2012年浙江理工大学928半导体物理考研试题
浙江理工大学电子技术基础(模电、数电)考研真题2011年、2012年

图2 3. 电 路 如 图 3 所 示 , 晶 体 管 的 = 80, rbe=1kΩ 。(15 分)
(1)求出 Q 点;
( 2) 分 别 求 出 RL= ∞ 和 RL= 3kΩ 时 电 路 的 Au 和 Ri;
第 1 页 ,共 4 页
(3)求出 Ro。
图3 4. 电路如图 4 所示:(10 分)
浙江理工大学
二 O 一二年硕士学位研究生招生入学考试试题 考试科目:电子技术基础(模电、数电)A 代码:954
(请考生在答题纸上答题,在此试题纸上答题无效) Ⅰ、模拟部分
1.电路如图 1 所示,晶体管导通时 UBE=0.7V,β=50。试分析 VBB 为 0V、1V、3V 三种情况下 T 的工作状态及输出电压 uO 的值。(10 分)
+/cc
jⅠ t:1
C
叫
R:2
+1/cc
R:1
舀
丿?。 2
一 /cc
R:1
C
叫
R:2
图4
第 2页 ,共 4页
+/cc
五。电路如图 5所 示,已 知集成运放的最大输 出电压幅值为±12V, 山的数值在 u。 1
的峰峰值之 间。 (1)求解 u。3的 占空 比与 uI的 关系式。
(2)设uI=2。 5Ⅴ ,画 出u。 卜 %2和 u。 3的 波形 。(20分 )
(1) 判断电路中引入了哪种组态的交流负反馈,并计算它们的反馈系数; (2) 估算电路在深度负反馈条件下的电压放大倍数。
图4 5. 电 路 如 图 5 所 示 。(15 分)
( 1) 写 出 uO 与 uI1、 uI2 的 运 算 关 系 式 ; ( 2) 当 RW 的 滑 动 端 在 最 上 端 时 , 若 uI1= 10mV, uI2= 20mV, 则 uO= ? ( 3) 若 uO 的 最 大 幅 值 为 ± 14V, 输 入 电 压 最 大 值 uI1max= 10mV, uI2max= 20mV,最 小 值 均 为 0V,则 为 了 保 证 集 成 运 放 工 作 在 线 性 区 ,R2 的 最 大 值 为 多 少 ?
浙江理工大学2012年硕士研究生初试、复试科目参考书及考试大纲

浙江理工大学2012年攻读学术型(理论型)硕士研究生初试非统考科目所用教材或主要参考书一览表代码课程名称教材(主要参考书)、编著者或出版社601 数学分析①《数学分析》(上、下册),华东师范大学数学系编,高等教育出版社,第3版;②《数学分析》(上、下册),复旦大学数学系编,高等教育出版社,第2版711 艺术概论①《艺术学概论》,彭吉象,北京大学出版社,1994年;②《艺术概论》,王宏建,文化艺术出版社,2000年715 生物化学《生物化学》,王镜岩、朱圣庚、徐长法主编,高等教育出版社,第3版716 普通生态学牛翠娟等著,基础生态学(第2版),高等教育出版社,2007.12717 中外建筑史①《中国建筑史》,编写组著,中国建工出版社;②《外国建筑史》(十九世纪末叶以前),陈志华编,中国建工出版社;③《外国近现代建筑史》,同济等四院校合编,中国建工出版社718 设计艺术理论①《艺术设计概论》,李砚祖著,湖北美术出版社(2009);②《世界现代设计史》,王受之著,新世纪出版社719 物理化学A 《物理化学》,天津大学物理化学教研室编,高等教育出版社,第4版723 艺术专业理论①《服装·产业·设计师》,莎伦·李·塔特,中国纺织出版社;②《设计学概论》,尹定邦,湖南科学技术出版社745 美术理论①《美术概论》王宏建、袁宝林著,高等教育出版社;②《中国美术史》,洪再新著,中国美术学院出版社;③《外国美术史》,潘耀昌、欧阳英著,中国美术学院出版社756 马克思主义基本原理《马克思主义基本原理概论》,逄景聚,高等教育出版社,最新版757 思想政治教育学原理《思想政治教育学原理》,张耀灿等,高等教育出版社,2004758 毛泽东思想和中国特色社会主义理论体系概论《毛泽东思想和中国特色社会主义理论体系概论》,本书编写组,高等教育出版社,2010年版912 高等代数《高等代数》,北京大学数学系几何与代数教研室前代数小组编(王萼芳、石生明修订),高等教育出版社,第3版915 艺术专业设计(服装)①《西洋服装史》第二版,李当岐,高等教育出版社,2005,7;②《中国服装史》第三版,华梅,中国纺织出版社,2007.10;③《服装材料及其应用》吴微微、全小凡浙江大学出版社2000.11;④《服装设计概论》刘晓刚,主编东华大学出版社;2008.01;⑤《时装设计艺术》刘晓刚,东华大学出版社,第2版,2005.9916 设计分析与评论不限,结合专业方向,参考书任选。
浙江理工大学传感器原理及应用考研真题2012、2017—2019年

浙江理工大学二O一二年硕士学位研究生招生入学考试试题考试科目:传感器原理及应用代码:950(请考生在答题纸上答题,在此试题纸上答题无效)一、简答题(6小题,每题10分,共60分)1.何为差动变压器的零点残余电压?说明零点残余电压产生的原因,以及减小零点残余电压的有效措施。
2.简述涡流式传感器的分类和测量原理。
用涡流传感器测量位移的话与其它位移传感器比较,其主要优点是什么?3.压电式传感器的工作原理是什么?压电式传感器的信号调理为什么必须要设置前置放大器?主要采用哪些类型的前置放大器,其各自的特点如何?4.何为霍尔元件的不等位电势?说明其产生的原因,以及减小不等位电势的有效措施。
