6.场效应晶体管-MOSFET
场效应管和mos管的区别
功率场效应晶体管MOSFET1.概述MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。
功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET）,简称功率MOSFET（Power MOSFET）。
结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static Induction Transistor——SIT）。
其特点是用栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单，需要的驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于GTR，但其电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。
2.功率MOSFET的结构和工作原理功率MOSFET的种类：按导电沟道可分为P沟道和N沟道。
按栅极电压幅值可分为；耗尽型；当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道，增强型；对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道，功率MOSFET主要是N沟道增强型。
2.1功率MOSFET的结构功率MOSFET的内部结构和电气符号如图1所示；其导通时只有一种极性的载流子（多子）参与导电，是单极型晶体管。
导电机理与小功率MOS管相同，但结构上有较大区别，小功率MOS管是横向导电器件，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET （Vertical MOSFET），大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。
按垂直导电结构的差异，又分为利用V型槽实现垂直导电的VVMOSFET和具有垂直导电双扩散MOS结构的VDMOSFET（Vertical Double-diffused MOSFET），本文主要以VDMOS 器件为例进行讨论。
mosfet的主要参数
mosfet的主要参数MOSFET的主要参数MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是一种常用的功率开关器件，广泛应用于电子设备中。
在选择和使用MOSFET时，了解其主要参数是非常重要的。
本文将介绍MOSFET的主要参数，并解释其在电路设计中的作用。
1. 阈值电压（Vth）：阈值电压是指MOSFET在控制端（Gate）和源极（Source）之间的电压，当该电压超过阈值电压时，MOSFET将开始导通。
阈值电压是决定MOSFET导通和截止的重要参数，对于控制MOSFET的开关特性非常关键。
2. 最大漏极电流（Idmax）：最大漏极电流是指MOSFET在导通状态下能够承受的最大漏极电流。
超过这个电流，MOSFET可能会受损或过载。
根据所需的电流要求，选择具有足够大的最大漏极电流的MOSFET是非常重要的。
3. 最大漏极-源极电压（Vdsmax）：最大漏极-源极电压是指MOSFET可以承受的最大漏极-源极电压。
超过这个电压，MOSFET可能会被击穿而损坏。
在选择MOSFET 时，应考虑所需的工作电压范围，并选择具有足够高的最大漏极-源极电压的器件。
4. 开启电阻（Rds(on)）：开启电阻是指MOSFET在导通状态下的电阻值。
它是决定MOSFET导通时功耗和效率的重要参数。
开启电阻越小，MOSFET 导通时的功耗就越低，效率就越高。
因此，在功率开关电路中，选择具有较小开启电阻的MOSFET可以提高系统的效率。
5. 共源极电容（Coss）：共源极电容是指MOSFET的源极与栅极之间的电容。
它是影响MOSFET开关速度和开关损耗的重要参数。
较大的共源极电容会导致更长的开关时间和更高的开关损耗。
因此，在高频应用中，选择具有较小共源极电容的MOSFET可以提高系统的性能。
6. 输出电容（Cout）：输出电容是指MOSFET的漏极与源极之间的电容。
它是影响MOSFET开关速度和开关损耗的另一个重要参数。
较大的输出电容会导致更长的开关时间和更高的开关损耗。
场效应晶体管参数
场效应晶体管参数
场效应晶体管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种三端器件，常见的有金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅场效应晶体管（IGFET，包括MOSFET的一种）。
以下是场效应晶体管的一些重要参数：
1.栅极-源极电压（Vgs）：栅极与源极之间的电压，它控制了场效应晶体管的导电状态。
2.漏极-源极电压（Vds）：漏极与源极之间的电压，决定了场效应晶体管的工作区域，包括饱和区和截止区。
3.漏极电流（Id）：从漏极到源极的电流，是场效应晶体管的输出电流，由Vgs和Vds 决定。
