【CN110052677A】一种大深径比的半球微坑阵列的加工工艺【专利】
一种在金属表面上加工微坑阵列的方法[发明专利]
![一种在金属表面上加工微坑阵列的方法[发明专利]](https://img.taocdn.com/s3/m/79c33e35eef9aef8941ea76e58fafab068dc4476.png)
(10)申请公布号 (43)申请公布日 2014.01.22C N 103526266A (21)申请号 201310495739.X(22)申请日 2013.10.22C25D 13/06(2006.01)C23F 1/02(2006.01)C25F 3/14(2006.01)(71)申请人河南理工大学地址454003 河南省焦作市高新区世纪大道2001号(72)发明人明平美 包晓慧 杨磊 郝巧玲李慧娟 王俊涛 毕向阳张晓东(54)发明名称一种在金属表面上加工微坑阵列的方法(57)摘要本发明涉及一种在金属表面上加工微坑阵列的方法,包括如下步骤:(a )在工件待加工表面(2)上均匀电泳涂覆一层非金属微粒子(1)组成的膜(3);(b )工件待加工表面上的膜经干燥后,在非金属微粒子玻璃转化温度下烘烤30~90分钟,然后自然冷却到室温;(c )把涂覆有膜的工件待加工表面置于化学腐蚀液或电解液中,在轻微搅拌的情况下进行化学或电化学腐蚀加工;(d )当工件待加工表面上的膜完全脱落后,停止腐蚀加工,取出工件,冲洗、干燥。
本发明所提供的方法工艺成本低,灵活高效,在三维复杂、大面积的金属表面上加工出密集排布的微坑阵列。
(51)Int.Cl.权利要求书1页 说明书3页 附图1页(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请权利要求书1页 说明书3页 附图1页(10)申请公布号CN 103526266 A1/1页1.一种在金属表面上加工微坑阵列的方法,其特征在于:包括如下步骤:(a )在工件待加工表面(2)上均匀电泳涂覆一层非金属微粒子(1)组成的膜(3);(b )工件待加工表面(2)上的膜(3)经干燥后,在一定温度下烘烤30~90分钟,然后自然冷却到室温;(c )把涂覆有膜(3)的工件待加工表面(2)置于化学腐蚀液或电解液中,在轻微搅拌的情况下进行化学或电化学腐蚀加工;(d )当工件待加工表面(2)上的膜(3)完全脱落后,停止腐蚀加工,取出工件,冲洗、干燥。
一种基于半球微结构的超分辨显微装置[发明专利]
![一种基于半球微结构的超分辨显微装置[发明专利]](https://img.taocdn.com/s3/m/b2faad0281c758f5f71f6712.png)
专利名称:一种基于半球微结构的超分辨显微装置专利类型:发明专利
发明人:李旸晖,雷文君,芮丛珊,周辉,刘小煜
申请号:CN201710539967.0
申请日:20170630
公开号:CN107144951A
公开日:
20170908
专利内容由知识产权出版社提供
摘要:本发明公开了一种基于半球微结构的超分辨显微装置,包括激光器、第一偏振分束镜、第二偏振分束镜、第一反射镜、第二反射镜、半波片、上物镜、下物镜和探测器。
所述的上物镜和下物镜之间设有用于聚焦光线的半球微结构和用于承载样品的样品台,所述半球微结构为对称结构,包括第一半球和第二半球,所述样品台位于第一半球和第二半球之间。
本装置针对之前超分辨显微技术中存在的对光功率要求过高、系统结构复杂、搭建成本较高以及成像速度慢等问题,提出了一种基于半球微结构的超分辨显微装置,该装置利用了半球微结构的亚波长聚焦效应实现了超分辨显微技术。
申请人:中国计量大学
地址:310018 浙江省杭州市下沙高教园区学源街258号
