硅材料检测技术知识点总结
硅材料测试与分析

第八章硅材料的测试与分析8.1 硅材料的电学参数测量电学参数测量是硅材电学性能测量的重要内容。
它主要包括导电型号、电阻率、少子寿命和迁移率测量。
本节将对上述电学参数逐一进行介绍。
8.1.1 导电型号的测量硅半导体的导电过程存在电子和空穴两种载流子[1~3]。
多数载流子是电子的称n型硅半导体;多数载流子是空穴的称p型硅半导体。
测量导电型号就是确定硅材料中多数载流子的类别。
目前,国内外测量导电型号的方法有冷热探针法、整流法、双电源动态导电法和霍尔效应法等。
由于前面三种方法具有所需设备简单的优点,而霍尔效应法所用到的设备较复杂,且对于近本征材料的型号确定不准确,因此下面主要介绍前面三种方法。
8.1.1.1 冷热探针法冷热探针法是利用温差电效应来测量硅晶体的导电型号的。
它包括两种测量方法,即利用温差电流方向测量法和利用温差电势极性测量法,如图8-1所示。
图8-1 冷热探针法测导电类型(a)利用电势极性测量(b)利用温差电流方向测量在样品上压上两根金属探针,一根是热探针,其结构可以是将小的加热线圈围绕在一个探针的周围,也可以用小型电烙铁;另一根是冷探针,其温度为室温。
冷热探针的材料用不锈钢或镍比较好,其温差保持30~40℃即可。
每一根探针的尖端应为60度的圆锥。
当冷热探针和N型硅晶体接触时,两个接触点便产生温差,传导电子将流向温度较低的区域,从而使热探针处于电子缺少状态,因而相对于室温触点而言,热探针电势将是正的;同理,对P型硅晶体热探针相对室温触点而言将是负的。
此时,如果将冷热探针接上数字电压表(或检流计)形成一闭合回路,则根据两个接触点处存在温差所引起的温差电压(或温差电流)的方向可以确定导电类型。
如果冷热探针法测量的是温差电流,则主要适用于电阻率小于1000Ω·cm的硅晶体的检测;而如果检测的是温差电势,便可提高电阻率的检测上限。
8.1.1.2 整流法整流法用于测量电阻率在1~1000Ω·cm 之间的硅晶体的导电型号。
有关硅的知识点总结

有关硅的知识点总结硅的物理性质硅是一种灰白色、具有金属光泽的固体。
其熔点为1414°C,沸点为3265°C,在常温下为半导体,具有高的电阻率。
硅具有良好的热导电性能,对许多化学物质具有良好的耐腐蚀性。
硅的化学性质硅是一种化学性质稳定的元素,不易与多种物质发生反应。
但在高温下,硅可以与氧、氮、氢等元素发生化学反应,生成硅氧化物、氮化硅、氢化硅等化合物。
这些化合物在工业生产中具有广泛的应用。
硅的应用1. 半导体材料硅是最重要的半导体材料之一,被广泛应用于电子器件制造中。
硅芯片是计算机、手机、电视等电子设备的关键组成部分,其微小的电路结构使得信息处理速度大大提高。
2. 太阳能电池硅材料是太阳能电池的主要材料之一,通过将硅材料掺杂成P型和N型半导体,制成硅太阳能电池板,能够将太阳能转化为电能,具有环保和可再生的特点。
3. 硅酮制品硅酮是一种广泛用于建筑材料、陶瓷制品和耐火材料的材料,因其耐高温、耐腐蚀的特性,在工业上有重要应用。
4. 硅橡胶硅橡胶是一种具有优异性能的橡胶制品,具有耐高温、耐老化、优异的电绝缘性能,被广泛用于制造密封件、电线电缆绝缘层等。
5. 医疗器械由于硅材料具有生物相容性,被广泛用于医疗器械制造,例如心脏起搏器、人工关节等。
6. 化妆品硅材料被广泛应用于化妆品中,起到吸油、增稠、保湿等作用,提高了化妆品的质感和保湿效果。
硅的生产硅的生产主要通过硅石焙烧法和金属硅熔炼法两种方法进行。
硅石焙烧法是利用石英石和碳粉在高温下反应生成二氧化碳和二氧化硅,再通过还原反应将二氧化硅还原为金属硅。
金属硅熔炼法是利用金属硅的氧化物与还原剂在高温下进行反应生成金属硅的方法。
这两种方法均需要高温高压条件,并产生大量的二氧化碳排放,造成对环境的污染。
未来发展随着科学技术的不断发展,对新型材料的需求也日益增加。
硅作为一种重要的半导体材料,其在电子器件、光伏发电、新能源领域的应用前景十分广阔。
硅片检测工作总结

硅片检测工作总结
硅片检测是半导体行业中非常重要的一环,它可以帮助我们确保生产出的硅片
质量符合标准,并且能够正常工作。
在这篇文章中,我们将对硅片检测工作进行总结,探讨其重要性和实施方法。
