速可控硅，可以用正或负的触发信号控制两个方向导通的双向可控硅，可以用正触发信号使其导通，用负触发信号使其关断的可控硅等等。 可控硅的触发 过零触发-一般是调功，即当正弦交流电交流电电压相位过零点触发，必须是过零点才触发，导通可控硅。 非过零触发-无论交流电电压在什么相位的时候都可触发导通可控硅，常见的是移相触发，即通过改变正弦交流电的导通角（角相位），来改变输出百分比。 可控硅的主要参数 可控硅的主要参数: 1 额定通态电流（IT)即最大稳定工作电流，俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。 2 反向重复峰值电压（VRRM)或断态重复峰值电压（VDRM），俗称耐压。常用可控硅的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。 3 控制极触发电流（IGT)，俗称触发电流。常用可控硅的IGT一般为几微安到几十毫安。可控硅的常用封装形式
可控硅的使用及其方法
可控硅的使用及其方法 可控硅作为一种电子开关，广泛地应用在自动化设备和各种控制电路中，可控硅既有单项也有双向的，在使用中会经常遇到一些问题。文章根据实际工作情况，介绍一些经验以供参考。 标签：自动化设备；控制回路；研究分析 1 选购可控硅 可控硅的电参数很多，在选购时要考虑的是：额定平均电流IT、正反向峰值电压VDRM（VRRM）、控制极触发电压与触发电流IGT这几个参数。由于手册或产品合格证上给定的可控硅的上述参数值都是在规定的条件下测定的，而实际使用环境往往与规定条件不同，并且极有可能发生突发事故超过管子承受能力的现象。所以为了管子在安全的电压下工作，特别是交流220V的情况下，应该按额定为实际电压的2～3倍值来选管子。例如：外加电压为220V，则至少应选择400V以上的管子最好为600V，为了保证管子避免电流过大而烧毁，并考虑到管子的发热情况与电流的有效值，应选择平均电流的有效值的1.2～2倍，需要指出的是。IT对单项可控硅而言是IT（A V）指允许流过SCR的最大有效值电流。例如：8A SCR（单向）的有效值IT（RMS）=12.6A，因此用8A的BCR代替8A的SCR是不允许的，为了使管子的触发电压与触发电流要比实际应用中的数值要小。例如：实际使用的触发电压为3V，则可选触发电压为2V的管子。同样，管子的触发电流亦应选择小些以保证可靠触发，一般常用的集成电路输出电流均很小（除555电路例外，TTL比CMOS要大），所以可在其输出端加一级晶体管放大电路，以提供足够大的驱动电路来保证管子可靠地触发导通。 2 可控硅的具体接法 2.1 直流电路 首先，单向可控硅SCR有三个电极，即阳极A，阴极K，控制极G，SCR 在直流控制电路中使用时，要注意施加工作电压与控制触发电压的极性。A，K 之间是加正向电压但控正向的接法是图1，只有A，K之间接正向电压，控制极G亦接正向电压，SCR才能导通。SCR一旦触发导通后，即使降低控制极电压，甚至撤除控制极电源，SCR亦不阻断而是继续导通。要使SCR阻断，只有降低其阳极电压或将阳极，阴极断开一下，即使阳极与阴极电压为零即可所以有时候可以在SCR的A极与电源之间串了一个常闭开关，按一下即可将SCR阻断。 图1是双向可控硅BCR的接法。BCR是由两个SCR反向并联构成的，共用一个控制极。因此BCR与SCR接法有很大不同，无论在阳、阴两个电极之间接何种极性的电压，只要在其控制极加上一个触发脉冲，而不管这个脉冲是什么极性的，都可以使BCR导通。
可控硅资料及工作原理和测试方法
可控硅資料/及工作原理和測試方法BTA06-400BW 6A 400V 50mA TO-220AB BTA06-400C 6A 400V 25mA TO-220AB BTA06-400CW 6A 400V 35mA TO-220AB BTA06-400TW 6A 400V 5mA TO-220AB BTA06-400E 6A 400V 5~10mA TO-220AB BTA06-400D 6A 400V 1~5mA TO-220AB BTA06-400SAP 6A 400V 5~10mA TO-220 BTA06-600B 6A 600V 35~50mA TO-220AB BTA06-600BW 6A 600V 50mA TO-220AB BTA06-600C 6A 600V 25mA TO-220AB BTA06-600CW 6A 600V 35mA TO-220A BTA06-600SW 6A 600V 10mA TO-220AB BTA06-600TW 6A 600V 5mA TO-220AB BTA06-600E 6A 600V 5~10mA TO-220AB BTA06-600D 6A 600V 1~5mA TO-220AB BTA06-600SAP 6A 600V 5~10mA TO-220AB BTA06-700B 6A 700V 35~50mA TO-220AB BTA06-700BW 6A 700V 50mA TO-220AB