国籍:CN
更多信息请下载全文后查看。
超声微坑加工装置[发明专利]
![超声微坑加工装置[发明专利]](https://img.taocdn.com/s3/m/ba1bf8eeeff9aef8951e0611.png)
专利名称:超声微坑加工装置
专利类型:发明专利
发明人:王建青,王耀宇,祝锡晶,邵延君,崔学良,成全,成志婕,周雯雯,傅迎泽
申请号:CN201911053262.3
申请日:20191031
公开号:CN110744142A
公开日:
20200204
专利内容由知识产权出版社提供
摘要:本发明公开了一种超声微坑加工装置,包括支撑系统和超声微坑声学加工系统;支撑系统包括支撑叶轮轮盘(102),支撑叶轮轮盘(102)上径向均匀安装多个支撑叶轮叶片(105),支撑叶轮叶片(105)端部安装滚轮(108);支撑叶轮轮盘(102)固定安装于机床安装杆(101)端部的支撑轮安装轴(101a)上。
本发明装置应用超声加工的原理,通过高频振动冲击(20KHz以上)在摩擦副表面形成一定规律排布的微坑阵列结构,加工过程无污染,加工效率极高,加工微坑深度可调,加工后微坑形貌良好,且通过振动冲击切削加工在摩擦副表面产生残余压应力,极大改善摩擦副抗疲劳强度,在改善摩擦副摩擦性能的同时,延长其使用寿命。
申请人:中北大学
地址:030051 山西省太原市学院路3号
国籍:CN
代理机构:太原科卫专利事务所(普通合伙)
更多信息请下载全文后查看。
一种大深径比的半球微坑阵列的加工工艺[发明专利]
![一种大深径比的半球微坑阵列的加工工艺[发明专利]](https://img.taocdn.com/s3/m/42d9edcabcd126fff6050b3b.png)
专利名称:一种大深径比的半球微坑阵列的加工工艺专利类型:发明专利
发明人:宋金龙,黄柳,刘新,王续跃,孙玉文
申请号:CN201910373738.5
申请日:20190507
公开号:CN110052677A
公开日:
20190726
专利内容由知识产权出版社提供
摘要:本发明属于微细加工技术领域,提供一种大深径比的半球微坑阵列的加工工艺,步骤如下:对金属基板预处理;掩膜制备:依次将光致抗蚀干膜HT200和具有镂空图案的掩膜板贴于预处理后的金属板上,然后于波长360nm的紫外光下照射以引发光聚合反应,再在质量分数5%的NaCO溶液中显影,从而复制图案到干膜上;电解加工:分别将覆有干膜的金属板和同尺寸的铜板作为阳极和阴极安装在侧冲夹具上,并加一定的脉冲电压进行加工,然后将金属工件取出并置于质量分数5%的NaOH溶液中去膜,经清洗、吹干后获得大深径比的半球微坑阵列。
本发明方法具有易操作、低成本、高效率、所得半球微坑阵列的深径比大且进一步减小摩擦磨损等优点。
申请人:大连理工大学
地址:116024 辽宁省大连市甘井子区凌工路2号
国籍:CN
代理机构:大连理工大学专利中心
更多信息请下载全文后查看。
一种超高深宽比金属微柱阵列的制作方法[发明专利]
![一种超高深宽比金属微柱阵列的制作方法[发明专利]](https://img.taocdn.com/s3/m/e0d81683af1ffc4fff47accd.png)
专利名称:一种超高深宽比金属微柱阵列的制作方法专利类型:发明专利
发明人:杜立群,曹强,杜成权,肖海涛,赵明,翟科
申请号:CN202010458143.2
申请日:20200527
公开号:CN111621816A
公开日:
20200904
专利内容由知识产权出版社提供
摘要:一种超高深宽比金属微柱阵列的制作方法,属于微制造技术领域。
