激光二极管

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激光二极管几种不同结构介绍

激光二极管几种不同结构介绍

激光二极管几种不同结构介绍一、Fabry-Perot(FP)结构激光二极管:Fabry-Perot激光二极管是最普遍、最常用的类型。

它的结构包括波导、吸收区和激光腔。

通过注入电流,波导区产生的激子会在吸收区中产生激射作用,从而产生激光。

FP激光二极管具有波长调谐范围广、功率稳定性好等优点,适用于光通信、激光打印等领域。

二、Distributed Feedback(DFB)结构激光二极管:DFB激光二极管是一种具有周期性反射结构的激光器件。

它的结构中包含有一段布拉格光栅。

光在布拉格光栅中经过多次反射,产生了反馈效应,使得激光波长处于布拉格光栅中的反射波长。

DFB激光二极管具有单模输出、非常窄的光谱线宽等优点,适用于高速光通信、高密度光存储等领域。

三、Vertical Cavity Surface Emitting Laser(VCSEL)结构激光二极管:VCSEL激光二极管是一种垂直发射的激光器件。

它的结构中包含有上下两个反射镜,光从结构的顶部垂直发射出来。

相比于FP和DFB激光二极管,VCSEL激光二极管具有光束质量好、耦合效率高等优点。

它广泛应用于光通信、传感、光存储等领域。

四、Quantum Cascade(QC)结构激光二极管:QC激光二极管是一种基于量子级联效应的激光器件。

它的结构中包含多个量子阱,每个量子阱产生的激光能够激发下一个量子阱产生新的激光,从而实现级联激发。

QC激光二极管具有宽波长范围、较高的功率和较低的阈值电流等优点,适用于红外激光通信、气体传感等领域。

五、Ridge-waveguide(RW)结构激光二极管:RW激光二极管是一种具有小波导宽度的激光器件。

通过减小波导宽度,可以增加光场的强度和模式对抗,从而获得单模输出。

RW激光二极管具有小巧、高效、低阈值电流等优点,适用于光通信、激光打印等领域。

六、Tapered Amplified(TA)结构激光二极管:TA激光二极管是一种具有渐变结构的激光器件。

激光二极管原理

激光二极管原理

激光二极管原理一、激光二极管的基本结构激光二极管是一种半导体器件,其基本结构由n型和p型半导体材料组成。

在p型半导体区域内掺杂了少量的杂质,形成p-n结。

当外加电压时,电子从n型区向p型区移动,与空穴复合产生光子,即激光。

二、激光二极管的工作原理当外加电压大于二极管的开启电压时,电流开始流动。

在p-n结中有大量载流子(电子和空穴),它们在外加电场作用下向相反方向运动。

当它们相遇时发生复合,能量以光子形式释放出来。

这些光子被反射回到p-n结中,并刺激更多的载流子复合并释放出更多的光子,形成一个正反馈的过程,最终产生强烈而稳定的激光束。

三、激光二极管的特点1. 小型化:激光二极管可以制造得非常小巧,并且可以集成到微芯片中。

2. 高效率:激光二极管具有高能量转换效率,能够将电能转换为光能的效率达到40%以上。

3. 长寿命:激光二极管的寿命非常长,可以达到几万小时以上。

4. 低成本:激光二极管生产过程简单,成本相对较低。

四、激光二极管的应用1. 光电通信:激光二极管广泛应用于光纤通信中,可以实现高速、远距离传输。