BTA06-700C 6A 700V 25mA TO-220AB BTA06-700CW 6A 700V 35mA TO-220AB BTA06-700SW 6A 700V 10mA TO-220AB BTA06-700TW 6A 700V 5mA TO-220AB BTA06-700E 6A 700V 5~10mA TO-220AB BTA06-700D 6A 700V 1~5mA TO-220AB BTA06-700SAP 6A 700V 5~10mA TO-220AB BTA06-800B 6A 800V 35~50mA TO-220AB BTA06-800BW 6A 800V 50mA TO-220AB BTA06-800C 6A 800V 25mA TO-220AB BTA06-800CW 6A 800V 35mA TO-220AB BTA06-800SW 6A 800V 10mA TO-220AB BTA06-800TW 6A 800V 5mA TO-220AB BTA06-800E 6A 800V 5~10mA TO-220AB BTA06-800D 6A 800V 1~5mA TO-220AB BTA06-800SAP 6A 800V 5~10mA TO-220AB BTB06-400B 6A 400V 35~50mA TO-220A BTB06-400BW 6A 400V 50mA TO-220AB BTB06-400C 6A 400V 25mA TO-220AB
可控硅参数列表
March 2008 Rev. 21/9 AN2703 Application note Parameter list for SCRs, TRIACs, AC switches, and DIACS Introduction All datasheet parameters are rated as minimum or maximum values, corresponding to the product parameter distribution. In each datasheet, two classes of parameters are available:■ Absolute ratings, corresponding to critical parameters, not to be exceeded for safe operation. If the absolute rating is exceeded, the component may be damaged.■Electrical, thermal and static characteristics, defining limits on product https://www.360docs.net/doc/e41638352.html,
Parameters AN2703 1 Parameters 2/9
AN2703Parameters 3/9I GM Peak gate current This is the maximum peak current allowed through gate and cathode, defined for a 20 μs pulse duration. If the absolute rating is exceeded, the component may be damaged. P G(AV)Average gate power dissipation This is the maximum average power that can be dissipated by the gate junction. If the absolute rating is exceeded, the component may be damaged. V RGM Peak reverse gate voltage This parameter is only defined for SCRs. It is the maximum reverse voltage than can be applied across gate and cathode terminals, without risk of destruction of the gate to cathode junction. V GM Peak