首先,硅片检测对于半导体行业来说至关重要。
硅片是半导体制造的基础材料,它们需要经过严格的检测才能保证其质量和稳定性。
任何一个缺陷或不合格的硅片都可能导致整个芯片的失效,因此硅片检测工作对于保证产品质量和客户满意度至关重要。
其次,硅片检测的实施方法多种多样。
常见的硅片检测方法包括光学显微镜检测、扫描电子显微镜检测、X射线衍射检测等。
这些方法可以帮助我们发现硅片上的缺陷、杂质和结构问题,从而及时进行修复或淘汰不合格的硅片,保证产品的质量。
此外,硅片检测工作还需要高度的自动化和精准度。
随着半导体工艺的不断发展,硅片上的特征和缺陷也变得越来越微小,传统的手工检测方法已经无法满足需求。
因此,我们需要借助先进的自动化设备和精密的检测工具,以确保硅片检测的准确性和效率。
总的来说,硅片检测工作是半导体行业中不可或缺的一环,它对产品质量和客
户满意度有着直接的影响。
通过不断改进检测方法和引入先进的技术,我们可以提高硅片检测的准确性和效率,从而为半导体制造业的发展提供更加可靠的保障。
希望未来硅片检测工作能够不断进步,为半导体行业的发展做出更大的贡献。
硅材料知识

硅材料的基本特性1、硅材料的基本特性;2、硅单晶材料的重要参数定义:晶向;导电类型;电阻率;杂质分布均匀性;微缺陷;晶片几何尺寸及公差;厚度;弯曲度;翘曲度;平行度;抛光片的平坦度;3、硅单晶中杂质的缺陷对器件的影响。
硅结晶型的硅是暗黑蓝色的,很脆,是典型的半导体。
化学性质非常稳定。
在常温下,除氟化氢以外,很难与其他物质发生反应。
硅的用途:①高纯的单晶硅是重要的半导体材料。
在单晶硅中掺入微量的第IIIA族元素,形成p型硅半导体;掺入微量的第VA族元素,形成n型和p型半导体结合在一起,就可做成太阳能电池,将辐射能转变为电能。
在开发能源方面是一种很有前途的材料。
②金属陶瓷、宇宙航行的重要材料。
将陶瓷和金属混合烧结,制成金属陶瓷复合材料,它耐高温,富韧性,可以切割,既继承了金属和陶瓷的各自的优点,又弥补了两者的先天缺陷。
可应用于军事武器的制造。
第一架航天飞机“哥伦比亚号”能抵挡住高速穿行稠密大气时磨擦产生的高温,全靠它那三万一千块硅瓦拼砌成的外壳。
③光导纤维通信,最新的现代通信手段。
用纯二氧化硅拉制出高透明度的玻璃纤维,激光在玻璃纤维的通路里,无数次的全反射向前传输,代替了笨重的电缆。
光纤通信容量高,一根头发丝那么细的玻璃纤维,可以同时传输256路电话,它还不受电、磁干扰,不怕窃听,具有高度的保密性。
光纤通信将会使21世纪人类的生活发生革命性巨变。
④性能优异的硅有机化合物。
例如有机硅塑料是极好的防水涂布材料。
在地下铁道四壁喷涂有机硅,可以一劳永逸地解决渗水问题。
在古文物、雕塑的外表,涂一层薄薄的有机硅塑料,可以防止青苔滋生,抵挡风吹雨淋和风化。
天安门广场上的人民英雄纪念碑,便是经过有机硅塑料处理表面的,因此永远洁白、清新。
发现1822年,瑞典化学家白则里用金属钾还原四氟化硅,得到了单质硅。
名称由来源自英文silica,意为“硅石”。
分布硅主要以化合物的形式,作为仅次于氧的最丰富的元素存在于地壳中,约占地表岩石的四分之一,广泛存在于硅酸盐和硅石中。
硅料测试培训

96
11.56
N
76.8 57.6 38.4 19.2
4.777 3.465 2.975 3.289
N P P P
硅块
电阻率分布
硅料分类1
2.1、硅棒(提拉工艺形成的硅晶体,呈棒 状或圆柱状)
2.2、埚底料(提拉硅料时,坩埚底部残留 的硅料,呈团状或块状)
硅料分类2
2.3、高纯硅料(高阻:>50 •cm): a、多晶硅块(chunk)料,西门子多晶制作,外观较为规则, 如冠状块或块状;
1~9月用数字表示,10~12月分别用 、B、C表示 月用数字表示, 月分别用A、 、 表示 月用数字表示 月分别用
硅块定义
第一种切成16块:156mm×156mm 硅块定义: A1B2B3A4 B5C6C7B8 B9C10C11B12 A13B14B15A16 第二种切成25块:125 mm×125 mm 硅块定义: A1B2B3B4A5 B6C7C8C9B10 B11C12C13C14B15 B16C17C18C19B20 A21B22B23B24A25
提问与解答
? ? ? ? ?
