模拟电子技术发展史

模拟电子技术发展史
模拟电子技术发展史

模拟电子技术发展史,就是早期电子技术发展史。自从发明集成电路之后,采用集成电路的电气设备逐渐发展了数字电子技术。以下电学发展史摘自Baidu Baike。

1.公元前的琥珀和磁石

希腊七贤中有一位名叫泰勒斯的哲学家。公元前600年前后,泰勒斯看到当明的希腊人通过摩擦琥珀吸引羽毛,用磁钱矿石吸引铁片的现象,曾对其原因进行过一番思考。据说他的解释是:“万物皆有灵。磁吸铁,故磁有灵。”这里所说的“磁”就是磁铁矿石。

希腊人把琥珀叫做“elektron”(与英文“电”同音)。他们从波罗的海沿岸进口琥珀,用来制作手镯和首饰。当时的宝石商们也知道摩擦琥珀能吸引羽毛,不过他们认为那是神灵或者魔力的作用。

在东方,中国人民早在公元前2500年前后就已经具有天然的磁石知识。据《吕氏春秋》一书记载,中国在公元前1000年前后就已经有的指南针,他们在古代就已经用磁针来辨别方向了。

2.磁,静电

通常所说的摩擦起电,在公元前人们只知道它是一种现象。很长时间里,关于这一种现象的认识并没有进展。

而罗盘则在13世经就已经在航海中得到了应用。那时的罗盘是把加工成针形的磁铁矿石放在秸秆里,使之能浮在水面上。到了14世纪初,又制成了用绳子把磁针吊起来的航海罗盘。

这种罗盘在1492年哥伦布发现美洲新大陆以及1519年麦哲伦发现环绕地球一周的航线时发挥了重要的作用。

(1)磁,静电与吉尔伯特

英国人吉尔伯特是伊丽莎白女王的御医,他在当医生的同时,也对磁进行了研究。他总结了多年来关于磁的实验结果,于1600年出了一本取名为《论磁学》的书。书中指出地球本身就是一块大磁石,并且阐述了罗盘的磁倾角问题。

吉尔伯特还研究了摩擦琥珀吸引羽毛的现象,指出这种现象不仅存在于琥珀上,而且存在于硫磺,毛皮,陶瓷,火漆,纸,丝绸,金属,橡胶等是摩擦起电物质系列。把这个系列中的两种物质相互摩擦,系列中排在前面的物质将带正电,排在后面的物质将带负电。

那时候,主要的研究方法就是思考,而他主张真正的研究应该以实验为基础,他提出这种主张并付诸实践,在这点上,可以说吉尔伯特是近代科学研究方法的开创者。

(2)雷和静电

在公元前的中国,打雷被认为是神的行为。说是有五位司雷电的神仙,其长者称为雷祖,雷祖之下是雷公和电母。打雷就是雷公在天上敲大鼓,闪电就是电母用两面镜子把光射向下界。

到了亚里斯多德时代就已经比较科学了。认为雷的发生是由于大地上的水蒸气上升,形成雷雨云,雷雨云遇到冷空气凝缩而变成雷雨,同时伴随出现强光。

认为雷是静电而产生的是英国人沃尔,那是1708年的事。1748年,富兰克林基于同样的认识设计了避雷针。

能不能用什么办法把这种静电收集起来?这个问题很多科学家都考虑过。1746年,莱顿大学教授缪森布鲁克发明了一种存贮静电的瓶子,这就是后来很

有名的“莱顿瓶”。

缪森布鲁克本来想像往瓶子里装水那样把电装进瓶子里,他首先在瓶子里灌上水,然后用一根金属丝把摩擦玻璃棒能到水里。就在他的手接触到瓶子和棒的一瞬间,他被重重地“电击”了一下。据说他曾这样说过:“就算是国王命令,我也不想再做这种可怕的实验了”。

富兰克林联想到往莱顿瓶里蓄电的事,于1752年6月做了一个把风筝放到雷雨云里去的实验。其结果,发现了雷雨云有时带正电有时带负电的现象。这个风筝实验很有名,许多科学家都很感兴趣,也跟着做。1753年7月,俄罗斯科学家利赫曼在实验中不幸遭电击身亡。

通过用各种金属进行实验,意大利帕维亚大学教授伏打证明了锌,铅,锡,铁,铜,银,金,石墨是个金属电压系列,当这个系列中的两种金属相互接触时,系列中排在前面的金属带正电,排在后面的金属带负电。他把铜和锌做为两个电极置于稀硫酸中,从而发明了伏打电池。电压的单位“伏特”就是以他的名字命名的。

19世纪初,正是法国大革命后进入拿破仑时代。拿破仑从意大利归来,在1801年把伏打召到巴黎,让他做电实验,伏打也因此获得了拿破仑授予的金质奖章和莱吉诺-多诺尔勋章。

(3)伏打电池的利用与电磁学的发展

伏打电池发明之后,各国利用这种电池进行了各种各样的实验和研究。德国进行了电解水的研究,英国化学家戴维把2000个伏打电池连在一起,进行了电弧放电实验。戴维的实验是在正负电极上安装木炭,通过调整电极间距离使之产生放电而发出强光,这就是电用于照明的开始。

1820年,丹麦哥本哈根大学教授奥斯特在一篇论文中公布了他的一个发现:在与伏打电池连接了的导线旁边放一个磁针,磁针马上就发生偏转。

俄罗斯的西林格读了这篇论文,他把线圈和磁针组合在一起,发明了电报机(1831年),这可说是电报的开始。

其后,法国的安培发现了关于电流周围产生的磁场方向问题的安培定律(1820年),法拉第发现了划时代的电磁感应现象(1831年),电磁学得到了飞速发展。

另一方面,关于电路的研究也在发展。欧姆发现了关于电阻的欧姆定律(1826年),基尔霍夫发现了关于电路网络的定律(1849年),从而确立了电工学。

3.有线通信的历史

有人说科学技术是由于军事方面的需要而发展起来的,这种说法有一定的历史事实根据。

英国害怕拿破仑进攻,曾用桁架式通信机向自己的部队进报法国军队的动向。瑞典,德国,俄罗斯等国家也以军事为目的,架设了由这类通信机组成的通信网,据说都曾投入了庞大的预算。

将这种通信机改造成电通信方式的构想大概就是有线通信的开始。

(1)有线通信的原理

除了将前面所讲到的西林所发明的电磁式电报机以外,还有德国的简梅林发明的电化学式电报机,高斯和韦伯(德国)的电报机,库克和惠斯能(英国)的5针式电报机等。电报机的形式也是各种各样的,有音响式,印刷式,指针式,钟铃式等。其中,库克和惠斯通的5针式电报机最为有名。1837年,这种电报机曾通过架设在伦敦与西德雷顿之间长达20公里的5根电线而投入实际使用。

(2)莫尔斯电报机

1837年,莫尔斯电报机在美国研制成功,发明人就是以莫尔斯电码而闻名的莫尔斯。莫尔斯电码是一种以点,划来编码的信号。

莫尔斯本来是想当一名画家,他为此在伦敦留学。1815年,他在回美国的船上听了波士顿大学教授杰克逊关于电报的一席谈话,萌发了莫尔斯电码和电报机的构想。为了铺设电报线,莫尔斯成立了电磁-电报公司,并于1846年在纽约-波士顿,费城-匹兹堡,多伦多-布法罗-纽约之间开通了电报业务。

