第8章 STC89C52单片机存储器扩展
STC单片机内部扩展RAM的应用

STC单片机内部扩展RAM的应用RAM是用来在程序运行中存放随机变量的数据空间,51单片机默认的内部RAM只有128字节,52单片机增加至256字节,STC89C52增加到512字节,STC89C54、55、58、516等增加到1280字节,对于编程者来说,一个芯片的RAM越多,写起程序来就越容易得心应手,不会总考虑RAM不够用而担心这担心那,连过多的变量都不敢定义。
在前面我们写程序时曾讲到过,如果定义一个变量后,不对这个变量进行初始化,这个变量默认的初值就是0,其实这个结论是需要一定的条件的,在用KEIL编写程序时,总程序中所有变量占用的字节之和小于128字节,并且存储器模式为small模式的前提下,对定义的变量不进行初始化时,编译器会默认将变量值设定为0。
一旦程序中的总变量超过128字节,必须对所有变量进行初始化,否则,没有被初始化的变量默认值将是不确定的。
当变量总和超过128字节时,必须还要在编译器中重新设定存储器的存储模式,存储器模式一共有3种,分别为small、compact和large模式,在KEIL编译器中有选项可进行选择,选项表如图4.4.1所示。
它决定了没有明确指定存储类型的变量、函数参数等数据的默认存储区域。
如果在某些函数中需要使用非默认的存储模式,也可以使用关健字直接说明。
下面对这三种模式分别做介绍。
1. small模式small模式中,所有缺省变量参数均装入单片机内部128字节RAM中,当定义类似如:uchar a; float b;等变量时,这些变量都装入内部128字节RAM中。
使用该模式的优点是访问速度快,缺点是空间有限,而且是对堆栈的空间分配比较少,难以把握,碰到需要递归调用的时候需要小心。
所以这种模式只适用于小程序。
2. compact模式compact模式中,所有缺省变量均位于单片机内部256字节RAM 中,和在small模式中使用关健字pdata来定义变量的效果相同,如:uchar pdata a[100];在该种模式下,程序总变量不得超过256字节,对于只有128字节的单片机,使用此模式定义变量超过128字节时,程序将出错。
STC89C52单片机用户手册

STC89C52单片机用户手册一、概述STC89C52 单片机是一款高性能、低功耗的 8 位微控制器,具有丰富的片内资源和强大的功能,广泛应用于各种电子设备和控制系统中。
二、主要特点1、增强型 8051 内核,指令代码完全兼容传统 8051 单片机。
2、工作电压范围宽,可在 38V 55V 之间正常工作。
3、片内集成 8K 字节的 Flash 程序存储器,可反复擦写 1000 次以上。
4、 512 字节的片内数据存储器(RAM)。
5、拥有 32 个可编程的 I/O 口,方便连接外部设备。
6、 3 个 16 位定时器/计数器,可用于定时、计数和脉冲宽度测量等功能。
7、 8 个中断源,包括 2 个外部中断、3 个定时器中断和 2 个串行口中断,具有两级中断优先级。
8、全双工串行通信接口(UART),可方便地与其他设备进行通信。
三、引脚功能1、 VCC:电源正极,接+5V 电源。
2、 GND:电源地。
3、 P0 口:8 位漏极开路双向 I/O 口,作为地址/数据总线分时复用口。
4、 P1 口:8 位准双向 I/O 口,具有内部上拉电阻。
5、 P2 口:8 位准双向 I/O 口,作为高 8 位地址总线。
6、 P3 口:8 位准双向 I/O 口,具有第二功能。
例如,P30 为串行输入口(RXD),P31 为串行输出口(TXD)等。
四、存储结构1、程序存储器STC89C52 单片机的程序存储器空间为 8K 字节,地址范围为0000H 1FFFH。
用于存放用户编写的程序代码。
2、数据存储器数据存储器分为内部数据存储器和外部数据存储器。
内部数据存储器包括低 128 字节的 RAM(地址范围为 00H 7FH)和高 128 字节的特殊功能寄存器(SFR,地址范围为 80H FFH)。
外部数据存储器最大可扩展至 64K 字节。
五、时钟与复位1、时钟电路STC89C52 单片机可以使用内部时钟和外部时钟。
内部时钟通过在XTAL1 和 XTAL2 引脚之间连接晶振和电容来产生时钟信号。
第8章 89C51单片机扩展存储器的设计

8.2 8.2
地址空间分配和外部地址锁存器
