光电元器件
图1-31发光二极管测量 光电元器件
1. 发光二极管的检测
① 正、负极的判别
将发光二极管放在一个光源下，观察两个金属片的大小，通常金属片大的一端为负极，金属片小的一端为正极。
② 发光二极管测量
发光二极管除测量正、反向电阻外，还应进一步检查其是否发光。发光二极管的工作电压一般在1.6V 左右，工作电流在1mA 以上时才发光。用R ×10K Ω挡测量正向电阻时，有些发光二极管能发光即可说明其正常。对于工作电流较大的发光二极管亦可用图1-31所示电路进行检测。 ① 性能好坏的判断
用万用表R×10K 档，测量发光二极管的正、反向电阻值。正常时，正向电阻值（黑表笔接正极时）约为10～20K Ω，反向电阻值为250KΩ～∞（无穷大）。较高灵敏度的发光二极管，在测量正向电阻值时，管内会发
微光。若用万用表R×1K 档测量发光二极管的正、反向电阻
值，则会发现其正、反向电阻值均接近∞（无穷大），这是因
为发光二极管的正向压降大于1.6V （高于万用表R×1K 档内
电池的电压值1.5V ）的缘故。用万用表的R×10K 档对一只220μF/25V 将充电后的电容器正极接发光二极管正极、电容器负极接发光二极管负极，若发光二极管有很亮的闪光，则说明该发光二极管完好。也可用3V 直流电源，在电源的正极串接1只33Ω电阻后接发光二极管的正极，将电源的负极接发光二极管的负极（见图1-31），正常的发光二极管应发光。或将1节1.5V 电池串接在万用表的黑表笔（将万用表置于R×10或R×100档，黑表笔接电池负极，等于与表内的1.5V 电池串联），将电池的正极接发光二极管的正极，红表笔接发光二极管的负极，正常的发光二极管应发光。
2. 红外发光二极管的检测
① 正、负极性的判别
红外发光二极管多采用透明树脂封装，管心下部有一个浅盘，管内电极宽大
图1-32 红外光敏二极管的检测 的为负极，而电极窄小的为正极。也可从管身形状和引脚的长短来判断。通常，靠近管身侧向小平面的电极为负极，另一端引脚为正极。长引脚为正极，短引脚为负极。
② 性能好坏的测量
用万用表R×10K 档测量红外发光管有正、反向电阻。正常时，正向电阻值约为15～40K Ω（此值越小越好）；反向电阻大于500K Ω（用R×10K 档测量，反向电阻大于200K Ω）。若测得正、反向电阻值均
接近零，则说明该红外发光二极管内部已击穿损
坏。若测得正、反向电阻值均为无穷大，则说明
该二极管已开路损坏。若测得的反向电阻值远远
小于500K Ω，则说明该二极管已漏电损坏。
3. 红外光敏二极管的检测
将万用表置于R×1K 档，测量红外光敏二极管的正、反向电阻值。正常时，正向电阻值（黑表笔所接引脚为正极）为3～10K Ω左右，反向电阻值为500K Ω以上。若测得其正、反向电阻值均为0或均为无穷大，则说明该光敏二极管已击穿或开路损坏。在测量红外光敏二极管反向电阻值的同时，用电视机遥控器对着被测红外光敏二极管的接收窗口（见图1-32）。正常的红外光敏二极管，在按动遥控器上按键时，其反向电阻值会由500K Ω以上减小至50～100K Ω之间。阻值下降越多，说明红外光敏二极管的灵敏度越高。
4. 其他光敏二极管的检测
① 电阻测量法
用黑纸或黑布遮住光敏二极管的光信号接收窗口，然后用万用表R×1K 档测量光敏二极管的正、反向电阻值。正常时，正向电阻值在10～20K Ω之间，反向电阻值为∞（无穷大）。若测得正、反向电阻值均很小或均为无穷大，则是该光敏二极管漏电或开路损坏。再去掉黑纸或黑布，使光敏二极管的光信号接收窗口对准光源，然后观察其正、反向电阻值的变化。正常时，正、反向电阻值均应变小，阻值变化越大，说明该光敏二极管的灵敏度越高。
② 电压测量法
将万用表置于1V 直流电压档，黑表笔接光敏二极管的负极，红表笔接光敏
二极管的正极、将光敏二极管的光信号接收窗口对准光源。正常时应有0.2～
0.4V电压（其电压与光照强度成正比）。
③电流测量法
将万用表置于50μA或500μA电流档，红表笔接正极，黑表笔接负极，正常的光敏二极管在白炽灯光下，随着光照强度的增加，其电流从几微安增大至几百微安。
光电二极管性能的检测
光电二极管的反向电阻随着从窗口射入光线的强弱而发生显著变化。在没有光照时，光电二极管的正、反向电阻测量以及极性判别与普通二极管一样。
光电二极管光电特性的测量方法：用万用表R×100KΩ挡或R×1KΩ挡测它的反向电阻时，用手电筒照射光电二极管顶端的窗口，万用表指示的电阻值应明显减小。光线越强，光电二极管的反向电阻越小，甚至只有几百Ω。关掉手电筒，电阻读数应立即恢复到原来的阻值。这表明被测光电二极管是良好的。
5. 光敏电阻
图1-33为光敏电阻的原理图与光敏电阻的符号，在均匀的具有光电导效应的半导体材料的两端加上电极便构成光敏电阻。
图1-33 光敏电阻的原理图与光敏电阻的符号
⑴光敏电阻原理
①CdS光敏电阻
CdS光敏电阻是最常见的光敏电阻，它的光谱响应特性最接近人眼光谱光视效率，它在可见光波段范围内的灵敏度最高，因此，被广泛地应用于灯光的自动控制，照相机的自动测光等。
② PbS光敏电阻
PbS光敏电阻是近红外波段最灵敏的光电导器件。PbS光敏电阻在2μm附近的红外辐射的探测灵敏度很高，因此，常用于火灾的探测等领域。
③ InSb光敏电阻
InSb光敏电阻是3～5μm光谱范围内的主要探测器件之一。InSb材料不仅适用于制造单元探测器件，也适宜制造阵列红外探测器件。
⑵光敏电阻的检测
①用一黑纸片将光敏电阻的透光窗口遮住，此时万用表的指针基本保持不动，阻值接近无穷大。此值越大说明光敏电阻性能越好。若此值很小或接近为零，说明光敏电阻已烧穿损坏，不能再继续使用。
②将一光源对准光敏电阻的透光窗口，此时万用表的指针应有较大幅度的摆动，阻值明显减小，此值越小说明光敏电阻性能越好。若此值很大甚至无穷大，表明光敏电阻内部电路损坏，也不能再继续使用。
③将光敏电阻透光窗口对准入射光线，用小黑纸片在光敏电阻的遮光窗上部晃动，使其间断受光，此时万用表指针应随黑纸片的晃动而左右摆动。如果万用表指针始终停在某一位置不随纸片晃动而摆动，说明光敏电阻的光敏材料已经损坏。
6. 硅光电池
光电池是一种不需加偏置电压就能把光能直接转换成电能的PN结光电器件，光电池的种类很多，常见的有硒、锗、硅、砷化镓、氧化铜等。按光电池的功用可将其分为两大类：即太阳能光电池和测量光电池。
太阳能光电池主要用作向负载提供电源，可在空间直接将太阳能转换成电能，被广泛地应用于供电困难的场所和一些日用便携电器中。
测量光电池的主要功能是作为光电探测，即在不加偏置的情况下将光信号转换成电信号，常被应用在光度、色度、光学精密计量和测试设备中。
硅光电池的基本结构和工作原理:
按硅光电池衬底材料的不同可分为2DR型和2CR型。如图1-34（a）所示为2DR型硅光电池，它是以P型硅为衬底(即在本征型硅材料中掺入三价元素硼或镓等)，然后在衬底上扩散磷而形成N型层并将其作为受光
面。