莫尔斯的事业获得了极大成功,于是就在美国各地创办电报公司,电报业务逐渐扩大起来。

1846年,莫尔斯电报机装上了音响收报机,使用也更加方便。

(3)电话和交换机

1876年2月14日,美国的两位发明家贝尔和格雷分别递交了电话机专利的申请,贝尔的申请书比格雷的申请书早两个小时到达,因而贝尔得到了专利权。

1878年,贝尔成立了电话公司,制造电话机,全力发展电话事业。

从发展电话业务开始,交换机就担负着重要的任务。1877年前后的交换机称为传票式交换机,话务员收到通话请求,很把传票交给另一位话务员。

其后,经过反复改进,开发出了框图式交换机,进而又开发出了自动交换方式(1879年)。

1891年,史端乔式自动交换机研制成功。至此,自动交换的愿望就算实现了。之后研究仍在继续,又经过了几个阶段才达到现在的电子交换机。

(4)海底通信电缆

陆上通信网日渐完备,人们开始考虑在海底敷设通信电缆来实现跨海国家之间的通信。1840年前后,惠斯通就已经考虑到了海底电缆的问题。

海底电缆有很多问题需要解决,电缆的机械强度,绝缘及敷设方法都陆上电缆不同。

1845年,英吉利海峡海底电报公司成立,开始了从英国到加拿大并跨过多佛尔海峡到达法国的海底电缆敷设工程。

海底电缆敷设中碰到了电缆断裂等大难题,但敷设诲底电缆是时代的要求,各国都为此投稿了力量。

1851年,最早的加来-多佛尔海底电缆敷设完毕,成功地实现了通信。以此为契机,欧洲周边和美洲东部周边也敷设了许多电缆。

现在,世界上的大海里遍布着电缆,供通信使用。

4.无线通信的历史

世界上任何一个地区的信息都能显示在电视机上,这种方便是电波带给我们的。

最早的电波实验是德国的赫兹在1888年进行的。通过实验,赫兹弄清了电波和光一样,具有直线传播,反射和折射现象。

频率的单位赫兹就是来自他的名字。

(1)马可尼的无线电装置

在杂志上读到过赫兹实验文章的意大利人马可尼,在1895年研制出了最早的无线电装置,利用这一装置在相隔大约3公里远的距离之间进行了莫尔斯电码通信实验。他想到了要把无线通信企业化,就成立了一个无线电报与信号公司。

尽管马可尼在无线通信领域获得了诸多成功,但由于与海底电缆公司的利益相冲突,他想在纽芬兰设立无线电报局的事遭到了反对,马可尼的反对者还不在

少数。

(2)高频波的产生

要实现无线通信,首先要产生稳定的高频电磁波。

达德尔采用由线圈和电容器构成的电路产生出了高频信号,但频率还不到50KHZ,电流也只有2~3A,比较小。

1903年,荷兰的包鲁森利用酒精蒸气电弧放电产生出了1MHZ的高频波,彼得森又对其进行了改进,制成了输出功率达到1KW的装置。

其后,德国设计出了机械式高频发生装置,美国的斯特拉和费森登,德国的戈尔德施米特等人开发出了用高频交流机产生高频波的方法等,很多科学家和工程师都曾致力于高频波发生器的研究。

(3)无线电话

如果传送的不是莫尔斯信号而是人的语言,那就需要有运载有信号的载波。载波必须是高频波。

1906年,美国通用电气(GE)公司的亚历山德森制成了80KHZ的高频信号发生装置,首次成功地进行了无线电话的实验。

用无线电话传送语音,并且要收听它,这就需要有用于发送的高频信号发生装置和用于接收的检波器。费森登设计了一种多差式接收装置,并于1913年试验成功。

达德尔设计出了以包鲁森电弧发送器为发送装置,以电解检波器为接收装置的受话器方式。在当时,由于都是采用火花振荡器,所以噪声很大,实验阶段可说是成功了,但离实用化还很远。

要想使产生的电波稳定,接收到的噪声小,还得等待电子管的出现。

(4)二极管和三极管

1903年,爱迪生发现从电灯泡的热丝上飞溅出来的电子把灯泡的一部分都熏黑了,这种现象被称为爱迪生效应。

1904年,弗莱明从爱迪生效应得到启发,造出二极管,用它来进行检波。

1907年,美国的D。福雷斯特在二极管的阳极和阴极之间又加了一个叫做栅极的电极,发明了三极管。

这种三极管既可以用于放大信号电压,也可以配以适当的反馈电路产生稳定的高频信号,可说是一个划时代的电路元件。

三极管经过进一步的改进,能够产生短波,超短波等高频信号。此外,三极管具有能控制电子流的功能,随后出现的阴极射线管和示波器与此有密切的关系。

5.电池的历史

1790年,伽伐尼根据解剖青蛙实验提出了“动物电”,以此为开端,伏打发现了两种金属接触就有电产生的规律,可以说这就是电池的起源。

1799年,伏打在铜和锌之间夹入一层浸透盐水的纸,再把它们一层一层地迭起来,制成了“伏打电堆”。“电堆”的意思就是指把许多单个电池单元高高地堆在一起。

(1)一次电池

一次电池放完电后不能再用的电池称为一次电池。伏打对伏电电堆做了改进,制成了伏打电池。

1836年,英国人丹尼尔在陶瓷桶里放入阳极和氧化剂,制成了丹尼尔电池。与伏打电池相比,丹尼尔电池能长时间提供电流。

1868年,法国的勒克朗谢公布了勒克朗谢电池,1885年(明治18年)日本的尾井先藏发明了尾井乾电池。尾井乾电池是一种把电解液吸附在海绵里的特殊电池,具有搬运方便的特点。

1917年,法国的费里发明了空气电池,1940年,美国的鲁宾发明了水银电池。

(2)二次电池

放完电还可以充电再用的电池称为二次电池。1859年,法国的普朗泰发明了能够反复充电使用的铅蓄电池,其结构是稀硫酸中装有铅电极,这是最早的二次电池。现在,汽车里使用的就是这种类型的电池。

1897年(明治30年),日本的岛津源藏开发出了具有10A*H容量的铅蓄电池,并把他本人名字GENZO SIMAZU的字头GS作为商品名称,取名为GS电池投放市场。

1899年,瑞典的容纳制成了容纳电池,1905年爱迪生制成了爱迪生电池。这些电池的电解液都用的是氢氧化钾,后来就被称为碱性电池。

1948年,美国的纽曼发明了镍镉电池。这是一种能充电的乾电池,是具有划时代意义的电池。

(3)燃料电池

1939年,英国人格罗夫发现氧和氢的反应中有电能产生,并由实验证明了燃料电池的可能性。也就是说,电解水的时候消耗了电能而生成了氧和氢,反过来,从外部给阳极一侧送入氧,给阴极一侧送入氢,就能够产生电能和水。

格罗夫当时只是做了实验,并未实用化。1958年,剑桥大学(英国)制成了5KW的燃料电池。

1965年,美国GE公司成功地开发出了燃料电池,这个电池就安装在1965年的载人飞船双子星5号上,用于供给宇航员饮用水的飞船电能。1969年登上月球的阿波罗11号飞船上的电源也使用了燃料电池作为飞船内电源。

(4)太阳能电池

1873年,德国人西门子发明了用硒和铂丝制成的光电池。现在照相机曝光表上所用的就是这种硒光电池。

1945年,美国的夏品发明了硅太阳能电池,这是一种当太阳光或灯光照到其PN结上时能产生电能的元件,广泛用于人造卫星,太阳能汽车,钟表,台式计算器等。提高这种元件转换效率的研究与开发工作仍在进行中。