4.栅源电流（Igs）：流入或流出栅极的电流。
5.漏极电阻（Rd）：在特定工作点下，漏极电流和漏极-源极电压之间的比值。
6.跨导（Transconductance，gm）：栅极-源极电压变化引起的漏极电流变化的比率。
7.截止电压（Vth）：在栅极-源极电压为零时，漏极电流等于零的电压。
8.饱和电压（Vsat）：在工作区域为饱和时，漏极-源极电压的最小值。
9.电流增益（β）：漏极电流与栅源电流的比值。
10.输入电容（Ciss）：输入端（栅极）与输出端（漏极和源极）之间的总电容。
这些参数在设计和分析场效应晶体管电路时非常重要，工程师们使用它们来确定器件的性能和适用范围。
不同类型的场效应晶体管会有一些额外或不同的参数，具体取决于器件的结构和工作原理。
MOSFET介绍解读
MOSFET介绍解读MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管）是一种常用的场效应晶体管，是现代电子设备中的重要组成部分。
它具有高速开关速度、低功耗和较低的驱动电压等优势，广泛用于各种集成电路和功率电子应用中。
本文将对MOSFET进行介绍和解读。
MOSFET是一种三端器件，包括源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。
它是由P型或N型半导体基片、氧化层和金属电极组成。
栅极下方通过氧化层与基片隔离，形成栅氧化物层，从而实现对栅极与基片之间的电荷的控制。
MOSFET的工作原理是通过调节栅极电场来控制漏极和源极之间的电流。
当MOSFET的栅极电压低于阈值电压时，它处于截止状态，漏极和源极之间的电阻很大，几乎没有电流通过。
当栅极电压高于阈值电压时，MOSFET处于开启状态，可以通过控制栅极电压来控制漏极和源极之间的电流大小。
此特性使得MOSFET成为理想的开关器件。
此外，MOSFET还具有较低的驱动电压要求。
由于栅极控制电路的电流很小，MOSFET可以通过低电压驱动，减少功耗和成本。
这也为集成电路提供了更多的设计灵活性。
然而，MOSFET也存在一些局限性和挑战。
首先，栅极电荷的建立和移除需要一定的时间，导致MOSFET的开关速度受到限制。
其次，MOSFET 的工作温度范围较窄，而且对温度的敏感性较高。
另外，MOSFET在高电压应用中也存在一些问题，如漏电和击穿等。
为了克服这些挑战，研究人员和工程师不断改进MOSFET的设计和制造工艺。
例如，引入新的材料和结构可以提高MOSFET的开关速度和功率密度。
而采用新的封装和散热技术可以提高MOSFET的功率处理能力和热稳定性。
总的来说，MOSFET是一种重要的半导体器件，具有许多优点，如低功耗、高速开关速度和较低的驱动电压要求。
它在各种领域的应用广泛，包括集成电路、功率电子、射频和通信等。
通过不断的研究和创新，MOSFET的性能将进一步得到改善，为我们的现代电子设备提供更高效、更可靠的解决方案。
场效应管和mos管的区别综述
2.3.1静态特性；其转移特性和T的转移特性，ID较大时，ID与UGS的关系近似线性，曲线的斜率定义为跨导Gfs
MOSFET的漏极伏安特性（输出特性）：截止区（对应于GTR的截止区）；饱和区（对应于GTR的放大区）；非饱和区（对应于GTR的饱和区）。电力MOSFET工作在开关状态，即在截止区和非饱和区之间来回转换。电力MOSFET漏源极之间有寄生二极管，漏源极间加反向电压时器件导通。电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利。
开通时间ton—开通延迟时间与上升时间之和。
关断延迟时间td(off) —up下降到零起，Cin通过Rs和RG放电，uGS按指数曲线下降到UGSP时，iD开始减小为零的时间段。
下降时间tf— uGS从UGSP继续下降起，iD减小，到uGS<UT时沟道消失，ID下降到零为止的时间段。
关断时间toff—关断延迟时间和下降时间之和。
首先MOSFET结构中所附带的本征二极管具有一定的雪崩能力。通常用单次雪崩能力和重复雪崩能力来表达。当反向di/dt很大时，二极管会承受一个速度非常快的脉冲尖刺，它有可能进入雪崩区，一旦超越其雪崩能力就有可能将器件损坏。作为任一种PN结二极管来说，仔细研究其动态特性是相当复杂的。它们和我们一般理解PN结正向时导通反向时阻断的简单概念很不相同。当电流迅速下降时，二极管有一阶段失去反向阻断能力，即所谓反向恢复时间。PN结要求迅速导通时，也会有一段时间并不显示很低的电阻。在功率MOSFET中一旦二极管有正向注入，所注入的少数载流子也会增加作为多子器件的MOSFET的复杂性。
2.功率MOSFET的结构和工作原理
功率MOSFET的种类：按导电沟道可分为P沟道和N沟道。按栅极电压幅值可分为；耗尽型；当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道，增强型；对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道，功率MOSFET主要是N沟道增强型。
功率场效应晶体管(MOSFET)基本知识.