谢谢!
b、纯料碎块(fines),制作纯料时的小碎块。
硅料分类3
C、硅颗粒,沸腾流化床制做,硅粉,制作纯料时的于生物或切割液中提纯
物。
2.4、拉制单晶所切头尾,呈长方状或锥状
测试时注意问题
一:测试前应注意校正测试仪器,保证仪器的 准确性 二:测试时应该硅料测试点应平整,并保持测 试笔和硅料紧贴 三:测试硅料应保持表面干净,才能保证测试 结果的准确性 四:测试好的料注意区分,并做好记录 五;测试时应注意带好防护用品
开方后产生1.2、T1料、T2料、硅块、硅块切尾、 尾料,
硅材料讲义

总结: 我们只有认清了硅材料的性质, 才能在生产中有效的控制质量、降 低成本,为企业创造利益! 对于硅材料,实践证明: 符合标准的肯定不是最好的。
今天就讲到这里,谢谢!
E-Mail:omega.shi@
如果在光照 后产生的载流子 使电阻率有很大 变化,则测出少 子寿命会有所增 加。 正如前人在 做了磷吸杂后测 量少子寿命,发 现有极大提高, 而电池片效率做 出来后却没有明 显变化。
引起少子寿命测量假象的因素还有氧的热施主状态。 究竟哪种方法测量少子寿命是比较可靠的呢? 去除氧的热施主、补偿假象、表面抛光钝化后 的硅片,测量结果比较接近真实值。
硅材料质量分析与鉴别
石坚 2008年12月
一、多晶硅主要的生产工艺
1、改良西门子法ห้องสมุดไป่ตู้
Si + 3HCl→SiHCl3 +H2 +Q SiHCl3 +H2 →Si + 3HCl - Q
氯化 还原
2、新硅烷热分解法 新硅烷热分解法分为两种, 一种在流化 床上分解硅烷( SiH4 ) 得到粒状多晶硅(如 MEMC), 另一种是用SiH4 为原料在西门子式 硅沉积炉内生长多晶硅棒。
间隙氧含量为22ppma时:
间隙氧含量为18ppma时:
间隙氧含量为22ppma和18ppma,发现18ppma的衰 减下降1.8%,电池片厂家的成本也就下降了1.8% ! 不过对于CZ法单晶,其石英坩埚就是SiO2,控制氧含量
并不容易。目前的一些工艺有:控制埚转、晶转、硅料接触坩 埚面积、磁场法。
则如下图:
此硅棒实际的硼含量对应的电阻率为:
此硅棒对应位置切下的硅片制成电池 片后衰减的分布曲线为:
头部衰减为2.8%, 如果此硅棒切片,则其对应电池 片的衰减在2-3%,转化成效率就是衰减后损失了 0.5%,也就是16.8%的效率衰减后有16.3%,较之前 的效率上升0.35%。电池片厂家成本节约2%.
