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模拟电子技术基础试题(附答案)

模拟电子技术基础试题(附答案)

(120)1.纯净的半导体叫()。

掺入3价杂质元素形成的半导体叫(),它主要靠导电()。

A.空穴B.本征半导体C.P型半导体D.自由电子2.PN结正偏时,多子的()运动较强,PN结变薄,结电阻较()。

A.扩散B.漂移C.小D.大3.三极管有()和()两种载流子参与导电,故称作()极型晶体管;而场效应管称作()极型晶体管。

A.双极B.空穴C.单极D.自由电子4.负反馈放大电路的含义是()。

A.输出与输入之间有信号通路B.电路中存在反向传输的信号通路C.除放大电路之外还有信号通路D.电路中存在使输入信号削弱的反向传输信号5.一个放大电路的对数频率特性的水平部分为40dB,当信号频率恰好是上限频率时,实际电压增益为()。

A.43dB B.40dB C.37dB D.3dB6.通常在下面基本组态放大电路中,输入电阻最大的是();输出电阻最小的是();高频特性最好的电路是()。

A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.共源电路7.集成放大电路采用直接耦合方式的原因是()。

A.便于设计B.放大交流信号C.不易制作大容量电容8.功率放大电路互补输出级采用共集形式是为了使()。

A.电压放大倍数大B.不失真输出电压大C.带负载能力强9.欲得到电流-电压转换电路,应在放大电路中引入();欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号,应在放大电路中引入()。

A.电压串联负反馈B.电压并联负反馈C.电流串联负反馈D.电流并联负反馈10.为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器,应选用()滤波电路。

A.带阻B.带通C.低通D.有源11.直流稳压电源的基本组成有变压器、整流、()、稳压。

A.比较B.滤波C.调整(210)1.因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

()2.电路只要满足,就一定会产生正弦波振荡。

()3.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。

()4.若放大电路的放大倍数为负,则引入的反馈一定是负反馈。

()5.功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下,负载上可能获得的最大交流功率。

模拟电子技术基础试题及答案

模拟电子技术基础试题及答案

一、在括号内用“√"或“×”表明下列说法是否正确.(1I)只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用;( )(2)可以说任何放大电路都有功率放大作用;( )(3)放大电路中输出的电流和电压都是有由有源元件提供的;( )(4)电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的;( )(5)放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作;( )(6)由于放大的对象象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出都豪无变化;( )(7)只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真。

()【解答】 (1)×。

放大的特征是功率的放大,电压电流其中一个或两个都放大都可称放大,但放大的前提条件是不能失真。

(2)√。

放大的特征就是功率的放大。

(3)×.应该是由有源元件通过对输入信号的控制和转换得到的,而不是直接提供。

(4)×。

.(5)√。

设置合适的静态工作点.(6)×。

任何稳态信号都可分解为若干正弦波的叠加。

(7)×。

二、试分析图T2.2所示各电路是否能够放大正弦交流信号,简述理由.设图中所有电对交流信号均可视为短路。

,【解答1 (a)不能。

因为输人信号被VBB所影响.(a)例1—-3 为什么结型场效应管没有增强型的工作方式?能否用判别晶体管的简易方法来判别结型和绝缘栅型场效应管的三个电极?【解答】所谓增强型,即N沟道的场效应管必须在UGs>0的情况下才可能有导电沟道, P沟道的场效应管,必须在UGs<0的情况下才有导电沟道,在这两种情况下结型场效应管都将出现栅流,它不仅使场效应管失去了高输入电阻的特点,而且会造成管子损坏。

‘而对于绝缘栅型效应管,由于宦容易积累电荷形成高电压,以致造成击穿现象,所以不能用测晶体管的办法来检测.对于结型场效应管,则可以用判定晶体管基极的方法判定它的栅极,但不能用判定集电极和发射极的方法来判断源极和漏极.自测题分析与解答一、判断下列说法是否正确,用“√’’和“×’’表示判断结果填人空内。

《模拟电子技术基础》习题册

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第一章:基本放大电路习题1-1 填空:1.本征半导体是,其载流子是和。

载流子的浓度。

2.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于,而少数载流子的浓度则与有很大关系。

3.漂移电流是在作用下形成的。

4.二极管的最主要特征是,它的两个主要参数是和。

5.稳压管是利用了二极管的特征,而制造的特殊二极管。

它工作在。

描述稳压管的主要参数有四种,它们分别是、、、和。

6.某稳压管具有正的电压温度系数,那么当温度升高时,稳压管的稳压值将。

7.双极型晶体管可以分成和两种类型,它们工作时有和两种载流子参与导电。

8.场效应管从结构上分成和两种类型,它的导电过程仅仅取决于载流子的流动;因而它又称做器件。

9.场效应管属于控制型器件,而双极型半导体三极管则可以认为是控制型器件。

10.当温度升高时,双极性三极管的β将,反向饱和电流I CEO正向结压降U BE。

11.用万用表判别放大电路中处于正常放大工作的某个晶体管的类型与三个电极时,测出最为方便。

12.三极管工作有三个区域,在放大区时,偏置为和;饱和区,偏置为和;截止区,偏置为和。

13.温度升高时,晶体管的共设输入特性曲线将,输出特性曲线将,而且输出特性曲线之间的间隔将。

1-2 设硅稳压管D z1和D z2的稳定电压分别为5V和10V,求图1-2中各电路的输出电压U0,已知稳压管的正向压降为0.7V。

D Z1D Z225VU O1k Ω( )b D Z1D Z225VU O1k Ω( )c ( )d ( )a D Z1D Z225VU O 1k ΩD Z1D Z225VU O1k Ω图1-21-3 分别画出图1-3所示电路的直流通路与交流通路。