8.2.1 8.2.1 存储器地址空间分配 89C51发出的地址是用来选择某个存储器单元 发出的地址是用来选择某个存储器单元, 89C51发出的地址是用来选择某个存储器单元,要完成 这种功能,必须进行两种选择: 这种功能,必须进行两种选择: • “片选”; 片选” • “单元选择”。 单元选择” 常用的存储器地址分配的方法有两种: 1. 常用的存储器地址分配的方法有两种: • 线性选择法(简称线选法); 线性选择法(简称线选法) • 地址译码法(简称译码法):部分译码和全译码。 地址译码法(简称译码法) 部分译码和全译码。
8.1.2 8.1.2 构造系统总线 系统扩展的首要问题是构造系统总线; 系统扩展的首要问题是构造系统总线; 构造系统总线 然后再往系统总线上“ 然后再往系统总线上“挂”存储器芯片或I/O接 存储器芯片或I/O接 I/O 口芯片( 口芯片(“挂”存储器芯片就是存储器扩展, 存储器芯片就是存储器扩展, “挂”I/O接口芯片就是I/O扩展); I/O接口芯片就是I/O扩展); 接口芯片就是I/O扩展 89C51扩展的三总线如8 所示。 89C51扩展的三总线如8-2所示。 扩展的三总线如
1.常用的EPROM芯片 1.常用的EPROM芯片 常用的EPROM 引脚功能如下: 引脚功能如下: A0~A15: A0~A15:地址线引脚 D7~D0: D7~D0:数据线引脚 CE*:片选输入端 OE* :输出允许控制端 编程时, PGM*:编程时,加编程脉冲的输入端 Vpp:编程时,编程电压(+12V +25V Vpp:编程时,编程电压(+12V或+25V)输入端 Vcc:+5V,芯片的工作 工作电压 Vcc:+5V,芯片的工作电压 GND: GND:数字地 NC: NC:无用端
单片机内部RAM的扩展

STC单片机内部扩展RAM的应用作者:郭天祥来源:原创更新时间:2008-11-27 21:19:35 浏览次数:5803RAM是用来在程序运行中存放随机变量的数据空间,51单片机默认的内部RAM只有128字节,52单片机增加至256字节,STC89C52增加到512字节,STC89C54、55、58、516等增加到1280字节,对于编程者来说,一个芯片的RAM越多,写起程序来就越容易得心应手,不会总考虑RAM不够用而担心这担心那,连过多的变量都不敢定义。
在前面我们写程序时曾讲到过,如果定义一个变量后,不对这个变量进行初始化,这个变量默认的初值就是0,其实这个结论是需要一定的条件的,在用KEIL编写程序时,总程序中所有变量占用的字节之和小于128字节,并且存储器模式为small模式的前提下,对定义的变量不进行初始化时,编译器会默认将变量值设定为0。
一旦程序中的总变量超过128字节,必须对所有变量进行初始化,否则,没有被初始化的变量默认值将是不确定的。
当变量总和超过128字节时,必须还要在编译器中重新设定存储器的存储模式,存储器模式一共有3种,分别为small、compact和large模式,在KEIL编译器中有选项可进行选择,选项表如图4.4.1所示。
它决定了没有明确指定存储类型的变量、函数参数等数据的默认存储区域。
如果在某些函数中需要使用非默认的存储模式,也可以使用关健字直接说明。
下面对这三种模式分别做介绍。
1. small模式small模式中,所有缺省变量参数均装入单片机内部128字节RAM中,当定义类似如:uchar a; float b;等变量时,这些变量都装入内部128字节RAM中。
使用该模式的优点是访问速度快,缺点是空间有限,而且是对堆栈的空间分配比较少,难以把握,碰到需要递归调用的时候需要小心。
所以这种模式只适用于小程序。
2. compact模式compact模式中,所有缺省变量均位于单片机内部256字节RAM中,和在small模式中使用关健字pdata 来定义变量的效果相同,如:uchar pdata a[100];在该种模式下,程序总变量不得超过256字节,对于只有128字节的单片机,使用此模式定义变量超过128字节时,程序将出错。
(完整版)STC89C52单片机详细介绍

STC89C52是一种带8K字节闪烁可编程可檫除只读存储器(FPEROM-Flash Programable and Erasable Read Only Memory )的低电压,高性能COMOS8的微处理器,俗称单片机。
该器件采用ATMEL 搞密度非易失存储器制造技术制造,与工业标准的MCS-51指令集和输出管脚相兼容。
单片机总控制电路如下图4—1:图4—1单片机总控制电路1.时钟电路STC89C52内部有一个用于构成振荡器的高增益反相放大器,引脚RXD和TXD分别是此放大器的输入端和输出端。
时钟可以由内部方式产生或外部方式产生。