2. 制造业:激光二极管可以用于切割、焊接和打标等制造业领域。

3. 医疗设备:激光二极管可以用于医疗设备中,如眼科手术、皮肤美容等。

4. 军事领域:激光二极管可以用于制造军事装备,如导弹制导系统等。

五、激光二极管的发展趋势1. 提高功率密度:提高功率密度是未来激光二极管技术发展的主要方向之一。

通过提高功率密度,可以实现更高的切割速度和更深的焊接深度。

2. 提高可靠性:提高可靠性是激光二极管技术发展的另一个重要方向。

通过改进制造工艺和材料选择,可以提高激光二极管的寿命和稳定性。

3. 提高波长范围:目前激光二极管的波长范围主要集中在800nm至1000nm之间。

未来的发展趋势是扩大波长范围,以满足更多应用需求。

4. 提高集成度:随着微电子技术的不断发展,未来激光二极管将更加小型化和集成化,可以实现更广泛的应用。

激光二极管的主要参数与特点

激光二极管的主要参数与特点

激光二极管的主要参数与特点激光二极管是一种特殊的半导体激光器,其主要参数和特点决定了它在许多领域的广泛应用。

本文将从以下几个方面介绍激光二极管的主要参数和特点。

一、激光二极管的主要参数1. 波长(Wavelength):激光二极管所发射的光的波长是其最基本的特性之一,常见的波长范围包括红光(630 nm - 680 nm)、绿光(520 nm - 530 nm)和蓝光(445 nm - 465 nm)。

不同波长的激光二极管在不同应用场景具有不同的优势。

2. 输出功率(Output Power):激光二极管的输出功率是指其每秒钟发出的激光光束的总能量,通常以毫瓦(mW)为单位。

输出功率决定了激光二极管在不同应用中的使用范围和功效。

3. 效率(Efficiency):激光二极管的效率表示其将电能转化为光能的能力。

它通常以百分比形式表示,是定义为输出光功率与输入电功率之比。

高效率的激光二极管可以减少能源消耗,并延长其使用寿命。

4. 波束质量(Beam Quality):波束质量是指激光二极管输出的激光光束的空间特性,包括光束直径、散斑尺寸和模式。

波束质量的好坏影响激光光束的聚焦能力和传输质量,对于特定应用场合的要求各不相同。

二、激光二极管的特点1. 小巧便携:相比传统的气体激光器或固态激光器,激光二极管的尺寸较小,重量较轻,易于携带和安装。

这使得激光二极管在便携式设备和远程控制系统中得到广泛应用。

2. 高效能低能耗:激光二极管的效率较高,能够将电能转化为光能的比例较高,从而减少能源的消耗。

与传统激光器相比,激光二极管的能源利用率更高。

3. 快速启动和关断时间:激光二极管的启动时间较短,通常为数微秒到数毫秒,而关断时间也较快。

这使得激光二极管可用于需要快速响应的应用,如通信、医疗和测量。

4. 长寿命和稳定性:激光二极管的使用寿命通常可以达到几千到几万小时,且不需要常规的维护。

激光二极管具有较好的温度稳定性和抗振动能力,适用于各种复杂环境下的应用。

激光二极管 偏振态

激光二极管 偏振态

激光二极管偏振态
激光二极管(Laser Diode, LD)通常在额定功率下发出的光具有线偏振特性,这是因为激光器内部的谐振腔结构具有自然选择的偏振方向。

半导体激光器的有源区材料和结构设计决定了其输出光的偏振特性,一般情况下,由于量子阱、晶格失配应力等因素导致的各向异性,使得激光二极管发射的激光具有很高的偏振度,偏振比可以达到50:1至100:1的程度。