(完整word版)硅材料基础知识

导体:导体是很容易导电的物质,电阻率约为10-6-10-8Ωcm,绝缘体:极不容易或根本不导电的一类物质。
半导体:导电性能介于导体和绝缘体之间的一类物质,目前已知的半导体材料有几百种,适合工业化的重要半导体材料有:硅、锗、砷化镓、硫化镉,电阻率介于10-5-1010Ω(少量固体物质如砷、锑、铋,不具备半导体基本特性,叫做半金属。
冶金级硅(工业硅):将自然级自然界的SI02矿石冶炼成元素硅的第一步,冶金级硅分为两类:1、供钢铁工业用的工业硅,硅含量约为75%。
2、供制备半导体硅用,硅含量在99.7%-99.9%,它常用作制备半导体级多晶硅的原料。
多晶硅:1、改良西门子法,2、硅烷法,3、粒状硅法。
改良西门子法:多晶硅生产的西门子工艺,在11000C左右德高纯度硅芯上还原高纯三氯氢硅,生成多晶硅沉积在硅芯上。
过程:1、原料硅破碎;2、筛分(80目)——沸腾氯化制成液态的SIHCL3——粗馏提纯——精馏提纯——氢还原——棒状多晶硅——破碎——洁净分装。
硅烷法:原料破碎——筛分——硅烷生成——沉积多晶硅——棒状多晶——破碎、包装。
单晶硅:硅的单晶体,具有基本完整的点阵结构的晶体,不同的方向具有不同的性质,是一种良好的半导体,纯度要求达到99.9999%甚至达到99.9999999%用于制造半导体器件、太阳能电池等。
区域熔炼法:制备高纯度、高阻单晶的方法。
切克劳斯基法(直拉法):制作大规模集成电路、普通二极管和太阳能电池单晶的使用方法。
硅棒外径滚磨:将单晶滚磨陈完全等径的单晶锭。
硅切片:硅切片是将单晶硅原锭加工成硅圆片的过程(内圆切片机刀口厚度在300-350um,片厚300-400um。
线切机刀口厚度不大于200u,片最薄可达200-250u.).硅磨片:一般是双面磨,用金刚砂作原料,去除厚度在50-100u,用磨片的方法去除硅片表面的划痕,污渍和图形,提高硅片表面平整度。
用内圆切片机加工的硅片一般都需要进行研磨。
硅知识点总结120919

硅知识点总结120919硅(Ge)是一种常见的半导体材料,它广泛应用于电子器件和集成电路中。
在学习硅的知识点时,我们需要了解硅的物理和化学性质、硅晶体的结构和生长方法、硅的掺杂和掺杂技术、硅的杂质和缺陷等。
下面我将为您总结一些关键的知识点。
1.硅的基本信息硅是地壳中含量最高的元素之一,化学符号为Ge,原子序数为32、它是一种灰白色的硬质金属,熔点为937.4℃,沸点为2830℃。
硅的密度为5.323克/立方厘米,具有良好的热导性和电导性。
2.硅的结构硅的结构类似于碳,它具有钻石型晶体结构。
硅原子通过共价键连接在一起,形成一个三维网格结构。
硅晶体可以分为两种结构:多晶硅和单晶硅。
多晶硅由许多晶粒组成,晶粒之间存在晶界;单晶硅由一个连续的晶体结构组成,没有晶界。
3.硅的生长方法硅晶体可以通过多种方法生长,包括Czochralski法、区域熔凝法、气相外延法等。
其中,Czochralski法是最常用的方法。
该方法通过在熔融硅中放入一个种子晶体,然后缓慢提拉并旋转晶体,使其逐渐生长为一个完整的单晶体。
4.硅的掺杂硅可以通过掺杂来调节其导电性能。
掺杂是指将少量杂质原子引入硅晶体中,以改变硅的电子能带结构。
通常使用磷(P)、硼(B)、砷(As)等元素进行掺杂。
磷掺杂的硅是N型硅,硼掺杂的硅是P型硅。
N型硅中的电子浓度高于空穴浓度,P型硅中的空穴浓度高于电子浓度。
5.硅的掺杂技术硅的掺杂技术主要有扩散法、离子注入法和外延法。
扩散法是将掺杂材料的薄层放在硅晶体表面,并在高温下使其扩散到晶体内部。
离子注入法是将掺杂材料的离子注入到硅晶体中,然后通过热退火来修复晶格损伤。
外延法是在硅晶体表面上沉积一层掺杂材料,使其在晶体生长过程中被夹在两个硅层之间。
6.硅的杂质和缺陷硅晶体中可能存在一些杂质和缺陷,它们会对硅的性能产生影响。
常见的杂质有氧气、碳、金属杂质等。
氧气和碳是硅晶体的主要杂质,会影响硅的电子迁移率和载流子浓度。
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4.X 射线的产生? ①电子的韧制辐射,用高能电子轰击金属,电子在打进金属的过程中急剧减速,按照 电磁学,有加速的带电粒子会辐射电磁波,如果电子能量很大,比如上万电子伏,就 可以产生 x 射线,这是目前实验室和工厂,医院等地方用的产生 x 射线的方法。②原 子的内层电子跃迁也可以产生 x 射线,量子力学的理论,电子从高能级往低能级跃迁 时候会辐射光子,如果能级的能量差比较大,就可以发出 x 射线波段的光子。
硅单晶面经研磨、择优腐蚀等一系列恰当的处理后,表面出现许多的小腐蚀坑,当一 束平行光入射到小坑上时,就会被这些小平面反射到不同的方向上去,如在反射光路 上放置一个光屏,就能在光屏上现出晶体的光像,这种光像具有与腐蚀坑相应的宏观 对称性。根据晶体反射光像的对称性以及光图中心的偏离角,可以确定晶体的生长方 向和晶体的晶向偏离角度。 三、X 射线定向 1.X 射线——电磁波——波长 0.01~100Å ,1nm=10Å=10-9m 2.X 射线的性质:(感光作用,荧光作用,电离作用,穿透能力强,折射率近似等于 1, 衍射作用) 3.X 射线分类①具有连续各种波长的射线,构成连续 X 射线谱,这种连续 X 射线和白 光相似,是各种波长辐射的混合体,也叫白色 X 射线或多色 X 射线。②具有一定波长 的若干 X 射线谱线,叠加在连续 X 射线谱上,称为特征 X 射线或标识 X 射线。 3.X 射线定向仪(组成:X 射线发生部分,X 射线检测部分,样平台及转角测量部分) ——用来精确的测定各种半导体晶体的晶向