内部方式的时钟电路如图4—2(a) 所示,在RXD和TXD引脚上外接定时元件,内部振荡器就产生自激振荡。
定时元件通常采用石英晶体和电容组成的并联谐振回路。
晶体振荡频率可以在1.2~12MHz之间选择,电容值在5~30pF之间选择,电容值的大小可对频率起微调的作用。
外部方式的时钟电路如图4—2(b)所示,RXD接地,TXD接外部振荡器。
对外部振荡信号无特殊要求,只要求保证脉冲宽度,一般采用频率低于12MHz的方波信号。
片内时钟发生器把振荡频率两分频,产生一个两相时钟P1和P2,供单片机使用。
示,RXD接地,TXD接外部振荡器。
对外部振荡信号无特殊要求,只要求保证脉冲宽度,一般采用频率低于12MHz的方波信号。
片内时钟发生器把振荡频率两分频,产生一个两相时钟P1和P2,供单片机使用。
RXD接地,TXD接外部振荡器。
对外部振荡信号无特殊要求,只要求保证脉冲宽度,一般采用频率低于12MHz的方波信号。
片内时钟发生器把振荡频率两分频,产生一个两相时钟P1和P2,供单片机使用。
(a)内部方式时钟电路(b)外部方式时钟电路图4—2时钟电路2.复位及复位电路(1)复位操作复位是单片机的初始化操作。
其主要功能是把PC初始化为0000H,使单片机从0000H单元开始执行程序。
除了进入系统的正常初始化之外,当由于程序运行出错或操作错误使系统处于死锁状态时,为摆脱困境,也需按复位键重新启动。
第8章___89C51单片机扩展存储器的设计

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第8章 89C51单片机扩展存储器的设计
例8-3 采用译码器法扩展2片8KB EPROM,2片8KB RAM。EPROM选
用2764,RAM选用6264。共扩展4片芯片。扩展接口电路见图8-21。
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第8章 89C51单片机扩展存储器的设计
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第8章 89C51单片机扩展存储器的设计
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第8章 89C51单片机扩展存储器的设计
G1 G2A* G2B* C B A Y7 Y6 Y5Y4 Y3 Y2Y1Y0
由表当译码器的输入为某一固定编码时,其输出仅有一个固定的引 脚输出为低电平,其余的为高电平。而输出为低电平的引脚就作为 某一存储器芯片的片选端的控制信号。
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第8章 89C51单片机扩展存储器的设计
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第8章 89C51单片机扩展存储器的设计
3.控制信号线 2. 以P2口的口线作为高位地 1.以P0口作为低8位地址/数
(1)PSEN*信号作为外扩程序 址线 据总线
存储器的读选通控制信号。 P2口的全部8位口线用作高位 AT89C51由于受引脚数目的限 (2)RD*和WR*信号作为外扩 地址线,再加上P0口经地址锁 制,数据线和低8位地址线复
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第8章 89C51单片机扩展存储器的设计
8.4.3
AT89C51与RAM的接口电路设计
图8-18为线选法扩展外部数据存储器的电路。
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第8章 89C51单片机扩展存储器的设计
地址线为A0~A12,故8031剩余地址线为三根。用线选法可扩展3 片6264。3片6264对应的存储器空间如表8-7。
例 要扩8片8KB的RAM 6264,如何通过74LS138把64KB空间分配给
STC89C52单片机存储器扩展

8.1 系统扩展结构 8.2 地址锁存与地址空间分配 8.3 程序存储器的扩展 8.4 数据存储器的扩展 8.5 EPROM和RAM的综合扩展
8.1 系统扩展结构
为减少连接线,简化组成结构,可把具有共性的连线归并成 一组公共连线,即总线——传送信息的公共通道(BUS)。
STC89C52为减少引脚数量,采用了复用P0口方案,即P0口兼作数据 线和低8位地址线,为了将地址和数据信息区分开来,需要在P0口外 部增加地址锁存器,即将地址信息的低8位锁存后输出。
