(完整版)2018年技能高考电气类《晶体二极管及二极管整流电路》试题含答案,推荐文档
2O18年电工考试题及答案

2O18年电工考试题及答案一、选择题1. 以下哪项是电流的单位?A. 安培(A)B. 伏特(V)C. 欧姆(Ω)D. 瓦特(W)2. 电流和电压之间的关系是:A. 电流=电压/电阻B. 电流=电阻/电压C. 电流=电压×电阻D. 电流=电压-电阻3. 下面哪种材料是电流的良好导体?A. 木材B. 高密度聚乙烯C. 橡胶D. 铜4. 断开电路的开关叫做:A. 电阻B. 电源C. 抵抗D. 关路5. 焊接时需要使用的电源是:A. 直流电源B. 交流电源C. 脉冲电源D. 锂电池二、填空题1. 电压为220伏特的家用电源频率是_______赫兹。
2. 普通家用电路的电流的额定值是_______安培。
3. 用电器的功率是500瓦特,电流是10安培,求该用电器的电压是_______伏特。
4. 电路中的电流方向是从正极到_______极。
5. 铜的电阻率是_______。
三、简答题1. 请简要解释电流、电压和电阻的概念及其单位。
电流即电荷的流动,是单位时间内通过导体横截面的电荷数目,单位为安培(A)。
电压为单位电荷所具有的能量,即电势差,单位为伏特(V)。
电阻是导体对电流流动的阻碍,单位为欧姆(Ω)。
2. 什么是欧姆定律?请写出欧姆定律的公式。
欧姆定律是指在恒温条件下,电流通过导体的大小与导体两端的电压成正比,与导体本身的电阻成反比。
其公式为:电流(I)= 电压(V)/ 电阻(R)。
3. 请简述并联电路和串联电路的特点。
并联电路指电流分流,各支路上的电压相等,总电流等于各支路电流之和。
串联电路指电流不分流,总电流等于各元件电流之和,各元件上的电压相加。
四、计算题1. 一台额定功率为600瓦特的电视机接在220伏特的电源上,求该电视机的电流。
解:电流(I)= 功率(P)/ 电压(V)= 600瓦特 / 220伏特≈ 2.73安培2. 一个电阻为30欧姆的电路中通过5安培的电流,求电压。
解:电压(V)= 电流(I)×电阻(R)= 5安培 × 30欧姆= 150伏特五、答案一、选择题1. A2. C3. D4. D5. B二、填空题1. 50赫兹2. 10安培3. 50伏特4. 负极5. 1.68 × 10^-8Ω·m三、简答题略四、计算题1. 2.73安培2. 150伏特以上为2018年电工考试题及答案。
技能高考三套题

黄梅理工学校高三电子专业题库理论试题考卷 1一、判断题1、电路中电流的方向是电子运动的方向。
( )2、电路中某两点的电位都很高,则这两点间的电压也一定很高。
( )3、基尔霍夫电压定律是指在任一瞬间沿任意回路绕行一周,则在这个方向上的电压升之和一定等于电压降之和。
( )4、两个电路等效,即可认为它们无论内部还是外部都是相同的。
( )5、在电阻串联电路中,电阻值越大,其两端分得的电压就越大。
( )6、一个电压源并联一个电阻可等效为一个电流源串联一个电阻的形式。
( )7、磁场可用磁场线来描述,磁铁中的磁场线方向始终是从N 极到S 极。
( )8、电容器的电容量是由电容器的外加电压大小决定的。
( )9、u2=311sin(628t+45°)其中45°表示初相位。
( ) 10、正弦交流电路中,无功功率就是无用功率。
( )11、电路发生谐振时,不会发生分电压大于总电压现象。
( )12、由三个频率相同、振幅相同,但相位彼此相差120°的电压源构成三相交流电源。
( )13、二极管两端加上正向电压就一定会导通。
( )14、稳压管在正常稳压工作区域里,当反向电流在很大范围内变化时,其两端电压几乎不变。
( )15、晶体三极管的电极是不可以调换使用的。
( ) 16、静态工作点过低会产生截止失真。
( )17、产生零点漂移的主要原因是晶体管参数受温度的影响。
( )18、直流电源是一种将正弦信号转换为直流信号的波形变换电路。
( ) 19、数字电路中输出只有两种状态:高电平1和低电平0。
( ) 20、禁止在保护地线上安装熔断器。
( )21、若白炽灯内部的灯丝熔断后,将灯丝小心搭上继续使用,是符合安全规范的操作。