具体到实际应用中,如果需要特定偏振态(如垂直偏振或水平偏振),可以通过设计优化激光二极管的结构或者在其出射面添加偏振片来实现。

同时,某些特殊设计的激光二极管,例如垂直腔面发射激光器(VCSELs),能够产生更稳定的线性偏振光,这对于光纤通信、光学数据存储、激光雷达等领域的应用非常重要。

发光二极管和激光二极管

发光二极管和激光二极管
汽车市场
汽车照明和显示技术的升级,以及新能源汽车市场的快速 扩张,为发光二极管和激光二极管提供了新的增长点。
竞争格局及主要厂商介绍
发光二极管市场
目前,全球发光二极管市场呈现多元化竞 争格局,主要厂商包括日亚化学、欧司朗、 飞利浦、三星等。这些企业在技术研发、 生产规模和市场份额等方面具有较大优势。
VS
激光二极管市场
相对于发光二极管市场,激光二极管市场 集中度较高。主要厂商包括相干公司、IPG 光子、通快等。这些企业在高功率激光二 极管领域具有领先地位。
创新驱动因素及趋势预测
技术创新
随着材料科学、光学设计和制造工艺的不断进步,发光二极管和激光二极管的性能将不断提 升,成本将进一步降低。
应用拓展
发展历程
自1960年代初期激光二极管被发明以来,其经历了从低温工作 到常温工作、从低功率到高功率的发展历程。随着材料和制作 工艺的不断进步,激光二极管的性能不断提高,应用领域也不 断扩展。
现状
目前,激光二极管已经广泛应用于科研、工业、医疗、通信等 领域。随着技术的不断发展,激光二极管的性能和应用范围仍 在不断扩大。
除了传统照明和显示领域外,发光二极管和激光二极管在医疗、生物、通信等新兴领域的应 用也将不断拓展。
智能化和集成化
随着物联网、人工智能等技术的发展,发光二极管和激光二极管的智能化和集成化将成为未 来发展的重要趋势。例如,智能照明系统可以根据环境和用户需求自动调节亮度和色温;集 成化的激光模块可以减小体积、降低成本并提高可靠性。
加工过程中需要采用先进的微纳加工技 术,如光刻、刻蚀、薄膜沉积等,以精 确控制芯片的结构和尺寸。
封装技术与工艺
封装技术对于激光二极管的性能和使用寿命具有重要影响,需要采用合适的封装材 料和工艺,以确保器件的稳定性和可靠性。