5.简述线阵CCD摄像器件的结构组成及其运行原理。
6.设三种制造热电偶的材料A、B、C,两两配对后的热电热分别为:E AB(T,T0)、E BC(T,T0)、E AC(T,T0)。
试证明:E AB(T,T0)=E AC(T,T0)-E BC(T,T0)。
并说明这一公式的实践意义。
二、综合题(4小题,共90分)1. 等精度测量某电阻10次,测量值为150.20Ω、150.35Ω、150.00Ω,150.57Ω、150.64Ω、150.81Ω、150.27Ω、150.43Ω、150.51Ω、150.26Ω。
(15分)1)求10次测量的算术平均值,测量的标准误差和算术平均值的标准误差;2)置信概率取99.7%,写出被测电阻的真值和极限值。
2.采用四片相同的金属丝应变片(K=2),将其粘贴在图1所示的实心圆柱形测力弹性元件上。
已知力F=10KN ,圆柱横截面半径r=1cm ,材料的杨氏模量E=2×107N/cm 2,泊松比μ=0.3。
(25分)1)画出应变片在圆柱上的粘贴位置及对应的测量桥路原理图,以达到提高电压灵敏度,降低非线性误差的目的。
2)求各应变片的应变及电阻相对变化量。
3)若电桥供电电压U=6V ,负载电阻为无穷大时,求桥路输出电压U o 。
浙江理工大学数学分析考研真题2007—2012、2017—2019年

(D) f (0) 为极大值
8.设函数 f (x) (x 1)(x 2)(x 3) ,则方程 f "(x) 0 有( ).
(A)三个实根 (B)二个实根 (C)一个实根 (D)无实根
9.已知曲线 y ax3 bx 2 cx d 有一个拐点,其中 a 0 ,且在拐点处有一水平切线, 则 a , b , c 之间的关系是( ). (A) a b c 0 (B) b2 6ac 0 (C) b2 4ac 0 (D) b2 3ac 0
( B) 对 区 间 [a, b] 进 行 均 匀 等 分 : a x0 x1 xn b , 并 任 意 选 取
k
[
x
k
1
,
xk
]
作和
b
n
a
n k 1
f
( k1 ) ,当 n
时,此和趋向于一个确定的极限
(C)对区间[a, b] 进行均匀等分: a x0 x1 xn b ,并作和
b a n f ( xk1 xk ) ,当 n 时,此和趋向于一个确定的极限
n k 1
2
(D)对区间[a,b] 进行均匀等分: a
x0
x1
xn
b ,并作和 b a n
n k 1
f
(xk ) ,
浙江理工大学
二 OO 八年硕士学位研究生招生入学考试试题
考试科目:数学分析
代码:721
注1:请考生在答题纸上答题(写明题号,不必抄题),写在此试卷上或草稿纸上一律无效;
注 2:3 小时完成,满分 150 分.
一(每小题 3 分,共 15 分)、叙述下列定义或定理.
1.叙述实数 是实数子集 S 的上确界的定义; 2.叙述定义在区间 I 上的函数 f 是不一致连续的定义(要求用 语言正面叙述);
浙江理工大学普通物理题库磁场复习题讲诉

磁场复习题一、选择题 1、5669在半径为R 的长直金属圆柱体内部挖去一个半径为r 的长直圆柱体,两柱体轴线平行,其间距为a ,如图.今在此导体上通以电流I ,电流在截面上均匀分布,则空心部分轴线上O ′点的磁感强度的大小为 (A) 2202R a a I ⋅πμ (B) 22202Rr a a I -⋅πμ (C)22202r R a a I-⋅πμ (D) )(222220a r R a a I -πμ[ C ]2、2448磁场由沿空心长圆筒形导体的均匀分布的电流产生,圆筒半径为R ,x 坐标轴垂直圆筒轴线,原点在中心轴线上.图(A)~(E)哪一条曲线表示B -x 的关系?B3、2003无限长载流空心圆柱导体的内外半径分别为a 、b ,电流在导体截面上均匀分布,则空间各处的B的大小与场点到圆柱中心轴线的距离r的关系如图所示.正确的图是[ B ]4、5121在图(a)和(b)中各有一半径相同的圆形回路L 1、L 2,圆周内有电流I 1、I 2,其分布相同,且均在真空中,但在(b)图中L 2回路外有电流I 3,P 1、P2为两圆形回路上的对应点,则:(A) =⎰⋅1d L l B ⎰⋅2d L l B , 21P P B B = (B) ≠⎰⋅1d L l B ⎰⋅2d L l B, 21P P B B=. (C) =⎰⋅1d L l B ⎰⋅2d L l B, 21P P B B≠.(D) ≠⎰⋅1d L l B⎰⋅2d L l B, 21P P B B ≠. [ C ]aR r O O ′IBx OR(D)Bx O R(C)BxOR(E)L 1 2 I 3 (a)(b) ⊙A 、B 两个电子都垂直于磁场方向射入一均匀磁场而作圆周运动.A 电子的速率是B 电子速率的两倍.设R A ,R B 分别为A 电子与B 电子的轨道半径;T A ,T B 分别为它们各自的周期.则(A) R A ∶R B =2,T A ∶T B =2. (B) R A ∶R B 21=,T A ∶T B =1. (C) R A ∶R B =1,T A ∶T B 21=. (D) R A ∶R B =2,T A ∶T B =1. [ D ] 6、2063图为四个带电粒子在O 点沿相同方向垂直于磁感线射入均匀磁场后的偏转轨迹的照片.