( )22、测量直流电压和直流电流时,注意“+”“-”极性,不要接错。
如发现指针开始反转,应立即调换表棒,以免损坏指针及表头。
( ) 23、钳形电流表必须断开导线才能测量电流。
( ) 24、电气接线图直接体现了电子电路与电气结构以及其相互间的逻辑关系( ) 二、 选择题1、导线及开关的作用是将电源和负载连接成一个闭合回路,用来传输和分配、控制( )。
电工2018考试题及答案

电工2018考试题及答案一、选择题(每题2分,共60分)1. 高压线路漏电保护采用的保护方式是()。
A. 零序动作保护B. 过电流保护C. 残压保护D. 转子短路保护2. 频率低于50Hz的交流电压称为()。
A. 高频电压B. 中频电压C. 低频电压D. 超低频电压3. 以下哪一项不是变压器的损耗之一()。
A. 铁损耗B. 容量损耗C. 空载损耗D. 短路损耗4. 给定电流为10A的直流电流表,直流电流表的内阻为10Ω,那么接入电路的等效电阻为()。
A. 10ΩB. 20ΩC. 90ΩD. 100Ω5. 电机按照饱和程度不同,可以分为非饱和电机、半饱和电机和()。
A. 全饱和电机B. 超饱和电机C. 欠饱和电机D. 无饱和电机......二、填空题1. 电工安全工作的基本原则是“预防为主、防治结合、()为主、岗位负责”,其中空白处应填写的是(安全维护)。
2. 电气设备的使用过程中,对电动力部分的人身安全保护要求是要能有效地防止对地()下的电压危害。
3. 开关柜间的箱门外储物箱内存放了大量的工具,这样的做法属于(不允许)。
4. 电气设备的维护管理中,应定期对设备进行定期的(巡视)检查工作。
5. 遇到电气设备事故时,第一时间应该(切断电源)以保障人身安全。
......三、简答题1. 请简述并画出家庭电路的基本组成图,标明电源和各个回路之间的连接方式。
家庭电路的基本组成图主要分为电源、总配电箱和各个回路。
电源通常是通过电表接入家庭,总配电箱连接电表和各个回路。
各个回路包括了照明回路、插座回路、空调回路等。
电源和总配电箱之间的连接方式是通过电缆进行接线连接。
【示意图:电源——总配电箱——各个回路】2. 简述三相电源的特点及其在电工中的应用。
三相电源是由三个交流电压相位相差120°的电源组成。
其特点包括功率大、传输距离远、负载均衡等。
在电工中,三相电源广泛应用于电机、发电机、变压器等电气设备中。
2018年技能高考电气类《晶体三极管和单级低频小信号放大器》试题含答案

《晶体三极管和单级低频小信号放大器》试题时间:60分钟总分:分班级:班命题人:一、判断题1.晶体三极管按材料分有两种:锗管和硅管。
(正确)2.晶体三极管按结构分:NPN、PNP。
(正确)3.晶体三极管有NPN和PNP两种结构形式,但使用最多的是锗NPN和硅PNP两种三极管。
(错误)4.晶体三极管功率分:小功率管、中功率管、大功率管。
(正确)5.晶体三极管三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极c。
(正确)6.晶体三极管的管脚分别是发射极、门极、集电极。
(错误)7.在制造三极管时,有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的,同时基区做得很薄。
(正确)8.晶体三极管是线性器件,可用作开关或者放大器件。
(错误)9.晶体管由两个PN结组成,所以可以用两个二极管反向连接起来充当晶体管使用。
(错误)10.晶体三极管的发射结和集电结是同类型的PN结,所以三极管在作放大管使用时,射极和集电极可相互调换使用。
(错误)11.通常的BJT在集电极和发射极互换使用时,仍有较大的电流放大作用。
(错误)12.三极管有三个工作区,分别是饱和区、放大区、截止区。
(正确)13.三极管是构成放大器的核心,模拟电路中,若要信号不失真,三极管应该工作在放大区。
(正确)14.模拟电路中,三极管用作开关器件。
(错误)15.晶体三极管是非线性器件。