( )a ( )b( )c图1-31-5 放大电路如图1-5所示,试选择以下三种情形之一填空。

a :增大、b :减小、c :不变(包括基本不变) 1.要使静态工作电流I c 减小,则R b2应 。

2.R b2在适当范围内增大,则电压放大倍数 ,输入电阻 ,输出电阻 。

模拟电子技术基础习题

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9.半导体二极管加反向偏置电压时,反向峰值电流越 小,说明二极管的_单_向__导_电__性能越好。
10.稳压管工作在伏安特性的__反_向__击_穿__区,在该区内 的反向电流有较大变化,但它两端的电压_基_本__不__变_。
11.理想二极管正向电阻为____0____,反向电阻为 _无__穷__大__,这两种状态相当于一个___开_关___。
二、选择题
1.当晶体管的两个PN结都反偏时,则晶体管处于
(
)。
A.截止状态 B.饱和状态 C.放大状态 D.击穿
2.当晶体管的两个PN结都正偏时,则晶体管处于
(
)。
A.截止状态 B.饱和状态 C.放大状态 D.击穿

3.测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别 为6V、5.3V和-6V,则该晶体管的类型为( )。
5.当晶体管工作在__放_大_区时,IC ≈βIB,条件
是发射极__正_向_偏置,集电极__反_向_偏置。
6.当晶体管工作在__截_止_区时,IC≈0;条件是发
射极_反_向_ 偏置或发射结电压 小于 死区电压, 集电极___反偏向置。
7.当是晶发体射管极工_作正_在向____饱偏_和置_,区集时电,极U_CE_正≈_向0,_条偏件置。
(u标2出极2性0)2,s并in求:t ( V ),试画出图中4只二极管和滤波电容
(1)正常工作时,Uo =? 24V
(2)若电容脱焊,Uo=? 18V
(3)若RL开路,Uo =?
28V
(4)若其中一个二极管短路,电路会有什么后果?
电路的u2将被短路,会烧毁器件。
8. 试分析图示电路的工作原理, 标出电容电压的极性和数 值,并标出电路能输出几倍压的输出电压和极性。

模拟电子技术基础期末考试试题及答案

模拟电子技术基础期末考试试题及答案

模拟电子技术基础期末考试试题及答案《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题:(每空1分共40分)1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。

2、漂移电流是(温度)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。

3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(0 ),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷),等效成断开;4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。

6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(变小),发射结压降(不变)。

7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共基)、(共射)、(共集)放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(电压并联)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(串联)负反馈。

9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(1/(1/A+F)),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=(1/ F )。

10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=()BW,其中BW=(),()称为反馈深度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为()信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为()信号。

12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的()失真,而采用()类互补功率放大器。

13、OCL电路是()电源互补功率放大电路;OTL电路是()电源互补功率放大电路。

14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(),输入电阻(),输出电阻()等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。

15、差分放大电路能够抑制()漂移,也称()漂移,所以它广泛应用于()电路中。

16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为()。

217、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(),电路符号是()。

二、选择题(每空2分共30分)1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在()状态,但其两端电压必须(),它的稳压值Uz才有导通电流,否则处于()状态。

《模拟电子技术基础》复习资料

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成考复习资料《模拟电子技术基础》复习资料1一、单选题1. 用万用表直流电压档测得电路中PNP型晶体管各极的对地电位分别是:Vb=-12.3V,Ve =-12V,Vc=-18V。