磁场方向垂直纸面向外,轨迹所对应的四个粒子的质量相等,电荷大小也相等,则其中动能最大的带负电的粒子的轨迹是 (A) Oa . (B) Ob .(C) Oc . (D) Od . [ C ] 7、2466把轻的正方形线圈用细线挂在载流直导线AB 的附近,两者在同一平面内,直导线AB 固定,线圈可以活动.当正方形线圈通以如图所示的电流时线圈将(A) 不动. (B) 发生转动,同时靠近导线AB .(C) 发生转动,同时离开导线AB .(D) 靠近导线AB .(E) 离开导线AB . [ D ] 8、2595有一N 匝细导线绕成的平面正三角形线圈,边长为a ,通有电流I ,置于均匀外磁场B中,当线圈平面的法向与外磁场同向时,该线圈所受的磁力矩M m 值为 (A) 2/32IB Na . (B) 4/32IB Na .(C) ︒60sin 32IB Na . (D) 0. [ D ]9、2467图示一测定水平方向匀强磁场的磁感强度B(方向见图)的实验装置.位于竖直面内且横边水平的矩形线框是一个多匝的线圈.线框挂在天平的右盘下,框的下端横边位于待测磁场中.线框没有通电时,将天平调节平衡;通电后,由于磁场对线框的作用力而破坏了天平的平衡,须在天平左盘中加砝码m 才能使天平重新平衡.若待测磁场的磁感强度增为原来的3倍,而通过线圈的电流减为原来的21,磁场和电流方向保持不变,则要使天平重新平衡,其左盘中加的砝码质量应为 (A) 6m . (B) 3m /2. (C) 2m /3. (D) m /6.(E) 9m /2. [ B ]OBIB有一无限长通电流的扁平铜片,宽度为a ,厚度不计,电流I 在铜片上均匀分布,在铜片外与铜片共面,离铜片右边缘为b 处的P 点(如图)的磁感强度B的大小为(A) )(20b a I +πμ. (B)bba a I +πln 20μ.(C)bba bI+πln20μ. (D) )2(0b a I +πμ.[ B ]11、2016无限长直导线在P处弯成半径为R 的圆,当通以电流I 时,则在圆心O 点的磁感强度大小等于(A) R I π20μ. (B) R I 40μ.(C) 0. (D))11(20π-R Iμ. (E))11(40π+R Iμ. [ D ] 12、2609用细导线均匀密绕成长为l 、半径为a (l >> a )、总匝数为N 的螺线管,管内充满相对磁导率为μr 的均匀磁介质.若线圈中载有稳恒电流I ,则管中任意一点的 (A) 磁感强度大小为B = μ0 μ r NI . (B) 磁感强度大小为B = μ r NI / l . (C) 磁场强度大小为H = μ 0NI / l .(D) 磁场强度大小为H = NI / l . [ D ] 13、1932如图所示,一矩形金属线框,以速度v从无场空间进入一均匀磁场中,然后又从磁场中出来,到无场空间中.不计线圈的自感,下面哪一条图线正确地表示了线圈中的感应电流对时间的函数关系?(从线圈刚进入磁场时刻开始计时,I 以顺时针方向为正) [ C ]14、2145两根无限长平行直导线载有大小相等方向相反的电流I ,并各以d I /d t 的变化率增长,一矩形线圈位于导线平面内(如图),则:(A) 线圈中无感应电流.(B) 线圈中感应电流为顺时针方向. (C) 线圈中感应电流为逆时针方向.(D) 线圈中感应电流方向不确定. [ B ]I O (D)I O (C)IB在一通有电流I 的无限长直导线所在平面内,有一半径为r 、电阻为R 的导线小环,环中心距直导线为a ,如图所示,且a >> r .当直导线的电流被切断后,沿着导线环流过的电荷约为(A) )11(220r a a R Ir +-πμ (B) a r a R Ir +ln20πμ (C) aR Ir 220μ (D) rRIa 220μ [ C ]16、2123如图所示,导体棒AB 在均匀磁场B 中 绕通过C 点的垂直于棒长且沿磁场方向的轴OO ' 转动(角速度ω与B同方向),BC 的长度为棒长的31,则(A) A 点比B 点电势高. (B) A 点与B 点电势相等.(B) A 点比B 点电势低. (D) 有稳恒电流从A 点流向B 点.[ A ] 17、2315如图所示,直角三角形金属框架abc 放在均匀磁场中,磁场B平行于ab边,bc 的长度为l .当金属框架绕ab边以匀角速度ω转动时,abc 回路中的感应电动势 和a 、c 两点间的电势差U a – U c 为 (A) =0,U a – U c =221l B ω.(B) =0,U a – U c =221l B ω-. (C) =2l B ω,U a – U c =221l B ω.(D) =2l B ω,U a – U c =221l B ω-. [ B ]18、5138在一自感线圈中通过的电流I 随时间t 的变化规律如图(a)所示,若以I 的正流向作为 的正方向,则代表线圈内自感电动势 随时间t 变化规律的曲线应为图(b)中(A)、(B)、(C)、(D)中的哪一个? [ D ]19、5677在圆柱形空间内有一磁感强度为B 的均匀磁场,如图所示,B的大小以速率d B /d t 变化.