硅光电池的受光面的输出电极多做成如图1-34（b）所示为硅光电池的外形图，图中所示的梳齿状或“E”字型电极，其目的是减小硅光电池的内电阻。
图1-34硅光电池结构、外形和电路符号
7. 光电（敏）三极管
光电三极管与普通半导体三极管一样有两种基本结构，NPN结构与PNP结构。用N型硅材料为衬底制作的NPN结构，称为3DU型；用P型硅材料为衬底制作的称为PNP结构，称为3CU型。图1-35所示为3DU型光电三极管的工作原理及其符号。图1-35(a)所示为其原理结构图；图1-35(b)所示为其电路符号。由此可见光电三极管具有电流放大作用，灵敏度高于光电二极管。光电三极管可有或无基极引出线。
图1-35 3DU型硅光电三极管的结构及电路符号
8. 激光二极管
激光二极管封装有两种形式：共阳极与共阴极型。激光二极管的符号如图1-36(d)所示，从图中可知，激光二极管由两部分构成，一部分是激光发射部分LD；，另一部分为激光接收部分PD，用来监测激光器背向输出光功率。LD和PD 两部分又有公共端点b，公共端一般同管子的金属外壳相连，所以激光二极管实际上只有三个脚a、b、c。
(a) 半导体激光器 (b)蓝紫激光二极管 (c) 红光激光二极管 (d)激光二极管符号
图 1-36 激光二极管封装
目前激光二极管波长有635nm、650nm、670nm、690nm、780nm、810nm、860nm、980nm等。
图1-36(b) 型号：HLD405150H7J
封装类型：TO-18（5.6mm），最大输出功率：150mW 连续不带透镜，工作电压：5V，波长：405nm。
图1-36(c) 型号：LD-635-05
封装形式：TO-18（5.6mm），最大输出功率：5mW，工作电压：2.7-4.8V，波长：635nm，工作电流：小于等于25mA。
⑴激光二极管的简单检测
检测和判断激光二极管可按如下三个步骤进行:
①区分LD和PD
用万表的R×1K挡分别测出激光二极管三个引脚两两之间的阻值，总有一次两脚间的阻值大约在几千欧姆左右，这时黑表笔所接的一端是PD阳极端，红表笔所接的引脚为公共端，剩下的一个引脚为LD阴极端，这样就区分出了PD部分（图中的bc部分）和LD部分（图中的ab部分）。
②检测PD部分。
激光二极管的PD部分实质上是一个光敏二极管，用万用表检测方法如下：用R×1K挡测其阻值，若正向电阻为几千欧姆，反向电阻为无穷大，初步表明PD部分是好的；若正向电阻为0或为无穷大，则表明PD部分已坏。若反向电阻不是无穷大，而有几百千欧或上千千欧的电阻，说明PD部分已反向漏电，管子质量变差。
③检测LD部分。
用万用表的R×1K 挡测LD 部分的正向阻值，即黑表笔接公共端b ，红表笔接a 脚，正向阻值应在10K Ω～30K Ω之间，反向阻值应为无穷大。若测得的正向阻值大于55K Ω，反向阻值在100K Ω以下，表明LD 部分已严重老化，使用效果会变差。
⑵ 判定管脚的排列顺序
将万用表置于R ×1K 挡，按照检测普通二极管正、反电阻的方法，即可将激光二极管的管脚排列顺序确定。
但检测时要注意，由于激光二极管的正向压降比普通二极管要大，所以当检测正向电阻时，万用表指针仅略微向右偏转而已，而反向电阻则为无穷大。 ⑶ 激光二极管好坏的检测
一般在激光二极管供电回路中设置了一只负载电阻。检测时，可用万用表直流电压挡测量一下此负载电阻上的电压降，然后用欧姆定律R U
I 来估算激光二
极管中流过的电流，再据此电流的大小，判断激光二极管的工作状态。一般当电流大于100mA ，且调节电路中相应的电位器，电流无任何变化时，即可断定激光二极管已经损坏。因为目前小功率激光二极管的额定工作电流均在100mA 以下，只有在谐振腔发生损坏性故障时，才会出现电流剧增且不可控制的现象。顺便一提的是，波长为780nm 的激光二极管在工作时，从侧面观看出光窗口时呈暗红色，从侧面看透镜时略见辉光。这些均可作为判断激光二极管是否正常工作的基本特征
9．八段LCD 液晶显示器
（1）EDS812A 液晶显示器尺寸
图1-37 EDS812A 液晶显示器尺寸
（2）EDS812A液晶显示器引脚
表1-10 EDS812A液晶显示器引脚引脚表
10．光电耦合器件
⑴光电耦合器件的结构与电路符号
光电耦合器件的结构与电路符号如图1-38所示，图中的发光二极管泛指一切发光器件，图中的光电二极管也泛指一切光电接收器件。
图1-38 几种不同封装的光电耦合器的封装外形图
图1-38所示为几种不同封装的光电耦合器，图中（a）、（b）、（c）分别为三种不同安装方式光电发射器件与光电接收器件分别安装器件的两臂上，分离尺寸一般在4～12mm，分开的目的是要检测两臂间是否存在物体，以及物体的运动速度等参数。这中封装的器件常被称为光电开关。图中（d）反光型光电耦合器，LED和光电二极管封装在一个壳体内，两者发射光轴同接收光轴夹一锐角，LED 发出的光被测物体反射，并被光电二极管接收，构成反光型光电耦合器。图中（e）为另一种反光型光电耦合器，LED和光电二极管平行封装在一个壳体内，LED发出的光可以在较远的位置上放置的器件反射到光电二极管的光敏面上。显然，这种反光型光电耦合器要比成锐角的耦合器作用距离远。图中（f）DIP封装形式的光电耦合器件。这种封装形式的器件有多种，可将几组光电耦合器封装在一片DIP中，用作多路信号隔离传输。
⑵光电耦合器件的检测
如图1-38(g)所示，光电耦合器件的检测分别按发光二极管和光电二极管的方法检测。
光电器件研究进展和发展趋势
光电器件研究进展和发展趋势 原荣信息产业部电子第三十四研究所研究员 摘要：建设光纤接入网和DWDM系统离不开各种光学材料和器件，诸如光纤和光缆、连接器和耦合器、光发射/接收器、光波分复用/解复用器、光滤波器、光放大器、光开关以及光分插复用器等。本文就光纤通信系统用到的光电器件的研究进展和发展趋势作一个简要介绍。 一、光有源器件 1.1 可调谐激光器 可调谐激光器是实现宽带测试、WDM和光纤放大器泵浦的最重要的器件,近年制成的单频激光器都用多量子阱(MQW)结构、分布反馈(DFB)式或分布布喇格反射(DBR)式结构,有些能在80nm范围内调谐。在半导体激光器后面加上一个光纤布喇格光栅,可使波长稳定,如美国E-TEK研制的980nm泵浦激光器,输出光功率达220mW,又如法国alcatel Optronics公司研制的1480nm泵浦激光器,不但在半导体激光器后面加了一个光纤布喇格光栅,而且尾纤采用保偏光纤,既使波长稳定,又使功率也稳定。美国MPB公司推出的EBS-4022宽带光源,其输出功率达22dBm,在C波段40nm的带宽上,其平坦度≤1dB。美国Santec公司推出的TSL-220可调谐激光器,为保证pm数量级的波长精度,内置一个波长监测器；为去除ASE啐噪声,还内置一个可调谐滤波器,可调谐范围竟达80nm。 1.2光放大器 目前广泛使用的是光纤放大器,它有掺铒和掺氟2种,其单泵浦的增益典型值为17dB,双泵浦的增益典型值为35dB,噪声系数一般为5~7dB,带宽为30nm,在带宽内的增益偏差为1dB。