positive gate voltage (with respect to the pin "COM") This parameter is only defined for ACSs. It is the maximum voltage than can be applied across gate and COM terminals without risk of destruction of the gate to COM junction.Table 2.Electrical characteristics parameters Parameter Name and description P Average power dissipation This is the average power dissipated by current conduction through the device for one full cycle operation. I GT Triggering gate current This is the current to apply between gate and cathode (or gate and electrode A1 for TRIAC) to turn-on the device. This parameter defines the sensitivity of the component. For a SCR, the gate current has always to be sunk by the gate. For a TRIAC, I GT is define for 3 or 4 quadrants corresponding to the different polarities of A2, A1 and gate: - Q1: I g sunk by the gate, V A2-A1 > 0 - Q2: I g sourced by the gate, V A2-A1 > 0 - Q3: I g sourced by the gate, V A2-A1 < 0 - Q4: I g sunk by the gate, V A2-A1 < 0 The I GT value is higher in Q4 quadrant. For ACS types, I GT is defined in two quadrants (Q2 and Q3). V GT Triggering gate voltage This is the voltage to apply across gate and cathode (or gate and electrode A1 for TRIAC) to reach the IGT current and then to trigger the device. V GD Non-triggering gate voltage V GD is the maximum voltage which can be applied across gate and cathode (or gate and electrode A1 for TRIAC) without causing undesired turn-on. This parameter is specified, for the worst case scenario, at the maximum junction temperature.Table 1.Absolute ratings parameters (continued) Parameter Name and description
岗位代码
岗位代码招聘单位或岗位教材名称出版社主编 401 会计（职教中心）会计基础电子工业出版社于家臻402 现代农艺技术（职教中心）植物生产与环境高等教育出版社宋志伟403 机械制造或加工技术（职教中心）机械基础高等教育出版社栾学钢、404 计算机应用及网络（职教中心）计算机网络技术高等教育出版社王协瑞405 旅游或酒店服务管理（职教中心）餐饮服务与管理高等教育出版社郭敏文、 语文（五年级上册）江苏教育出版社张庆、朱406 小学语文（农村小学） 语文（五年级下册）江苏教育出版社张庆、朱 数学（五年级上册）青岛出版社展涛 407 小学数学（农村小学） 数学（五年级下册）青岛出版社展涛 英语（五年级上册）外语教学与研究出版社陈琳、P 408 小学英语（农村小学） 英语（第六册）外语教学与研究出版社陈琳、P 音乐（9，五年级）人民音乐出版社吴斌、齐409 小学音乐（农村小学） 音乐（10，五年级）人民音乐出版社吴斌、齐 