模电重点
模电各章重点内容及总复习.
《模电》第一章重点掌握内容：一、概念1、半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。
2、半导体奇妙特性：热敏性、光敏性、掺杂性。
3、本征半导体：完全纯净的、结构完整的、晶格状的半导体。
4、本征激发：环境温度变化或光照产生本征激发，形成电子和空穴，电子带负电，空穴带正电。
它们在外电场作用下均能移动而形成电流，所以称载流子。
5、P型半导体：在纯净半导体中掺入三价杂质元素，便形成P型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，空穴为多数载流子（称多子）而电子为少子。
6、N型半导体：在纯净半导体中掺入五价杂质元素，便形成N型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，电子为多子、而空穴为少子。
7、PN结具有单向导电性：P接正、N接负时（称正偏），PN结正向导通，P接负、N接正时（称反偏），PN结反向截止。
所以正向电流主要由多子的扩散运动形成的，而反向电流主要由少子的漂移运动形成的。
8、二极管按材料分有硅管(S i管)和锗管(G e管)，按功能分有普通管，开关管、整流管、稳压管等。
9、二极管由一个PN结组成，所以二极管也具有单向导电性：正偏时导通，呈小电阻，大电流，反偏时截止，呈大电阻，零电流。
其死区电压：S i管约0。
5V，G e管约为0。
1 V ，其死区电压：S i管约0.5V，G e管约为0.1 V 。
其导通压降：S i管约0.7V，G e管约为0.2 V 。
这两组数也是判材料的依据。
10、稳压管是工作在反向击穿状态的：①加正向电压时，相当正向导通的二极管。
（压降为0.7V，）②加反向电压时截止，相当断开。
③加反向电压并击穿（即满足U﹥U Z）时便稳压为U Z。
11、二极管主要用途：整流、限幅、继流、检波、开关、隔离（门电路）等。
二、应用举例：（判二极管是导通或截止、并求有关图中的输出电压U0。
三极管复习完第二章再判）参考答案：a、因阳极电位比阴极高，即二极管正偏导通。
是硅管。
b 、二极管反偏截止。
f 、因V的阳极电位比阴极电位高，所以二极管正偏导通，（将二极管短路）使输出电压为U0=3V 。
模电重点
模电重点1、导言知识点：电子技术发展与应用概况；电信号、电子信息系统；电子电路的计算机辅助分析与设计软件介绍。
重点：了解电子技术和电子技术基础课程的特点；PSPICE程序的基本结构和使用方法。
2、集成运放及其基本应用知识点：放大的概念和放大电路的性能指标；集成运算放大器；理想运放的特点；“虚短”、“虚断”的概念；比例、加减、积分、微分电路的工作原理及运算关系；电压比较器原理。
重点：基本运算电路和电压比较器的分析方法；“虚短”、“虚断”的概念。
3、半导体二极管及其基本应用电路知识点：半导体基础知识；半导体二极管的特性曲线、主要参数的物理意义；二极管基本应用电路；稳压二极管和发光二极管特点及应用。
重点：半导体二极管的特性曲线、主要参数的物理意义；二极管应用电路。
4、晶体三极管及其基本放大电路知识点：晶体三极管的结构、类型、放大作用、特性曲线、主要参数的物理意义及温度影响；放大电路的组成原则和基本分析法；饱和失真与截止失真；工作点及其稳定；放大电路三组态特点；放大电路频率响应的基本概念、上下限频率及带宽的概念、波特图。
重点：基本放大电路的静态工作点和动态参数的分析法；放大电路三组态特点；放大电路的频率响应。
难点：基本放大电路的基本分析法；放大电路的频率响应。
5、场效应管及其基本放大电路知识点：场效应管的结构、类型、特性曲线、主要参数、与晶体管的比较；放大电路的组成和基本分析法；场效应管放大电路的频率响应。
重点：场效应管的结构、类型、特性曲线、主要参数、与晶体管的比较；放大电路的分析。
难点：场效应管及其基本放大电路的特点。
6、集成运算放大电路知识点：多级放大电路构成、耦合方式、分析方法、频率响应；差分放大电路构成、作用、分析方法；功率放大基本概念、功率放大电路的组成原则、OCL的工作原理、各类型功率放大电路的特点、最大输出功率和效率、功放管的选择方法、集成功率放大电路；电流源电路的原理；集成运放的组成及各部分作用、主要指标的物理意义及使用注意事项、重点：多级放大电路耦合方式特点；差分放大电路作用；功率放大电路的基本概念、最大输出功率和效率的计算、功放管的选择；集成运放主要指标的物理意义及使用注意事项。