功率场效应晶体管(MOSFET)基本知识功率场效应管(Power MOSFET)也叫电力场效应晶体管，是一种单极型的电压控制器件，不但有自关断能力,而且有驱动功率小,开关速度高、无二次击穿、安全工作区宽等特点。
由于其易于驱动和开关频率可高达500kHz，特别适于高频化电力电子装置，如应用于DC/DC变换、开关电源、便携式电子设备、航空航天以及汽车等电子电器设备中。
但因为其电流、热容量小，耐压低，一般只适用于小功率电力电子装置。
一、电力场效应管的结构和工作原理电力场效应晶体管种类和结构有许多种，按导电沟道可分为P沟道和N沟道，同时又有耗尽型和增强型之分。
在电力电子装置中，主要应用N沟道增强型。
电力场效应晶体管导电机理与小功率绝缘栅MOS管相同，但结构有很大区别。
小功率绝缘栅MOS管是一次扩散形成的器件，导电沟道平行于芯片表面，横向导电。
电力场效应晶体管大多采用垂直导电结构，提高了器件的耐电压和耐电流的能力。
按垂直导电结构的不同，又可分为2种：V形槽VVMOSFET和双扩散VDMOSFET。
电力场效应晶体管采用多单元集成结构，一个器件由成千上万个小的MOSFET组成。
N沟道增强型双扩散电力场效应晶体管一个单元的部面图，如图1(a)所示。
电气符号，如图1(b)所示。
电力场效应晶体管有3个端子：漏极D、源极S和栅极G。
当漏极接电源正，源极接电源负时，栅极和源极之间电压为0，沟道不导电，管子处于截止。
如果在栅极和源极之间加一正向电压UGS，并且使UGS大于或等于管子的开启电压UT，则管子开通，在漏、源极间流过电流ID。
UGS超过UT越大，导电能力越强，漏极电流越大。
二、电力场效应管的静态特性和主要参数Power MOSFET静态特性主要指输出特性和转移特性，与静态特性对应的主要参数有漏极击穿电压、漏极额定电压、漏极额定电流和栅极开启电压等。
1、静态特性（1）输出特性输出特性即是漏极的伏安特性。
特性曲线，如图2(b)所示。
MOSFET_MOS管特性参数的理解
MOSFET_MOS管特性参数的理解MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种常用的半导体器件，具有较高的性能和功耗优势。
了解MOSFET的特性参数对于设计和应用电子电路至关重要。
下面将从基本结构、特性参数和其理解等方面进行详细阐述。
MOSFET 的基本结构如下：它由源极、漏极、栅极和底座四个引脚组成，其中源极(source)和漏极(drain)与半导体结成二极管，栅极(gate)则是介质氧化铝上的金属引脚。
其中金属层和介质氧化铝之间的结构形成了场效应管，因此被称为MOS管。
接下来是几个关键的特性参数：1. 阈值电压：阈值电压（Threshold Voltage，简称Vth）是MOSFET 的一个重要参数，它表示了在栅极和漏极之间形成导电路径的最低电压。
当栅极电压高于Vth 时，MOSFET 开始工作并形成导通通道。
2. 饱和电流：饱和电流（Saturation Current，简称Isat）是指在MOSFET 处于饱和工作区时的漏极电流，也称为最大漏极电流。
在饱和区，漏极电流与栅极电压成非线性关系。
3. 输出电导：输出电导（Output Conductance，简称gds）表示了MOSFET 在饱和状态时，输出电流变化对栅极漏极电压的敏感程度。
较高的输出电导意味着MOSFET 在饱和区的输出电流更敏感，从而使其在放大器等应用中更可靠。
4. 线性区增益：线性区增益（Linear Region Gain，简称gm）表示MOSFET 在线性工作区时，输入阻抗和输出阻抗间的关系。
该参数也可以用来衡量MOSFET 对输入信号的放大能力。
5. 输出电容：输出电容（Output Capacitance，简称Coss）表示栅极和漏极之间的电容。
这个电容会导致MOSFET 在高频应用中的频率响应减弱，影响其性能。
以上只是几个主要的特性参数，实际上MOSFET 还有很多其他的参数，如输入电容（Input Capacitance）、迁移率（Mobility）、开启延迟（Turn-on Delay）和反向转移电容（Reverse Transfer Capacitance）等。
场效应晶体管工作原理
场效应晶体管(简称FET)是一种重要的半导体元件，广泛应用于电子电路中。
本文将介绍FET的工作原理及其应用。
一、FET的结构和原理
FET由栅极、漏极和源极组成。