有一长度为l 0的金属棒先后放在磁场的两个不同位置1(ab )和2(a 'b '),则金属棒在这两个位置时棒内的感应电动势的大小关系为(A) 2= 1≠0. (B) 2> 1. (C) 2< 1. (D) 2= 1=0. [ C ]I aBa bclωt t tt t (b)(a)在圆柱形空间内有一磁感强度为B 的均匀磁场,如图所示,B的大小以速率d B /d t 变化.有一长度为l 0的金属棒先后放在磁场的两个不同位置1(ab )和2(a 'b '),则金属棒在这两个位置时棒内的感应电动势的大小关系为(A) 2= 1≠0. (B) 2> 1. (C) 2< 1. (D) 2= 1=0. [ B ] 二、填空题 21、2565 如图,球心位于O 点的球面,在直角坐标系xOy 和xOz 平面上的两个圆形交线上分别流有相同的电流,其流向各与y 轴和z 轴的正方向成右手螺旋关系.则由此形成的磁场在O 点的方向为__两单位矢量j 和k 之和,即)(k j+的方向.______________.22、2370两根长直导线通有电流I ,图示有三种环路;在每种情况下,⎰⋅l Bd 等于:_____I 0μ_______________________________(对环路a ). _________ 0 ___________________________(对环路b ). _____2I 0μ _______________________________(对环路c ).23、2571有一长直金属圆筒,沿长度方向有横截面上均匀分布的稳恒电流I 流通.筒内空腔各处的磁感强度为___0 ___,筒外空间中离轴线r 处的磁感强度为____)2/(0r I πμ ______. 24、5124如图所示,磁感强度B 沿闭合曲线L 的环流⎰⋅=Ll Bd _________________________.25、2053有一同轴电缆,其尺寸如图所示,它的内外两导体中的电流均为I ,且在横截面上均匀分布,但二者电流的流向正相反,则(1) 在r < R 1处磁感强度大小为________________.(2) 在r > R 3处磁感强度大小为________________.l 026、2710将半径为R 的无限长导体薄壁管(厚度忽略)沿轴向割去一宽度为h ( h <<R )的无限长狭缝后,再沿轴向流有在管壁上均匀分布的电流,其面电流密度(垂直于电流的单位长度截线上的电流)为i (如上图),则管轴线磁感强度的大小是__________________.27、2394电子在磁感强度为B的均匀磁场中沿半径为R 的圆周运动,电子运动所形成的等效圆电流强度I =______________________________;等效圆电流的磁矩p m=________________.已知电子电荷为e ,电子的质量为m e . 28、2208图中A 1 A 2的距离为 0.1 m ,A 1端有一电子,其初速度v = 1.0×107m ·s -1,若它所处的空间为均匀磁场,它在磁场力作用下沿圆形轨道运动到A 2端,则磁场各点的磁感强度B的大小B=______________________,方向为______________,电子通过这段路程所需时间t =__________. (电子质量m e = 9.11×10-31kg ,基本电荷e = 1.6×10-19 C) 29、0361 如图所示,一半径为R ,通有电流为I 的圆形回路,位于Oxy平面内,圆心为O .一带正电荷为q 的粒子,以速度v沿z 轴向上运动,当带正电荷的粒子恰好通过O 点时,作用于圆形回路上的力为________,作用在带电粒子上的力为________.30、2095如图,半圆形线圈(半径为R )通有电流I .线圈处在与线圈平面平行向右的均匀磁场B中.线圈所受磁力矩的大小为__________,方向为____________.把线圈绕OO '轴转过角度____________时,磁力矩恰为零.31、2103一电子以速率v = 2.20×106 m ·s -1 垂直磁力线射入磁感强度为B =2.36 T 的均匀磁场,则该电子的轨道磁矩为____________.其方向与磁场方向_________. (电子质量为m = 9.11×10-31 kg) 32、2479有一流过电流I =10 A 的圆线圈,放在磁感强度等于 0.015 T 的匀强磁场中,处于平衡位置.线圈直径d =12 cm .使线圈以它的直径为轴转过角2/π=α时,外力所必需作的功A =_______________,如果转角π=2α,必需作的功A =________________. 33、2614将条形磁铁插入与冲击电流计串联的金属环中时,有q =2.0×10-5 C 的电荷通过电流计.若连接电流计的电路总电阻R =25 Ω,则穿过环的磁通的变化∆Φ =_____________________. 34、214912OO ′R I B一面积为S 的平面导线闭合回路,置于载流长螺线管中,回路的法向与螺线管轴线平行.设长螺线管单位长度上的匝数为n ,通过的电流为t I I m ωsin =(电流的正向与回路的正法向成右手关系),其中I m 和ω为常数,t 为时间,则该导线回路中的感生电动势为__________________. 35、2116一半径r =10 cm 的圆形闭合导线回路置于均匀磁场B (B =0.80 T)中,B与回路平面正交.