激光二极管的波长

激光二极管的波长

激光二极管的波长激光二极管是一种将电能转化为激光能的半导体器件。

它具有小体积、低功率、高效率等特点,广泛应用于通信、医学、显示、仪器仪表等领域。

而激光二极管的波长则是决定其在不同应用领域中的关键参数之一。

激光二极管的波长通常在可见光和红外光范围内,常见的波长包括635nm、650nm、780nm、808nm、850nm、980nm等。

不同波长的激光二极管适用于不同的应用场景。

红光激光二极管的波长通常在635nm至650nm之间。

这种波长的激光二极管被广泛应用于激光指示、激光测距、激光打印等领域。

例如,激光指示器、激光笔等日常生活中常见的产品都采用了红光激光二极管。

此外,红光激光二极管还被应用于医学领域,用于激光治疗、激光手术等。

近红外光激光二极管的波长通常在780nm至850nm之间。

这种波长的激光二极管在通信领域得到了广泛应用。

近红外激光二极管可以用于光纤通信、光纤传感等方面。

由于近红外激光的波长接近光纤的传输窗口,因此它具有较低的损耗和较高的传输效率。

近红外激光二极管还可以用于红外光谱分析、医学成像、激光雷达等领域。

中红外光激光二极管的波长通常在980nm至1064nm之间。

这种波长的激光二极管在医疗美容领域得到了广泛应用。

中红外激光可以被水分子吸收,因此可以用于皮肤去除、毛发去除等医疗美容项目。

中红外激光二极管还可以用于标记、测距、激光雷达等领域。

除了上述常见的波长外,激光二极管还可以通过特殊的设计和制造工艺获得其他波长的输出。

例如,短波长的蓝光激光二极管、绿光激光二极管等。

这些特殊波长的激光二极管在显示、照明、生物医学等领域有着重要的应用。

激光二极管的波长是决定其应用场景的重要参数之一。

不同波长的激光二极管适用于不同的领域和应用需求。

随着激光技术的不断发展,激光二极管的波长范围也在不断拓展,为各个领域的创新和发展提供了更多可能性。

激光二极管的波长

激光二极管的波长激光二极管是一种常见的激光器件,其波长对于激光的应用具有重要意义。

本文将介绍激光二极管的波长特性及其在不同领域的应用。

一、激光二极管波长的定义与特性激光二极管是一种半导体激光器件,其工作原理是通过注入电流激发半导体材料产生激光。

激光二极管的波长通常指的是其发出的激光光束的波长。

激光二极管的波长范围广泛,可以覆盖从红外到紫外的全波段。

常见的波长有650纳米(nm)、785nm、808nm、980nm等,其中808nm和980nm波长的激光二极管在工业和医疗领域中应用较为广泛。

二、激光二极管波长的应用领域1. 通信领域:激光二极管的波长在通信领域有着广泛的应用。

例如,1550nm波长的激光二极管被用于光纤通信系统中的光信号传输。

其波长特性使其具有较低的光纤损耗,并且能够穿透较长距离的光纤。

2. 医疗领域:激光二极管的波长在医疗领域也有着重要的应用。

例如,808nm和980nm波长的激光二极管被广泛应用于激光治疗和激光手术中。

这两种波长的激光具有较高的组织穿透力,能够实现对深层组织的治疗和手术。

3. 工业领域:激光二极管的波长在工业领域中也有着广泛的应用。

例如,980nm波长的激光二极管被用于激光打标、激光切割和激光焊接等工艺中。

其波长特性使其能够实现对不同材料的高效加工。

4. 显示领域:激光二极管的波长在显示领域中也有着应用。

例如,红色和绿色激光二极管的波长被用于激光投影仪和激光显示器中,能够实现高亮度和高对比度的显示效果。

三、激光二极管波长的选择与优化在不同的应用领域中,选择合适的激光二极管波长非常重要。

波长的选择应考虑到材料的吸收特性、光纤传输特性、组织穿透力等因素。

同时,激光二极管的波长也可以通过调节温度或施加外部电场进行优化,以满足不同应用的需求。

激光二极管的波长是其重要的特性之一,不同波长的激光二极管在不同领域中具有各自的应用优势。

正确选择和优化激光二极管的波长,能够实现更高效、更精确的激光应用。

激光二极管的种类讲解

激光二极管的种类讲解激光二极管(Laser Diode)是一种将电能转化为激光能量的半导体器件。

它具有小体积、低成本、高效率和长寿命等优点,广泛应用于通信、医疗、工业和科研领域。

根据不同的工作原理和结构设计,激光二极管可分为以下几种类型。

1. 光电流二极管(Photodiode Laser)光电流二极管是一种将光信号转化为电信号的器件,常用于光通信和光测量等应用。

它的结构类似于普通的二极管,但特殊的材料和工艺使其能够在光照下产生电流。

光电流二极管可应用于光电转换、光电检测、光电控制等领域。

2. 共振腔二极管(Resonant Cavity Laser Diode)共振腔二极管是一种在半导体材料内部形成谐振结构的激光二极管。

它通过在半导体层之间插入一层高折射率材料形成共振腔,从而实现光的共振放大,提高激光输出功率和光束质量。

共振腔二极管广泛应用于光纤通信、激光打印和激光雷达等领域。

3. 超晶格二极管(Superlattice Laser Diode)超晶格二极管是一种利用半导体材料的超晶格结构实现激光增强的器件。

超晶格结构是由若干个周期性交替排列的亚晶层(sub-layers)组成的,具有调控能带结构的能力。

超晶格二极管由于其较小的突破电压和较高的散射效应,被广泛应用于高速通信和微波光电子学等领域。

4. 高斯模式二极管(Gaussian Mode Laser Diode)高斯模式二极管是一种结构紧凑、输出光束质量高的激光二极管。

它采用高斯光束的波前调控技术,将横向模式形成在较小的发光区域内,从而获得更好的模式控制和光束品质。

高斯模式二极管适用于需要高功率和高光束质量的激光应用,如激光制造和激光雷达。

5. 大功率二极管(High Power Laser Diode)大功率二极管是一种输出功率较高的激光二极管。

它通过优化器件结构和工艺流程,提高发光效率和散热性能,从而实现高功率输出。

大功率二极管广泛应用于激光切割、激光焊接和激光打标等领域,满足对高功率激光的需求。

激光二极管知识

激光二极管本质上是一个半导体二极管,按照PN结材料是否相同,可以把激光二极管分为同质结、单异质结(SH)、双异质结(DH)和量子阱(QW)激光二极管。

量子阱激光二极管具有阈值电流低,输出功率高的优点,是目前市场应用的主流产品。

同激光器相比,激光二极管具有效率高、体积小、寿命长的优点,但其输出功率小(一般小于2mW),线性差、单色性不太好,使其在有线电视系统中的应用受到很大限制,不能传输多频道,高性能模拟信号。