模电重点总结~~复习必备~~(1)
模电重点总结~~复习必备~~(1)一、放大器1. 放大器基础放大器分类、放大器的基本结构、反馈电路2. 放大器的性能指标增益、带宽、输入和输出阻抗、通用性、线性度、噪声系数3. 放大器常见电路共射放大电路、共基放大电路、共集放大电路4. 放大器的偏置电路固定偏置电路、随源电阻分压偏置电路、随恒流源电路二、运算放大器1. 运算放大器基本结构反相放大器、非反相放大器、比例运算放大器、积分放大器、微分放大器2. 运算放大器电路问题输入偏移电压、输入偏移电流、失调电流3. 运算放大器通用电路加法器、减法器、积分器、微分器三、滤波器1. 滤波器基本分类根据频带分类、根据频率特性分类2. RC滤波器低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器、带阻滤波器3. LC滤波器低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器、带阻滤波器四、功率放大器1. 功率放大器分类A类功率放大器、B类功率放大器、AB类功率放大器、C类功率放大器2. 音频功率放大器电路二极管偏置电路、鼓输电路、交叉驱动电路3. 大功率放大器大功率功率放大器稳定性、大功率功率放大器保护电路五、信号发生器1. 信号发生器分类非晶体管信号发生器、晶体管信号发生器、数字信号发生器2. 信号发生器常见电路RC振荡电路、震荡电路、Quartz晶体振荡器3. 信号发生器的性能指标频率稳定度、频率准确度、频率分辨率、波形失真度、输出阻抗以上是模拟电子电路的重点总结，希望对大家的学习有所帮助。
对于这些知识点，需要不断地进行反复学习和练习。
掌握这些基础知识对于未来的电子工程师是非常重要的。
模电重点
模电基础知识一、填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。
2、漂移电流是（反向）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。
3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（零），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷大），等效成断开；4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。
6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（增大），发射结压降（减小）。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共集电极）、（共发射极）、（共基极）放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（直流）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（交流）负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（A/1+AF），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（1/F ）。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（1+AF）BW，其中BW=（fh-fl ），（1+AF ）称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（共模）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（差模）信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙）类互补功率放大器。
13、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路；OTL电路是（单）电源互补功率放大电路。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（近似于1 ），输入电阻（大），输出电阻（小）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制（零点）漂移，也称（温度）漂移，所以它广泛应用于（集成）电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（调波），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（载流信号）。