其工作原理基于场效应，即栅极电场的变化会影响漏极和源极之间的电阻。
当栅极电压为零时，漏极和源极之间形成导电通道，电流可以流过。
当栅极电压增加时，导电通道被挤压，电阻增加，电流减小。
二、FET的种类
FET主要分为两种类型：MOSFET和JFET。
MOSFET是金属氧化物半导体场效应晶体管，栅极与漏极之间有一个氧化物层。
JFET是结型场效应晶体管，栅极和源极之间有一段正负掺杂的半导体构成的“结”。
三、FET的应用
FET广泛应用于放大器、开关、振荡器等电子电路中。
由于FET具有低噪声和高输入电阻等优点，特别适合用于放大高频信号。
同时，FET还可用于制作数字电路中的开关和存储器。
四、FET的参数
FET的主要参数有：漏极电流、漏极电流饱和电压、转移电导、栅极静态电容等。
这些参数可以通过特定测试电路测量得到，并用于FET的特性曲线分析和电路设计。
五、FET的发展趋势
随着电子器件的发展，FET也在不断发展。
例如，增加了阻隔层的高压MOSFET可以应用于高压电路中。
此外，由于FET无法直接驱动电机等高功率负载，在实际应用中常常需要与场效应晶体管驱动器结合使用。
总之，FET作为一种重要的半导体元件，不断在电子器件领域中得到应用和发展，为电路设计带来更多便利。
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半导体器件原理
（1）速度电场依赖关系
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（2）n=1时对空穴的分析解
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Ids为常数
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（3）饱和漏电压和漏电流：
dIds/dVds=0
对长沟道情形
对L0情形（薄层电荷近似）
随沟道长度的减小而降低
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（4）速度饱和时的夹断点 漏端横向电场达到很大，类似与长沟道中的情形，载 流子不在限制在表面沟道层中。
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（5）过饱和速度 在高场或陡峭的空间电势变化时，载流子不再与硅的 晶格处在热平衡状态， 从而超过过饱和速度：热载流子
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3。沟道长度调制
饱和电流继续增加的两个原因：短沟道效应与沟 道长度调制 （1）饱和点以上的漏电流：饱和点向源端移动，饱 和点与源端之间一维近似仍然成立。 载流子在饱和点与漏端之间以饱和速度运动，直 至漏端（二维）。
准隧穿效应
隧穿是指这样的情形，漏－衬底空间电荷区完全经过沟道区延 展到源－衬底空间电荷区。此时，源、漏之间的势垒完全消失， 可能存在较大的漏电流。
结击穿电压
是最大电场强度的函数。随着沟道长度的变小，偏置电压可能 不会相应地按比例缩小，因此结电场会变大。当电场变大时， 近雪崩击穿和近隧穿效应会变得更加严重。此外，器件的几何 图形按比例缩小后，寄生双极器件的影响更大，从而使击穿效 应增强。
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半导体器件原理
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（2）速度饱和区的准二维模型
纵向电场逐步减小
饱和点附近的一 维高斯定理
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电流连续要求电荷为常数，类似与短沟道效应，只是 耗尽电荷换成了可移动电荷。（由栅压控制转为漏电 压控制）。
Y 0 X Ey(y) Ey(y+dy) Ex(0,y)
与长沟道器件相比：
为避免过量的短沟道效应，CMOS器件中衬底或阱里 的掺杂必须保证最小的沟道长度是Wdm的两到三倍， 或大于源与漏端的耗尽层宽度之和。
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2。速度饱和
