APC000149Characteristics of high efficiency InGaP InGaAs double junction solar cells grown on GaAs s
Qa,.,ln^A&, n =0-*
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0-i 36% ' 3 7 % 37-ii. - 4 S * i 39 % - - 3 9 % ^ 3 5 % - 4 1 } % H 4 a % > 4t % 4 1 ^ . . 4 ? % ^42% -- 4 a ' i i 43% ' 4 4 % 4 4 % - -4S4 4 6 % .. 4 & % GalnPJ'GalnAS SOOxAMI.Sd T = 315 K
INTRODUCTION
Metamorphic or lattice mismatched III-V semiconductor materials offer ability for solar cell (SC) to absorb solar energy efficiently enabling new bandgap combinations in multijunction solar cells and enhancing conversion efficiency. luosoGaosoP material which has a wideband gap of about 1.86 eV is suitable for the top cells of high efficiency multi-junction solar cells. The tandem combination of an optically thin InGaP top cell and a GaAs bottom cell has a theoretical efficiency of 34% [1]. The advantages of this combination are both lattice parameters and photogeneration current of these cells can be matched, a two-terminal monolithic tandem cell can be successfully obtained by using tunnel junction for connecting these cells [2]. High efficiency of 29.5% but small area of 0.25 cm^ InGaP/GaAs tandem cells have already been reported [3] and some researches [2-4] have been done in order to achieve high efficiency of over 30%. However, theoretical calculations reported higher conversion efficiency for tandem solar cells by thinning of the top cell for current matching condition or the bandgap of the top and bottom cells should be lowered to capture and convert more high energy photons which are wasted as excess photogenerated current in the substrate [5, 6]. The ternary lUxGai.xAs has a lower bandgap than GaAs (between 1.425eV for GaAs and 0.354eV for InAs) and a larger lattice constant with increasing In-content in the ternary composition. For lower bandgap InGaAs, there is no lattice matched substrate material available. Therefore, the theoretically ideal In^Gai-^As material has to be grown lattice mismatched to the GaAs substrate. Figure 1 shows that the luo soGao soP/GaAs tandem cell, which can be grown lattice-matched to a GaAs or Ge substrate is not the best material combination for the highest conversion efficiency solar cell. Unfortunately, there are problems in growing lattice mismatched material; the formation of misfit and threading dislocations that affect the Schockley-Read-Hall recombination centers, reducing minority-carrier lifetime, voltage, and current collection in lattice mismatched solar cells [7]. The graded buffer layers are necessary to be employed between the active cell layer and the substrate to confine most of those dislocations to the substrate-buffer interface [8] resulting in very low defect density in the active cell region. High efficiency can be obtained with perfect buffer layers.
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CPl 169, International Workshop on Advanced Material for New and Renewable Energy edited by L. T. Handoko and M. R. T. Siregar 2009 American Institute of Physics 978-0-7354-0706-0/07/$25.00
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1,2
0,6
0,0Leabharlann 1,01.21,4
Bafid Gap Bottorn Cell [eV} FIGURE 1. Calculated efficiencies of monolithic tandem cells versus band gaps of the top and bottom cells for a 500XAM1.5D illumination. Our goal in this report is to study the effect of lowering bandgap energy of the bottom cell for higher conversion efficiency. To avoid high dislocation density, we just decreased bandgap energy of the bottom cell from 1.425eV to 1.387eV corresponding to bandgap of GaAs and Gao gvsino 025AS, and lattice mismatch between IUQ o25Gao 975AS and GaAs is low of about 0.18%. Conversion efficiencies of these solar cells were recorded to be 24.37% and 25.11% (AMI.5, 1 sun, 25°C) for the IUQsoGaosoP/GaAs (sample #1) and IUQsoGaosoP/Inoo25Gao975As (sample #2) solar cells, respectively.
