ES1J中文资料(Taiwan Semiconductor)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
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ES18E18-P1J中文资料(Mean Well)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
直流电压
Note.2 3.3V
5V
7.5V
9V
12V
15V
18V
24V
28V
48V
额定电流
2.72A 3.0A
2.0A
2.0A
1.50A 1.20A 1.0A
0.75A 0.64A 0.375A
电流范围
0.3 ~ 2.72A 0.3 ~ 3.0A 0.3 ~ 2.0A 0.2 ~2.0A 0.15 ~ 1.50A 0.1 ~ 1.20A 0.1 ~ 1.0A 0.1 ~ 0.75A 0.06 ~ 0.64A 0.05 ~ 0.375A
漏电流（最大）
0.25mA / 240VAC
保护
过载
过电压
工作温度.
工作湿度
110 ~ 200% rated output power
130 ~ 350% rated output power
Protection type : Hiccup mode, recovers automatically after fault condition is removed
额定功率（最大）
Байду номын сангаас9W
15W
15W
18W
18W
18W
18W
18W
18W
18W
输出
纹波及噪音（最大） Note.3 50mVp-p 50mVp-p 80mVp-p 80mVp-p 80mVp-p 100mVp-p 150mVp-p 180mVp-p 240mVp-p 240mVp-p
电压 ADJ.范围
Fixed
电压容差
Note.4 5.0%
5.0%
ES1B中文资料(Diodes)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
机械数据
• Case: SMA • 外壳材料：模压塑料. UL可燃性分类
等级94V-0 • 湿度敏感度：每J-STD-020 1级 • Terminals: Lead Free Plating (Matte Tin Finish) Solderable per
MIL-STD-202,方法208 • 极性：负极频带或阴极诺奇 • Weight: 0.064 grams (approximate)
公司不保证或任何接受任何通过非授权渠道购买的任何产品承担任何责任 . 如果客户购买或使用Diodes公司产品的任何意外或未经授权的应用程序,客户应赔偿并Diodes公司及其代表的所有索赔,损害赔偿,费用和律师直接或间接引起 的,费用无害,人身伤害的任何索赔或与此类意外或未经授权的应用程序死亡.
本文描述的产品可能受一个或多个美国,国际或外国专利正在申请中.产品名称和标记.本文中也可以包含在一个或多个美国,国际或涉外商标.
Z
6.5
G
1.5
X
1.7
Y
2.5
C
4.0
重要的提醒
公司不做任何明示不作出任何保证或暗示的 ,关于这一文件, 包括但不限于适销性和针对特定用途的隐含担保（及其任何司法管辖范围内的法律等效） .
公司及其附属公司保留权利作出修改 ,增强,改进,修正或其他变化,恕不另行通知本文档及其所涉及的产品的权利 . Diodes公司不承担因使用或应用 本文档或本文所述的任何产品的任何责任;既没有Diodes公司转达根据其专利权或商标权的任何执照,也没有他人的权利.本文件或在这类应用产品本文所述的任何 客户或用户应承担所有使用风险 ,并同意举行Diodes公司,其产品代表在Diodes公司的网站,反对一切损害无害的所有公司.
• Case: SMA • 外壳材料：模压塑料. UL可燃性分类
等级94V-0 • 湿度敏感度：每J-STD-020 1级 • Terminals: Lead Free Plating (Matte Tin Finish) Solderable per
MIL-STD-202,方法208 • 极性：负极频带或阴极诺奇 • Weight: 0.064 grams (approximate)
公司不保证或任何接受任何通过非授权渠道购买的任何产品承担任何责任 . 如果客户购买或使用Diodes公司产品的任何意外或未经授权的应用程序,客户应赔偿并Diodes公司及其代表的所有索赔,损害赔偿,费用和律师直接或间接引起 的,费用无害,人身伤害的任何索赔或与此类意外或未经授权的应用程序死亡.
本文描述的产品可能受一个或多个美国,国际或外国专利正在申请中.产品名称和标记.本文中也可以包含在一个或多个美国,国际或涉外商标.