6.照明的历史

18世纪60年代由英国兴起的产业革命使工厂进入了连续加工,批量生产的时代,夜间照明成了重要问题。

前面已经讲过,英国人戴维1815年曾做过用2000个伏打电池产生电弧的有名实验。

(1)白炽灯泡

1860年,英国人斯旺把棉线碳化后做成灯丝装入玻璃泡里,发明了碳丝灯泡。

然而,由于当时的真空技术不高,点灯时间不能过长,时间一长,灯丝就会在灯泡里氧化而烧掉。

斯旺所想到的白炽灯泡的原理是现在的白织灯的起源。随着灯丝研究和真空技术的进步,白炽灯最终达到了实用化。从这点不说,斯旺的发明是一项大发明。

1865年,施普伦格尔为研究真空现象而开发出水银真空泵。斯旺知道这件

事后,就在1878年把玻壳内的真空度提高,又在灯丝上下了一番功夫。他先把棉线用硫酸处理,然后再碳化,最后,他公布了斯旺灯泡。斯旺的白炽灯泡曾在巴黎万国博览会上展出。

1879年,美国的爱迪生成功地把白炽灯泡的寿命延长到了40小时以上。1880年,爱迪生发现竹子是做白炽灯灯丝的优良材料,就把日本,中国,印度的竹子收集起来反复进行实验。

爱迪生把部下穆尔派到日本,在京都的八幡寻找优质竹子,若乾年后,用八幡竹子制造出了灯丝。为了制造这种竹灯丝的灯泡,1882年他在伦敦和纽约成立了爱迪生电灯公司。

在日本,1886年(明治19年)东京电灯公司成立,明治22年起,一般的家庭开始用上了白治灯泡。

1910年,美国的库利厅用钨丝做灯丝,发明了钨丝灯泡。

1913年,美国的兰米尔在玻壳里充入气体以防止灯丝蒸发,发明了充气钨丝灯泡。

1925年,日本的不破橘三发明了内壁磨砂灯泡。

1932年,日本的三浦顺一发明了双螺旋钨丝灯泡。

正是由于上述的不断探索,今天我们才能享受白炽灯照明的日常生活,想起来真是漫漫长路啊。

(2)放电灯

1902年,美国的休伊兹特在玻壳内装入水银蒸气,发明了弧光放电汞灯。由于这种汞灯在汞蒸气的气压较低时发出了紫外线较多,所以常作为杀菌灯使用。而当水银气压较高时,可发出很强的可见光。

现在广泛用于广场照明和道路照明的高压汞灯所发出的光是一种混合光,混合光包括水银电弧放电的光和紫外线照到涂敷在玻壳内壁的荧光材料上所发出的光。

1932年,荷兰菲利浦公司开发出了波长为590nm单色的钠灯,这种灯广泛用于公路的隧道照明。

1938年,美国的英曼发明了现在广泛使用的荧光灯。这种灯通过用水银电弧放电发出的紫外线照射涂敷在灯管内壁的不同荧光粉而发出不同颜色的光。通常,白色荧光灯用得最多。

7.电力设备的历史

可以说,1820年奥斯特所发现的电磁作用就是电动机的起源。

而1831年法拉第所发现的电磁感应就是发电机的变压器的起源。

(1)发电机

1832年,法国人毕克西发明了手摇式直流发电机,其原理是通过转动永磁体使磁通发生变化而在线圈中产生感应电动势,并把这种电动势以直流电压形式输出。

1866年,德国的西门子发明了自励式直流发电机。

1869年,比利时的格拉姆制成了环形电枢,发明了环形电枢发电机。这种发电机是用水力来转动发电机转子的,经过反复改进,于1847年得到了3。2KW 的输出功率。

1882年,美国的戈登制造出了输出功率447KW,高3米,重22吨的两相式巨型发电机。

美国的特斯拉在爱迪生公司的时候就决心开发交流电机,但由于爱迪生坚持

只搞直流方式,因此他就把两相交流发电机和电动机的专利权卖给了西屋公司。

1896年,特斯拉的两相交流发电机在尼亚拉发电厂开始劳动营运,3750KW,5000V的交流电一直送到40公里外的布法罗市。

1889年,西屋公司在俄勒冈州建设了发电厂,1892年成功地将15000伏电压送到了皮茨菲尔德。

(2)电动机

1834年,俄罗斯的雅可比试制出了由电磁铁构成的直流电动机。1838年,这种电动机开动了一艘船,电动机电源用了320个电池。此外,美国的文波特和英国的戴比德逊也造出了直流电动机(1836年),用作印刷机的动力设备。由于这些电动机都以电池作为电源,所以未能广泛普及。

1887年,前面所讲过的特斯拉两相电动机作为实用化感应电动机的发展计划开始启动。1897年,西屋公司制成了感应电动机,设立专业公司致力于电动机的普及。

(3)变压器

发电端在向外输送交流电的时候,要先把交流电压升高,到了用电端,又得把送来的交流电压降低。因此,变压器是必不可少的。

1831年,法拉第发现磁可以感应生成电,这就是变压器诞生的基础。

1882年,英国的吉布斯获得了“照明与动力用配电方式”专利,其内容就是将变压器用于配电,当时所用的变压器是磁路开放式变压器。

西屋引进了吉布斯的变压器,经过研究,于1885年开发出了实用的变压器。

此外,在此前一年的1884年,英国的霍普金森制成了闭合磁路式变压器。

(4)电力设备和三相交流技术

两相交流电是用四根电线输电的技术。德国的多勃罗沃尔斯基在绕组上想出了窍门,从绕组上每隔120度的三个地方引出抽头,得到了三相交流电。1889年,利用这种三相交流电的旋转磁场,制成了功率为100W的最早的三相交流电动机。

同年,多勃罗沃尔斯基又开发出了三相四线制交流接线方式,并在1891年的法兰克福输电实验(150VA三相变压器)中获得了圆满成功。

8.电子电路元器件的历史

当代,是包括计算机在内的电子学繁荣昌盛的时代,其背景与电子电路元器件由电子管-晶体管=集成电路的不断发展有着密切的关系。

(1)电子管

电子管是沿着二极管-三极管-四极管-五极管的顺序发明出来的。

二极管:前面曾经讲过,爱迪生发现了电灯泡灯丝发射电子的“爱迪生效应”。1904年,英国人弗莱明受到“爱迪生效应”的启发,发明了二极管。

三极管:1907年,美国的福雷斯特发明了三极管。当时,真空技术尚不成熟,三极管的制造水平也不高。但在反复改进的过程中,人们懂得了三极管具有放大作用,终于拉开了电子学的帷幕。

振荡器也从上面所讲过的马可尼火花装置发展为三极管振荡器。三极管有三个电极,阳极,阴极和设置在二者之间的控制栅极,这个控制栅极是用来控制阴极所发射的电子流的。

四极管:1915年,英国的朗德在三极管的控制栅极与阳极之间又加了一个电极,称为帘栅极,其作用是解决三极管中流向阳极的电子流中有一部分会流到控制栅极上去的问题。

五极管:1927年,德国的约布斯特在阳极与帘栅极之间又加了一个电极,发明了五极管。新加的电极被称为抑制栅。加入这个电极的原因是:在四极管中,电子流撞到阳极上时阳极会产生二次电子发射,抑制栅就是为抑制这种二次电子发射而设置的。

此外,1934年美国的汤绿森通过对电子管进行小型化改进,发明了适用于超短波的橡实管。

管壳不用玻璃而采用金属的ST管发明于1937年,经小型化后的MT管发明于1939年。

(2)晶体管

半导体器件大致分为晶体管和集成电路(IC)两大部分。第二次世界大战后,由于半导体技术的进步,电子学得到了令人瞩目的发展。

晶体管是美国贝尔实验室的肖克莱,巴丁,布拉特在1948年发明的。

这种晶体管的结构是使两根金属丝与低掺杂锗半导体表面接触,称为接触型晶体管。

1949年,开发出了结型晶体管,在实用化方面前进了一大步。

1956年开发出了制造P型和N型半导体的扩散法。它是在高温下将杂质原子渗透到半导体表层的一种方法。1960年开发出了外延生长法并制成了外延平面型晶体管。外延生长法是把硅晶体放在氢气和卤化物气体中来制造半导体的一种方法。