若圆形回路的半径从t = 0开始以恒定的速率d r /d t =-80 cm/s 收缩,则在这t = 0时刻,闭合回路中的感应电动势大小为______________;如要求感应电动势保持这一数值,则闭合回路面积应以d S /d t =____________的恒定速率收缩. 36、2753 如图所示,在与纸面相平行的平面内有一载有电流I 的无限长直导线和一接有电压表的矩形线框.线框与长直导线相平行的边的长度为l ,电压表两端a 、b 间的距离和l 相比可以忽略不计.今使线框在与导线共同所在的平面内以速度v沿垂直于载流导线的方向离开导线,当运动到线框与载流导线相平行的两个边距导线分别为r 1和r 2 (r 2 > r 1)时,电压表的读数V =_________________,电压表的正极端为____________.37、2135四根辐条的金属轮子在均匀磁场B 中转动,转轴与B平行,轮子和辐条都是导体,辐条长为R ,轮子转速为n ,则轮子中心O 与轮边缘b 之间的感应电动势为______________,电势最高点是在______________处.38、2625自感系数L =0.3 H 的螺线管中通以I =8 A 的电流时,螺线管存储的磁场能量W =___________________. 39、5678真空中一根无限长直导线中通有电流I ,则距导线垂直距离为a 的某点的磁能密度w m =________________. 40、5146半径为R 的无限长柱形导体上均匀流有电流I ,该导体材料的相对磁导率μr =1,则在导体轴线上一点的磁场能量密度为w mo =_________,在与导体轴线相距r 处( r <R )的磁场能量密度w mr =___________. 三、计算题 41、2666平面闭合回路由半径为R 1及R 2 (R 1 > R 2 )的两个同心半圆弧和两个直导线段组成(如图).已知两个直导线段在两半圆弧中心O 处的磁感强度为零,且闭合载流回路在O 处产生的总的磁感强度B 与半径为R 2的半圆弧在O 点产生的磁感强度B 2的关系为B = 2 B 2/3,求R 1与R 2的关系.IR 1 R 2 O I42、2726无限长直导线折成V 形,顶角为θ ,置于xy 平面内,一个角边与x 轴重合,如图.当导线中有电流I 时,求y 轴上一点P (0,a )处的磁感强度大小.43、2006 一无限长圆柱形铜导体(磁导率μ0),半径为R ,通有均匀分布的电流I .今取一矩形平面S (长为1 m ,宽为2 R ),位置如右图中画斜线部分所示,求通过该矩形平面的磁通量.44、2764如图所示,一个带有正电荷q 的粒子,以速度v 平行于一均匀带电的长直导线运动,该导线的线电荷密度为λ ,并载有传导电流I .试问粒子要以多大的速度运动,才能使其保持在一条与导线距离为r 的平行直线上?I r qλ v45、2087一圆线圈的半径为R ,载有电流I ,置于均匀外磁场B中(如图示).在不考虑载流圆线圈本身所激发的磁场的情况下,求线圈导线上的张力. (载流线圈的法线方向规定与B的方向相同.)46、5128用两根彼此平行的半无限长直导线L 1、L 2把半径为R 的均匀导体圆环联到电源上,如图所示.已知直导线中的电流为I .求圆环中心O 点的磁感强度.47、2252绕铅直轴作匀角速度转动的圆锥摆,摆长为l ,摆球所带电荷为q .求角速度ω 为何值时,该带电摆球在轴上悬点为l 处的O 点产生的磁感强度沿竖直方向的分量值最大.48、2737两根平行无限长直导线相距为d ,载有大小相等方向相反的电流I ,电流变化率d I /d t =α >0.一个边长为d 的正方形线圈位于导线平面内与一根导线相距d ,如图所示.求线圈中的感应电动势 ,并说明线圈中的感应电流是顺时针还是逆时针方向.49、2499无限长直导线,通以常定电流I .有一与之共面的直角三角形线圈ABC .已知AC 边长为b ,且与长直导线平行,BC 边长为a .若线圈以垂直于导线方向的速度v向右平移,当B 点与长直导线的距离为d 时,求线圈ABC 内的感应电动势的大小和感应电动势的方向.50、2138求长度为L 的金属杆在均匀磁场B中绕平行于磁场方向的定轴OO '转动时的动生电动势.已知杆相对于均匀磁场B的方位角为θ,杆的角速度为ω,转向如图所示.答案IIv bO1、C2、B3、B4、C5、D6、C7、D8、D9、B 10、B 11、D 12、D 13、C 14、B 15、C 16、A 17、B 18、D 19、C 20、B 二、填空题 21、2565两单位矢量j 和k 之和,即)(k j+的方向.22、2370I 0μ; 0 ; 2I 0μ23、25710 ; )2/(0r I πμ 24、5124)2(120I I -μ25、2053)2/(210R rI πμ ; 026、2710Rihπ20μ27、2394)2/(2e m Be π ; )2/(22e m R Be 分28、2208=)/(eR m e v 1.14×10-3 T ; ⊗(垂直纸面向里) ; =πv /R 1.57×10-8 s29、03610; 0 30、2095IB R 2π21 ; 在图面中向上 ; π+π21n (n = 1,2,……) 