在氟基光纤上掺镨就可制作出掺镨光纤放大器（PDFFA）,可应用于工作在1.3mm波段上的G.652光纤。 半导体激光放大器（SLA）芯片具有高达30～35dB的增益,除输入和输出端存在总共8～10dB 的耦合损耗外,还有22～25dB的增益,另外行波半导体激光器具有很宽的带宽,可以对窄至几个ps的超窄光脉冲进行放大。SLA的另一个重要优点是它可与光发射机和接收机一起被单片集成在一起。欧洲ACTS KEOPS计划资助的全光分组交换系统采用的全光分组交换节点,在输入输出接口、光交换矩阵中都使用了半导体光放大器,在ns量级范围内实现了光门电路波长选择和波长转换器件的功能。 1.2.3 光纤喇曼放大器 当强激光通过光纤时,将产生受激喇曼散射(SRS)。光纤喇曼放大器（FRA）就是利用强泵浦光束通过光纤传输产生的受激喇曼散射。光纤喇曼放大器可覆盖的光谱范围宽,比泵浦光波长大约长100nm的波长区均可获得最大的增益,目前增益带宽已达132nm。这样通过选择泵浦光波长,就可实现任意波长的光放大,所以喇曼放大器是目前唯一能实现1290~1660nm光谱放大的器件。另外,它适用于任何种类的光纤。 光纤喇曼放大器由于其自身固有的全波段可放大的特性和可利用传输光纤做在线放大的优点,1999年已成功地应用于DWDM系统中。使用分布光纤喇曼放大器,可以增大传输距离,提高传输比特率,另外还允许通过加密信道间隔,提高光纤传输的复用程度和传输容量。传输跨距的延伸,有时可免除在两地之间安装昂贵的3R中继器,特别是在大陆和海岛、海岛和海岛间的海缆通信中,具有特别的意义。富士通在211×10Gb/s的DWDM系统中,使无中继传输距离从50km增加到80km,使系统传输距离达到7200km。朗讯和阿尔卡特也有类似的实验。阿尔卡特报道已将32×40Gb/s的无中继DWDM系统的传输距离延伸到250km。 1.3 光纤激光器
光电子技术的应用和发展前景
光电子技术的应用和发展前景 姓名：曾倬 学号：14021050128 专业：电子信息科学与技术 指导老师：黄晓莉
摘要：光电子技术确切称为信息光电子技术，本文论述了一些新型光电子器件及其发展方向 20世纪60年代激光问世以来，最初应用于激光测距等少数应用，光电子技术是继微电子技术之后近30年来迅猛发展的综合性高新技术。1962年半导体激光器的诞生是近代科学技术史上一个重大事件。经历十多年的初期探索，到70年代，由于有了室温下连续工作的半导体激光器和传输 损耗很低的光纤，光电子技术才迅速发展起来。现在全世界敷设的通信光纤总长超过1000万公里，主要用于建设宽带综合业务数字通信网。以光盘为代表的信息存储和激光打印机、复印机和发光二极管大屏幕现实为代表的信息显示技术称为市场最大的电子 产品。人们对光电神经网络计算机技术抱有很大希望，希望获得功耗的、响应带宽很大，噪音低的光电子技术。
目录 （一）光电子与光电子产业概况 （二）光电子的地位与作用 （三）二十一世纪信息光电子产业将成为支柱产业 （四）国际光电子领域的发展趋势 （五）光电子的应用
（一），光电子及光电子产业概况 光电子技术是一个比较庞大的体系，它包括信息传输，如光纤通信、空间和海底光通信等；信息处理，如计算机光互连、光计算、光交换等；信息获取，如光学传感和遥感、光纤传感等；信息存储，如光盘、全息存储技术等；信息显示，如大屏幕平板显示、激光打印和印刷等。其中信息光电子技术是光电子学领域中最为活跃的分支。在信息技术发展过程中，电子作为信息的载体作出了巨大的贡献。但它也在速率、容量和空间相容性等方面受到严峻的挑战。 采用光子作为信息的载体，其响应速度可达到飞秒量级、比电子快三个数量级以上，加之光子的高度并行处理能力，不存在电磁串扰和路径延迟等缺点，使其具有超出电子的信息容量与处理速度的潜力。充分地综合利用电子和光子两大微观信息载体各自的优点，必将大大改善电子通信设备、电子计算机和电子仪器的性能。 今天，光电子已不再局限传统意义上的用于光发射、光调制、光传输、光传感等的电子学的一
光电耦合器件简介
光电耦合器件简介 光电偶合器件（简称光耦）是把发光器件（如发光二极体）和光敏器件（如光敏三极管）组装在一起，通过光线实现耦合构成电—光和光—电的转换器件。光电耦合器分为很多种类，图1所示为常用的三极管型光电耦合器原理图。 当电信号送入光电耦合器的输入端时，发光二极体通过电流而发光，光敏元件受到光照后产生电流，CE导通；当输入端无信号，发光二极体不亮，光敏三极管截止，CE不通。对于数位量，当输入为低电平“0”时，光敏三极管截止，输出为高电平“1”；当输入为高电平“1”时，光敏三极管饱和导通，输出为低电平“ 0”。若基极有引出线则可满足温度补偿、检测调制要求。这种光耦合器性能较好，价格便宜，因而应用广泛。 图一最常用的光电耦合器之部结构图三极管接收型 4脚封装
图二光电耦合器之部结构图三极管接收型 6脚封装 图三光电耦合器之部结构图双发光二极管输入三极管接收型 4脚封装
图四光电耦合器之部结构图可控硅接收型 6脚封装 图五光电耦合器之部结构图双二极管接收型 6脚封装 光电耦合器之所以在传输信号的同时能有效地抑制尖脉冲和各种杂讯干扰，使通道上的信号杂讯比大为提高，主要有以下几方面的原因：
（1）光电耦合器的输入阻抗很小，只有几百欧姆，而干扰源的阻抗较大，通常为105～106Ω。据分压原理可知，即使干扰电压的幅度较大，但馈送到光电耦合器输入端的杂讯电压会很小，只能形成很微弱的电流，由于没有足够的能量而不能使二极体发光，从而被抑制掉了。 （2）光电耦合器的输入回路与输出回路之间没有电气联系，也没有共地；之间的分布电容极小，而绝缘电阻又很大，因此回路一边的各种干扰杂讯都很难通过光电耦合器馈送到另一边去，避免了共阻抗耦合的干扰信号的产生。 （3）光电耦合器可起到很好的安全保障作用，即使当外部设备出现故障，甚至输入信号线短接时，也不会损坏仪表。因为光耦合器件的输入回路和输出回路之间可以承受几千伏的高压。 （4）光电耦合器的回应速度极快，其回应延迟时间只有10μs左右，适于对回应速度要求很高的场合。 光电隔离技术的应用 微机介面电路中的光电隔离 微机有多个输入埠，接收来自远处现场设备传来的状态信号，微机对这些信号处理后，输出各种控制信号去执行相应的操作。在现场环境较恶劣时，会存在较大的杂讯干扰，若这些干扰随输入信号一起进入微机系统，会使控制准确性降低，产生误动作。因而，可在微机的输入和输出端，用光耦作介面，对信号及杂讯进行隔离。典型的光电耦合电路如图6所示。该电路主要应用在“A／D转换器”的数位信号输出，及由CPU发出的对前向通道的控制信号与类比电路的介面处，从而实现在不同系统间信号通路相联的同时，在电气通路上相互隔离，并在此基础上实现将类比电路和数位电路相互隔离，起到抑制交叉串扰的作用。 图六光电耦合器接线原理 对于线性类比电路通道，要求光电耦合器必须具有能够进行线性变换和传输的特性，或选择对管，采用互补电路以提高线性度，或用V／F变换后再用数位光耦进行隔离。 功率驱动电路中的光电隔离 在微机控制系统中，大量应用的是开关量的控制，这些开关量一般经过微机的I／O输出，而I／O的驱动能力有限，一般不足以驱动一些点磁执行器件，需加接驱动介面电路，为避免微机受到干扰，须采取隔离措施。如可控硅所在的主电路一般是交流强电回路，电压较高，电流较大，不易与微机直接相连，可应用光耦合器将微机控制信号与可控硅触发电路进行隔离。电路实例如图7所示。