(正确)16.晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。
(正确)17.无论在任何情况下,三极管都具有电流放大能力。
(错误)18.三极管是构成放大器的核心,三极管器件具有电压放大作用。
(错误)19.当三极管发射结、集电结都反向偏置时具有放大作用。
(错误)20.当三极管发射结、集电结都正向偏置时具有放大作用。
(错误)21.放大电路中,硅三极管发射结工作电压是0.3V。
(错误)22.放大电路中,硅三极管发射结工作电压是0.7V。
(正确)23.放大电路中,锗三极管发射结工作电压是0.3V。
2018年电工考试试题及答案

2018年电工考试试题及答案一、单选题:1.金属导体的电阻值随着温度的升高而()。
A:增大 B:减少 C:恒定D:变弱2.纯电感电路的感抗为()。
A:L B:ωL C:1/ωL D:1/2πfL3.在正弦交流电阻电路中,正确反映电流电压的关系式为()。
A:i=U/R B:i=Um/R C:I=U/R D:I=Um/R4.在有些情况下为了缩短晶闸管的导通时间,加大触发电流(两倍以上)这个电流称为()。
A:触发电流 B:强触发电流 C:掣位电流 D:导通电流5.三相负载接在三相电源上,若各相负载的额定电压等于电源线电压1/ ,应作()连接。
A:星形 B:三角形 C:开口三角形 D:双星形6.单相正弦交流电路中有功功率的表达式是()。
A:UI B: UI C:UIcos φ D:UIsinφ7.纯电容交流电路中电流与电压的相位关系为电流()。
A:超前90° B:滞后90° C:同相 D:超前0~90°8.两个正弦量为u1=36sin(314t+120°)V,u2=36sin(628t+30°)V,则有()。
A:u1超前u290° B:u2比u1超前90° C:不能判断相位差 D:9.射极输出器的输出阻抗(),故常用在输出极。
A:较高 B:低 C:不高不低 D:很高10.二极管半波整流时负载两端的直流电压等于()。
A:0.75U2 B: U2 C:0.45U2 D:0.9U211.三相变压器的连接组别是表示()。
A:原付边线电压的相位关系 B:原付边的同名端关系 C:原付边相电压的时至中关系 D:原付边电流大小关系12.射极输出器的电压放大倍数约等于()。
A:80--100 B:1 C:<50 13.晶闸管的控制角越大,则输出电压()。
A:越高 B:移相位 C:越低D:越大14.某正弦交流电压的初相角中,φU=π/6,在t=0时,其瞬时值将()。
2018电气维修技能理论考试题(含答案)

电气维修技能理论考试试题部门:姓名:得分:一、填空题:(每空1分)共30分1、三相异步电动机旋转磁场的转向是由决定的,运行中若旋转磁场的转向改变了,转子的转向。
2、断路器漏电保护对人体保护电流值为 mA。
3、交流电的三要素是指________、_________和_________。
4、变压器的空载试验是为了测量额定电压下的____________和____________。
5、在电气设备上工作,保证安全的技术措施是、、、、。
6、交流电机定子绕组的短路主要是短路和短路。
7、为了保证继电保护装置可靠地工作,并保持随时待动的良好状态,各种继电器应满足下列要求:_ 、、、。
8、变压器有功功率损耗由两部分组成,其一为(又称铁损),其二为(又称铜损);9、带电设备着火时应使用、灭火器,不得使用灭火器灭火。
10、熔断器主要由、和三部分组成。
11、铁芯线圈与其的乘积,可视为造成磁路中有磁通的根源,称之为。
二、选择题(每空1分)共20分1、电流通过人体的途径,从外部来看,( )的触电最危险.A.左手至脚B.右手至脚C.左手至右手D.脚至脚2、两只额定电压相同的电阻,串联接在电路中,则阻值较大的电阻( ).A,发热量较大 B,发热量较小 C,没有明显差别3、Y接法的三相异步电动机,在空载运行时,若定子一相绕组突然断路,则电机().A、必然会停止转动B、有可能连续运行C、肯定会继续运行4、装设接地线时,应( ).A,先装中相 B,先装接地端,再装导线端 C,先装导线端,再装接地端5、低压电气设备保护接地电阻不大于( ).A,0.5Ω B,2Ω C,4Ω D,10Ω6、在图I-2中,在开关S断开瞬间,①立即熄灭的是( );②逐渐熄灭的是( )③突然一亮后逐渐熄灭的是( )。