在双向光接收机的回传模块中,上行发射一般都采用量子阱激光二极管作为光源。

半导体激光二极管的基本结构如图所示,垂直于PN结面的一对平行平面构成法布里——珀罗谐振腔,它们可以是半导体晶体的解理面,也可以是经过抛光的平面。

其余两侧面则相对粗糙,用以消除主方向外其它方向的激光作用。

半导体中的光发射通常起因于载流子的复合。

当半导体的PN结加有正向电压时,会削弱PN结势垒,迫使电子从N区经PN结注入P区,空穴从P区经过PN结注入N区,这些注入PN结附近的非平衡电子和空穴将会发生复合,从而发射出波长为λ的光子,其公式如下:λ = hc/Eg (1)式中:h—普朗克常数;c—光速;Eg—半导体的禁带宽度。

上述由于电子与空穴的自发复合而发光的现象称为自发辐射。

当自发辐射所产生的光子通过半导体时,一旦经过已发射的电子—空穴对附近,就能激励二者复合,产生新光子,这种光子诱使已激发的载流子复合而发出新光子现象称为受激辐射。

如果注入电流足够大,则会形成和热平衡状态相反的载流子分布,即粒子数反转。

当有源层内的载流子在大量反转情况下,少量自发辐射产生的光子由于谐振腔两端面往复反射而产生感应辐射,造成选频谐振正反馈,或者说对某一频率具有增益。

当增益大于吸收损耗时,就可从PN结发出具有良好谱线的相干光——激光,这就是激光二极管的简单原理。

随着技术和工艺的发展,目前实际使用的半导体激光二极管具有复杂的多层结构。

常用的激光二极管有两种:①PIN光电二极管。

激光二极管原理及应用

激光二极管原理及应用
一、激光二极管的原理
激光二极管是一种基于半导体结构的激光发射器件,其工作原理基于
电子与空穴在半导体材料中的复合过程。

其中,半导体材料通常由两种类
型的杂质掺杂形成,一个是掺杂有过剩电子的n型材料,称为n型半导体;另一个是掺杂有过剩空穴的p型材料,称为p型半导体。

将n型和p型材
料堆叠在一起,形成一个p-n结,就形成了激光二极管。

当外加电压施加到激光二极管的p-n结上时,p区域中的空穴和n区
域中的电子受到电场的作用,开始向引线电极的方向运动。

当空穴和电子
在p-n结处重新结合时,会释放能量,这个能量就转换为光子。

由于p-n
结处的能带结构唯一,电子和空穴的能量差是固定的,所以激光二极管所
发出的光的能量是固定的,并具有较窄的频谱。

二、激光二极管的应用
1.通信
激光二极管广泛应用于现代通信领域。

其被用作传输高速数据的光源,用于构建光纤通信系统。

激光二极管的小尺寸、高效率和低成本使其成为
通信领域的首选光源。

并且,激光二极管还可以用于光纤通信系统中的激
光调制和检测。

2.激光打印机
3.医学
4.显示技术
5.指纹识别与面部识别
总结:
激光二极管作为一种具有特殊光学特性的半导体器件,其工作原理基于半导体材料的电子空穴复合过程。

激光二极管在通信、激光打印机、医学、显示技术等领域都有广泛的应用。

它已经成为现代科技领域不可或缺的重要组成部分。

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收稿日期:2001-02-15作者简介:孙番典(1954- ),男,广东梅州人,华南师大物理系副教授.基金项目:广东省高教厅自然科学基金项目;惠州大学科研基金项目(C20010204).第21卷第4期2001年12月惠州大学学报(自然科学版)Journal of Huizhou University (Nat.Sci.)V ol 1211N o 14Dec 12001一组高精度的半导体激光二极管伺服控制电路孙番典1 刘俊刁2 熊建文1 李庆春2(1华南师范大学物理系 广州 510631 2惠州大学理工学院 惠州 516015)摘 要 介绍一组高精度的半导体激光二极管伺服控制电路。