有了半导体技术的这些发展,随之就诞生了集成电路。

(3)集成电路

大约在1956年,英国的达马就从晶体管原理预想到了集成电路的出现。

1958年美国提出了用半导体制造全部电路元器件,实现集成电路化的方案。

1961年,得克萨斯仪器公司开始批量生产集成电路。

集成电路并不是用一个一个电路元器件连接成的电路,而是把具有某种功能的电路“埋”在半导体晶体里的一个器件。它易于小型化和减少引线端,所以具有可靠性高的优点。

集成电路的集成度在逐年增加。元件数在100个以下的小规模集成电路,100~1000个的中规模集成电路,1000~100000个大规模集成电路,以及100000个以上的超大规模集成电路,都已依次开发出来,并在各种装置中获得了广泛应用。

项目一数字电子技术基础

项目一数字电子技术基础 习题 一、选择题 1、以下代码中为无权码的为()。 A.8421BCD码 B.5421BCD码 C.余三码 D.格雷码 2、以下代码中为恒权码的为()。 A.8421BCD码 B.5421BCD码 C. 余三码 D. 格雷码 3、一位八进制数可以用()位二进制数来表示。 A.1 B.2 C.3 D.4 4、十进制数25用8421BCD码表示为()。 A.10101 B.00100101 C.100101 D.10101 5、与十进制数(53.5)10等值的数或代码为()。 A.(01010011.0101)8421BCD B.(35.8)16 C.(110101.1)2 D.(65.4)8 6、与八进制数(47.3)8等值的数为:()。 A.(100111.011)2 B.(27.6)16 C.(27.3 )16 D. (100111.11)2 7、常用的BCD码有()。 A.2421码 B.格雷码 C.8421码 D.余三码 8、以下表达式中符合逻辑运算法则的是()。 A.C·C=C2 B.1+1=10 C.0<1 D.A+1=1 9、逻辑变量的取值1和0可以表示:()。 A.开关的闭合、断开 B.电位的高、低 C.真与假 D.电流的有、无 10、当逻辑函数有n个变量时,共有()个变量取值组合? A.n B.2n C.n2 D.2n 11、逻辑函数的表示方法中具有唯一性的是()。 A.真值表 B.表达式 C.逻辑图 D.卡诺图 12、求一个逻辑函数Y的对偶式,可将Y中的()。 A.“·”换成“+”,“+”换成“·” B.原变量换成反变量,反变量换成原变量

模拟电子技术习题

一、选择题:(共10题,每题1分。合计10分) 第一章: 1.PN 结加正向电压时,空间电荷区将( )。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 2.PN 结加反向电压时,空间电荷区将( )。 A. 变宽 B. 变窄 C. 基本不变 3.在本征半导体中加入( )元素可形成P 型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 4.当温度升高时,二极管的反向饱和电流将( )。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 5.当温度升高时,二极管的正向特性曲线将( )。 A. 不变 B. 左移 C. 右移 6.稳压管的稳压区是其工作在( )区。 A. 正向导通 B. 反向截止 C. 反向击穿 第二章: 1. 对于直接耦合基本放大电路,( )的输入电压与输出电压反相。 A. 共射电路 B. 共集接法 C. 共基接法 2. 对于直接耦合放大电路,( )的输入电压和输出电压同相。 A. 共射电路 B. 共集电路 C. 共源电路 3. 以下基本放大电路中,( )电路不具有电压放大能力。 A. 共射 B.共集 C. 共基 4. 工作在放大区的某三极管,如果当C I 从1mA 变为1.9mA ,E I 从1.01mA 变为1.92mA ,那么它的 约为( )。 A. 1 B. 86 C. 90 5. 对于n 沟道增强型MOS 管,只能满足( ),管子才能工作在恒流区。 A. DS u > GS u -)(th GS U B. DS u GS u -)(th GS U B. DS u

模拟电子技术基础[李国丽]第一章习题答案解析

1半导体二极管 自我检测题 一.选择和填空 1.纯净的、结构完整的半导体称为 本征半导体,掺入杂质后称 杂质半导体。若掺入五价杂质,其多数载流子是 电子 。 2.在本征半导体中,空穴浓度 C 电子浓度;在N 型半导体中,空穴浓度 B 电子浓度;在P 型半导体中,空穴浓度 A 电子浓度。 (A .大于,B .小于,C .等于) 3. 在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 C ,而少数载流子的浓度与 A 关系十分密切。 (A .温度,B .掺杂工艺,C .杂质浓度) 4. 当PN 结外加正向电压时,扩散电流 A 漂移电流,耗尽层 E ;当PN 结外加反向电压时,扩散电流 B 漂移电流,耗尽层 D 。 (A .大于,B .小于,C .等于,D .变宽,E .变窄,F 不变 ) 5.二极管实际就是一个PN 结,PN 结具有 单向导电性 ,即处于正向偏置时,处于 导通 状态;反向偏置时,处于 截止 状态。 6. 普通小功率硅二极管的正向导通压降约为_B ,反向电流一般_C_;普通小功率锗二极管的正向导通压降约为_A_,反向电流一般_D_。 (A .0.1~0.3V ,B .0.6~0.8V ,C .小于A μ1,D .大于A μ1) 7. 已知某二极管在温度为25℃时的伏安特性如图选择题7中实线所示,在温度为 T 1 时的伏安特性如图中虚线所示。在25℃时,该二极管的死区电压为 0.5 伏,反向击穿电

压为 160 伏,反向电流为 10-6 安培。温度T 1 小于 25℃。(大于、小于、等于) 图选择题7 8.PN 结的特性方程是)1(-=T V v S e I i 。普通二极管工作在特性曲线的 正向区 ;稳 压管工作在特性曲线的 反向击穿区 。 二.判断题(正确的在括号画√,错误的画×) 1.N 型半导体可以通过在纯净半导体中掺入三价硼元素而获得。 ( × ) 2.在P 型半导体中,掺入高浓度的五价磷元素可以改型为N 型半导体。 ( √ ) 3.P 型半导体带正电,N 型半导体带负电。 ( × ) 4.PN 结的漂移电流是少数载流子在电场作用下形成的。 ( √ ) 5.由于PN 结交界面两边存在电位差,所以当把PN 结两端短路时就有电流流过。( × ) 6.PN 结方程既描写了PN 结的正向特性和反向特性,又描写了PN 结的反向击穿特 性 。 ( × ) 7.稳压管是一种特殊的二极管,它通常工作在反向击穿状态(√ ),它不允许工作在正向导通状态(×)。

模拟电子技术基础习题册.docx

专业姓名学号成绩 1-1 、写出如图所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=。 1-2 、在单相桥式整流电路中,已知输出电压平均值U O(AV)=15V,负载电流平均值 I L(AV)=100mA。 (1)变压器副边电压有效值U2≈ (2)设电网电压波动范围为±10%。在选择二极管的参数时,其最大整流平均电流 I F和最高反向电压 U R的下限值约为多少 1-3 、电路如图所示,变压器副边电压有效值为 2U2。 (1)画出u2、u D 1和u O的波形; (2)求出输出电压平均值U O(AV)和输出电流平均值I L((3)二极管的平均电流I D(AV)和所承受的最大反向电压AV)的表达式;U Rmax 的表达式。

1-4 、电路如图所示,变压器副边电压有效值U21=50V,U22=20V。试问: (1)输出电压平均值U O1(AV)和U O2(AV)各为多少 (2)各二极管承受的最大反向电压为多少 1-5 、试在如图所示电路中,标出各电容两端电压的极性和数值,并分析负载电阻上能够获得几倍压的输出。 1-6 、已知稳压管的稳压值U=6V,稳定电流的最小值I Zmin = 5mA。求图所示电路中U和 U Z O1O2各为多少伏。