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2。速度饱和：短沟道器件的漏电流由于速度饱和效应 而在一较小的电压下就已饱和（而不是由于夹断）
抑制击穿效应的方法
一种是改变漏极的掺杂剖面。轻掺杂漏（LDD）设计及其 掺杂剖面示于图a中，传统的MOSFET及其掺杂剖面示于图b 作为对比。通过引入轻掺杂漏，空间电荷区中电场的峰值减小 了，击穿效应被降到最小。漏极的电场峰值是半导体掺杂浓度 和n＋漏区弯曲程度的函数。
通过离子注入进行阈值调整
p型衬底正栅压的MOS器件能带图
辐射引入的氧化层电荷
当空穴到达硅－二氧化硅界面时，其中的一部分被陷阱俘 获，另一部分流入硅中。由于这些被俘获的空穴，辐射引 入的净正电荷位于氧化层的陷阱内。这些被俘获的电荷很 长时间地存在陷阱中，可以长达数月或数年之久。正如我 们所看到的，正氧化层电荷会引起阈值电压向负方向偏移。 空穴陷阱密度在1012到1013cm－2范围内，依赖于氧化层和 器件的工艺。通常，这些陷阱存在于Si-SiO2界面附近大约 50A的区域。空穴陷阱通常和硅缺陷有关，这些硅缺陷在 SiO2结构中存在氧空位。氧空位存在于Si-SiO2界面附近 的“多硅”区域。 由于阈值电压或平带电压的偏移是陷阱电荷数量的函数， 电压偏移是氧化层所加电压的函数。
vDS /V
半导体器件原理
5。 MOSFET击穿：
nMOSFETs的击穿电压较pMOSFETs为低
电子具有更高的离化系数
n+源漏结比p+结更陡峭 对沟道长度有弱的依赖关系 短沟道器件具有较小的隧穿电压。
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假设氧化层是理想绝缘体。如果氧化层中的电场变得足够大，击穿就会发 生，这将导致器件的崩溃。在二氧化硅中，击穿时的电场为6×106V/cm左 右。此击穿场强比硅中的大，但是栅氧化层还是很薄。当氧化层厚度为 500A时，大约30伏特的栅压可以造成击穿。但是，通常因数的安全边界 值为3，因此，tox＝500A时的最大安全栅压为10伏特。 因为在氧化层中可能存在缺陷，从而降低击穿场强，所以安全的边界值是 必要的。除了在功率器件和极薄氧化层器件中，氧化层击穿通常不是很重 要的问题。
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课堂练习
1。7.3 如图所示的晶体管，栅压要改变多 少才能使衬底反型？阈值电压是多少？假 设外加电压一半降在氧化层上，一半降在 半导体上。如果图中的的晶体管处于热平 衡态，那么这个器件是何种类型？ 2。7.5 对于一个用简并掺杂n型硅栅制作的NFET, 如果希望不加栅压时就 存在沟道，p型衬底的掺杂浓度是多少？假设内建电势差一半降在氧化层 上，一半降在硅上，“沟道存在”的定义是 硅表面反型层，即在Si/SiO2 界面处的电子浓度等于p型硅体内的空穴浓度。所求出的掺杂浓度是形成 耗尽型器件所需要的最小掺杂浓度，还是最大掺杂浓度？
沟道调制效应 源漏串联电阻 MOSFET击穿
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1。短沟道效应：
阈值电压的减小，必须保证芯片上最小沟道长 度器件的阈值电压不会太小。 短沟道MOSFET中，耗尽层厚度宽于长沟道器 件。
漏源距离与MOS耗尽层宽度相当，使源漏电势 对能带的弯曲有较大的影响。
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-
n MOSFET pMOSFET
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(1) 截止区 VGS< VT以下区域就是截止区 VGS VT ID=0
iD
(2) 放大区（恒流区） 产生夹断后，VDS增大，ID不变的 区域，VGS -VDS VP VDSID不变 处于恒流区的场效应管相当于一 个压控电流源 (3)饱和区（可变电阻区） 未产生夹断时，VDS增大，ID随着增大的区域 VGS -VDS VP VDSID 处于饱和区的场效应管相当于一个压控可变电阻
辐射和热电子发射
辐射引入的氧化层电荷
二氧化硅的禁带宽度大约为9eV。此图形象地说明了在氧化层中由于离 化辐射引起的电子－空穴对。辐射引入的电子被推向栅极，辐射引入 的空穴被推向衬底。现在已经发现氧化层中产生的电子有着很大的迁 移率，其值大约在20 cm2/V-s数量级左右。当高场强时，氧化层中的电 子速度也会在107cm/s时饱和，在典型的栅氧化层厚度下，电子的迁移 时间的数量级为1ps。 当正栅压时，大量的 辐射引入电子从栅极 流出；因此，通常这 些电子对MOS器件的 辐射响应并不起主要 作用。