光电元器件
图1-31发光二极管测量 光电元器件 1. 发光二极管的检测 ① 正、负极的判别 将发光二极管放在一个光源下，观察两个金属片的大小，通常金属片大的一端为负极，金属片小的一端为正极。 ② 发光二极管测量 发光二极管除测量正、反向电阻外，还应进一步检查其是否发光。发光二极管的工作电压一般在1.6V 左右，工作电流在1mA 以上时才发光。用R ×10K Ω挡测量正向电阻时，有些发光二极管能发光即可说明其正常。对于工作电流较大的发光二极管亦可用图1-31所示电路进行检测。 ① 性能好坏的判断 用万用表R×10K 档，测量发光二极管的正、反向电阻值。正常时，正向电阻值（黑表笔接正极时）约为10～20K Ω，反向电阻值为250KΩ～∞（无穷大）。较高灵敏度的发光二极管，在测量正向电阻值时，管内会发 微光。若用万用表R×1K 档测量发光二极管的正、反向电阻 值，则会发现其正、反向电阻值均接近∞（无穷大），这是因 为发光二极管的正向压降大于1.6V （高于万用表R×1K 档内 电池的电压值1.5V ）的缘故。用万用表的R×10K 档对一只220μF/25V 将充电后的电容器正极接发光二极管正极、电容器负极接发光二极管负极，若发光二极管有很亮的闪光，则说明该发光二极管完好。也可用3V 直流电源，在电源的正极串接1只33Ω电阻后接发光二极管的正极，将电源的负极接发光二极管的负极（见图1-31），正常的发光二极管应发光。或将1节1.5V 电池串接在万用表的黑表笔（将万用表置于R×10或R×100档，黑表笔接电池负极，等于与表内的1.5V 电池串联），将电池的正极接发光二极管的正极，红表笔接发光二极管的负极，正常的发光二极管应发光。 2. 红外发光二极管的检测 ① 正、负极性的判别 红外发光二极管多采用透明树脂封装，管心下部有一个浅盘，管内电极宽大
光电传感器的发展及其应用
光电传感器的发展及其应用 摘要：光电式传感器（photoelectric transducer），基于光电效应的传感器，在受到可见光照射后即产生光电效，将光信号转换成电信号输出。它除能测量光强之外，还能利用光线的透射、遮挡、反射、干涉等测量多种物理量，如尺寸、位移、速度、温度等，因而是一种应用极广泛的重要敏感器件。 关键词：光电传感器、光电效应、发展、应用实例 1 引言 光电传感器由于反应速度快，能实现非接触测量，而且精度高、分辨力高、可靠性好，加之半导体光敏器件具有体积小、重量轻、功耗低、便于集成等优点，因而广泛应用于军事、宇航、通信、检测与工业自动化控制等多种领域中。当前，世界上光电传感领域的发展可分为两大方向：原理性研究与应用开发。随着光电技术的日趋成熟，对光电传感器实用化的开发成为整个领域发展的热点和关键。 2 光电传感器原理及应用 2.1光电式传感器 光电传感器又称光传感器，其基本原理是以光电效应为基础，通过把光强度的变化转换成电信号的变化来实现控制的，它的基本结构如图1，它首先把被测量的变化转换成光信号的变化，然后借助光电元件进一步将光信号转换成电信号。光电传感器一般由光源，光学通路和光电元件三部分组成。光电检测方法具有精度高,反应快，非接触等优点，而且可测参数多，传感器的结构简单，形式灵活多样，因此，光电式传感器在检测和控制中应用非常广泛[1]。 图 1
光电传感器的电源要是一个恒光源，电源稳定性的设计至关重要，电源的稳定性直接影响到测量的准确性，常用光源有以下几种： ⑴、发光二极管是一种把电能转变成光能的半导体器件。它具有体积小、功耗低、寿命长、响应快、机械强度高等优点，并能和集成电路相匹配。因此，广泛地用于计算机、仪器仪表和自动控制设备中。 ⑵、丝灯泡这是一种最常用的光源，它具有丰富的红外线。如果选用的光电元件对红外光敏感，构成传感器时可加滤色片将钨丝灯泡的可见光滤除，而仅用它的红外线做光源，这样，可有效防止其他光线的干扰。 ⑶、激光激光与普通光线相比具有能量高度集中，方向性好，频率单纯、相干性好等优点，是很理想的光源。 由光源、光学通路和光电器件组成的光电传感器在用于光电检测时，还必须配备适当的测量电路。测量电路能够把光电效应造成的光电元件电性能的变化转换成所需要的电压或电流。不同的光电元件，所要求的测量电路也不相同。下面介绍几种半导体光电元件常用的测量电路。 半导体光敏电阻可以通过较大的电流，所以在一般情况下，无需配备放大器。在要求较大的输出功率时，可用图2所示的电路。图3（a）给出带有温度补偿的光敏二极管桥式测量电路。当入射光强度缓慢变化时，光敏二极管的反向电阻也是缓慢变化的，温度的变化将造成电桥输出电压的漂移，必须进行补偿。图中一个光敏二极管做为检测元件，另一个装在暗盒里，置于相邻桥臂中，温度的变化对两只光敏二极管的影响相同，因此，可消除桥路输出随温度的漂移。光敏三极管在低照度入射光下工作时，或者希望得到较大的输出功率时，也可以配以放大电路，如图3所示。 图2 图3 由于光敏电池即使在强光照射下，最大输出电压也仅0.6V，还不能使下一
项目1 常见光电器件的应用教案
项目一 常见光电器件的应用 把从光信号转换到电信号的器件称之为“光电器件”的话，则电真空器件中主要有光电管、光电倍增管、摄像管、影像增强管等；半导体器件中主要有光电池、光敏电阻、光敏三极管、摄像头上使用的CCD 器件；光耦合器大约也可以算上，不过它是利用光敏器件与半导体发光元件的组合，不是单纯的光电器件。 现在有将 LED 器件也称为光电器件，那么“陶瓷场致发光屏”是否也应属光电器件，因为它也是通电后发光的器件，也就是将电信号转换为光信号的器件？实际上，场致发光屏应该属“电光源”之一。 任务一 光敏电阻器及其应用 1、光敏电阻器基本知识 光敏电阻器是一种特殊的光电导器件，该电阻具有光 电导效应，当它受到光辐射后其电导率会发生变化，即其 阻值会发生改变。入射光强，电阻减小，入射光弱，电阻 增大,光敏电阻器在电路中用字母“R ”或“RL ”、 “RG ”表示。一般用于光的测量、光的控制和光电 转换 （将光的变化转换为电的变化）。使用时无正负极之分。 图1 光敏电阻外观 2、光敏电阻器的组成 光敏电阻器通常由光敏层、玻璃基片（或树脂防潮膜）和电极等组成。 图2 光敏电阻器的组成部分 教学目的 1. 了解常见光电器件的识别与检测方法。 2. 能够根据常用光电电路进行电子制件并调试。 3. 有足够的动手能力完成项目中实操任务。 4. 培养课后反思的习惯，理解并掌握课后习题。
