电阻和三极管基本知识
三极管放大电路_输入电阻_输出电阻_解释说明
三极管放大电路输入电阻输出电阻解释说明1. 引言1.1 概述三极管放大电路是一种常见的电子电路，它在电子设备中起着重要的作用。
通过对输入信号进行放大，三极管放大电路可以将弱信号增加到足够大小以驱动其他元件或者传递给下一个级联的放大器。
为了深入理解三极管放大电路的工作原理和特性，我们需要探讨其输入电阻和输出电阻。
1.2 文章结构本文主要分为五个部分进行说明。
首先，在引言部分将对文章内容进行概述并介绍目的；然后，我们将详细讨论三极管放大电路的基本原理及其输入电阻和输出电阻；接着，我们将对输入电阻进行定义与计算方法、影响因素分析以及应用实例介绍；随后，我们将对输出电阻进行类似地解释说明；最后，我们会总结本文，并展望未来关于三极管放大电路的研究方向。
1.3 目的本文旨在帮助读者更好地理解三极管放大器中输入电阻和输出电阻的概念、特性和应用，并具体解释其计算方法、影响因素以及相关实例。
通过本文的阅读，读者将能够更全面地了解三极管放大电路，并为相关电子设备的设计和应用提供参考。
2. 三极管放大电路2.1 基本原理三极管放大电路是一种常见的电子放大器。
它由一个三极管、若干个电阻和电容等基本元件组成。
通过合理的接线和参数设置，可以实现信号的放大和处理。
在三极管放大电路中，信号源连接到输入端，输出端连接到负载。
当输入信号进入电路时，它会经过放大器和其他元件的作用发生变化，并在输出端产生放大后的信号。
2.2 输入电阻输入电阻是指三极管放大电路对外部信号源的输入阻力。
简而言之，它代表了电路对外部信号源提供了多少“阻止力”。
在三极管放大电路中，输入信号经过耦合元件（如电容）后进入基极，在基极处又由于二极管内部结构所决定存在着一个共射效应或共基效应。
这些效应导致了输入电阻的形成。
输入电阻可以通过以下公式计算：输入电阻（Rin）= ΔVbe / ΔIb其中，ΔVbe表示基极-发射区间的压降变化量，ΔIb表示基极输入直流偏置变化量。
三极管 二极管 电阻
三极管二极管电阻
1.电阻：
-电阻是一种阻碍电流流动的电子元件，它的主要功能是限制电流、分压、提供负载、匹配阻抗以及与电容配合实现滤波等。
电阻的值通常以欧姆（Ω）为单位，并且在电路中消耗能量，将电能转化为热能。
2.二极管：
-二极管是由PN结组成的半导体器件，具有单向导电性。
它允许电流在一个方向上通过（正向偏置），而在另一个方向上几乎不导通（反向偏置）。
不同类型的二极管有其特定用途，如：-整流二极管：主要用于交流变直流的整流电路。
-稳压二极管：用于稳压电路，提供恒定电压输出。
-发光二极管（LED）：当电流通过时会发光，应用于显示和照明系统。
-变容二极管：可以作为可调电容器使用，在高频电路中改变电容量。
3.三极管：
-三极管是一种双极型半导体器件，包含三个电极：基极（Base）、集电极和发射极。
它有两种工作模式：
-放大模式：通过调节基极的小信号电压来控制集电极-发射极之间的大电流，实现电流放大作用。
-开关模式：当基极电压达到某个阈值时，三极管可以从截止状态迅速切换到饱和导通状态，从而用作数字电路中的开关元件。
电子元件基础知识(电阻,晶体三极管)
电子元件基础知识电阻，英文名resistance，通常缩写为R，它是导体的一种基本性质，与导体的尺寸、材料、温度有关。
欧姆定律说，I=U/R，那么R=U/I，电阻的基本单位是欧姆，用希腊字母“Ω”表示，有这样的定义：导体上加上一伏特电压时，产生一安培电流所对应的阻值。