专业姓名学号成绩 I Zmin=5mA,最大稳定电流1-7 、已知图所示电路中稳压管的稳定电压U Z=6V,最小稳定电流 I Zmax=25mA。 (1)分别计算U I为10V、15V、35V三种情况下输出电压U O的值; (2)若U I= 35V 时负载开路,则会出现什么现象为什么 1-8 、电路如图所示。 (1)分别标出u O1和u O2对地的极性; (2)u O1、u O2分别是半波整流还是全波整流 (3)当U21=U22= 20V 时,U O1(AV)和U O2(AV)各为多少 (4 )当U2 1= 18V ,U2 2= 22V 时,画出u O1、u O2的波形;并求出U O1(AV)和U O2(AV)各为多少

电子技术发展史概述-首次

电子技术发展史概述 电子技术是十九世纪末、二十世纪初发展起来的新兴技术。由于物理学的重大突破,电子技术在二十世纪发展最为迅速,应用最为广泛,成为近代科学技术发展的一个重要标志。 从20世纪60年代开始,电子器件出现了飞速的发展,而且随着微电子和半导体制造工艺的进步,集成度不断提高。CPLD/FPGA、ARM、DSP、A/D、D/A、RAM和ROM等器件之间的物理和功能界限正日趋模糊,嵌入式系统和片上系统(SOC)得已实现。以大规模可编程集成电路为物质基础的EDA技术打破了软硬件之间的设计界限,使硬件系统软件化。这已成为现代电子设计的发展趋势。 现在,人们已经掌握了大量的电子技术方面的知识,而且电子技术还在不断的发展着。这些知识是人们长期劳动的结晶。 我国很早就已经发现电和磁的现象,在古籍中曾有“磁石召铁”和“琥珀拾芥”的记载。磁石首先应用于指示方向和校正时间,在《韩非子》和东汉王充著《论衡》两书中提到的“司南”就是指此。以后由于航海事业发展的需要,我国在十一世纪就发明了指南针。在宋代沈括所著的《梦溪笔谈》中有“方家以磁石磨针锋,则能指南,然常微偏东,不全南也”的记载。这不仅说明了指南针的制造,而且已经发现了磁偏角。直到十二世纪,指南针才由阿拉伯人传入欧洲。 在十八世纪末和十九世纪初的这个时期,由于生产发展的需要,在电磁现象方面的研究工作发展的很快。库仑在 1785 年首先从实验室确定了电荷间的相互作用力,电荷的概念开始有了定量的意义。

1820 年,奥斯特从实验时发现了电流对磁针有力的作用,揭开了电学理论的新的一页。同年,安培确定了通有电流的线圈的作用与磁铁相似,这就指出了此现象的本质问题。有名的欧姆定律是欧姆在 1826 年通过实验而得出的。法拉第对电磁现象的研究有特殊贡献,他在1831 年发现的电磁感应现象是以后电子技术的重要理论基础。在电磁现象的理论与使用问题的研究上,楞次发挥了巨大的作用,他在1833 年建立确定感应电流方向的定则(楞次定则)。其后,他致力于电机理论的研究,并阐明了电机可逆性的原理。楞次在 1844 年还与英国物理学家焦耳分别独立的确定了电流热效应定律(焦耳 - 楞次定律)。与楞次一道从事电磁现象研究工作的雅可比在 1834 年制造出世界上第一台电动机,从而证明了实际应用电能的可能性。电机工程得以飞跃的发展是与多里沃 - 多勃罗沃尔斯基的工作分不开的。这位杰出的俄罗斯工程师是三相系统的创始者,他发明和制造出三相异步电机和三相变压器,并首先采用了三相输电线。在法拉第的研究工作基础上,麦克斯韦在 1864 年至 1873 年提出了电磁波理论。他从理论上推测到电磁波的存在,为无线电技术的发展奠定了理论基础。1888 年,赫兹通过实验获得电磁波,证实了麦克斯韦的理论。但实际利用电磁波为人类服务的还应归功于马克尼和波波夫。大约在赫兹实验成功七年之后,他们彼此独立的分别在意大利和俄国进行通信试验,为无线电技术的发展开辟了道路。 人类在自然界斗争的过程中,不断总结和丰富着自己的知识。电子科学技术就是在生产斗争和科学实验中发展起来的。 1883 年美国发明

电子技术基础总结

电子技术基础总结 电子技术基础总结怎么写?以下是小编整理的相关范文,欢迎阅读。 电子技术基础总结一由于中职学生理论基础差,同时又缺乏主动学习的自觉性,如果采用传统的教学方法会使学生认为学习难度大学不会因而失去学习的兴趣,致使课堂出现学生睡倒一片或不听课各行其事的现象。采用项目任务驱动式教学,重在培养学生完成工作和动手实践的能力。学生在具体的工作任务中遇到问题,就会带着问题主动学习,这样使学生变要我学习为我要学习,提高学习的主动性,这种教学模式既锻炼了学生解决实际问题的能力,同时也提高了教学质量和教学效率。 组织召开专题会 为了确保课改取得实效,机电一体化教研组组织有关教师召开专题会,就如何开展好课改工作进行讨论,认真听取这门课有经验老师的建议,制定出课改实施方案。 教学内容的选取原则 1、坚持课程与技能岗位相对接; 2、下企业调研岗位工作任务; 3、提取典型工作任务; 4、确定课程学习任务与技能目标; 5、注重培养学生的基本技能。

项目教学内容的确定 在对企业充分调研的基础上,进行工作任务的分类归总,提取企业典型工作任务,确定了涵盖电工基础、模电、数电三部分的八大块 内容共十三个学习情境。在确定的学习内容中较侧重电子部分,任务的层次也是由易到难,十三个学习情境如下图所示。 项目教学的组织实施 1、所谓项目教学法,就是在老师的指导下,将一个相对独立的项目交由学生自己处理,项目学习中有关信息的收集、方案的设计、项目实施及最终评价,都由学生自己负责,学生通过该项目的进行,了解并把握整个过程及每一个环节中的基本要求。 “项目教学法”最显著的特点是“以项目为主线、教师为引导、学生为主体”,具体表现在:目标指向的多重性;培训周期短,见效快;可控性好;注重理论与实践相结合。项目教学法是师生共同完成项目,共同取得进步的教学方法。 2、在项目教学法的具体实施过程中,学生们还是能够给予较积极配合的。《电工与电子技术》计划的每周7课时安排在一天内进行,其中2节为理论课时,其余5节为任务实训课。但由于教师人手不够,后改为4节理论,3节实训。相比于理论课,学生还是偏向于上实训课,更喜欢做训练动

模拟电子技术题库

一、填空题 1、P 型半导体又称为_____型半导体,它由本征半导体掺入_____价元素形成,其 多数载流子是__________,少数载流子是__________。当PN 结外加正向电压时,扩 散电流 漂移电流,耗尽层 。 2、三种基本组态的放大电路中,输入和输出相位相反的是____________,输入和 输出相位相同的是____________。 3、场效应管与双极晶体管比较,____________为电压控制器件,____________为电 流控制器件,____________的输入电阻高。 4、在分析含有负反馈的集成运放电路时,常用的两个基本且重要的概念是: 和 。 5、放大电路中静态工作点的设置非常重要,如果Q 点设置过低,将会引起 失真,其输出电压的波形 半周被部分削平。 6、直流稳压电源由 、 、 及 组成。 7、并联稳压电路中,稳压二极管需要串入 才能正常进行工作。 二、选择题 1、杂质半导体的少数载流子浓度取决于( ) A 、掺杂浓度 B 、工艺 C 、温度 D 、晶体缺陷 2、测得某放大电路中BJT 的三个电极A 、B 、C 的各级电位为 V V V V V V C B A 2.6,6,9-=-=-= 则可以判断出 ( ) A . A 是基极, B 是发射极, C 是集电极,是NPN 管