STC89C52RC的4个并行I/O口,由于系 统扩展的需要,能够真正作为数字I/O使用, 就剩下P1和P3的部分口线了。
STC89C52单片机发出的地址码用于选择某个存储器 单元,在这个过程中单片机必须进行两种选择:一是选 中该存储器芯片,称为“片选”,未被选中的芯片不能 被访问。二是在“片选”的基础上再根据单片机发出的 地址码来对“选中” 芯片的某一单元进行访问,即“单 元选择”。为实现片选,存储器芯片都有片选引脚。同 时也都有多条地址线引脚,以便进行单元选择。注意, “片选”和“单元选择”都是单片机通过地址线一次发 出的地址信号来完成选择的。
I/O口方式(非总线方式 )
例如:MOVX A, @DPTR
I/O口方式——采用片内RAM
(片外RAM 0~0FFFFH) 指令访问外设
例如:MOV A,P0
STC89C52单片机没有专用总线引脚,而是采用了I/O引脚兼
作总线引脚的方案。
STC89C52单片机的存储器扩展即包括程序存储 器扩展又包括数据存储器扩展。AT89S51单片 机采用程序存储器空间和数据存储器空间截然 分开的哈佛结构。扩展后,系统形成了两个并 行的外部存储器空间。
第8章 89C51单片机的系统扩展

任意
H L H
高阻
DIN DOUT
正脉冲
L L
高阻
注:L:TTL低电平;H:TTL高电平;DOUT:数据输出; DIN:数据输入。
2、2732EPROM存储器 2732是4K×8紫外线擦除电可编程只读存储 器。单一+5V供电,最大工作电流为100mA, 维持电流为35mA,读出时间为250ns。引脚如 图8-2。
CE
OE WE RDY/BUSY N.C.
写入使能
器件忙闲状态指示 空脚
图8-6 2817A引脚图
2817A的3种工作方式见表8-6。
表8-6 2817A工作方式选择(VCC = +5V)
方 引
式 读 维持 字节写入 字节擦除 脚
CE (20) L OE (22) L WE (27) H 任意 L
输入/输出
(11~13,15~19) DOUT
×
H
高阻
DIN DOUT
L L
L
注:DATA查询为数据查询方式。
8.1.3 典型程序存储器的扩展方法
1、程序存储器扩展方法
i=N-8
P2.0~P2.i
N~7 A8~AN
ALE 89C51 +5V EA 8 P0 PSEN
锁 存 器
8 A0~A7 EPROM 8 CE D0~D7 OE
VCC
输出
(28) (11~13,15~19) 5V 5V 6V 6V 6V DOUT
任意
H L 任意
任意
L H 任意
高阻
DIN DOUT
L
L H
编程检验 编程禁止
高阻
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Tankertanker Design
STC89C52对片外ROM的操作时序分两种,即执行非MOVX指 令的时序和执行MOVX指令的时序。 1.应用系统无片外RAM
P0口作为地址/数据复用的双向总线,用于输入指令或 输出程序存储器的低8位地址PCL。
P2口专门用于输出程序存储器的高8位地址PCH。P0口分 时复用,故首先要将P0口输出的低8位地址PCL锁存在锁存器 中,然后P0口再作为数据口。在每个机器周期中,允许地址 锁存两次有效,ALE在下降沿时,将P0口的低8位地址PCL锁 存在锁存器中。
向ROM中写入信息称为ROM编程。根据编程方式不同 ,分为以下几种。
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(1)掩模ROM。在制造过程中编程,是以掩模工艺实现的,因此称为掩 模ROM。这种芯片存储结构简单,集成度高,但由于掩模工艺成本较 高,因此只适合于大批量生产。
(2)可编程ROM(PROM)。芯片出厂时没有任何程序信息,用独立的编 程器写入。但PROM只能写一次,写入内容后,就不能再修改。
138真值表
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(2)74LS139 双2线-4线译码器。这两个译码器完全独立,分别有各自的
数据输入端、译码状态输出端以及数据输入允许。
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例:若需外扩8片8KB的RAM 6264,如全何地通址过译74码LS,138把64KB
空间分配给各个芯片?