图3 光敏电阻器的相对灵敏度曲线 优点： ①光谱响应范围宽，尤其对红光和红外辐射有较高的灵敏度； ②所测的光强范围宽； ③灵敏度较高； ④工作电流大，可达数毫安； ⑤偏置电压低，无极性之分，使用方便。 缺点： ①强光照射下的线性较差； ②弛豫过程较长，响应速度慢； ③频率响应较差。 3、光敏电阻器的分类 按半导体材料分：本征型光敏电阻、掺杂型光敏电阻。后者性能稳定，特性较好，故目前大都采用它。 根据光敏电阻的光谱特性，可分为三种光敏电阻器： 紫外光敏电阻器：对紫外线较灵敏，包括硫化镉、硒化镉光敏电阻器等，用于探测紫外线。 红外光敏电阻器：主要有硫化铅、碲化铅、硒化铅、锑化铟等光敏电阻器，广泛用于导弹制导、天文探测、非接触测量、人体病变探测、红外光谱，红外通信等国防、科学研究和工农业生产中。 可见光光敏电阻器：包括硒、硫化镉、硒化镉、碲化镉、砷化镓、硅、锗、硫化锌光敏电阻器等。主要用于各种光电控制系统，如光电自动开关门户，航标灯、路灯和其他照明系统的自动亮灭，自动给水和自动停水装置，机械上的自动保护装置和“位置检测器”，极薄零件的厚度检测器，照相机自动曝光装置，光电计数器，烟雾报警器，光电跟踪系统等方面。 4、光敏电阻器的应用 光敏电阻属半导体光敏器件，除具灵敏度高，反应速度快，光谱特性及r值一致性好等特点外，在高温，多湿的恶劣环境下，还能保持高度的稳定性和可靠性，可广泛应用于照相机，太阳能庭院灯，草坪灯，验钞机，石英钟，音乐杯，礼品盒，迷你小夜灯，光声控开关，路灯自动开关以及各种光控玩具，光控灯饰，灯具等光自动开关控制领域。
光电子产业及其发展趋势
光电子产业及其发展趋势摘要: 光电子产业是目前以及未来相当长一段时间内都将迅速发展的高技术、高附加值产业。通过回顾光电子技术的发展历史, 比较系统地介绍了光电子产业的最新动态, 与光电子产业相关的其它新兴产业, 以及这一新兴产业的未来发展趋势。 关键词: 光电子产业; 历史发展; 未来趋势 近年来国内外正在掀起一股光电子学和光电子产业的热潮, 光电子技术的新名词不断涌现, 技术的发展日新月异。一些国家把大量资金投入到光电子学和光电子技术的研究和开发之中。国际知名科学家预言, 光电子时代已经到来,光电子技术将引起一场超过电子技术的产业革命, 将给工业和社会带来比电子技术更为巨大的冲击。光电子是目前和未来相当长一段时间内都将迅速发展的高技术高附加值产业。 1 光电子技术的发展历史及光电子时代的到来 光电子技术发展经历了从概念提出、理论建立、材料和器件研制、应用和逐步产业化过程。我们可以看出, 40 年代以前主要是发展光电子学理论, 70 年代以前主要是应用已有理论进行发明创造和完成实验研究, 近几十年主要是使那些发明创造实现产业化。当然不同的光电子技术发展是不平衡的, 首先发展起来的是真空光电子技术和产业, 后来逐步发展到固体光电子技术与产业。据不完全统计, 到2000 年底, 全球光电子产业总产值约1200 亿美元。彩电进入千家万户, CRT 产量惊人, 风华正茂; LCD 已成为中小尺寸显示器的主流产品, 风光无限; 传感器、CCD 摄像机和数码相机进入家庭, 风景独好; 随着半导体激光器、掺铒光纤放大器和光纤技术的成熟, 光通信已成为通迅的最主要手段。光电子在信息获取、传输、存储和显示等方面起主导作用, 还将在工业智能化控制方面发挥重要作用。随着LED 技术的进步, 光电子还将在节能方面大有作为。光电子技术在研究领域的应用还有可能导致新的重大发现和新的研究领域的开辟。根据美国光电子工业发展协会估计, 到2013 年光电子全球总产值可达5000 亿美元。 2 光电子产业的最新动态 光子作为能量载体可提供极高功率密度与能量密度的光能、极短的光脉冲、极精细的光束等, 创造出极端的物理条件: 极高的温度、极高的压强、极低的温度和极精密的刻划与极精细的加工, 从而使光电子学和光电子技术在信息、能源、材料、航空航天、生命科学、环境科学及国防军事领域中到广泛的应用。光电子技术的内涵包括真空光电子技术及相关的器件与系统; 半导体光电子技术及相关的器件与系统激光技术及相关器件与系统; 其它光电子材料及器件以及大型光电子装置等几个大的方面。下面仅就一些热点问题进行讨论。 2. 1 激光技术锋芒毕露 激光是二十世纪的重大发明之一。一台普通的脉冲固体激光器, 输出的光脉冲宽度是几百微秒, 甚至毫秒量级, 峰值功率只有几十千瓦级, 显然满足不了诸如激光测距、激光雷达、高速摄影、高分辨率光谱学研究等的要求。正是在这些要求的推动下, 1961 年人们研究了激光调Q 技术和锁模技术, 到80 年代使激光脉冲宽度和峰值功率达到纳秒( ns)量级和吉瓦( GW) 量级的巨型脉冲。1964 年科学家们又提出了压缩脉宽、提高功率的新机制) 锁模技术, 使脉宽达到皮秒( ps, 10- 12) 量级; 70 年代超短脉冲技术得到迅速发展;80 年代初有人又提出了碰撞锁模理论, 在此基础上得到了90fs 光脉冲系列。90 年代自锁模技术的出现, 产生了脉宽为飞秒( fs, 10- 15 ) 、峰值功率为太瓦( T W, 1012W) 以上的超短脉冲, 为物理学、化学、生物学以及光谱学等学科对微观世界和超快过程的研究提供了重要手段。为了改善光束质量, 又发展了选模技术和稳频技术以满足精密干涉计量、全息照相、精细加工等的要求。 2. 2 光纤通讯生机无限
光电开关与各种光电器件之间的区别
本文采摘于：https://www.360docs.net/doc/f82403805.html,/Article/212_1.html 光电开关与其他光电器件之间的区别 各种光电器件之间的区别，你清楚了吗？超毅电子为大家解开一直以来的困惑，那就是光电开关与各种器件的区别到底是在哪里： 一、光电开关和光电继电器的区别 光电开关是由振荡回路产生的调制脉冲经反射电路后，由发光管GL辐射出光脉冲。当被测物体进入受光器作用范围时，被反射回来的光脉冲进入光敏三极管DU。并在接收电路中将光脉冲解调为电脉冲信号，再经放大器放大和同步选通整形，然后用数字积分或RC积分方式排除干扰，最后经延时（或不延时）触发驱动器输出光电开关控制信号。 光电开关一般都具有良好的回差特性，因而即使被检测物在小范围内晃动也不会影响驱动器的输出状态，从而可使其保持在稳定工作区。同时，自诊断系统还可以显示受光状态和稳定工作区，以随时监视光电开关的工作。 光电继电器的工作原理和特性。继电器是一种电子控制器件，它具有控制系统（又称输入回路）和被控制系统（又称输出回路），通常应用于自动控制电路中，它实际上是用较小的电流去控制较大电流的一种“自动开关”。故在电路中起着自动调节、安全保护、转换电路等作用。 二、光电开关与光控开关的区别 1、首先可以确定光控开关不属于光电开关。 2、光电开关是通过把光强度的变化转换成电信号的变化来实现控制的。 它是利用被检测物体对红外光束（区分点）的遮光或反射，由同步回路选通而检测物体的有无，其物体不限于金属，对所有能反射光线的物体均可检测。光电开关在一般情况下，有三部分构成，它们分为：发送器、接收器和检测电路。 根据检测方式的不同，红外线光电开关可分为： （1）.漫反射式光电开关 （2）.镜反射式光电开关 （3）.对射式光电开关