B.A是集电极,B是基极,C是发射极,是PNP管 C.A是集电极,B是发射极,C是基极,是PNP管 D.A是发射极,B是集电极,C是基极,是NPN管 3、P沟道增强型场效应管处于放大状态时要求() A、UGS>0,UDS>0 B、UGS<0,UDS<0 C、UGS>0,UDS<0 D、UGS<0,UDS>0 4、某仪表的放大电路,要求Ri很大,输出电流稳定,则应采用()形式来达到性能要求。 A、电流串联负反馈 B、电压并联负反馈 C、电流并联负反馈 D、电压串联负反馈 5、在长尾式差分放大电路中,电阻Re的作用是:() A、提高Ri B、提高Avd C、提高K CMR D、提高Avc 6、差分放大电路的输出由双端输出改为由单端输出时,其K CMR将会()。 A、增大 B、减小 C、不变 D、不能确定 7、乙类功率放大电路可以达到的最大效率是多少?() A、100% B、78.5% C、50% D、20% 8、某单管共射基本放大电路,因晶体管损坏,采用β值为原来2倍的晶体管替换;问该放大电路的电压增益如何变化?() A、增大为原来的2倍 B、降低为原来的一半

模拟电子技术基础第一章答案

1.3电路如图所示,已知i 5sin (V)u t ω=,二极管导通电压U D =0.7V 。试画出u i 与u o 的波形,并标出幅值。 解:当i 3.7u ≥V 时,D 1导通,将u o 钳位在3.7V ; 当i 3.7u

Imax Z L Zmax Z (/)(6/0.525)1643V U U R I R U =++=+?+= 故23V 稳压管将因功耗过大而损坏。 1.7电路如图所示,发光二极管导通电压UD=1.5V ,正向电流在5~15mA 时才能正常工作。试问: (1)开关S 在什么位置时发光二极管才能发光? (2)R 的取值范围是多少? 解:(1)S 闭合时发光二极管才有正向电流,也才有可能发光。 (2)发光二极管的正向电流过小将不发光,过大将可能损坏。R 是限流电阻,其取值应保证发光二极管既发光又不至于损坏。因此,R 的范围为 min D Dmax ()/233R V U I =-≈Ω max D Dmin ()/700R V U I =-=Ω 即233700R Ω< <Ω 1.9测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。在圆圈中画出管子,并分别说明它们是硅管还是锗管。

电子技术基础与技能 项目一

章节课题§1.1 概述课时2节 教学目的1. 熟练掌握直流稳压电源的构成。 2. 正确理解直流稳压电源构成的各部分电路。 3. 一般了解直流稳压电源构成各部分电路的工作原理。 重 点难点重点:直流稳压电源的构成及波形图。难点:直流稳压电源的构成原理。 教学方法 首先让学生了解在实际生活中直流稳压电源的广泛应用及其重要性,从而引导学生对本项目的兴趣,并调动学生学习的积极性,结合学生实际因材施教,讲解问题时尽量深入浅出,以提高学生的理论水平。 教 具及参考书1.《电工技术基础》刘光源主编电子工业出版社 2.《电工电子使用手册》刘光源主编电子工业出版社 3.《电工技术实用教程》曹振宇主编国防工业出版社 作 业理解直流稳压电源的构成及波形图。 课后小结1. 直流稳压电源的构成及波形图。 2. 直流稳压电源构成的各部分电路模块。

图1-1 直流稳压电源的构成 教学 内容 §1-1 概述 教学目的 熟练掌握:直流稳压电源的构成及波形图。 正确理解:直流稳压电源构成的各部分电路模块。 一般了解:直流稳压电源构成各部分电路的工作原理。 技能要求 1. 正确分析直流稳压电源的波形图。 2. 举例说明实际生活中直流稳压电源的应用。 教学内容 直流稳压电源 直流稳压电源是将工频正弦交流电转换为直流电,其原理框图如图1-1所示。 各部分电路模块作用如下: 电源变压器:将交流电网电压变为符合用电设备需要的交流电压 整流电路:利用整流元件的单向导电性,将交流电压变为单方向的脉动直流电压。 滤波电路:将脉动直流电压转变为平滑的直流电压。 稳压电路:清除电网波动及负载变化的影响,保持输出电压的稳定。

模拟电子技术基础期末考试试题(B)

模拟电子技术基础期末考试试题(B ) 姓名 班级 学号 计分 1.电路如图P1.4所示,已知u i =5sin ωt (V),二极管导通电压U D =0.7V 。试画出u i 与u O 的波形,并标出幅值。 (5分) 2. 设图中A 为理想运放,请求出各电路的输出电压值。(12分) U 01 = U 02 = U 03 = U 04 = U 05 = U 06 = 3. 电路如图所示,设满足深度负反馈条件。 1.试判断级间反馈的极性和组态; 2.试求其闭环电压放大倍数A uf 。 (10分) (1) (2) 10 k Ω (3) 20 k Ω 2(5) 2 o5 (6) 2 20 k Ω

4. 试用相位平衡条件判断图示两个电路是否有可能产生正弦波振荡。如可能振荡,指出该振荡电路属于什么类型(如变压器反馈式、电感三点式、电容三点式等),并估算其振荡频率。已知这两个电路中的L=0,C 1,C 2=F 。(8分) 5. 在图示电路中,设A 1、A 2、A 3均为理想运算放大器,其最大输出电压幅值为±12V 。 1. 试说明A 1、A 2、A 3各组成什么电路? 2. A 1、A 2、A 3分别工作在线形区还是非线形区? 3. 若输入为1V 的直流电压,则各输出端u O1、u O2、u O3的电压为多大?(10分) V CC V CC (a ) C b (b )

r=100Ω。 6.电路如图所示,晶体管的 =100,' bb A 、R i和R o; (1)求电路的Q点、 u (2)若电容C e开路,则将引起电路的哪些动态参数发生变化?如何变化?(15分) r=100Ω,U B E Q≈0.7。试计算R W滑动端7.图所示电路参数理想对称,晶体管的β均为50,' bb 在中点时T1管和T2管的发射极静态电流I EQ,以及动态参数A d和R i。(15分)

模拟电子技术基础试题汇总

模拟电子技术基础试题汇总 一.选择题 1.当温度升高时,二极管反向饱和电流将( )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示,由此可判断该三极管( ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0,则在静态时该三极管处于( ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( )。 ( A)温度稳定性( B)单向导电性( C)放大作用( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过高,容易产生 ( )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示,二极管导通电压U D=,关于输出电压的说法正确的是( )。 A:u I1=3V,u I2=时输出电压为。 B:u I1=3V,u I2=时输出电压为1V。 C:u I1=3V,u I2=3V时输出电压为5V。 D:只有当u I1=,u I2=时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线,静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是。 A:集电极电源+V CC电压变高B:集电极负载电阻R C变高 C:基极电源+V BB电压变高D:基极回路电阻R b变高。

8. 直流负反馈是指( ) A. 存在于RC 耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中,A 为理想运放,则电路的输出电压约为( ) A. - B. -5V C. - D. - 11. 在图所示的单端输出差放电路中,若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV ,则差模输 入电压△υid 为( ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与低阻负载间接入 ( )。 A. 共射电路 B. 共基电路 C. 共集电路 D. 共集-共基串联电路 13. 在考虑放大电路的频率失真时,若i υ为正弦波,则o υ( ) A. 有可能产生相位失真 B. 有可能产生幅度失真和相位失真 C. 一定会产生非线性失真 D. 不会产生线性失真 14. 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是,前者的运 放通常工作在( )。 A. 开环或正反馈状态 B. 深度负反馈状态 C. 放大状态 D. 线性工作状态 15. 多级负反馈放大电路在( )情况下容易引起自激。 A. 回路增益F A &&大 B 反馈系数太小

模拟电子技术基础试题汇总附有答案.