美术（五年级上册）人民教育出版社杨永善410 小学美术（农村小学） 美术（五年级下册）人民教育出版社杨永善411 小学体育（农村小学）体育与健康（5至6年级）人民教育出版社耿培新 语文（八年级上册）人民教育出版社 412 初中语文（农村初中） 语文（八年级下册）人民教育出版社 数学（八年级上册）青岛出版社展涛 413 初中数学（农村初中） 数学（八年级下册）青岛出版社展涛 英语（八年级上册）外语教学与研究出版社蔡剑峰414 初中英语（农村初中） 英语（初中二年级下册）外语教学与研究出版社陈琳、S 物理（八年级上册）人民教育出版社彭前程415 初中物理（农村初中） 物理（八年级下册）人民教育出版社彭前程 化学（九年级上册）山东教育出版社毕华林、416 初中化学（农村初中） 化学（九年级下册）山东教育出版社毕华林、 生物学（八年级上册）人民教育出版社朱正威、417 初中生物（农村初中） 生物学（八年级下册）人民教育出版社朱正威、
岗位定义
工作岗位定义 一、岗位职责的含义： 1、岗位：是组织为完成某项任务而确立的。由工种、职务、职称和等级内容组 成。 2、职责：是职务与责任的统一。由授权范围和相应的责任两部分组成。 二、怎样确定岗位及职责： 1、根据工作任务的需要确立工作岗位名称及其数量。 2、根据岗位工种确定岗位职务范围。 3、根据工种性质确定岗位使用的设备、工具、工作质量和效率。 4、明确岗位环境和确定岗位任职资格。 5、确定各个岗位之间的相互关系； 6、根据岗位的性质明确实现岗位的目标的责任 三、实行岗位职责管理的作用和意义 1、可以最大限度地实现劳动用工的科学配置； 2、有效地防止因职务重叠而发生的工作扯皮现象； 3、提高内部竞争活力，更好地发现和使用人才； 4、是组织考核的依据； 5、提高工作效率和工作质量； 6、规范操作行为； 7、减少违章行为和违章事故的发生。 四、岗位职责范本 确定员工责任需要有明确的岗位职责规定。岗位职责说明书并不是要面面俱到，而是对岗位职责进行合理有效的分工，促使有关人员明确自己的岗位职责，认真履行岗位职责，出色完成岗位职责任务。一份完整的岗位职责应该包括如下内容： 1、部门名称、直接上级、下属部门、部门性质、管理权限、管理职能、主要职责。举例：人事部岗位职责部门名称：人事部直接上级：分管副总经理下属部门：人事科、劳动工资科部门性质：人力资源开发、利用的专业管理部门 2、管理权限：受分管副总经理委托，行使对公司人事、劳动工资管理权限，并承担执行公司规章制度、管理规程及工作指令的义务。 3、管理职能：负责对公司人事工作全过程中的各个环节实行管理、监督、协调、培训、考核评比的专职管理管理部门，对所承担的工作负责 4、主要职责： (1)坚决服从分管副总经理的统一指挥，认真执行其工作指令，一切管理行为向主管领导负责； (2)严格执行公司规章制度，认真履行其工作职责； (3)负责组织对人力资源发展、劳动用工、劳动力利用程度指标计划的拟订、检查、修订及执行； (4)负责制定公司人事管理制度。设计人事管理工作程序，研究、分析并提出改进工作意见和建议； (5)负责对本部门工作目标的拟订、执行及控制；
可控硅的应用参数
图1b电路为MOC3061的典型功率扩展电路，在控制功率较大的电机时，应考虑使用功率扩展电路。制作时，可参考图示参数选择器件。由于电源采用电容压降方式，请自制时注意安全，人体不能直接触摸电路板。 电路见图1a。电路中NE555接成占空比可调的方波发生器，调节RW可改变占空比。在NE555的3脚输出高电平期间，过零通断型光电耦合器MOC3061初级得到约10mA正向工作电流，使内部硅化镓红外线发射二极管发射红外光，将过零检测器中光敏双向开关于市电过零时导通，接通电风扇电机电源，风扇运转送风。在NE555的3脚输出低电平期间，双向开关关断，风扇停转。 MOC3061本身具有一定驱动能力，可不加功率驱动元件而直接利用 MOC3061的内部双向开关来控制电风扇电机的运转。RW为占空比调节电位器，
RC电路用来降低DV/DT防止误触发 MOC3061参数：技术文档数据： 触发电流在Ift=15mA到maxIf=60mA之间。 