Z
6.5
G
1.5
X
1.7
Y
2.5
C
4.0
重要的提醒
公司不做任何明示不作出任何保证或暗示的 ,关于这一文件, 包括但不限于适销性和针对特定用途的隐含担保（及其任何司法管辖范围内的法律等效） .
公司及其附属公司保留权利作出修改 ,增强,改进,修正或其他变化,恕不另行通知本文档及其所涉及的产品的权利 . Diodes公司不承担因使用或应用 本文档或本文所述的任何产品的任何责任;既没有Diodes公司转达根据其专利权或商标权的任何执照,也没有他人的权利.本文件或在这类应用产品本文所述的任何 客户或用户应承担所有使用风险 ,并同意举行Diodes公司,其产品代表在Diodes公司的网站,反对一切损害无害的所有公司.
ES1J中文资料(Won-Top Electronics)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
A C
B D
F HG E
SMA/DO-214AC
Dim
Min
A
2.50
B
4.00
C
1.20
D
0.152
E
4.80
F
2.00
G
0.051
H
0.76
在毫米所有尺寸
Max 2.90 4.60 1.60 0.305 5.28 2.44 0.203 1.52
最大额定值和电气特性
@TA = 25°C除非另有说明
100
1.0 1.2 1.4
Tj = 25 °C f = 1.0MHz
20 10
10 C,电j 容（pF）
,峰FS值M 正向浪涌电流（A）
I0
1
1
10
100
1
10
100
循环次数在60Hz
VR,反向电压（V）
图. 3峰值正向浪涌电流
图. 4典型结电容
50Ω NI（非感性）
10Ω NI
trr +0.5A
0
0 25 50 75 100 125 150 175
T L ,焊接温度 图. 1正向电流降额曲线
( ° C)
30
Pulse width 8.3 ms single half-sine-wave
(JEDEC method)
,正F 向电流（A） I 0.01
0 0.2 0.4 0.6 0.8
VF,正向电压（V） 图. 2典型正向特性
出货数量
7500 /磁带和卷轴 7500 /磁带和卷轴 7500 /磁带和卷轴 7500 /磁带和卷轴 7500 /磁带和卷轴 7500 /磁带和卷轴 7500 /磁带和卷轴
EEUEB1J101中文资料
■ Specifications
Category Temp. Range Rated W.V. Range Nominal Cap. Range Capacitance Tolerance DC Leakage Current tan δ –40 °C to +105 °C 10 V.DC to 63 V.DC 0.47 µF to 3300 µF ±20 % (120 Hz/+20 °C) I < 0.01 CV or 3 (µA) After 2 minutes application of rated working voltage at +20 °C (Whichever is greater) Please see the attached standard products list After following life test with DC voltage and +105 °C±2 °C ripple current value applied (The sum of DC and ripple peak voltage shall not exceed the rated working voltage), when the capacitors are restord to 20 °C, the capacitors shall meet the limits specified below. Duration : φ5 11 to φ8 11.5 : 5000 hours φ5 15 to φ6.3 15 : 7000 hours φ8 15 to φ12.5 25 : 10000 hours Capacitance change ±30 % of initial measured value tan δ < 300 % of initial specified value DC leakage current < initial specified value After storage for 1000 hours at +105 °C±2 °C with no voltage applied and then being stabilized at +20 °C, capacitors shall meet the limits specified in Endurance. (With voltage treatment)
ES51C1C15V-13.000M中文资料(Ecliptek)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
16.384, 16.800, 17.500, 18.432, 19.200, 19.440, 20.000, 20.480, 24.000, 24.5535, 24.576, 25.000,
和27.000MHz
- 工作温度范围
请参阅品名表示指南
与频率容差（25°C±2°C,V
= 5.0V , V= 1.5V) ±1.0ppm最大
产品规格
MIL-STD-883,方法1014,条件A MIL-STD-883,方法1014,条件C MIL-STD-202,方法213,条件C MIL-STD-883,方法2007,条件A MIL-STD-883,方法2003 MIL-STD-883,法1010 MIL-STD-202,方法210 MIL-STD-202,方法215
在100kHz偏移
-145dBc/Hz
5毫秒最大
-55°C至125°C
ES51C1
CERAMIC
5.0V
规格如有更改,恕不另行通知.
OS4J
.