Characteristics of high efficiency InGaP/InGaAs double junction solar cells grown on GaAs substrates
H.P.T. Nguyen, K.H. Kim, H. Lim, and J.J. Lee
Division of Electrical and Computer Engineering, AJou University, Suwon 443-749, Korea
Abstract. In this paper, we report on the conversion efficiency improvement in InosoGaosoP/InxGai.xAs tandem solar cells by employing metamorphic InGaAs bottom cell instead of lattice matched GaAs cell. Ino joGao soP/Ino o25Gao 975AS and Ino 5oGao 5oP/GaAs double junction solar cells were grown by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition (LP-MOCVD) on GaAs substrates. High-resolution transmission electron microscopy (HR-TEM) measurement reveals the dislocation in the Ino o25Gao 975AS layer which is caused by the lattice mismatch between Ino o25Gao 975AS subcell and GaAs substrate. Conversion efficiencies of these cells were measured to be 24.37% and 25.11% (AMI.5, 1 sun, 25°C) for the Ino 5oGao 5oP/GaAs and Ino soGao soP/Iuo o25Gao 975AS solar cells, respectively. The details about the solar cell characteristics will be discussed in the presentation Keywords: tandem solar cell, dislocation, InGaP, InGaAs PACS: 84.60.Jt; 61.72.Ff, 61.72.Hh; 78.55.Cr
空气自由基增殖节能器[实用新型专利]
专利名称:空气自由基增殖节能器专利类型:实用新型专利
发明人:赵惟智
申请号:CN91233410.X
申请日:19911231
公开号:CN2109459U
公开日:
19920708
专利内容由知识产权出版社提供
摘要:空气自由基增殖节能器,是一种与发动机空气滤 清器匹配的由永磁体构成的节能装置,它由磁块及磁 块位置保持架组成,若干块条状磁块呈圆环形均匀分 布,由磁块位置保持架定位,放入滤清器芯内即可进 行工作。
空气在该装置的磁场作用下,分子的磁力键 打开,使氧自由基增殖,改善了燃油的燃烧状态,降低 油耗5%左右,减少环境污染。
适用于汽车发动机以 及其它燃油装置的进气通道。
申请人:昆明工学院
地址:650093 云南省昆明环城北路38号
国籍:CN
代理机构:云南省专利事务所
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巨磁阻传感器的温度补偿电路系统设计
doi :10. 16180/j. cnki. issnl007 -7820. 2017. 12. 005巨磁阻传感器的温度补偿电路系统设计滕志刚,朱华辰,白茹,钱正洪(杭州电子科技大学电子信息学院,浙江杭州310018)摘要巨磁阻传感器具有灵敏度高、易小型化、能耗低、应用前景广泛等特点,但其灵敏度易受温度的影响,在高 性能应用中需进行必要的温度补偿。
文中设计针对课题组研制的VA100F3自旋阀巨磁阻传感器灵敏度的温度特性,采用CMOS 温度传感器来采集温度信号,并通过模数转换器转变为控制信号,进而调节可调增益放大器的增益,以补偿温度变化所导致的GMR 传感器灵敏度的变化,巨磁阻传感器温度补偿前后的灵敏度温度系数分别是2 498 ppm /q 和678 pp m /q ,达到了较好的补偿效果。
系统各电路均基于CSMC 0. 5 #m Mix - Signal 工艺进行设计,可以实现单芯片集成。