电阻的主要职能就是阻碍电流流过。
事实上，“电阻”说的是一种性质，而通常在电子产品中所指的电阻，是指电阻器这样一种元件。
师傅对徒弟说：“找一个100欧的电阻来！”，指的就是一个“电阻值”为100欧姆的电阻器，欧姆常简称为欧。
表示电阻阻值的常用单位还有千欧（kΩ），兆欧（MΩ）。
１、电阻器的种类电阻器的种类有很多，通常分为三大类：固定电阻，可变电阻，特种电阻。
在电子产品中，以固定电阻应用最多。
而固定电阻以其制造材料又可分为好多类，但常用、常见的有ＲＴ型碳膜电阻、ＲＪ型金属膜电阻、ＲＸ型线绕电阻，还有近年来开始广泛应用的片状电阻。
型号命名很有规律，Ｒ代表电阻，Ｔ－碳膜，Ｊ－金属，Ｘ－线绕，是拼音的第一个字母。
在国产老式的电子产品中，常可以看到外表涂覆绿漆的电阻，那就是ＲＴ型的。
而红颜色的电阻，是ＲＪ型的。
一般老式电子产品中，以绿色的电阻居多。
为什么呢？这涉及到产品成本的问题，因为金属膜电阻虽然精度高、温度特性好，但制造成本也高，而碳膜电阻特别价廉，而且能满足民用产品要求。
电阻器当然也有功率之分。
常见的是1/8瓦的“色环碳膜电阻”，它是电子产品和电子制作中用的最多的。
当然在一些微型产品中，会用到1/16瓦的电阻，它的个头小多了。
再者就是微型片状电阻，它是贴片元件家族的一员，以前多见于进口微型产品中，现在电子爱好者也可以买到了（做无线窃听器？）２、电阻器的标识这些直接标注的电阻，在新买来的时候，很容易识别规格。
可是在装配电子产品的时候，必须考虑到为以后检修的方便，把标注面朝向易于看到的地方。
所以在弯脚的时候，要特别注意。
在手工装配时，多这一道工序，不是什么大问题，但是自动生产线上的机器没有那么聪明。
PCBA元器件基本知识
（三）电阻器的标注方法
电阻器的标志方法有：直标法、文字符号法、 色标法等。 1.直标法 在电阻体表面用数字及单位符号直接标志主要参 数的方法 如：
4.7K Ⅱ
1-1 图1-2 表示电阻值为3.9 允许误差为±5% 图
表示电阻值为4.7K 允许误差±10%
（三）电阻器的标注方法
2.文字符号法 用阿拉伯数字和文字符号两者有规律地组合标志在 电阻体表面的方法。
图2-3
（四）有极性电容器的方向判别
长脚 为正极
※
图2-5
电解电容的方向判别 在电容表面有色标带并标有负极所对 应的元件脚为负极，另一个脚为正极。 也可用元件脚长短区分正、负极性，长 元件脚为正极，短元件脚为负极。
标有 负极的 色标带
短脚 为负极
※
有极性片状电容： 钽电容表面有色带的一端是正极，另一 端为负极。 铝电容表面黑色端为负极，另一端为正 极。
图1-4
(三)电阻的标注方法
4.数码表示法 A、 用三位数表示阻值的大小。前面两位数字为电阻器标
称阻值的有效数字，第三位数字表示有效数字后面零的个数， 它们的单位是欧姆。 B、用四位数表示阻值的大小，前面三位数字为电阻器标称 阻值的有效数字，每四位数字表示有效数字后面零的个数，它 们的单位同样的欧姆。如4702表示47K；8201表示8.2K；1000 表示100 。
(三)电容器容值标注方法
2.文字符号法 具体内容是：用2-4位数字和一个字母表示标称容量，其中数字 表示有效数值，字母表示数值的量级和误差。
字母代表的量级
文字符号 m 所表示的单位 毫法 μ 微法
表2-2
ρ 微微法（皮法）
n 毫微法(拉法)
字母代表的误差
常用电阻 二极管 三极管参数资料
常用电阻、二极管、三极管参数资料1．固定电阻器的主要参数固定电阻器的主要参数是标称阻值、允许误差和额定功率。