硅基光电器件研究进展
半导体技术 Semiconductor Technology 1999年 第1期 No.1 1999 硅基光电器件研究进展 郭宝增 摘要 在信息处理和通信技术中，光电子器件起着越来越重要的作用。然而，因为硅是间接带隙半导体，试图把光电子器件集成在硅微电子集成电路上却遇到很大困难。为解决这一困难，人们发展了多种与硅微电子集成电路兼容的光电子器件制造技术。本文介绍最近几年这方面技术的发展情况。 关键词 多孔硅 光电子器件 硅集成电路 Research Development of Silicon-Based Optoelectronic Devices Guo Baozeng (Department of Electronic & Informational Hebei University,Baoding 071002) Abstract Silicon-based optoelectronic devices are increasingly important in information and communication technologies.But attempts to integrate photonics with silicon-based microelectronics are hampered by the fact that silicon has an indirect band gap,which prevents efficient electron-photon energy conversion.In order to solve this problem,many technologies to make optoelectronic devices which can be compatible with conventional silicon technology have been developed.In this article,we review the deve-lopment of these thchnologies. Keywords Porous silicon Optoelectronic devices Silicon integrated circuit 1 引 言 硅是微电子器件制造中应用得最广泛的半导体材料。硅集成电路的应用改变了当代世界的面貌，也改变了人们的生活方式。但是，一般硅集成电路只限于处理电信号，对光信号的处理显得无能为力。然而，光电器件的应用却是非常广泛的，光纤通信、光存储、激光打印机及显示设备都 要用到各种光电器件。从更广的意义上说，我们所处的世界实际上是一个光的世界。据心理学家分析，人们通过眼睛所接收的信息占总接收信息量的83%，即人们接收的信息83%是光信号。因此可以想象，在未来信息化社会里，对光电子器件的需求决不亚于对微电子器件的需求。目前采用的光电子器件，主要是Ⅲ-Ⅴ族材料，这些器件与广泛使用的硅技术不兼容，而且制造成本高，因
半导体光电器件行业调研分析报告
半导体光电器件行业调研分析报告 摘要—— 该半导体光电器件行业调研报告仅针对xx区域分析，时间2016-2017年度。 目前，区域内拥有各类半导体光电器件企业765家，从业人员38250人。截至2017年底，区域内半导体光电器件产值153887.21万元，较2016年128582.23万元增长19.68%。产值前十位企业合计收入75065.09万元，较去年66049.35万元同比增长13.65%。 ...... 经过长期追赶的沉淀和积累，当今我国在相当一些领域与世界前沿科技的差距都处于历史最小时期，已经有能力并行跟进这一轮科技革命和产业变革，加速实现制造业转型升级和创新发展。《中国制造2025》始终贯穿一个主题，就是加快新一代信息通信技术与制造业的深度融合。与发达国家在工业3.0基础上迈向4.0不同，我国制造业还有相当一部分停留在3.0甚至2.0，只有部分领先行业可比肩4.0。实施《中国制造2025》，必须处理好2.0普及、3.0补课和4.0赶超的关系，强化工业基础能力，提高综合集成水平，以推广智能制造为切入点，培育新型生产方式，推动制造业数字化网络化智能化。
第一章宏观环境分析 一、宏观经济分析 1、展望未来，改革开放依然是决定实现“两个一百年”奋斗目标和实现中华民族伟大复兴的关键一招，停顿和倒退是没有出路的。“开弓没有回头箭，改革关头勇者胜”。在经济发展新常态下全面深化改革，要更加注重改革的系统性、整体性和协同性，狠抓改革攻坚，突出创新驱动，强化风险防控，加强民生保障，应当成为全面深化改革关键时期需要着力做好的重要工作。 2、从前三季度的指标来看，第三产业比重不断提高。今年1月至9月，第三产业增加值占GDP的比重为53.1%，与2017年同期相比，提高0.3个百分点，其对经济增长的贡献率为60.8%，与2017年同期相比，提高1.8个百分点。第三产业对经济增长的贡献率比第二产业高25.3个百分点，服务业对经济增长的重要性日益凸显。 二、宏观产业政策 1、加快推进产业知识产权联盟建设、支持民营企业参与标准制定，是提升创新发展能力的保障。产业知识产权联盟建设是深入实施专利导航试点工程，促进知识产权与产业发展深度融合，为大众创业、万众创新搭建专业化服务平台，支撑创新型国家和知识产权强国建设
光电器件
有机光电器件的界面特性研究 2015级通信与信息系统研究生冯文琪 151320010 摘要 近些年来，有机光电器件由于其具有成本低，重量轻、材料容易设计合成、可做成大面积，显示柔性易弯曲折叠、制备过程简单等优点引起了越来越多的关注。各种功能的有机光电器件相继被开发出来，例如有机发光二极管可以用在平板显示和固态照明，有机光伏电池作可以作为清洁可再生的能源可有效缓解当前社会的能源需求，有机场效应晶体可用来作为显示背板和智能卡片，还有有机存储，传感器等等显示了巨大的应用前景。在有机光电器件中，界面对器件的性能和工作寿命有重要的影响。虽然我们在有机光电器件领域已经取得了重大的突破进展，但由于在有机界面中存在界面偶极、电子极化、电荷转移激子等现象，传统的无机半导体理论不能完全适用于有机界面，对有机界面的物理机制缺乏清晰的认识，限制了有机光电器件的进一步发展，因此有必要对有机界面进行深入的研究进一步理解其深层的物理机制。 本文主要通过光电子能谱技术，对叠层有机光电器件中间连接层、正置和倒置结构有机光伏电池的界面电子结构和能级排列进行了系统的研究，此外还研究了电学掺杂、基底修饰和不同电子传输层对界面势垒的调控影响以及退火处理对有机异质结薄膜表面和界面电子结构的影响。 关键词：叠层有机光电器件中间连接层注入势垒倒置结构热退火