则三极管的工作状态为()。

A. 放大B. 饱和C. 截止2. 某仪表放大电路,要求R i大,输出电流稳定,应选()。

A. 电流串联负反馈B. 电压并联负反馈C. 电流并联负反馈D. 电压串联负反馈3. 直接耦合式多级放大电路与阻容耦合式(或变压器耦合式)多级放大电路相比,低频响应()。

A. 差B. 好C. 差不多4. 单相桥式整流电容滤波电路输出电压平均值Uo=()Uz。

A. 0. 45B. 0. 9C. 1. 25. 某场效应管的转移特性如图2所示,该管为()。

A. P 沟道增强型MOS 管B. P 沟道结型场效应管C. N 沟道增强型MOS 管D. N 沟道耗尽型MOS 管6. 某场效应管的电路符号如图1所示,该管为()。

A. P 沟道增强型MOS 管B. P 沟道耗尽型MOS 管C. N 沟道增强型MOS 管D. N 沟道耗尽型MOS 管7. 在如图2所示电路中,电阻RE的主要作用是()。

A. 提高放大倍数B. 稳定直流静态工作点C. 稳定交流输出D. 提高输入电阻8. 利用二极管的()组成整流电路。

A. 正向特性B. 单向导电性C. 反向击穿特性9. 根据相位平衡条件,判断图2-6所示振荡电路中()发生振荡。

A. 可能B. 不能10. 带射极电阻Re的共射放大电路,在Re上并联交流旁路电容Ce后,其电压放大倍数将()。

A. 减小;B. 增大;C. 不变;D. 变为零。

二、判断题1. ( )功率的放大电路有功率放大作用,电压放大电路只有电压放大作用而没有功率放大作用。

2. ( )反相比例运算电路属于电压串联负反馈,同相比例运算电路属于电压并联负反馈。

3. ()负反馈放大电路不可能产生自激振荡。

4. ()任何实际放大电路严格说都存在某种反馈。

模拟电子技术习题库

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06~07学年第一学期中级部《电子技术基础》试题出卷人:王敬孝一、填空题(每空1分共165分)§1—11.根据导电能力来衡量,自然界的物质可以分为导体、绝缘体和半导体三类。

2.常用的半导体材料是硅和锗,它们都是四价元素。

3.半导体中导电的不仅有电子,而且还有空穴,这是半导体区别于导体导电的重要特征。

4.掺杂半导体中多数载流子的浓度主要取决于掺杂浓度,而少数载流子的浓度与温度和光照有很大关系。

5.半导体按导电类型分为N 型半导体和P 型半导体。

6.P 型半导体的多数载流子是空穴,少数载流子是电子;N 型半导体的多数载流子是电子,少数载流子是空穴。

7.PN 结又叫阻挡层,耗尽层,也叫空间电荷区。

8.PN 结正偏时,P 区接电源的正 极,N 区接电源的负 极;PN 结反偏时,P 区接电源的负极,N 区接电源的正极。

9.PN 结具有单向导电性能,即加正向电压时PN 结导通,加反向电压时的PN 结截止。

§1—210.二极管实质就是一个PN 结,P 区的引出端叫正极或阳极,N 区的引出端叫负极或阴极。

11、按二极管制造工艺的不同,二极管可分为点接触型、面接触型和平面型三种。

12、按晶体二极管所用的材料可分为硅和锗两类。

13、2CW 是硅材料的稳压二极管。

2AK 是锗材料的开关二极管。

14、2CZ 是硅材料的整流二极管。

2AP 是锗材料的普通二极管15、二极管的正向接法是P 接电源的正极,N 接电源的负极,反向接法时相反。

16、二极管的主要特性是单向导电,硅二极管的死区电压约0.5V ,锗二极管的死区电压约0.2V 。

17、硅二极管导通时的正向压降约0.7V ,锗二极管导通时的正向压降约0.3V 。

18、使用二极管时,应考虑的主要参数是FM I 、RM I 、RM U 。

19、电路中流过二极管的正向电流过大,二极管将会烧坏;如果加在二极管两端的反向电压过高,二极管会击穿。

20、有一锗二极管正反向电阻均接近于零,表明该二极管已短路损坏,有一硅二极管正反向电阻接近于无穷大表明二极管已开路损坏。

模拟电子技术基础模拟综合试卷十套(附答案)

模拟电子技术基础模拟综合试卷十套(附答案)

模拟综合试卷一一.填充题1.集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a ,b 。

2.通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器,其目的是a ,b 。

3.在晶体三极管参数相同,工作点电流相同条件下,共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。

4.一个NPN晶体三极管单级放大器,在测试时出现顶部失真,这是失真。

5.工作于甲类的放大器是指导通角等于,乙类放大电路的导通角等于,工作于甲乙类时,导通角为。

6.甲类功率输出级电路的缺点是,乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于状态。

7.若双端输入,双端输出理想差动放大电路,两个输入电压ui1=ui2,则输出电压为 V;若ui1=1500µV, ui2=500µV,则差模输入电压uid为µV,共模输入信号uic为µV。

8.由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。

9.晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降,主要是因为的影响。

10.在共射、共集、共基三种组态的放大电路中,组态电流增益最;组态电压增益最小;组态功率增益最高;组态输出端长上承受最高反向电压。

频带最宽的是组态。

二.选择题1.晶体管参数受温度影响较大,当温度升高时,晶体管的β,ICBO,uBE的变化情况为()。

A.β增加,ICBO,和 uBE减小 B. β和ICBO增加,uBE减小C.β和uBE 减小,ICBO增加 D. β、ICBO和uBE都增加2.反映场效应管放大能力的一个重要参数是()A. 输入电阻B. 输出电阻C. 击穿电压D. 跨导3.双端输出的差分放大电路主要()来抑制零点飘移。

A. 通过增加一级放大B. 利用两个C. 利用参数对称的对管子D. 利用电路的对称性4.典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出,共模电压放大倍数()。

A. 变大B. 变小C. 不变D. 无法判断5.差分放大电路的共模抑制比KCMR越大,表明电路()A. 放大倍数越稳定B. 交流放大倍数越大C. 直流放大倍数越大D. 抑制零漂的能力越强6.负反馈放大电路以降低电路的()来提高嗲路的其他性能指标。

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