若四根探针排列成一条直线,其间距分别为 S1、S2、S3,则
������
=
������������������ ������
×
������������
������ (������������
+
������ ������������
−
������������
������ +
������������
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
−
������������
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������������������ ������
×
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������ (������������������
+
������ ������������������
−
������ ������������������
−
������ −������ ������������������)
������������ ������ ������ ������������������ = ������������������ + ������������������ = ������������ (������������������ − ������������������)
������������ ������ ������ ������������������ = ������������������ + ������������������ = ������������ (������������������ − ������������������) 故探针 2 和探针 3 之间的电位差为:
������������ ������������������ = ������������������������������
������������ ������������������ = − ������������������������������
������������ ������������������ = − ������������������������������ 故探针 2 和探针 3 所处的电位为:
������ ������
������
������ −������
������ = ������������ (������������ + ������������ − ������������ + ������������ − ������������ + ������������)
当 S1=1.002mm, S2=1.000 mm,S3=1.001 mm 时,C= 2.0045π.
������ +
−������
������������)
若四根探针间距相等,则
所以
������������ = ������������ = ������������ = ������
������
=
������������������ ������
×
������������������
②探针系数 C:
������������ ������ ������ ������ ������ ������������������ = ������������������ − ������������������ = ������������ (������������������ + ������������������ − ������������������ − ������������������) 故样品电阻率为:
大于体寿命的倒数。 3.满足小注入的条件:P 型材料:Δn/p0<1%;N 型材料:Δp/n0<1% 4.对于矩形样品(A×B),光照面积应为中央 1/2A×1/2B
第二章 化学腐蚀与晶体缺陷 一、化学腐蚀:在腐蚀性气体中所受到的腐蚀。si+4HCL→SiCL4+2H2 电化学腐蚀:在电解质水溶液中所受到的腐蚀。【如没外加电源称为电化学腐蚀,如有 外加电源称为电解腐蚀。】 二、构成电化学腐蚀的条件:①被腐蚀的半导体各个部分或区域之间存在电位差,构 成正极或负极。②具有不同电极电位的半导体各部要互相接触③半导体电极电位的不 同部分处于互相连通的电解质溶液中,构成微电池。 三、影响半导体单晶电化学腐蚀速度的因素:①腐蚀液成分;②电极电位;③缓冲剂 的影响;④腐蚀处理的温度和搅拌的影响;⑤光照的影响 腐蚀在半导体中的应用:①半导体材料及器皿、用具的清洗;②显示缺陷;③将表面 抛光成镜面。 四、单晶中的缺陷: 1.微观缺陷: ⑴点缺陷【①空位②填隙原子③络合体④外来原子】 ⑵线缺陷【①刃型位错②螺型位错③混合位错】 ⑶面缺陷(堆垛次序中某处缺少了 b 层原子,称为本征层错;非本征层错) 2.宏观缺陷【①小角度晶界和系属结构②位错排与星形结构③杂质析出和夹杂物】 金相显微镜的组成:【光学系统、照明系统、机械系统】,对着样品的透镜叫物镜,对 着眼睛的叫目镜。