STC89C52单片机P0口与74LS373的连接
2.锁存器74LS573
是一种带有三态门的 8D锁存器,功能及内部结 构与74LS373完全一样,只 是其引脚排列与74LS373不 同。与74LS373相比,
74LS573的输入D端和输出Q 端依次排列在芯片两侧, 为绘制印制电路板提供方 便。
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•
本书讲解时把单片机系统的地址线笼统地分为低位地
址线和高位地址线,片选都是使用高位地址线。实际上,
16条地址线中的高、低位地址线的数目并不是固定的,只
是习惯上把用于 “单元选择”的地址线,都称为低位地
址线,其余的为高位地址线。
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总线方式
总线方式——采用片外RAM 指令访问外设
例如:MOVX A, @DPTR (片外RAM 0~0FFFFH)
I/O口方式(非总线方式 )
I/O口方式——采用片内RAM 指令访问外设
例如:MOV A,P0
STC89C52单片机没有专用总线引脚,而是采用了I/O引脚兼 作总线引脚的方案。
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•
由于超大规模集成电路制造工艺的发展,芯片集成
度愈来愈高,扩展程序存储器时使用的ROM芯片数量越来
越少,因此芯片的选择多采用线选法,而地址译码法用的
渐少。并且目前许多单片机生产厂家生产的8051内核的单
片机,在芯片内部集成了数量不等的Flash ROM,如
STC89C51RC/RD+系列单片机内部集成了8KB~64KB的Flash
址空间块划分为不等的块,可采用可编程逻辑器件FPGA
对其编程来代替译码器进行非线性译码。
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8.3 程序存储器的扩展 外部程序存储器的种类单一,常采用只读存储器。只
读存储器简称ROM(Read Only Memory)。ROM中的信息一 旦写入,就不能随意更改,特别是不能在程序运行过程中 写入新的内容。ROM在电源关断后,仍能保存程序(我们 称此特性为非易失性的),在系统上电后,CPU可取出这 些指令重新执行。
STC89C52单片机发出的地址码用于选择某个存储 器单元,在这个过程中单片机必须进行两种选择:一是 选中该存储器芯片,称为“片选”,未被选中的芯片不 能被访问。二是在“片选”的基础上再根据单片机发出 的地址码来对“选中” 芯片的某一单元进行访问,即 “单元选择”。为实现片选,存储器芯片都有片选引脚。 同时也都有多条地址线引脚,以便进行单元选择。注意, “片选”和“单元选择”都是单片机通过地址线一次发 出的地址信号来完成选择的。
(3)EPROM。用紫外线擦除,用电信号编程。在芯片外壳的中间位置有 一个圆形窗口,对该窗口照射紫外线就可擦除原有的信息。使用编程 器可将调试完毕的程序写入。
(4)E2PROM(EEPROM)。一种用电信号编程,也用电信号擦除的ROM芯 片。对E2PROM的读写操作与RAM存储器几乎没有什么差别,只是写入 的速度慢一些,但断电后仍能保存信息。
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导通 锁存 隔离
结构:内部由8路D触发器和8个三态缓冲器组成。 原理:/OE端为低电平时,D端信号在 G端正脉冲作用下实
现“接通-锁存-隔离”功能。
74LS373的引脚 373功能表
引脚说明:
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• D7~D0:8位数据输入线,
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STC89C52RC的4个并行I/O口,由于系 统扩展的需要,能够真正作为数字I/O使用 ,就剩下P1和P3的部分口线了。
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8.2 地址锁存与地址空间分配 8.2.1 地址锁存
目前,常用的地址锁存器芯片有74LS373、 74HC373,74LS573等。在每个机器周期,ALE两次有效, 可以利用地址锁存器在ALE的下降沿将P0口输出的地址信 息锁存,当ALE转为低电平时,P0输出8位数据信息。 1.锁存器74LS373----带有三态输出门的8D触发器
ROM,能满足绝大多数用户的需要,性价比高。
•
在片内集成的Flash ROM满足要求的情况下
,用户没有必要再扩展外部程序存储器。
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8.3.1 外扩程序存储器的操作时序 STC89C52单片机访问片外扩展的程序存储器时,所用
的控制信号有以下3种。 1.ALE :用于低8位地址锁存控制。 2.PSEN :片外程序存储器“读选通”控制信号。它接
地址有重叠吗?