关键词巨磁阻传感器;温度补偿;温度传感电路;数据转换电路;可编程仪表放大器 中图分类号TD432 文献标识码 A 文章编号1007 -7820(2017)12 -017 -05电子•电路杳技2017年第30卷第12期Electronic Sci. & Tech. /Dec. 15,2017A Temperature Compensation Circuit System of GMR SensorTENG Zhigang,ZHU Huachen,BAI R u,QIAN Zhenghong(School of Electronics and Information,Hangzhou Dianzi University,Hangzhou 310018,China)Abstract GMR sensor has the characteristics of high sensitivity,easy miniaturization,Iw power consumption and wide application . However,its sensitivity is easy to be affected by the change of temperature ,it’s necessary to have temperature compensation in high performance application. The temperature compensation circuit system is based on the temperature - sensitivity characteristics of YA1003F,which is a spin valve search group. CMOS temperature sensor samples temperature signal of environment and ADC conver signal into digital signal to change the gain of programmable instnumentation amplifier,it achieves sensitiv sation .The temperature coefficient of GMRsensor is 678 ppm /0C after compensating,but the temperature coefficient is 2 498 ppm /〇Cwithout compensating. The circuit system is based on CSMC 0. 5 #m Mix - Signal technology and can integrate on a chip.Keywords GMR sensor ; temperature compensation ; temperature sensor ; data converers; programmable instru- m(ntation amplifi(r1988年,德国科学家Peter G runberg 和法国科学 家A lber F e r 分别独立发现了巨磁阻效应(Giant Magneto -R esistance ,GMR ), 并于 2007 年共同分享了诺贝 尔物理学奖。
一类含肉桂酰腙骨架的多甲氧基的抗肿瘤化合物的设计、合成及生物
专利名称:一类含肉桂酰腙骨架的多甲氧基的抗肿瘤化合物的设计、合成及生物活性评价
专利类型:发明专利
发明人:朱海亮,李波燕,张雅亮,秦亚娟,王彦婷,杨梦如
申请号:CN201610127133.4
申请日:20160304
公开号:CN105523961A
公开日:
20160427
专利内容由知识产权出版社提供
摘要:本发明公开了一类含肉桂酰腙骨架的多甲氧基的衍生物、其制备方法及应用,所述由甲硝唑合成的衍生物的结构如式所示:其中,R选自:-H、-OCH;R选自:-H、-Br;R选自:3,4,5-OCH、3,4-OCH、2-OH、2-OCH、3-OCH、4-OCH、2,4,5-OCH、3-OH、4-OH、2-F、3-
F、4-F、2-Br、3-Br、4-Br、4-Cl、4-NO。
本发明对人肝癌细胞(HEPG2),人乳腺癌细胞(MCF-
7),人肺癌细胞(A549)有明显的抑制作用,因此本发明的含肉桂酰腙骨架的多甲氧基的衍生物可以应用于制备抗肿瘤药物。
申请人:南京大学
地址:210046 江苏省南京市栖霞区仙林大道163号南京大学生命科学学院
国籍:CN
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高开关频率恒定导通时间控制DC-DC变换器设计
电子科技大学UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE AND TECHNOLOGY OF CHINA专业学位硕士学位论文MASTER THESIS FOR PROFESSIONAL DEGREE论文题目高开关频率恒定导通时间控制DC-DC变换器设计专业学位类别集成电路工程学号201722030435作者姓名章玉飞指导教师甄少伟副教授分类号密级UDC注1学位论文高开关频率恒定导通时间控制DC-DC变换器设计(题名和副题名)章玉飞(作者姓名)指导教师甄少伟副教授电子科技大学成都(姓名、职称、单位名称)申请学位级别硕士专业学位类别工程硕士工程领域名称集成电路工程提交论文日期2020.04.07论文答辩日期2020.05.15学位授予单位和日期电子科技大学2020年6月答辩委员会主席评阅人注1:注明《国际十进分类法UDC》的类号Design of High Switching Frequency Constant On-Time Controlled DC-DC ConverterA Master Thesis Submitted toUniversity of Electronic Science and Technology of ChinaDiscipline:Master of EngineeringAuthor:Zhang YufeiSupervisor:Associate Prof. Zhen Shaowei School:School of Electronic Science and Engineering (National Exemplary School of Microelectronics)独创性声明本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。