17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（KUxUy ）1、1、P型半导体中空穴为（多数）载流子，自由电子为（少数）载流子。
模电知识点总结讲义
模电知识点总结讲义第一部分：基本概念1. 电子元件电子元件是指能处理信息的基本部件，包括电阻、电容、电感、二极管、晶体管等。
- 电阻：用于限制电流或降低电压的元件。
- 电容：用于储存电荷或储存能量的元件。
- 电感：用于储存磁场能量或阻碍电流变化的元件。
- 二极管：用于整流、开关、放大等功能的元件。
- 晶体管：用于放大、开关、稳压等功能的元件。
2. 电路电路是由电子元件连接而成的路径，用于传输电流或信号。
- 直流电路：电流方向不变的电路。
- 交流电路：电流方向时而正时而负的电路。
- 数字电路：用于处理数字信号的电路。
- 模拟电路：用于处理模拟信号的电路。
3. 电路分析电路分析是指根据电路中元件的特性和连接关系，计算电压、电流等参数的过程。
- 基尔霍夫定律：电路中各节点的电流代数和为零。
- 欧姆定律：电流与电压成正比，电阻是电压和电流的比值。
- 诺顿定理：任意线性电路均可用一个等效的电压源和串联电阻来替代。
- 戴维南定理：任意线性电路均可用一个等效的电流源和并联电阻来替代。
4. 信号处理信号是指传输信息的载体，信号处理是对信号进行增强、滤波、调制等操作的过程。
- 放大器：用于增强信号幅度的电路。
- 滤波器：用于去除或增强特定频率的电路。
- 调制器：用于将低频信号调制到高频载波上的电路。
第二部分：放大器1. 放大器类型- 基本放大器：包括共射、共集、共底极等类型。
- 差分放大器：用于抑制共模信号的放大器。
- 电压跟随器：用于输出跟随输入信号的放大器。
2. 放大器设计- 选型：根据放大器的功率、频率、噪声等性能要求选择适当的器件。
- 偏置：通过电阻、电容等元件来设置放大器工作点。
- 反馈：通过串联或并联的电阻、电容等元件来控制放大器的增益、带宽等性能。
3. 放大器应用- 信号放大：用于将传感器输出的微弱信号放大到可测量范围。
- 信号传输：用于增强信号以便传输到远处或驱动加载。
第三部分：滤波器1. 滤波器类型- 低通滤波器：允许低频信号通过，阻断高频信号。
模电知识点识点总结
模电知识点识点总结一、电路分析电路分析是模拟电子技术中的基础知识点，它涉及到电路的基本元件、电路定律、戴维南定理、诺顿定理、等效电路、交流电路分析等内容。
在电路分析中，学生需要掌握电路元件的特性和参数，熟练掌握欧姆定律、基尔霍夫电压定律、基尔霍夫电流定律等基本定律，能够准确分析电路中的电压、电流和功率等参数。
二、放大电路放大电路是模拟电子技术中的重要内容之一，它是指通过放大器将输入信号放大的过程。
学生需要掌握放大器的基本分类、放大器的基本参数、放大器的频率特性等知识，理解放大器的工作原理，能够设计各种类型的放大电路。
三、模拟信号处理模拟信号处理是模拟电子技术中的核心内容之一，它涉及到模拟信号的获取、处理、传输和存储等过程。
学生需要掌握模拟信号的采样定理、量化处理、模拟信号滤波等知识，能够设计模拟信号处理系统，提高模拟信号处理的质量和效率。
四、模拟滤波器设计滤波器是模拟电子技术中的重要内容之一，它是指用于对信号进行滤波处理的电路。
学生需要掌握滤波器的分类、滤波器的性能指标、滤波器的设计方法等知识，能够设计各种类型的模拟滤波器，提高信号的质量和准确性。
五、集成电路设计集成电路设计是模拟电子技术中的核心内容之一，它涉及到集成电路的设计原理、工艺流程、器件制造等一系列内容。
学生需要掌握集成电路的基本结构、工作原理、设计方法等知识，能够设计各种类型的集成电路，提高集成电路的性能和可靠性。
总之，模拟电子技术是电子工程中非常重要的一门课程，它涉及到电路分析、放大电路、模拟信号处理、模拟滤波器设计、集成电路设计等方面的知识。
学生在学习模拟电子技术的过程中，需要注重理论与实践相结合，通过实验和项目设计来提高自己的技能水平，从而更好地应用模拟电子技术知识解决实际问题。
模电各章重点内容及总复习带试题和答案综述