(A)灯a (B)灯b (C)灯c (D)任意灯7、最常用的接近开关是()开关。
A光电型 B高频振荡型 C电磁感应型 D超声波型8、线路停电时,必须按照( )的顺序操作,送电时相反.A,断路器,负荷侧隔离开关;母线侧隔离开关;B,断路器,母线侧隔离开关;负荷侧隔离开关;C,负荷侧隔离开关,母线侧隔离开关,断路器;D,母线侧隔离开关,负荷侧隔离开关,断路器;9、高压电动机常采用()保护装置作过负荷的保护,常采用()保护装置作短路保护。
2018年湖北省技能高考技能考试大纲(电气电子类)

4.识记正弦交流电基本物理量(瞬时值、最大值、有效值、角频率、周期、频率、 相位、初相位、相位差)的概念;
5.运用相关公式进行各种计算; 6.理解正弦交流电路中感抗、容抗、阻抗、有功功率、无功功率、视在功率、功 率因数; 7.理解电阻、电感和电容在直流电路和交流电路中的作用; 8.理解 RL、RC、RLC 正弦交流电路中电流和电压的关系; 9.理解提高功率因数的意义,并掌握提高功率因数的方法; 10.综合运用 RLC 串联知识计算正弦交流电路中电流和电压。 (四)谐振电路 1.识记谐振概念,理解串、并联谐振的条件和特点; 2.理解品质因数及其对选择性的影响,理解选择性和通频带的关系; 3.运用串联谐振条件和特点,解决谐振电路在实际应用中的具体问题。 (五)三相正弦交流电路 1.识记三相交流电的表示方法; 2.掌握三相四线制电源的线电压和相电压的关系。 3.解三相对称负载星形联接和三角形联接时,负载线电压与相电压、线电流与相 电流之间的关系; 4.掌握对称三相电路电压、电流和功率的计算方法,并理解中性线的作用。
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4.理解晶体三极管的主要参数含义、并掌握晶体三极管工作状态的判别; 5.理解共发射极基本放大电路的组成和各元件作用; 6.理解单级共发射极电路的工作原理和对信号的反相作用; 7.识记静态工作点与波形失真的关系。 (三)集成运算放大器 1.理解反馈和负反馈的概念; 2.理解负反馈对放大电路性能的影响; 3.理解集成运放的理想特性在实际中的应用,识记集成运放的国标电路符号,能 识别由集成运放组成的常见比例运算电路。 4.识记多级放大器的级间耦合方式及特点。 (四)直流稳压电源 1.理解直流稳压电源的作用、分类、组成等基本概念; 2.理解带有放大环节的串联型晶体管稳压电源的组成及工作原理; 3.识记三端集成稳压器的引脚功能和参数标注方法及使用注意事项; 4.能运用三端固定式集成稳压器构成简单应用电路。 (五)数字电路基础知识 1.识记数字电路的基本特点和逻辑函数的概念; 2.理解逻辑功能的常用表示方法(逻辑函数式、真值表和逻辑波形图); 3.理解与门、或门、非门三种基本逻辑门电路基本概念、逻辑功能,逻辑符号、 逻辑函数式和真值表,并能根据输入信号波形画出输出信号波形; 4.理解组合逻辑门电路的特点,掌握与非门、或非门、异或门的逻辑功能、真值 表、逻辑函数表达式; 5.综合运用给定的逻辑电路图,写出逻辑函数式及化简,列出真值表,说明电路 的逻辑功能; 6.识记 RS 触发器、JK 触发器、D 触发器、T 触发器的特性和国标电路符号; 7.识记 555 时基电路的特性和 555 集成块的引脚功能和应用。
晶体二极管及应用电路作业答案

1 图(a )和图(b )分别是二极管全波整流电路和桥式整流电路。
假设二极管为理想开关,试分析对于输入信号的正半周和负半周,每支二极管的状态,并画出输出电压O v 的波形。
[解]图P1-8 输入正半周时,D 1导通,D 2截止。
输入正半周时,D 1D 3导通,D 2D 4截止。
输入负半周时,D 2导通,D 1截止。
输入负半周时,D 2D 4导通,D 1D 3截止。