基于UV‑LIGA技术,在不锈钢基底上,将传统的高深宽比微柱的制作工艺转化为高宽深比微结构的制作工艺,从而将“超高深宽比微盲孔结构的显影和微电铸”转化为“微沟槽的显影和微电铸”,制作过程中避免了高深宽比带来的传质难度;利用叠层光刻胶工艺,通过多次SU‑8光刻胶套刻、微电铸镍、溅射铜导电层以及铸后平坦化处理,将微柱阵列与底板制作得到;利用真空退火工艺降低铸层的内应力,并提高铸层之间的结合力。
本发明解决了深宽比大于或远大于10:1的超高深宽比金属微柱阵列的制作难题,并且微柱深宽比越大,本发明的有益效果越明显。
另外,本发明具有微柱与背板结合力强、铸层之间结合力强等优点。
申请人:大连理工大学
地址:116024 辽宁省大连市甘井子区凌工路2号
国籍:CN
代理机构:大连理工大学专利中心
更多信息请下载全文后查看。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910373738.5
(22)申请日 2019.05.07
(71)申请人 大连理工大学
地址 116024 辽宁省大连市甘井子区凌工
路2号
(72)发明人 宋金龙 黄柳 刘新 王续跃
孙玉文
(74)专利代理机构 大连理工大学专利中心
21200
代理人 温福雪 侯明远
(51)Int.Cl.
B23H 3/00(2006.01)
B23H 11/00(2006.01)
(54)发明名称
一种大深径比的半球微坑阵列的加工工艺
(57)摘要
本发明属于微细加工技术领域,提供一种大
深径比的半球微坑阵列的加工工艺,步骤如下:
对金属基板预处理;掩膜制备:依次将光致抗蚀
干膜HT200和具有镂空图案的掩膜板贴于预处理
后的金属板上,然后于波长360nm的紫外光下照
射以引发光聚合反应,再在质量分数5%的
Na 2CO 3溶液中显影,从而复制图案到干膜上;电
解加工:分别将覆有干膜的金属板和同尺寸的铜
板作为阳极和阴极安装在侧冲夹具上,并加一定
的脉冲电压进行加工,然后将金属工件取出并置
于质量分数5%的NaOH溶液中去膜,经清洗、吹干
后获得大深径比的半球微坑阵列。
本发明方法具
有易操作、低成本、高效率、所得半球微坑阵列的
深径比大且进一步减小摩擦磨损等优点。
权利要求书1页 说明书3页 附图1页CN 110052677 A 2019.07.26
C N 110052677
A
权 利 要 求 书1/1页CN 110052677 A
1.一种大深径比的半球微坑阵列的加工工艺,其特征在于,步骤如下:
(1)预处理:对金属板清洗除油,再进行机械抛光,然后用去离子水超声清洗,吹干;
(2)掩膜制备:依次将光致抗蚀干膜HT200和具有镂空图案的掩膜板贴于预处理后的金属板上,然后于波长360nm的紫外光下照射20s~40s以引发光聚合反应,再在质量分数5%的Na2CO3溶液中显影1min~3min,从而复制图案到光致抗蚀干膜HT200上;所述的掩膜板上掩膜孔的直径为300μm~800μm,掩膜孔间的中心距为1.8mm~2.4mm;
(3)电解加工:分别将步骤(2)制备得到的金属板和同尺寸的铜板作为阳极和阴极安装在侧冲夹具上,调整阳极和阴极的间隙为1mm~3mm,通过电解液循环系统使阳极和阴极间充满质量分数10%~20%的NaNO3溶液并加一定的脉冲电压进行加工,然后将阳极金属板取出并置于质量分数5%的NaOH溶液中去膜1min~5min,经清洗、吹干后获得大深径比的半球微坑阵列;保证半球微坑间不干涉的条件下,脉冲加工参数为电流密度6A·cm-2~20A·cm-2,频率10kHz~30kHz,占空比20%~100%,加工时间0.5min~4min。
2.根据权利要求1所述的加工工艺,其特征在于,所述的金属板的材质为铝合金、镁合金、铜、不锈钢。
2。