《模电》第一章重点掌握内容：一、概念1、半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。
2、半导体奇妙特性：热敏性、光敏性、掺杂性。
3、本征半导体：完全纯净的、结构完整的、晶格状的半导体。
4、本征激发：环境温度变化或光照产生本征激发，形成电子和空穴，电子带负电，空穴带正电。
它们在外电场作用下均能移动而形成电流，所以称载流子。
5、P型半导体：在纯净半导体中掺入三价杂质元素，便形成P型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，空穴为多数载流子（称多子）而电子为少子。
6、N型半导体：在纯净半导体中掺入五价杂质元素，便形成N型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，电子为多子、而空穴为少子。
7、PN结具有单向导电性：P接正、N接负时（称正偏），PN结正向导通，P接负、N接正时（称反偏），PN结反向截止。
所以正向电流主要由多子的扩散运动形成的，而反向电流主要由少子的漂移运动形成的。
8、二极管按材料分有硅管(S i管)和锗管(G e管)，按功能分有普通管，开关管、整流管、稳压管等。
9、二极管由一个PN结组成，所以二极管也具有单向导电性：正偏时导通，呈小电阻，大电流，反偏时截止，呈大电阻，零电流。
其死区电压：S i管约0。
5V，G e管约为0。
1 V ，其死区电压：S i管约0.5V，G e管约为0.1 V 。
其导通压降：S i管约0.7V，G e管约为0.3 V 。
这两组数也是判材料的依据。
10、稳压管是工作在反向击穿状态的：①加正向电压时，相当正向导通的二极管。
（压降为0.7V，）②加反向电压时截止，相当断开。
③加反向电压并击穿（即满足U﹥U Z）时便稳压为U Z。
11、二极管主要用途：整流、限幅、继流、检波、开关、隔离（门电路）等。
二、应用举例：（判二极管是导通或截止、并求有关图中的输出电压U0。
三极管复习完第二章再判）参考答案：a、因阳极电位比阴极高，即二极管正偏导通。
是硅管。
b 、二极管反偏截止。
f 、因V的阳极电位比阴极电位高，所以二极管正偏导通，（将二极管短路）使输出电压为U0=3V 。
模电必考知识点总结
模电必考知识点总结一、基本电路理论1. 电路基本定律欧姆定律、基尔霍夫定律、电路中的功率计算等基本电路定律是模拟电子技术学习的基础，了解和掌握这些定律对于学习模拟电子技术是非常重要的。
2. 电路分析了解如何对电路进行简化、等效电路的转换、戴维南定理和诺依曼定理等电路分析的基本方法。
3. 电路稳定性掌握电路的稳定性分析方法，包括如何对直流放大电路和交流放大电路进行稳定性分析。
4. 传输线理论了解传输线的基本特性，包括传输线的阻抗、反射系数、传输线的匹配等知识。
二、放大电路1. 二极管放大电路了解二极管的基本特性和放大电路的设计原理，包括共射放大电路、共集放大电路和共基放大电路等基本的二极管放大电路。
2. 晶体管放大电路了解晶体管放大电路的基本原理和设计方法，包括共射放大电路、共集放大电路和共基放大电路等基本的晶体管放大电路。
3. 放大电路的频率响应了解放大电路的频率响应特性，包括截止频率、增益带宽积等相关知识。
4. 反馈电路掌握反馈电路的基本原理和分类，了解正反馈和负反馈电路的特点和应用。
三、运算放大电路1. 运算放大器的基本特性了解运算放大器的基本特性，包括输入输出阻抗、放大倍数、共模抑制比等相关知识。
2. 运算放大器的电路应用了解运算放大器在反馈电路、比较电路、滤波电路、振荡电路等方面的应用，掌握运算放大器的基本应用方法。
四、滤波器电路1. RC滤波器和RL滤波器了解RC滤波器和RL滤波器的基本原理、特性和应用，包括一阶和二阶滤波器的设计和性能分析。
2. 增益电路和阻抗转换电路掌握增益电路和阻抗转换电路的设计原理和方法，了解它们在滤波电路中的应用。
3. 模拟滤波器设计了解低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和带阻（陷波）滤波器的设计方法和特性，掌握模拟滤波器的设计技巧。
五、功率放大电路1. BJT功率放大电路了解晶体管功率放大电路的基本原理和设计方法，包括类A、类B、类AB和类C功率放大电路的特点和应用。
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第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