(a )(b )两整流电路0v 波形相同(图P1-8-1):2 在T=300K 时,某Si 管和Ge 管的反向饱和电流分别是0.5pA 和1μA 。
两管按如图所示的方式串联,且电流为1mA 。
试用二极管方程估算两管的端电压Si V 和Ge V 。
[解]S I I >>,两管已充分导通,故V A 关系为/T V V S I I e =,由此 ln T S IV V I =,取26T V =mV (T=300K )∴ 10000.026ln 0.181Ge V ==V 图P1-29100.026ln 0.5570.5Si V ==V 。
图P1-8-13 在T=300K 时,利用PN 结伏安方程作以下的估算:(1)若反向饱和电流10S I =μA ,求正向电压为0.1V ,0.2V 和0.3V 时的电流。
(2)当反向电流达到反向饱和电流的90%时,反向电压为多少?(3)若正反向电压均为0.05V ,求正向电流与反向电流比值的绝对值。
[解](1)V =0.1伏时,0.1/0.026110(1)458I e μ=-=A ;V =0.2伏时,0.2/0.026210(1)21.9I e =-=mA ; V =0.3伏时,0.3/0.026310(1) 1.026I e=-=A ; (2)按题意/0.0260.9(1)V S S I I e-=-由上式解出0.026ln0.10.06V ==-(V) (3)0.05/0.0260.05/0.0261 5.84 6.8410.54I e I e +---===- 1-4 试分析图示电路中的二极管2AP15的状态(导通还是截止)。
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《晶体二极管及二极管整流电路》试题时间:60分钟总分:分班级:班命题人:一、判断题1. 半导体的导电能力在不同条件下有很大差别,若提高环境温度导电能力会减弱。
(错误)2. 本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。
(正确)3. N型半导体中,主要依靠自由电子导电,空穴是少数载流子。
(正确)4. P型半导体中不能移动的杂质离子带负电,说明P型半导体呈负电性。
(错误)5. PN结正向偏置时,其内外电场方向一致。
(错误)6. 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的PN结。
(正确)7. 半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。
(正确)8. 二极管具有单向导电性。
(正确)9. 二极管是线性器件。
(错误)10. 二极管和三极管都是非线性器件。
(正确)11. 二极管处于导通状态,呈现很大的电阻,在电路中相当于开关的断开特性。
(错误)12. 二极管两端加上正向电压就一定会导通。
(错误)13. 二极管的核心是一个PN结,PN结具有单向导电特性。
(正确)14. PN结的单向导电性,就是PN结正向偏置时截止,反向偏置时导通。
(错误)15. 二极管两端加上反向电压时,反向电流不随反向电压变化而变化,这时二极管的状态为截止。
(正确)16. 二极管的截止特性是其两端的反向电压增加时,而反向电流基本不变。
(正确)17. 二极管只要工作在反向击穿区,就一定会被击穿损坏。
(错误)18. 点接触型二极管其PN结的静电容量小,适用于高频电路。
(正确)19. 整流二极管多为面接触型的二极管,结面积大、结电容大,但工作频率低。
(正确)20. 整流二极管多为点接触型的二极管,结面积小、结电容大,但工作频率低。
(错误)21. 点接触型二极管只能使用于大电流和整流。
(错误)22. 制作直流稳压电源元件中,整流二极管按照制造材料可分为硅二极管和锗二极管。
(正确)23. 半导体二极管按结构的不同,可分为点接触型和面接触型,各自能承受的正向电流值有较大区别。
(正确)24. 晶体二极管击穿后立即烧毁。
(错误)25. 热击穿和电击穿过程都是不可逆的。
(正确)26. 所谓理想二极管,就是当其正向偏置时,结电阻为零,等效成开关闭合;当其反向偏置时,结电阻为无穷大,等效成开关断开。