室温下该电路的电流稳定度达10-3mA ,温度稳定优于10-2K.关键词 半导体激光二极管;注入电流稳定;精密温度控制中图分类号:O453 文献标识码:A 文章编号:1007-6107(2001)04-0033-04引 言半导体激光二极管以其体积小,重量轻,价格低,寿命长,耗电少及频率可快速调谐等优点,已经在国民经济和一系列高科技领域获得了广泛应用。

然而,此种激光器的工作波长与其工作温度、注入电流之间有着强烈的依赖关系,例如,对近红外线半导体激光二极管,工作温度引起的变化约为013nm/K,注入电流引起的变化约为0103nm/mA 。

同时,工作温度和注入电流的变化还会导致半导体激光二极管输出功率的不稳定。

对于某些高科技领域应用,例如近些年发展起来的相干光纤通讯,对作为发送光源和外差检测的本振光源所用的半导体激光器的频率稳定性有很高的要求,同时,还要求其输出频率可调。

又如,在极受重视的激光探潜和大量的激光光谱和原子分子物理研究中,都要求半导体激光器的频率非常稳定。

因此,对半导体激光二极管的注入电流和工作温度的精密控制,并在此基础上对激光器的输出频率进行锁定稳频的技术研究就成为非常必要的。

1 注入电流控制电路为半导体激光二极管提供注入电流的稳定电路,需要具有极高的电流稳定度、能提供一定范围内连续可调的工作电流和接近从零开始起调的精密可调性。

此外,由于半导体激光二极管一般不能承受电流突变的浪涌冲击,电路要求能够抑制,消除电流尖峰脉冲或瞬态浪涌对激光器引起的冲击损伤。

因此,半导体激光二极管供电电源部分需加设慢启动部分,使因电源的开和关引起半导体激光二极管工作电流的突变转化成缓慢改变的过程。

图1为半导体激光二极管注入电流控制电路。

该电路采用基准电压与反馈电压相比较来实现注入电流的调节与稳定:即由LM399组成的精密电压基准经粗、细调构成稳流电路的可调电压基准与(半导体激光二极管内置的)光电二极管的取样信号电压一起输入到改进型的直流差分放大器上,得到一个直流电压,该直流电压再与串接在半导体激光二极管的采样电阻上的并经放大后的反馈电压相比较产生一个差值,用此差值控制压控稳流电路的门(IRF840)的栅极),由这个门调整连续流过半导体激光二极管上的电流。

这样,借助于精密电压基准及粗、细调可选择所需的半导体激光二极管注入电流,实现一定范围内控制半导体激光二极管注入电流的目的。

电源的慢启动部分则由达林顿管TIP142与相应电阻R 、电容C 组成电压缓升电路,使电源开启时,加到半导体激光二极管上的电压缓慢上升;另外由两个LC 的π形电路及取值较大的电容C 起着电流缓降的作用,使当电源关闭或突然中断时,半导体激光二极管工作电流得以经历稍较长时间(2s 左右)缓慢降为零。

图1 半导体激光二极管注入电流稳定电路2 温度控制电路半导体激光二极管工作时,虽然发热量少,但因其体积小,热量难以散发,会使其温度上升。

因此,必须从外部控制其温度,消除半导体激光二极管因自身发热和环境温度变化而出现的温度波动。

此外,由于工作波长与管温有一定的联系。

因此,温控电路应既要能够在一定范围内连续设置工作温度点(温度设置点范围一般273K —313K 之间),又要能够实时检测半导体激光二极管工作温度的微小波动,并加以控制。

图2所示为常用半导体激光二极管工作温度的控温电路;电路中以热敏电阻作为温度传感元件,以半导体致冷器作为热交换元件。

预先通过实验对热敏电阻阻值随温度的变化进行定标,并将其安装在被控温系统上。

由作为温度传感元件的热敏电阻和作为温度设定的可变电阻组(一般由多圈电位器及按一定方式连接的固定电阻组组成,改变该可变电阻组的阻值・43・孙番典 一组高精度的半导体激光二极管伺服控制电路 2001年图2 精密温度控制电路可在一定范围内连续设置不同的工作温度)以及作为桥臂的固定电阻组成测温电桥。

测温电桥将探测到的温差信号转换为电信号,考虑到当被控温系统的温度很接近于予置工作温度时,温度波动的微小改变引起电信号的变化极其微弱,控温电路中设置弱电信号检测中常用的锁相放大。