Led触发电流：Ift=15mA, A ll d evices a re gu a r a ntee d to trigger a t a n I F v a lue less th a n or equ a l to m ax I FT.Therefore,recommen d e d oper a ting I F lies b et w een m ax I FT(15m A for MOC3061-M, 10m A for MOC3062-M&MOC3162-M,5m A for MOC3063-M&MOC3163-M)a n d ab solute m ax I F(60m A). D v/D t=Pe a k B locking Current 保持通态的最小电流：IH=500u A，MT1-MT2volt a ge ab ove w hich d evice w ill not trigger 抑制电压：VINH=12(T Y P)-20(M AX)MT1-MT2VOLT A GE AB OVE W HICH D EVICE W ILL NOT TRIGGER 通态重复峰值电压V D RM=600v D V/D T=600V/US(MIN),1500(T Y P). The39ohm resistor a n d0.01μF c a p a citor a re for snu bb ing of the tri a c a n d is often,b ut not a l way s, necess a r y d epen d ing upon the p a rticul a r tri a c a n d lo ad use d. Suggeste d metho d of firing t w o,ba ck-to-ba ck SCR’s B T A16-800B:负载电流IT=16A. 维持通态电流：IH=50m A 断态电压临界上升率：D v/D t=250v/us Igt=50m A, V D RM,VRRM=800V Vgt=1.5v
可控硅资料P0102
1/6 ? P01 Series SENSITIVE 0.8A SCRs September 2000 - Ed: 3 MAIN FEATURES: DESCRIPTION Thanks to highly sensitive triggering levels, the P01 SCR series is suitable for all applications where available gate current is limited, such as ground fault circuit interruptors, pilot circuits in solid state relays, stand-by mode power supplies,smoke and alarm detectors. Available in through-hole or surface mount pack-ages, the voltage capability of this series has been upgrated since its introduction, to reach 600 V. Symbol Value Unit I T(RMS)0.8A V DRM /V RRM 400 and 600V I GT 5 to 200 μA ABSOLUTE RATINGS (limiting values) Symbol Parameter Value Unit I T(RMS) RMS on-state current (180° conduction angle)TO-92Tl = 55°C 0.8 A SOT -223Tamb = 70°C IT (AV) Average on-state current (180° conduction angle) TO-92Tl = 55°C 0.5A SOT -223Tamb = 70°C I TSM Non repetitive surge peak on-state current tp = 8.3 ms Tj = 25°C 8A tp = 10 ms 7I 2t I 2t Value for fusing tp = 10ms Tj = 25°C 0.24A 2S dI/dt Critical rate of rise of on-state current I G = 2 x I GT , tr ≤ 100 ns F = 60 Hz Tj = 125°C 50A/μs I GM Peak gate current tp = 20 μs Tj = 125°C 1A P G(AV)Average gate power dissipation Tj = 125°C 0.1W T stg Tj Storage junction temperature range Operating junction temperature range - 40 to + 150- 40 to + 125 °C
图解可控硅培训资料
图解可控硅培训资料(全） ACS/Triac/SCR培训 目录 ◆介绍: 为什么要用Triacs或者ACSTM ◆主要参数:如何选出最好的料号 ※关断状态: 过压保护、抗噪声干扰 ※开通过程: 控制极驱动、动态特性 ※直通状态: RMS电流、热设计等 ※关断过程: (di/dt)c、缓冲器; ◆总结 ※普通Triacs, 高结温、无缓冲器、ACST和ACSTM等 ※P/N选择向导 ◆结论 介绍: ◆高交流电压静态开关 做为交流开关,它可直接用作交流负载开关控制 ◆不同的家族(设计&技术) ※SCRs (Silicon Control Rectifier:硅控制整流) ※Triacs (标准4象限或者内置缓冲器以及逻辑电平、高结温等) ※ACS (利用半导体工艺内置像过压等一些功能) ※ACST (第一代集功率功能和ACST功能的交流开关控制,今后将陆续推出更高功率的新一代产品) 交流开关方案 从下图方案中,我们将发现Triac方案是最便宜的交流静态开关方案!!!
Triac与传统继电器的比较 ◆相比与继电器,Triac有以下优点: ※没有可活动的部件 →提高使用寿命及其可靠性 →抗震动和摆动能力强 →无触点颤动 →无机械噪声 ※更容易用电子线路驱动→脉冲触发→达到节能的效果 ◆需要注意的地方: ※功率损耗:由于Triacs在实际工作时,因本身导通时存在动态阻抗, 所以要消耗一些能量; ※隔离:因控制端和主回路端没有隔离,所以在使用时可能会用光藕去做隔离; (责任编辑：admin) SCR 单向可控硅工作原理有且仅当正向门极触发电流时,电流才可以开始从阳极A流向阴极K,一旦导通后,即使移开门极触发电流,在保持阳极电压大于阴极电压条件下,SCR将依旧保持导通,有且仅当门极电流和ISCR减少到0时,SCR SCR 单向可控硅工作原理 有且仅当正向门极触发电流时,电流才可以开始从阳极A流向阴极K,一旦导通后,即使移开门极触发电流,在保持阳极电压大于阴极电压条件下,SCR将依旧保持导通,有且仅当门极电流和ISCR减少到0时,SCR将被关断. Triac 双向可控硅工作原理
可控硅的工作原理(带图)
可控硅的工作原理(带图)
可控硅的工作原理（带图） 一．可控硅是可控硅整流器的简称。它是由三个PN结四层结构硅芯片和三个电极组成的半导体器件。图3-29是它的结构、外形和图形符号。 可控硅的三个电极分别叫阳极(A)、阴极(K)和控制极(G)。当器件的阳极接负电位(相对阴极而言)时，从符号图上可以看出PN结处于反向，具有类似二极管的反向特性。当器件的阳极上加正电位时(若控制极不接任何电压)，在一定的电压范围内，器件仍处于阻抗很高的关闭状态。但当正电压大于某个电压(称为转折电压)时，器件迅速转变到低阻通导状态。加在可控硅阳极和阴极间的电压低于转折电压时，器件处于关闭状态。此时如果在控制极上加有适当大小的正电压(对阴极)，则可控硅可迅速被激发而变为导通状态。可控硅一旦导通，控制极便失去其控制作用。就是说，导通后撤去栅极电压可控硅仍导通，只有使器件中的电流减到低于某个数值或阴极与阳极之间电压减小到零或负值时，器件才可恢复到关闭状态。 图3-30是可控硅的伏安特性曲线。 图中曲线I为正向阻断特性。无控制极信号时，可控硅正向导通电压为正向转折电压(U B0)；当有控制极信号时，正向转折电压会下降(即可以在较低正向电压下导通)，转折电压随控制极电流的增大而减小。当控制极电流大到一定程度时，就不再出现正向阻断状态了。 曲线Ⅱ为导通工作特性。可控硅导通后内阻很小，管子本身压降很低，外加电压几乎全部降在外电路负载上，并流过比较大的负载电流，特性曲线与二极管正向导通特性相似。若阳极电压减小(或负载电阻增加)，致使阳极电流小于维持电流I H时，可控硅从导通状态立即转为正向阻断状态，回到曲线I状态。 曲线Ⅲ为反向阻断特性。当器件的阳极加以反向电压时，尽管电压较高，但可控硅不会导通(只有很小的漏电流)。只有反向电压达到击穿电压时，电流才突然增大，若不加限制器件就会烧毁。正常工作时，外加电压要小于反向击穿电压才能保证器件安全可靠地工作。 可控硅的重要特点是：只要控制极中通以几毫安至几十毫安的电流就可以触发器件导通，器件中就可以通过较大的电流。利用这种特性可用于整流、开关、变频、交直流变换、电机调速、调温、调光及其它自动控制电路中。
可控硅在电路设计中的常见误区
在电子制作中，运用单向或双向可控硅作为开关、调压的执行器件是很方便的，而且还可以控制直流、交流电路的负载功率。但是，目前有些电子制作文章中，对可控硅的运用常有谬误之处。可以说，此类电子制作稿纯粹是杜撰出来的，不要说制作，恐怕作者连起码的实验也未做过，这岂不是造成对初学者的误导吗?常见的电路设计不当之处大约有心下几点—— 一、触发电路的问题 若欲使可控硅触发导通，除有足够的触发脉冲幅度和正确的极性以外，触发电路和可控硅阴极之间必须有共同的参考点。有些电路从表面看，触发脉冲被加到可控硅的触发极G，但可控硅的阴极和触发信号却无共同参考点，触发信号并未加到可控硅的G－K之间，可控硅不可能被触发。 图1a例为555组成的自动水位控制电路，用于水塔自动保持水位。该文制作者考虑到水井和水塔中的水不能带市电，故555控制系统用变压器隔离降压供电。555第3脚输出脉冲接入双向可控硅的G点。 由于双向可控硅T1对控制电路是悬空的，555第3脚输出脉冲根本不能形成触发电流，可控硅不可能导通。再者，该电路虽采用隔离市电的低压供电，但控制电路仍然通过G、T1极与市电相连，当220V输端B为火线时，井水和水塔供水将代有市电电压，这是绝不允许的! 正确的方式见图1b。可控硅与抽水电机组成抽水控制开关，SCR的触发由T1与G间接入电阻控制。当水位降低时，控制触点开路，555第3脚输出高电平(此电路部分省略)，使Q导通，继电器f吸合，SCR触发导通，电机开始运转。当水位达到时，触点经水接通，555第3脚输出低电平，Q截止，SCR在交流电过零时截止，抽水停止。 上述电路因设计考虑不周，出现了不该有的低级错误。但类似水塔供水控制系统与市电不隔离的设计，却常出现在电子书刊中。 触发电路设计不当的第二个例子常见于电子制作稿中，其电路见图2，图中对电路进行简化。其实，无论控制系统完成何种控制，无论是单向还是双向可控硅，图2的触发电路是不能正常工作的。 其问题在于，控制系统发出触发信号UG，其参考点是共地，而可控硅T1或T2的参考点是负载热端。实实上，加到可控硅的触发电压UG是与负载端电
可控硅调速资料
可控硅是把交流电转换为大小可以调节的直流的无触点的开关,广泛运用于电力切换领域，普通可控硅因为无触点,噪音低,无火花,安全耐用,常用在电机调速,灯光调光领域. 鉴别可控硅三个极的方法很简单，根据P-N结的原理，只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上，阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上（它们之间有两个P-N 结，而且方向相反，因此阳极和控制极正反向都不通）。控制极与阴极之间是一个P-N结，因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围，反向电阻比正向电阻要大。可是控制极二极管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻断状态的，可以有比较大的电流通过，因此，有时测得控制极反向电阻比较小，并不能说明控制极特性不好。另外，在测量控制极正反向电阻时，万用表应放在R*10或R*1挡，防止电压过高控制极反向击穿。 若测得元件阴阳极正反向已短路，或阳极与控制极短路，或控制极与阴极反向短路，或控制极与阴极断路，说明元件已损坏。 可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种，都是三个电极。单向可控硅有阴极（K）、阳极（A）、控制极（G）。双向可控硅等效于两只单项可控硅反向并联而成。即其中一只单向硅阳极与另一只阴极相边连，其引出端称T2极，其中一只单向硅阴极与另一只阳极相连，其引出端称T2极，剩下则为控制极（G）。 1、单、双向可控硅的判别：先任测两个极，若正、反测指针均不动（R×1挡），可能是A、K或G、A极（对单向可控硅）也可能是T 2、T1或T2、G极（对双向可控硅）。若其中有一次测量指示为几十至几百欧，则必为单向可控硅。且红笔所接为K极，黑笔接的为G极，剩下即为A极。若正、反向测批示均为几十至几百欧，则必为双向可控硅。再将旋钮拨至R×1或R×10挡复测，其中必有一次阻值稍大，则稍大的一次红笔接的为G极，黑笔所接为T1极，余下是T2极。 2、性能的差别：将旋钮拨至R×1挡，对于1~6A单向可控硅，红笔接K极，黑笔同时接通G、A极，在保持黑笔不脱离A极状态下断开G极，指针应指示几十欧至一百欧，此时可控硅已被触发，且触发电压低（或触发电流小）。然后瞬时断开A极再接通，指针应退回∞位置，则表明可控硅良好。 对于1~6A双向可控硅，红笔接T1极，黑笔同时接G、T2极，在保证黑笔不脱离T2极的前提下断开G极，指针应指示为几十至一百多欧（视可控硅电流大小、厂家不同而异）。然后将两笔对调，重复上述步骤测一次，指针指示还要比上一次稍大十几至几十欧，则表明可控硅良好，且触发电压（或电流）小。 若保持接通A极或T2极时断开G极，指针立即退回∞位置，则说明可控硅触发电流太大或损坏。可按图2方法进一步测量，对于单向可控硅，闭合开关K，灯应发亮，断开K灯仍不息灭，否则说明可控硅损坏。 对于双向可控硅，闭合开关K，灯应发亮，断开K，灯应不息灭。然后将电池反接，重复上述步骤，均应是同一结果，才说明是好的。否则说明该器件已损坏.