(正确)27. 二极管的最高反向工作电压是指整流二极管两端的反向电压不能超过规定的电压所允许的值。
如超过这个允许值,整流管就可能击穿。
(正确)28. 整流二极管在最高反向工作电压下工作时,反向电流越大,说明整流二极管的单向导电性能越好。
(错误)29. 使用稳压管时应阳极接高电位,阴极接低电位。
(错误)30. 发光二极管与普通二极管一样是由一个PN结组成,也具有单向导电性。
(正确)31. 稳压二极管是一个特殊的面接触型的半导体硅二极管,其V-A特性曲线与普通二极管相似,但反向击穿曲线比较陡。
(正确)32. 稳压二极管稳压时它工作在正向导通状态。
(错误)33. 稳压二极管在起稳定作用的范围内,其两端的反向电压值,称为稳定电压。
不同型号的稳压二极管,稳定电压是不同的。
(正确)34. 稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在反向偏置状态,但其两端电压必须大于它的稳压值Uz,否则处于截止状态。
(正确)35. 稳压管与其它普能二极管不同,其反向击穿是可逆性的,当去掉反向电压稳压管又恢复正常。
(正确)36. 稳压二极管如果反向电流超过允许范围,二极管将会发生热击穿,所以,与其配合的电阻往往起到限流的作用。
(正确)37. 整流电路由二极管组成,利用二极管的单向导电性把直流电变为交流电。
(错误)38. 用两只二极管就可实现单相全波整流,而单相桥式整流电路却用了四只二极管,这样做虽然多用了两只二极管,但降低了二极管承受的反向电压。
(正确)39. 同种工作条件,单相半波整流电路和单相全波整流电路,其二极管承受的反向电压大小一样。
(错误)40. 同种工作条件,单相半波整流电路和单相桥式整流电路,其二极管承受的反向电压大小不同。
(错误)41. 在电容滤波整流电路中,滤波电容可以随意选择(错误)42. 在电容滤波整流电路中,电容耐压值要大于负载开路时整流电路的输出电压。
(正确)43. 在滤波电路中,只有电容滤波电路和电感滤波电路。
(错误)44. 电容滤波器,电容越小,则滤波效果越好。
(错误)45. 电容滤波电路的特点是:纹波成分大大减少,输出的直流电比较平滑,电路简单。
(正确)46. 滤波电路一般是由储能元件组成,主要利用储能特性把脉动直流电变为平滑的直流电。
(正确)二、单选题1. 本征半导体是( B )。
A. 掺杂半导体B. 纯净半导体C. P型半导体D. N型半导体2. P型半导体是在本征半导体中加入微量的(A)元素构成的。
A. 三价;B. 四价;C. 五价;D. 六价。
3. N型半导体是在本征半导体中加入微量的(C)元素构成的。
A. 三价;B. 四价;C. 五价;D. 六价。
4. P型半导体的多数载流子是( B )。
A. 电子B. 空穴C. 电荷D. 电流5. N型半导体的多数载流子是( B )。
A. 电流B. 自由电子C. 电荷D. 空穴6. 关于N型半导体的下列说法,错误的是(C )。
A. 自由电子是多数载流子B. 在二极管中由N型半导体引出的线是二极管的阴极C. 在纯净的硅晶体中加入三价元素硼,可形成N型半导体D. 在PNP型晶体管中,基区是N型半导体7. 关于P型、N型半导体内参与导电的粒子,下列说法正确的是( A )。
A. 无论是P型还是N型半导体,参与导电的都是自由电子和空穴B. P型半导体中只有空穴导电C. N型半导体中只有自由电子参与导电D. 在半导体中有自由电子、空穴、离子参与导电8. 半导体的导电能力随温度升高而(),金属导体的电阻随温度升高而(D)。
A. 降低/降低B. 降低/升高C. 升高/降低D. 升高/升高9. PN结呈现正向导通的条件是( B )。
A. P区电位低于N区电位B. N区电位低于P区电位C. P区电位等于N区电位D. N区接地10. 二极管的反向电流随着温度降低而( B )。
A. 升高B. 减小C. 不变D. 不确定11. 半导体PN结的主要特性是( C )。
A. 具有放大特性B. 具有改变电压特性C. 具有单向导电性D. 具有增强内电场性12. 晶体二极管的主要特性是( C )。