锁相放大电路主要为方波输出部分(IC4060,晶振及其外接电容、电阻)和锁相放大部分(采用比较通用的开关式锁相放大,由反相器IC4011,四开关器IC4066和两级运算放大器OP -07及其外接电路组成)。

当温度发生微小变化时,测温电桥上将有一个微小电压输出,此经调制的电压,通过相敏检波器与同频的参考方波相乘,即可得到一个直流电压,该电压大小反映了温差的大小,该电压信号输入到经改造的差分放大电路,并通过比例———积分———微分(PI D )控制器和比较器输入到推动级,控制流经作为热交换元件的半导体制冷器的电流对被控温系统进行加热或制冷。

开始通电工作时,被控温系统的温度一般・53・第4期 惠州大学学报(自然科学版)不等于予置工作温度,此时电桥处于非平衡状态;待被控温系统的工作温度接近预置温度,电桥趋于平衡,此时流经半导体致冷器上的电流减少;当达到预置温度时,热敏电阻的阻值与温度设定电阻组的预置阻值相等,电桥处于平衡状态,此时没有电流流过半导体致冷器,半导体制冷器停止加热或制冷。

实际工作中,该测温电桥为一非平衡电桥。

一般地半导体致冷器上会有少量电流流过,维持动态平衡控温系统的工作温度。

由于设有锁相放大控制电路,该控温系统的温度稳定度可优于10-2K 。

一个良好的温度控制系统,不仅取决于电路本身,还取决于良好的物理结构,包括物理结构的几何形状,绝热材料的特性及其它因素的配合。

为了配合控制电路的工作精度以获得最佳的热稳定性和精确的恒温,半导体制冷器与恒温系统的各接触面都应尽量平滑;在安装时,表面应涂上少量导热硅脂,以达到良好的导热效果。

作为温度传感元件的热敏电阻的体积和热容应尽量小,形状上以薄片为宜;在机构结构上应与被控温物体安装在一起并尽可能地靠近,且其表面也应涂上导热硅脂。

此外,被控温系统与外界环境应隔以绝热材料以获得良好的热绝缘,减少恒温系统与外界的热交换。

在对温度稳定度要求特别高的场合,可采用加设内外双层控温。

一般地,在与室温相差不大时,本系统可以安全工作,在与室温相差十几度以上的工作环境时,应考虑加大驱动器件的功率及加大散热块。

3 结束语本文介绍了一组高精度的电流与温度控制电路,采用本电路可实现半导体激光二极管的注入电流在0—100mA 范围内连续可调(通常用的半导体激光二极管为小功率半导体激光二极管,其工作电流一般在50mA 左右),电流稳定度达10-3mA ,温度的稳定优于10-2K,进一步的应用研究仍在进行中。

本工作得到杨世祺教授的支持、帮助,谨此致谢。

参考文献[1]M AC ADAM K B.A narrow band tunable diode laser system with grating feedback and a satutated abs orption spec 2trometer for Cs and Rb ,Am.J.Phys.,December 1992.[2]BRAD LEY CC.Instrumentation for the stable operation of laser diode.the Review of Scientific Instruments ,August 1990.[3]SW ARTZ JM.Fundamentals for usage of cry ogenic temperature ke Shore Cry otronics.inc.A Set of H igh Accurate Servo Circuit for a Semiconductor Laser DiodeS UN Fan 2dian 1 LI U Jun 2diao 2 XI ONGJian 2wen 1 LI Qing 2chun 2(1Department of Physics ,S outh China Normal University ,G uangzhou 516031,2C ollege of T ech.,Huizhou University ,Huizhou 516015)Abstract Introduce a set of high stable serv o circuit for semiconductor laser diode.By using the cir 2cuits ,the fluctuation of the injection current is as low as 10-3mA and the fluctuation of the tem perature is less than 10-2K in the room tem perature.K ey w ords semiconductor laser diode ;injection current stability ;accurate tem perature control ・63・孙番典 一组高精度的半导体激光二极管伺服控制电路 2001年。

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