11/08
芯片中文手册,看全文,戳
工作温度范围
A = 0°C至50℃ B = 0℃至70℃ C = -20°C至70℃ D = -30°C至85°C E = -40°C至85°C
频率稳定度
老化（ 25°C）
工作温度范围
电源电压（V
)
输入电流
输出电压 负载驱动能力 外部调整（电压控制选项） 线性 调制带宽 输入阻抗
典型相位噪声（在 12.800MHz）
启动时间 存储温度范围
ECLIPTEK CORP.
OSCILLATOR
10.000, 10.240, 10.245, 12.000, 12.288, 12.800, 13.000, 14.000, 14.400, 14.7456, 15.360, 16.000,
EETUQ2G391DJ中文资料(Panasonic)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
4.0mm
Diamete22r mm
B
H
25mm
C
J
30mm
D
K
35mm
E
L
(Please see page 10 for details)
3 4.0mm
P Q R S
TS-UQ标 准 额 定 值
(part numbersshown with 2 pinsand 6.3mm length terminal)
J
A
（无后缀）
J
A
（无后缀）
J
A
（无后缀）
J
A
（无后缀）
J
A
（无后缀）
J
A
（无后缀）
J
A
（无后缀）
J
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TS-UQ标准评定（续）
Cap.
尺寸（ mm）
(µF)
DxL
8200 12000 15000 18000
22000
27000 33000
39000 47000 56000 68000
160~450WV: 0.75 0.8 1.0 1.2 1.25 1.4
Multiplier: 1.0 1.3 1.4 1.5
编号系统
耐力：
用规定最大纹波电流2000小时在+ 85°C（参见第6页）
*Use of temperature ripple current multipliersmay limit life to the hoursspecified for the maximum operating temperature.
EETUQ 1H332B_ EETUQ 1H472B_ EETUQ 1H472C _ EETUQ 1H562B_ EETUQ 1H682B_ EETUQ 1H682C _ EETUQ 1H682D_ EETUQ 1H822B_ EETUQ 1H822C _ EETUQ 1H103B_ EETUQ 1H103C _ EETUQ 1H103D_ EETUQ 1H103E_ EETUQ 1H123C _ EETUQ 1H123D_ EETUQ 1H123E_
ES1J中文资料
NOTE
SUGGESTED SOLDER PAD LAYOUT
0.090”
0.085”
0.070”
元器件交易网
ES1A thru ES1M
Figure 1 Typical Forward Characteristics 20
10 6
4
2 Amps 1
.6 .4
25°C
.2 .1 .06 .04
.02
.01 .2
.4
.6
.8
1.0 1.2
Volts
Instantaneous Forward Current - Amperesversus Instantaneous Forward Voltage - Volts
MCC
Figure 2 Forward Derating Curve
MCC
Figure 5 New SMA Assembly
Round Lead Process
Figure 6 Reverse Recovery Time Characteristic And Test Circuit Diagram
50Ω
10Ω
25Vdc
1Ω
Notes: 1. Rise Time = 7ns max. Input impedance = 1 megohm, 22pF 2. Rise Time = 10ns max. Source impedance = 50 ohms 3. Resistors are non-inductive
IF(AV) IFSM
VF IR
1.0A 30A
TJ = 75°C 8.3ms, half sine
.975V 1.35V 1.60V
ES1J中文资料(fairchild)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
500
1.0
30
150 -55至150
1.47
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may by impaired.
ES1J
600
热特性
符号
参数
值
R JA
2. 关键部件是一个生命支持设备或系统,其不履行可以合 理预期造成生命支持设备或系统故障,或影响其安全性或有 效性任何组件.
产品状态定义 术语定义
数据表标识 超前次生产 满负荷生产 不在生产中
定义
该数据表包含设计规范进行产品开发. 规格可以以任何方式更改,恕不另行通知.
该数据表包含初稿数据;补充资料将在晚些时候公布.飞兆半导体防护 留在任何时间更改,恕不另行通知,以提高设计权利.
该数据表包含最终规格.飞兆半导体防护留在任何时间更改,恕不另行通知 ,以提高设计权利. 此数据表包含已停产飞兆半导体产品技术规范.该数据表仅供参考信息.