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漏端离化导致漏电流增加，离化空穴为衬底接受而使源 与衬底之间形成正偏，从而降低了阈值电压，并形成一 正反馈效应，导致击穿。
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寄生晶体管击穿
另一种击穿机制为S形击穿曲线。这种击穿是由于二级效应而产生的。 寄生双极晶体管中电流增益的改变而引起的MOSFET击穿过程中出现的 负阻效应. 图中的n沟增强型MOSFET的几何图形表明了源极和衬底接地。n（源） －p（衬底）－n（漏）结构形成了一个寄生双极晶体管。其等效电路示 于图b。 寄生晶体管导通使 MOSFET 由高压小电流迅速过渡到低压大电流状态, 从而发生雪崩 击穿.
辐射引入的界面态
我们讨论亚阈值电导时曾经讲过，ID和VGS函数曲线中在 亚阈值区处的斜率是界面态密度的函数。下图为不同总的 离化剂量下的亚阈值电流。图中斜率的变化说明了界面态 密度随总剂量而增大。
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（1）二维电势等高线和电荷共享模型
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长短沟道器件的区别
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电荷共享模型（离化固定电荷）
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（2）势垒降低
短沟道器件中，源及漏的电场穿透进沟道中央， 降低了漏源之间的势垒，引起亚阈值电流的增加， 导致阈值电压的下降。
xj Ex(xj,y) y y+dy
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半导体器件原理
由于横向电场与纵向电场相比变得显著，电荷的 运动逐渐离开了表面。
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（3）漏区的峰值电场
V（y=L）=Vds
横向电场逐步增加
105到106 V/cm
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半导体器件原理
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4。源漏串联电阻
2000 Ω/□ 7000 Ω/□
VDSat vsat
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lf
L[(1
2lf (VGS VT ) vsatL
)1/ 2 1]
半导体器件原理
长沟道MOSFETs的沟道调制
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7.4 短沟道MOSFETs (8.7, P357)
沟道长度减小，导致电流增大，而本征电容变小。
短沟道效应
速度饱和效应
漏极附近的空间电荷区离化可以造成雪崩击穿。在理 想单边pn结中，击穿主要是pn结低掺杂区的掺杂浓度 的函数。对于MOSFET，低掺杂区对应于半导体衬底。 例如，如果一p型衬底掺杂浓度为Na＝3×1016cm－3， 那么对于缓变结击穿电压大约为25伏特。然而，n＋漏 极可能是一个相当浅的扩散区并发生弯曲。耗尽区的 电场在弯曲处有集中的趋向，从而降低了击穿电压。
有许多的因素，诸如固定氧化层电荷、金属－半导体功函 数差、栅氧化层厚度以及半导体掺杂浓度都可以影响阈值 电压。尽管对各种不同的应用来说所得的阈值电压不一定 满足条件，所有的这些参数都可以在特定的设计和工艺中 被确定下来。 可以通过离子注入来调整氧化层－半导体表面附近的衬底 掺杂浓度，从而得到满意的阈值电压。 另外，离子注入不仅可以用来掺杂沟道区，它还被广泛地 应用于器件的制造过程中，是一种标准的工艺；例如，它 可以被用于形成晶体管的源区和漏区。