31、21039.34×10-19 Am 2 ; 相反 32、24791.70×10-3 J ; 0 33、26145×10-4 Wb 34、2149t I nS m ωωμcos 0-35、21160.40 V ; -0.5 m 2/s 36、2753)11(2210r r l I -πμv ; a 端πBnR 2 ; O 38、26259.6 J 39、5678)8/(2220a I πμ40、51460 ; )8/(42220R r I πμ三、计算题 41、2666解:由毕奥-萨伐尔定律可得,设半径为R 1的载流半圆弧在O 点产生的磁感强度为B 1,则1014R IB μ=同理, 2024R IB μ=∵ 21R R > ∴ 21B B < 故磁感强度 12B B B -=204R I μ=104R I μ-206R Iμ=∴ 213R R = 42、2726解:如图所示,将V 形导线的两根半无限长导线分别标为1和2.则 导线1中电流在P 点的磁感强度为 aIB π=401μ1B方向垂直纸面向内.导线2中电流在P 点的磁感强度为)sin 1(cos 402θθμ+π=a IB2B方向垂直纸面向外.P 点的总磁感强度为)cos sin 1(cos 4012θθθμ-+π=-=a IB B BB的方向垂直纸面向外.43、2006解:在圆柱体内部与导体中心轴线相距为r 处的磁感强度的大小,由安培环路定律可得:)(220R r r RIB ≤π=μ因而,穿过导体内画斜线部分平面的磁通Φ1为⎰⎰⋅==S B S B d d 1 Φr r RI Rd 2020⎰π=μπ=40Iμ在圆形导体外,与导体中心轴线相距r 处的磁感强度大小为 )(20R r rIB >π=μ因而,穿过导体外画斜线部分平面的磁通Φ2为⎰⋅=S B d 2Φr r I R Rd 220⎰π=μ2ln 20π=Iμ穿过整个矩形平面的磁通量 21ΦΦΦ+=π=40Iμ2ln 20π+Iμ44、2764解:依据无限长带电和载流导线的电场和磁场知:r r E 02)(ελπ=(方向沿径向向外)rIr B π=2)(0μ (方向垂直纸面向里)运动电荷受力F (大小)为: r q F 02ελπ=v rIq π-20μ 此力方向为沿径向(或向里,或向外)为使粒子继续沿着原方向平行导线运动,径向力应为零,r q 02ελπv rIq π-20μ= 0则有 I00μελ=v45、2087解:考虑半圆形载流导线CD 所受的安培力 R IB F m 2⋅= 列出力的平衡方程式 T R IB 22=⋅故: IBR T =46、5128解:设L 1中电流在O 点产生的磁感强度为B 1,由于L 1与O 点在一条直线上,由毕奥-萨伐定律可求出 01=B 设L 2中电流在O 点产生的磁感强度为B 2,L 2为半无限长直电流,它在O 处产生的场是 无限长直电流的一半,由安培环路定律和叠加原理有RIR I B π=⋅π=4212002μμ方向垂直图面向外. 3分以下求圆环中电流在O 点产生的磁感强度.电流由L 1经a 点分两路流入圆环,一路由a 点经1/4圆弧流至b ,称此回路为L 3.另一路由a 点经3/4圆弧流至b ,称此段回路为L 4.由于圆环为均匀导体,若L 2的电路电阻为R ,则L 4的电阻必为3R .因此电流在L 3、L 4上的分配情况为L 3中电流为3 I /4,L 4中电流为I / 4.L 3、L 4中电流在O 点产生的磁感强度的大小相等,方向相反,总值为0.即043=+B BCT T故O 点的磁感强度: =+++=43210B B B B B RIπ40μ方向垂直图面向外.47、2252解∶圆锥摆在O 处产生的磁感强度沿竖直方向分量B 相当于圆电流在其轴上一点产生的B ,故 2/32220)(2x R IR B +=μπ=2ωq Iθsin l R = , )c o s 1(s i n 22222θθ-==l l R )cos 1(θ-=l x用lg2cos ωθ= 代入上式∴ 2/122/3220)()2(4)(g l l g l q B -π+=ωωμ2/322/32320)()2(4)3(d d g l l g l l q B-π-=ωωωμω 令0d d =ωB得 lg 3=ω 48、2737解:(1) 载流为I 的无限长直导线在与其相距为r 处产生的磁感强度为:)2/(0r I B π=μ以顺时针绕向为线圈回路的正方向,与线圈相距较远的导线在线圈中产生的磁通量为:23ln2d 203201π=π⋅=⎰Idr rId ddμμΦ 与线圈相距较近的导线对线圈的磁通量为:2ln 2d 20202π-=π⋅-=⎰Idr rId ddμμΦ总磁通量 34ln 2021π-=+=IdμΦΦΦ 感应电动势为: 34ln 2d d )34(ln 2d d 00αμμπ=π=-=d t I d t Φ 由 >0和回路正方向为顺时针,所以 的绕向为顺时针方向,线圈中的感应电流亦是顺时针方向. 49、2499解:建立坐标系,长直导线为y 轴,BC 边为x 轴,原点在长直导线上,则斜边的方程为a br a bx y /)/(-=式中r 是t 时刻B 点与长直导线的距离.三角形中磁通量 ⎰⎰++-π=π=Φra rra rx axbra b I x x yId )(2d 200μμ)ln(20r r a a br b I +-π=μt rr a a r r a a Ib t d d )(ln 2d d 0+-+π=Φ-=μ☜ 当r =d 时, v )(ln 20da ad d a a Ib +-+π=μ☜方向:ACBA (即顺时针)50、2138解:在距O 点为l 处的d l 线元中的动生电动势为d l Bd )(⋅⨯=v θωsin l =v∴ ⎰⎰⋅π=⨯=Ld cos )21sin(v d )v (l B l B L α⎰⎰==ΛθωθθωLl l B l lB 02d sin sin d sin θω22sin 21BL =的方向沿着杆指向上端.OB⨯v。