（1）标称阻值和允许误差电阻器上标志的阻值叫标称值，而实际值与标称值的偏差，除以标称值所得的百分数叫电阻的误差，它反映了电阻器的精度。
不同的精度有一个相应的误差，表1列出了常用电阻器的允许误差等级（精度等级）。
表1 常用电阻器允许误差的等级目前固定电阻器大都为I级或II级普通电阻，而且III级很少，能满足一般应用的要求，02、01、005级的精密电阻器，一般用于测量仪器，仪表及特殊设备电路中。
国家有关部门规定了阻值系列作产品的标准，表2是普通电阻器系列表。
表中的标称值可以乘以10n，例如，4．7这个标称值，就有0．47Ω、4．7Ω、47Ω、470Ω、4．7KΩ……。
选择阻值时必须在相应等级的系列表中进行。
表2 电阻器系列及允许误差（2）电阻器的额定功率电阻器长时间工作允许所加的最大功率叫额定功率。
电阻器的额定功率，通常有1/8、1／4、1／2、1、2、3、5、10瓦等。
表示电阻器额定功率的通用符号见图1。
大于1W的则用阿拉伯数字表示。
2．固定电阻器的主要参数的标志方法（1）电阻器的额定功率、阻值及允许误差一般都标在电阻器上。
额定功率较大的电阻器，一般都将额定功率直接印在电阻器上。
额定功率较小的电阻器，可以从它的几何尺寸和表面面积上看出，一般0.125 w、0.25w电阻器的直径约2．5毫米，长约7-8毫米；0．5W电阻器的直径约4．5毫米，长约10-12毫米。
（2）电阻值及允许误差有三种表示法，即直标法、文字符号法和色标法。
直标法是阻值和允许误差直接标明，如2KΩ±5％；文字符号法是阻值用数字与符号组合在一起表示，组合规律如下：文字符号Ω、K、M前面的数字表示整数阻值，文字符号Ω、K、M后面的数字表示小数点后面的小数阻值。
允许误差用符号、J＝±5％、K＝±10％、M＝±20％。
常用元件(电阻、电容、二极管、三极管)
常用元件（电阻、电容、二极管、三极管）来源：[] 作者：[] 发布时间：[2009-5-20] 点击量：[820]一、电阻电阻在电路中用“R”加数字表示，如：R1表示编号为1的电阻。
电阻在电路中的主要作用为分流、限流、分压、偏置等。
1、参数识别：电阻的单位为欧姆（Ω），倍率单位有：千欧（KΩ），兆欧（MΩ）等。
换算方法是：1兆欧=1000千欧=1000000欧电阻的参数标注方法有3种，即直标法、色标法和数标法。
a、数标法主要用于贴片等小体积的电路，如：472 表示47×100Ω（即4.7K）；104则表示100Kb、色环标注法使用最多，现举例如下：四色环电阻五色环电阻（精密电阻）2、电阻的色标位置和倍率关系如下表所示：颜色有效数字倍率允许偏差（%）银色/ x0.01 ±10金色/ x0.1 ±5黑色0 +0 /棕色 1 x10 ±1红色 2 x100 ±2橙色 3 x1000 /黄色 4 x10000 /绿色 5 x100000 ±0.5蓝色 6 x1000000 ±0.2紫色7 x10000000 ±0.1灰色8 x100000000 /白色9 x1000000000 /导电体对电流的阻碍作用称为电阻，用符号R表示，单位为欧姆、千欧、兆欧，分别用Ω、KΩ、MΩ表示。
一、电阻的型号命名方法：国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻）第二部分：材料，用字母表示，表示电阻体用什么材料组成，T-碳膜、H-合成碳膜、S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕。
第三部分：分类，一般用数字表示，个别类型用字母表示，表示产品属于什么类型。
1-普通、2-普通、3-超高频、4-高阻、5-高温、6-精密、7-精密、8-高压、9-特殊、G-高功率、T-可调。
第四部分:序号，用数字表示，表示同类产品中不同品种，以区分产品的外型尺寸和性能指标等例如：R T 1 1 型普通碳膜电阻二、电阻器的分类1、线绕电阻器：通用线绕电阻器、精密线绕电阻器、大功率线绕电阻器、高频线绕电阻器。
三极管上拉电阻
三极管上拉电阻三极管上拉电阻是指在三极管电路中，为了稳定电路工作状态和提高电路性能，而对基极引脚进行上拉的电阻。
本文将从三极管的基本原理、上拉电阻的作用、计算方法以及实际应用等方面进行介绍。
一、三极管基本原理三极管是一种半导体器件，由三个掺杂不同的区域组成，分别是发射区、基区和集电区。
它有两种工作方式，即放大和开关。
在放大模式下，三极管可以将小信号放大成较大信号，起到放大作用。
在开关模式下，三极管可以控制电流的通断，起到开关作用。
二、上拉电阻的作用上拉电阻在三极管电路中起到稳定电路工作状态的作用。
当没有信号输入时，三极管的基极处于低电平状态，此时上拉电阻会将基极拉高至高电平，使其处于截止状态，电路处于关闭状态。
当有信号输入时，信号会使得基极电压增大，使三极管处于饱和或放大状态。
三、上拉电阻的计算方法上拉电阻的计算方法一般有两种，分别是静态工作点法和动态工作点法。
其中，静态工作点法是根据三极管的静态工作点来计算上拉电阻的值。
动态工作点法是根据三极管的动态工作点来计算上拉电阻的值。
四、上拉电阻的实际应用上拉电阻广泛应用于各种电子设备中，如放大器、开关电路、数字逻辑电路等。
在放大器电路中，上拉电阻可以稳定电路工作状态，提高放大器的线性度和稳定性。
在开关电路中，上拉电阻可以控制开关的通断状态，实现电路的开关功能。
在数字逻辑电路中，上拉电阻可以稳定输入端的电平，确保电路的正确工作。
总结：三极管上拉电阻在电子电路中起到稳定电路工作状态的作用，可以提高电路的性能和稳定性。
通过合理计算上拉电阻的值，可以使电路工作在合适的工作点，实现预期的放大或开关功能。
上拉电阻广泛应用于各种电子设备中，对于电路的正常工作和性能提升起到至关重要的作用。
以上是关于三极管上拉电阻的介绍，希望能对读者有所帮助。
三极管阻值
三极管阻值
三极管的阻值通常是指其输入、输出和反向传输的电阻。
以下是三个主要的阻值：
1.输入电阻（Base-Emitter Resistance）：输入电阻指的是三极
管基极（Base）和发射极（Emitter）之间的电阻。
它决定
了从信号源输入到三极管的电流。
输入电阻通常是比较低
的，一般在几十欧姆（Ω）到几千欧姆（kΩ）之间。
2.输出电阻（Collector-Emitter Resistance）：输出电阻指的是
三极管的集电极（Collector）和发射极（Emitter）之间的
电阻。
它决定了从三极管输出的电流。
输出电阻可以根据
三极管类型和工作条件的不同而有所变化，一般可以在几
十欧姆（Ω）到几千欧姆（kΩ）范围内。
3.反向传输电阻（Reverse Transfer Resistance）：反向传输电
阻指的是三极管的集电极（Collector）和基极（Base）之
间的电阻。
它反映了当基极和集电极之间施加反向电压时，对电流的传输能力。
反向传输电阻很高，通常在兆欧姆
（MΩ）级别以上。
需要注意的是，这些阻值是一般性的指导值，实际的三极管阻值会受到具体器件、工作条件和电路设计等因素的影响，因此具体数值可能有一定差异。
此外，不同类型（如NPN、PNP等）和不同制造商的三极管也可能会有不同的阻值范围。
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电阻器的识别和检测—色标色标法是指不同颜色表示元件不同参数的方法。
在电阻器上，不同的颜色代表不同的标称值和偏差色标法可以分为：色环法和色点法。
其中，最常用的是色环法。
色环电阻器中，根据色环的环数多少，又分为四色环表示法和五色环表示法。
下图（a ）是用四色环表示标称阻值和允许偏差，其中，前三条色环表示此电阻的标称阻值，最后一条表示它的偏差。
如图（b ）中色环颜色依次黄、紫、橙、金，则此电阻器标称阻值为，偏差。
如图（c ）电阻器的色环颜色依次为：蓝、灰、金、无色（即只有三条色环），则电阻器标称阻值为：。
下图（a ）是五色环表示法，精密电阻器是用五条色环表示标称阻值和允许偏差，通常五色环电阻识别方法与四色环电阻一样，只是比四色环电阻器多一位有效数字。
图（b）中电阻器的色环颜色依次是：棕、紫、绿、银、棕，其标称阻值为：，偏差为。
判断色环电阻的第一条色环的方法 1.对于未安装的电阻，可以用万用表测量一下电阻器的阻值，再根据所读阻值看色环，读出标称阻值。
2.对于已装配在电路板上的电阻，可用以下方法进行判断：（1）四色环电阻为普通型电阻器，从标称阻值系列表可知，其只有三种系列，允许偏差为±5%、±10%、±20%，所对应的色环为：金色、银色、无色。
而金色、银色、无色这三种颜色没有有效数字，所以，金色、银色、无色作为四色环电阻器的偏差色环，即为最后一条色环（金色，银色除作偏差色环外，可作为乘数）。
（2）五色环电阻器为精密型电阻器，一般常用棕色或红色作为偏差色环。
如出现头尾同为棕色或红色环时，要判断第一条色环则要通过方法（3）、（4）。
（3）第一条色环比较靠近电阻器一端引脚。
（4）表示电阻器标称阻值的那四条环之间的间隔距离一般为等距离，而表示偏差的色环（即最后一条色环）一般与第四条色环的间隔比较大，以此判断哪一条为最后一条色环。
如图所示。
三极管的工作原理时间：2008-12-28 20:11:01 来源：资料室作者：电磁阀结构与操作原理三极管的基本结构是两个反向连结的pn接面，如图1所示，可有pnp和npn两种组合。
三个接出来的端点依序称为射极（emitter, E）、基极（base, B）和集极（collector, C），名称来源和它们在三极管操作时的功能有关。
图中也显示出npn与pnp三极管的电路符号，射极特别被标出，箭号所指的极为n型半导体，和二极体的符号一致。
在没接外加偏压时，两个pn接面都会形成耗尽区，将中性的p型区和n型区隔开。
图1 pnp(a)与npn(b)三极管的结构示意图与电路符号。
三极管的电特性和两个pn接面的偏压有关，工作区间也依偏压方式来分类，这里我们先讨论最常用的所谓”正向活性区”(forward active)，在此区EB极间的pn接面维持在正向偏压，而BC极间的pn接面则在反向偏压，通常用作放大器的三极管都以此方式偏压。
图2(a)为一pnp三极管在此偏压区的示意图。
EB接面的空乏区由于在正向偏压会变窄，载体看到的位障变小，射极的电洞会注入到基极，基极的电子也会注入到射极；而BC接面的耗尽区则会变宽，载体看到的位障变大，故本身是不导通的。
图2(b)画的是没外加偏压，和偏压在正向活性区两种情形下，电洞和电子的电位能的分布图。
三极管和两个反向相接的pn二极管有什么差别呢？其间最大的不同部分就在于三极管的两个接面相当接近。
以上述之偏压在正向活性区之pnp三极管为例，射极的电洞注入基极的n型中性区，马上被多数载体电子包围遮蔽，然后朝集电极方向扩散，同时也被电子复合。
当没有被复合的电洞到达BC接面的耗尽区时，会被此区内的电场加速扫入集电极，电洞在集电极中为多数载体，很快藉由漂移电流到达连结外部的欧姆接点，形成集电极电流IC。
IC的大小和BC间反向偏压的大小关系不大。
基极外部仅需提供与注入电洞复合部分的电子流IBrec，与由基极注入射极的电子流InB? E（这部分是三极管作用不需要的部分）。
InB? E在射极与与电洞复合，即InB? E=I Erec。
pnp三极管在正向活性区时主要的电流种类可以清楚地在图3(a)中看出。
图2 (a)一pnp三极管偏压在正向活性区；(b)没外加偏压，和偏压在正向活性区两种情形下，电洞和电子的电位能的分布图比较。
图3 (a) pnp三极管在正向活性区时主要的电流种类；(b)电洞电位能分布及注入的情形；(c)电子的电位能分布及注入的情形。
一般三极管设计时，射极的掺杂浓度较基极的高许多，如此由射极注入基极的射极主要载体电洞（也就是基极的少数载体）IpE? B电流会比由基极注入射极的载体电子电流InB? E大很多，三极管的效益比较高。
图3(b)和(c)个别画出电洞和电子的电位能分布及载体注入的情形。
同时如果基极中性区的宽度WB愈窄，电洞通过基极的时间愈短，被多数载体电子复合的机率愈低，到达集电极的有效电洞流IpE? C愈大，基极必须提供的复合电子流也降低，三极管的效益也就愈高。
集电极的掺杂通常最低，如此可增大CB极的崩溃电压，并减小BC间反向偏压的pn接面的反向饱和电流，这里我们忽略这个反向饱和电流。
由图4(a)，我们可以把各种电流的关系写下来：射极电流I E=IpE? B+ IErec = IpE? B+ InB? E =IpE? C+ I Brec + InB? E (1a)基极电流IB= InB? E + I Brec= I Erec + I Brec (1b)集电极电流I C =IpE? C= I E - I Erec - I Brec= I E - I B (1c)式1c也可以写成I E = I C + I B射极注入基极的电洞流大小是由EB接面间的正向偏压大小来控制，和二极体的情形类似，在启动电压附近，微小的偏压变化，即可造成很大的注入电流变化。
更精确的说，三极管是利用V EB（或V BE）的变化来控制IC，而且提供之IB远比IC小。
npn三极管的操作原理和pnp三极管是一样的，只是偏压方向，电流方向均相反，电子和电洞的角色互易。
pnp三极管是利用VEB控制由射极经基极、入射到集电极的电洞，而npn三极管则是利用V BE控制由射极经基极、入射到集电极的电子，图4是二者的比较。
经过上面讨论可以看出，三极管的效益可以由在正向活性区时，射极电流中有多少比例可以到达集电极看出，这个比例习惯性定义作希腊字母α图4 pnp三极管与npn三极管在正向活性区的比较。
而且a一定小于1。
效益高的三极管，a可以比0.99大，也就是只有小于1%的射极电流在基极与射极内与基极的主要载体复合，超过99%的射极电流到达集电极！了解正向活性区的工作原理后，三极管在其他偏压方式的工作情形就很容易理解了。
表1列出三极管四种工作方式的名称及对应之BE和BC之pn接面偏压方式。
反向活性区(reverse active)是将原来之集电极用作射极，原来的射极当作集电极，但由于原来集电极之掺杂浓度较基极低，正向偏压时由原基极注入到原集电极之载体远较原集电极注入基极的多，效益很差，也就是说和正向活性区相比，提供相同的基极电流，能够开关控制的集电极电流较少，a较小。
在饱和区(saturation)，两个接面都是正向偏压，射极和集电极同时将载体注入基极，基极因此堆积很多少数载体，基极复合电流大增，而且射极和集电极的电流抵销，被控制的电流量减小。
在截止区(cut off)，BE和BC接面均不导通，各极间只有很小的反向饱和电流，三极间可视作开路，也就是开关在关的状态。
表中同时列出了四种工作方式的主要用途。
三极管在数字电路中的用途其实就是开关，利用电信号使三极管在正向活性区（或饱和区）与截止区间切换，就开关而言，对应开与关的状态，就数字电路而言则代表0与1（或1与0）两个二进位数字。
若三极管一直维持偏压在正向活性区，在射极与基极间微小的电信号（可以是电压或电流）变化，会造成射极与集电极间电流相对上很大的变化，故可用作信号放大器。
下面在介绍完三极管的电流电压特性后，会再仔细讨论三极管的用途。
三极管截止与饱合状态截止状态三极管作为开关使用时，仍是处于下列两种状态下工作。
1.截止(cut off)状态:如图5所示，当三极管之基极不加偏压或加上反向偏压使BE极截止时(BE极之特性和二极管相同，须加上大于0.7V之正向偏压时才态导通)，基极电流IB=0，因为IC=β图5 三极管截止状态饱合状态饱合(saturation)状态:如图6所示，当三极管之基极加入驶大的电流时，因为IC≒IE=β×IB，射极和集极的电流亦非常大，此时，集极与射极之间的电压降非常低(VCE为0.4V以下)，其意义相当于集极与射极之间完全导通，此一状态称为三极管饱合。
图6 (a)基极加上足够的顺向 (b)此时C-E极之间视同偏压使IB足够大导通状态晶体管的电路符号和各三个电极的名称如下图7 PNP型三极管图8 N PN型三极管三极管的特性曲线1、输入特性图2 （b)是三极管的输入特性曲线，它表示Ib随Ube的变化关系，其特点是：1）当Uce 在0-2伏范围内，曲线位置和形状与Uce有关，但当Uce高于2伏后，曲线Uce基本无关通常输入特性由两条曲线（Ⅰ和Ⅱ）表示即可。
2）当Ube＜UbeR时，Ib≈O称（0～UbeR)的区段为“死区”当Ube＞UbeR时，Ib随Ube 增加而增加，放大时，三极管工作在较直线的区段。
3）三极管输入电阻，定义为:rbe=(△Ube/△Ib)Q点，其估算公式为：rbe=rb+(β+1)(26毫伏/Ie毫伏）rb为三极管的基区电阻，对低频小功率管，rb约为300欧。
2、输出特性输出特性表示Ic随Uce的变化关系（以Ib为参数）从图9（C）所示的输出特性可见，它分为三个区域：截止区、放大区和饱和区。
截止区当Ube＜0时，则Ib≈0，发射区没有电子注入基区，但由于分子的热运动，集电集仍有小量电流通过，即Ic=Iceo称为穿透电流，常温时Iceo约为几微安，锗管约为几十微安至几百微安，它与集电极反向电流Icbo的关系是：Icbo=(1+β)Icbo常温时硅管的Icbo小于1微安，锗管的Icbo约为10微安，对于锗管，温度每升高12℃，Icbo数值增加一倍，而对于硅管温度每升高8℃，Icbo数值增大一倍，虽然硅管的Icbo 随温度变化更剧烈，但由于锗管的Icbo值本身比硅管大，所以锗管仍然受温度影响较严重的管，放大区，当晶体三极管发射结处于正偏而集电结于反偏工作时，Ic随Ib近似作线性变化，放大区是三极管工作在放大状态的区域。
饱和区当发射结和集电结均处于正偏状态时，Ic基本上不随Ib而变化，失去了放大功能。
根据三极管发射结和集电结偏置情况，可能判别其工作状态。