P2.7、P2.6、P2.5(高3位地址线)分别接74LS138的C、B、A端,由 于对高3位地址译码,这样译码器有8个输出分别接到8片6264的各 “片选” 端,实现8选1的片选。 低13位地址(P2.4~P2.0,P0.7~P0.0)完成对选中的6264芯片中的 各个存储单元的“单元选择”。
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8.2.2 地址空间分配 实际系统设计中,既需要扩展程序存储器,又需要
扩展数据存储器,如何把片外的两个64KB地址空间分配 给各个程序存储器、数据存储器芯片,使一个存储单元 只对应一个地址,避免单片机发出一个地址时,同时访 问两个单元,发生数据冲突。这就是存储器地址空间分 配问题。
外扩EPROM的引脚。 3. EA :片内、片外程序存储器访问的控制信号。当EA
=1时,在单片机发出的地址小于片内程序存储器最大地址 时,访问片内程序存储器;当 EA=0时,只访问片外程序 存储器。
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扩展的片外RAM 的最大容量也为64KB,地址为0000H ~FFFFH。但由于STC89C52采用不同的控制信号和指令( CPU对ROM的读操作由PSEN 控制,指令用MOVC类;CPU对RAM 读、写操作分别用 RD 和WR 控制,指令用MOVX),所以, 尽管ROM与RAM的地址是重叠的,也不会发生混乱。
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•
在本例中,如果Y将7 接到一片6116,芯片容量只有
2KB,那么E000H~E7FFH,E800H~EFFFH,F000H~F7FFH
,F800H~FFFFH这4个2KB空间都对应6116芯片,也就是
说,即使采用全地址译码法,也仍然会有地址重叠现象
。 采用译码器划分的地址空间块都是相等的,如果将地
全部高位地址线都参加译码,称为全译码;若仅部分高位 地址线参加译码,称为部分译码。部分译码存在着部分存 储器地址空间相重叠的情况。 (1)74LS138
3线-8线译码器,有3个数据输入端,经译码产生8种 状态。
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当一个选通端为G1为高电平,且 另外两个选通端 G2A和 G2B 为低电平时, 可将输入端C、B、A的二进制编码在一 个对应的引脚输出端以低电平译出,其 余引脚输出均为高电平。此时,可将输 出为低电平的引脚作为某一存储器芯片 的片选信号。
线选法的优点是电路简单,不需要另外增加地址译 码器硬件电路,体积小,成本低。缺点是可寻址的芯 片数目受到限制,芯片之间地址不连续,地址空间没 有充分利用。
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2.译码法---适合于多芯片扩展. 使用译码器对AT89S51单片机的高位地址进行译码,译
码输出作为存储器芯片的片选信号。 译码法的优点是能够有效地利用存储器空间. 常用的译码器芯片有74LS138、74LS139和74LS154。若
Tankertanker Design
第八章 STC89C52单片机存储器的扩展
8.1 系统扩展结构 8.2 地址锁存与地址空间分配 8.3 程序存储器的扩展 8.4 数据存储器的扩展 8.5 EPROM和RAM的综合扩展
8.1 系统扩展结构
Tankertanker Design
为减少连接线,简化组成结构,可把具有共性的连线归并成 一组公共连线,即总线——传送信息的公共通道(BUS)。
• Q7~Q0:8位数据输出线。
• G:数据输入锁存选通信号。当 加到该引脚的信号为高电平时, 外部数据选通到内部锁存器,负 跳变时,数据锁存到锁存器中。