*三种模型微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
第二章三极管及其基本放大电路一. 三极管的结构、类型及特点1.类型---分为NPN和PNP两种。
2.特点---基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。
二. 三极管的工作原理1. 三极管的三种基本组态2. 三极管内各极电流的分配* 共发射极电流放大系数 (表明三极管是电流控制器件式子称为穿透电流。
3. 共射电路的特性曲线*输入特性曲线---同二极管。
* 输出特性曲线(饱和管压降，用U CES表示放大区---发射结正偏，集电结反偏。
截止区---发射结反偏，集电结反偏。
4. 温度影响温度升高，输入特性曲线向左移动。
I CEO、I C以及β均增加。
温度升高I三. 低频小信号等效模型（简化）h ie---输出端交流短路时的输入电阻，常用r be表示；h fe---输出端交流短路时的正向电流传输比，常用β表示；四. 基本放大电路组成及其原则1. VT、V CC、R b、R c 、C1、C2的作用。
2.组成原则----能放大、不失真、能传输。
五. 放大电路的图解分析法1. 直流通路与静态分析*概念---直流电流通的回路。
*画法---电容视为开路。
*作用---确定静态工作点*直流负载线---由V CC=I C R C+U CE确定的直线。
*电路参数对静态工作点的影响1）改变R b：Q点将沿直流负载线上下移动。
2）改变R c：Q点在I BQ所在的那条输出特性曲线上移动。
3）改变V CC：直流负载线平移，Q点发生移动。
2. 交流通路与动态分析*概念---交流电流流通的回路*画法---电容视为短路,理想直流电压源视为短路。
*作用---分析信号被放大的过程。
*交流负载线--- 连接Q点和V CC’点V CC’= U CEQ+I CQ R L’的直线。
3. 静态工作点与非线性失真（1）截止失真*产生原因---Q点设置过低*失真现象---NPN管削顶，PNP管削底。
*消除方法---减小R b，提高Q。
（2）饱和失真*产生原因---Q点设置过高*失真现象---NPN管削底，PNP管削顶。
*消除方法---增大R b、减小R c、增大V CC 。
4. 放大器的动态范围（1）U opp---是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。
（2）范围*当（U CEQ－U CES）＞（V CC’ － U CEQ）时，受截止失真限制，U OPP=2U OMAX=2I CQ R L’。
*当（U CEQ－U CES）＜（V CC’ － U CEQ）时，受饱和失真限制，U OPP=2U OMAX=2 （U CEQ－U CES）。
*当（U CEQ－U CES）＝（V CC’ － U CEQ），放大器将有最大的不失真输出电压。
六. 放大电路的等效电路法1.静态分析（1）静态工作点的近似估算（2）Q点在放大区的条件欲使Q点不进入饱和区，应满足R B＞βRc。
2.放大电路的动态分析* 放大倍数* 输入电阻* 输出电阻七. 分压式稳定工作点共射放大电路的等效电路法1．静态分析2．动态分析*电压放大倍数在R e两端并一电解电容C e后输入电阻在R e两端并一电解电容C e后* 输出电阻八. 共集电极基本放大电路1．静态分析2．动态分析* 电压放大倍数* 输入电阻* 输出电阻3. 电路特点* 电压放大倍数为正，且略小于1，称为射极跟随器，简称射随器。
* 输入电阻高，输出电阻低。
第三章场效应管及其基本放大电路一. 结型场效应管（ JFET）1.结构示意图和电路符号2. 输出特性曲线（可变电阻区、放大区、截止区、击穿区）转移特性曲线U P ----- 截止电压二. 绝缘栅型场效应管（MOSFET）分为增强型（EMOS）和耗尽型（DMOS）两种。
结构示意图和电路符号2. 特性曲线*N-EMOS的输出特性曲线* N-EMOS的转移特性曲线式中，I DO是U GS=2U T时所对应的i D值。
* N-DMOS的输出特性曲线注意：u GS可正、可零、可负。
转移特性曲线上i D=0处的值是夹断电压U P，此曲线表示式与结型场效应管一致。