A. 放大特性B. 恒温特性C. 单向导电性D. 恒流特性13. 在半导体PN结两端施加(B)就可使其导通。
A. 正向电子流B. 正向电压C. 反向电压D. 反向电子流14. 硅二极管导通时,它两端的正向导通压降约为( B )。
A. 0.1VB. 0.7VC. 0.3VD. 0.5V15. 硅二极管的死区电压约为( D )。
A. 0.1VB. 0.7VC. 0.3VD. 0.5V16. 锗二极管导通时,它两端的正向导通压降约为(C)。
A. 0.1V B. 0.7V C. 0.3V D. 0.5V17. 锗二极管的死区电压约为(A)。
A. 0.1VB. 0.7VC. 0.3VD. 0.5V18. 二极管由(A)个PN结组成。
A.1B.2C.3D. 019. 晶体二极管的主要功能之一是( D )。
A. 电压放大B. 线路电流放大C. 功率放大D. 整流20. 晶体二极管的正极电位是-8V,负极电位是-2V,则该晶体二极管处于( A )。
A. 反偏B. 正偏C. 零偏D. 不可判断21. 晶体二极管的正极电位是-10V,负极电位是-16V,则该晶体二极管处于(B)。
A. 反偏B. 正偏C. 零偏D. 不可判断22. 稳压二极管具有( B )作用。
A. 开关B. 稳压C. 放大D. 滤波23. 二极管的反向电阻( B )。
A. 小B. 大C. 中等D. 为零24. 下列说法正确的是( C )。
A. N型半导体带负电B. P型半导体带正电C. PN结型半导体为电中性体D. PN结内存在着内电场,短接两端会有电流产生25. 半导体的电阻随温度升高而(B ),金属导体的电阻随温度升高而(B )。
A. 降低/降低B. 降低/升高C. 升高/降低D. 升高/升高26. 当温度升高时,二极管的反向饱和电流将( A )。
A. 增大B. 不一定C. 减小D. 不变27. 锗二极管的正向导通压降比硅二极管的正向导通压降(B )。
A. 大B. 小C. 相等D. 无法判断28. 稳压二极管的正常工作状态是( C )。
A. 导通状态B. 截止状态C. 反向击穿状态D. 饱和状态29. 整流电路的目的是( A )。
A. 将交流变为直流B. 将高频变为低频C. 将正弦波变为方波D. 将直流变为交流30. 下列符号中表示稳压二极管的为( B )。
A. B. C. D.31. 上题符号中表示发光二极管的为(C)。
32. 上题符号中表示光电二极管的为(D)。
33. 在桥式整流电容滤波电路中,若有一只二极管断路,则负载两端的直流电压将会( A )。
A. 下降B. 升高C. 变为0D. 保持不变34. 稳压二极管是利用二极管的( C )特征制造的特殊二极管。
A. 正向导通时电压变化小B. 反向截止时电流小C. 反向击穿时电压变化小而反向电流变化大D. 单向导电35. 硅二极管的正向导通压降比锗二极管的正向导通压降(A)。
A. 大B. 小C. 相等D. 无法判断36. 电路如图所示,则处于导通状态的二极管是(A )。
A. 只有D1B. 只有D2C. D1和D2D. D1和D2均不导通37. 在整流电路中,设整流电流平均值为,则流过每只二极管的电流平均值的电路是( B )。
A. 单相桥式整流电路B. 单相半波整流电路C. 单相全波整流电路D. 以上都不行38. 如图所示,两只硅稳压二极管的稳压值分别为3V和6V,如果输入电压UI为8V,则输出电压U0为( A )。
A.3VB.6VC.9VD. 0.7V39. 半导体二极管按结构的不同可分为点接触型和面接触型,点接触型二极管能承受的正向电流较(B ),面接触型二极管能承受的正向电流较( B )。
A. 小/小B. 小/大C. 大/小D. 大/大40. 当硅晶体二极管加上0.2V正向电压时,该晶体二极管相当于( D )。
A. 小阻值电阻B. 一根导线C. 内部短路D. 阻值很大的电阻41. 两个硅稳压管,Uz1 =6V,Uz2=9V, 下面(D )不是两者串联时可能得到的稳压值。
A. 15 VB. 6.7 VC. 9.7 VD.3V。