第一章绪论 1.1 引言 随着经济和社会的发展，当前社会对半导体器件的要求越来越高，传统的单一功能的无机半导体器件已经难以满足当今社会多元化的需求。以有机电致发光器件(OLED)、有机光伏器件(OPV)和有机场效应晶体管(OTFT) 为代表的有机光电功能材料和器件在新型平板显示、固态照明、高密度信息存储、柔性显示、新能源和光化学利用等领域显示了广阔的应用前景，因而受到研究人员越来越多的关注。例如，OLED 技术具有全固态结构、主动发光、色彩丰富、可实现柔性显示等诸多优点，被认为是最有发展前景的下一代平板显示技术之一，且逐步在全球形成规模化生产。OPV 技术由于成本低、工艺简单、易于制成大面积器件等诸多优点被认为是一种具有长远发展潜力的可持续发展的绿色环保能源技术，目前光电转换效率已接近商业化生产的要求。OTFT 更以其低成本、可在柔性基板上加工、可低温成膜、可大面积制备等优点，其性能可与非晶硅相比，成为有机电子学的一个热点领域。 有机半导体器件同时具备原材料易于设计合成、重量轻便于携带、制备工艺简单可以采用低成本的打印和印刷方式加工、环境稳定性好以及可制作成大面积柔性器件等优点。目前，有机光电器件已经广泛的应用在电子、信息、军事、航空航天等高科技行业，显示了广阔的应用前景，是未来电子工业发展的必然方向，吸引着越来越多的政府、企业和研究机构投入其中。本章将着重介绍有机光电器件的发展历程，发展现状，基本原理以及当前面临的问题，最后对本论文的主要内容做简单的概括。 1.2 有机光电器件的发展历程 长久以来，人们通常认为有机物是绝缘不导电的，因此大多被用来作为绝缘材料。在 19 世纪 50年代，研究人员发现多环芳香烃化合物是由电荷转移复合物的半导体盐类卤化而成的，这阐明了有机化合物可以承载电流。1954 年报道的苝-碘配合物，其导电率达到0.12 S/cm，到了70年代, 美国物理学家 A. J. Heeger、化学家 M. Mac Diarmid 和日本化学家 H.Shirakaw et.al 共同发现对聚乙炔分子进行碘掺杂的时候具有高导电性，可以使其变成良好的导体, 从而引起了有机半导体技术研究的热潮,他们也因"发现和发展出导电性聚合物"而获得2000 年诺贝尔化学奖。 1.3 有机光电器件的原理 OLED的结构如下图1.1所示：它主要由高功函数的透明铟锡氧化物阳极(ITO)、空穴传输层、电子传输层、有机发光层和低功函数的金属阴极构成。器件的能级排列如图 1.2 所
光电信息技术新进展及感想
光电信息技术新进展及感想 20世纪后期是现代光学和光电技术取得辉煌成就的时代。电子学与光学的结合,产生和建立了光电信息学科,在高新技术领域里的发展势头迅猛,使人类进入了信息时代。“20世纪是电子的世纪,21世纪是光子的世纪”;“光电信息是朝阳产业” ;通过《光电世界》课上老师的讲解,我们了解了许多光电信息技术的内容。如沈京玲讲的:太赫兹科学与技术,何敬锁老师讲的:信息传递的载体----电和光,张岩老师讲的:光学信息处理,苏波老师讲的:太阳能光伏电池、LED应用技术,崔海林讲的:微电子技术、通信网技术。这些内容让我对光电信息技术的领域有了大致的了解,并且在老师的精彩的讲说下激发了我对于世界的兴趣。 光电 在众多光电信息技术中,我对光电子技术这一领域是十分感兴趣的,并且我也十分看好这一领域的发展前景。 光电子技术是指激光在电子信息技术中的应用而形成的技术。光电子技术确切称为信息光电子技术。20世纪60年代激光问世以来,最初应用于激光测距等少数应用,到70年代,由于有了室温下连续工作的半导体激光器和传输损耗很低的光纤,光电子技术才迅速发展起来。 在上网的查找中,我了解到世界光电子产业的总体发展情况,其结果更是让每个人欣慰。正是由于上世纪60年代激光技术的产生,极大地推动了光电子技术的发展。并由此形成规模宏大、内容丰富的光电子产业。近十余年来,光电子相关技术突飞猛进,产品种类也不断推陈出新,其应用更是无远弗届,层面扩及通讯、信息、生化、医疗、工业、能源、民生等领域。展望未来,在轻量化、便携性、低耗能、高效益、整合强的特性下,光电子产业将更深入各领域应用范围,是影响未来社会发展的战略性产业之一。
光电信息综述
光电信息技术的发展与应用 Photoelectric the development of information technology and the application xx x 电子信息工程 【摘要】光电信息技术是由光学．光电子，微电子等技术结合而成的多学科综合技术， 涉及光信息的辐射，传骑．撂测以及光电信息的转换．存储．处理与显示等众多的内容。前景应用广泛，服务于人们的各行各业。 【关键词】 光纤技术器件 1.引言 光电信息技术是将光学技术、光子技术、光电子技术、电子技术、计算机技术以至材料技术相结合而形成的一门高新技术，它以光波（辐射）为基本信息载体，通过对光波（辐射）的控制、调制、接收、存储、处理、显示等技术方法，获取所需要的信息，以达到为不同的应用需求服务的目的。 2.光电发展的历史简况 1873年的发现了硒的光电导性（内光电效应） 1888年德国的H.R.赫兹观察到紫外线照在金属上时，能使金属发射带电粒子 1890年P.勒纳通过对带电粒子电荷质量比的测定，证明它们是电子 1900年，M.普朗克提出黑体辐射能量分布的普遍公式 1929年，L.R.科勒制成银氧铯（Ag-O-Cs）光电阴极,出现了光电管 1939年，苏联的V.K.兹沃雷金制成实用的光电倍增管 20世纪30年代末，硫化铅（PbS）红外探测器问世 40年代出现用半导体材料制成的温差型红外探测器和测辐射热计 50年代中期，可见光波段的硫化镉（CdS）、硒化镉（CdSe）光敏电阻和短波红外硫化铅光电探测器投入使用 20世纪60年代之后的几十年间，红外探测器及红外探测系统得到迅速发展 光源和发光器件方面，最具里程碑意义的是20世纪60年代激光器的发明,近年来，激光已广泛用于通信、雷达、测距、定位、制导、遥感、工业生产和科学研究中，用以传递信息合各种测量与控制。 光纤技术的发展起源于1966年:当年英籍华人高锟等提出实现低损耗光学纤维的可能性，1970年，美国研制出损耗为20dB/km的石英光纤和室温连续工作的激光二极管,使光纤通信成为现实可能。这一年被公认为“光纤通信元年”。 光存储技术的历史较短，而发展很快。1972年，荷兰飞利浦公司演示了模拟式激光视盘。1982年，飞利浦公司同日本索尼公司合作，推出了第一台数字式激光唱机。 板显示器技术以液晶显示器发展最快。1964年，美国RCA公司发现了液晶的多种光
EVERLIGHT全系列光电元件