三. 场效应管的主要参数1.漏极饱和电流I DSS2.夹断电压U p3.开启电压U T4.直流输入电阻R GS5.低频跨导g m (表明场效应管是电压控制器件)四. 场效应管的小信号等效模型E-MOS 的跨导g m ---五. 共源极基本放大电路1.自偏压式偏置放大电路* 静态分析动态分析若带有C s，则2.分压式偏置放大电路* 静态分析* 动态分析若源极带有C s，则六.共漏极基本放大电路* 静态分析或* 动态分析第四章多级放大电路一. 级间耦合方式1. 阻容耦合----各级静态工作点彼此独立；能有效地传输交流信号；体积小，成本低。
但不便于集成，低频特性差。
2. 变压器耦合 ---各级静态工作点彼此独立，可以实现阻抗变换。
体积大，成本高，无法采用集成工艺；不利于传输低频和高频信号。
3. 直接耦合----低频特性好，便于集成。
各级静态工作点不独立，互相有影响。
存在“零点漂移”现象。
*零点漂移----当温度变化或电源电压改变时，静态工作点也随之变化，致使u o偏离初始值“零点”而作随机变动。
二. 单级放大电路的频率响应1．中频段(f L≤f≤f H)波特图---幅频曲线是20lg A usm=常数，相频曲线是φ=-180o。
2．低频段(f ≤f L)‘3．高频段(f ≥f H)4．完整的基本共射放大电路的频率特性三. 分压式稳定工作点电路的频率响应1．下限频率的估算2．上限频率的估算四. 多级放大电路的频率响应1. 频响表达式2. 波特图第五章功率放大电路一. 功率放大电路的三种工作状态1.甲类工作状态导通角为360o，I CQ大，管耗大，效率低。
2.乙类工作状态I CQ≈0，导通角为180o，效率高，失真大。
3.甲乙类工作状态导通角为180o~360o，效率较高，失真较大。
二. 乙类功放电路的指标估算1. 工作状态任意状态：U om≈U im尽限状态：U om=V CC-U CES理想状态：U om≈V CC2. 输出功率3. 直流电源提供的平均功率4. 管耗P c1m=0.2P om5.效率理想时为78.5%三. 甲乙类互补对称功率放大电路1.问题的提出在两管交替时出现波形失真——交越失真(本质上是截止失真)。
2. 解决办法甲乙类双电源互补对称功率放大器OCL----利用二极管、三极管和电阻上的压降产生偏置电压。
动态指标按乙类状态估算。
甲乙类单电源互补对称功率放大器OTL----电容C2上静态电压为V CC/2，并且取代了OCL 功放中的负电源-V CC。
动态指标按乙类状态估算，只是用V CC/2代替。
四. 复合管的组成及特点1.前一个管子c-e极跨接在后一个管子的b-c极间。
2.类型取决于第一只管子的类型。
3.β=β1·β 2第六章集成运算放大电路一. 集成运放电路的基本组成1.输入级----采用差放电路，以减小零漂。
2.中间级----多采用共射(或共源)放大电路，以提高放大倍数。
3.输出级----多采用互补对称电路以提高带负载能力。
4.偏置电路----多采用电流源电路，为各级提供合适的静态电流。
二. 长尾差放电路的原理与特点1. 抑制零点漂移的过程----当T↑→i C1、i C2↑→i E1、i E2 ↑→u E↑→u BE1、u BE2↓→i B1、i B2↓→i C1、i C2↓。
R e对温度漂移及各种共模信号有强烈的抑制作用，被称为“共模反馈电阻”。
2静态分析1) 计算差放电路I C设U B≈0，则U E=－0.7V，得2) 计算差放电路U CE•双端输出时••单端输出时(设VT1集电极接R L)对于VT1：对于VT2：3. 动态分析1）差模电压放大倍数•双端输出••单端输出时从VT1单端输出：从VT2单端输出：2）差模输入电阻3）差模输出电阻•双端输出：•单端输出:三. 集成运放的电压传输特性当u I在+U im与-U im之间，运放工作在线性区域：四. 理想集成运放的参数及分析方法1. 理想集成运放的参数特征* 开环电压放大倍数A od→∞；* 差模输入电阻R id→∞；* 输出电阻R o→0；* 共模抑制比K CMR→∞；2. 理想集成运放的分析方法1) 运放工作在线性区:* 电路特征——引入负反馈* 电路特点——“虚短”和“虚断”:“虚短”---“虚断” ---2) 运放工作在非线性区* 电路特征——开环或引入正反馈* 电路特点——输出电压的两种饱和状态:当u+>u-时，u o=+U om当u+<u-时，u o=-U om两输入端的输入电流为零:i+=i-=0第七章放大电路中的反馈一. 反馈概念的建立＊开环放大倍数－－－Ａ＊闭环放大倍数－－－Ａｆ＊反馈深度－－－１＋ＡＦ＊环路增益－－－ＡＦ：1．当ＡＦ＞０时，Ａｆ下降，这种反馈称为负反馈。