研究生考试2012年大学物理试题

2012年攻读硕士学位研究生入学考试北京市联合命题大学物理试题(请将答案写在答题纸上,写在试题上的答案无效)一、选择题:(每小题4分,共40分)1.如图1所示,物体从高为2R 处沿斜面自静止开始下滑,进入一半径为R 的圆轨道,若不计摩擦,则当物体经过高度为R 的C 点时,其加速度的大小为(A) g (B) g 2 (C)g 3 (D)g 52.一特殊的弹簧,弹性力3F kx =-,k 为劲度系数,x 为形变量。
现将弹簧水平放置,一端固定,一端与质量为m 的滑块相连,滑块自然静止于光滑水平面上。
今沿弹簧长度方向给滑块一个冲量,使滑块获得一速率v ,并压缩弹簧,则弹簧被压缩的最大长度为(A)(B)(C)122m v k ⎛⎫ ⎪⎝⎭(D) 1424m v k ⎛⎫⎪⎝⎭3.圆柱体以rad/s 80的角速度绕其轴线转动,它对轴的转动惯量为2mkg 4⋅。
由于恒力矩的作用,在10s 内它的角速度降为rad/s 40。
力矩大小为(A)16N.m (B)32N.m (C)40N.m (D)80N.m 4.一密封的理想气体的温度从C 27 起缓慢地上升,直至其分子速率的方均根值是C 27 时的方均根值的两倍,气体最终的温度为(A )54C (B )108C (C )327C (D )927C 5.各为1mol 的氢气和氦气,从同一初状态(00,V P )开始作等温膨胀。
若氢气膨胀后体积变为20V ,氦气膨胀后压强变为20P,那么它们从外界吸收的图1图2热量之比He H Q Q :2为(A ) 1:1 (B ) 2:1 (C ) 1:2 (D )1:4 6.如图2所示,某种电荷分布产生均匀电场0E ,将一个面电荷密度为σ的薄板置于该电场中,且使电场0E 的方向垂直于薄板,设原有的电荷分布不(A )00,E E (B )0000,2εσ-+E E (C )002εσ-E , 002εσ+E (D )00E σε-, 00E σε+7.实验室中,将一通电镍铬丝线圈浸在量热气筒的液体内,当线圈两端的电位差为10V ,电流强度为5A 时,液体保持沸腾状态,它的质量以每秒0.02g 的速率不断减少,室温下这种液体的汽化热是(A) J/g 1044-⨯ (B) 1J/g (C) J/g 10523⨯. (D) 0J/g 58.用余弦函数描述一简谐振子的振动.若其速度~时间(v ~t )关系曲线如图3所示,则简谐振动位移x 的初相位为(A) π/6; (B) π/3;(C) π/2; (D) 2π/3。
浙江理工大学电子技术基础考研真题2007—2011、2017—2019年

浙江理工大学
二 O 一 O 年硕士学位研究生招生入学考试试题 考试科目:电子技术基础(模电、数电) 代码:954
(*请考生在答题纸上答题,在此试题纸上答题无效)
Ⅰ、模拟部分
1、现有两只稳压管,它们的稳定电压分别为 6V 和 8V,正向导通电压为 0.7V。试问:
(1)若将它们串联相接,则可得到几种稳压值?各为多少? (2)若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值?各为多少?
(15 分)
第 2 页,共 5 页
图5 7、已知三个电压比较器的电压传输特性分别如图 6(a)、(b)、(c)所示,它们的输入
电压波形均如图(d)所示,试画出 uO1、uO2 和 uO3 的波形。
(9 分)
图6
第 3 页,共 5 页
Ⅱ、数字部分
8、利用卡诺图化简具有约束的逻辑函数。
m3
Y(A, B,C, D) m5 m9 m10
Ci
S
≥1 ﹠
=1
=1
A1 A2
Ci1
图8
12、设计一个控制步进电动机三相六状态工作的逻辑电路,如果用“1”表示电机绕组 导通,“0”表示电机绕组截止,则 3 个绕组 ABC 的状态转换图应如图 9 所示,M 为输入控制变量,当 M=1 时为正转,M=0 时为反转。(要求用 D 触发器) (20 分)
(2) 若电容 Ce 开路,则将引起电路的哪些动态参数发生变化?如何变化? (15 分)
图2
第 1 页,共 5 页
4、设 图 3 所 示 电 路 的 静 态 工 作 点 均 合 适 , 画 出 它 的 交 流 等 效 电 路 , 并 写
出 Au 、 Ri 和 Ro 的 表 达 式 。
(10 分)
2012年浙江理工大学研究生考试《工程流体力学A》真题

浙江理工大学二O一二年硕士学位研究生招生入学考试试题考试科目:工程流体力学A 代码:952(请考生在答题纸上答题,在此试题纸上答题无效)一、简答题(每小题各5分,共50分。