EVERLIGHT全系列光电元件：发射管、接收管、接收头、贴片接收头、槽型光耦、反射式光耦、红外对管、光耦817、光纤接收头、光纤发射头、光敏管、贴片发射管、贴片接收管、侧射型红外发射管、侧向型红外接收管、0402/0603/0805/1206/3020/3528/5050贴片LED、全彩LED、专利白光LED、背光源专用LED、食人鱼LED、1W/3W/5W大功率LED、LED数码管、LED点阵块。 发射管IR204-A, IR204/H16/L10, SIR204-A, HIR204-A, HIR204/H0,IR204C-A, IR323, IR323/H0-A,SIR323-5,IR333-A,IR333C-A, IR333C-6-A,SIR333-A,HIR333,IR333C/H0/L10,HIR333/H0-A,HIR333C/H0,IR7373C,HIR7373C, IR7393C,HIR7393C ,IR533C,IR1503,IR383,SIR383,HIR383C/L212,HIR8323/C16,HIR30-01C/S16,HIR38-01C,HIR36-01C/S32,HI R5393C/L223,HIR35-03C,HIR-A07/L183-P01,HIR-HX08L, IR11-21C/TR8, IR91-21C,IR91-21C/TR7, IR91-21C/TR9, IR91-21C/TR10,IR11-21C/TR8, HIR11-21C/TR8, IR15-21C/TR8, IR15-21C/L10/TR8, SIR15-21C/TR8, IR17-21C/TR8, IR19-21C/TR8, SIR19-21C/TR8, HIR19-21C/TR8, HIR19-21C/L11/TR8, IR19-315C/TR8,SIR19-315/TR8, IR26-21C/TR8,IR42-21C/TR8, IR67-21C/TR8,SIR67-21C/TR8,SIR67-21C/B/TR8,SIR67-21C/L9/TR10,IR908-7C-F,IR928-6C-F, HIR928-6C-F,SIR928-6C-F, IR958-8C,IR958-8P. 接收管PD57-21B/TR8,PD15-22C/TR8,PD93-21C/TR8,PD70-01B/TR7,PD70-01C/TR7, PD70-01B/TR10,PD70 -01C/TR10,PT204-6B, PT204-6C,PT28-21B/TR8,PD204-6C/L3, PD204-6B, PD438B,PD438B/L1, PD438B/S46,PD438C,PD638B,PD638C, PD333-3C/H0/L2,,PD334-6B,PD333-3B/L3, PT91-21B,PT91-21B/TR7, PT91-21B/TR10, PT11-21C/L41/TR8, PT12-21C/TR8, PT12-21B/TR8,PT26-51B/TR8,PT15-21C/ TR8,PT15-21B/TR8,PT17-21C/TR8, PT17-21C/L41/TR8,PT17-21B/L41/TR8,PT26-21B/TR8, PT42-21B/TR8, PT57-21B/TR8,PT67-21B/C14/TR8,PT67-21C/L41/TR8,PD15-22C/TR8,PD93-21C/TR8,PT908-7C,PT958-8C,PT928-6C,PT928-6B,PT5529B/L2,PT5529B/L2/H2,PT5529B/L2/S3,PT5529B/L2/H3.Etc 接收头：IRM-8601S, IRM-8601S-1, IRM-8601S-2, IRM-8601S-5, IRM-8602S, IRM-8602S-1, IRM-8602S-2, IRM-8602S-5 IRM-8607S, IRM-8607S-1, IRM-8607S-2, IRM-8607S-5, IRM-8608S, IRM-8608S-1, IRM-8608S-2, IRM-8608S-5, IRM-8751, IRM-8751-1, IRM-8751-2, IRM-8751-5, IRM-8752, IRM-8752-1, IRM-8752-2, IRM-8752-5, IRM-8753, IRM-8753-1, IRM-8753-2, IRM-8753-5, IRM-8755, IRM-8755-1, IRM-8755-2, IRM-8755-5, IRM-8861S, IRM-8871S, IRM-8881S, IRM-2638A, IRM-2638T, IRM-3638A, IRM-3638T, IRM-3638N3, IRM-2738, IRM-3738, IRM-2738T, IRM-3738T, IRM-3638TF4, IRM-2638F4,IRM-2638S5F4,IRM-2638S6F3, IRM-2638S8F5,IRM-2638S18,IRM-2638S17,IRM-V038T,IRM-H238/TR2,IRM-H238T/TR2,IRM-V538/TR2,IRM-V538T/TR2,IRM-H 538/TR2,IRM-H538T/TR2, IRM-H638T/TR2 光耦又分为：槽型光耦、反射式光耦、安规光耦等，品名例举： 安规光耦EL3H7 /A/B/C/D, EL354A, EL357 /A/B/C/D, EL357N/A/B/C/D, EL124N, EL817 /A/B/C/D, EL816 /A/B/C/D, EL814 /A, EL815, 4N29-30/31/32/33,H11B1/2/3/225,TIL113,H11AA1/2/3,H11A1/2/3/4/5,4N25/26/27/28,4N35/36/37,TIL111/117,CNY17-1/-2/-3/-4, MCT2/2E,CNY17F-1/-2/-3/-4,EL3031, EL3032, EL3033, EL3041, EL3041, EL3042, EL3043,EL3061, EL3062, EL3063, EL3081, EL3082, EL3083,EL3010, EL3012, EL3021, EL3022, EL3023, EL3051, EL3052, EL3053,H11L1, H11L2, H11L3,EL827 槽型光耦ITR8010, ITR8102, ITR8103, ITR8104, ITR8105, ITR8117, ITR9803, ITR9809-F/T, ITR9813, ITR9901, ITR9907, ITR20005-F, ITR20006, ITR20402, ITR20403, ITR9608/F, ITR9702-F, ITR9707, ITR8402-F-A, ITR9606-F 反射式光耦ITR8307, ITR8307/L24, ITR8307/TR8, ITR8308/L24/TR8, ITR8307/F43, ITR8307/L24/F43, ITR9904, ITR9909, ITR9908, ITR20001/T, ITR20002, ITR20004, ITR20004/L24, ITR20510/TR8, ITR2050