第一章 单晶硅电学参数的测试 一、导电类型的测试方法: 1.温差电动势法——冷热探笔法——探笔(不锈钢、60。圆锥形、电阻丝功率 10~15W、 保持在 40~60。C)——电场方向:冷端热端——适用于室温电阻率在 1000Ω·cm 以 下的硅单晶 2.整流效应法(三探针法、单探针点接触整流法、冷探笔法、四探针法) 三探针法——针距 0.15-1.5mm——适用于室温电阻率在 1-1000Ω·cm 之间的硅单晶 二、用接触法测量电阻率的方法: 1.两探针法——ρ=US/IL 2.四探针法: ①原理
������������+(������������������+)������− + ������+ − ������������− → ������������������+(������������������+)������������− + ������+ − ������− ������������−(������������������������−)������+ + ������������+ − ������������− → ������������+������������−(������������������������−) + ������+ − ������������− ③离子交换法:原水流过交换树脂时,水中的阴阳杂质离子与树脂的 H+和 OH-交换而被 吸附在树脂上,若阴阳离子比例适当,则树脂中有等量 H+和 OH-的进入水中,完全结合
有一块半导体样品,假定电.阻.率.是.均.匀.的,且.半.无.限.大.,且.有.一.点.电.流.源.,则 ������������
������������ = ± ������������������ 则由上图及公式得,
������������ ������������������ = ������������������������������
第三章 晶体定向 一、晶向(晶面指数)
1.晶向指数:①通过晶胞的原点,作一条平行于该晶向的直线②在这条直线上任取一 点,并求出它在 X,Y,Z 轴上的三个坐标③将这三个坐标值化为最简整数比 u,v,w④ 确定其晶向指数为[uvw] 2.晶面指数:①确定晶面与 x,y,z 的截距 a,b,c②取截距的倒数 1/a,1/b,1/c③通分后 取最简整数比 r,s,t④确定其晶面指数为(rst)【注:1/0=∞ 】 二.光图定向的基本原理
3.扩展电阻法 4.范德堡法
三、非平衡少数载流子
1.非平衡载流子的复合是有先有后的,可把非平衡载流子平均存在的时间定义为非平
衡少数载流子的寿命 τº
2.测量非平衡少数载流子的方法:1.瞬态法(直接法):光电导衰退法【脉冲氙灯①直
流②高频】.2.稳态法(间接法)①扩散长度法②光磁法
体复合条件:保证测量的准确,表观寿命必须大于体寿命的一半,即表面复合率不得
第五章 纯水检测 1.按水中杂质导电类型分类:(导电杂质和不导电杂质) 2.天然水杂志:(①悬浮物质,②胶体物质,③溶解物质)
3.ppm:一百万分之一,1ppm=1mg/L,用于标识水中总溶解固体数目的参数单位;ppb:十 亿分之一,1ppb=1μg/L.用于衡量水中离子的数量 4.RO 系统清洗条件:①装置的纯水量比初期投运时或上一次清洗后降低 5%~10%时; ②装置的单次的浓缩比比初期投运时或上一次清洗后降低 10~20%时;③装置各段的 压力差值为初期投运时或上一次清洗后的 1~2 倍时;④装置需长时期停运时用保护液 保护前。 5.纯水制备系统设备:(多介质过滤器,活性炭过滤器,自动软化系统,保安过滤器, 反渗透 RO 系统清洗装置,阳离子交换器、阴离子交换器及混合离子交换器,水箱部分, 水泵) 6.测量高纯水方法:(静置测量法和流动测量法) 7.天然水纯度:60kΩ.cm 以上; 纯水:10MΩ.cm 以上,25℃ 8.离子交换树脂 组成:骨架(苯乙烯和二乙烯苯的共聚体,R-表示)和活性基团 酸性基团(阳离子交换树脂):酚基-OH,羟基-COOH,磺酸基-SO3H 碱性基团(阴离子交换树脂):伯胺基-NH3OH,仲胺基-NHOH,季胺基-NOH 9.离子交换作用原理 ①交换反应(置换反应) 阳离子与阳树脂的 H+:������������������+(������������������+) + ������− − ������+ → ������������������+(������������������+)������− + ������+ 阴离子与阴树脂的 OH-:������������−(������������������������−) + ������+ − ������������− → ������������−(������������������������−)������+ + ������������−: ②再生反应: