常 用 场 效 应 管 参 数 表
常用场效应管型号全参数管脚识别及检测表
常用场效应管型号参数管脚识别及检测表场效应管管脚识别场效应管的检测和使用场效应管的检测和使用一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。
具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。
当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。
因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。
也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。
当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。
若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。
若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。
（2）用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。
具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。
然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。
要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。
场效应管参数对照表
场效应管参数对照表场效应管（Field Effect Transistor，简称FET），是一种常用的半导体器件，其工作原理基于场效应。
场效应管分为两种基本类型：N-沟道型场效应管（N-channel FET）和P-沟道型场效应管（P-channel FET）。
场效应管有着很多特性参数，下面是场效应管常见参数的对照表。
1. 驱动电压（Vds）：场效应管的驱动电压是指在引脚之间的电压差，也成为漏极与源极之间的电压。
该驱动电压决定了场效应管的导通与截止，一般用正参考电压。
2. 阈值电压（Vth）：阈值电压是指场效应管悬浮增益区通过导通的初始电压，也就是漏极电流开始出现的电压。
阈值电压决定了FET是否在导通状态，一般用负参考电压。
3.漏极电流（Id）：漏极电流是指通过场效应管漏极的电流，当驱动电压大于阈值电压时，场效应管导通，漏极电流会随之增加。
4. 器件尺寸（Size）：场效应管的尺寸通常由器件的长度（L）和宽度（W）决定。
尺寸越大，场效应管的漏极电流也越大。
5. 开关速度（Switching Speed）：场效应管的开关速度指的是从导通到截止或者从截止到导通的反应时间。
开关速度快的场效应管适用于高频应用。
6. 衰减（Attenuation）：场效应管的衰减是指信号经过场效应管后的信号衰减量。
7. 耐压（Vdss）：耐压是指场效应管在截止状态下可以承受的最大电压。
一般情况下，Vdss会比驱动电压Vds的值要大。
8. 输入电容（Ciss）：输入电容是指场效应管输入端的容量。
输入电容决定了场效应管对输入信号的响应速度。
9. 输出电阻（Rds）：输出电阻是指场效应管导通状态下，漏极与源极之间的等效电阻。
输出电阻越小，对负载输出能力越强。
10. 控制源电压（Vgs）：控制源电压是指场效应管的栅极电压，通过改变栅极电压，可以控制场效应管的导通与截止。
以上是几个常见的场效应管参数对照表。
不同应用场景的场效应管参数有所不同，使用时需根据具体需求来选择合适的场效应管。
场效应管工作原理
场效应管⼯作原理场效应管⼯作原理MOS场效应管电源开关电路。
这是该装置的核⼼，在介绍该部分⼯作原理之前，先简单解释⼀下MOS 场效应管的⼯作原理。
MOS 场效应管也被称为MOS FET，既Metal Oxide Semiconductor Field EffectTransistor（⾦属氧化物半导体场效应管）的缩写。
它⼀般有耗尽型和增强型两种。
本⽂使⽤的为增强型MOS场效应管，其内部结构见图5。
它可分为NPN型PNP型。
NPN型通常称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型。
由图可看出，对于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。
我们知道⼀般三极管是由输⼊的电流控制输出的电流。
但对于场效应管，其输出电流是由输⼊的电压（或称电场）控制，可以认为输⼊电流极⼩或没有输⼊电流，这使得该器件有很⾼的输⼊阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的原因。
为解释MOS场效应管的⼯作原理，我们先了解⼀下仅含有⼀个P—N结的⼆极管的⼯作过程。
如图6所⽰，我们知道在⼆极管加上正向电压（P端接正极，N端接负极）时，⼆极管导通，其PN结有电流通过。
这是因为在P型半导体端为正电压时，N型半导体内的负电⼦被吸引⽽涌向加有正电压的P型半导体端，⽽P型半导体端内的正电⼦则朝N型半导体端运动，从⽽形成导通电流。
同理，当⼆极管加上反向电压（P端接负极，N端接正极）时，这时在P型半导体端为负电压，正电⼦被聚集在P型半导体端，负电⼦则聚集在N型半导体端，电⼦不移动，其PN结没有电流通过，⼆极管截⽌。
对于场效应管（见图7），在栅极没有电压时，由前⾯分析可知，在源极与漏极之间不会有电流流过，此时场效应管处与截⽌状态（图7a）。
当有⼀个正电压加在N沟道的MOS 场效应管栅极上时，由于电场的作⽤，此时N型半导体的源极和漏极的负电⼦被吸引出来⽽涌向栅极，但由于氧化膜的阻挡，使得电⼦聚集在两个N沟道之间的P型半导体中（见图7b），从⽽形成电流，使源极和漏极之间导通。
场效应管
D (mA) 可变电阻区
i
uGS= 0V uGS = -1V uGS = -2V uGS= -3V
u
DS
时,iD 是 vDS 的线性函数，
管子的漏源间呈现为线
性电阻，且其阻值受 vGS
控制。 （2）管压降vDS 很小。
沟道未 夹断
用途：做压控线性电阻和无触点的、闭合状态
的电子开关。
gm
VDS
2、 极间电容： Cgs和Cgd约为1~3pF，和 Cds约为
0.1~1pF。高频应用时，应考虑极间电容的影响。
vDS 3、 输出电阻rd：rd iD
三、极限参数
VGS
1、 最大漏极电流IDM：管子正常工作时漏极电流 的上限值。
2、 最大耗散功率 PDM ：决定于管子允许的温升。
3、当vGD< VGS(off)时，vGS对iD的控制作用
当vGD = vGS - vDS <VGS(off) 时，即vDS > vGS VGS(off) > 0，导电沟道夹断， iD 不随vDS 变化 ； 但vGS 越小，即|vGS| 越大，沟道电阻越大，对同 样的vDS ， iD 的值越小。所以，此时可以通过改变
③ 场效应管的输入电阻远大于晶体管的输入电
阻，其温度稳定性好、抗辐射能力强、噪声系数小，
但易受静电影响。
④ 场效应管的漏极和源极可以互换，而互换后 特性变化不大；晶体管的集电极和发射极互换后特 性相差很大，只有在特殊情况下才互换使用。但要 注意的是，场效应管的某些产品在出厂时，已将衬 底和源极连接在一起，此时，漏极和源极不可以互 换使用。
JFET 结型
9.2 结型场效应管
一、结型场效应管的结构
常用N沟道场效应管及参数
常用N沟道场效应管及参数N沟道场效应管（N-channel MOSFET）是一种常用的场效应管，也称为N沟道型MOSFET。
它是电子设备中最常见的功率晶体管之一，被广泛用于各种电路中，如放大、开关、调节电路等。
本文将介绍N沟道场效应管的常用型号及其参数。
1.2N7000：2N7000是一款低功率N沟道MOSFET，具有较低开启电压和适中的功率处理能力。
它经常用于电路中的开关和开关保护。
2.IRF3205：IRF3205是一款高功率N沟道MOSFET，具有较低的导通电阻和较高的功率承载能力。
它广泛应用于高功率开关电源和电机驱动等领域。
3.IRF540：IRF540是另一种高功率N沟道MOSFET，具有类似的特点和应用于IRF3205，被广泛应用于功率放大和电源控制电路中。
4.2SK2231：2SK2231是一款高压高功率N沟道MOSFET，具有较高的耐压和较大的功率承载能力。
它常用于高压电源和交流电机驱动等领域。
N沟道场效应管的参数：1.饱和漏源电压（VDS）：指在控制极（栅极）与源极之间的电压达到一定值时，MOSFET的通态转变，从导通状态进入截止状态。
一般，N沟道MOSFET的饱和电压应小于供电电压。
2. 控制极电压（VGS）：指控制极（栅极）与源极之间的电压，通过改变VGS可以控制MOSFET的导通和截止。
对于饱和区工作的N沟道MOSFET，VGS一般应大于阈值电压（Vth）才能使其导通。
3. 极间电容（Ciss， Coss， Crss）：指MOSFET的栅-源电容、栅-极电容和栅-源-极电容，它们在高频应用中具有重要的影响。
极间电容的大小与MOSFET的尺寸和结构等因素有关。
4.漏极电流（ID）：指通过MOSFET的源-漏电流，是导通状态下的重要参数。
漏极电流的大小与MOSFET的控制极电压和源-漏电阻有关。
5.导通电阻（RDS(ON)）：指在MOSFET导通状态下的导通电阻，反映了MOSFET导通时的电阻特性。
场效应管参数大全2教学文稿
125
2SK2605
TOSHIBA
N-MOSFET用于高速高电压开关、 开关整流
800
5
45
2SK2606
TOSHIBA
N-MOSFET用于DC-DC转换、继电
器和电动机驱动
800
8
85
2SK2607
TOSHIBA
N-MOSFET用于高速高电压开关、 断路器、DC-DC转换和电动机驱 动
800
9
150
转换
500
12
100
2SK2569
E
HITACHI
N-MOSFET用于低频功率开关
50
0.2
0.15
2SK2570
HITACHI
N-MOSFET用于低频功率开关
20
0.2
0.15
2SK2570-
01MR
FUJI
N-MOSFET功率放大，开关效应
管
300
10
40
2SK2571
PANASONIC
N-MOSFET用于不接触继电器、螺
800
7
80
2SK2563
SHINDENGEN
N-MOSFET用于AC 100-200V输入
开关电源、换流、功率因素控制 电路
600
4
30
2SK2564
SHINDENGEN
N-MOSFET用于AC 100-200V输入
开关电源、换流、功率因素控制 电路
600
8
50
2SK2568
HITACHI
N-MOSFET用于开关整流、DC-DC
250
13
60
2SK2599
常用场效应管型号参数管脚识别及检测表
常用场效应管型号参数管脚识别及检测表公司内部编号：（GOOD-TMMT-MMUT-UUPTY-UUYY-DTTI-常用场效应管型号参数管脚识别及检测表场效应管管脚识别场效应管的检测和使用场效应管的检测和使用一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。
具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。
当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。
因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。
也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。
当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。
若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。
若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。
（2）用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。
具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。
然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。
g4pf50w场效应管代换参数
g4pf50w场效应管代换参数引言场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种常见的电子元件，广泛应用于电子设备中，如放大电路、开关电路和振荡电路等。
g4pf50w是一种特定型号的场效应管，本文将重点讨论g4pf50w场效应管的代换参数。
什么是场效应管代换参数场效应管的代换参数成为了选型和设计的重要参考依据。
它们是从场效应管的静态特性出发，通过一些特定的方法和公式计算得到的一组参数值。
通过这些参数，可以对不同型号的场效应管进行比较和分析，并确定在特定应用中的适用性。
代换参数的定义场效应管的代换参数包括静态电流增益（IDSS）、静态漏极电流（ID）、转导电导（gm）、源级电阻（rs）、输入电容（Ciss）、反射容性（Crss）等。
g4pf50w场效应管的代换参数及其意义静态电流增益（IDSS）静态电流增益（IDSS）是场效应管导通时的漏极电流与栅极间电压之间的关系。
它是一个表示场效应管工作参数的重要指标。
IDSS值越大，表示场效应管导通时的漏极电流越大，功率放大能力越强。
静态漏极电流（ID）静态漏极电流（ID）指代换状态下场效应管导通时的漏极电流值。
它是表征场效应管导通能力的重要参数。
ID值越大，表示场效应管导通时的漏极电流越大，输出功率能力越强。
转导电导（gm）转导电导（gm）是描述场效应管变流增益能力的重要参数，代表了输出电流和输入电压之间的关系。
gm值越大，表示场效应管具有更好的变流放大能力。
源级电阻（rs）源级电阻（rs）是指场效应管漏极电流变化时源极电压的变化关系，是场效应管内部的等效电阻。
rs值越小，表示场效应管内部电流变化对源极电压影响较小，输出随负载变化的能力越强。
输入电容（Ciss）输入电容（Ciss）是指场效应管的输入端栅极与源极之间的等效电容。
Ciss值越大，表示场效应管在输入信号频率较高时对输入信号的阻抗较小，能够更好地匹配输入信号源。
反射容性（Crss）反射容性（Crss）是指场效应管导通状态下的栅极与漏极之间的等效电容。