据我所知,除了文中特别加以标注和致谢的地方外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果,也不包含为获得电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。
一种温和高效破碎大肠杆菌细胞的方法[发明专利]
专利名称:一种温和高效破碎大肠杆菌细胞的方法专利类型:发明专利
发明人:闻崇炜,宁德刚
申请号:CN201310429369.X
申请日:20130922
公开号:CN103667064A
公开日:
20140326
专利内容由知识产权出版社提供
摘要:本发明公开了一种温和高效破碎大肠杆菌细胞的方法,步骤如下:大肠杆菌细胞悬浮于重悬缓冲液中,并且用10~50mMEDTA溶液于4℃处理过夜,离心收集菌体沉淀,再利用高渗缓冲液与低渗缓冲液重复处理三次,可以使大肠杆菌细胞总体破碎率达到99.2%以上。
本发明细胞破碎工艺操作简便,设备要求低,易于放大生产,对大肠杆菌破碎率高,并且同时得到细胞内可溶性及不溶性成分。
申请人:江苏大学
地址:212013 江苏省镇江市京口区学府路301号
国籍:CN
代理机构:南京经纬专利商标代理有限公司
代理人:楼高潮
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一种单细胞参数测量方法及装置[发明专利]
专利名称:一种单细胞参数测量方法及装置专利类型:发明专利
发明人:朱荣,张祉仲
申请号:CN201910011211.8
申请日:20190107
公开号:CN109682745A
公开日:
20190426
专利内容由知识产权出版社提供
摘要:本发明提供一种单细胞参数测量方法及装置,该方法包括:分别获取待测细胞在不同频率的介电泳信号作用下的运动速度;根据不同频率的介电泳信号、不同频率的介电泳信号下的运动速度和细胞介电泳简化模型,获取所述待测细胞的细胞半径、细胞质电导率和细胞膜比电容三个参数中的一种或多种。
该测量方法可以有效提高细胞参数的测量精准度和测量效率,且无需标记,非侵入式。
申请人:清华大学
地址:100084 北京市海淀区清华园北京100084-82信箱
国籍:CN
代理机构:北京路浩知识产权代理有限公司
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质谱基峰114 -回复
质谱基峰114 -回复质谱基峰114: 了解基峰的形成和应用质谱基峰114是一种在质谱谱图中常见的峰,它的质量-电荷比(m/z)为114。
在质谱学中,基峰通常指的是相对丰度较高的峰,它可以提供有关化合物结构和组成的重要信息。
在本文中,我们将一步一步了解质谱基峰114的形成、鉴定及其在科学研究和实际应用中的作用。
第一步:质谱基础知识在谱图中,质谱仪通过将化合物分子中的分子离子或碎片离子通过电子轰击产生荷质比。
这些离子通过一系列的离子光学元件,如质量过滤器和离子检测器,被分离和检测。
最终,得到的谱图展示了离子的相对丰度与质量-电荷比的关系。
第二步:质谱基峰114的形成质谱基峰114可能是由化合物分子的特定碎片离子形成的,也可能是由质谱仪本身产生的峰。
为了确定基峰的来源,我们需要进一步进行分析。
第三步:分子碎片离子的形成分子碎片离子是在质谱仪中产生的,通过对化合物分子进行电子轰击或其他电离过程来形成。
这些碎片离子的质量-电荷比可以提供关于化合物结构和组成的重要信息。
通过与已知化合物进行对比,我们可以确定分子碎片离子的生成机制和可能的结构。
第四步:质谱基峰114的鉴定确定质谱基峰114的来源通常涉及到与参考化合物的质谱谱图进行比较。
如果基峰114在参考化合物的谱图中有对应的峰,那么我们可以初步推测这个基峰是由参考化合物分子的某个特定碎片离子形成的。
进一步的实验和分析可以帮助我们确定生成机制和鉴定其结构。
第五步:质谱基峰114的应用质谱基峰114的鉴定可以提供有关化合物结构和组成的重要信息,在科学研究和实际应用中具有广泛的用途。
例如,在有机化学中,基峰114的出现可能暗示了特定官能团的存在,可以帮助确定化合物的结构。
在药物研发中,基峰114的形成机制和背后的化学反应可以帮助科学家理解药物的代谢途径和降解模式。
此外,质谱基峰114还可以用于环境监测、食品安全和法医科学等领域。
综上所述,质谱基峰114是一种在质谱谱图中常见的峰,它可以提供有关化合物结构和组成的重要信息。
一种比活提高的突变型嗜热碱性果胶裂解酶基因、工程菌、酶及其应
专利名称:一种比活提高的突变型嗜热碱性果胶裂解酶基因、工程菌、酶及其应用