Rev. I30
FIG.3- TYPICAL INSTANTANEOUS FORWARD CHARACTERISTICS
FIG.4- TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS
FIG.5- TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE
芯片中文手册,看全文,戳
包装尺寸
V ns uA pF
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典型性能特性
FIG.1- MAXIMUM FORWARD CURRENT DERATING CURVE
FIG.2- MAXIMUM NON-REPETITIVE PEAK FORWARD SURGE CURRENT
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- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
最大额定值和电气特性
等级25 ℃ 环境温度,除非另有规定. 单相,半波,60赫兹,电阻或电感性负载. 对于容性负载,减免电流20％
型号数量
最大经常峰值反向电压 最大RMS电压 最大直流阻断电压 最大正向平均整流电流 峰值正向浪涌电流,8.3毫秒单半正弦波 叠加额定负荷（JEDEC方法） 最大正向电压（注1）
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1.0AMP.表面贴装超快速整流器
ES1A - ES1J
SMA/DO-214AC Pb
特征
玻璃钝化结芯片 对于表面安装应用程序 薄型封装 内置应变rellef 非常适于自动贴片 方便取放 超快恢复时间高效率 玻璃钝化结 高温焊接：
RoHS
260℃/ 10秒码头
0.95 5 100 35 16 85 35 - 55到+ 150 - 55到+ 150 =0.25A
1.3
1.7
V uA uA nS pF C/W C C
18
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额定值和特性曲线（ES1A THRU ES1J）
FIG.1- MAXIMUM FORWARD CURRENT DERATING CURVE
使用塑料材料进行包销商 实验室分类94V-0 合格根据AEC-Q101 对包装绿色化合物与后缀"G" 代码和对日期代码前缀"G"
机械数据
案例：模压塑料 终端：纯锡电镀,无铅 极性：由阴极频带指示 包装：每EIA STD RS-48112毫米带 重量：0.064克
尺寸以英寸（毫米） 标记图
ES1X =具体设备守则 G =绿色复合 Y =年 M =工作月
1.2 A 1
FIG. 2- TYPICAL INSTANTANEOUS FORWARD CHARACTERISRICS 100 TA=25℃ Pulse Width=300us 1% Duty Cycle A 10 ES1A-D CURRENT (A) FORWARD 1 INSTANTANEOUS ES1F-1G
符
V V V I I V @ T =25 ℃ @ T =125 ℃ I Trr Cj R R T T =0.5A, I =1.0A, I = 4.0伏特
ES 1A 50 35 50
ES 1B 100 70 100
ES 1C 150 105 150
ES 1D 200 140 200 1 30
ES 1F 300 210 300
ES 1G 400 280 400
ES 1H 500 350 500
ES 1J 600 420 600
Units V V V A A
@1A
反向电流最大DC额定 阻断电压DC 最大反向恢复时间（注2） 典型结电容（注3） 最大热阻 工作温度范围 存储温度范围 注1：PW = 300微秒脉冲测试,1％占空比 注2：反向恢复测试条件：I 注3：测量在1 MHz和应用V
TA=75℃
CURRENT (uA) REVERSE INSTANTANEOUS
FIG. 4- TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE
100 1 TA=25℃ ES1F-J 0.1
10 JUNCTION CAPACபைடு நூலகம்TANCE (pF)
ES1A-D 0.01 0 20 40 60 80 100 120 140 PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE (%)
1 0.1 1 10 100 REVERSE VOLTAGE (V)
RESISTER OR 0.8 INDUCTIVE LOAD CURRENT (A) 0.6 AVERAGE FORWARD 0.4 0.2 0 80 90 100 110 120 130 140 150 LEAD TEMPERATURE ( C)
0.1
ES1H-1J
0.01 30 A 25 20 CURRENT 15 (A) FIG. 5- TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS 10 PEAK FORWARD SURGE 5 0 1 10 NUMBER OF CYCLES AT 60 Hz 100 A 10 100 TA=125℃ 1000 FIG. 3- MAXIMUM NON-REPETITIVE FORWARD PEAK SURGE CURRENT 8.3mS Single Half Sine Wave (JEDEC Method) 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 FORWARD VOLTAGE (V) 1.6 1.8