模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1.当温度升高时,二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示,由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0,则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工 作点过高,容易产生

( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示,二极管导通电压U D=0.7V,关于输出电压的说法正确的是( B )。 A:u I1=3V,u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B:u I1=3V,u I2=0.3V时输出电压为1V。 C:u I1=3V,u I2=3V时输出电压为5V。 D:只有当u I1=0.3V,u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线,静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A:集电极电源+V CC电压变高B:集电极负载电阻R C变高 C:基极电源+V BB电压变高D:基极回路电阻 R b变高。

8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中,A为理想运放,则电路的输出电压约为( A ) A. -2.5V B. -5V C. -6.5V D. -7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中,若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路

模拟电子技术基础考试试题答案

一、填空(共20空,每空 1 分,共 20 分,所有答案均填写在答题纸上) 1、晶体管三极管被称为双极型晶体管是因为 。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域,只有当三极管工作在 区时,关系式b I Ic β=才成立。 3、场效应管可分为结型场效应管和 型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中,共 基本放大电路既能放大电流又能放大电压。 5、在绘制放大电路的交流通路时, 视为短路, 视为短路,但若有内阻则应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有 、 、变压器耦合和光电耦合等。 7、场效应管是利用 极和 极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的直流通路用于研究 。 9、理想运放的两个输入端虚短是指 。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈,通常令输出电压为零,看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈仍然存在则为 。 11、仅存在于放大电路的直流通路中的反馈称为 。 12、通用集成运放电路由输入级、中间级、 和 四部分组成。 13、集成运放的同相输入端和反相输入端中的“同相”和“反相”是指运放的 和 的相位关系。 14、在学习晶体三极管和场效应管的特性曲线时可以用类比法理解,三极管的放大工作区可与场效应管的 区相类比,而场效应管的可变电阻区则可以和三极管的 相类比。 二、单项选择题(共10题,每题 2 分,共 20分;将正确选项的标号填在答题纸上) 1、稳压二极管的反向电流小于min z I 时,稳压二极管 。 A :稳压效果变差 B :仍能较好稳压,但稳定电压变大 C :反向截止 D :仍能较好稳压,但稳定电压变小 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置,集电结反向偏置,则此管的工作状态为 。 A :饱和状态 B :截止状态 C :放大状态 D :不能确定 3、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100,现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图1所示。关于这两只三极管,正确的说法是 。

电子技术基础与技能电子教案(综合)

《电子技术基础与技能》电子教案 项目一二极管单向导电板的制作 教案编号:01—01—01 一、教学目标 1、了解什么是半导体、P型半导体和N型半导体; 2、了解PN结的形成过程及其特性; 3、掌握二极管的符号、特性及特性曲线等; 4、会用万用表判断二极管的质量。 二、重点难点 重点:二极管的符号及单向导电特性。 难点:PN结的形成过程 三、学情分析 有关半导体、二极管等概念,学生第一次接触到,而且这些内容十分抽象难理解,所以学生学起来有一定困难。但学生在初中阶段已经接触到了电阻、导体及绝缘体等相关内容,而半导体就是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质,因此,教师要如此引入过渡,学生是容易接受的。 四、教学方法 讲解法、观察法、图形演示法 五、教具准备 各种不同形状的二极管、幻灯片及幻灯机、实物投影仪等 六、课时安排:2课时 七、教学过程 1、导入新课: 大家在初中学习了电阻,电阻就是导体对电流的阻碍作用。而导体就是能够导电的物质,如铁、铝、铜等金属;不能导电的物质就是绝缘体,如干木头、黑板等。那么世界上有没有导电能力介于导体和绝缘体之间的物质呢?这就是今天我们要学习的内容——半导体 2、新授阶段

(1)出示投影(课本图1-1 二极管单向导电电路图) 让生认识电路图,了解图中的各元器件。并强调指出其中的二极管是电路中的关键元件,今天我们就来重点学习这种元件。 (2)先了解半导体、P型半导体和N型半导体以及PN结等。 1)半导体:由自然界的物质按导电性能的分类引出半导体。半导体的最外层有4个价电子。如硅和锗等。半导体有光敏性、热敏性和掺杂性三种特性,特别是其掺杂性是形成半导体元件的重要基础。 2)P型半导体和N型半导体 先介绍本征半导体,然后根据在本征半导体中掺入不同的杂质离子可形成两种半导体,即N型半导体和P型半导体。(可结合投影出示本征半导体的原子排列图以及和掺入两种不同杂质时形成两种半导体的形成过程图)。 3)PN结:出示投影(课本图1-2 PN的结构示意图),简单从电子转移的角度介绍PN结的形成过程。 给生时间理解并自己动手画图记忆 (3)二极管 1)出示投影(课本图1-3 二极管的结构示意图及其符号) 讲解二极管的定义、结构及其符号等 给生时间理解并自己动手画图记忆 2)实物投影展示各种不同形状的二极管外形,之后拿出实物让生观察,增强学生的感性意识。 3)二极管的特性曲线 出示投影(课本图1-5 二极管的伏安特性曲线) 讲解二极管特性曲线的定义、二极管的正向电压和反向电压等概念。 讲述二极管特性曲线的形成规律及其特点。要让学生记住死区电压:对于硅管是0.5V,锗管是0.2V;导通电压:对于硅管是0.7V;对于锗管是0.3V。 给生时间理解并自己动手画图记忆 4)二极管的种类及参数:师简单介绍

《模拟电子技术基础》典型习题解答

半导体器件的基础知识 1.1 电路如图P1.1所示,已知u i=5sinωt (V),二极管导通电压U D=0.7V。试画出u i 与u O的波形,并标出幅值。 图P1.1 解图P1.1 解:波形如解图P1.1所示。 1.2 电路如图P1.2(a)所示,其输入电压u I1和u I2的波形如图(b)所示,二极管导通电压U D=0.7V。试画出输出电压u O的波形,并标出幅值。 图P1.2 解:u O的波形如解图P1.2所示。

解图P1.2 1.3 已知稳压管的稳定电压U Z =6V ,稳定电流的最小值I Zmin =5mA ,最大功耗P ZM =150mW 。试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。 图P1.3 解:稳压管的最大稳定电流 I ZM =P ZM /U Z =25mA 电阻R 的电流为I ZM ~I Zmin ,所以其取值范围为 Ω =-=k 8.136.0Z Z I ~I U U R 1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z =6V ,最小稳定电流I Zmin =5mA ,最大稳定电流I Zmax =25mA 。 (1) 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值; (2) 若U I =35V 时负载开路,则会出现什么现象?为什么? 图P1.4 解:(1)当U I =10V 时,若U O =U Z =6V ,则稳压管的电流小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+=U R R R U 当U I =15V 时,若U O =U Z =6V ,则稳压管的电流小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故 L O I L 5V R U U R R =?≈+ 当U I =35V 时,稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ,所以U O =U Z =6V 。 (2)=-=R U U I )(Z I D Z 29mA >I ZM =25mA ,稳压管将因功耗过大而损坏。 1.5 电路如图P1.5(a )、(b )所示,稳压管的稳定电压U Z =3V ,R 的取值合适,u I 的波