专利类型:发明专利
发明人:张作明,李海超,张静,李正强,于擎
申请号:CN201510901182.4
申请日:20151209
公开号:CN105368856A
公开日:
20160302
专利内容由知识产权出版社提供
摘要:一种比活提高的突变型嗜热碱性果胶裂解酶基因、工程菌酶及其应用,属于生物工程技术领域。
该工程菌的保藏编号为CGMCC?No.11461,分类命名为大肠埃希氏菌Escherichia?coli,保藏地址为:中国微生物菌种保藏管理委员会普通微生物中心,保藏日期为:2015年9月29日。
本发明主要公开突变型嗜热碱性果胶裂解酶,最适反应温度为70℃,最适Ca浓度为0.8mM,底物为
0.2%(w/v)多聚半乳糖醛酸,pH?9.5。
该酶在最适pH?9.5、Ca0.8mM、70℃时酶比活为
5300U/mg;在70℃保温下,半衰期为6h;经过镍柱纯化处理后CbPelC-CD可达到40mg/L(1L发酵液)。
本发明所述突变型嗜热碱性果胶裂解酶的比活力相对原酶CbPelC(900U/mg)有大幅度挺高,更加适应现代工业生产要求,也为工业大规模生产碱性果胶酶提供了有效地方法。
申请人:吉林大学
地址:130012 吉林省长春市前进大街2699号
国籍:CN
代理机构:长春吉大专利代理有限责任公司
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人白细胞介素4在大肠杆菌中的优化表达
人白细胞介素4在大肠杆菌中的优化表达黄欣;赵忠良;曹雪涛【期刊名称】《中国免疫学杂志》【年(卷),期】1999(015)009【摘要】目的:通过优化设计利用大肠杆菌表达人白细胞介素4(IL-4)并提高其表达量.方法:根据原核翻译起始序列的局部二级结构自由能,设计了AUG上下游序列,并在人IL-4基因下游插入部分大肠杆菌LacZ序列以提高mRNA的稳定性.结果:成功地构建了人IL-4的高效表达克隆,命名为pLCM182-hIL4.SDS-PAGE分析显示所表达的重组IL-4蛋白质占细菌总蛋白的30%.目的基因下游没有插入LacZ序列所构建的表达克隆pCZH-hIL4在大肠杆菌中的表达量则占细菌总蛋白的20%左右.结论:所设计的优化表达方法对人IL-4基因的表达是成功的,在细胞因子的工程化表达中,优化设计对基因的表达量至关重要.【总页数】3页(P405-407)【作者】黄欣;赵忠良;曹雪涛【作者单位】第二军医大学免疫教研室,上海200433;第二军医大学免疫教研室,上海200433;第二军医大学免疫教研室,上海200433【正文语种】中文【中图分类】R392.11【相关文献】1.重组人白细胞介素-18表达载体的构建及其在大肠杆菌中的表达 [J], 张瑞军;田志刚;魏海明;孙汭;冯进波;赵跃然2.重组人白细胞介素15表达载体的构建及其在大肠杆菌中的高效表达 [J], 孙汭;田志刚;魏海明;刘杰;张捷;冯进波3.人白细胞介素7重组蛋白原核表达载体在大肠杆菌中的表达和鉴定 [J], 耿梅;陈清;徐丽慧;张延亭;何贤辉4.人白细胞介素6表达的核因子蛋白在大肠杆菌中的表达与鉴定 [J], 朱敏生;刘定干;许祥裕;沈月;李载平5.新型人白细胞介素-2(125-Ser)表达载体的构建和大肠杆菌中的表达 [J], 杨欣;胡晓方;严君喜;曾献武因版权原因,仅展示原文概要,查看原文内容请购买。
天津大学第五版有机化学答案解析
第一章习题(一) 用简单的文字解释下列术语:(1)有机化合物:碳氢化合物及其衍生物。
(2)键能:形成共价鍵时体系所放出的能量。
(3)极性键:成鍵原子的电负性相差为0.5~1.6时所形成的共价鍵。
(4)官能团:决定有机化合物的主要性质的原子或原子团。
(5)实验式:能够反映有机化合物元素组成的相对比例的化学式。
(6)构造式:能够反映有机化合物中原子或原子团相互连接顺序的化学式。
(7)均裂:共价鍵断裂时,两个成鍵电子均匀地分配给两个成鍵原子或原子团,形成两个自由基。
(8)异裂:共价鍵断裂时,两个成鍵电子完成被某一个成鍵原子或原子团占有,形成正、负离子。
(9)sp2杂化:由1 个s轨道和2个p轨道进行线性组合,形成的3个能量介于s轨道和p轨道之间的、能量完全相同的新的原子轨道。
sp2杂化轨道的形状也不同于s轨道或p轨道,而是“一头大,一头小”的形状,这种形状更有利于形成σ键。
(10)诱导效应:由于成键原子的电负性不同而引起的电子云的转移。
诱导效应只能通过σ键传递,并且随着碳链增长,诱导效应迅速减弱。
(11)氢键:由氢原子在两个电负性很强的原子之间形成“桥梁”而导致的类似化学键的分子间或分子内作用力。
氢键具有饱和性和方向性,但作用力比化学键小得多,一般为20~30kJ/mol。
(12)Lewis酸:能够接受的电子的分子或离子。
(二) 下列化合物的化学键如果都为共价键,而且外层价电子都达到稳定的电子层结构,同时原子之间可以共用一对以上的电子,试写出化合物可能的Lewis结构式。
(1) C H3N H2(2) C H3O C H3(3) CH3C OHO(4) C H3C H=C H2(5) C H3C C H(6) CH2O解:分别以“○”表示氢原子核外电子,以“●”表示碳原子核外电子,以“★”表示氧原子核外电子,以“△”表示氮原子核外电子,题给各化合物的Lewis 结构式如下:(1) CHH H H。
N 。