)(1)牛顿流体和非牛顿流体的定义?(2)什么是流体的压缩性,举例说明可压缩流体。
(3)流量的定义?常用的3种流量是指哪3个?(4)说明圆管湍流流动结构。
(5)沿程损失产生的位置和原因是什么?(6)量纲的定义?流体力学中常用的3个量纲是什么?(7)拉格朗日曲线分哪5个区域?(8)定常流动(稳定流动)和非定常流动(非稳定流动)的定义?(9)边界层的位移厚度和动量厚度的物理意义?(10)动力相似的定义?二、计算题(100分)(1)如图所示的储水容器,其壁面上有三个半球形盖。
设盖子直径d=1m, h=1.5m, H=2.5m,。
试求分别作用在盖子1、2、3上的静总压力(取ρ水=1000kg/m3,g=9.8m/s2)。
(20分)(2)水车沿倾角为α的轨道向下作等加速运动,设加速度为a如图示,求水车内水面的倾斜角θ。
(15分)(3)消防队员利用消火唧筒熄灭火焰,如图所示。
消火唧筒出口直径d=1cm ,入口直径D=5cm ,从消火唧筒射出的流速v=20m/s ,求消防队员手握消火唧筒所需要的力。
(设消火唧筒水头损失为1m 水柱)(20分)题3图 题4图(4)利用图所示虹吸管将水由工池引向Ⅱ池。
已知管径d =100mm ,虹吸管总长l =20 m ,B 点以前的管段长l I =8 m ,虹吸管的最高点B 离上游水面的高度h =4 m ,二水面水位高差H =5 m 。
设沿程损失系数λ=0.04,虹吸管进口局部损失系数ξ1=0.8,出口局部损失系数ξ2=1,弯头的局部损失系数ξ3=0.9,求引水流量q v 和B 点的真空液柱高度。
(20分)(5)研究表明,光滑球形潜体在水中运动时,其阻力D F 和运动速度V 、潜体直径D 、水的密度ρ和水的粘度μ有关。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
二O 一二年硕士学位研究生招生入学考试试题
考试科目考试科目:: 半导体物理 代码代码:: 928
(请考生在答题纸上答题请考生在答题纸上答题,,在此试题纸上答题无效在此试题纸上答题无效))
一、 不定项不定项选择题选择题 (30分,3分*10)
1. 具有闪锌矿结构的半导体材料为( )
A 、Si
B 、Ge
C 、GaAs
D 、ZnO
2. 高纯度半导体就是( )
A 、对光透明的宽禁带半导体
B 、电阻率很高的补偿半导体
C 、温度很低的半导体
D 、杂质、缺陷浓度很低的半导体
3. 那些跃迁可能导致半导体发光( )
A 、本征跃迁
B 、带-杂质能级间辐射
C 、施主-受主对
D 、激子复合
4. 利用吸收光谱可以获得半导体材料的那些信息( )
A 、跃迁机制
B 、禁带宽度
C 、声子能量
D 、杂质能级
5. PP +和NN +结为浅结,它们常用于( )
A 、小信号整流
B 、欧姆接触
C 、可变电容
D 、稳压二极管
6. 测知某半导体的霍尔系数随温度升高由正值变为零然后变为负值,则该半导体可能是( )
A 、纯净半导体
B 、p 型半导体
C 、n 型半导体
D 、以上三种都可能
7. 光电导指( )
A 、光在介质传播时的电导
B 、光在半导体材料中的传播速度
C 、光照引起的电导率变化
D 、光照产生激子引起的电导率增加
8.非平衡载流子就是()
A、处于导带还未与价带空穴复合的电子
B、不稳定的电子空穴对
C、不停运动着的载流子
D、偏离热平衡状态的载流子
9.pn结击穿指()
A、反向电压随电流增加迅速增加
B、正向电流随反向电压增加迅速增加
C、正向电压随电流增加迅速增加
D、反向电流随反向电压增加迅速增加
10.有关隧道二极管的正向I-V特性及其应用正确的是()
A、I-V特性基本与普通pn结相同
B、I-V曲线上存在一个负阻区
C、可以做整流二极管用
D、可用于高频振荡
名词解释(
(45分,9分*5)
二、名词解释
1.硅的晶体结构,给出其晶体结构简图
2.半导体的直接能带结构与间接能带结构
3.简并半导体
4.有效质量的物理意义
5.霍尔效应及其主要应用
三、问答题
(10分*4)
问答题(
1.金属与n型半导体接触的能带结构图(假设金属的功函数大于半导体的功函数,
在图中标出势垒、费米能级、导带及价带
2.半导体中载流子的主要散射机构及其与温度的关系
3.非简并半导体中电阻率随温度的变化趋势并解释原因
4.p-n结击穿的概念,击穿机制的种类及不同击穿机制的原理。
(35分)
计算题(
四、计算题
1.在半导体硅材料中掺入施主杂质浓度N D=1015/cm3,受主杂质浓度N A=4×1014/cm3,
设室温下本征硅材料的电阻率ρi=2.2×105 ohm·cm, 假设电子和空穴的迁移率分别为µn=1350 cm2/(V.S), µp=500 cm2/(V.S),不考虑杂质浓度对迁移率的影响,求掺杂样品的电导率。
(15分)
2.单晶硅中均匀掺入两种杂质:掺硼1.5×1016/cm3,掺磷5×1015/cm3,试计算:
(1) 室温下载流子的浓度
(2) 室温下费米能级的位置
(3) 室温下的电导率
已知:n i=1.5×1010/cm3, N C=2.8×1019/cm3, N V=1.0×1019/cm3, kT=0.026 eV, q=1.6×10-19 C, µn=1000 cm2/(V.S), µp=400 cm2/(V.S)。
(20分)。