模拟电子技术——第1章习题及答案

思考与习题1 1.1填空题 1.Si或 载流子;另一类是在Si或Ge 是多数载流子, ___单向导电性___ 3.二极管的PN型二极管适用于高频、小电流的场合,面触 4.稳压二极管主要工作在_反向击穿_______ 限流。 5.,其反向 ,正常工作电流为 6. 7.两种载流子,在本征半导体中掺入三价元素,可形成P型半导体。 8. 11. 12. 13.普通二极管工作时要避免工作于反向击穿状态,而稳压管通常工作于 16.W7805的输出电压为 5 V 17. 1.1 选择题 1.在N型半导体中,多数载流子为电子,则N型半导体(C) A.带正电 B.带负电 C.不带电 D.不能确定 2.在半导体中掺入五价磷原子后形成的半导体称为。(C) A.本征半导体 B.P型半导体 C.N型半导体 D.半导体 3.PN结加正向电压时,其正向电流是由的。(A) A.多数载流子扩散形成 B.多数载流子漂移形成

C .少数载流子扩散形成 D .少数载流子漂移形成 4.当PN 结外加正向电压时,扩散电流 漂移电流,耗尽层 。( C ) A .大于 变宽 B. 小于 变窄 C. 大于 变窄 D. 小于 变宽 5.从二极管的伏安特性可以看出,二极管两端压降大于( B )时,处于正向导通状态。 A .0V 电压 B .死区电压 C .反向击穿电压 D .正向压降 6.二极管的反向电阻( B )。 A .小 B .大 C .中等 D .为零 7.稳压管的稳压区是其工作在 。( C ) A. 正向导通区 B.反向截止区 C.反向击穿区 8.在单相桥式整流电路中,变压器次级电压有效值为10V ,则每只整流二极管承受的最大反向电压为( .B ) A.10V B.210 V C. V D.20V 9.桥式整流加电容滤波电路,设整流输入电压为20V ,此时,输出的电压约为( A ) A.24V B.18V C.9V D.28.2V 10.两个硅稳压管,U z1 = 6V ,U z2=9V, 下面那个不是两者串联时可能得到的稳压值(.D )。 A. 15 V B. 6.7 V C. 9.7 V D. 3 V 1.3简答题、 1.当温度升高时,二极管的反向电流怎样变化?为什么?而其正向电压降又怎样变化?答:二极管的反向电流增加,因为温度升高时,漂移运动加强,其中电流增大。正向电压减少。 2.有这样一只整流二极管,用万用表测量其正反向特性都很好,但是安装到电路中作整流使用却不能正常使用,试问是什么原因?.答:该二极管内部出现软故障,在电路外因为没有工作电流,只有测量电流,其温度低,不会出现击穿,测量结果属于正常,但是接到电路时,由于通过电流较大,工作温度高,其就会出现击穿现象了。 3.题图1-1给出了一些元器件的电路符号,请合理连线,构成一个5V 的直流稳压电源。 210题图1-1

模拟电子技术基础试题与答案

1、工作在放大区的某三极管,如果当IB从12μA增大到22μA时,IC从1mA 变为2mA,那么它的β约为。【】 A. 83 B. 91 C. 100 2、已知图所示电路中VCC=12V,RC=3kΩ,静态管压降 UCEQ=6V;并在输出端加负载电阻RL,其阻值为3kΩ。 选择一个合适的答案填入空。 (1)该电路的最大不失真输出电压有效值Uom ≈;【】 A.2V B.3V C.6V U =1mV时,若在不失真的条件下,减小RW, (2)当 i 则输出电压的幅值将;【】 A.减小 B.不变 C.增大 U =1mV时,将Rw调到输出电压最大且刚好不失真,若此时增大(3)在 i 输入电压,则输出电压波形将;【】 A.顶部失真 B.底部失真 C.为正弦波 (4)若发现电路出现饱和失真,则为消除失真,可将。【】 A.RW减小 B.Rc减小 C.VCC减小 3、互补输出级采用共集形式是为了使。【】 A.电压放大倍数大 B.不失真输出电压大 C.带负载能力强 4、选用差分放大电路的原因是。【】 A.克服温漂 B. 提高输入电阻 C.稳定放入倍数 5、当信号频率等于放大电路的fL 或fH时,放大倍数的值约下降到中频【】 A.0.5倍 B.0.7倍 C.0.9倍 即增益下降。【】 A.3dB B.4dB C.5dB 6、在输入量不变的情况下,若引入反馈后,则说明引入的反馈是负反馈。【】 A.输入电阻增大B.输出量增大 C.净输入量增大D.净输入量减小 7、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是。【】 A.电阻阻值有误差 B.晶体管参数的分散性 C.晶体管参数受温度影响 D.电源电压不稳定 8、串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是。【】 A. 基准电压 B 取样电压C基准电压与取样电压之差 9、为增大电压放大倍数,集成运放的中间级多采用。【】 A.共射放大电路 B. 共集放大电路C.共基放大电路 10、用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re,将使电路的【】 A.差模放大倍数数值增大 B.抑制共模信号能力增强 C.差模输入电阻增大 11、在输入量不变的情况下,若引入反馈后,则说明引入的反馈是负反馈。【】

模拟电子技术第一章 习题与答案

第一章习题与答案 1.什么是PN结的偏置?PN结正向偏置与反向偏置时各有什么特点? 答:二极管(PN结)阳极接电源正极,阴极接电源负极,这种情况称二极管正向偏置,简称正偏,此时二极管处于导通状态,流过二极管电流称作正向电流。二极管阳极接电源负极,阴极接正极,二极管处于反向偏置,简称反偏,此时二极管处于截止状态,流过二极管电流称为反向饱和电流。把二极管正向偏置导通、反向偏置截止的这种特性称之为单向导电性。 2.锗二极管与硅二极管的死区电压、正向压降、反向饱和电流各为多少? 答:锗管死区电压约为0.1V,硅管死区电压约为0.5V。硅二极管的正向压降约0.6~0.8 V;锗二极管约0.2~0.3V。硅管的反向电流比锗管小,硅管约为1uA,锗管可达几百uA。 3.为什么二极管可以当作一个开关来使用? 答:二极管在正向电压作用下电阻很小,处于导通状态,相当于一只接通的开关;在反向电压作用下,电阻很大,处于截止状态,如同一只断开的开关。 4.普通二极管与稳压管有何异同?普通二极管有稳压性能吗? 答:普通二极管的主要特性是单向导电性,也就是在正向电压的作用下,导通电阻很小;而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。 稳压二极管的稳压原理:稳压二极管的特点就是加反向电压击穿后,其两端的电压基本保持不变。而普通二极管反向击穿后就损坏了。这样,当把稳压管接入电路以后,若由于电源电压发生波动,或其它原因造成电路中各点电压变动时,负载两端的电压将基本保持不变。 因此,普通二极管在未击穿的条件下具有稳压性能。 5.选用二极管时主要考虑哪些参数?这些参数的含义是什么? 答: 正向电流IF:在额定功率下,允许通过二极管的电流值。 正向电压降VF:二极管通过额定正向电流时,在两极间所产生的电压降。 最大整流电流(平均值)IOM:在半波整流连续工作的情况下,允许的最大半波电流的平均值。 反向击穿电压VB:二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。 正向反向峰值电压VRM:二极管正常工作时所允许的反向电压峰值。 反向电流IR:在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值。 结电容C:电容包括电容和扩散电容,在高频场合下使用时,要求结电容小于某一规定数值。 最高工作频率FM:二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。 6.三极管具有放大作用的内部条件和外部条件各是什么? 答:内部条件:发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度,同时基区厚度要很小。 外部条件:发射结正偏,集电结反偏。 7.三极管有哪些工作状态?各有什么特点? 答:三极管输出特性曲线可以分为三个区,即三极管有三种工作状态。 (1)放大区(放大状态)。即三极管静态时工作在放大区(处于放大状态),发射结必